專(zhuān)利名稱(chēng)：包括不可見(jiàn)的發(fā)光二極管光源的透明的物體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種由透明材料構(gòu)成的物體。
背景技術(shù)：
例如由WO 2006/130887 A2得知這樣的物體。該文件從事的目的是，設(shè)置一種由透明材料構(gòu)成的包括標(biāo)記的物體，該標(biāo)記只在確定的條件下才影響物體的光學(xué)外觀形象。為此建議，給物體設(shè)置大量微孔，這些微孔充滿嵌入基體中的發(fā)光的納米粒子。這樣實(shí)現(xiàn)只有在用其波長(zhǎng)優(yōu)選在不可見(jiàn)光譜范圍之內(nèi)的電磁射線照射物體時(shí)標(biāo)記才是可見(jiàn)的。電磁射線由設(shè)置在物體之外的裝置、例如UV-A輻射器提供。該解決方案關(guān)于在WO 2006/130887 A2中描述的主要應(yīng)用領(lǐng)域(標(biāo)記作為防偽保護(hù))是完全令人滿意的。但如已在WO 2006/1038877 A2中記住的，這樣的標(biāo)記也可以具有藝術(shù)目的，其中標(biāo)記例如構(gòu)成為吸引人的圖像的形式。很普遍地，可以值得期待的是，通過(guò)適合的光入射來(lái)突出由透明材料構(gòu)成的物體的確定的特性。為了與環(huán)境光無(wú)關(guān)，已知在這樣的物體的空腔中設(shè)置產(chǎn)生光的裝置，但該裝置本身干擾物體的光學(xué)外觀形象。迄今為止的、將這種產(chǎn)生光的裝置隱藏地安置在物體上的措施按照物體的不同或者是僅有條件地成功的，或者與可觀的結(jié)構(gòu)上的費(fèi)用關(guān)聯(lián)。近幾年來(lái)已知所謂的TOLED(它是透明有機(jī)發(fā)光二極管)。其具有大量的缺點(diǎn)。例如這樣的TOLED由于其小的光密度只可面狀地使用。其壽命到今天的時(shí)刻是較小的。其具有差的著色質(zhì)量并且其對(duì)濕度和氧是比較敏感的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是，提供一種由透明材料構(gòu)成的物體，在該物體中可與環(huán)境照明無(wú)關(guān)地達(dá)到想要的光學(xué)外觀形象。該目的通過(guò)一種具有權(quán)利要求1的特征的物體達(dá)到。通過(guò)使用無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生光的裝置，所述裝置不可見(jiàn)地設(shè)置在物體中或物體上并且具有一個(gè)或多個(gè)準(zhǔn)點(diǎn)狀的光源。在全部公開(kāi)內(nèi)容中，“光”被理解為其波長(zhǎng)在可見(jiàn)光譜范圍之內(nèi)的電磁射線。在本公開(kāi)內(nèi)容中，“不可見(jiàn)的”被理解為這樣的對(duì)象，該對(duì)象至少在用擴(kuò)散的非極化的白光照射時(shí)——但也優(yōu)選在用直接的非極化的白光照射時(shí)、在白色的背景下、但優(yōu)選也在黑色的背景下——以500LUX (勒克斯)(在對(duì)象的位置處測(cè)得)的照度——優(yōu)選也在約 IOOOLux時(shí)——在測(cè)量功能的觀察距離(例如在裝飾的調(diào)節(jié)對(duì)象時(shí)為0. 2m，在吊掛的照明對(duì)象時(shí)為Im)——對(duì)于視力正常的觀察者來(lái)說(shuō)與觀察方向無(wú)關(guān)地在沒(méi)有技術(shù)輔助手段(裸眼)的情況下是不可見(jiàn)的。無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片(該半導(dǎo)體芯片總是具有至少一個(gè)適合于發(fā)射電磁射線、例如光的二極管)本身已可以發(fā)射光。但或者也可以規(guī)定，半導(dǎo)體芯片構(gòu)造成用于發(fā)射在可見(jiàn)光譜范圍之外的電磁射線。在這種情況下，在大多數(shù)情況下變成必需的是，所述裝置具有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器用于將由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的射線的至少一部分至少部分地轉(zhuǎn)換成光。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器可以例如由大量在納米范圍內(nèi)大的發(fā)射光的粒子形成，其中，粒子尺寸應(yīng)該優(yōu)選小于光的波長(zhǎng)的約1/20，以便避免在可見(jiàn)光譜范圍之內(nèi)的光散射。為了增大裝置的效率可以規(guī)定，所述裝置具有至少部分透明的反射鏡，通過(guò)該反射鏡能將由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的射線的至少一部分反射進(jìn)物體中。該反射鏡可以例如以UV 反射器的形式構(gòu)成，該UV反射器雖然反射UV-A射線、但可以使光無(wú)阻礙地通過(guò)。這樣的反射器可以例如借助多層系統(tǒng)和/或光子晶體實(shí)現(xiàn)。優(yōu)選規(guī)定，在物體中為了至少部分地容納半導(dǎo)體芯片而構(gòu)成有微孔。對(duì)此有利的是，半導(dǎo)體芯片至少基本上與圍繞微孔的表面齊平地終止。微孔可以具有在從幾百ym到幾十μπι的數(shù)量級(jí)內(nèi)的直徑。這樣的、橫截面不同且質(zhì)量高的微孔可以例如借助激光無(wú)接觸地且有效地實(shí)現(xiàn)。為了簡(jiǎn)單地保證半導(dǎo)體芯片與透明材料表面的齊平性以及——如果必需——厚度確定的相應(yīng)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器，可以在微孔中設(shè)置適合的間隔保持件。這可以例如在制造微孔時(shí)實(shí)現(xiàn)。微孔基本上可以或者在物體中設(shè)置在表面下方或者位于物體的表面上。有利地經(jīng)由不可見(jiàn)地設(shè)置在物體中或物體上的供電線和觸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)所述裝置的能量供應(yīng)。為此目的，可以例如將相應(yīng)的導(dǎo)電層、例如由透明的導(dǎo)電的氧化物(英語(yǔ) Transparent Contacting Oxide或TC0)構(gòu)成的層以適合的方式施加到物體的表面上。對(duì)于適合的TCO的實(shí)例是ITO (銦錫氧化物)?？梢詫⑦@樣的透明的導(dǎo)電的ITO涂層例如濺射或蒸鍍到物體的表面上。同樣可以使用施加電接觸介質(zhì)、如例如透明的導(dǎo)電的聚合物的其他可能性(例如通過(guò)借助絲網(wǎng)印刷或噴墨打印機(jī)的印制)。特別優(yōu)選地規(guī)定，所述裝置構(gòu)造成用于發(fā)出白光。這可以或者這樣實(shí)現(xiàn)，即，半導(dǎo)體芯片構(gòu)造成僅用于發(fā)射一種唯一波長(zhǎng)的電磁射線，并且提供這樣的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器，這些波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器將由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的射線轉(zhuǎn)變成那些對(duì)于總體上提供相應(yīng)質(zhì)量的白光(亦即例如具有需要的光譜線分配、顯色指數(shù)和色溫的光)所需的光分量。例如也可以規(guī)定，在一個(gè)唯一的半導(dǎo)體芯片中提供用于產(chǎn)生具有兩個(gè)不同波長(zhǎng)的光(例如藍(lán)光和綠光)的器件并且經(jīng)由一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器提供缺少的波長(zhǎng)(例如紅光)。也可想到在一個(gè)整體的附件中、亦即在一個(gè)唯一的半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生具有三種和更多不同波長(zhǎng)的光。特別優(yōu)選的是，所述裝置發(fā)出白光，該白光具有很多光譜線并且按照可能性能與太陽(yáng)光譜相比擬，因?yàn)樵谶@種情況下特別在至少部分地磨成平面(facettiert)而構(gòu)成的物體中在觀察和轉(zhuǎn)動(dòng)物體時(shí)可看到許多不同的顏色。作為物體的透明材料可以例如考慮無(wú)色的玻璃。自然，物體也可以由彩色的玻璃、 寶石、次等寶石/半寶石、陶瓷、塑料或結(jié)晶的透明材料制成。透明材料自然由于不同的原因可以在某些部位處是不透明的封閉的，例如通過(guò)鏡面化、色效應(yīng)涂層、粘貼等。特別是如果物體要具有裝飾功能，則可以規(guī)定，物體構(gòu)造成至少部分地磨成平面的。所述裝置在物體中不可見(jiàn)的設(shè)置基本上可以通過(guò)兩種不同的方法實(shí)現(xiàn)，不過(guò)這兩種方法并不相互排斥，而是完全也可以組合。這樣例如可以規(guī)定，所述裝置構(gòu)造成小于100 μ m、優(yōu)選小于50 μ m。這將會(huì)在采取的約0. 2m的觀察距離時(shí)符合約50弧秒的角度大小并因此符合人眼的點(diǎn)清晰度(眼睛能夠
4仍然區(qū)分開(kāi)地覺(jué)察到的兩個(gè)像點(diǎn)之間的那個(gè)距離)。在這種情況下不一定必需將所述裝置本身構(gòu)造成完全透明的，但必需考慮由裝置的各個(gè)元件的可見(jiàn)度的加權(quán)的和得出合成的可見(jiàn)度。這就是說(shuō)，相應(yīng)元件的“灰度值”按照其數(shù)額和其需要的面積分配到最小可分辨的點(diǎn)的面積上。附加地或替代地可以規(guī)定，至少半導(dǎo)體芯片構(gòu)造成透明的。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片也可以完全大于50μπι或ΙΟΟμπι(例如幾百μπι)。為了達(dá)到所述裝置的提高的不可見(jiàn)度，可以將其嵌入光學(xué)的浸沒(méi)介質(zhì)中，該浸沒(méi)介質(zhì)的折射率匹配于物體的透明材料的折射率。對(duì)此不一定必需將所述裝置的全部部件構(gòu)造成透明的，因?yàn)榈拇_半導(dǎo)體芯片本身具有最大的尺寸，并且完全可能是，例如電流觸點(diǎn)或類(lèi)似物本就是如此之小，以致它們對(duì)于人眼來(lái)說(shuō)是不可見(jiàn)的。但自然完全在本發(fā)明的范圍內(nèi)的是，將所述裝置的全部部件構(gòu)造成透明的。為了排出在裝置中產(chǎn)生的熱量，如果需要，可以提供相應(yīng)的散熱器件。例如可以設(shè)置包括碳納米小管的透明的軟膏或也可設(shè)置設(shè)有微結(jié)晶或納米結(jié)晶的金剛石的透明的軟膏，借其將在裝置的周?chē)牧现械臒崃恳龑?dǎo)到透明的物體中。透明的倒裝芯片(Flip-Chip)附件是另一種優(yōu)選的實(shí)施形式。倒裝芯片組件是對(duì)于至今討論的常規(guī)組件(Epi側(cè)組件，以下也稱(chēng)為“上觸點(diǎn)附件”)的已知的替代方案。該替代方案一般來(lái)說(shuō)在大功率的應(yīng)用中是優(yōu)選的，在該大功率的應(yīng)用中金屬接頭將會(huì)阻止高效地提取產(chǎn)生的光。本發(fā)明的另一技術(shù)方案是將倒裝芯片附件構(gòu)造成透明的。在此，在物體的透明材料中優(yōu)選制出微孔的形式，其中向微孔基底的過(guò)渡不突然地以垂直懸崖的形式、而是至少在一側(cè)削平地實(shí)現(xiàn)。微孔的尺寸在此優(yōu)選在半導(dǎo)體芯片的數(shù)量級(jí)內(nèi)并且可以在一個(gè)或多個(gè)側(cè)面上具有扁平的過(guò)渡。這具有這樣的優(yōu)點(diǎn)，即，在傳統(tǒng)的通常定向的涂層方法中可以涂覆比較均勻的透明的導(dǎo)電層作為電觸點(diǎn)。這可以例如是TCO層(例如ΙΤ0)，該TCO層借助蒸鍍或?yàn)R射施加。透明的導(dǎo)電的墨水構(gòu)成另一種有利的可能性(參見(jiàn)例如Clevios ,納米標(biāo)量的ITO包括緊接著的燒結(jié)過(guò)程，墨水包括碳納米管等)。附加的選擇例如是印刷的精美的線(例如由銀納米粒子構(gòu)成)，這些線由于其小的尺寸(低于50μπι)幾乎是不可見(jiàn)的?？蛇x地可以在層上施加導(dǎo)電的墊，只要尺寸相當(dāng)?shù)匦?典型地低于50 μπι)，這些墊也可以構(gòu)造成金屬的或不透明的?？梢酝ㄟ^(guò)大量現(xiàn)有方法施加這樣的墊，如例如濺射、電鍍或借助平版印刷方法或規(guī)定的印刷方法(例如噴墨印刷)。透明的半導(dǎo)體芯片由于穩(wěn)定性原因優(yōu)選由透明的基材(例如藍(lán)寶石)和無(wú)機(jī)的 LED (英語(yǔ)ILED，例如GaN)構(gòu)成，但也可以只由無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體構(gòu)成，這顯著減小安裝深度 (從典型的50至150 μ m到約10 μ m及其以下)。在此可以用傳統(tǒng)的方法(例如借助沖頭包括抽吸裝置)快速且精確地定位芯片。半導(dǎo)體側(cè)的電流分配層同樣構(gòu)造成透明的(例如借助ITO涂層)。芯片側(cè)的P觸點(diǎn)和N觸點(diǎn)按選擇還可以另外由不透明材料(例如金)構(gòu)成，只要通過(guò)小的尺寸仍確保不可見(jiàn)性?？梢园床煌姆绞綄?shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片與設(shè)置在物體上的透明的導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電的機(jī)械穩(wěn)定的和透明的連接。優(yōu)選的實(shí)施形式特別是金屬的微觸點(diǎn)(例如微金柱狀凸緣)的冷焊、導(dǎo)電的粘貼(例如可印刷的UV硬化的粘合劑包括銀納米粒子)或借助可印刷的ITO的透明的導(dǎo)電的電橋。可能必需的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換可以例如借助相應(yīng)的指數(shù)適應(yīng)的包括納米等級(jí)的磷的基材的不足填充(UnterfUllimg)透明地實(shí)現(xiàn)。另一種可能性是借助薄的添加納米等級(jí)的磷的小板或薄膜的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換。


借助附圖及其所屬的附圖描述得出本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)和細(xì)節(jié)。圖1示出產(chǎn)生光的裝置2在透明的物體1的微孔9中的不可見(jiàn)的嵌入，該裝置具有一無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片4。透明的物體1作為整體在圖2中是可看到的。圖3和4示出關(guān)于上觸點(diǎn)附件包括或沒(méi)有使用微孔的實(shí)施例。圖5示出關(guān)于倒裝芯片組件包括微孔的實(shí)施例，圖6示出相應(yīng)的實(shí)施例沒(méi)有使用微孔。
具體實(shí)施例方式在第一步驟中可以從一晶片3中去除基材層，該基材層已有助于允許晶體層的盡可能均勻的生長(zhǎng)。這一方面可能是必需的，如果基材是不透光的話。但這也可以具有優(yōu)點(diǎn)， 以便顯著減小裝置的深度。在完成安裝以后，由透明的物體1本身確保機(jī)械穩(wěn)定性——物體1本身便因此形成基材。緊接著將晶片3分成各單個(gè)的半導(dǎo)體芯片4(圖la)?？煽吹皆诎雽?dǎo)體芯片4的下側(cè)上的可選的表面結(jié)構(gòu)5，用以提高在半導(dǎo)體芯片4的發(fā)射射線的二極管的一個(gè)層/多個(gè)活性層中產(chǎn)生的射線的輸出效率。例如光子晶體構(gòu)成提高輸出效率的另一種可能性。緊接著可以用起波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器6作用的磷包圍半導(dǎo)體芯片4并且在一側(cè)上給半導(dǎo)體芯片設(shè)有相應(yīng)的反射器作為反射鏡7。在這種情況下，無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片4因此優(yōu)選構(gòu)造成 UV-A-LED或藍(lán)色LED。該布置結(jié)構(gòu)可以用一透明的傳熱層、例如硅/碳納米小管的組合作為散熱器8加外殼，其將在運(yùn)行中產(chǎn)生的熱量排出到物體1中。在所示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片4的上層如是添加ρ的、而下層4b是添加η的， 該半導(dǎo)體芯片優(yōu)選由III-V族氮化物半導(dǎo)體材料系統(tǒng)、如例如GaN構(gòu)成。在圖Ib中，裝置2基本上與物體1的表面齊平地裝入由透明材料構(gòu)成的物體1的微孔9中?？煽吹窖b置2經(jīng)由一透明的導(dǎo)電層、在這里TCO(ITO)層的接觸導(dǎo)通，該層例如已被蒸鍍上或?yàn)R射上并且起電觸點(diǎn)10的作用。圖2還示出物體1的總圖。微孔9和裝置2的視圖自然是不合比例的。對(duì)于圖3 上觸點(diǎn)組裝的一種優(yōu)選的實(shí)施形式的簡(jiǎn)化的示意圖由透明材料構(gòu)成的物體1 ； 微孔9 ；透明的導(dǎo)電層10 ；基材12(可選的)；無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片4 ；透明的P或N電流分配層13(+Ρ觸點(diǎn)或N觸點(diǎn)，可選的)；透明的導(dǎo)電的連接14(例如借助噴墨打印機(jī)的納米等級(jí)的ITO ；由于微結(jié)構(gòu)而覺(jué)察不到的金屬的連接，例如在基質(zhì)中的納米等級(jí)的銀粒子，可借助噴墨打印機(jī)施加)或在微結(jié)構(gòu)的基底上覺(jué)察不到的金屬的連接(例如在基質(zhì)中的納米等級(jí)的銀粒子，可借助噴墨打印機(jī)施加)；可選的絕緣層(例如SiO2)、散熱層、波長(zhǎng)選擇反射鏡
6等未標(biāo)出；微孔9的仍留下的自由空間在一種優(yōu)選的實(shí)施形式中用指數(shù)適應(yīng)于透明材料的添加磷的基材6填滿。對(duì)于圖4:上觸點(diǎn)組裝的另一優(yōu)選實(shí)施形式的簡(jiǎn)化的示意圖由透明材料構(gòu)成的物體1 ；透明的導(dǎo)電層10 ；無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片4(沒(méi)有基材，厚度< 20 μ m)；透明的P或N電流分配層 13(+P觸點(diǎn)或N觸點(diǎn)，可選的)；透明的導(dǎo)電的連接14(例如借助噴墨打印機(jī)的納米等級(jí)的 ΙΤ0)；可選地波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器6 (例如可印刷的薄的UV可硬化的基質(zhì)包括嵌入的納米等級(jí)的磷)；可選地保護(hù)層15(例如有阻抗的可印刷的透明的溶膠凝膠涂層)；可選的絕緣層(例如SiO2)、散熱層、波長(zhǎng)選擇反射鏡等未標(biāo)出。對(duì)于圖5 倒裝芯片組裝的簡(jiǎn)化的示意圖由透明材料構(gòu)成的物體1 ；透明的導(dǎo)電層10 ；基材 12(可選的)；無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片4;透明的P或N電流分配層13 (+P觸點(diǎn)或N觸點(diǎn)，可選的)；導(dǎo)電的連接14 ；可選的絕緣層(例如SiO2)、散熱層、波長(zhǎng)選擇反射鏡等未標(biāo)出；微孔 9的仍留下的自由空間在一優(yōu)選的實(shí)施形式中用指數(shù)適應(yīng)于透明材料的添加磷的基材6填倆。對(duì)于圖6:倒裝芯片組裝的簡(jiǎn)化的示意圖由透明材料構(gòu)成的物體1 ；微孔9 ；透明的導(dǎo)電層 10 ；無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片4 ；透明的P或N電流分配層13 (+P觸點(diǎn)或N觸點(diǎn)，可選的)；導(dǎo)電的連接14 ；可選地波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器(例如可印刷的薄的UV可硬化的基質(zhì)包括嵌入的納米等級(jí)的磷)；可選地保護(hù)層15(例如有阻抗的可印刷的透明的溶膠凝膠涂層)；可選的絕緣層(例如SiO2)、散熱層、波長(zhǎng)選擇反射鏡等未標(biāo)出；可選的絕緣層(例如SiO2)、散熱層、波長(zhǎng)選擇反射鏡等未標(biāo)出。
權(quán)利要求
1.由透明材料構(gòu)成的物體，其特征在于，設(shè)有至少一個(gè)不可見(jiàn)地設(shè)置在物體(1)中或物體上的產(chǎn)生光的裝置O)，所述裝置具有至少一個(gè)無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片G)。
2.按照權(quán)利要求1所述的物體，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片(4)構(gòu)造成用于發(fā)射在可見(jiàn)光譜范圍之內(nèi)的電磁射線。
3.按照權(quán)利要求1所述的物體，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片(4)構(gòu)造成用于發(fā)射在可見(jiàn)光譜范圍之外的電磁射線。
4.按照權(quán)利要求2或3所述的物體，其特征在于，所述裝置(2)具有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器(6)用于將由半導(dǎo)體芯片(4)發(fā)射的射線的至少一部分至少部分地轉(zhuǎn)換為光。
5.按照權(quán)利要求1至4之一項(xiàng)所述的物體，其特征在于，所述裝置(2)具有至少部分透明的反射鏡(7)，通過(guò)該反射鏡能將由半導(dǎo)體芯片(4)發(fā)射的射線的至少一部分反射進(jìn)物體(1)中。
6.按照權(quán)利要求1至5之一項(xiàng)所述的物體，在所述物體(1)中為了至少部分地容納所述半導(dǎo)體芯片(4)而構(gòu)成有微孔(9)。
7.按照權(quán)利要求6所述的物體，其特征在于，所述微孔(9)設(shè)置在物體(1)的表面上。
8.按照權(quán)利要求1至7之一項(xiàng)所述的物體，其特征在于，經(jīng)由不可見(jiàn)地設(shè)置在物體(1) 中或物體上的電觸點(diǎn)(10)實(shí)現(xiàn)所述裝置O)的能量供應(yīng)。
9.按照權(quán)利要求1至8之一項(xiàng)所述的物體，其特征在于，所述裝置(2)構(gòu)造成用于發(fā)出白光。
10.按照權(quán)利要求10所述的物體，其特征在于，所述透明材料是玻璃。
11.按照權(quán)利要求1至10之一項(xiàng)所述的物體，其特征在于，所述物體(1)是至少部分地磨成平面的。
12.按照權(quán)利要求1至11之一項(xiàng)所述的物體，其特征在于，所述裝置(2)小于ΙΟΟμπι。
13.按照權(quán)利要求1至12之一項(xiàng)所述的物體，其特征在于，至少所述半導(dǎo)體芯片(4)構(gòu)造成透明的。
14.按照權(quán)利要求13所述的物體，其特征在于，所述裝置O)的全部部件構(gòu)造成透明的。
15.按照權(quán)利要求13或14所述的物體，其特征在于，所述裝置(2)嵌入光學(xué)的浸沒(méi)介質(zhì)中，該浸沒(méi)介質(zhì)的折射率匹配于所述物體(1)的透明材料的折射率。
全文摘要
由透明材料構(gòu)成的物體(1)，其中，至少一不可見(jiàn)地設(shè)置在物體(1)中或物體上的產(chǎn)生光的裝置(2)，所述裝置具有至少一個(gè)無(wú)機(jī)的半導(dǎo)體芯片(4)。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102301497SQ200980155550
公開(kāi)日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2009年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
發(fā)明者C·泰斯?fàn)?申請(qǐng)人:D. 施華洛世奇兩合公司