專利名稱：基于帶的外延剝離設(shè)備和方法
基于帶的外延剝離設(shè)備和方法發(fā)明背景發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施方式大體上涉及用于制造太陽(yáng)能、半導(dǎo)體以及電子材料和器件的設(shè)備和方法，并且尤其是涉及外延剝離(印itaxial lift off) (ELO)薄膜和器件。相關(guān)技術(shù)的描述器件制造中的一個(gè)階段涉及用作光生伏打或太陽(yáng)能器件、半導(dǎo)體器件或其它電子器件的薄膜的處理和包裝。這種薄膜器件可利用各種用于在基底或晶片上沉積材料以及從基底或晶片移除材料的過程來制造。一種用于制造薄膜器件的不尋常的技術(shù)稱為外延剝離 (ELO)過程。ELO過程包括使外延層或膜沉積在生長(zhǎng)基底上的犧牲層(sacrificial layer) 上，然后蝕刻犧牲層以使外延層與生長(zhǎng)基底分離。移除的薄外延層稱為ELO或外延膜或?qū)樱?并且通常包括用作光生伏打或太陽(yáng)能器件、半導(dǎo)體器件或其它電子器件的薄膜。由于ELO膜非常易碎且具有窄的尺寸，因此例如當(dāng)結(jié)合至基底或在包裝時(shí)，薄ELO 膜極難控制或處理。ELO膜在非常小的力下斷裂。另外，由于ELO膜極窄的尺寸，因此ELO 膜很難排列。犧牲層通常非常薄，并且可通過濕化學(xué)過程而被蝕刻掉。整個(gè)過程的速度可通過輸送至或暴露于蝕刻前沿的反應(yīng)劑的缺乏來限制，輸送至或暴露于蝕刻前沿的反應(yīng)劑的缺乏導(dǎo)致來自蝕刻前沿的副產(chǎn)物的較少的移除。ELO蝕刻過程是受限的擴(kuò)散過程，并且當(dāng)ELO 膜維持其沉積的幾何圖形時(shí)，嚴(yán)格地限制過程的總速度的非常窄且長(zhǎng)的開口形成。為了減小擴(kuò)散過程的傳輸限制，打開由蝕刻或移除的犧牲層產(chǎn)生的生成開口并且遠(yuǎn)離生長(zhǎng)基底來彎曲ELO膜可能是有益的。當(dāng)蝕刻時(shí)的彎曲動(dòng)作在ELO膜和生長(zhǎng)基底之間形成縫隙——縫隙的幾何圖形提供較大的角度以提高朝向蝕刻前沿和遠(yuǎn)離蝕刻前沿兩種情形的物類的傳輸。反應(yīng)劑朝向蝕刻前沿運(yùn)動(dòng)，而副產(chǎn)物一般遠(yuǎn)離蝕刻前運(yùn)動(dòng)。然而，ELO膜的彎曲能誘導(dǎo)在ELO膜的強(qiáng)度內(nèi)對(duì)外延層施加應(yīng)力，并且彎曲的量通過ELO膜的強(qiáng)度來限制。ELO膜通常包括易碎的材料，其在失效之前不經(jīng)歷塑性變形，并因此可遭受斷裂誘導(dǎo)的失效。為使斷裂傳播的可能性減至最小，易碎的ELO膜可維持在壓應(yīng)力下。斷裂通常不會(huì)穿過殘留的壓應(yīng)力區(qū)來傳播。由于ELO膜在縫隙的彎曲處的外側(cè)上，因而在遠(yuǎn)離生長(zhǎng)基底來彎曲ELO膜時(shí)，ELO膜處于拉應(yīng)力下。拉應(yīng)力限制縫隙彎曲的量，并且減小蝕刻過程的速度。為了克服這種限制，殘留的壓應(yīng)力可在蝕刻犧牲層之前于ELO膜內(nèi)被逐漸灌輸。這種初始的壓應(yīng)力可被由彎曲引起的拉應(yīng)力抵消，并由此允許在分離過程期間較大的彎曲量。另外，對(duì)于商業(yè)地制作薄ELO膜器件，ELO過程一直是費(fèi)用阻礙性技術(shù)(cost prohibiting technique)。目前的ELO過程包括在制作單個(gè)的ELO膜時(shí)經(jīng)過許多制作步驟來傳遞單個(gè)的生長(zhǎng)基底。目前的過程耗費(fèi)時(shí)間、費(fèi)用高且很少能制作出商業(yè)品質(zhì)的ELO膜。因此，需要更有效的、耗時(shí)較少且費(fèi)用較低的方法和設(shè)備來移除和處理ELO薄膜。發(fā)明概述
本發(fā)明的實(shí)施方式大體上涉及用于通過外延剝離(ELO)過程來制作外延薄膜和器件的設(shè)備和方法。該薄膜器件一般包括外延生長(zhǎng)層，該外延生長(zhǎng)層形成在布置于例如晶片的生長(zhǎng)基底上或上方的犧牲層上。支撐帶可布置在外延膜的與晶片相對(duì)的側(cè)上或上方。 支撐帶可用于在ELO過程的蝕刻步驟和移除步驟期間及其后來支撐外延膜。在不同的實(shí)施方式中，用于從基底移除外延膜的設(shè)備可包括蝕刻部分、基底和支撐帶操縱裝置以及在ELO 移除過程期間保護(hù)外延膜的不同的張力控制裝置(tension control device) 0在一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種用于在ELO過程期間形成薄膜器件的方法，該方法包括在基底上的犧牲層上形成外延膜或材料；將細(xì)長(zhǎng)的帶支撐件粘接在外延膜上；在蝕刻過程期間移除犧牲層；以及在使細(xì)長(zhǎng)的支撐帶彎曲遠(yuǎn)離基底時(shí)，將外延膜從基底剝離。在另一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種用于形成基于帶的ELO堆疊(tape-based ELO stack)的設(shè)備，該設(shè)備包括第一端、第二端和鄰近第一端的帶供給部分。帶供給部分提供至少一個(gè)無載的支撐帶、用于容納至少一個(gè)無載的支撐帶的層壓部分以及具有在其上的外延膜的多個(gè)基底。層壓部分將基底粘接至至少一個(gè)無載的支撐帶，以形成至少一個(gè)加載的支撐帶，且ELO蝕刻部分鄰近第二端，ELO蝕刻部分將基底從至少一個(gè)加載的支撐帶移除，同時(shí)在至少一個(gè)加載的支撐帶上留下外延膜。帶供給部分一般包括至少一個(gè)滾筒，且至少一個(gè)滾筒具有在其上纏繞的至少一個(gè)帶。該設(shè)備的實(shí)施方式還提供布置在帶供給部分與層壓部分之間的拼接/沖壓部分 (splice/punch section)，拼接/沖壓部分在細(xì)長(zhǎng)的無載的支撐帶中形成開口。包括蝕刻浴儲(chǔ)器或罐的ELO蝕刻部分可配置成連續(xù)地將基底從加載的支撐帶移除，并且可配置成分批地將基底從加載的支撐帶移除。在一些實(shí)施方式中，支撐帶具有延伸支撐帶的長(zhǎng)度的至少一排軌道開口(track opening)。其它的實(shí)例提供支撐帶的每一側(cè)具有延伸支撐帶的長(zhǎng)度的一排軌道開口。在一些配置中，支撐帶圍繞至少兩個(gè)卷筒、鼓輪或滾筒運(yùn)動(dòng)。支撐帶圍繞至少一個(gè)滾筒運(yùn)動(dòng)，至少一個(gè)滾筒具有從滾筒延伸以接合軌道開口的多個(gè)銷。在一些實(shí)例中，滾筒包括用以接合軌道開口的鏈輪或輪齒。加載的支撐帶可包括從支撐帶的外邊緣垂直或基本上垂直延伸的多個(gè)狹槽。多個(gè)狹槽具有從加載的支撐帶的相對(duì)的外邊緣延伸的成對(duì)的對(duì)齊的狹槽。每對(duì)狹槽在加載的支撐帶的區(qū)域內(nèi)，并且該區(qū)域沒有基底。每個(gè)基底可在連續(xù)的兩對(duì)狹槽之間連接至加載的支撐帶或在連續(xù)的兩對(duì)狹槽之間與加載的支撐帶連接，例如在包含那對(duì)狹槽的區(qū)域的外側(cè)。在另一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種用于在ELO過程期間形成薄膜器件的方法，該方法包括將細(xì)長(zhǎng)的支撐帶和多個(gè)基底連接，其中每個(gè)基底包括被布置在犧牲層上的外延膜， 犧牲層布置在晶片上；在移動(dòng)細(xì)長(zhǎng)的支撐帶時(shí)，在蝕刻過程期間將基底暴露于蝕刻劑；以及在移動(dòng)細(xì)長(zhǎng)的支撐帶時(shí)，蝕刻犧牲層并將外延膜從晶片剝離。細(xì)長(zhǎng)的支撐帶通過布置在其上的外延膜與每個(gè)基底連接。與細(xì)長(zhǎng)的支撐帶連接的多個(gè)基底一般包括從大約4個(gè)基底至大約100個(gè)基底或更多。細(xì)長(zhǎng)的支撐帶可包括多層。 在一些實(shí)施方式中，細(xì)長(zhǎng)的支撐帶包括至少一種金屬，例如至少一種金屬箔。金屬箔包括例如鐵、鎳、鈷、鋼、不銹鋼、其合金、其衍生物或其組合的金屬。在其它的實(shí)施方式中，細(xì)長(zhǎng)的支撐帶包括至少一種例如塑料材料、聚合物材料、共聚物材料、低聚物材料、其衍生物或其組合的材料。在一些實(shí)例中，細(xì)長(zhǎng)的支撐帶可包括聚丙烯酸材料、聚乙烯材料、聚丙烯材料、聚四氟乙烯材料、氟化聚合物材料、其同分異構(gòu)體、其衍生物和其組合。在一些實(shí)施方式中，細(xì)長(zhǎng)的支撐帶圍繞至少兩個(gè)卷筒、鼓輪或滾筒運(yùn)動(dòng)。細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的至少一側(cè)包括延伸細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的長(zhǎng)度的一排軌道開口。在一些實(shí)例中，細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的每一側(cè)包括延伸細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的長(zhǎng)度的一排軌道開口。細(xì)長(zhǎng)的支撐帶圍繞至少一個(gè)滾筒運(yùn)動(dòng)，該至少一個(gè)滾筒具有從滾筒延伸以接合軌道開口的多個(gè)銷。滾筒可具有作為銷的鏈輪或輪齒，用以接合軌道開口。細(xì)長(zhǎng)的支撐帶可具有從細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的外邊緣垂直或基本上垂直延伸的多個(gè)狹槽。多個(gè)狹槽可具有從細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的相對(duì)的外邊緣延伸的成對(duì)的對(duì)齊的狹槽。在一些實(shí)施方式中，每對(duì)狹槽可在細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的區(qū)域內(nèi)，并且該區(qū)域沒有基底。每個(gè)基底可在連續(xù)的兩對(duì)狹槽之間與細(xì)長(zhǎng)的支撐帶連接。在許多實(shí)施方式中，在每個(gè)基底與細(xì)長(zhǎng)的支撐帶之間布置了粘性層。粘性層可通過將粘接劑施加至每個(gè)基底并將每個(gè)基底連接至細(xì)長(zhǎng)的支撐帶來形成。粘性層可包括壓敏性粘接劑、熱熔性粘接劑、UV固化性粘接劑。在一些實(shí)例中，粘性層包括丙烯酸粘接劑。在一些實(shí)施方式中，犧牲層包括砷化鋁、其合金、其衍生物或其組合。犧牲層可具有在從大約Inm至大約20nm的范圍內(nèi)的厚度。犧牲層在蝕刻過程期間可暴露于濕蝕刻溶液。濕蝕刻溶液包括氫氟酸、表面活化劑和緩沖劑。在一些實(shí)例中，犧牲層以大約5毫米/ 小時(shí)或更大的速率被蝕刻。在晶片上生長(zhǎng)或形成的外延膜或材料可具有多層。晶片一般包括砷化鎵、砷化鎵合金、其摻雜物或其衍生物。外延膜或材料的每層可包括砷化鎵、砷化鎵鋁、磷化鎵銦、其合金、其衍生物或其組合。在一個(gè)實(shí)施方式中，外延膜具有包括砷化鎵的層和包括砷化鎵鋁的另一個(gè)層。外延膜可具有砷化鎵緩沖層、至少一個(gè)砷化鎵鋁鈍化層和砷化鎵活性層。在一些實(shí)施方式中，砷化鎵緩沖層可具有從大約IOOnm至大約500nm范圍內(nèi)的厚度，砷化鎵鋁鈍化層具有從大約IOnm至大約50nm范圍內(nèi)的厚度，以及砷化鎵活性層具有從大約500nm至大約2000nm范圍內(nèi)的厚度。在一些具體的實(shí)例中，每個(gè)外延膜包括具有多層的光生伏打或太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。光生伏打電池結(jié)構(gòu)包括至少兩種例如砷化鎵、η型摻雜的砷化鎵、ρ型摻雜的砷化鎵、砷化鎵鋁、η型摻雜的砷化鎵鋁、ρ型摻雜的砷化鎵鋁、磷化鎵銦、其合金、其衍生物或其組合的材料。附圖的簡(jiǎn)要描述為使以上所列舉的本發(fā)明的特征能夠以被詳細(xì)地理解的方式來描述，以上簡(jiǎn)要總結(jié)的本發(fā)明的更具體的描述可通過參照實(shí)施方式來進(jìn)行，一些實(shí)施方式在附圖中說明。然而，應(yīng)注意，附圖僅說明本發(fā)明的典型的實(shí)施方式，因此不應(yīng)認(rèn)為是限制其范圍，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其它等同有效的實(shí)施方式。

圖1是根據(jù)本文所描述的實(shí)施方式的包括在晶片上的ELO薄膜堆疊的基底的示意性等距視圖。圖2Α是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的被粘接至支撐帶的多個(gè)基底所形成的組件的側(cè)視圖。圖2Β是圖2Α的組件的底部的平面視圖。圖2C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的被附接至支撐帶的多個(gè)外延膜所形成的組件的側(cè)視圖。圖2D是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的纏繞在支撐滾筒上的圖2C的組件的側(cè)視圖。
圖2E是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括纏繞在支撐滾筒上的圖2C的組件的組件的側(cè)視圖。圖3是用于形成基于帶的ELO膜和器件的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式的示意性平面視圖。圖4是用于實(shí)施ELO過程以從支撐晶片移除ELO膜的設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式的示意性等距視圖。圖5是圖4的設(shè)備的帶傳動(dòng)和張緊部分(tape drive and tensioning portion) 的放大的頂部的等距視圖。圖6是圖4的設(shè)備的帶傳動(dòng)和張緊部分的放大的水平等距視圖。圖6A-6C是當(dāng)帶和晶片組件前行穿過圖4的設(shè)備時(shí)帶和晶片組件的橫截面。圖7是用于與本發(fā)明的ELO過程設(shè)備的實(shí)施方式一起使用的帶和晶片罐進(jìn)入組件 (tape and wafer tank entry assembly)的等距視圖。圖8是用于與本發(fā)明的ELO過程設(shè)備的實(shí)施方式一起使用的帶抽出組件的等距視圖。圖9是用于與本發(fā)明的ELO過程設(shè)備的實(shí)施方式一起使用的正面基底分離組件 (positive substrate detachment assembly)的等距視圖。圖10是用于實(shí)施ELO過程以從支撐晶片移除ELO膜的設(shè)備的另外的實(shí)施方式的示意性的等距視圖。圖11是圖10的設(shè)備的帶傳動(dòng)和張緊部分的放大的等距視圖。圖11A-11C是當(dāng)帶和晶片組件前行穿過圖10的設(shè)備時(shí)帶和晶片組件的橫截面。圖12是用于實(shí)施ELO過程以從支撐晶片移除ELO膜的設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施方式的示意性等距視圖。圖13是圖12的設(shè)備的帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分(tape drive and point load tensioning portion)的放大的等距視圖。圖14是圖12的設(shè)備的晶片支撐和推進(jìn)器部分的放大的等距視圖。圖15是用于實(shí)施ELO過程以從支撐晶片移除ELO膜的設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施方式的示意性等距視圖。圖16是圖15的設(shè)備的帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖17是圖15的設(shè)備的晶片支撐和推進(jìn)器部分的放大的等距視圖。圖18是用于實(shí)施ELO過程以從支撐晶片移除ELO膜的設(shè)備的分批型實(shí)施方式的示意性等距視圖。圖19是圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖20是穿過圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖21是處于加載位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖22是穿過處于加載位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖23是處于集中載荷和指狀物降低位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖M是穿過處于集中載荷和指狀物降低位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖25是處于集中載荷和指狀物進(jìn)一步降低位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖沈是穿過處于集中載荷和指狀物進(jìn)一步降低位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖27是處于帶鎖定位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖觀是穿過處于帶鎖定位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖四是處于降低的帶位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖30是穿過處于降低的帶位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖31是處于初始的ELO位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖32是穿過處于初始的ELO位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖33是處于連續(xù)的ELO位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖34是穿過處于連續(xù)的ELO位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖35是處于ELO完成位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖36是穿過處于ELO完成位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖37是處于集中載荷旋轉(zhuǎn)位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的放大的等距視圖。圖38是穿過處于集中載荷旋轉(zhuǎn)位置中的圖18的設(shè)備的晶片支撐件與帶傳動(dòng)和集中載荷張緊部分的橫截面。圖39是說明用于形成ELO薄膜和器件的方法的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖，該方法可通過圖3的設(shè)備來實(shí)施。圖40是說明分批式ELO方法的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖，該方法可通過圖18-38的設(shè)備來實(shí)施。詳細(xì)描述如本文中的一個(gè)實(shí)施方式所描述的，圖1描繪包括外延剝離(ELO)薄膜堆疊150 的基底100。ELO薄膜堆疊150布置在晶片102上或上方，并且包括布置在犧牲層104上或上方的外延膜106?；?00是相對(duì)很難處理的產(chǎn)物，需要將每個(gè)ELO薄膜堆疊150分離地來處理。另外，用于形成ELO薄膜堆疊150的外延層的晶片102通常很昂貴，尤其當(dāng)晶片 102由砷化鎵制成時(shí)。晶片102可包括不同的材料或由不同的材料形成，例如III/V族材料，并且可摻雜其它元素。晶片102可以是晶片或基底，并且通常包括砷化鎵、砷化鎵合金或其它衍生物， 并且可以是η型摻雜或ρ型摻雜的砷化鎵。在一個(gè)實(shí)例中，晶片102包括η型摻雜的砷化鎵材料。在另一個(gè)實(shí)例中，晶片102包括ρ型摻雜的砷化鎵材料。犧牲層104可包括砷化鋁、其合金、其衍生物或其組合。在一個(gè)實(shí)例中，犧牲層104 包括至少砷化鋁層。犧牲層104可具有大約20nm或更小的厚度，例如在從大約Inm到大約 20nm的范圍內(nèi)，或從大約Inm到大約10nm，或從大約4nm到大約6nm。外延膜106 —般包括多層外延材料。在一些實(shí)施方式中，外延膜106的外延材料可包括砷化鎵、砷化鎵鋁、磷化鎵銦、其合金、其衍生物或其組合。外延膜106可包括一層， 但通常包括多層。在一些實(shí)例中，外延膜106包括具有砷化鎵的層和具有砷化鎵鋁的另一個(gè)層。在另一個(gè)實(shí)例中，外延膜106包括砷化鎵緩沖層、砷化鎵鋁鈍化層和砷化鎵活性層。 砷化鎵緩沖層可具有從大約IOOnm到大約500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如大約300nm ；砷化鎵鋁鈍化層可具有從大約IOnm到大約50nm的范圍內(nèi)的厚度，例如大約30nm ；以及砷化鎵活性層可具有從大約500nm到大約2000nm的范圍內(nèi)的厚度，例如大約lOOOnm。在一些實(shí)例中，外延膜106還包括第二砷化鎵鋁鈍化層。第二砷化鎵緩沖層可具有從大約IOOnm到大約500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如大約300nm。在本文的其它實(shí)施方式中，外延膜106可具有包含多層的光生伏打電池結(jié)構(gòu)。光生伏打電池結(jié)構(gòu)可包括砷化鎵、η型摻雜的砷化鎵、ρ型摻雜的砷化鎵、砷化鎵鋁、η型摻雜的砷化鎵鋁、ρ型摻雜的砷化鎵鋁、磷化鎵銦、其合金、其衍生物或其組合。圖2Α-2Ε描繪了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將外延膜106從晶片102傳遞至滾筒上的帶基底的不同階段。圖2Α是組件200的側(cè)視圖，圖2Β是組件200的仰視圖，組件200包括附接至支撐帶202的多個(gè)(顯示為6個(gè))圖1的基底100。每個(gè)基底100具有布置在晶片102上或上方的犧牲層104和布置在犧牲層104上或上方的外延膜106。粘性層204可布置在每個(gè)基底100與支撐帶202之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，粘性層204可在與支撐帶202粘接或連接之前被施加至基底 100或外延膜106。替代地，粘性層204可在與基底100或外延膜106粘接或連接之前被施加至支撐帶202。另外，粘性層204可既施加至支撐帶202又施加至基底100或外延膜106， 并且隨后粘接或連接在一起。粘性層204可由壓敏性粘接劑(PSA)、熱熔性粘接劑、紫外線 (UV)固化性粘接劑、丙烯酸粘接劑、橡膠粘接劑、天然粘接劑(例如天然橡膠)、合成粘接劑 (例如合成橡膠)、其衍生物或其組合制成。粘性層204的材料至少大體上耐使用于如下面所述的蝕刻過程中的蝕刻劑。在一些實(shí)例中，粘性層204可由光學(xué)粘接劑和/或在固化過程期間暴露于UV輻射的UV固化性粘接劑形成或包括光學(xué)粘接劑和/或在固化過程期間暴露于UV輻射的UV固化性粘接劑。一般，粘接劑可暴露于UV輻射持續(xù)從大約1分鐘至大約10分鐘的范圍內(nèi)的一段時(shí)期，優(yōu)選地，從大約3分鐘至大約7分鐘，例如大約5分鐘。粘接劑可在從大約25°C 至大約75°C的范圍內(nèi)的溫度下固化，例如大約50°C。Norland UV固化性光學(xué)粘接劑是商業(yè)上可獲得的典型的光學(xué)粘接劑。在一些實(shí)例中，粘性層204可包括巰基酯化合物(mercaptoester compound) 0在其它的實(shí)例中，粘性層204還可包括例如鄰苯二甲酸丁辛酯、甲基丙烯酸四氫呋喃甲酯(tetrahydrofurfuryl methacrylate)、丙烯酸單體、其同分異構(gòu)體、其衍生物或其組合的粘性材料。在一個(gè)實(shí)例中，粘性層204可包括丙烯酸化合物或其衍生物。在其它的實(shí)例中，粘性層204的粘接劑可以是硅樹脂粘接劑或可包括硅酸鈉。在這些實(shí)例中，粘接劑可被固化持續(xù)從大約10小時(shí)至大約100小時(shí)的范圍內(nèi)的一段時(shí)期，優(yōu)選地，從大約20小時(shí)至大約60小時(shí)，并且更優(yōu)選地，從大約30小時(shí)至大約50小時(shí)，例如大約42小時(shí)。粘接劑可在從大約25°C至大約75°C的范圍內(nèi)的溫度下固化，例如大約50°C。 另外，粘接劑可通過對(duì)其施加壓力來固化。施加至粘接劑的壓力可在從大約Ipsi (磅每平方英寸)至大約50psi的范圍內(nèi)，優(yōu)選地，從大約3psi至大約25psi，并且更優(yōu)選地，從大約 5psi至大約15psi。在一個(gè)實(shí)例中，壓力為大約9psi。在其它的實(shí)例中，粘性層204可包括聚合物、共聚物、低聚物、其衍生物或其組合。 在一個(gè)實(shí)施方式中，粘性層204包括共聚物。在一個(gè)實(shí)例中，共聚物可以是乙烯/乙酸乙烯酯(EVA)共聚物或其衍生物。用作粘性層204的EVA共聚物是從位于加利佛尼亞的Santa Rosa 的 Dynatex International 商業(yè)可獲得的 WAFER GRIP 粘性膜。在一個(gè)實(shí)施方式中，支撐帶202是細(xì)長(zhǎng)的薄帶材料。在一些實(shí)施方式中，支撐帶 202在結(jié)構(gòu)上相似于照相膠片。例如支撐帶202的細(xì)長(zhǎng)的支撐帶，可由粘接劑或粘性層204 通過每個(gè)外延膜106與每個(gè)基底100連接。有多個(gè)基底100與支撐帶202連接。一般，可有4、8、10、20、50、100或更多個(gè)基底附接至支撐帶202。在一些實(shí)施方式中，支撐帶202可具有從大約4個(gè)基底至大約100個(gè)基底或更多。支撐帶202可具有單個(gè)層或可包括相同或不同材料的多層。在一些實(shí)施方式中， 支撐帶202的材料包括金屬材料、塑料材料、聚合物材料、共聚物材料和/或低聚物材料。在一些實(shí)例中，支撐帶202可包括聚丙烯酸材料、聚乙烯材料、聚丙烯材料、聚四氟乙烯材料、 氟化聚合物材料、其同分異構(gòu)體、其衍生物或其組合或由這些材料形成。支撐帶202的材料至少大體上耐使用于如下面所述的蝕刻過程中的蝕刻劑。在一些實(shí)施方式中，支撐帶202 包括至少一種金屬或包括至少一種金屬箔。金屬箔可包括至少一種例如鐵、鎳、鈷、鋼、不銹鋼、其合金、其衍生物或其組合的金屬。支撐帶202可具有寬度W1，在不同的實(shí)施方式中，W1在大約IOmm和大約1，OOOmrn 之間，或大約50mm至大約300mm，或大約70mm至大約150mm。支撐帶202的總長(zhǎng)度(未示出)僅受到支撐帶202在上面纏繞的儲(chǔ)存滾筒或卷筒的尺寸的限制。在一個(gè)實(shí)施方式中， 支撐帶202的長(zhǎng)度在大約Im和大約1，OOOrn之間。每個(gè)基底100可具有沿支撐帶202的縱向方向的長(zhǎng)度L1和橫向于支撐帶202的寬度W2。在一個(gè)實(shí)施方式中，L1在大約8mm和大約 950mm之間，同時(shí)W2在大約8mm和大約950mm之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，基底100在帶上基本上居中，并且彼此間隔距離D1。在一個(gè)實(shí)施方式中，D1在大約2mm和大約20mm之間。支撐帶202可任選地包括沿著支撐帶202的側(cè)的軌道開口 206，用于由如下面所描述的有關(guān)本設(shè)備的不同實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)元件來接合。另外，在一些實(shí)施方式中，支撐帶202 可包括有規(guī)律地間隔開的狹槽208，以提供所需要的在橫向方向上的較大的柔性度。狹槽 208大體上居中于兩個(gè)鄰近基底100之間，并且在一個(gè)實(shí)施方式中，具有在大約0. 5mm和大約2mm之間的寬度W3。在一個(gè)實(shí)施方式中，狹槽208位于基底100之間，以使大約2個(gè)基底和大約5個(gè)基底之間處于鄰近的狹槽208之間。另外，在一些實(shí)施方式中，狹槽208在距離支撐帶202的中心大約25%和大約90%之間延伸。例如，對(duì)于具有大約20mm的寬度W1的帶，并且狹槽208每個(gè)延伸大約7mm，則每個(gè)狹槽208將延伸距離支撐帶202的中心的大約 70%，在狹槽208之間保留大約6mm的連接邊緣。在圖2C中，組件210的側(cè)視圖顯示為包括通過粘性層204附接至支撐帶202的圖 2A的多個(gè)(所示為6個(gè))外延膜106。可有4、8、10、20、50、100或更多個(gè)外延膜106附接至支撐帶202。在一些實(shí)施方式中，支撐帶202可具有在多個(gè)外延膜106內(nèi)的從大約4個(gè)外延膜至大約100個(gè)外延膜或更多。在一些實(shí)施方式中，在ELO蝕刻過程期間，通過將圖2A和圖2B的組件200中的犧牲層104暴露于濕蝕刻溶液來形成組件210。在一些實(shí)例中，濕蝕刻溶液包括氫氟酸并且可包括表面活化劑和/或緩沖劑。犧牲層104可以以大約0. 3mm/小時(shí)或更大的速率被蝕刻，優(yōu)選地，大約Imm/小時(shí)或更大，并且更優(yōu)選地，大約5mm/小時(shí)或更大。在替代性的實(shí)施方式中，犧牲層104在ELO蝕刻過程期間可受到電化學(xué)蝕刻。電化學(xué)蝕刻可以是偏置過程 (biased process)或電鍍過程(galvanic process)。另外，在本文所描述的另一實(shí)施方式中，犧牲層104在ELO蝕刻過程期間可受到氣相蝕刻。氣相蝕刻包括將犧牲層104暴露于氟化氫蒸汽。ELO蝕刻過程可以是光化學(xué)蝕刻、熱增強(qiáng)型蝕刻、等離子體增強(qiáng)蝕刻、應(yīng)力增強(qiáng)蝕刻、其衍生物或其組合。在圖2D中，所示為被纏繞在支撐卷筒或支撐滾筒212上的圖2C的組件210的側(cè)視圖。組件210包括支撐帶202，支撐帶202具有如以上所述的附接或粘接至支撐帶202 的多個(gè)外延膜106。組件210顯示為纏繞滾筒212，同時(shí)外延膜106附接至支撐帶202的底部，以使外延膜106面向滾筒212的表面。在替代性的實(shí)施方式中，外延膜106可在支撐帶 202的上方，以使外延膜106背對(duì)滾筒212的表面。可提供保護(hù)膜或片214來保護(hù)外延膜 106不鄰近表面。滾筒212具有最小(無載)半徑禮。在一個(gè)實(shí)施方式中，滾筒212的半徑隊(duì)在大約IOcm和大約IOOcm之間。滾筒212的半徑R1是重要的設(shè)計(jì)依據(jù)，這是由于如果外延膜106遇到過小的曲率半徑，則外延膜106可斷裂或以其它方式損壞。因此，基于外延膜106的結(jié)構(gòu)限制來選擇滾筒212的半徑R1。如圖2E中所示，一旦滾筒212被加載有適當(dāng)長(zhǎng)度的組件210，大量的外延膜106即可被處理、傳輸或載入后續(xù)的如組件220的處理設(shè)備。在圖3中，是設(shè)備300的一個(gè)實(shí)施方式的示意性平面視圖，設(shè)備300用于實(shí)施形成例如圖2E中的組件220的基于帶的ELO產(chǎn)品的方法。圖39是在一個(gè)實(shí)施方式中通過設(shè)備 300來實(shí)施的方法3900的流程圖。在設(shè)備300的第一端350，第一部分302包括包含一個(gè)或多個(gè)空載或無載的支撐帶352的一個(gè)或多個(gè)卷筒或滾筒354。在圖3中所示的實(shí)施方式中，有6個(gè)平行的支撐帶352。然而，應(yīng)理解，在設(shè)備300的物理限制內(nèi)，可以有任何數(shù)量的加載在一個(gè)或多個(gè)滾筒3M上的支撐帶352。在方法3900的塊3902中，無載的支撐帶352 從滾筒解除纏繞，并且無載的支撐帶352從滾筒3M送入拼接/沖壓部分304。在方法3900 的塊3904中，在拼接/沖壓部分304中，無載的支撐帶352被切割、沖壓或通過切割與沖壓的組合而在帶中形成如用于操縱和其它目的所需要的開口。在一個(gè)實(shí)施方式中，例如，在拼接/沖壓部分304中形成于支撐帶352中的開口包括軌道開口 206和狹槽208，如圖2B中所示。在其它的實(shí)施方式中，可不需要開口，并且拼接/沖壓部分304可從設(shè)備300省略。在方法3900的塊3906中，在塊3904 (如果存在)之后，基底或晶片被層壓在無載的支撐帶上。如圖3中所示，在拼接/沖壓部分304(當(dāng)存在時(shí))之后，無載的支撐帶352 進(jìn)入層壓部分306。層壓部分306容納來自基底輸入部分308的基底356。在一個(gè)實(shí)施方式中，機(jī)器人310可用于將基底356載入層壓部分306。在一個(gè)實(shí)施方式中，基底356可在結(jié)構(gòu)上相似于圖1的基底100。在層壓部分306中，基底被附接、粘接或以其它的方式粘合至支撐帶352，如所示的通過被粘合至加載的支撐帶368的基底358。在一個(gè)實(shí)施方式中， 加載的支撐帶368在結(jié)構(gòu)上相似于如圖2A和圖2B中所示的組件200。加載的支撐帶368在離開層壓部分306之后進(jìn)入堆積部分312。如通過方法3900 的塊3908所說明的，在堆積部分312中，加載的支撐帶368在進(jìn)入ELO蝕刻部分314內(nèi)的蝕刻浴儲(chǔ)器或罐之前被堆積。在堆積部分312之后，加載的支撐帶368進(jìn)入ELO蝕刻部分314內(nèi)的蝕刻浴儲(chǔ)器或罐。在方法3900的塊3910中，在ELO蝕刻部分314中，犧牲層(例如圖1和圖2A中的犧牲層104)被蝕刻，從而將犧牲層和晶片(例如圖1和圖2A中的晶片10 從加載的支撐帶368移除。在方法3900的塊3912中，所得到的ELO膜加載的支撐帶364前行至帶后蝕刻處理部分，同時(shí)無載的基底360前行至晶片后蝕刻處理部分。無載的基底360進(jìn)入輸送器加載部分316，在該處例如通過機(jī)器人(未示出)將無載的基底360放置在輸送器上。在一個(gè)實(shí)施方式中，晶片后蝕刻處理部分包括第一晶片漂洗部分318、晶片清洗部分320、第二晶片漂洗部分322和晶片干燥部分324。晶片后蝕刻處理部分被設(shè)計(jì)成，通過將污染物從晶片移除來制備在該過程中再次使用的晶片。機(jī)器人3 將基底從晶片干燥部分3M卸載至晶片輸出部分328。在晶片輸出部分3 中，晶片362準(zhǔn)備在其上再次沉積犧牲層和外延材料層。輸送器(未示出)可使晶片362再次引導(dǎo)至沉積室或沉積過程。一旦犧牲層和外延膜在基底上沉積，基底即可作為基底356進(jìn)一步地被輸送至基底輸入部分308，以在過程中再次使用。以這種方式，相對(duì)昂貴的晶片可多次使用，以長(zhǎng)成所需要的外延薄膜或器件。將犧牲層和晶片從加載的支撐帶368移除之后，所得到的ELO膜加載的支撐帶364 前行至帶后蝕刻處理部分。在一個(gè)實(shí)施方式中，帶后蝕刻處理部分包括第一帶漂洗部分 330、帶清洗部分332、第二帶漂洗部分334和帶干燥部分336。在一個(gè)實(shí)施方式中，ELO膜加載的支撐帶相似于圖2C中所示的組件210。帶后蝕刻處理部分被設(shè)計(jì)成清洗和干燥ELO 膜加載的支撐帶364，以將污染物從帶及其上所加載的外延材料移除。一旦ELO膜加載的支撐帶364被清洗干凈，它們即前行至位于設(shè)備300的第二端 370的帶纏繞部分338。在帶纏繞部分338中，ELO膜加載的支撐帶364在一個(gè)或多個(gè)卷筒或滾筒366上纏繞，例如在圖2D中和在方法3900的塊3914中所示。一旦滾筒366被完全地加載，加載的滾筒即從帶纏繞部分338移除，并且被空的滾筒替代。在一個(gè)實(shí)施方式中， 加載的滾筒相似于圖2E中所示的組件220。在圖4-6中，所示為用于實(shí)施ELO蝕刻過程以從支撐晶片移除ELO膜堆疊的設(shè)備 400的縱向齒輪傳動(dòng)楔形物(geared wedge)的實(shí)施方式。設(shè)備400包括帶和晶片加載部分 402、蝕刻浴404、晶片無載部分406和帶無載部分408。圖5顯示為設(shè)備400的蝕刻浴404 的一部分與帶傳動(dòng)和張緊部分的頂部視圖。支撐帶202包括沿著其側(cè)的相似于圖2B中所示的開口的多個(gè)開口或軌道開口 206。設(shè)備400包括多個(gè)傳動(dòng)和張緊裝置502，多個(gè)傳動(dòng)和張緊裝置502在軌道開口 206中與帶接合。傳動(dòng)和張緊裝置502使帶傳動(dòng)穿過蝕刻浴404，同時(shí)還通過與軌道開口 206的外側(cè)部分504接合來維持支撐帶202的側(cè)的橫向位置。傳動(dòng)和張緊裝置502通過傳動(dòng)軸508連接至從動(dòng)鏈輪506。從動(dòng)鏈輪506可通過傳動(dòng)鏈或帶(未示出)繼而被附接至驅(qū)動(dòng)鏈輪和發(fā)電機(jī)(未示出)。在一個(gè)實(shí)施方式中，使它們傳動(dòng)的從動(dòng)鏈輪506和元件位于蝕刻浴404的上方。還可提供帶引導(dǎo)件510來引導(dǎo)支撐帶202穿過蝕刻浴404。參考圖4-6，靜止的楔形物顯示為由兩個(gè)斜軌512形成。靜止的楔形物逐漸地施加壓力，以將晶片102從支撐帶202移除，同時(shí)使ELO堆疊保留在支撐帶202上。若干個(gè)可調(diào)節(jié)的支撐件514將斜軌512可調(diào)節(jié)地連接至頂部組件(未示出)。可調(diào)節(jié)的支撐件514 可以是帶螺紋的或以其它方式可調(diào)節(jié)的，從而在蝕刻浴404的不同階段提供斜軌512的水平的調(diào)節(jié)。如圖4中所描繪的，斜軌512在其鄰近帶和晶片加載部分402的第一端間隔開，并且在其鄰近帶無載部分408的第二端朝著彼此會(huì)聚。斜軌512還從其第一端向其第二端進(jìn)一步地向下伸入蝕刻浴404，并由此在其穿過蝕刻浴404移動(dòng)時(shí)逐漸地接合支撐帶202的頂部。晶片102通過基底支撐件(未示出)從下面支撐，基底支撐件使用施加力的彈簧或浮力在設(shè)備400的帶無載部分408的附近來支撐晶片102。圖6A-6C是說明當(dāng)支撐帶202和晶片102前行穿過蝕刻浴404(見圖4)時(shí)斜軌 512、支撐帶202和晶片102之間關(guān)系的示意圖。在圖6A中，支撐帶202和晶片102處于蝕刻浴404的初始位置。斜軌512大體上在支撐帶202和晶片102的初始水平位，且組件因此相對(duì)地是平面的，且極小的壓力或沒有任何壓力被施加至支撐帶202和晶片102。傳動(dòng)和張緊裝置502維持支撐帶202的端部的位置。在圖6B所示的位置中，(蝕刻浴404進(jìn)行到大約一半)，斜軌512進(jìn)一步伸入蝕刻浴404，并且?guī)Ш途?02的中央相對(duì)于支撐帶202 的端部被向下推?？p隙600因而在支撐帶202和晶片102(和其上的ELO堆疊)之間形成。 在圖6C中所示的位置中，(在帶無載部分408附近的位置)，斜軌512更進(jìn)一步地伸入蝕刻浴404，并且?guī)Ш途?02的中央相對(duì)于支撐帶202的端部被進(jìn)一步向下推。相比于縫隙 600，縫隙600’的尺寸增大，并且晶片102從支撐帶202逐漸地移除。在圖6C中所示的圖例稍后的進(jìn)程中的位置處，支撐帶202和晶片102之間的粘附力最小，并且晶片102從支撐帶202移除并穿過晶片無載部分406而離開。圖7是用于在本發(fā)明的ELO過程設(shè)備的不同實(shí)施方式的帶和晶片加載部分 402(見圖4)中使用的帶和晶片罐進(jìn)入組件700的一個(gè)實(shí)施方式的等距視圖。帶和晶片罐進(jìn)入組件700包括帶和晶片引導(dǎo)塊702。雖然在該實(shí)施方式中，帶和晶片引導(dǎo)塊702具有 4個(gè)帶接合側(cè)704，但也可使用其它數(shù)量的側(cè)。每個(gè)帶接合側(cè)704包括用于接合支撐帶202 中的軌道開口 206的多個(gè)銷706。帶和晶片引導(dǎo)塊702繞著軸(未示出)旋轉(zhuǎn)，該軸穿過位于中央的孔708延伸。軸支撐板710設(shè)置在帶和晶片引導(dǎo)塊702的相對(duì)的側(cè)上，用于支撐和引導(dǎo)軸。狹槽712設(shè)置在每個(gè)軸支撐板710中，并且在帶和晶片引導(dǎo)塊702旋轉(zhuǎn)時(shí)允許軸擺動(dòng)。帶和晶片引導(dǎo)塊702在側(cè)的每個(gè)角上包括引導(dǎo)銷714，孔708穿過其延伸。引導(dǎo)銷 714接合軸支撐板710的側(cè)716，以使晶片引導(dǎo)塊702的每個(gè)角在水平地移動(dòng)之前基本上垂直向下地進(jìn)入蝕刻浴。這些元件的組合的相互作用為晶片引導(dǎo)塊702的側(cè)704上的每個(gè)晶片102提供平面支撐，從而減小支撐帶202在進(jìn)入蝕刻浴404之前被扯開或以其它方式從晶片102移除的可能性。通過以這種方式來支撐晶片102，當(dāng)帶和晶片組件進(jìn)入蝕刻浴404 時(shí)，ELO堆疊被破壞的機(jī)會(huì)減小。在圖8中，帶抽出組件800的實(shí)施方式顯示為用于在本發(fā)明的不同的ELO過程設(shè)備的帶無載部分408中使用。支撐帶202包括如先前所描述的在蝕刻浴404中從晶片102 所移除的ELO膜。帶抽出組件800包括繞著支撐軸804旋轉(zhuǎn)的帶接合鼓輪或滾筒802。滾筒802包括接合支撐帶202中的軌道開口 206的多個(gè)銷806。在一些實(shí)施方式中，銷806可以通過將輪齒或鏈輪附接至滾筒802來形成。替代地，包含的滾筒802可作為單個(gè)裝置來形成或制造。如以上關(guān)于圖2D的隊(duì)所描述的，滾筒802的半徑民具有足夠的尺寸來避免破壞支撐帶202上的ELO膜或堆疊。在一個(gè)實(shí)施方式中，其上具有ELO膜或堆疊的支撐帶 202在從滾筒802解除接合之后，前行至如以上所描述的設(shè)備300的帶后蝕刻處理部分。在某些情況中，由于不同的處理變量，晶片102在蝕刻浴中可能不完全地從支撐帶202移除。圖9描繪了正面基底分離組件900，其可與本發(fā)明的ELO過程設(shè)備的不同的實(shí)施方式一起使用。正面基底分離組件900包括晶片接合棒902，一旦支撐帶202到達(dá)滾筒802，晶片接合棒902即接觸保持在支撐帶202上的任何晶片102的前緣904。當(dāng)支撐帶 202通過銷806繞著滾筒802被驅(qū)動(dòng)時(shí)，晶片接合棒902將晶片102從支撐帶202剝離。雖然該動(dòng)作可能破壞例如與晶片102有關(guān)的外延膜106的ELO堆疊，但正面基底分離組件900 免除了技師的手動(dòng)干預(yù)，因此減少了停工時(shí)間且提高了產(chǎn)品的產(chǎn)量。在圖10-11中，所示為用于實(shí)施ELO過程以從支撐晶片移除ELO膜或堆疊的設(shè)備 1000的縱向鏈楔形物實(shí)施方式。以相同的參考標(biāo)記來標(biāo)示在構(gòu)造上相似于設(shè)備400中的部件的設(shè)備1000的部件。相似于設(shè)備400，設(shè)備1000包括帶和晶片加載部分402、蝕刻浴 404、晶片無載部分406和帶無載部分408。圖11顯示為設(shè)備1000的一部分的放大視圖，其說明設(shè)備1000的帶傳動(dòng)和張緊部分1100。支撐帶202包括沿著其側(cè)的相似于圖2B中所示的開口的多個(gè)開口或軌道開口 206。帶傳動(dòng)和張緊部分1100包括安裝在傳動(dòng)帶或傳動(dòng)鏈 1006上的多個(gè)傳動(dòng)塊1002。傳動(dòng)鏈1006由在蝕刻浴404的每一側(cè)上的多個(gè)驅(qū)動(dòng)鏈輪1008 來驅(qū)動(dòng)和引導(dǎo)。在蝕刻浴404的每一側(cè)上的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)鏈輪1008通過傳動(dòng)軸附接至電動(dòng)機(jī)(未示出)，從而使驅(qū)動(dòng)鏈輪和傳動(dòng)鏈1006旋轉(zhuǎn)。在一些實(shí)施方式中，以這種方式通過相關(guān)聯(lián)的電動(dòng)機(jī)、傳動(dòng)軸和/或其它驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可使兩個(gè)或更多的驅(qū)動(dòng)鏈輪1008驅(qū)動(dòng)。傳動(dòng)塊1002還包括在軌道開口 206中接合支撐帶202的銷1102。每個(gè)傳動(dòng)塊1002還包括可旋轉(zhuǎn)地安裝在軸1106上的張緊滾筒1104。張緊滾筒1104接合軌道1004(圖10)，從而當(dāng)蝕刻浴404的相對(duì)的側(cè)上的傳動(dòng)塊1002被驅(qū)動(dòng)穿過那時(shí)，使傳動(dòng)塊1002維持間隔開的關(guān)系。當(dāng)傳動(dòng)塊1002驅(qū)動(dòng)支撐帶202穿過蝕刻浴404時(shí)，支撐帶202的側(cè)的橫向位置通過銷 1102接合軌道開口 206的外側(cè)部分504來維持。如同設(shè)備400，設(shè)備1000包括由兩個(gè)斜軌512形成的靜止的楔形物。靜止的楔形物逐漸地施加壓力，以將晶片102從支撐帶202移除，同時(shí)使ELO堆疊保留在支撐帶202上。 若干個(gè)可調(diào)節(jié)的支撐件(未示出)將斜軌512可調(diào)節(jié)地連接至頂部組件(未示出)?？烧{(diào)節(jié)的支撐件可包括調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，以在蝕刻浴404的不同階段提供斜軌512的水平的調(diào)節(jié)。如圖10中所描繪的，斜軌512在其鄰近帶和晶片加載部分402的第一端間隔開， 并且在其鄰近帶無載部分408的第二端朝著彼此會(huì)聚。斜軌512還從其第一端向其第二端進(jìn)一步地向下伸入蝕刻浴404，并由此在其穿過蝕刻浴404移動(dòng)時(shí)逐漸地接合支撐帶202的頂部。通過基底支撐件(未示出)從下面支撐晶片102，基底支撐件使用施加力的彈簧或浮力在設(shè)備1000的帶無載部分408的附近來支撐晶片102。圖11A-11C是說明當(dāng)支撐帶202和晶片102前行穿過蝕刻浴404時(shí)斜軌512、支撐帶202和晶片102之間關(guān)系的示意圖。在圖IlA中，支撐帶202和晶片102處于蝕刻浴 404的初始位置。斜軌512大體上在支撐帶202和晶片102的初始水平位，且組件因此相對(duì)地是平面的，且極小的壓力或沒有任何壓力被施加至支撐帶202和晶片102。在支撐帶 202穿過蝕刻浴404前進(jìn)時(shí)，銷1102維持支撐帶202的端部的位置。通過使張緊滾筒1104 與軌道1004接合而使銷1102和傳動(dòng)塊1002維持間隔開的關(guān)系。在一個(gè)實(shí)施方式中，槽道 1108(圖11)圍繞銷1102的底部，以確保銷1102不會(huì)從軌道開口 206解除接合。在圖IlB 所示的位置中，(蝕刻浴404進(jìn)行到大約一半)，斜軌512進(jìn)一步伸入蝕刻浴404，并且?guī)Ш途?02的中央相對(duì)于支撐帶202的端部被向下推。縫隙600因而在帶202和晶片102之間形成。在圖IlC中所示的位置中，(在帶無載部分408附近的位置)，斜軌512更進(jìn)一步地伸入蝕刻浴404，并且?guī)Ш途?02的中央相對(duì)于支撐帶202的端部被進(jìn)一步向下推。相比于縫隙600，縫隙600’的尺寸增大，并且晶片102從支撐帶202逐漸地移除。在圖IlC 中所示的圖例稍后的進(jìn)程中的位置處，支撐帶202和晶片102之間的粘附力最小，并且晶片 102從支撐帶202移除并穿過晶片無載部分406而離開。圖12-14說明用于實(shí)施ELO過程以從支撐晶片移除ELO膜或堆疊的設(shè)備1200的另一實(shí)施方式。應(yīng)注意，為了簡(jiǎn)潔的目的，已將一些元件的部分從圖12-14省略。設(shè)備1200 包括蝕刻浴404和上部鏈傳動(dòng)件1202，上部鏈傳動(dòng)件1202具有安裝在每個(gè)“框”中的多個(gè)縱向集中載荷1206，該“框”由上部鏈傳動(dòng)件1202和一系列的橫向支撐構(gòu)件1208形成?？v向集中載荷1206在每一端1302處可旋轉(zhuǎn)地連接至橫向支撐構(gòu)件1208，以允許縱向集中載荷1206向下旋轉(zhuǎn)并且將壓力施加至晶片?？v向集中載荷1206繞著沿設(shè)備1200的縱向方向延伸的軸線旋轉(zhuǎn)?？v向集中載荷1206通過其重量能夠恒定地施加壓力，或在另一個(gè)實(shí)施方式中，能夠使用接合縱向集中載荷1206的凸輪(未示出)來定位地控制壓力。每個(gè)“框”被制定尺寸來圍繞單個(gè)晶片，以使每個(gè)縱向集中載荷1206將壓力施加至在下面定位的晶片。設(shè)備1200還包括具有多個(gè)基底支撐件和/或推進(jìn)器1402的下部鏈傳動(dòng)件1204。 下部鏈傳動(dòng)件1204還包括在下部鏈傳動(dòng)件1204中形成“框”的一系列的橫向支撐構(gòu)件 1404。每個(gè)“框”包括從晶片102下方支撐晶片102的推進(jìn)器1402。推進(jìn)器1402可通過彈簧力或通過蝕刻浴404內(nèi)的浮力來施加壓力。上部鏈傳動(dòng)件1202還包括多個(gè)銷1304，該多個(gè)銷1304穿過支撐帶202中的軌道開口 206延伸并且伸入下部鏈傳動(dòng)件1204中的凹槽 (未示出)中，由此將支撐帶202鎖定在鏈傳動(dòng)件之間。在縱向集中載荷1206將壓力施加至支撐帶202的中央和位于支撐帶202下面的晶片102時(shí)維持支撐帶202的側(cè)的銷1304的組合作用，如以上關(guān)于分別在圖6A-6C和圖11A-11C中的設(shè)備400和設(shè)備1000所描述的， 在支撐帶202和晶片102之間產(chǎn)生縫隙和離隙。在一個(gè)實(shí)施方式中，上部鏈傳動(dòng)件1202包括多個(gè)銷1306，該多個(gè)銷1306扣入下部鏈傳動(dòng)件1204中的容座1308中，從而將鏈傳動(dòng)件鎖定在一起并且將支撐帶202牢固地支撐在其間。圖15-17說明用于實(shí)施ELO過程以從支撐晶片移除ELO膜或堆疊的設(shè)備1500的另一實(shí)施方式。設(shè)備1500在操作上相似于設(shè)備1200，并且用相同的參考標(biāo)記來標(biāo)示相似的元件。設(shè)備1500中的顯著區(qū)別是橫向集中載荷1502的使用。橫向集中載荷1502的端部 1604可旋轉(zhuǎn)地安裝至上部鏈傳動(dòng)件1202，以使橫向集中載荷1502繞著橫向于設(shè)備1500的縱向方向的軸線旋轉(zhuǎn)。上部鏈傳動(dòng)件1202的橫向支撐構(gòu)件1602包括多個(gè)銷1606，該多個(gè)銷1606接合支撐帶202并且伸入下部鏈傳動(dòng)件1204的橫向支撐構(gòu)件1610中的凹槽1608中。銷1606使支撐帶202的每部分的縱向位置維持在每個(gè)“框”內(nèi)，該每個(gè)“框”由上部鏈傳動(dòng)件1202、下部鏈傳動(dòng)件1204、和橫向支撐構(gòu)件1602和1610形成。圖17描繪了通過橫向集中載荷1502在支撐帶202的每部分的中央上作用的力而被逐漸地向下彎曲的支撐帶202的每部分。在部分1702處，支撐帶202開始彎曲，在該部分的每端形成縫隙1710。在部分1704處，縫隙1710增大，以使在部分1704中的支撐帶202 的較大部分從晶片102移除。在部分1706中縫隙1710進(jìn)一步增大，并且在部分1708中晶片102已從支撐帶202釋放。為了簡(jiǎn)潔的目的，在這些部分中未示出橫向集中載荷1502。 圖17還進(jìn)一步說明推進(jìn)器1402的細(xì)節(jié)，在一些實(shí)施方式中，推進(jìn)器1402是設(shè)備1500和設(shè)備1200兩者共有的。使用穿過橫向支撐構(gòu)件1610中的孔1712而延伸的軸(未示出)，推進(jìn)器1402可旋轉(zhuǎn)地安裝至橫向支撐構(gòu)件1610。推進(jìn)器1402的中央升起部分1714支撐位于其上方的晶片102的中央部分。通過彈簧(未示出)或通過蝕刻浴404中的推進(jìn)器1402 的浮力可提供由推進(jìn)器1402施加的力，以使得當(dāng)晶片102從支撐帶202被逐漸釋放時(shí)，推進(jìn)器1402與晶片102 —起運(yùn)動(dòng)。圖18-20說明用于實(shí)施ELO過程以從支撐晶片移除ELO膜或堆疊的設(shè)備1800的分批型實(shí)施方式。設(shè)備1800包括帶和晶片加載部分1802、蝕刻浴1804、晶片無載部分1806 和帶無載部分1808。在設(shè)備1800中，晶片102被分批地從支撐帶202移除。例如，在圖18 中所說明的實(shí)施方式中，在每一批中從帶移除3個(gè)晶片。根據(jù)具體的配置，其它的實(shí)施方式每批可移除多于3個(gè)或少于3個(gè)晶片。設(shè)備1800包括3個(gè)集中載荷1810，該3個(gè)集中載荷 1810提供向下的力，以在支撐帶202和晶片102之間形成縫隙，并且進(jìn)一步將晶片102從支撐帶202移除。集中載荷1810通過指狀托架1812來支撐，指狀托架1812被降低和升起以分別地使集中載荷1810接合支撐帶202或使集中載荷1810從支撐帶202解除接合。指狀托架1812還支撐多個(gè)指狀物1902，該多個(gè)指狀物1902接合支撐帶202中的軌道開口 206， 以維持支撐帶202的側(cè)處于間隔開的關(guān)系。兩個(gè)軌道1814( —個(gè)顯示在圖18的剖視圖中) 包括用于接合指狀物1902的凹槽1816，以使支撐帶202的側(cè)正面地鎖入位置中。如圖20 的橫截面中所示的，當(dāng)指狀托架1812降低時(shí)，與支撐帶202中的軌道開口 206對(duì)齊的那些指狀物(在圖20中標(biāo)記為1902’ )延伸穿過支撐帶202并且接合凹槽1816。由于那些指狀物是柔性的，因此沒有與支撐帶202中的軌道開口 206對(duì)齊的那些指狀物(在圖20中標(biāo)記為190 不延伸穿過帶，而是在支撐帶202的上方保持處于撓曲的位置中。晶片支撐和操縱組件1904在帶和晶片組件的下方。晶片支撐和操縱組件1904包括2個(gè)基底傳動(dòng)帶1906和底部推進(jìn)器2002?；讉鲃?dòng)帶1906在帶和晶片組件被送入蝕刻浴404時(shí)支撐晶片102，并且一旦晶片102從支撐帶202移除即將晶片102傳輸至晶片無載部分1806。底部推進(jìn)器2002包括兩個(gè)軌道2004，該兩個(gè)軌道2004在加載帶和晶片組件之后并在晶片102從支撐帶202釋放之前的ELO過程期間支撐晶片102。如通過本文中的一些實(shí)施方式所描述的，圖21至圖38說明在ELO分批過程的不同階段期間設(shè)備1800的運(yùn)動(dòng)部分之間的關(guān)系。圖40是說明用于可由設(shè)備1800來實(shí)施的分批ELO過程的方法4000的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。在圖21和圖22中，設(shè)備1800顯示為處于加載位置中，在方法4000的塊4002中，在該位置中帶和晶片組件被載入蝕刻浴1804 中。當(dāng)滾筒802旋轉(zhuǎn)時(shí)，滾筒802中的銷806接合支撐帶202中的軌道開口 206，并且將帶和晶片組件載入蝕刻浴1804中?；讉鲃?dòng)帶1906處于升起的位置，以使其能從下面支撐晶片102，從而使晶片102不會(huì)過早地從支撐帶202釋放，其將引起對(duì)ELO堆疊的破壞?；讉鲃?dòng)帶1906被安裝在帶托架2104的滑輪2102上。在一個(gè)實(shí)施方式中，滑輪可由與滾筒 802的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)同步的驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)和相關(guān)聯(lián)的機(jī)構(gòu)(未示出)來驅(qū)動(dòng)。在晶片支撐和操縱組件1904的升起的位置中，桿2106接合蝕刻浴1804的側(cè)壁2110中的狹槽2108的頂部。 桿2106操縱帶托架2104內(nèi)的機(jī)構(gòu)(未示出)來降低底部推進(jìn)器2002的軌道2004 (圖20)， 以使它們?cè)诒惠d入蝕刻浴1804中時(shí)其不接合晶片。指狀托架1812處于升起的位置中，以使集中載荷1810和指狀物1902從支撐帶202解除接合。在一些實(shí)施方式中，如圖23至圖觀中所示，在帶和晶片組件載入蝕刻浴1804中之后，在方法4000期間的塊4004中，集中載荷和指狀托架1812被降低。圖23和圖對(duì)顯示出指狀托架1812降低至第一中間位置，其中集中載荷1810初始地接觸支撐帶202。指狀物1902保持在支撐帶202的上方。在圖25和圖沈中，指狀托架1812進(jìn)一步降低至另外的中間位置，其中集中載荷1810由于其被帶和晶片組件支撐而沒有進(jìn)一步降低。指狀物 1902仍保持在支撐帶202的上方。圖27和圖觀顯示出指狀托架1812被完全地降低，以使與支撐帶202中的軌道開口 206對(duì)齊的指狀物1902，與凹槽1816接合，從而使支撐帶202 的側(cè)鎖定成間隔開的關(guān)系。在圖23至圖觀中所示的位置中，晶片支撐和操縱組件1904保持處于其升起的位置中，以支撐帶和晶片組件，從而使晶片102如以上所描述的不會(huì)過早地從支撐帶202釋放。一旦指狀托架1812完全地降低，方法4000前進(jìn)至塊4006，如圖四和圖30中所示，其中晶片支撐和操縱組件1904被降低。在晶片支撐和操縱組件1904的降低的位置中， 桿2106不接合蝕刻浴1804的側(cè)壁2110中的狹槽2108的頂部。底部推進(jìn)器2002的軌道 2004被升起至晶片支撐和操縱組件1904的頂部的上方，但仍位于晶片102的下面，以使晶片102 —旦在其從支撐帶202釋放時(shí)即免受向下移動(dòng)。一旦晶片支撐和操縱組件1904被降低，該方法前進(jìn)至塊4008并且啟動(dòng)ELO過程。在一些實(shí)施方式中，ELO過程可通過作用在帶和基底組件上的集中載荷1810的重量來啟動(dòng)，以使支撐帶202彎曲并向下驅(qū)動(dòng)晶片 102，從而使縫隙3202在晶片102的邊緣處形成。在其它實(shí)施方式中，凸輪或其它元件(未示出)可將力施加至集中載荷1810的頂表面3204，以使集中載荷1810向下運(yùn)動(dòng)。圖33和圖34說明ELO過程繼續(xù)進(jìn)行，且集中載荷1810進(jìn)一步降低以使晶片102 被進(jìn)一步向下推，并且縫隙3202由于晶片102的更多部分從支撐帶202被移除而在尺寸上增大。在圖35和圖36中，集中載荷1810顯示為處于完全降低的位置中，使得晶片102由底部推進(jìn)器2002的軌道2004來支撐。支撐帶202和晶片102之間的縫隙3202在尺寸上進(jìn)一步增大，致使每個(gè)晶片102的更多部分從支撐帶202被移除。一旦集中載荷1810處于其完全降低的位置中，方法4000即前進(jìn)至塊4010，其中集中載荷1810被旋轉(zhuǎn)。圖37和圖38顯示出集中載荷1810處于旋轉(zhuǎn)的位置中。通過使集中載荷1810旋轉(zhuǎn)，施加至帶和晶片組件的壓力集中被向后和向前(在圖37中左到右)移動(dòng)，從而進(jìn)一步將支撐帶202和ELO堆疊從晶片102移除。集中載荷1810可通過凸輪組件或其它機(jī)構(gòu)(未示出)來旋轉(zhuǎn)。在使集中載荷1810旋轉(zhuǎn)后，如方法4000的塊4012中所表明的，ELO過程完成并且晶片102從支撐帶202移除。方法4000然后前進(jìn)至塊4014，并且如通過圖22中所說明的其位置所示，集中載荷和指狀托架1812被升起。在升起集中載荷和指狀托架1812之后，方法4000然后前進(jìn)至塊4016，其中還如在圖22中所示，晶片支撐和操縱組件1904部分地升起。在圖22中，應(yīng)注意，在該過程中的這個(gè)位置，帶和ELO堆疊的中央部分2202從晶片102釋放，并且?guī)Ш虴LO堆疊在晶片102的上方且不接觸晶片102 而形成直線。通過升起晶片支撐和操縱組件1904，基底傳動(dòng)帶1906與晶片102接觸，并且底部推進(jìn)器2002的軌道2004如以上描述的被撤回。方法4000然后前進(jìn)至塊4018，且晶片 102通過驅(qū)動(dòng)基底傳動(dòng)帶1906的滑輪傳輸出蝕刻浴1804并傳輸至晶片無載部分1806(圖 18)。在晶片無載部分1806中，一系列的帶1818和滑輪1820將移除的晶片(例如由1822 所示)從設(shè)備1800輸出并且傳輸至如圖3的設(shè)備300中所示的那些過程的后續(xù)過程。將移除的晶片102從設(shè)備1800輸出之后，方法4000前進(jìn)至塊4020，晶片支撐和操縱組件1904被升起至如圖M中所示的其最上部的位置。方法4000然后在塊4002處重新開始，并且?guī)Ш途M件的下一批(長(zhǎng)度)被載入蝕刻浴1804中。在幾個(gè)替代性的實(shí)施方式中，多個(gè)基底100可布置在單個(gè)的支撐基底上。替代地， 多個(gè)ELO薄膜堆疊150可布置在包括多個(gè)砷化鎵晶片或表面的支撐基底上。每個(gè)ELO薄膜堆疊150布置在支撐基底上的每個(gè)砷化鎵晶片或表面上或上方。因此，支撐基底可包括至少2個(gè)基底100或ELO薄膜堆疊150，但通常包括3、4、5、6、9、12、16、20、24、50、100或更多個(gè)基底100或ELO薄膜堆疊150。每個(gè)ELO薄膜堆疊150包括布置在犧牲層104上或上方的外延膜106。支撐帶202 例如通過外延膜106可布置在每個(gè)基底100上或上方。在一些實(shí)施方式中，每個(gè)ELO薄膜堆疊150可在單獨(dú)的晶片100上生長(zhǎng)，然后與支撐基底連接。在其它實(shí)施方式中，每個(gè)ELO 薄膜堆疊150可在已經(jīng)與支撐基底連接的單獨(dú)的砷化鎵晶片或表面上生長(zhǎng)。在一些實(shí)例中，支撐基底可包括例如砷化鎵晶片或砷化鎵表面的至少2個(gè)外延基底或表面，但通常包括3、4、5、6、9、12、16、20、24、50、100或更多個(gè)外延基底或表面。在一些實(shí)施方式中，支撐基底可包括鈳、鈳合金、碳化鈦、硅酸鎂、塊滑石、碳化鎢、碳化鎢金屬陶瓷、銥、鋁土、氧化鋁陶瓷、鋯、鋯合金、氧化鋯、碳化鋯、鋨、鉭、鉿、鉬、鉬合金、其氧化物、其硅酸鹽、其合金、其衍生物或其組合，或支撐基底可由鈳、鈳合金、碳化鈦、硅酸鎂、塊滑石、 碳化鎢、碳化鎢金屬陶瓷、銥、鋁土、氧化鋁陶瓷、鋯、鋯合金、氧化鋯、碳化鋯、鋨、鉭、鉿、鉬、 鉬合金、其氧化物、其硅酸鹽、其合金、其衍生物或其組合制成。在一些實(shí)例中，支撐基底沒有孔隙或基本上沒有孔隙。在其它的實(shí)例中，支撐基底可耐氟化氫和氫氟酸。粘接劑可用于在支撐基底和晶片100或砷化鎵晶片或表面之間形成粘性層。在一個(gè)實(shí)例中，包括被布置在其上的單獨(dú)的ELO薄膜堆疊150的每個(gè)晶片100可通過粘接劑與支撐基底連接，以在其間形成粘性層。在另一個(gè)實(shí)例中，每個(gè)單獨(dú)的砷化鎵晶片或砷化鎵表面可通過粘接劑與支撐基底連接，以在其間形成粘性層。粘接劑可以是如以上所述的被用于形成粘性層204的相同的粘接劑。替代地，粘接劑可不同于被用于形成粘性層204的粘接劑。在一些實(shí)例中，粘性層包括光學(xué)粘接劑或紫外線固化性粘接劑。在其它的實(shí)例中，粘性層可包括巰基酯化合物，并且還可包括鄰苯二甲酸丁辛酯、甲基丙烯酸四氫呋喃甲酯、丙烯酸單體、其衍生物或其組合。在其它的實(shí)例中，粘性層包括硅樹脂或硅酸鈉。在另一替代性的實(shí)施方式中，基底100包括布置在晶片102上的犧牲層104、布置在犧牲層104上方的外延膜106，且支撐柄(support handle)是布置在外延膜106上方的支撐帶202。在一些實(shí)施方式中，支撐帶202包括多層，該多層包括布置在外延膜106上方的硬支撐層、布置在硬支撐層上方的軟支撐層和布置在軟支撐層上方的柄板層(handleplate layer)。在其它的實(shí)施方式中，支撐帶202是柄板層，并且布置在軟支撐層上方，軟支撐層布置在硬支撐層上方，硬支撐層布置在外延膜106上方。支撐帶202布置在外延膜 106上并且維持外延膜106的壓縮。在一些實(shí)施方式中，硬支撐層可包括聚合物、共聚物、低聚物、其衍生物或其組合。 在一個(gè)實(shí)施方式中，硬支撐層包括共聚物。在一個(gè)實(shí)例中，共聚物可以是乙烯/乙酸乙烯酯 (EVA)共聚物或其衍生物。用作硬支撐層的EVA共聚物是從位于加利佛尼亞的Santa Rosa 的Dynatex International商業(yè)可獲得的WAFER GRIP粘性膜。在其它的實(shí)例中，硬支撐層可包括熱熔性粘接劑、有機(jī)涂層、無機(jī)材料或其組合。 在一些實(shí)例中，無機(jī)材料包括例如金屬層或金屬箔的單個(gè)無機(jī)層或多個(gè)無機(jī)層。在另一實(shí)例中，硬支撐層可包括例如黑蠟的蠟或其衍生物。在另一實(shí)施方式中，軟支撐層可包括例如橡膠、泡沫或其衍生物的彈性體。替代地，軟支撐層可包括例如氯丁橡膠、膠乳或其衍生物的材料。軟支撐層可包括單體。例如， 軟支撐層可包括乙烯丙烯二烴(ethylene propylene diene)單體或其衍生物。在另一實(shí)施方式中，軟支撐層可包括容納在膜內(nèi)的液體或流體。替代地，軟支撐層可包括容納在膜內(nèi)的氣體。膜可包括例如橡膠、泡沫、氯丁橡膠、膠乳或其衍生物的材料。在一個(gè)實(shí)例中，膜包括天然橡膠、合成橡膠或膠乳。在另一實(shí)施方式中，柄板可包括例如塑料、聚合物、低聚物、其衍生物或其組合的材料。在一個(gè)實(shí)例中，柄板可包括聚酯或其衍生物。柄板可具有在從大約50. 8μπι到大約 127. 0 μ m范圍內(nèi)的厚度，例如大約23. 4 μ m。在一個(gè)實(shí)施方式中，方法還包括將外延膜106從晶片102移除和通過粘性層204 將例如支撐帶202的支撐基底附接至外延膜106的暴露的表面。支撐帶202可通過粘接劑粘合至外延膜106的暴露的表面。在一個(gè)實(shí)例中，粘性層204包括光學(xué)粘接劑，和/或可以是例如像Norland UV固化性光學(xué)粘接劑這樣的商業(yè)上可獲得的UV固化性的。在一些實(shí)例中，粘接劑可包括巰基酯化合物。在其它的實(shí)例中，粘接劑還可包括例如鄰苯二甲酸丁辛酯、甲基丙烯酸四氫呋喃甲酯、丙烯酸單體、其衍生物或其組合的材料。在另一替代性的實(shí)施方式中，基底100包括支撐基底——例如布置在外延膜106 的第一表面上方的支撐帶202，并且支撐帶202布置在外延膜106的另一表面上方。粘性層 204可布置在外延膜106和支撐帶202之間。支撐帶202包括布置在外延膜106上方的硬支撐層、布置在硬支撐層上方的軟支撐層和布置在軟支撐層上方的柄板。在一個(gè)實(shí)例中，粘接劑可通過使粘接劑暴露于UV輻射來固化。一般，粘接劑可暴露于UV輻射持續(xù)從大約1分鐘至大約10分鐘的范圍內(nèi)的一段時(shí)期，優(yōu)選地，從大約3分鐘至大約7分鐘，例如大約5分鐘。粘接劑可在從大約25°C至大約75°C的范圍內(nèi)的溫度下固化，例如大約50°C。在其它的實(shí)例中，粘接劑可以是硅樹脂粘接劑或可包括硅酸鈉。在這些實(shí)例中，粘接劑可被固化持續(xù)從大約10小時(shí)至大約100小時(shí)的范圍內(nèi)的一段時(shí)期，優(yōu)選地，從大約20 小時(shí)至大約60小時(shí)，并且更優(yōu)選地，從大約30小時(shí)至大約50小時(shí)，例如大約42小時(shí)。粘接劑可在從大約25°C至大約75°C的范圍內(nèi)的溫度下固化，例如大約50°C。另外，粘接劑可在從大約Ipsi (磅每平方英寸)至大約50psi的范圍內(nèi)的壓力下固化，優(yōu)選地，從大約3psi 至大約25psi，并且更優(yōu)選地，從大約5psi至大約15psi。在一個(gè)實(shí)例中，壓力可以為大約9psi ο在其它的實(shí)施方式中，犧牲層104可被暴露于蝕刻過程，以從晶片102移除外延膜 106。在一些實(shí)施方式中，犧牲層104可在蝕刻過程期間被暴露于濕蝕刻溶液。在一些實(shí)施方式中，犧牲層104可在蝕刻過程期間被暴露于濕蝕刻溶液。濕蝕刻溶液包括氫氟酸并且可包括表面活化劑和/或緩沖劑。在一些實(shí)例中，犧牲層104可以以大約0. 3mm/小時(shí)或更大的速率被蝕刻，優(yōu)選地，大約Imm/小時(shí)或更大，并且更優(yōu)選地，大約 5mm/小時(shí)或更大。在替代性的實(shí)施方式中，犧牲層104在蝕刻過程期間可暴露于電化學(xué)蝕刻。電化學(xué)蝕刻可以是偏置過程或電鍍過程。另外，在本文所描述的另一實(shí)施方式中，犧牲層104在蝕刻過程期間可暴露于氣相蝕刻。氣相蝕刻包括將犧牲層104暴露于氟化氫蒸汽。蝕刻過程可以是光化學(xué)蝕刻、熱增強(qiáng)型蝕刻、等離子體增強(qiáng)蝕刻、應(yīng)力增強(qiáng)蝕刻、其衍生物或其組合。在本文的實(shí)施方式中，包含在外延膜106內(nèi)的外延材料可包括砷化鎵、砷化鎵鋁、 磷化鎵銦、其合金、其衍生物或其組合。外延膜106可具有矩形的幾何圖形、方形的幾何圖形或其它的幾何圖形。外延膜106可包括一層，但通常包括多層。在一些實(shí)例中，外延膜 106包括具有砷化鎵的層和具有砷化鎵鋁的另一個(gè)層。在另一實(shí)例中，外延膜106包括砷化鎵緩沖層、砷化鎵鋁鈍化層和砷化鎵活性層。砷化鎵緩沖層可具有從大約IOOnm至大約 500nm范圍內(nèi)的厚度，例如大約300nm ；砷化鎵鋁鈍化層具有從大約IOnm至大約50nm范圍內(nèi)的厚度，例如大約30nm ；以及砷化鎵活性層具有從大約500nm至大約2000nm范圍內(nèi)的厚度，例如大約lOOOnm。在一些實(shí)例中，外延膜106還包括第二砷化鎵鋁鈍化層。在本文的其它實(shí)施方式中，外延膜106可包含具有多層的光生伏打電池結(jié)構(gòu)。該電池結(jié)構(gòu)可包括砷化鎵、η型摻雜的砷化鎵、ρ型摻雜的砷化鎵、砷化鎵鋁、η型摻雜的砷化鎵鋁、P型摻雜的砷化鎵鋁、磷化鎵銦、其合金、其衍生物或其組合。在許多實(shí)例中，砷化鎵是η型摻雜或ρ型摻雜的。在另一實(shí)施方式中，犧牲層104可包括砷化鋁、其合金、其衍生物或其組合。在一個(gè)實(shí)例中，犧牲層104包括砷化鋁層并且具有大約20nm或更小的厚度，優(yōu)選地在從大約Inm 到大約IOnm的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選地從大約4nm到大約6nm。雖然上述內(nèi)容是針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，但可設(shè)計(jì)本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的實(shí)施方式而不偏離本發(fā)明的基本范圍，并且本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求來確定。
權(quán)利要求
1.一種用于在外延剝離過程期間形成薄膜器件的方法，包括將細(xì)長(zhǎng)的支撐帶和多個(gè)基底連接，其中每個(gè)基底包括被布置在犧牲層上方的外延膜， 所述犧牲層布置在晶片上方；在移動(dòng)所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶時(shí)，在蝕刻過程期間將所述基底暴露于蝕刻劑；以及在移動(dòng)所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶時(shí)，蝕刻所述犧牲層并將所述外延膜從所述晶片剝離。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶與每個(gè)外延膜連接。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，與所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶連接的多個(gè)基底包括從大約4 個(gè)基底至大約100個(gè)基底。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶包括至少一種金屬。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶包括至少一種金屬箔。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述金屬箔包括至少一種選自由鐵、鎳、鈷、鋼、不銹鋼、其合金、其衍生物和其組合組成的組的金屬。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶包括至少一種選自由聚合物材料、共聚物材料、低聚物材料、其衍生物和其組合組成的組的材料。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶包括至少一種選自由聚丙烯酸材料、聚乙烯材料、聚丙烯材料、聚四氟乙烯材料、氟化聚合物材料、其同分異構(gòu)體、其衍生物和其組合組成的組的材料。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶包括多層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶圍繞至少兩個(gè)卷筒、鼓輪或滾筒運(yùn)動(dòng)。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的至少一側(cè)包括延伸所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的長(zhǎng)度的一排軌道開口。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的每一側(cè)包括延伸所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的長(zhǎng)度的一排軌道開口。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶圍繞至少一個(gè)滾筒運(yùn)動(dòng)，所述至少一個(gè)滾筒具有從所述滾筒延伸以接合所述軌道開口的多個(gè)銷。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述至少一個(gè)滾筒包括用以接合所述軌道開口的鏈輪或輪齒。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶包括從所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的外邊緣垂直或基本上垂直延伸的多個(gè)狹槽。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述多個(gè)狹槽包括從所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的相對(duì)的外邊緣延伸的成對(duì)的對(duì)齊的狹槽。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，每對(duì)狹槽處在所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶的區(qū)域內(nèi)，并且所述區(qū)域沒有基底。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，每個(gè)基底在連續(xù)的兩對(duì)狹槽之間與所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶連接。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在每個(gè)基底與所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶之間布置有粘性層。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述粘性層通過將粘接劑施加至每個(gè)基底并將每個(gè)基底連接至所述細(xì)長(zhǎng)的支撐帶來形成。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述粘性層包括壓敏性粘接劑、熱熔性粘接劑、 UV固化性粘接劑。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述粘性層包括丙烯酸粘接劑。
23.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述蝕刻過程期間所述犧牲層暴露于濕蝕刻溶液，所述濕蝕刻溶液包括氫氟酸、表面活化劑和緩沖劑。
24.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層以大約5毫米/小時(shí)或更大的速率被蝕刻。
25.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述外延膜包括選自由砷化鎵、砷化鎵鋁、磷化鎵銦、其合金、其衍生物和其組合組成的組的材料。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述外延膜包括包含砷化鎵的一層和包含砷化鎵鋁的另一層。
27.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中，所述外延膜包括砷化鎵緩沖層、至少一個(gè)砷化鎵鋁鈍化層和砷化鎵活性層。
28.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述外延膜包括包含多層的光生伏打電池結(jié)構(gòu)， 并且所述光生伏打電池結(jié)構(gòu)包括至少兩種選自由砷化鎵、η型摻雜的砷化鎵、ρ型摻雜的砷化鎵、砷化鎵鋁、η型摻雜的砷化鎵鋁、P型摻雜的砷化鎵鋁、磷化鎵銦、其合金、其衍生物和其組合組成的組的材料。
29.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層包括選自由砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合組成的組的材料。
30.如權(quán)利要求四所述的方法，其中，所述犧牲層包括具有在從大約Inm至大約20nm 范圍內(nèi)的厚度的砷化鋁層。
31.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述晶片包括砷化鎵、砷化鎵合金、其摻雜物或其衍生物。
32.一種用于形成基于帶的外延剝離膜的設(shè)備，包括笛一總弟漸；Λ-Λ- ~·上山弟一兄而；帶供給部分，其鄰近所述第一端，所述帶供給部分提供無載的支撐帶；層壓部分，其用于容納所述無載的支撐帶和多個(gè)基底，每個(gè)基底包括在其上的外延膜， 所述層壓部分將所述基底粘接至所述無載的支撐帶，以形成加載的支撐帶；以及ELO蝕刻部分，其鄰近所述第二端，所述ELO蝕刻部分將所述基底從所述加載的支撐帶移除，同時(shí)在所述加載的支撐帶上留下所述外延膜。
33.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，所述帶供給部分包括至少一個(gè)滾筒，所述至少一個(gè)滾筒具有在其上纏繞的至少一個(gè)帶。
34.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，還包括在所述帶供給部分與所述層壓部分之間的拼接 /沖壓部分，所述拼接/沖壓部分在至少一個(gè)無載的支撐帶中形成開口。
35.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，所述ELO蝕刻部分配置成連續(xù)地將所述基底從至少一個(gè)加載的支撐帶移除。
36.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，所述ELO蝕刻部分配置成分批地將所述基底從至少一個(gè)加載的支撐帶移除。
37.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，與所述加載的支撐帶連接的所述多個(gè)基底包括從大約4個(gè)基底至大約100個(gè)基底。
38.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶包括至少一種金屬。
39.如權(quán)利要求38所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶包括至少一種金屬箔。
40.如權(quán)利要求39所述的設(shè)備，其中，所述金屬箔包括至少一種選自由鐵、鎳、鈷、鋼、 不銹鋼、其合金、其衍生物和其組合組成的組的金屬。
41.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶包括至少一種選自由聚合物材料、共聚物材料、低聚物材料、其衍生物和其組合組成的組的材料。
42.如權(quán)利要求41所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶包括至少一種選自由聚丙烯酸材料、聚乙烯材料、聚丙烯材料、聚四氟乙烯材料、氟化聚合物材料、其同分異構(gòu)體、其衍生物和其組合組成的組的材料。
43.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶包括多層。
44.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶圍繞至少兩個(gè)卷筒、鼓輪或滾筒運(yùn)動(dòng)。
45.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶的至少一側(cè)包括延伸所述加載的支撐帶的長(zhǎng)度的一排軌道開口。
46.如權(quán)利要求45所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶的每一側(cè)包括延伸所述加載的支撐帶的長(zhǎng)度的一排軌道開口。
47.如權(quán)利要求45所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶圍繞至少一個(gè)滾筒運(yùn)動(dòng)，所述至少一個(gè)滾筒具有從所述滾筒延伸以接合所述軌道開口的多個(gè)銷。
48.如權(quán)利要求47所述的設(shè)備，其中，所述至少一個(gè)滾筒包括用以接合所述軌道開口的鏈輪或輪齒。
49.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，所述加載的支撐帶包括從所述加載的支撐帶的外邊緣垂直或基本上垂直延伸的多個(gè)狹槽。
50.如權(quán)利要求49所述的設(shè)備，其中，所述多個(gè)狹槽包括從所述加載的支撐帶的相對(duì)的外邊緣延伸的成對(duì)的對(duì)齊的狹槽。
51.如權(quán)利要求50所述的設(shè)備，其中，每對(duì)狹槽處在所述加載的支撐帶的區(qū)域內(nèi)，并且所述區(qū)域沒有基底。
52.如權(quán)利要求50所述的設(shè)備，其中，每個(gè)基底在連續(xù)的兩對(duì)狹槽之間與所述加載的支撐帶連接。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施方式大體上涉及用于通過外延剝離(ELO)過程來制作外延薄膜和器件的設(shè)備和方法。在一個(gè)實(shí)施方式中，提供了用于在ELO過程期間形成薄膜器件的方法，該方法包括將多個(gè)基底連接至細(xì)長(zhǎng)的支撐帶，其中每個(gè)基底包括被布置在犧牲層上方的外延膜，該犧牲層布置在晶片上方；在蝕刻過程期間將基底暴露于蝕刻劑，同時(shí)移動(dòng)細(xì)長(zhǎng)的支撐帶；以及蝕刻犧牲層并將外延膜從晶片剝離，同時(shí)移動(dòng)細(xì)長(zhǎng)的支撐帶。實(shí)施方式還包括一些設(shè)備，連續(xù)型以及分批型設(shè)備，用于形成外延薄膜和器件，這些設(shè)備包括用于從外延膜生長(zhǎng)所在的晶片上移除支撐帶和外延膜的設(shè)備。
文檔編號(hào)H01L21/50GK102301456SQ200980155618
公開日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2009年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月17日
發(fā)明者何甘, 安德瑞斯·海吉杜斯, 湯瑪士·J·吉密特, 美利莎·艾契爾 申請(qǐng)人:奧塔裝置公司