專利名稱：穿硅過孔保護環(huán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開內(nèi)容通常涉及將微電子器件晶片切割為單獨的微電子管芯的領(lǐng)域。在至少一個實施例中，本公開內(nèi)容涉及在微電子器件晶片的刻道(scribe street)中形成多個穿石圭31孑し。
背景技術(shù)：
在微電子器件的生產(chǎn)中，可以在微電子器件晶片中和微電子器件晶片上形成集成電路。單個的微電子器件晶片可以包含多個大體上相同的集成電路，所述多個大體上相同的集成電路通常大體上是矩形的并且以行和列布置。通常，兩組相互平行的切割道(dicingstreet)可以在微電子器件晶片的大體上整個表面上，在每個分離的集成電路之間相互垂直地延伸。在已經(jīng)對微電子器件晶片上的集成電路進行了功能性初步測試(晶片測試)之后，可以對微電子器件晶片進行切割(分割)，使得功能集成電路的每個區(qū)域變?yōu)榭梢杂糜谛纬煞庋b微電子器件的単獨的微電子管芯。一個范例性微電子晶片切割處理可以使用圓形鑲金剛石切割鋸，所述圓形鑲金剛石切割鋸沿著位于每行以及每列之間的兩組相互垂直的切割道行迸。當然，切割道的尺寸定為允許晶片鋸刀片在相鄰的集成電路之間通過而不引起對電路的損壞。微電子器件晶片可以具有大體上圍繞集成電路的保護環(huán)。保護環(huán)可以穿過互連層而延伸。互連層可以包括由襯底上的介電材料層分隔開的金屬跡線層構(gòu)成的多個層。互連層可以提供用于在集成電路內(nèi)的集成電路部件之間以及與外部互連進行電通信的通路(route).通?？梢栽谛纬苫ミB層時逐層地形成保護環(huán)。保護環(huán)可以有助于防止外部污染物侵入互連層內(nèi)的集成電路內(nèi)。在切割之前，微電子器件晶片可以安裝到粘性柔性帶上，所述柔性帶可以附接到脊框(ridge frame)。所述帶可以在切割操作之后以及傳送到隨后的裝配步驟期間繼續(xù)保持微電子管芯。鋸穿過互連層和襯底切割切割道中的通道。然而，在微電子器件晶片的切割中，エ業(yè)標準的切割鋸的使用可能在微電子器件晶片中產(chǎn)生裂紋。這些裂紋可以傳播到互連層之下的晶片中并且可能導致互連層中的層的破裂和/或剝離。這種破裂和/或剝離可能在集成電路中產(chǎn)生致命的缺陷。


在說明書的結(jié)論部分中具體地指出并且明確地要求保護本公開內(nèi)容的主題。結(jié)合附圖，根據(jù)以下描述和所附的權(quán)利要求，本公開內(nèi)容的前述和其它特征將會變得更加充分地明顯。應當理解附圖僅根據(jù)本公開內(nèi)容描述了若干實施例，因此不視為對其范圍的限制。將通過使用附圖，用附加的特性和細節(jié)來描述本公開內(nèi)容，以便可以更容易地確定本公開內(nèi)容的優(yōu)點。在附圖中
圖I是微電子器件晶片的俯視圖，該微電子器件晶片上形成有多個微電子器件；圖2是示出切割道區(qū)域的圖I的嵌入物2的特寫俯視圖；圖3是沿著圖2的線3-3的微電子器件晶片的切割道區(qū)域的側(cè)截面圖；圖4是切割之后的微電子器件晶片的特寫俯視圖；圖5是沿著圖4的線5-5的微電子器件晶片的切割道區(qū)域的側(cè)截面圖；圖6是示出形成穿硅過孔保護環(huán)的過程的流程圖；圖7是微電子器件晶片中的穿硅過孔保護環(huán)的側(cè)截面圖；圖8是沿著圖7的線8-8的微電子器件晶片中的硅過孔保護環(huán)的仰視圖； 圖9是微電子器件晶片的仰視圖，具有多個來自該微電子器件晶片中的穿硅過孔保護環(huán)；圖10和11是圖8的插入物10的特寫平面圖，分別示出形成通孔保護環(huán)的橢圓形過孔和圓形過孔的；圖12是穿硅過孔保護環(huán)和微電子器件晶片的切割的側(cè)截面圖；圖13是利用激光器或離子研磨裝置形成穿硅過孔保護環(huán)的側(cè)截面圖；圖14是通過蝕刻形成穿硅過孔保護環(huán)的側(cè)截面圖；圖15是襯底的側(cè)截面圖，在該襯底中形成有的穿硅過孔保護環(huán)；圖16是具有由材料填充的穿硅過孔保護環(huán)的過孔的圖15的襯底的側(cè)截面圖；圖17是其上形成有互連層的圖16的襯底的側(cè)截面圖；圖18是微電子器件晶片的切割之后的微電子管芯的側(cè)截面圖；以及圖19和20是包括圖15的微電子管芯的微電子器件封裝的側(cè)截面圖。
具體實施例方式在以下的具體實施方式
中，將參考附圖，所述附圖通過例示的方式示出了其中可以實施要求保護的主題的特定實施例。充分詳細地描述了這些實施例，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能實施該主題。應當理解，各個實施例雖然不同，但是未必是相互排斥的。例如，在不脫離所要求保護的主題的精神和范圍的情況下，在此結(jié)合一個實施例所描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性可以在其它實施例中實施。此外，應當理解在不脫離所要求保護的主題的精神和范圍的情況下，可以修改每個公開的實施例中的単獨元件的位置或布置。因此，以下的具體實施方式
不應當理解為限制的意思，并且本發(fā)明主題的范圍僅由經(jīng)適當解釋的所附權(quán)利要求連同所附權(quán)利要求有權(quán)享有的等同物的全部范圍限定。在附圖中，同樣的附圖標記指代貫穿若干視圖的相同或相似的元件或功能件，而其中所示的那些元件不需要相互成比例，相反可以放大或縮小單獨的元件，以便更容易地理解本說明書上下文中的元件。本說明書的實施例涉及將微電子器件晶片切割為單獨的微電子管芯的領(lǐng)域。在至少ー個實施例中，本公開內(nèi)容涉及在微電子器件晶片的刻道附近形成多個穿硅過孔。在微電子器件的生產(chǎn)中，可以在微電子器件晶片中以及在微電子器件晶片上形成集成電路。如圖I中所示，單個的微電子器件晶片100可以包含多個大體上相同的集成電路102 (也稱為“有源區(qū)”)，所述多個大體上相同的集成電路102通常大體上是矩形的并且以行和列布置。通常，兩組相互平行的切割道104可以在微電子器件晶片100的大體上整個表面上、在每個分離的集成電路102之間相互垂直地延伸。應當理解集成電路102可以是可形成微處理器、芯片組、存儲器件、ASIC等的，包括但不限于晶體管、電阻器、電容器、導電跡線等的任何電路部件、電連接或其組合。如圖I和圖2中所示，微電子器件晶片100可以具有至少ー個互連保護環(huán)106，每個互連保護環(huán)106都大體上圍繞每個集成電路102，從而使集成電路102與切割道104隔離。如圖3中所示，微電子器件晶片100可以包括設(shè)置在襯底114的第一表面110上的互連層108，該襯底114可以通過其第二表面118安裝到粘性柔性帶116。襯底114可以是任何合適的材料，包括但不限于硅、絕緣體上硅、神化鎵、磷化銦，等等。當然，應該理解術(shù)語“晶片”的使用不僅包括完整的晶片，而且包括晶片的部分?；ミB保護環(huán)106穿過互連層108延伸?；ミB層108可以包括由在襯底114上順序形成的介電材料層分隔開的金屬跡線組成的層112。介電材料可以包括但不限于ニ氧化硅、氮化硅、氟化ニ氧化硅、摻碳ニ氧化硅、碳化硅、各種聚合物電介質(zhì)材料，等等?？梢杂砂ā⒌幌抻阢~、鋁、銀、鈦、金及其合金等導電材料對金屬跡線進行構(gòu)圖。用于制造互連層108及其各層中的少量成分材料的方法和處理對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說會是明顯的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解，互連層108可以提供用于在集成電路102內(nèi)的集成電路部件之間以及與外部互連(未示出)進行電通信的通路。可以在形成互連層108時逐層地形成互連保護環(huán)106，并且可以由疊置的金屬層形成互連保護環(huán)106?；ミB保護環(huán)106可以有助于防止外部污染物通過由對微電子器件晶片100的后續(xù)切割導致的剝離和/或裂紋而侵入互連層108內(nèi)的集成電路102內(nèi)。在切割道104內(nèi)，可以存在由與互連層108的其它部分相同的材料構(gòu)成的測試結(jié)構(gòu)(未示出)。在切割道104中的這些測試結(jié)構(gòu)和互連保護環(huán)106之間可以是完全由介電材料構(gòu)成的ー個或多個區(qū)域，而在層112之間沒有導電材料。在已經(jīng)對微電子器件晶片100上的集成電路102進行了功能性初步測試(晶片測試)之后，可以對微電子器件晶片100進行切割(分割)，使得功能集成電路102的每個區(qū)域變?yōu)榭梢杂糜谛纬煞庋b微電子器件(未示出)的微電子管芯(未示出)。如之前所討論的，在切割前，微電子器件晶片100可以通過其襯底的第二表面118安裝到粘性柔性帶116上。柔性帶116可以附接到脊框(未示出)。柔性帶116可以在切割操作之后以及傳送到隨后的裝配步驟期間繼續(xù)保持切割的(單個化的)微電子管芯(未示出)。如圖4和5中所示，諸如圓形鑲金剛石切割鋸的鋸(未示出)可以穿過互連層108和襯底114、沿著位于每行和每列之間的多組垂直的切割道104 (參見圖I)來分割通道122。在分割(切割處理)期間，鋸通常切入柔性帶116直到其厚度的大約1/3。當然，將切割道104的尺寸設(shè)定為允許晶片銀刀片在相鄰的集成電路102之間通過，而不引起對集成電路102的損壞。然而，如圖5中所示，切割鋸的使用可能在襯底114中產(chǎn)生裂紋124。由于在集成電路102的制造中襯底114變得越來越薄，例如利用超薄晶片(S卩，厚度小于大約30um)，所以裂紋124變得更普遍。這種裂紋124可以通過襯底114傳播到集成電路102 (參見圖I和4)區(qū)域中，這可能導致包括集成電路102的互連層108的層112的破裂或剝離和/或?qū)е录呻娐?02區(qū)域內(nèi)的電路部件(未示出)的破裂。當介電層由諸如包括但不限于硅酸鉿、硅酸鋯、ニ氧化鉿和氧化鋯的低K介電材料的脆性材料制成時，互連層108的破裂可能就是個特殊的問題了。因此，裂紋124可以導致顯著的成品率損失或器件失效。
應當注意雖然在防止裂紋傳播通過互連層108的層112方面，互連保護環(huán)106可以是有用的，但是互連保護環(huán)106不能防止裂紋124延伸通過互連保護環(huán)106下的襯底114并損壞集成電路102和/或?qū)?08的互連。而且，雖然這些裂紋124在切割后不會立即延伸到集成電路102區(qū)域，但是由于在隨后的制造處理期間可能發(fā)生的機械壓カ和熱壓カ的緣故，那些裂紋124可能朝著集成電路102傳播。如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的，這些處理可以包括但不限于微電子管芯附接、引線鍵合、倒裝芯片回流附接處理、封裝/摸制/覆蓋(capping)處理,等等。如圖6中所示的流程圖中能夠例示用于消除或大大減少在襯底中傳播的裂紋的實施例?？?02可以表示提供微電子器件晶片，該微電子器件晶片包括在襯底上形成的多個集成電路，在襯底的第一表面上形成有互連層?？?04可以表不形成從襯底的第二表面延伸到襯底的第一表面的穿硅過孔保護環(huán)?？?06可以表示將微電子器件晶片切割成単獨的集成電路。將在對圖7-14說明中進ー步限定該過程的實施例。應當理解術(shù)語“穿硅過孔”是技術(shù)術(shù)語。該術(shù)語用于描述在集成電路的制造中所使用的穿過襯底的過孔，并且不必限制為“硅”襯底。因此，在這里使用的術(shù)語也不受此限 制。圖7示出從襯底的第二表面118到襯底的第一表面110而形成的穿硅過孔保護環(huán)
130。在一個實施例中，該穿硅過孔保護環(huán)130可以定位為從襯底的第二表面118延伸到襯底的第一表面110，其中穿硅過孔保護環(huán)130在襯底的第一表面110處鄰接互連保護環(huán)106。如圖8、10和11中所示，穿硅過孔保護環(huán)130可以形成為多個過孔132，所述多個過孔132形成為諸如由虛線134所限定的圖案。應當理解圖8、10和11中所示的虛線134不一定是物理結(jié)構(gòu)，而是能夠在其內(nèi)形成過孔132的圖案的實施例的示例。如圖9中所示，每個穿硅過孔保護環(huán)130都可以以類似于如圖I中所示的互連保護環(huán)106的方式來圍繞每個集成電路102區(qū)域(示出為虛線，因為元件位于微電子器件晶片100的背面上)。參考圖10和11，過孔132可以具有任何合適的形狀，以抑制(arrest)可以在襯底114中形成的裂紋。例如，圖10中所示的過孔132在橫截面中大體上為橢圓形，而圖11中所示的過孔132在橫截面中大體上為圓形。當然，過孔132的橫截面可以是任何形狀；然而，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會理解的，具有彎曲的邊緣或側(cè)邊的橫截面形狀通常會比具有鋭利邊緣的橫截面形狀更有效地抑制裂紋傳播通過大體上固態(tài)的材料。在切割前，微電子器件晶片100可以安裝在附接到脊框(未示出)的粘性柔性帶116上。柔性帶116可以在切割操作之后以及傳送到隨后的裝配步驟期間繼續(xù)保持微電子管芯。如圖12中所示，諸如圓形鑲金剛石切割鋸的鋸(未示出)可以穿過互連層108和襯底114而沿著位于每行和每列之間的多組垂直的切割道104 (參見圖I)來分割通道122。如果切割鋸的使用在襯底114中產(chǎn)生裂紋124，則裂紋124可能遇到穿硅過孔保護環(huán)130的一個或多個過孔132，從而抑制或阻止裂紋124。應當理解裂紋124可以形成在包括第一表面110、第二表面118以及鋸所形成的邊緣面120的鋸所接觸到的區(qū)域附近的任何位置上。圖8-11示出兩個分開的圍繞每個單獨的集成電路102的穿硅過孔保護環(huán)130。然而，應當理解可以制造任何數(shù)量的穿硅過孔保護環(huán)130。而且，如圖8、10和11中所示，過孔132示出為大致兩排并列地排列，但是應當理解過孔132可以以任何有效的方式排列。應當理解，可以以如下方式排列過孔132并設(shè)定其形狀使晶片100保持充分的結(jié)構(gòu)完整性，使得在隨后的處理以及將襯底的第二表面118附接到柔性帶116期間不在過孔132之間形成裂紋。在一個實施例中，過孔132為長度在約IOum至20um之間和寬度在約5um至IOum之間的大體的橢圓形。在另ー個實施例中，過孔132為直徑在約5um至20um之間的大體的圓形?？梢砸员绢I(lǐng)域公知的任何方式來形成過孔132。在一個實施例中，過孔可以通過激光燒蝕或離子研磨形成。如圖13中所示，光束142 (激光或離子)導向襯底的第二表面118(示出為方向144)。光束142可以定位成大體垂直于襯底的第二表面118，并且可以定位光 束142，從而將會形成穿硅過孔保護環(huán)130，使其從襯底的第二表面118延伸到互連保護環(huán)106。雖然保護環(huán)130示出為這種定位，但是應當理解，穿硅過孔保護環(huán)130也可以從襯底的第二表面118延伸到切割道104內(nèi)的互連層108。此外，雖然將光束示出為跨越穿硅過孔保護環(huán)130的寬度，但是應當理解，設(shè)定光束142的尺寸和形狀以形成每個單獨的過孔132(參見圖8、10和11)。在一個實施例中，光束142可以是由諸如Nd = YAG激光器(釹摻雜釔鋁石榴石(YAG)的放大介質(zhì))等激光器產(chǎn)生的激光束，其中激光器燒蝕掉襯底114的至少一部分，從而形成過孔132。在另ー個實施例中，可以通過蝕刻(濕法蝕刻或干法蝕刻)形成過孔132。如圖14中所示，可以在襯底的第二表面118上對掩模152進行構(gòu)圖。掩模152可以是可以由本領(lǐng)域公知的光刻技術(shù)進行構(gòu)圖的光刻膠材料，掩模152位于襯底的第二表面118上且具有多個穿過其的開ロ 154?？梢远ㄎ欢鄠€開ロ 154，使得穿硅過孔保護環(huán)130可以形成為從襯底的第二表面118延伸到互連保護環(huán)106。雖然將保護環(huán)130示出為這種定位，但是應當理解，穿硅過孔保護環(huán)130也可以從微電子器件晶片第二表面118延伸到切割道104內(nèi)的互連層108。此外，雖然將開ロ 154示出為跨越穿硅過孔保護環(huán)130的寬度，但是應該理解，設(shè)定開ロ 154的尺寸和形狀，以形成每個單獨的過孔132 (參見圖8、10和11)。一旦在襯底的第二表面118上對掩模152進行了構(gòu)圖，則穿過開ロ 154來蝕刻襯底114，以形成多個過孔132 (參見圖8、10和11)。如本領(lǐng)域公知的，可以通過諸如利用氫氧化鉀溶液、四甲基氫氧化銨溶液和/或本領(lǐng)域公知的其它濕法蝕刻溶液等的濕法蝕刻來實現(xiàn)蝕刻。也可以通過諸如利用反應離子蝕刻、濺射蝕刻和氣相蝕刻等的干法蝕刻來實現(xiàn)過孔132的蝕刻。蝕刻材料(無論是濕法蝕刻還是干法蝕刻所使用的蝕刻材料)在圖14在示出為箭頭156。當完成過孔132的形成并且由此完成穿硅過孔保護環(huán)130的形成吋，則可以諸如通過本領(lǐng)域公知的灰化處理等去除掩模152，以形成圖7中所示的結(jié)構(gòu)。引入穿硅過孔保護環(huán)130以提供裂紋阻止路徑可以在不使集成電路因切割所導致的裂紋而發(fā)生破裂的情況下，允許使用機械輪鋸來切割超薄(小于30um)的晶片。因此，穿硅過孔保護環(huán)130的使用可以大大改善使用超薄晶片的器件的裝配成品率。將會理解，可以在諸如邏輯電路和存儲器疊置體等疊置器件中使用穿硅過孔互連。穿硅過孔互連是延伸穿過填充有可以用于疊置器件之間的通信或供電的導電材料的襯底的過孔。從處理的角度來看，如果在過孔制造中通過特定方法形成穿硅過孔互連，則可以 以名義(nominal)總成本同時形成穿硅過孔保護環(huán)。在圖15、16和17中示出了該過程。如圖15中所示，提供襯底114，并且穿過襯底114形成多個過孔132 (參見圖8、10和11)，以形成穿硅過孔保護環(huán)130?？梢杂砂ǖ幌抻趫D13和14所描述的方法的本領(lǐng)域公知的任何方法來形成過孔132。如圖16中所示，用材料192至少部分地填充過孔(參見圖8、10和11)。雖然將材料192示出為填充整個的穿硅過孔保護環(huán)130，但是應當理解材料192填充每個単獨的過孔132(參見圖8、10和11)。材料192可以是導電的或非導電的。如果材料192是導電的，則可以通過電鍍或其它這種方法形成材料192。如果同時形成穿硅過孔互連，則將以與填充穿硅過孔互連相同的方式形成導電材料192。如果材料192是非導電的，則可以通過沉積處理等形成材料192。 如圖17所示，在過孔132內(nèi)形成材料192之后(參見圖8、10和11)，如先前所描述的，在襯底的第一表面Iio上形成互連層108并將其送去切割。材料192的使用防止互連層108部分地移動到穿硅過孔保護環(huán)130的過孔132內(nèi)(參見圖8、10和11)。如本公開內(nèi)容中所描述的，圖18示出切割后并且具有穿硅過孔保護130的微電子管芯150。微電子管芯150可以是微處理器、芯片組、存儲器件、ASIC，等等。圖19示出被稱為倒裝芯片模制矩陣陣列封裝(FC-MMAP)的微電子器件封裝160。如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的，微電子器件封裝160可以包括微電子管芯150 (諸如微處理器、芯片組、存儲器件、ASIC，等等)，該微電子管芯150通過從微電子管芯互連層108上的鍵合焊盤(未示出)延伸到承載襯底的第一表面162上的連接焊盤(land pad)(未示出)以在其間形成電接觸的多個互連166 (諸如焊球等)，而由其互連層108附接到承載襯底164 (諸如內(nèi)插層、母板、另ー微電子管芯的背面，等等)的第一表面162。在微電子管芯互連層108與承載襯底的第一表面162之間散布底部填充材料168。底部填充材料168提供機械支持、污染保護并且改善封裝可靠性。承載襯底164還包括附接到其第二表面174的多個外部接觸部172 (諸如焊球等)。如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的，這些外部接觸部172用于將封裝連接到外部部件(未不出)。將微電子管芯150和暴露的承載襯底的第一表面162封裝在模制材料176中，以防止物理和化學損壞。圖20示出被稱為引線鍵合模制矩陣陣列封裝(WB-MMAP)的微電子器件封裝180。微電子器件封裝180可以包括微電子管芯150 (諸如微處理器、芯片組、存儲器件、ASIC，等等)，該微電子管芯150通過襯底的第二表面118附接到承載襯底的第一表面162。如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的，多個鍵合引線182從微電子管芯互連層108上的鍵合焊盤(未示出)延伸到承載襯底的第一表面162上的連接焊盤(未示出)，以在其間形成電接觸。承載襯底164還包括附接到其第二表面174的多個外部接觸部172。如本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的，這些外部接觸部172將封裝連接到外部部件(未示出)。將微電子管芯150和鍵合引線182封裝在模制材料176中，以防止物理和化學損壞。
具體實施方式
已經(jīng)通過使用示例、框圖、流程圖和/或范例描述了器件和/或處理的各種實施例。在這些示例、框圖、流程圖和/或范例包含一種或多種功能和/或操作的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，可以利用較寬范圍的硬件、軟件、固件或?qū)嶋H上其任何組合，來単獨地和/或共同地實施每個示例、框圖、流程圖和/或范例中的每種功能和/或操作。所描述主題有時例示了在不同的其它部件內(nèi)包含的或與不同的其它部件連接的不同部件。應當理解這種示例僅是范例性的，并且可以實施許多替代的結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)相同的功能。從概念上講，實現(xiàn)相同功能的部件的任何布置都是有效“關(guān)聯(lián)的”以便實現(xiàn)期望的功能。因此，不考慮結(jié)構(gòu)或中間部件，能夠?qū)⒃谶@里組合以實現(xiàn)特定功能的任意兩個部件視為相互“關(guān)聯(lián)的”以便實現(xiàn)期望的功能。同樣地，這樣連接的任意兩個部件也可以視為相互“操作地連接的”或“操作地耦合的”以實現(xiàn)期望的功能，并且能夠進行這樣關(guān)聯(lián)的任意兩個部件也可以視為相互“操作地可耦合的”以實現(xiàn)期望的功能。操作地可耦合的具體范例包括但不限于物理上可配對的和/或物理上相互作用的部件和/或可無線地相互作用的和/或無線地相互作用的部件和/或邏輯相互作用的和/或可邏輯相互作用的部件。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解在這里使用的術(shù)語，且特別是所附權(quán)利要求中所使用的術(shù)語通常意在作為“開放式的”術(shù)語。通常，術(shù)語“包括”或“包括了 ”應當分別解釋為“包括但不限干”或“包括了但不限干”。此外，術(shù)語“具有”應當解釋為“至少具有”。當適合于上下文和/或本申請的時候，可以從復數(shù)形式到単數(shù)形式和/或從單數(shù)形式到復數(shù)形式來翻譯具體實施方式
中的復數(shù)的和/或単數(shù)的術(shù)語的使用。本領(lǐng)域技術(shù)人員將進一歩理解，如果權(quán)利要求中使用了元件數(shù)量的表示，則如此 限制權(quán)利要求的意圖將在權(quán)利要求中明確地記載，而在沒有這種記載的情況下則不存在這種意圖。此外，如果明確記載了引入的權(quán)利要求記載的具體數(shù)量，則本領(lǐng)域技術(shù)人員會認識到這種記載通常應當被解釋為表示“至少”記載的數(shù)量。在說明書中的術(shù)語“實施例”、“一個實施例”、“一些實施例”、“另ー實施例”或“其它實施例”的使用可以表示結(jié)合一個或多個實施例所描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性可以包括在至少ー些實施例中，但未必包括在全部實施例中。在具體實施方式
中的術(shù)語“實施例”、“ー個實施例”、“另ー實施例”或“其它實施例”的各種使用未必全部涉及相同的實施例。雖然通過使用各種方法和系統(tǒng)已經(jīng)在這里描述并示出了某些范例性的技術(shù)，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解在不脫離要求保護的主題及其精神的情況下，可以作出各種其它修改，并且可以替換等同物。此外，在不脫離在這里描述的中心概念的情況下，可以作出許多修改以使特定情況適于要求保護的主題的教導。因此，要求保護的主題意在不限于所公開的特定范例，而這種要求保護的主題還可以包括落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有實施方式及其等同物。
權(quán)利要求
1.一種微電子管芯，包括 襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面以及設(shè)置在所述襯底的第一表面上的互連層，所述襯底包括在所述襯底的第一表面附近形成的集成電路；以及 多個過孔，所述多個過孔在所述襯底的至少一個邊緣附近并且從所述襯底的第一表面延伸到所述襯底的第二表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的微電子管芯，還包括在所述互連層內(nèi)且在所述襯底的邊緣附近的互連保護環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電子管芯，其中所述互連保護環(huán)大體上圍繞所述集成電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電子管芯，其中所述多個過孔中的至少一個過孔大體上鄰接所述互連保護環(huán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電子管芯，其中所述多個過孔大體上圍繞所述集成電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電子管芯，其中所述多個過孔被填充。
7.一種微電子器件封裝，包括 承載襯底，所述承載襯底具有第一表面和第二表面；以及微電子管芯，所述微電子管芯與所述承載襯底電耦合，其中所述微電子管芯包括襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面以及設(shè)置在所述襯底的第一表面上的互連層，所述襯底包括在所述襯底的第一表面附近形成的集成電路；以及 多個過孔，所述多個過孔在所述襯底的至少一個邊緣附近并且從所述襯底的第一表面延伸到所述襯底的第二表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微電子器件封裝，還包括附接到所述承載襯底的第一表面的所述微電子管芯的襯底的第二表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微電子器件封裝，其中所述微電子管芯通過多條鍵合引線電耦合到所述承載襯底。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微電子器件封裝，其中所述微電子管芯通過從所述互連層和所述承載襯底的第一表面延伸的多個互連電耦合到所述承載襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微電子器件封裝，還包括在所述互連層內(nèi)且在所述襯底的邊緣附近的互連保護環(huán)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微電子管芯，其中所述互連保護環(huán)大體上圍繞所述集成電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微電子管芯，其中所述多個過孔中的至少一個過孔大體上鄰接所述互連保護環(huán)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微電子管芯，其中所述多個過孔大體上圍繞所述集成電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微電子管芯，其中所述多個過孔被填充。
16.—種形成保護環(huán)的方法，包括 形成微電子器件晶片，所述微電子器件晶片包括襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面以及設(shè)置在所述襯底的第一表面上的互連層，所述襯底包括在所述襯底的第一表面附近形成的多個集成電路，其中所述多個集成電路中的每一個集成電路都由至少一個切割道分隔開；以及 形成多個過孔，所述多個過孔在所述切割道附近并且從所述襯底的第二表面延伸到所述襯底的第一表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括在所述切割道內(nèi)切穿所述襯底晶片。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中提供微電子器件晶片還包括提供包括在所述互連層內(nèi)且在所述切割道附近的互連保護環(huán)的微電子器件晶片。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成從所述襯底的第二表面延伸到所述襯底的第一表面的多個過孔包括形成從所述襯底的第二表面延伸到所述襯底的第一表面的多個過孔，其中所述過孔在所述襯底的第一表面處鄰接所述互連保護環(huán)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述多個過孔包括在形成所述互連層之前形成多個過孔并且填充所述多個過孔。
全文摘要
本發(fā)明涉及在微電子器件晶片(100)的刻道附近形成多個穿硅過孔保護環(huán)(130)。該微電子器件晶片(100)包括襯底(114)，其中通過形成延伸完全穿過所述襯底(114)的過孔(132)來制造穿硅過孔保護環(huán)(130)。該穿硅過孔保護環(huán)(130)起到裂紋(124)抑制裝置的作用，從而大體上減少或消除由微電子晶片的切割所導致的裂紋(124)引起的缺陷。
文檔編號H01L21/46GK102668050SQ200980162606
公開日2012年9月12日 申請日期2009年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月25日
發(fā)明者C·楊, H·吳, J·錢 申請人:英特爾公司