專利名稱：固態(tài)圖像拾取裝置和圖像拾取系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及背面照射型固態(tài)圖像拾取裝置。
背景技術(shù)：
近年來的較高速度的固態(tài)圖像拾取裝置已導(dǎo)致提出在晶體管處設(shè)置半導(dǎo)體化合物層的結(jié)構(gòu)。PTL I討論了如下這樣的固態(tài)圖像拾取裝置，其中不在光電轉(zhuǎn)換部的光檢測(cè)器上設(shè)置高熔點(diǎn)金屬半導(dǎo)體化合物層，并且在周邊電路部(peripheral circuit portion)處設(shè)置高熔點(diǎn)金屬半導(dǎo)體化合物層。 PTL 2討論了背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置，在該背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置中，為了增加光電轉(zhuǎn)換元件的靈敏度，包含具有該光電轉(zhuǎn)換元件和信號(hào)讀出電路的像素部的基板和包含用于通過驅(qū)動(dòng)像素部的電路來處理讀出信號(hào)的周邊電路的基板相互粘接。引文列表專利文獻(xiàn)PTL I :日本專利公開 No. 2001-111022PTL 2 :日本專利公開 No. 2009-170448

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題在PTL I中的在周邊電路部設(shè)置高熔點(diǎn)金屬半導(dǎo)體化合物層的結(jié)構(gòu)中，由于高熔點(diǎn)金屬被設(shè)置在同一基板上，因此，高熔點(diǎn)金屬可擴(kuò)散到光電轉(zhuǎn)換元件。即使光電轉(zhuǎn)換元件的表面被絕緣膜保護(hù)，由于例如存在在絕緣膜上形成高熔點(diǎn)金屬的步驟，因此，高熔點(diǎn)金屬也可變得在絕緣膜中擴(kuò)散。另外，例如，由于作為高熔點(diǎn)金屬污染光電轉(zhuǎn)換元件的結(jié)果產(chǎn)生的泄漏電流，因此可在圖像中出現(xiàn)白色缺陷。并且，為了形成在PTL I中討論的結(jié)構(gòu)，必須確定在同一基板上在哪里形成高熔點(diǎn)金屬半導(dǎo)體化合物層，由此使處理復(fù)雜化。因此，本發(fā)明的ー個(gè)目的是，通過使用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，提供在抑制導(dǎo)致例如產(chǎn)生白色缺陷的光電轉(zhuǎn)換元件的特性的降低的同時(shí)在周邊電路部設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層的固態(tài)圖像拾取裝置。問題的解決方案本發(fā)明提供一種固態(tài)圖像拾取裝置，其中，設(shè)置光電轉(zhuǎn)換元件和用于傳送來自光電轉(zhuǎn)換兀件的電荷的柵電極的第一基板和設(shè)置用于讀出基于在光電轉(zhuǎn)換兀件處產(chǎn)生的電荷的信號(hào)的周邊電路部的第二基板相互層疊，其中，第二基板具有高熔點(diǎn)金屬化合物層，并且，第一基板不具有高熔點(diǎn)金屬化合物層。本發(fā)明的有益的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠通過使用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)提供在抑制光電轉(zhuǎn)換元件的特性的降低的同時(shí)在周邊電路部設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層的固態(tài)圖像拾取裝置。


圖I是用于描述第一實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的斷面圖。圖2是用于描述第二實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的斷面圖。圖3是用于描述第三實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的斷面圖。圖4表示根據(jù)第三實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的制造方法。圖5表示根據(jù)第三實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的制造方法。
圖6是用于描述第五實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的斷面圖。圖7表示根據(jù)第四實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的制造方法。圖8表示根據(jù)第四實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的制造方法。圖9表示根據(jù)第四實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的制造方法。圖10是用于描述第五實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的斷面圖。圖11是用于描述第六實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的斷面圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取裝置的示例性電路。圖13是示出根據(jù)第七實(shí)施例的圖像拾取系統(tǒng)的框圖。
具體實(shí)施例方式通過相互層疊第一基板和第二基板形成根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取裝置，其中第一基板具有光電轉(zhuǎn)換元件和用于傳送的柵電極并且第二基板具有周邊電路部。不在第一基板設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層，而在第二基板設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層。通過這種結(jié)構(gòu)，變得更容易確定在哪里形成化合物層，并且變得能夠使周邊電路部處的晶體管以更高的速度操作，并且以高速執(zhí)行信號(hào)讀出操作，同時(shí)抑制光電轉(zhuǎn)換元件的特性降低。以下，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。第一實(shí)施例將參照?qǐng)DI和圖12描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。首先，參照?qǐng)D12描述根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的示例性電路。圖12所示的固態(tài)圖像拾取裝置300包括布置多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的像素部301和具有用于執(zhí)行用于從像素部301讀取信號(hào)的驅(qū)動(dòng)操作的控制電路并具有處理讀出信號(hào)的信號(hào)處理電路的周邊電路部302。在像素部301中，設(shè)置多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件303、傳送晶體管304、放大晶體管306和復(fù)位晶體管307。包含至少ー個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件303的結(jié)構(gòu)被定義為像素。實(shí)施例中的ー個(gè)像素包含光電轉(zhuǎn)換元件303、傳送晶體管304、放大晶體管306和復(fù)位晶體管307。傳送晶體管304的源極與光電轉(zhuǎn)換元件303連接，并且，傳送晶體管304的漏極區(qū)域與放大晶體管306的柵電極連接。與放大晶體管306的柵電極對(duì)應(yīng)的節(jié)點(diǎn)被定義為節(jié)點(diǎn)305。復(fù)位晶體管與節(jié)點(diǎn)305連接，并且，節(jié)點(diǎn)305的電勢(shì)被設(shè)為任何電勢(shì)(例如，復(fù)位電勢(shì))。這里，放大晶 體管306是源極跟隨器電路的一部分，并且，與節(jié)點(diǎn)305的電勢(shì)對(duì)應(yīng)的信號(hào)被輸出到信號(hào)線RL0 周邊電路部302包含用于向像素部301的晶體管的柵電極供給控制信號(hào)的垂直掃描電路VSR。周邊電路部302包含保持從像素部301輸出的信號(hào)并包含用于放大、加算、AD轉(zhuǎn)換等的信號(hào)處理電路的讀出電路RC。另外，周邊電路部302包含控制依次輸出來自讀出電路RC的信號(hào)的定時(shí)的控制電路的水平掃描電路HSR。這里，通過相互層疊兩個(gè)芯片形成根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置300。兩個(gè)芯片是包含像素部301的光電轉(zhuǎn)換元件303和傳送晶體管304的第一芯片308，和包含像素部301的放大晶體管306和復(fù)位晶體管307和周邊電路部302的第二芯片309。在這種結(jié)構(gòu)中，控制信號(hào)通過連接部310從第二芯片309的周邊電路部302被供給到第一芯片308的傳送晶體管304的柵電極。在第一芯片308的光電轉(zhuǎn)換元件303處產(chǎn)生的信號(hào)通過與傳送晶體管304的漏極區(qū)域連接的連接部311被讀出到節(jié)點(diǎn)305。通過以這種方式在另一芯片上設(shè)置復(fù)位晶體管307和放大晶體管306，能夠增加光電轉(zhuǎn)換元件303的面積，并增加靈敏度。如果光電轉(zhuǎn)換元件303的面積相同，那么可以提供許多的光電轉(zhuǎn)換元件303，由、此使得能夠增加像素的數(shù)量。下面將參照?qǐng)DI描述根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置。圖I是與圖12所示的固態(tài)圖像拾取裝置300對(duì)應(yīng)的固態(tài)圖像拾取裝置100的斷面圖。圖I是與圖12所示的光電轉(zhuǎn)換元件303、傳送晶體管304和放大晶體管306對(duì)應(yīng)的斷面圖。不描述其它的部分。圖I表示用于兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。圖I表不第一芯片101、第二芯片102以及第一芯片和第二芯片的接合表面103。第一芯片101與圖12所示的第一芯片308對(duì)應(yīng)，并且，第二芯片102與圖12所示的第二芯片309對(duì)應(yīng)。第一芯片101具有第一基板104。第一基板104的形成晶體管的表面是主面105,第一基板的與其相反的面是背面106。構(gòu)成圖12所示的光電轉(zhuǎn)換元件303和傳送晶體管304的部分被設(shè)置在第一基板104。例如具有主要成分是鋁的布線(鋁線)的包含第一布線層122和第二布線層123的多層布線結(jié)構(gòu)107被設(shè)置在第一芯片101的第一基板104的主面105側(cè)的上部上。這里，多層布線結(jié)構(gòu)107的多個(gè)層間絕緣膜被描述為一體絕緣膜。第二芯片102具有第二基板108。第二基板108的形成晶體管的表面是主面109，并且，該第二基板的與其相反的面是背面110。例如具有鋁線的包含第一布線層128和第ニ布線層129的多層布線結(jié)構(gòu)111被設(shè)置在第二基板108的主面109的上部上。即使在這里，多層布線結(jié)構(gòu)111的多個(gè)層間絕緣膜也被描述為一體絕緣膜。圖12所示的放大晶體管306被設(shè)置在第二基板108上。在描述中，在各芯片中，從基板的主面到背面的方向被定義為向下的方向或深的方向，并且，從背面到主面的方向被定義為向上的方向或淺的方向。這里，在根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置中，第一芯片101的基板主面105和第二芯片102的基板主面109被相互層疊以相互面對(duì)。在圖I中，在第一芯片101和第二芯片102的連接部的結(jié)構(gòu)中，僅表示第一芯片101的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域(FD區(qū)域)113與第二芯片102的放大晶體管126的柵電極之間的連接。具體而言，第一芯片101的FD區(qū)域113通過多層布線結(jié)構(gòu)107、連接部311和多層布線結(jié)構(gòu)111與放大晶體管的柵電極126連接。圖12所示的向傳送晶體管的柵電極114供給控制信號(hào)的連接部310在圖I沒有被示出。根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置是從第一基板104的背面106射光的背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置。將詳細(xì)描述各芯片。首先，阱115、構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換元件的N型電荷蓄積區(qū)域112和傳送晶體管的柵電極114被設(shè)置在第一芯片101的第一基板104。并且，構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換元件的P型表面保護(hù)層被設(shè)置在電荷蓄積區(qū)域112的上部上。并且，P型半導(dǎo)體區(qū)域116、元件隔離區(qū)域117和傳送晶體管的漏極區(qū)域113被設(shè)置在第一基板104。阱115是設(shè)置晶體管和光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體區(qū)域，并且，在這里可以是N型或P型。P型半導(dǎo)體區(qū)域116可抑制在第一基板104的背面106的硅與氧化硅膜之間的界面上產(chǎn)生的暗電流，并且甚至可用作光電轉(zhuǎn)換元件的一部分。電荷蓄積區(qū)域112蓄積在光電轉(zhuǎn)換元件處產(chǎn)生的電荷(電子)，并且在圖I中在傳送晶體管的柵電極側(cè)具有P型表面保護(hù)層。元件隔離區(qū)域117由P型半導(dǎo)體區(qū)域形成，并且，雖然沒有示出，但是可具有包含諸如LOCOS隔離層或STI隔離層的絕緣膜的元件隔離結(jié)構(gòu)。傳送晶體管的漏極區(qū)域113是FD區(qū)域，并且構(gòu)成圖12所示的節(jié)點(diǎn)305。第一芯片101的第一基板104的背面106側(cè)具有抗反射膜118、遮光膜119、包含平坦化層的濾色層120和微透鏡121。然后，阱124、圖12中的放大晶體管306的源極區(qū)域和漏極區(qū)域125和柵電極126和元件隔離區(qū)域127被設(shè)置在第二芯片102的第二基板108上。阱124是P型半導(dǎo)體區(qū)域。這里，設(shè)置在根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的第二芯片102處的晶體管(圖12所示的放大晶體管306)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域125包含高熔點(diǎn)金屬化合物層130。設(shè)置在第二芯 片102處的構(gòu)成圖12所示的周邊電路部302的區(qū)域也類似地具有包含高熔點(diǎn)金屬化合物層的晶體管(未示出)。當(dāng)在半導(dǎo)體基板中使用硅時(shí)，高熔點(diǎn)金屬化合物層是例如使用作為高熔點(diǎn)金屬的鈷或鈦的硅化物。不在例如第一基板104的晶體管形成高熔點(diǎn)金屬化合物層。多層布線結(jié)構(gòu)的絕緣膜被設(shè)置在第一基板104的主面105的上部。因此，不在第一基板104形成高熔點(diǎn)金屬化合物層，并且，設(shè)置在第二基板的周邊電路部的晶體管具有高熔點(diǎn)金屬化合物層，使得能夠在降低噪聲的同時(shí)增加晶體管的操作速度。另外，通過僅在第二芯片102設(shè)置包含這種高熔點(diǎn)金屬化合物層的晶體管，能夠減少高熔點(diǎn)金屬向光電轉(zhuǎn)換元件的混入，并減少由于高熔點(diǎn)金屬的混合產(chǎn)生的噪聲。由于不必在同一基板上形成將設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層的區(qū)域和不設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層的區(qū)域，因此，不必形成例如保護(hù)膜以防止高熔點(diǎn)金屬化合物層的形成，即，能夠使得各基板具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)并通過使用簡(jiǎn)單的步驟制造它。在實(shí)施例中，除了光電轉(zhuǎn)換元件以外，在第一基板104還形成FD區(qū)域。這是由于，如果高熔點(diǎn)金屬化合物層被設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換元件和構(gòu)成保持在光電轉(zhuǎn)換元件產(chǎn)生的信號(hào)電荷的FD區(qū)域的半導(dǎo)體區(qū)域，那么當(dāng)高熔點(diǎn)金屬混入半導(dǎo)體區(qū)域中時(shí)產(chǎn)生的噪聲混入信號(hào)電荷中。如果放大晶體管被設(shè)置在第一基板，那么不在放大晶體管形成高熔點(diǎn)金屬化合物層。雖然在實(shí)施例中各布線層由鋁線形成，但是，各布線層可由主要成分是銅的布線(銅線)形成。防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜也可被設(shè)置在銅線的上部，并且，防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜可經(jīng)受構(gòu)圖。第二實(shí)施例將參照?qǐng)D2描述根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置。根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置與根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的類似之處在于其電路與圖12所示的電路等同，并且，兩者的不同之處在于其芯片層疊結(jié)構(gòu)。以下將省略電路的描述。以下將描述圖2所示的結(jié)構(gòu)。
圖2是與圖12所示的電路對(duì)應(yīng)的固態(tài)圖像拾取裝置200的斷面圖。圖2是與圖12所示的光電轉(zhuǎn)換元件303、傳送晶體管304和放大晶體管306對(duì)應(yīng)的兩個(gè)像素的斷面圖，并且不示出其它的部分。圖2表示第一芯片201、第二芯片202以及第一芯片和第二芯片的接合表面203。第一芯片201與圖12所示的第一芯片308對(duì)應(yīng)，并且，第二芯片202與圖12所示的第二芯片309對(duì)應(yīng)。第一芯片201具有第一基板204。第一基板204的形成晶體管的表面是主面205,第一基板的與其相反的面是背面206。構(gòu)成圖12所示的光電轉(zhuǎn)換元件303和傳送晶體管304的部分被設(shè)置在第一基板204。例如具有鋁線的包含第一布線層222和第二布線層223的多層布線結(jié)構(gòu)207被設(shè)置在第一基板204的主面205的上部上。這里，多層布線結(jié)構(gòu)207的多個(gè)層間絕緣膜被描述為一體絕緣膜。第二芯片202具有第二基板208。第二基板208的形成晶體管的表面是主面209， 并且，第二基板的與其相反的面是背面210。例如具有鋁線的包含第一布線層228和第二布線層229的多層布線結(jié)構(gòu)211被設(shè)置在第二基板208的主面209的上部上。即使在這里，多層布線結(jié)構(gòu)211的多個(gè)層間絕緣膜也被描述為一體絕緣膜。圖12所示的放大晶體管306被設(shè)置在第二基板208。這里，在根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置中，第一基板204的主面205和第二基板208的背面210相互層疊以相互面對(duì)。在圖2中，在第一芯片201和第二芯片202的連接部的結(jié)構(gòu)中，僅示出第一芯片201的FD 213與第二芯片202的放大晶體管的柵電極226之間的連接。具體而言，第一芯片201的FD區(qū)域213通過多層布線結(jié)構(gòu)207、連接部311和多層布線結(jié)構(gòu)211與放大晶體管的柵電極226連接。這里，設(shè)置構(gòu)成連接部311的一部分并與第二基板208有關(guān)的貫通電極235。通過貫通電極，F(xiàn)D區(qū)域213和放大晶體管的柵電極226相互連接。在圖2中沒有表示向傳送晶體管的柵電極214供給控制信號(hào)的圖12所示的連接部310。根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置是從第一基板204的背面206入射光的背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置。下面將詳細(xì)描述各芯片。阱215、構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換元件的N型電荷蓄積區(qū)域212和傳送晶體管的柵電極214被設(shè)置在第一芯片201的第一基板204。并且，P型半導(dǎo)體區(qū)域216、元件隔離區(qū)域217和傳送晶體管的漏極區(qū)域213被設(shè)置在第一基板204。第一芯片201的第一基板204的背面206側(cè)具有抗反射膜218、遮光膜219、包含平坦化層的濾色層220和微透鏡121。然后，阱224、圖12中的放大晶體管306的源極區(qū)域和漏極區(qū)域225和柵電極226和元件隔離區(qū)域227被設(shè)置在第二芯片202的第二基板208上。另外，第一布線層228和第二布線層229被設(shè)置在第二基板208的上部，并且，絕緣層234被設(shè)置在第二基板208的最深部分處。第一芯片201和第二芯片202的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的那些類似，因此以下將不描述它們。在第二實(shí)施例中，進(jìn)ー步在第二芯片202的上部設(shè)置粘接層232和支撐基底233。將在后面描述第二實(shí)施例中的絕緣層、粘接層232和支撐基底233。這里，設(shè)置在根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的第二芯片202的晶體管(圖12所示的放大晶體管306)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域225和柵電極226具有高熔點(diǎn)金屬化合物層230。設(shè)置在第二芯片202的構(gòu)成圖12所示的周邊電路部302的區(qū)域也類似地具有包含高熔點(diǎn)金屬化合物層的晶體管(未示出)。當(dāng)在半導(dǎo)體基板中使用硅時(shí)，高熔點(diǎn)金屬化合物層是例如使用作為高熔點(diǎn)金屬的鈷或鈦的硅化物。例如設(shè)置在第二基板的周邊電路部的晶體管具有高熔點(diǎn)金屬化合物層，使得能夠增加晶體管的操作的速度。另外，通過僅在第二芯片202設(shè)置包含這種高熔點(diǎn)金屬化合物層的晶體管，能夠在抑制第一芯片201的光電轉(zhuǎn)換元件的特性降低的同時(shí)減少高熔點(diǎn)金屬向光電轉(zhuǎn)換元件的混入。由于不必在同一基板上形成將設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層的區(qū)域和不設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層的區(qū)域，因此，不必形成例如保護(hù)膜以防止高熔點(diǎn)金屬化合物層的形成，即，能夠使得各基板具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)并通過使用簡(jiǎn)單的步驟制造它。第三實(shí)施例 將參照?qǐng)D3描述根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置。根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置與根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置100對(duì)應(yīng)，并且與其的不同在于，它包含擴(kuò)散防止膜。以下將描述圖3所示的結(jié)構(gòu)。與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)特征將不被描述。在圖3所示的固態(tài)圖像拾取裝置400中，擴(kuò)散防止膜131被設(shè)置在第一芯片101和第二芯片102之間。通過設(shè)置這種擴(kuò)散防止膜131，能夠抑制設(shè)置在第二芯片的高熔點(diǎn)金屬化合物層的高熔點(diǎn)金屬擴(kuò)散到多層布線結(jié)構(gòu)111和107中以及高熔點(diǎn)金屬混入構(gòu)成FD區(qū)域的半導(dǎo)體區(qū)域和第一芯片的光電轉(zhuǎn)換元件中。因此，能夠進(jìn)一歩抑制導(dǎo)致(圖像的)白色缺陷的泄漏電流或當(dāng)高熔點(diǎn)金屬混入半導(dǎo)體區(qū)域中時(shí)產(chǎn)生的暗電流的生成。將參照?qǐng)D4和圖5描述圖3所示的固態(tài)圖像拾取裝置400的制造方法。首先，在圖4 Ca)中，設(shè)置變?yōu)閳D3所示的第一基板104的光電ニ極管形成部件(以下，稱為“H)形成部件”)401和變?yōu)閳D3所示的第二基板108的電路形成部件402。這些部件為例如硅半導(dǎo)體基板，并且可以為任何導(dǎo)電類型。H)形成部件401包含P型半導(dǎo)體區(qū)域116和絕緣層403。PD形成部件401使用SOI基板，并且，可通過外延生長(zhǎng)或離子注入形成P型半導(dǎo)體區(qū)域 116。然后，如圖4 (b)所示，在H)形成部件401形成諸如傳送晶體管的柵電極114和電荷蓄積區(qū)域112的元件。在H)形成部件401的上部上形成多層布線結(jié)構(gòu)107。多層布線結(jié)構(gòu)107具有第一布線層122和第二布線層123。第一布線層122和第二布線層123包含多個(gè)布線。實(shí)施例中的布線是鋁線。多層布線結(jié)構(gòu)107具有用于相互絕緣布線的層間絕緣膜。例如，層間絕緣膜被設(shè)置在第一布線層122與傳送晶體管的柵電極之間以及第一布線層122與第二布線層123之間。為了形成多層布線結(jié)構(gòu)107，可以使用一般的半導(dǎo)體エ藝。最后，形成覆蓋第二布線層的層間絕緣膜，并且，其多個(gè)部分被去除，使得第二布線層123的一些布線被露出。露出的第二布線層123構(gòu)成連接部311。H)形成部件401的形成傳送晶體管的柵電極的表面變?yōu)楹竺婷枋龅牡谝换宓闹髅?05。在圖4 (b)中，在電路形成部件402形成阱124和包含諸如放大晶體管306的晶體管的周邊電路部。然后，高熔點(diǎn)金屬被沉積在諸如晶體管的源極區(qū)域、漏極區(qū)域125和柵電極126的預(yù)定位置上，并且，執(zhí)行熱處理，由此形成高熔點(diǎn)金屬化合物層130。然后，在電路形成部件402的上部形成多層布線結(jié)構(gòu)111。多層布線結(jié)構(gòu)111具有第一布線層128和第二布線層129。多層布線結(jié)構(gòu)111的結(jié)構(gòu)和制造方法與H)形成部件401的多層布線結(jié)構(gòu)107的那些類似。然后，在形成第二布線層129之后，形成覆蓋第二布線層129的擴(kuò)散防止膜131。擴(kuò)散防止膜131由例如氮化硅或碳化硅形成。擴(kuò)散防止膜131用于抑制向H)形成部件401擴(kuò)散高熔點(diǎn)金屬。然后，擴(kuò)散防止膜131的多個(gè)部分被去除，使得構(gòu)成連接部311的第二布線層129的一些布線被露出。這里，可通過蝕刻或CMP技術(shù)去除擴(kuò)散防止膜。這里，電路形成部件402變?yōu)榈诙?08。如圖4 (b)所示的那樣確定第二基板108的主面109。然后，如圖5 (C)所示，H)形成部件401和電路形成部件402的主面(105、109)被設(shè)置為相互面對(duì)并且通過例如微凸塊被接合在一起。最后，如圖5 Cd)所示，通過例如CMP或蝕刻去除H)形成部件401的不希望的部分404和絕緣層403，使得H)形成部件401更薄，以形成第一基板104。然后，在第一基板104的背面106的上部形成由碳化硅形成的抗反射膜118。在形成抗反射膜118之后，在抗反射膜118的上部形成鎢膜以便構(gòu)圖，由此形成遮光膜119。然后，形成平坦化層和濾色器120，并且形成微透鏡121。這種制造方法使得能夠制造圖3所示的固態(tài)圖像拾取裝置400。這里，根據(jù)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，在形成多層布線結(jié)構(gòu)107的層間絕緣膜之后，能夠在高溫下或者長(zhǎng)時(shí)間地執(zhí)行熱處理，以便提高光電轉(zhuǎn)換元件的諸如從缺陷恢復(fù)的特性。如果第一基板具有高熔點(diǎn)金屬化合物層，那么在形成層間絕緣膜之前形成高熔點(diǎn)金屬化合物層。在形成層間絕緣膜之后，由于諸如高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的問題，變得難以在高溫下或者長(zhǎng)時(shí)間地執(zhí)行熱處理。因此，根據(jù)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，由于可以任選地執(zhí)行用于光電轉(zhuǎn)換元件的從缺陷恢復(fù)的熱處理，因此，能夠抑制光電轉(zhuǎn)換元件的特性的降低。在希望的形式中，為了增加設(shè)置在FD區(qū)域的觸點(diǎn)的連接電阻，希望在與插頭連接的半導(dǎo)體區(qū)域上執(zhí)行離子注入和熱處理。但是，如上所述，如果第一基板具有高熔點(diǎn)金屬化合物層，那么變得難以在在形成層間絕緣膜之后實(shí)施的觸點(diǎn)形成步驟中執(zhí)行熱處理。因此，根據(jù)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，能夠在周邊電路部設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層的同時(shí)在不設(shè)置高熔點(diǎn)金屬化合物層的FD區(qū)域形成觸點(diǎn)的步驟中執(zhí)行充分的熱處理。因此，能夠在減少FD區(qū)域的高熔點(diǎn)金屬的污染的同時(shí)適當(dāng)?shù)剡B接FD區(qū)域處的觸點(diǎn)。如上所述，根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置，能夠在增加周邊電路部處的晶體管的操作的速度并增加信號(hào)讀出操作的速度的同時(shí)進(jìn)一歩抑制光電轉(zhuǎn)換元件處的暗電流的產(chǎn)生。第四實(shí)施例將參照?qǐng)D6描述根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置。根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第二實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)，與其的不同在于，它包含擴(kuò)散防止膜。以下將描述圖6所示的結(jié)構(gòu)。與第二實(shí)施例等同的結(jié)構(gòu)特征將不被描述。在圖6所示的固態(tài)圖像拾取裝置500中，防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜231被設(shè)置在第一芯片210與第二芯片202之間。通過設(shè)置這種擴(kuò)散防止膜231，能夠進(jìn)一歩抑制設(shè)置在第二芯片的高熔點(diǎn)金屬化合物層的高熔點(diǎn)金屬向第一芯片的光電轉(zhuǎn)換元件和構(gòu)成FD區(qū)域的半導(dǎo)體區(qū)域的混入。因此，能夠抑制(圖像的)白色缺陷或暗電流的產(chǎn)生。擴(kuò)散防止膜231是由例如氮化硅或碳化硅形成的膜。下面，將參照?qǐng)D7 9描述圖6所示的固態(tài)圖像拾取裝置500的制造方法。首先， 在圖7(a)中，設(shè)置變?yōu)閳D6所示的第一基板204的光電ニ極管形成基板(以下，稱為“H)形成部件”)501和變?yōu)閳D6所示的第二基板208的電路形成部件502。PD形成部件501包含P型半導(dǎo)體區(qū)域216和絕緣層503。H)形成部件501使用SOI基板，并且，可通過外延生長(zhǎng)或離子注入形成P型半導(dǎo)體區(qū)域216。電路形成部件502使用SOI基板并包含絕緣層234。然后，在圖7 (b)所示的H)形成部件501中，形成諸如傳送晶體管的柵電極214、電荷蓄積區(qū)域212和阱215的元件。在H)形成部件501的上部上形成多層布線結(jié)構(gòu)207。多層布線結(jié)構(gòu)207包含第一布線層222和第二布線層223。多層布線結(jié)構(gòu)207的結(jié)構(gòu)和制造方法與第三實(shí)施例中的那些類似，因此將不描述它們。然后，形成覆蓋第二布線層223的層間絕緣膜，并且，層間絕緣膜的多個(gè)部分被去除，使得第二布線層223的布線被露出。第ニ布線層223構(gòu)成連接部311。然后，形成覆蓋第二布線層223并由例如氮化硅或碳化硅形成的擴(kuò)散防止膜231。覆蓋第二布線層233的層間絕緣膜可被設(shè)置在第二布線層223和擴(kuò)散防止膜231之間。在圖7 (b)所示的電路形成部件502中，形成包含放大晶體管的晶體管和阱224。然后，在諸如晶體管的源極區(qū)域、漏極區(qū)域和柵電極的預(yù)定位置上沉積高熔點(diǎn)金屬，并且，執(zhí)行熱處理，由此形成高熔點(diǎn)金屬化合物層230。然后，在電路形成部件502的上部上形成多層布線結(jié)構(gòu)211。多層布線結(jié)構(gòu)211具有第一布線層228。第一布線層228的結(jié)構(gòu)和制造方法與第三實(shí)施例的類似。然后，在圖8 (C)中，在電路形成部件502處的第一布線層228的上部形成粘接劑層506和支撐基底507。然后，通過燒蝕或蝕刻去除電路形成部件502的不希望的部分504，并且，形成第二基板208。在圖8 (d)中，變?yōu)閳D6所示的第一基板204的H)形成部件501的主面205和第ニ基板208的背面210被相互層疊以相互面對(duì)，并且，通過例如微凸塊被接合在一起。然后，第一粘接層506和第一支撐基底507被去除。然后，在第二基板208的第一布線層228的上部上形成層間絕緣膜，并且，形成用干與第一基板204的電連接的貫通電極235。可通過一般的半導(dǎo)體エ藝制造貫通電極235。然后，覆蓋貫通電極235，并且，形成第二布線層229。然后，如圖9所示，在第二基板208的第二布線層229的上部上設(shè)置粘接劑層232和支撐基底233。然后，例如通過CMP或蝕刻去除H)形成部件501的不希望的部505，并且，形成第一基板204。然后，在第一基板204的背面206的上部形成由例如氮化硅形成的抗反射膜218。然后，在抗反射膜218的上部形成由例如鎢形成的遮光膜219。并且，在遮光膜219的上部形成平坦化層和濾色器120，并且，形成微透鏡212。這種制造方法使得能夠制造圖6所示的固態(tài)圖像拾取裝置500。即使在根據(jù)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中，由于可以任選地執(zhí)行觸點(diǎn)或光電轉(zhuǎn)換元件的熱處理，因此，能夠抑制光電轉(zhuǎn)換元件的特性的降低和觸點(diǎn)的連接電阻的増加。如上所述，根據(jù)實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置，能夠在增加周邊電路部處的晶體管的操作速度并增加信號(hào)讀出操作的速度的同時(shí)進(jìn)一歩抑制光電轉(zhuǎn)換元件處的暗電流的產(chǎn)生。第五實(shí)施例將參照?qǐng)D10描述根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置。根據(jù)圖10所示的實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置600、610和620的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第三實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置400的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)，但是擴(kuò)散防止膜131的設(shè)置被修改。與第三實(shí)施例等同的結(jié)構(gòu)特征將不被描述。在圖10 (a)所示的固態(tài)圖像拾取裝置600中，擴(kuò)散防止膜131被設(shè)置在第一基板104和第二基板108之間，并用作包含于設(shè)置在第一基板104的上部的多層布線結(jié)構(gòu)107中、的層間絕緣膜。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠省略形成層間絕緣膜的步驟，并實(shí)現(xiàn)固態(tài)圖像拾取裝置的薄型化。另外，由于固態(tài)圖像拾取裝置600是背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置，因此，即使由例如氮化硅形成的擴(kuò)散防止膜131被設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換元件的整個(gè)頂面上，例如，也不出現(xiàn)源自擴(kuò)散防止膜131和作為一般的層間絕緣膜的氧化硅膜之間的折射率差的反射。因此，能夠在抑制光學(xué)特性降低的同時(shí)抑制來自第二基板108的高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散。擴(kuò)散防止膜131用作層間絕緣膜的結(jié)構(gòu)不限于圖10 (a)所示的結(jié)構(gòu)。例如，可以使用被設(shè)置在第二基板108的上部的多層布線結(jié)構(gòu)111中的層間絕緣膜。然后，在圖10 (b)所示的固態(tài)圖像拾取裝置610中，在第一基板104和第二基板108之間設(shè)置擴(kuò)散防止膜131。另外，擴(kuò)散防止膜131形成為接觸第二基板108的源極區(qū)域和漏極區(qū)域125和柵電極126上的高熔點(diǎn)金屬化合物層130。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠使用擴(kuò)散防止膜131作為形成第二基板108的接觸孔時(shí)的蝕刻阻止層。然后，在圖10 (C)所示固態(tài)圖像拾取裝置620中，擴(kuò)散防止膜131被設(shè)置在第一 基板104和第二基板108之間，并且接觸第二基板108的第一布線層228的上部。第一布線層228由銅線形成。擴(kuò)散防止膜131還用作防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠省略形成防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜的步驟，并實(shí)現(xiàn)固態(tài)圖像拾取裝置的薄型化。擴(kuò)散防止膜131用作防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜的結(jié)構(gòu)不限于圖10 (c)所示的結(jié)構(gòu)。例如，設(shè)置在第一基板104的上部上的多層布線結(jié)構(gòu)107可由銅線形成，并且，可對(duì)于各布線層形成擴(kuò)散防止膜131。第六實(shí)施例將參照?qǐng)D11描述根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置。根據(jù)圖11所示的實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置700、710和720的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第四實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置500的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)，但是擴(kuò)散防止膜231的設(shè)置被修改。以下將不描述與第四實(shí)施例等同的結(jié)構(gòu)特征。在圖11 (a)所示的固態(tài)圖像拾取裝置700中，擴(kuò)散防止膜231被設(shè)置在第一基板204和第二基板208之間，并用作包含于設(shè)置在第一基板104的上部的多層布線結(jié)構(gòu)207中的層間絕緣膜。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠省略形成層間絕緣膜的步驟，并實(shí)現(xiàn)固態(tài)圖像拾取裝置的薄型化。另外，固態(tài)圖像拾取裝置700是背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置。因此，即使由例如氮化硅形成的擴(kuò)散防止膜231被設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換元件的整個(gè)頂面上，也不必考慮源自擴(kuò)散防止膜231與作為一般的層間絕緣膜的氧化硅膜之間的折射率差的入射光的反射。因此，能夠抑制來自第二基板208的高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散。在圖11 (b)所示的固態(tài)圖像拾取裝置710中，擴(kuò)散防止膜231被設(shè)置在第一基板204和第二基板208之間，并且接觸第一基板208的第一布線層222的上部。第一布線層222由銅線形成。擴(kuò)散防止膜231還用作防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠省略形成防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜的步驟，并實(shí)現(xiàn)固態(tài)圖像拾取裝置的薄型化。擴(kuò)散防止膜231用作防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜的結(jié)構(gòu)不限于圖11 (b)所示的結(jié)構(gòu)。例如，如圖11 (c)所示，在被設(shè)置在第一基板204的上部的多層布線結(jié)構(gòu)207的多個(gè)部分中，第ニ布線層223可由銅線形成，并且，擴(kuò)散防止膜231可被設(shè)置在第二布線層223的上部。這里，擴(kuò)散防止膜231可被設(shè)置在第一布線層222的上部。為了減少布線層之間的電容，能夠根據(jù)第一布線層222的上部處的布線的形式執(zhí)行防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜的構(gòu)圖，并去除其一部分。如圖11 (c)所示，被設(shè)置在第二基板208的上部上的多層布線結(jié)構(gòu)211可由銅線形成，并且可包含銅擴(kuò)散防止膜901。第七實(shí)施例在實(shí)施例中，詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置作為圖像拾取裝置被應(yīng)用于圖像拾取系統(tǒng)的情況。圖像拾取系統(tǒng)可以例如為數(shù)字靜物照相機(jī)或數(shù)字?jǐn)z像機(jī)。在圖13中示出向作為圖像拾取系統(tǒng)的例子的數(shù)字靜物照相機(jī)應(yīng)用光電轉(zhuǎn)換裝置的情況的框圖。在圖13中，附圖標(biāo)記I表示用于保護(hù)透鏡的擋板，附圖標(biāo)記2表示在該處在圖像拾取裝置4上形成被照體的光學(xué)圖像的透鏡，附圖標(biāo)記3表示用于改變透過透鏡2的光的量的孔徑光闌。附圖標(biāo)記4表示作為在上述的實(shí)施例中的任一個(gè)中描述的固態(tài)圖像拾取裝置的圖像拾取裝置。圖像拾取裝置4將通過透鏡2形成的光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成圖像數(shù)據(jù)。這里，AD轉(zhuǎn)換器被設(shè)置在圖像拾取裝置4處。具體而言，在第二芯片處形成AD轉(zhuǎn)換器。附圖標(biāo)記7表示對(duì)于從圖像拾取裝置4輸出的圖像拾取數(shù)據(jù)執(zhí)行各種校正和數(shù)據(jù)壓縮的信號(hào)處理部。另外，在圖13中，附圖標(biāo)記8表示向圖像拾取裝置4和信號(hào)處理部7輸出各種定時(shí)信號(hào)的定時(shí)產(chǎn)生部，附圖標(biāo)記9表示執(zhí)行各種運(yùn)算并控制整個(gè)數(shù)字靜物照相機(jī)的總體控制/運(yùn) 算部。附圖標(biāo)記10表示暫時(shí)存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器部，附圖標(biāo)記11表示用于在記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄操作或讀出操作的接ロ部，附圖標(biāo)記12表示諸如用于記錄或讀出圖像拾取數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的可去除的記錄介質(zhì)。另外，附圖標(biāo)記13表示用干與例如外部計(jì)算機(jī)執(zhí)行通信的接ロ部。這里，例如，定時(shí)信號(hào)可從圖像拾取系統(tǒng)外面被輸入，并且，圖像拾取系統(tǒng)可至少包括圖像拾取裝置4和處理從圖像拾取裝置輸出的圖像拾取信號(hào)的信號(hào)處理部7。雖然在實(shí)施例中使用在圖像拾取裝置4設(shè)置AD轉(zhuǎn)換器的情況，但是，可以在不同的芯片處設(shè)置圖像拾取裝置和AD轉(zhuǎn)換器。另外，信號(hào)處理部7等可被設(shè)置在圖像拾取裝置4。由于在圖像拾取裝置4的第二芯片處形成高熔點(diǎn)金屬化合物層，因此，可以高速執(zhí)行信號(hào)處理等。因此，根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置適用于圖像拾取系統(tǒng)。通過將根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置應(yīng)用于圖像拾取裝置，可以執(zhí)行高速拍攝。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取裝置使得能夠提供可執(zhí)行高速操作的固態(tài)圖像拾取裝置。并且，擴(kuò)散防止膜使得能夠減少暗電流，并抑制圖像中的白色缺陷的產(chǎn)生。實(shí)施例不限于描述的結(jié)構(gòu)，并且，實(shí)施例可根據(jù)需要被組合。例如，固態(tài)圖像拾取裝置可包括防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的多個(gè)擴(kuò)散防止膜。除了晶體管的源極區(qū)域、漏極區(qū)域和柵電極以外，還可在向諸如阱觸點(diǎn)的半導(dǎo)體區(qū)域施加電勢(shì)的部分形成高熔點(diǎn)金屬化合物層。エ業(yè)適用性本發(fā)明適用于在諸如數(shù)字靜物照相機(jī)或數(shù)字?jǐn)z像機(jī)的圖像拾取系統(tǒng)中使用的固態(tài)圖像拾取裝置。101 第一芯片102 第二芯片103接合表面104 第一基板107多層布線結(jié)構(gòu)108 第二基板111多層布線結(jié)構(gòu)
112光電轉(zhuǎn)換元件124阱125源扱/漏極區(qū)域 126放大晶體管的柵電極130高熔點(diǎn)金屬化合物層
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)圖像拾取裝置，其中，設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換元件和用于傳送來自光電轉(zhuǎn)換元件的電荷的傳送晶體管的柵電極的第一基板和設(shè)置有用于讀出基于在光電轉(zhuǎn)換元件處產(chǎn)生的電荷的信號(hào)的周邊電路部的第二基板相互層疊，其中， 第二基板具有高熔點(diǎn)金屬化合物層，并且， 第一基板不具有高熔點(diǎn)金屬化合物層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一基板的上部具有包含鋁線或銅線的布線層，并且， 第二基板的上部具有包含鋁線或銅線的布線層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或權(quán)利要求2的固態(tài)圖像拾取裝置，包括被設(shè)置在第一基板和第二基板之間的擴(kuò)散防止膜，該擴(kuò)散防止膜防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或權(quán)利要求2的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一基板的設(shè)置有傳送晶體管的柵電極的主面和第二基板的設(shè)置有周邊電路部的晶體管的主面相互層疊以相互面對(duì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的固態(tài)圖像拾取裝置，包括被設(shè)置在第一基板和第二基板之間的擴(kuò)散防止膜，該擴(kuò)散防止膜防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的固態(tài)圖像拾取裝置，包括被設(shè)置在第一基板之上的布線層和層間絕緣膜， 其中，防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜是被設(shè)置在第一基板的所述層間絕緣膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的固態(tài)圖像拾取裝置，包括被設(shè)置在第二基板之上的布線層和層間絕緣膜， 其中，防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜是被設(shè)置在第二基板的所述層間絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜被設(shè)置為接觸包含設(shè)置在第二基板的高熔點(diǎn)金屬化合物層的晶體管的高熔點(diǎn)金屬化合物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求5的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，至少第一基板的上部或第二基板的上部具有包含銅線的布線層， 包含銅線的布線層的上部具有防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜，并且， 防止銅的擴(kuò)散的所述擴(kuò)散防止膜用作防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求I或權(quán)利要求2的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一基板的設(shè)置有傳送晶體管的柵電極的主面和第二基板的在該處在周邊電路部中形成晶體管的主面的相反面相互層疊以相互面對(duì)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的固態(tài)圖像拾取裝置，包括被設(shè)置在第一基板和第二基板之間的擴(kuò)散防止膜，擴(kuò)散防止膜防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的固態(tài)圖像拾取裝置，包括設(shè)置在第一基板之上的布線層和被設(shè)置為接觸所述布線層的層間絕緣膜， 防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜是被設(shè)置在第一基板的所述層間絕緣膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜被設(shè)置為接觸第二基板的背面。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的固態(tài)圖像拾取裝置，包括至少設(shè)置在第一基板之上的包含銅線的布線層，和 設(shè)置在包含銅線的布線層上的防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜， 其中，防止銅的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜用作防止高熔點(diǎn)金屬的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求I 14中的任一項(xiàng)的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一基板具有通過傳送晶體管的柵電極從光電轉(zhuǎn)換元件傳送電荷的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域，并且， 第二基板具有包含被輸入基于浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的電勢(shì)的信號(hào)的柵電極的放大晶體管和用于將放大晶體管的柵電極設(shè)為復(fù)位電勢(shì)的復(fù)位晶體管，并且，第二基板的上部具有輸出基于放大晶體管的柵電極的信號(hào)的信號(hào)線。
16.根據(jù)權(quán)利要求I 14中的任一項(xiàng)的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第一基板具有通過傳送晶體管的柵電極從光電轉(zhuǎn)換元件傳送電荷的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域、包含被輸入基于浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的電勢(shì)的信號(hào)的柵電極的放大晶體管、和用于將放大晶體管的柵電極設(shè)為復(fù)位電勢(shì)的復(fù)位晶體管，并且， 第二基板的上部具有輸出基于放大晶體管的柵電極的信號(hào)的信號(hào)線。
17.—種圖像拾取系統(tǒng),包括 根據(jù)權(quán)利要求I 16中的任一項(xiàng)的固態(tài)圖像拾取裝置；和 處理從固態(tài)圖像拾取裝置輸出的信號(hào)的信號(hào)處理部。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像拾取裝置通過層疊具有光電轉(zhuǎn)換元件和傳送晶體管的柵電極的第一基板與具有周邊電路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔點(diǎn)金屬化合物層，而第二基板具有高熔點(diǎn)金屬化合物層。此簡(jiǎn)單的配置使得周邊電路部中的晶體管能夠以高的速度操作，同時(shí)抑制光電轉(zhuǎn)換元件的特性的劣化，由此使得能夠進(jìn)行高速的信號(hào)讀出操作。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102668081SQ20098016305
公開日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2009年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月26日
發(fā)明者山崎和男, 市川武史, 板野哲也, 渡邊杏平, 遠(yuǎn)藤信之 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社