專利名稱：處理晶片的方法及使用該方法的半導(dǎo)體制造設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉 及靜電式晶片座(electrostaticchucks)與 夾持方法(chucking method)。
背景技術(shù)：
為了減少半導(dǎo)體生產(chǎn)的單位成本與增加產(chǎn)能，半導(dǎo)體制造商已增加半導(dǎo)體晶片的 尺寸，目前一般使用的是(直徑)300mm晶片，并且制造商計劃提升至450mm晶片的系統(tǒng)。晶 片尺寸的提升會在機械上產(chǎn)生全新的問題，或是使得以前并未認真考慮的問題更顯嚴重。這些問題其中之一就是晶片翹曲(wafer warpage)。一般而言，大尺寸晶片的厚度 變化是能夠被察知的。舉例而言，自旋涂布層(spin-on layer)中央的厚度比周圍的的厚度 稍微厚一點。若比較厚的自旋涂布層被沉積在晶片上，則晶片厚度的絕對變化(以Pm為單 位)就會大一點。發(fā)明人曾經(jīng)觀察到在具有極大厚度變化的大尺寸晶片(300mm或450mm) 是類似于凹面狀。與沉積層的厚度變化相比較，晶片翹曲會在晶片上表面造成更大的高度 變化。晶片翹曲會造成令人無法接受的后果。舉例而言，當(dāng)在晶片外緣執(zhí)行圖案化工藝時， 若晶片的外緣部分翹起，則光刻工藝使用的曝光光源可能會失焦。對使用45nm(或更小線 寬)技術(shù)的工藝而言，曝光光源的失焦是主要的缺點。對于45nm工藝而言，目前已能估計 出晶片平坦度的些許變化將浪費光刻光源景深的50%。再者，翹曲晶片的殘余應(yīng)力將造成 破片。因此，亟需一種方法以避免晶片翹曲的非理想效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，在某些實施例中，本發(fā)明提供一種處理晶片 的方法，包括測量表示晶片的翹曲量的數(shù)據(jù)；根據(jù)翹曲量，決定至少兩個不同的控制電 壓，并通過用以夾持上述晶片的靜電式晶片座將控制電壓施加至晶片的相應(yīng)位置；以及當(dāng) 在晶片上執(zhí)行工藝時，施加至少兩個不同的控制電壓，用以夾持晶片的相應(yīng)位置。在某些實施例中，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括測量反應(yīng)室、緩沖反應(yīng) 室、工藝反應(yīng)室以及處理器。測量反應(yīng)室用以測量半導(dǎo)體基板的翹曲量；緩沖反應(yīng)室密封地 耦接于測量反應(yīng)室；工藝反應(yīng)室密封地耦接于緩沖反應(yīng)室，工藝反應(yīng)室用以在半導(dǎo)體基板 上執(zhí)行材料沉積或移除步驟，工藝反應(yīng)室具有靜電式晶片座，靜電式晶片座具有至少兩區(qū) 域并用以施加夾持力予半導(dǎo)體基板，每一區(qū)域具有獨立的控制電壓；以及處理器用以由測 量反應(yīng)室接收代表翹曲量的數(shù)據(jù)并且根據(jù)翹曲量決定每一區(qū)域的控制電壓，靜電式晶片座 通過控制電壓以施加夾持力。在某些實施例中，本發(fā)明提供一種計算機可讀取存儲介質(zhì)，計算機可讀取存儲介 質(zhì)是以計算機程序碼而被編碼，當(dāng)處理器執(zhí)行計算機程序碼時，處理器執(zhí)行一處理晶片的 方法，處理晶片的方法包括控制測量裝置，用以測量表示晶片的翹曲量的數(shù)據(jù)；根據(jù)翹曲 量，決定至少兩個不同的控制電壓，并通過靜電式晶片座將控制電壓施加至晶片的相應(yīng)位置；以及當(dāng)在晶片上執(zhí)行工藝時，控制靜電式晶片座，施加至少兩個不同的控制電壓，用以 夾持晶片的相應(yīng)位置。本發(fā)明可以減少基板應(yīng)力、減少破片或平坦化基板，因此基板的所有區(qū)域均能合 適地被聚焦，避免了晶片翹曲的非理想效應(yīng)。


圖1為提供即時翹曲測量的半導(dǎo)體制造設(shè)備與具有多區(qū)域的靜電式晶片座的工 藝反應(yīng)室的示意圖；圖2為適用于圖1的工藝反應(yīng)室之一的晶片座示意圖；圖3為當(dāng)施加控制電壓以夾持翹曲晶片時的側(cè)面圖；圖4為在圖1所示的半導(dǎo)體制造設(shè)備中處理晶片的方法流程圖，上述半導(dǎo)體制造 設(shè)備在靜電式晶片座使用即時翹曲測量與夾持電壓；圖5為收集控制電壓的方法流程圖，并提供測試數(shù)據(jù)表以供圖1的半導(dǎo)體制造設(shè) 備之用；圖6為圖1的測量反應(yīng)室的示意圖。主要元件符號說明如下100半導(dǎo)體制造設(shè)備；120測量反應(yīng)室；130、131緩沖反應(yīng)室；140-145工藝反應(yīng)室；150 處理器；152機器可讀取存儲介質(zhì)；122掃描激光；124 平臺；135機械裝置；200靜電式晶片座；211-213 電壓源；201外緣區(qū)域；203中心區(qū)域；300 晶片。
具體實施例方式具體實施例是結(jié)合附圖進行說明，其中附圖是具體實施例的一部分。在以下 說明中，相對性的方位用語，例如“在下方的(1 ower) ”、“在上方的(upper) ”、“水平的 (horizontal) ”、“垂直的(vertical) ”、“位于上方的(above) ”、“位于下方的(below)”、“向 上(up)”、“向下(down)”、“上方(top)”、“下方(bottom)”以及其衍生用字(例如“水平地 (horizontally)”、“向下地(downwardly) ”、“向上地(upwardly) ”等)是用以標示附圖的 裝置的相對方位。上述相對性的方位用語僅用于說明，并非用以限制裝置的特定方位。連 接性的用語，例如“耦接(coupled)”、“連接(connected)” 與“互連(interconnected)”，用以表示連接關(guān)系，其中結(jié)構(gòu)通過居間結(jié)構(gòu)直接或間接地連接至另一結(jié)構(gòu)或與另一結(jié)構(gòu)隔 絕，若非特別說明，連接關(guān)系也包括可移除或不可移除的連接關(guān)系。圖1所示為半導(dǎo)體制造設(shè)備100。半導(dǎo)體制造設(shè)備100是一種整合性的設(shè)備并具 有多個分立的工藝反應(yīng)室140-145，分立的工藝反應(yīng)室140-145通過緩沖反應(yīng)室130和131 互相連接。測量反應(yīng)室120用以在負責(zé)進行半導(dǎo)體工藝的半導(dǎo)體制造設(shè)備100中即時地測 量半導(dǎo)體基板的翹曲程度(量)。緩沖反應(yīng)室130密封式地耦接于測量反應(yīng)室120與工藝反應(yīng)室140和141之間。 緩沖反應(yīng)室131密封式地耦接于緩沖反應(yīng)室130與工藝反應(yīng)室142和145之間。工藝反應(yīng) 室142-145密封式地耦接于緩沖反應(yīng)室131。測量反應(yīng)室具有掃描激光，掃描激光能夠測量 其本身與晶片上表面的距離，用以檢測晶片上表面的高度輪廓。用以執(zhí)行上述目的的測量 設(shè)備購自 KLA Tensor (加州圣荷西)。此外，KLA Tensor 的 SPECTRA FX100 與 WAFERSIGHT2 模塊也是適用的測量裝置。
工藝反應(yīng)室140-145用以執(zhí)行半導(dǎo)體基板上各層材料的沉積、轉(zhuǎn)換或移除步驟。 舉例而言，工藝反應(yīng)室140-145用以沉積一介電質(zhì)層或金屬層，或是執(zhí)行離子注入工藝或 蝕刻工藝。每一個工藝反應(yīng)室140-145均具有圖2的靜電式晶片座200。靜電式晶片座200 具有至少兩個區(qū)域(zoom)，兩個區(qū)域均具有獨立的控制電壓用以施加夾持力予基板。處理器150耦接于測量反應(yīng)室120與每一工藝反應(yīng)室140-145之間，并從測量反 應(yīng)室120接收代表翹曲程度(量)的數(shù)據(jù)。然后，根據(jù)每一晶片的翹曲程度，處理器150用 以決定每一工藝反應(yīng)室140-145的每一靜電式晶片座200兩個區(qū)域的每一個的獨立的控制 電壓。靜電式晶片座200使用獨立的控制電壓以施加夾持力。當(dāng)執(zhí)行基板的圖案化工藝時，通過施加不同的獨立的控制電壓予晶片的不同區(qū) 域，處理器150能夠選擇最佳的獨立的控制電壓，用以減少基板應(yīng)力、減少破片或平坦化基 板，因此基板的所有區(qū)域均能合適地被聚焦。舉例而言，當(dāng)執(zhí)行工藝時，若翹曲超過臨界值 時，則獨立的控制電壓被選擇以減少破片。若翹曲不嚴重，因為不需考慮破片的問題，則獨 立的控制電壓被選擇而將晶片最佳地平坦化。圖2和圖3顯示靜電式晶片座200的一實施例。靜電式晶片座200具有中心區(qū)域 203與外緣區(qū)域201。在某些情況中，獨立的控制電壓Vl和V3分別被施加于外緣區(qū)域201 和中心區(qū)域203，其中Vl大于V3。舉例而言，若圖3的晶片300的殘余應(yīng)力使得外緣區(qū)域向 上翹曲，則較高的控制電壓Vl在外緣區(qū)域303提供比中心區(qū)域301的吸引力(attractive force) 313更大的吸引力311，用以平坦化晶片300并改善外緣區(qū)域303的聚焦。施加于中 心區(qū)域301的控制電壓V3則可以降低以便減少應(yīng)力。在其他情況中，外緣區(qū)域303的控制 電壓Vl小于中心區(qū)域301的控制電壓V3。在某些實施例中，靜電式晶片座200具有介于中心區(qū)域203與外緣區(qū)域201的居 中區(qū)域202，獨立的控制電壓V2被施加于居中區(qū)域202，并且獨立的控制電壓Vl和V3分別 被施加于外緣區(qū)域201和中心區(qū)域203，其中V3 < V2 < VI。因此，施加居中的吸引力312 予晶片，其中居中的吸引力312大于中心區(qū)域203的吸引力313且小于外緣區(qū)域201的吸 引力311。在其他實施例中，靜電式晶片座200可具有四個或五個區(qū)域，分別具有獨立的控 制電壓(與相應(yīng)的夾持吸引力)。處理器150連接至機器可讀取存儲介質(zhì)152。機器可讀取存儲介質(zhì)152包括一測試數(shù)據(jù)表，而此測試數(shù)據(jù)表由來自多個測試晶片的測試數(shù)據(jù)所構(gòu)成。測試數(shù)據(jù)(表)用以 使具有多個翹曲量的測試晶片的破片和測試晶片的多個區(qū)域的每一個的各自的控制電壓 產(chǎn)生關(guān)連。處理器150根據(jù)測試數(shù)據(jù)與翹曲量決定控制電壓V1-V3的至少兩個。在一較佳實施例中，測量反應(yīng)室120如圖6所示地包括掃描激光122，掃描激光 122用以測量晶片300的上表面多個位置的高度。換句話說，掃描激光122具有固定的光 束，并且平臺124能夠乘載晶片300作二維的往復(fù)運動。圖4是處理晶片300的方法流程。處理的流程由處理器150所控制。在步驟400，晶片被提供至半導(dǎo)體制造設(shè)備100前端的測量反應(yīng)室120。在步驟402測量代表晶片翹曲量的數(shù)據(jù)。在某些實施例中，上述測量包括測量晶 片上表面的多個位置的高度。舉例而言，上述測量包括以激光掃描晶片的上表面的高度。在 某些實施例中，測量反應(yīng)室120的掃描激光122往復(fù)地掃描晶片300的上表面。在其他實 施例中，激光光束是固定的，并且平臺124承載著晶片300在X和Y軸往復(fù)地運動，用以使 固定的激光光束能夠掃描晶片的表面。在某些實施例中，假設(shè)因為翹曲而造成的上表面位 移僅為半徑的函數(shù)，且是軸對稱的。然后，在一個(往或復(fù)的)經(jīng)過過程中，通過測量晶片 的直徑即可決定出晶片的翹曲，上述方式比將整個晶片上表面往復(fù)地掃描多次來的快。這 使得測量反應(yīng)室不再是工藝的瓶頸。在步驟404，通過在緩沖反應(yīng)室130/131中的機械裝置(robotic device) 135/136，晶片300由測量反應(yīng)室120被傳送至工藝反應(yīng)室140-145之一。晶片300 被傳送至靜電式晶片座200。在步驟406，根據(jù)翹曲量，處理器150決定施加至靜電式晶片座200所夾持的晶 片300各個區(qū)域的至少兩個控制電壓。在一實施例中，處理器150分別提供三種控制電壓 V1-V3至電壓源211-213。各個電壓源211-213分別提供控制電壓V1-V3至中心區(qū)域301、 居中區(qū)域302以及外緣區(qū)域303。當(dāng)在晶片300上執(zhí)行工藝時，靜電式晶片座200施加至少 兩種不同的控制電壓，用以夾持晶片300的相應(yīng)的區(qū)域。在步驟408，執(zhí)行晶片的工藝步驟。舉例而言，晶片的工藝步驟包括沉積步驟、材料 的轉(zhuǎn)換步驟或移除步驟、或圖案化步驟。工藝步驟被執(zhí)行于有源元件層或互連層上。在步驟410，工藝步驟結(jié)束，并且通過半導(dǎo)體工藝設(shè)備100的前端界面將晶片送回 晶片輸送裝置，例如前開式晶片輸送盒。通過圖4的方法流程，在執(zhí)行沉積步驟、材料的轉(zhuǎn)換步驟或移除步驟之前，為了測 量晶片的翹曲，每一晶片將會被安置在測量反應(yīng)室內(nèi)。接著，為處理中的每一晶片分別設(shè)定 靜電式晶片座的控制電壓。圖5為一個實施例的流程圖，用以為靜電式晶片座200決定夾持所需的控制電壓。在步驟500，通過改變測試晶片的薄膜厚度與靜電式晶片座的每一區(qū)域的控制電 壓來處理測試晶片的樣品。在步驟510，測量每一測試晶片的翹曲，并且破片被驗證(identified)并且量化 (quantified)。破片根據(jù)晶片上表面的高度變化或曲率而被驗證。在步驟520，根據(jù)測試晶片，將破片與晶片翹曲和控制電壓進行關(guān)聯(lián)。在步驟530，由測試晶片中選擇出品質(zhì)最佳的晶片。舉例而言，在某些實施例中，對 每一翹曲量選擇降低破片的控制電壓。當(dāng)晶片被靜電靜式晶片座夾持時，若兩個不同的控制電壓降低破片的效果相同或是小于臨界值，則選擇最能夠降低翹曲的控制電壓，用以突
破僵局。在其他實施例中，當(dāng)晶片被靜電式晶片座夾持時，對每一翹曲量選擇最能降低翹 曲的控制電壓。當(dāng)晶片被靜電靜式晶片座夾持時，若兩個不同的控制電壓降低翹曲的效果 相同或是小于臨界值，則選擇最能夠降低破片的控制電壓，用以突破僵局。在步驟540，產(chǎn)生測試數(shù)據(jù)表。測試數(shù)據(jù)表的每一項目根據(jù)測試晶片之一而選擇， 并且具有代表翹曲的數(shù)值(例如高度變化或曲率)，并且每一項目具有多個控制電壓。在步驟550，將測試數(shù)據(jù)表存儲于機器可讀取存儲介質(zhì)中，以便在決定各個晶片的 控制電壓時使用。在步驟560，對于即將在導(dǎo)體工藝設(shè)備100被制造的晶片，根據(jù)翹曲量的驗證，取 得測試數(shù)據(jù)表中最接近的項目，用以決定每一區(qū)域的控制電壓。在某些實施例中，提供介于 欲制造的晶片的翹曲量間的兩個最接近的項目，并且執(zhí)行內(nèi)插法用以提供每一區(qū)域的控制 電壓。雖然圖5顯示使用對照表的工藝，然而在其他實施例中，在耦接至靜電式晶片座 的計算機中，所選擇的測試數(shù)據(jù)(代表每一翹曲量的最佳控制電壓)是利用回歸分析而取 得，并提供最佳(最小)的方均根擬合方程式，用以計算至少兩種不同的控制電壓。對于靜 電式晶片座的每一(電壓)區(qū)域，相應(yīng)的回歸方程式提供作為翹曲的連續(xù)函數(shù)的電壓。雖然本發(fā)明以較佳實施例揭示如上，然而并非用以限制本發(fā)明。并且，本領(lǐng)域技術(shù) 人員應(yīng)能了解本發(fā)明權(quán)利要求應(yīng)被寬廣地認定以涵括本發(fā)明的實施例及其變形。
權(quán)利要求
一種處理晶片的方法，包括測量表示晶片翹曲量的數(shù)據(jù)；根據(jù)已測量的翹曲量，決定至少兩個不同的控制電壓，并通過一靜電式晶片座將上述控制電壓施加至晶片的相應(yīng)位置；以及當(dāng)在晶片上執(zhí)行工藝時，施加上述至少兩個不同的控制電壓，用以夾持晶片的相應(yīng)位置，其中上述測量表示晶片翹曲的數(shù)據(jù)的步驟包括以激光測量晶片上表面多個位置的高度，并且在制造期間即時地被執(zhí)行于半導(dǎo)體制造設(shè)備中。
2.如權(quán)利要求1所述的處理晶片的方法，其中施加上述至少兩個不同的控制電壓的步 驟包括在耦接至上述靜電式晶片座的計算機中計算上述控制電壓，并將相應(yīng)的不同的上述 控制電壓施加至上述靜電式晶片座的多個區(qū)域的每一個。
3.如權(quán)利要求2所述的處理晶片的方法，其中上述靜電式晶片座具有一中心區(qū)域與一 外緣區(qū)域，并且施加至上述外緣區(qū)域的上述控制電壓高于施加至上述中心區(qū)域的上述控制 電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的處理晶片的方法，其中上述靜電式晶片座具有一居中區(qū)域，并 且施加至上述居中區(qū)域的上述控制電壓介于施加至上述外緣區(qū)域的上述控制電壓與施加 至上述中心區(qū)域的上述控制電壓之間。
5.如權(quán)利要求2所述的處理晶片的方法，還包括收集多個測試晶片的測試數(shù)據(jù)，相關(guān)于上述測試晶片的破片的上述測試數(shù)據(jù)具有多個 夾持電壓，并且具有上述測試晶片的多個區(qū)域的每一個的翹曲量；以及存儲上述測試數(shù)據(jù)于一測試數(shù)據(jù)表中，其中決定至少兩個不同的控制電壓的步驟是根 據(jù)上述測試數(shù)據(jù)所決定。
6.如權(quán)利要求5所述的處理晶片的方法，其中決定至少兩個不同的控制電壓的步驟 包括由相應(yīng)于翹曲量的上述測試數(shù)據(jù)表選擇一組夾持電壓，其中翹曲量接近于晶片的翹曲 量。
7.如權(quán)利要求5所述的處理晶片的方法，其中決定至少兩個不同的控制電壓的步驟包括由相應(yīng)于翹曲量的上述測試數(shù)據(jù)表選擇兩組夾持電壓，其中翹曲量接近于晶片的翹曲 量；以及在上述兩組夾持電壓之間執(zhí)行內(nèi)插法，用以決定兩個不同的上述控制電壓。
8.一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括一測量反應(yīng)室，用以測量一半導(dǎo)體基板的翹曲量，其中上述測量反應(yīng)室包括一激光，用 以測量晶片上表面的多個位置的高度；一緩沖反應(yīng)室，密封耦接于上述測量反應(yīng)室；一工藝反應(yīng)室，密封耦接于上述緩沖反應(yīng)室，上述工藝反應(yīng)室用以在上述半導(dǎo)體基板 上執(zhí)行材料的沉積生長或移除步驟，上述工藝反應(yīng)室具有一靜電式晶片座，上述靜電式晶 片座具有至少兩區(qū)域并用以施加夾持力予上述半導(dǎo)體基板，每一上述區(qū)域具有獨立的控制 電壓；以及一處理器，耦接于上述測量反應(yīng)室與每一上述工藝反應(yīng)室之間，用以由上述測量反應(yīng)2室接收代表翹曲量的數(shù)據(jù)并且根據(jù)上述翹曲量決定每一上述區(qū)域的上述控制電壓，上述靜 電式晶片座通過上述控制電壓以施加夾持力。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其中上述靜電式晶片座具有一中心區(qū)域與一 外緣區(qū)域，并且施加至上述外緣區(qū)域的上述控制電壓高于施加至上述中心區(qū)域的上述控制 電壓。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其中上述靜電式晶片座具有一居中區(qū)域，并 且施加至上述居中區(qū)域的上述控制電壓介于施加至上述外緣區(qū)域的上述控制電壓與施加 至上述中心區(qū)域的上述控制電壓之間。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，還包括一機器可讀取介質(zhì)，連接至上述處理器，上述機器可讀取介質(zhì)包括多個測試晶片的測 試數(shù)據(jù)表，相關(guān)于上述測試晶片的破片的上述測試數(shù)據(jù)具有多個夾持電壓，并且具有上述 測試晶片的多個區(qū)域的每一個的翹曲量，其中上述處理器根據(jù)上述測試數(shù)據(jù)與上述翹曲量 決定至少兩個不同的控制電壓。
12.—種采用計算機程序處理晶片的方法，其特征在于包括以下步驟控制一測量裝置，用以測量表示一晶片的翹曲量的數(shù)據(jù)；根據(jù)上述翹曲量，決定至少兩個不同的控制電壓，并通過一靜電式晶片座將上述控制 電壓施加至上述晶片的相應(yīng)位置；以及當(dāng)在上述晶片上執(zhí)行工藝時，控制上述靜電式晶片座，施加上述至少兩個不同的控制 電壓，用以夾持上述晶片的相應(yīng)位置。
13.如權(quán)利要求12所述的采用計算機程序處理晶片的方法，其中施加上述至少兩個不 同的控制電壓的步驟包括施加相應(yīng)的不同的控制電壓至上述靜電式晶片座的多個區(qū)域的 每一個。
14.如權(quán)利要求13所述的采用計算機程序處理晶片的方法，其中上述靜電式晶片座具 有一中心區(qū)域與一外緣區(qū)域，并且施加至上述外緣區(qū)域的上述控制電壓高于施加至上述中 心區(qū)域的上述控制電壓，并且上述靜電式晶片座具有一居中區(qū)域，并且施加至上述居中區(qū) 域的上述控制電壓介于施加至上述外緣區(qū)域的上述控制電壓與施加至上述中心區(qū)域的上 述控制電壓之間。
15.如權(quán)利要求13所述的采用計算機程序處理晶片的方法，其中上述處理晶片的控制 方法還包括接收多個測試晶片的測試數(shù)據(jù)，其中上述測試數(shù)據(jù)用以使具有多個夾持電壓的測試晶 片的破片和測試晶片的多個區(qū)域的每一個的翹曲量產(chǎn)生關(guān)連；以及存儲上述測試數(shù)據(jù)于一測試數(shù)據(jù)表中，其中決定上述至少兩個不同的控制電壓的步驟 是根據(jù)上述測試數(shù)據(jù)所決定。
全文摘要
本發(fā)明提供一種處理晶片的方法及使用該方法的半導(dǎo)體制造設(shè)備，該處理晶片的方法包括測量表示晶片翹曲量的數(shù)據(jù)；根據(jù)翹曲量，決定至少兩個不同的控制電壓，并通過用以夾持上述晶片的靜電式晶片座將控制電壓施加至晶片的相應(yīng)位置；以及當(dāng)在晶片上執(zhí)行工藝時，施加至少兩個不同的控制電壓，用以夾持晶片的相應(yīng)位置。本發(fā)明可以減少基板應(yīng)力、減少破片或平坦化基板，因此基板的所有區(qū)域均能合適地被聚焦。避免了晶片翹曲的非理想效應(yīng)。
文檔編號H01L21/00GK101877303SQ20101000351
公開日2010年11月3日 申請日期2010年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月30日
發(fā)明者張奕斌, 賴東隆, 黃循康 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司