專利名稱：一種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管和制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管和制造方法。
背景技術(shù)：
目前，玻璃封裝的二極管芯片和電極之間大多為點(diǎn)接觸型，點(diǎn)接觸型的二極管工 作電流小、耐壓低、散熱性也不好，因此常常只能用于1W以下的應(yīng)用場合。而整流管作為二 極管的一種，由于工作電流大， 一般芯片與電極之間均采用面接觸方式，封裝方式大多采用 環(huán)氧塑料封裝，面接觸方式的電連接具有有效接觸面大、耐電流沖擊高的特點(diǎn)，但是環(huán)氧塑 料封裝和玻璃封裝相比成本更高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是采用成本低廉的玻璃封裝，實(shí)現(xiàn)具有較好耐電流沖 擊性、工作電流較大的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，并提供這種整流管的制造方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案是一種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，包括兩根一端焊接 有杜鎂絲(Dumet Wire)電極的電極引線、玻璃殼、以及玻璃包覆芯片，每根電極引線插入玻 璃殼內(nèi)的一端為杜鎂絲電極，玻璃包覆芯片放置于兩根電極引線頂端的杜鎂絲電極之間， 所述玻璃包覆芯片的其他側(cè)面被玻璃膠完全包覆。 進(jìn)一步的，玻璃包覆芯片和其兩側(cè)的杜鎂絲電極之間分別填充有增加玻璃包覆芯
片和杜鎂絲電極之間電連接的填充物。 進(jìn)一步的，所述電極引線為銅包鋼絲。 進(jìn)一步的，所述填充物是熔點(diǎn)在500°C 70(TC之間的高溫焊片，或者是錫膏材 料。優(yōu)選的，所述填充物是熔點(diǎn)為60(TC左右的高溫焊片。 本發(fā)明還提出了一種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管的制造方法，包括如下步 驟 步驟Sl :依次裝填并疊放下電極引線、玻璃殼、填充物、玻璃包覆芯片、填充物和 上電極引線，所述電極引線的一端焊接有杜鎂絲電極； 步驟S2 :將疊放好的整流管材料放入高溫焊接爐進(jìn)行焊接，使填充物能有效融接 后填充于玻璃包覆芯片和杜鎂絲電極之間，同時(shí)使玻璃殼適當(dāng)融接后包裹杜鎂絲電極，使 處于兩杜鎂絲電極之間的玻璃包覆芯片處于固定狀態(tài)； 步驟S3 :將焊接好的整流管取出，對(duì)整流管的兩個(gè)電極引線進(jìn)行熱浸錫處理；
步驟S4 :清洗并烘干軸向式面接觸型玻璃封裝整流管。 進(jìn)一步的，在步驟S1中，電極引線上焊接有杜鎂絲電極的一端和填充物相鄰疊 放。 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是本發(fā)明的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，原料成本低廉，具有 較好耐電流沖擊性，允許工作電流較大，本發(fā)明的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管的制造 方法適用于工業(yè)的批量化生產(chǎn)。工業(yè)化生產(chǎn)設(shè)備及人力投入遠(yuǎn)小于環(huán)氧塑封料封裝，產(chǎn)能遠(yuǎn)大于環(huán)氧塑封料封裝。
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述
圖1為本發(fā)明的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管的制造流程圖。
其中1電極引線；2玻璃殼；3玻璃包覆芯片；4杜鎂絲電極。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例一種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，包括兩根電極引線1、中空的玻璃 殼2、以及玻璃包覆芯片3，每根電極引線1在玻璃殼內(nèi)的一端焊接有杜鎂絲電極4，玻璃包 覆芯片3放置于兩根電極引線1頂端的杜鎂絲電極4之間的狹小縫隙內(nèi)，并在玻璃包覆芯 片3和杜鎂絲電極4之間填充填充物，增加玻璃包覆芯片3和杜鎂絲電極4之間的電連接， 增大兩者之間的有效接觸面積。玻璃包覆芯片3的其他側(cè)面被玻璃膠完全包覆，增加了本 體玻璃封裝的可行性。 所述電極引線1優(yōu)選采用銅包鋼絲，目的是在不影響導(dǎo)電性能的前提下進(jìn)一步節(jié) 省成本。 本實(shí)施例所用的玻璃包覆芯片3和杜鎂絲電極4之間的填充物是熔點(diǎn)在500°C
70(TC之間的高溫焊片，或者是錫膏材料。優(yōu)選的，采用熔點(diǎn)為60(TC左右的高溫焊片。 這種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管的制造方法，包括如下步驟 步驟S1 :依次裝填并疊放下電極引線1、玻璃殼2、填充物、玻璃包覆芯片3、填充物
和上電極引線l; 步驟S2 :將疊放好的整流管材料放入高溫焊接爐進(jìn)行焊接，使填充物能有效融接 后填充于玻璃包覆芯片3和杜鎂絲電極4之間，同時(shí)使玻璃殼適當(dāng)融接后包裹杜鎂絲電極 4，使處于兩杜鎂絲電極4之間的玻璃包覆芯片3處于固定狀態(tài)，玻璃包覆芯片3的除了電 連接杜鎂絲電極4的其他側(cè)面被玻璃膠完全包覆； 步驟S3 :將焊接好的整流管取出，對(duì)整流管的兩個(gè)電極引線1進(jìn)行熱浸錫處理；
步驟S4 :清洗并烘干軸向式面接觸型玻璃封裝整流管。 電極引線1在步驟S1之前就在一端焊接上杜鎂絲電極4，杜鎂絲電極和電極引線 連成一體，在步驟S1中疊放材料時(shí)，下電極引線上的杜鎂絲電極在上方，上電極引線的杜 鎂絲電極在下方。電極引線1上焊接有杜鎂絲電極4的一端和填充物相鄰疊放，兩個(gè)杜鎂 絲電極塊分別從上下兩端插入中空的玻璃殼2內(nèi)，正好通過兩邊的填充物將玻璃包覆芯片 3夾緊。在步驟S2中，在焊接過程中，玻璃殼的兩端融化，將杜鎂絲電極牢牢包覆在玻璃殼 內(nèi)。 以上所述，僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本 發(fā)明權(quán)利要求及說明書內(nèi)容所作的簡單的變換，皆應(yīng)仍屬于本發(fā)明覆蓋的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，包括玻璃殼(2)、玻璃包覆芯片(3)、以及兩根一端焊接有杜鎂絲電極(4)的電極引線(1)，其特征在于每根電極引線(1)插入玻璃殼(2)內(nèi)的一端為杜鎂絲電極(4)，玻璃包覆芯片(3)放置于兩根電極引線(1)頂端的杜鎂絲電極(4)之間，所述玻璃包覆芯片(3)的其他側(cè)面被玻璃膠完全包覆。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1中所述的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，其特征在于玻璃包覆 芯片(3)和其兩側(cè)的杜鎂絲電極(4)之間分別填充有增加玻璃包覆芯片(3)和杜鎂絲電極 (4)之間電連接的填充物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1中所述的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，其特征在于所述電極 引線(1)為銅包鋼絲。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2中所述的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，其特征在于所述填充 物是熔點(diǎn)在500°C 70(TC之間的高溫焊片。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2或4中所述的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，其特征在于所述 填充物是熔點(diǎn)為60(TC左右的高溫焊片。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2中所述的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，其特征在于所述填充 物是錫膏材料。
7. —種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管的制造方法，其特征在于包括如下步驟 步驟S1 :依次裝填并疊放下電極引線(1)、玻璃殼(2)、填充物、玻璃包覆芯片(3)、填充物和上電極引線(l)，所述電極引線(1)的一端焊接有杜鎂絲電極(4);步驟S2 :將疊放好的整流管材料放入高溫焊接爐進(jìn)行焊接，使填充物能有效融接后填充于玻璃包覆芯片(3)和杜鎂絲電極(4)之間，同時(shí)使玻璃殼適當(dāng)融接后包裹杜鎂絲電極 (4)，使處于兩杜鎂絲電極(4)之間的玻璃包覆芯片(3)處于固定狀態(tài)；步驟S3 :將焊接好的整流管取出，對(duì)整流管的兩個(gè)電極引線(1)進(jìn)行熱浸錫處理；步驟S4 :清洗并烘干軸向式面接觸型玻璃封裝整流管。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的軸向式面接觸型玻璃封裝整流管的制造方法，其特征在于在步驟S1中，電極引線(1)上焊接有杜鎂絲電極(4)的一端和填充物相鄰疊放。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管，包括玻璃殼、玻璃包覆芯片、以及兩根一端焊接有杜鎂絲電極的電極引線，每根電極引線插入玻璃殼內(nèi)的一端為杜鎂絲電極，玻璃包覆芯片放置于兩根電極引線頂端的杜鎂絲電極之間，玻璃包覆芯片和其兩側(cè)的杜鎂絲電極之間分別填充有增加玻璃包覆芯片和杜鎂絲電極之間電連接的填充物，所述玻璃包覆芯片的其他側(cè)面被玻璃膠完全包覆。本發(fā)明還公開了這種軸向式面接觸型玻璃封裝整流管的制造方法。本發(fā)明的原料成本低廉，具有較好耐電流沖擊性，允許工作電流較大，本發(fā)明的制造方法適用于工業(yè)的批量化生產(chǎn)，工業(yè)化生產(chǎn)設(shè)備及人力投入遠(yuǎn)小于環(huán)氧塑封料封裝，產(chǎn)能遠(yuǎn)大于環(huán)氧塑封料封裝。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101764111SQ20101000365
公開日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2010年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月5日
發(fā)明者陳盟舜 申請(qǐng)人:蘇州群鑫電子有限公司