專利名稱：：發(fā)光元件、發(fā)光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種電流激發(fā)型發(fā)光元件，特別涉及一種在電極之間設(shè)置包含有機(jī)化合物的層的發(fā)光元件。此外，本發(fā)明還涉及一種具有該發(fā)光元件的發(fā)光裝置、電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
：近年來，對利用電致發(fā)光(EL:ElectroLuminescence)的發(fā)光元件進(jìn)行積極研究和開發(fā)。這些發(fā)光元件的基本結(jié)構(gòu)是將發(fā)光性物質(zhì)夾在一對電極之間的結(jié)構(gòu)。通過對這種發(fā)光元件施加電壓，可以得到來自發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光。因?yàn)檫@種發(fā)光元件是自發(fā)光型，所以具有與液晶顯示器相比其像素的可見性高并且不需要背光燈等的優(yōu)點(diǎn)。因此，這種發(fā)光元件適宜作為平板顯示器元件。此外，這種發(fā)光元件還具有可以制造為薄膜輕量的大優(yōu)點(diǎn)。另外，響應(yīng)速度極快也是這種發(fā)光元件的特征之一。另外，因?yàn)檫@些發(fā)光元件可以被形成為膜狀，所以通過形成大面積的元件，可以容易得到面狀發(fā)光。這是在使用以白熾燈泡、LED為代表的點(diǎn)光源或者以熒光燈為代表的線光源時不容易得到的特點(diǎn)，因而，上述發(fā)光元件作為能夠應(yīng)用于照明等的面光源的利用價值也高。具有多個優(yōu)點(diǎn)的這種發(fā)光元件以及使用該發(fā)光元件的發(fā)光裝置在實(shí)際應(yīng)用上受到限制的主要原因之一是發(fā)光元件退化。發(fā)光元件產(chǎn)生即使在流過相同電流量的情況下也伴隨驅(qū)動時間的蓄積而其亮度降低的退化。為了廣泛地普及該發(fā)光裝置，一定要得到其退化程度是作為實(shí)際產(chǎn)品可以容許的程度的發(fā)光元件。對發(fā)光元件在驅(qū)動電路的方面、密封的方面、元件結(jié)構(gòu)的方面、材料的方面等多方面上進(jìn)行研究(例如，專利文件1)。[專利文件1]日本專利申請公開2008-204934號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個方式的目的之一在于謀求實(shí)現(xiàn)發(fā)光元件的長使用壽命化。此外，本發(fā)明的一個方式的目的之一還在于提供一種利用使用壽命長的發(fā)光元件的電子設(shè)備。本發(fā)明的一個方式是發(fā)光元件，該發(fā)光元件包括第一電極、形成在第一電極上的第一發(fā)光層、與第一發(fā)光層接觸地形成在該第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層、形成在第二發(fā)光層上的第二電極，其中，第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，并且第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物。此外，在該發(fā)光元件中，第一發(fā)光物質(zhì)的最低空軌道能級、第二發(fā)光物質(zhì)的最低空軌道能級和電子傳輸性的有機(jī)化合物的最低空軌道能級之差均為0.2eV以下，并且空穴傳輸性的有機(jī)化合物的最高占有軌道能級、第一發(fā)光物質(zhì)的最高占有軌道能級和第二發(fā)光物質(zhì)的最高占有軌道能級之差均為0.2eV以下，并且空穴傳輸性的有機(jī)化合物的最低空軌道能級和第一發(fā)光物質(zhì)的最低空軌道能級之差大于O.3eV。此外，本發(fā)明的一個方式是發(fā)光元件，該發(fā)光元件包括第一電極、形成在第一電極上的第一發(fā)光層、與第一發(fā)光層接觸地形成在該第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層、形成在第二發(fā)光層上的第二電極，其中，第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，并且第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物。此外，在該發(fā)光元件中，空穴傳輸性的有機(jī)化合物是具有芳基胺骨架的化合物，并且，電子傳輸性的有機(jī)化合物是具有三環(huán)以上六環(huán)以下的多環(huán)芳烴骨架的化合物，并且，第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)是具有三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架及芳基胺骨架的化合物。此外，本發(fā)明的一個方式是發(fā)光元件，該發(fā)光元件包括第一電極、形成在第一電極上的第一發(fā)光層、與第一發(fā)光層接觸地形成在該第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層、形成在第二發(fā)光層上的第二電極，其中，第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，并且第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物。此外，在該發(fā)光元件中，空穴傳輸性的有機(jī)化合物是以下的通式(1)所表示的化合物，并且電子傳輸性的有機(jī)化合物是具有三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架的化合物，并且，第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)是以下的通式(2)所表示的化合物。A("在通式中，A表示取代或無取代的苯基和取代或無取代的萘基中的任一個。此外，R1及R2分別表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基、取代或無取代的咔唑基中的任一個。B(2)在通式中，B表示三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架，也可以具有取代基。此外，R3及R4分別表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基、取代或無取代的咔唑基中的任一個。此外，本發(fā)明的一個方式是發(fā)光元件，該發(fā)光元件包括第一電極、形成在第一電極上的第一發(fā)光層、與第一發(fā)光層接觸地形成在該第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層、形成在第二發(fā)光層上的第二電極，其中，第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，并且第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物。此外，在該發(fā)光元件中，空穴傳輸性的有機(jī)化合物是以下的通式(3)所表示的化合物，并且電子傳輸性的有機(jī)化合物是具有三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架的化合物，并且，第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)是以下的通式(4)所表示的化合物。R5(3)在通式中，A表示取代或無取代的苯基和取代或無取代的萘基中的任一個。此外，R5表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個。此外，R6表示碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個。9R(4)在通式中，B表示三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架，也可以具有取代基。此外，R7表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個。此外，R8表示碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個。此外，本發(fā)明的一個方式是在上述結(jié)構(gòu)中第一發(fā)光層中的第一發(fā)光物質(zhì)的比例為30wt%以上且70wt%以下的發(fā)光元件。此外，本發(fā)明的一個方式是在上述結(jié)構(gòu)中第一發(fā)光層和第二發(fā)光層呈現(xiàn)相同的發(fā)光顏色的發(fā)光元件。此外，本發(fā)明的一個方式是在上述結(jié)構(gòu)中來自第一發(fā)光層及第二發(fā)光層的發(fā)射光譜的最大峰值位于430nm以上且470nm以下的區(qū)域的發(fā)光元件。此外，本發(fā)明的一個方式是包括具有上述結(jié)構(gòu)中的任一個的發(fā)光元件的發(fā)光裝置或者包括該發(fā)光裝置的電子設(shè)備。上述本發(fā)明的方式解決上述目的中的至少一個。注意，本說明書中的發(fā)光裝置包括使用發(fā)光元件的圖像顯示裝置或照明裝置。此外，如下模塊也都包括在發(fā)光裝置中對發(fā)光元件安裝有連接器如各向異性導(dǎo)電膜、TAB(巻帶式自動接合，T即eAutomatedBonding)帶或TCP(帶載封裝，T即eCarrierPackage)的模塊；TAB帶或TCP的尖端設(shè)置有印刷布線板的模塊；或者通過C0G(玻璃覆晶封裝，ChipOnGlass)方式將IC(集成電路)直接安裝在發(fā)光元件上的模塊。注意，在本說明書中，為方便起見使用附加了第一或第二等的序數(shù)詞，而其并不表示工序順序或疊層順序。此外，在本說明書中其不表示用來特定發(fā)明的事項(xiàng)的固有名稱。此外，在本說明書中，"電子傳輸性的有機(jī)化合物"是指至少其電子的傳輸性高于空穴的傳輸性的有機(jī)化合物，而"空穴傳輸性的有機(jī)化合物"是指至少其空穴的傳輸性高于電子的傳輸性的有機(jī)化合物。通過實(shí)施本發(fā)明的一個方式，可以得到實(shí)現(xiàn)了長使用壽命化的發(fā)光元件。10圖IA和IB是示出發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)及能帶圖的圖;圖2是示出發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)的圖；圖3A至3D是示出無源矩陣型發(fā)光裝置的圖；圖4是示出無源矩陣型發(fā)光裝置的圖；圖5A和5B是示出有源矩陣型發(fā)光裝置的圖；圖6A至6E是示出電子設(shè)備的圖；圖7是示出照明設(shè)備的圖；圖8是示出實(shí)施例1的發(fā)光元件及對照發(fā)光元件的特性的圖9是示出實(shí)施例1的發(fā)光元件及對照發(fā)光元件的特性的圖10是示出實(shí)施例1的發(fā)光元件及對照發(fā)光元件的特性的圖；圖11是示出實(shí)施例1的發(fā)光元件及對照發(fā)光元件的特性的圖；圖12是示出實(shí)施例2的發(fā)光元件及對照發(fā)光元件的特性的圖；圖13是示出實(shí)施例2的發(fā)光元件及對照發(fā)光元件的特性的圖；圖14是示出實(shí)施例2的發(fā)光元件及對照發(fā)光元件的特性的圖；圖15是示出實(shí)施例2的發(fā)光元件及對照發(fā)光元件的特性的圖；圖16是示出實(shí)施例3的發(fā)光元件的特性的17是示出實(shí)施例3的發(fā)光元件的特性的18是示出實(shí)施例3的發(fā)光元件的特性的19是示出實(shí)施例3的發(fā)光元件的特性的20是示出實(shí)施例6的發(fā)光元件的特性的21是示出實(shí)施例6的發(fā)光元件的特性的22是示出實(shí)施例6的發(fā)光元件的特性的23是示出實(shí)施例6的發(fā)光元件的特性的圖。具體實(shí)施例方式下面，參照本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實(shí)就是，本發(fā)明可以以多種不同方式來實(shí)施，其形式及詳細(xì)內(nèi)容可以在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下被變換為各種各樣。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。注意，當(dāng)在本說明書中說明量關(guān)系時，在沒有特別的說明的情況下，進(jìn)行質(zhì)量換算。此外，本說明書中的陽極是指將空穴注入到包含發(fā)光材料的層中的電極，而陰極是指將電子注入到包含發(fā)光材料的層中的電極。實(shí)施方式1圖1A表示本實(shí)施方式的發(fā)光元件110的示意圖。本實(shí)施方式的發(fā)光元件110在陽極100和陰極101之間具有由多個層構(gòu)成的EL層103。EL層103至少具有發(fā)光層102，并且發(fā)光層102通過從陽極100—側(cè)層疊第一發(fā)光層102a、第二發(fā)光層102b的兩層來構(gòu)成。注意，該兩層彼此接觸地形成。第一發(fā)光層102a是包括第一發(fā)光物質(zhì)和空穴傳輸性的有機(jī)化合物的層。此外，第二發(fā)光層102b是包括第二發(fā)光物質(zhì)和電子傳輸性的有機(jī)化合物的層。作為發(fā)光元件110，當(dāng)對陽極100和陰極101之間施加正向電壓時，在第一發(fā)光層102a中得到來自第一發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光，而在第二發(fā)光層102b中得到來自第二發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光。圖IB示出本實(shí)施方式所記載的發(fā)光元件110的能帶圖的一個例子。在圖IB中，附圖標(biāo)記120表示陽極100的費(fèi)米能級，并且附圖標(biāo)記140表示陰極101的費(fèi)米能級。此外，附圖標(biāo)記122表示包含在第一發(fā)光層102a中的空穴傳輸性的有機(jī)化合物的HOMO(最高占有軌道能級HighestOccupiedMolecularOrbital)能級，附圖標(biāo)記146表示空穴傳輸性的有機(jī)化合物的LUMO(最低空分子軌道LowestUnoccupiedMolecularOrbital)能級，附圖標(biāo)記124表示包含在第一發(fā)光層102a中的第一發(fā)光物質(zhì)的HOMO能級，并且附圖標(biāo)記148表示第一發(fā)光物質(zhì)的LUM0能級。此外，附圖標(biāo)記126表示包含在第二發(fā)光層102b中的電子傳輸性的有機(jī)化合物的H0M0能級，附圖標(biāo)記142表示電子傳輸性的有機(jī)化合物的LUM0能級，附圖標(biāo)記128表示包含在第二發(fā)光層102b中的第二發(fā)光物質(zhì)的HOMO能級，并且附圖標(biāo)記144表示第二發(fā)光物質(zhì)的LUM0能級。從陽極100注入的空穴被注入到第一發(fā)光層102a。注入到第一發(fā)光層102a的空穴被傳輸在第一發(fā)光層102a中，并且在第一發(fā)光層102a和第二發(fā)光層102b的界面附近其一部分與從第二發(fā)光層102b注入的電子重新結(jié)合，而未重新結(jié)合的空穴被注入到第二發(fā)光層102b。如圖IB所示，當(dāng)包含在第一發(fā)光層102a中的空穴傳輸性的有機(jī)化合物的HOMO能級122、第一發(fā)光物質(zhì)的HOMO能級124以及包含在第二發(fā)光層102b中的第二發(fā)光物質(zhì)的HOMO能級128為相同程度時，可以在空穴傳輸性的有機(jī)化合物、第一發(fā)光物質(zhì)以及第二發(fā)光物質(zhì)之間容易進(jìn)行作為載流子的空穴的傳輸。具體地，各物質(zhì)的HOMO能級之差優(yōu)選為0.2eV以下。再者，因?yàn)榘诘诙l(fā)光層102b中的電子傳輸性的有機(jī)化合物是其電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質(zhì)，所以注入到第二發(fā)光層102b的空穴不容易被傳輸。其結(jié)果，第二發(fā)光層102b中的載流子的重新結(jié)合的概率提高，從而抑制空穴不與電子重新結(jié)合而穿過到陰極一側(cè)的現(xiàn)象。另一方面，從陰極101注入的電子被注入到第二發(fā)光層102b。注入到第二發(fā)光層102b的電子被傳輸在第二發(fā)光層102b中，并且在第二發(fā)光層102b和第一發(fā)光層102a的界面附近其一部分與從第一發(fā)光層102a注入的空穴重新結(jié)合，而未重新結(jié)合的電子被注入到第一發(fā)光層102a。在發(fā)光元件110中，當(dāng)包含在第一發(fā)光層102a中的第一發(fā)光物質(zhì)的LUM0能級148、包含在第二發(fā)光層102b中的第二發(fā)光物質(zhì)的LUM0能級144以及電子傳輸性的有機(jī)化合物的LUM0能級142為相同程度時，可以在第一發(fā)光物質(zhì)、第二發(fā)光物質(zhì)以及電子傳輸性的有機(jī)化合物之間容易進(jìn)行作為載流子的電子的傳輸。因而，可以抑制在第一發(fā)光層102a和第二發(fā)光層102b的界面蓄積電子，所以可以抑制發(fā)光元件的隨時間的退化。具體地，各物質(zhì)的LUM0能級之差優(yōu)選為0.2eV以下。此外，為了防止電子從第一發(fā)光層102a向陽極100—側(cè)的穿行，而作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物，使用其LUM0能級146高于第一發(fā)光物質(zhì)的LUM0能級148的物質(zhì)。就是說，使用電子阻擋性的物質(zhì)。由此，從第一發(fā)光物質(zhì)到空穴傳輸性的有機(jī)化合物的電子的注入勢壘變高，并且，與采用第一發(fā)光物質(zhì)的單層的情況相比，不容易在第一發(fā)光層102a內(nèi)傳輸電子。其結(jié)果，第一發(fā)光層102a中的載流子的重新結(jié)合的概率提高，從而抑制電子不與空穴重新結(jié)合而穿過到陽極一側(cè)的現(xiàn)象。此外，可以抑制第一發(fā)光層102a中的重新結(jié)合區(qū)域不必要地?cái)U(kuò)大，而發(fā)射光譜變寬(色度降低)的現(xiàn)象。注意，具體地，空穴傳輸性的有機(jī)化合物的LUMO能級146和第一發(fā)光物質(zhì)的LUMO能級148之差必須至少大于0.2eV，更優(yōu)選大于O.3eV。如上所述，可以在抑制第一發(fā)光層102a和第二發(fā)光層102b的界面附近的電子的蓄積的同時提高該界面附近的電子和空穴的重新結(jié)合的概率。注意，作為最高占有軌道能級(HOMO能級)及最低空軌道能級(LUMO能級)的測定方法，有利用循環(huán)伏安法(CV)測定算出的方法?；蛘撸梢酝ㄟ^利用光電子能譜儀測定在薄膜狀態(tài)下的電離電位，來算出HOMO能級。此外，由其結(jié)果和從在薄膜狀態(tài)下的吸收光譜可以求出的能隙，可以算出LUMO能級。接著，參照制造方法而更具體地說明如上所述的發(fā)光元件。另外，在此說明的元件結(jié)構(gòu)、制造方法不過是一個例示，而在不脫離本實(shí)施方式的宗旨的范圍內(nèi)可以應(yīng)用其它結(jié)構(gòu)、材料、制造方法。首先，在具有絕緣表面的支持體上形成陽極100。作為陽極100，優(yōu)選使用功函數(shù)高(具體地，4.0eV以上)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、以及這些的混合物等。具體而言，可以舉出銦錫氧化物(以下示為ITO)、或者包含硅或氧化硅的銦錫氧化物、包含氧化鋅(ZnO)的氧化銦、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦(IWZ0)等。這些導(dǎo)電金屬氧化物膜通常通過濺射法形成，但是，也可以應(yīng)用溶膠-凝膠法等來制造。例如，包含氧化鋅(Zn0)的氧化銦可以使用相對于氧化銦添加了lwt^至20wt^的氧化鋅的靶并且通過濺射法形成。另外，包含氧化鴇及氧化鋅的氧化銦(IWZO)可以使用相對于氧化銦包含O.5wt^至5wt^的氧化鴇和0.lwt^至lwt^的氧化鋅的耙并且通過濺射法形成。另外，也可以使用金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或者金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。接著，形成EL層103。EL層103通過至少包括具有第一發(fā)光層102a及第二發(fā)光層102b的發(fā)光層102來形成即可，并且也可以采用形成有發(fā)光層以外的層的疊層結(jié)構(gòu)。作為EL層103，可以使用低分子系材料或高分子系材料。注意，用來形成EL層103的材料不局限于只含有有機(jī)化合物材料的材料，還包括部分包含無機(jī)化合物的構(gòu)成。另外，作為發(fā)光層以外的層，可以舉出具有各種功能的功能層如空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層(holeblockinglayer)、電子傳輸層、電子注入層等。EL層103也可以由同時具有兩種以上的各層所具有的功能的層形成。當(dāng)然，也可以設(shè)置有上述功能層以外的層。在本實(shí)施方式中，以如下發(fā)光元件為例進(jìn)行說明作為EL層103，如圖2所示地采用從陽極100—側(cè)按順序?qū)盈B有空穴注入層104、空穴傳輸層105、發(fā)光層102(第一發(fā)光層102a及第二發(fā)光層102b)、電子傳輸層106、電子注入層107的疊層結(jié)構(gòu)?？昭ㄗ⑷雽?04是包含空穴注入性高的物質(zhì)的層。作為空穴注入性高的物質(zhì)，例如可以舉出氧化釩、氧化鉬、氧化釕、氧化鋁等的金屬氧化物等。或者，當(dāng)使用有機(jī)化合物時，嚇啉類化合物是有效的，可以使用酞菁(簡稱H2Pc)、酞菁銅(簡稱CuPc)等。另外，作為空穴注入層104，也可以使用高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)。例如，可以舉出高分子化合物如聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](簡稱PTPDMA)、聚[N，N'-雙(4-丁基苯基)-N，N'_雙(苯基)聯(lián)苯胺](簡稱Poly-TPD)等。另外，可以使用添加了酸的高分子化合物如聚(3，4-亞乙基二氧(ethylenedioxy)噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等。與陽極接觸地形成空穴注入層，并且通過使用空穴注入層104，減少載流子的注入勢壘，而將載流子高效地注入到發(fā)光元件中，其結(jié)果，可以謀求實(shí)現(xiàn)驅(qū)動電壓的降低。另外，作為空穴注入層104，也可以使用在空穴傳輸性高的物質(zhì)中包含受體物質(zhì)而成的材料(以下，稱為復(fù)合材料)。注意，通過使用在空穴傳輸性高的物質(zhì)中包含受體物質(zhì)而成的材料，可以實(shí)現(xiàn)與電極之間的歐姆接觸，而可以不考慮功函數(shù)地選擇形成電極的材料。換言之，作為陽極，除了可以使用功函數(shù)高的材料以外，還可以使用功函數(shù)不太高的材料、功函數(shù)低的材料。作為受體物質(zhì)，可以舉出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟quinodimethane(簡稱F4_TCNQ)、氯醌等的有機(jī)化合物、過渡金屬氧化物。另外，可以舉出屬于元素周期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。具體地，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸等是優(yōu)選的材料，因?yàn)槠潆娮咏邮苄愿?。其中，氧化鉬尤其是優(yōu)選的材料，因?yàn)樗诖髿庵幸卜€(wěn)定并且其吸濕性低，容易處理。另外，在本說明書中，"復(fù)合"是指通過不僅混合兩種材料，而且混合多種材料而成為能夠在材料之間進(jìn)行電荷的授受的狀態(tài)。作為用于復(fù)合材料的空穴傳輸性高的物質(zhì)，可以使用各種化合物如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等。注意，作為用于復(fù)合材料的空穴傳輸性高的物質(zhì)，優(yōu)選是具有10—6cm7Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。但是，只要是其空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，也可以使用上述以外的物質(zhì)。在下文中，具體地列舉可用于復(fù)合材料的有機(jī)化合物。例如，作為可用于復(fù)合材料的芳香胺化合物，可以舉出4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPB或a-NPD)、N，N'-雙(4-甲基苯基)-N，N'-二苯基-對-苯二胺(簡稱DTDPPA)、4，4'-雙[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱DPAB)、4，4'-雙(N-(4-[N'-(3-甲基苯基)-N'-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)聯(lián)苯(簡稱:DNTPD)、l，3，5-三[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱:DPA3B)等。作為可用于復(fù)合材料的咔唑衍生物，具體地可以使用3-[N_(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCAl)、3，6-雙[N_(9_苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCA2)、3-[N-(l-萘基)_N_(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCNl)、4，4'-二(N-咔唑基)聯(lián)苯(簡稱CBP)、l，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPA)、l，4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6_四苯基苯等。另外，作為可用于復(fù)合材料的芳烴，例如可以舉出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡稱DPPA)、2-叔丁基-9，10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱DNA)、9，10-二苯基蒽(簡稱DPAnth)、2-叔丁基蒽(簡稱t-BuAnth)、9，10-雙(4-甲基-l-萘基)蒽(簡稱DMNA)、9，10-雙[2-(l-萘基)苯基]-2-叔丁基-蒽、149，10-雙[2-(l-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1_萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9'-聯(lián)蒽、10，10'-二苯基-9，9'-聯(lián)蒽、10，10'-雙(2-苯基苯基)-9，9'_聯(lián)蒽、10，10'-雙[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9'-聯(lián)蒽、蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，ll-四(叔丁基)二萘嵌苯等。此外，也可以使用并五苯、暈苯等。如此，更優(yōu)選使用具有1X10—6cm7Vs以上的空穴遷移率且碳數(shù)為14至42的芳烴。注意，可用于復(fù)合材料的芳烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如可以舉出4，4'-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡稱DPVBi)、9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱DPVPA)等。另外，還可以將復(fù)合材料用作空穴注入層，該復(fù)合材料由作為空穴注入層的材料而上述的PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等的高分子化合物以及上述的受體物質(zhì)形成。在使用如上所述的復(fù)合材料作為空穴注入層104的情況下，作為陽極IOO，可以不考慮功函數(shù)的高低地使用各種金屬、合金、導(dǎo)電化合物、以及它們的混合物等。因此，作為陽極，除了可以使用上述材料以外，還可以使用諸如鋁(Al)、銀(Ag)、包含鋁的合金(AlSi)等。另外，也可以使用作為功函數(shù)低的材料的屬于元素周期表中第1族或第2族的元素，即鋰(Li)、銫(Cs)等的堿金屬、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)等的堿土金屬、以及包含它們的合金(MgAg、AlLi);銪(Eu)、鐿(Yb)等的稀土金屬、以及包含這些的合金等。由堿金屬、堿土金屬、包含它們的合金構(gòu)成的膜可以通過真空蒸鍍法來形成。另外，包含堿金屬或堿土金屬的合金還可以通過濺射法來形成。另外，還可以通過噴墨法等來將銀膏等成膜?？昭▊鬏攲?05是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層。作為空穴傳輸性高的物質(zhì)，例如可以使用如下適當(dāng)?shù)牟牧?，即N，N'-雙(螺環(huán)_9，9'-聯(lián)芴-2-基)-N，N'-二苯基聯(lián)苯胺(簡稱BSPB)、4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPB或a-NPD)、4，4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱TPD)、4，4'，4〃-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(簡稱TDATA)、4，4'，4〃-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(簡稱MTDATA)、4，4'-雙{N_[4_(N，N-二-間甲苯基氨基)苯基]-N-苯基氨基}聯(lián)苯(簡稱DNTPD)、l，3，5-三[N，N-二(間甲苯基)氨基]苯(簡稱:m-MTDAB)、4，4'，4〃-三(N-咔唑基)三苯基胺(簡稱TCTA)、酞菁(簡稱H2Pc)、酞菁銅(簡稱CuPc)、酞菁氧釩(簡稱VOPc)等。作為空穴傳輸層，優(yōu)選使用具有10—6cm7Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)，但是，只要是其空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以用作空穴傳輸層。此外，空穴傳輸層除了可以使用單層結(jié)構(gòu)以外，還可以使用其中組合兩層以上的由適合上述條件的物質(zhì)構(gòu)成的層而成的多層結(jié)構(gòu)?？昭▊鬏攲涌梢酝ㄟ^利用真空蒸鍍法等來形成。另外，作為空穴傳輸層105，還可以使用作為空穴傳輸層104的材料而上述的高分子化合物，如PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等。在此情況下，可以使用噴墨法、旋涂法等的溶液工藝。發(fā)光層102通過從空穴傳輸層105—側(cè)層疊第一發(fā)光層102a、第二發(fā)光層102b的兩層來形成。第一發(fā)光層102a包括第一發(fā)光物質(zhì)和空穴傳輸性的有機(jī)化合物。此外，第二發(fā)光層102b包括第二發(fā)光物質(zhì)和電子傳輸性的有機(jī)化合物。作為包含在第一發(fā)光層102a中的空穴傳輸性的有機(jī)化合物，必須使用具有空穴傳輸性及電子阻擋性的化合物，以使空穴注入到第一發(fā)光層102a并且防止電子穿過到陽15極一側(cè)。作為這種空穴傳輸性的有機(jī)化合物，優(yōu)選使用具有芳基胺骨架的化合物。此外，當(dāng)空穴傳輸性的有機(jī)化合物具有芳基胺骨架和三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架時，因?yàn)槿h(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架的電子接受性高，并且該骨架具有電子傳輸性，所以即使該有機(jī)化合物通過具有芳基胺骨架而成為空穴傳輸性高的材料，也保持一定程度的傳輸電子的能力。在將這種空穴傳輸性的有機(jī)化合物用于第一發(fā)光層的情況下，由于電子的穿過而發(fā)生的退化的影響及效率的降低根據(jù)條件而有可能變大。于是，作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物，更優(yōu)選使用以下的通式(1)所表示的具有芳基胺骨架并且不具有三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>在通式中，A表示取代或無取代的苯基和取代或無取代的萘基中的任一個。此外，R1及R2分別表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基、取代或無取代的咔唑基中的任一個。注意，作為可與A、R1及R2結(jié)合的取代基，例如可以舉出甲基、乙基或者丙基等烷基；或者苯基、萘基等由二環(huán)以下的芳烴骨架構(gòu)成的芳基?；蛘撸?yàn)橐韵碌耐ㄊ?3)所表示的化合物示出高空穴傳輸性、化學(xué)穩(wěn)定性以及耐熱性，所以優(yōu)選用作空穴傳輸性的有機(jī)化合物。(3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>在通式中，A表示取代或無取代的苯基和取代或無取代的萘基中的任一個。此外，R5表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個。此外，R6表示碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個。注意，作為可與A、R5及R6結(jié)合的取代基，可以舉出甲基、乙基或者丙基等烷基；或者苯基、萘基等二環(huán)以下的芳基。作為用于第一發(fā)光層102a的空穴傳輸性的有機(jī)化合物，具體地優(yōu)選使用諸如4-(l-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBANB)、4-苯基-4'-(9_苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)、4，4'-二苯基-4〃-(9-苯基-冊-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBBilBP)、4，4'-二(1-萘基)_4〃-(9-苯基-冊-咔唑-3_基)三苯胺(簡稱PCBNBB)、4-(l-萘基)-4'-苯基-4〃-(9_苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBBiNB)、4-[9-(聯(lián)苯-4-基)-9H-咔唑-3-基]-4'-苯基-三苯胺(簡稱BCBAlBP)、4-[9-(聯(lián)苯-4-基)-9H-咔唑-3-基]-4'-(l-萘基)三苯胺(簡稱BCBANB)、4-[9-(聯(lián)苯-4-基)-9H-咔唑-3-基]-4'-(1-萘基)_4"_苯基_三苯胺(簡稱:BCBBiNB)、4-(9-[4-(l-萘基)苯基]-9H_咔唑-3-基}_4'-苯基-三苯胺(簡稱:NBCBAlBP)、4-[9-(l-萘基)-9H-咔唑-3-基]-4'-苯基-三苯胺(簡稱NCBA1BP)、4，4'-二苯基-4"-(6，9-二苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBBilBPIII)、4-(l-萘基)-4'-苯基三苯胺(簡稱aNBAlBP)、4，4'-二-(1-萘基)_4〃_苯基三苯胺(簡稱:aNBB1BP)等。第一發(fā)光物質(zhì)是能夠在第一發(fā)光層102a中成為發(fā)光中心物質(zhì)的物質(zhì)。此外，第二發(fā)光物質(zhì)是能夠在第二發(fā)光層102b中成為發(fā)光中心物質(zhì)的物質(zhì)。各自的發(fā)光可以是熒光或者磷光。此外，如使用圖1B而預(yù)先說明，為了在第一發(fā)光層102a和第二發(fā)光層102b之間容易進(jìn)行空穴及電子的授受，而作為第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)，使用滿足如下條件的材料第一發(fā)光物質(zhì)、第二發(fā)光物質(zhì)各自的HOMO能級及空穴傳輸性的有機(jī)化合物的HOMO能級是相同程度，優(yōu)選3種物質(zhì)的HOMO能級之差為0.2eV以下，并且第一發(fā)光物質(zhì)、第二發(fā)光物質(zhì)的LUM0能級及電子傳輸性的有機(jī)化合物的LUM0能級是相同程度，優(yōu)選3種物質(zhì)的LUM0能級之差為0.2eV以下。此外，為了防止從第二發(fā)光層102b注入到第一發(fā)光層102a的電子穿過到陽極一側(cè)，而作為第一發(fā)光物質(zhì)，使用其LUMO能級低于空穴傳輸性的有機(jī)化合物的LUM0能級且其差優(yōu)選大于0.3eV的材料。作為這種第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)，優(yōu)選使用具有三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架及芳基胺骨架的化合物。第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)具有芳基胺骨架，所以作為第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)而使用的化合物可以是具有與具有芳基胺骨架的空穴傳輸性的有機(jī)化合物的HOMO能級相同程度的HOMO能級的化合物。此外，通過具有三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架，可以使第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)的LUMO能級和空穴傳輸性的有機(jī)化合物的LUMO能級之差大于O.3eV。再者，通過使第一發(fā)光物質(zhì)、第二發(fā)光物質(zhì)以及電子傳輸性的有機(jī)化合物中的多環(huán)芳烴骨架采用相同的骨架，可以使它們的LUMO能級進(jìn)一步接近。注意，作為三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架以具體地舉出蒽骨架、芘骨架、篇骨架、二苯并[g，P]窟骨架等。此外，作為第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)所具有的芳基胺骨架優(yōu)選是與空穴傳輸性的有機(jī)化合物所具有的芳基胺骨架相同的骨架。因此，第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)優(yōu)選為以下的通式(2)所表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>在通式中，B表示三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架，也可以具有取代基。此外，R3及R4分別表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基、取代或無取代的咔唑基中的任一個。注意，作為可與B、R3及R4結(jié)合的取代基，例如可以舉出甲基、乙基或者丙基等烷基；或者苯基、萘基等由二環(huán)以下的芳烴骨架構(gòu)成的芳基。此外，因?yàn)榈谝话l(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)具有高發(fā)光效率、化學(xué)穩(wěn)定性、以及耐熱性，所以優(yōu)選使用以下的通式(4)所表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(4)在通式中，B表示三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架，也可以具有取代基。此外，R7表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個。此外，R8表示碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個。注意，作為可與B、R7及R8結(jié)合的取代基，可以舉出甲基、乙基或者丙基等烷基；或者苯基、萘基等二環(huán)以下的芳基。作為第一發(fā)光物質(zhì)或者第二發(fā)光物質(zhì)，可以具體地使用諸如4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBAPA)、4-(l-萘基)-4'-(lO-苯基-9-蒽基)-4〃-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBNAPA)、4-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡稱2TPPA)等。第一發(fā)光物質(zhì)和第二發(fā)光物質(zhì)也可以不為相同的物質(zhì)。但是，因?yàn)榈谝话l(fā)光物質(zhì)和第二發(fā)光物質(zhì)的HOMO能級和LUM0能級分別為相同程度，所以第一發(fā)光層102a和第二發(fā)光層102b呈現(xiàn)相同的發(fā)光顏色。從而，本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)適宜于呈現(xiàn)單色發(fā)光的發(fā)光元件。此外，一般說，在發(fā)光物質(zhì)呈現(xiàn)藍(lán)色發(fā)光的情況下，發(fā)光物質(zhì)不容易捕捉載流子，而容易發(fā)生從發(fā)光層的載流子的穿過，但是本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件包括具有電子阻擋性的空穴傳輸性的有機(jī)化合物，所以可以抑制電子向陽極一側(cè)穿過，因而本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件特別有效于呈現(xiàn)藍(lán)色的發(fā)光元件，即來自第一發(fā)光層及第二發(fā)光層的發(fā)射光譜的最大峰值位于430nm以上且470nm以下的區(qū)域的發(fā)光元件。此外，優(yōu)選將第一發(fā)光層102a中的第一發(fā)光物質(zhì)的比例設(shè)定為30wt^以上且70wt%以下。通過第一發(fā)光層102a包含30wt%以上的第一發(fā)光物質(zhì)，它可以從第二發(fā)光層102b容易接收電子。此外，通過將第一發(fā)光物質(zhì)的含量設(shè)定為70wt^以下(就是說，將空穴傳輸性的有機(jī)化合物的含量設(shè)定為30wt%以上)，可以抑制電子向陽極一側(cè)穿過。此外，電子傳輸性的有機(jī)化合物在第二發(fā)光層102b中用作分散作為發(fā)光中心物質(zhì)的第二發(fā)光物質(zhì)的主體。在第二發(fā)光層102b中，電子傳輸性的有機(jī)化合物是最多成分，并且第二發(fā)光物質(zhì)優(yōu)選以O(shè).001wt^以上且小于50wt^的比例被包含。作為電子傳輸性的有機(jī)化合物，優(yōu)選使用其能隙大于第二發(fā)光物質(zhì)的能隙的物質(zhì)。此外，作為電子傳輸性的有機(jī)化合物，使用其LUM0能級與第一發(fā)光物質(zhì)及第二發(fā)光物質(zhì)的LUM0能級相同程度的材料。作為這種電子傳輸性的有機(jī)化合物，可以使用具有三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架的化合物。作為具有三環(huán)、四環(huán)環(huán)、或者六環(huán)的多環(huán)芳烴骨架的化合物，例如可以舉出蒽衍生物、芘衍生物、篇衍生物、二苯并[g，P]篇衍生物等。特別地，通過使第一發(fā)光物質(zhì)、第二發(fā)光物質(zhì)以及電子傳輸性的有機(jī)化合物中的多環(huán)芳烴骨架采用相同的骨架，可以使它們的LUM0能級進(jìn)一步接近。作為電子傳輸性的有機(jī)化合物，具體地可以使用9-[4-(10_苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPA)、3，6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱DPCzPA)、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡稱DPPA)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱DNA)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱t-BuDNA)、9，9'-聯(lián)蒽(簡稱BANT)、3，3'，3〃-(苯_1，3，5-三基)三芘(tripyrene)(簡稱TPB3)等。在使用電子傳輸層106的情況下，它設(shè)置在發(fā)光層102和電子注入層107之間。電子傳輸層106是包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層。作為電子傳輸性高的物質(zhì)，例如可以使用三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]-喹啉)鈹(簡稱BeBcg、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-羥基-聯(lián)苯基)鋁(簡稱BAlq)等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等。另外，除了這些以外，還可以使用雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噁唑]鋅(簡稱Zn(B0X)2)、雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噻唑]鋅(簡稱Zn(BTZ)2)等的具有噁唑類配位體、噻唑類配位體的金屬配合物等。此外，除了金屬配合物以外，還可以使用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l，3，4-噁二唑(簡稱PBD)、l，3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-l，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡稱0XD-7)、紅菲咯啉(簡稱BPhen)、浴銅靈(簡稱BCP)等。作為電子傳輸層優(yōu)選使用具有10—6Cm2/VS以上的電子遷移率的物質(zhì)，但是，只要是其電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質(zhì)，就可以用作電子傳輸層。此外，電子傳輸層除了具有單層結(jié)構(gòu)以外，還可以具有其中組合了兩層以上由適合上述條件的物質(zhì)形成的層而成的多層結(jié)構(gòu)。電子傳輸層可以通過使用真空蒸鍍法等來制造。另外，作為電子傳輸層，還可以使用高分子化合物。例如，可以使用聚[(9，9_二己基芴-2，7-二基)-共-(吡啶_3，5-二基)](簡稱PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共-(2，2'-聯(lián)吡啶_6，6'-二基)](簡稱PF-BPy)等。在此情況下，可以應(yīng)用噴墨法、旋涂法等的溶液工藝。注意，與第二發(fā)光層102b接觸的電子傳輸層106優(yōu)選使用具有比作為第二發(fā)光層102b的發(fā)光中心物質(zhì)的第二發(fā)光物質(zhì)大的能隙(或者三重態(tài)能量)的物質(zhì)。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以抑制從發(fā)光層102到電子傳輸層106的能量遷移，以可以實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率。電子注入層107是包含電子注入性高的物質(zhì)的層。作為電子注入性高的物質(zhì)，例如優(yōu)選使用氟化鈣、氟化鋰、氧化鋰或氯化鋰等的堿金屬化合物、堿土金屬化合物等?；蛘?，還可以使用對三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱Alq)、浴銅靈(簡稱BCP)等的所謂的電子傳輸性材料組合了鋰、鎂等的堿金屬或堿土金屬而成的層。與陰極接觸地形成電子注入層，并且通過使用電子注入層，減少載流子的注入勢壘，而將載流子高效地注入到發(fā)光元件中，其結(jié)果，可以謀求實(shí)現(xiàn)驅(qū)動電壓的降低。注意，作為電子注入層使用將具有電子傳輸性的物質(zhì)和20堿金屬或堿土金屬組合而成的層的結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的結(jié)構(gòu)，因?yàn)閺年帢O高效地注入電子。電子注入層可以通過使用真空蒸鍍法等來制造。通過設(shè)置電子注入層107，不考慮到功函數(shù)的高低，而可以使用Al、Ag、ITO、包含硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫等各種各樣的導(dǎo)電材料。另外，作為EL層103的形成方法，除了上述的制造方法以外，還可以使用蒸鍍法、噴墨法、旋涂法、浸漬涂布法等，而不拘泥于是濕法還是干法。之后，形成陰極101，以完成發(fā)光元件110。作為陰極101，優(yōu)選使用功函數(shù)低(具體地，3.8eV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、以及它們的混合物等。具體而言，可以舉出屬于元素周期表中第1族或第2族的金屬，即鋰(Li)、銫(Cs)等的堿金屬、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)等的堿土金屬、包含它們的合金(MgAg、AlLi等)；銪(Eu)、鐿(Yb)等的稀土金屬、以及包含它們的合金等?？梢酝ㄟ^利用真空蒸鍍法來形成由堿金屬、堿土金屬、包含它們的合金構(gòu)成的膜。另外，包含堿金屬或堿土金屬的合金還可以通過濺射法來形成。另外，也可以通過噴墨法等來使銀膏等成膜。此外，通過在陰極101和電子傳輸層106之間設(shè)置電子注入層107，不考慮到功函數(shù)的高低，而可以使用Al、Ag、ITO、包含硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫等各種各樣的導(dǎo)電材料。注意，作為陽極100或陰極IOI，也可以使用包含導(dǎo)電高分子(也稱為導(dǎo)電聚合物)的導(dǎo)電組合物。在將導(dǎo)電組合物形成為陽極100或陰極101的情況下，薄膜的片電阻優(yōu)選為10000Q/口以下，波長550nm處的透光率優(yōu)選為70%以上。另外，所包含的導(dǎo)電高分子的電阻率優(yōu)選為O.1Q'cm以下。作為導(dǎo)電高分子，可以使用所謂的Ji電子共軛類導(dǎo)電高分子。例如，可以舉出聚苯胺及/或其衍生物、聚吡咯及/或其衍生物、聚噻吩及/或其衍生物、它們中的兩種以上的共聚物等。作為共軛導(dǎo)電高分子的具體實(shí)例，可以舉出聚吡咯、聚(3-甲基吡咯)、聚(3-丁基吡咯)、聚(3-辛基吡咯)、聚(3-癸基吡咯)、聚(3，4-二甲基吡咯)、聚(3，4-二丁基吡咯)、聚(3-羥基吡咯)、聚(3-甲基-4-羥基吡咯)、聚(3-甲氧基吡咯)、聚(3-乙氧基吡咯)、聚(3-辛氧基吡咯)、聚(3-羧基吡咯)、聚(3-甲基-4-羧基吡咯)、聚N-甲基吡咯、聚噻吩、聚(3-甲基噻吩)、聚(3-丁基噻吩)、聚(3-辛基噻吩)、聚(3-癸基噻吩)、聚(3-十二烷基噻吩)、聚(3-甲氧基噻吩)、聚(3-乙氧基噻吩)、聚(3-辛氧基噻吩)、聚(3-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基噻吩)、聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)、聚苯胺、聚(2-甲基苯胺)、聚(2-辛基苯胺)、聚(2-異丁基苯胺)、聚(3-異丁基苯胺)、聚(2-苯胺磺酸)、聚(3-苯胺磺酸)等。上述導(dǎo)電高分子既可以以單獨(dú)用于陽極100或陰極IOI，又可以為調(diào)節(jié)膜特性而添加有機(jī)樹脂以形成導(dǎo)電組合物來使用。只要可以與導(dǎo)電高分子相容或混合分散，有機(jī)樹脂就可以是熱固性樹脂、熱塑性樹脂、或光固化性樹脂。例如，可以舉出聚酯類樹脂如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等；聚酰亞胺類樹脂如聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺等；聚酰胺樹脂如聚酰胺6、聚酰胺6，6、聚酰胺12、聚酰胺11等；氟樹脂如聚偏二氟乙烯、聚氟化乙烯、聚四氟乙烯、乙烯_四氟乙烯共聚物、聚氯三氟乙烯等；乙烯基樹脂如聚乙烯醇、聚乙烯醚、聚乙烯醇縮丁醛、聚醋酸乙烯酯、聚氯乙烯等；環(huán)氧樹脂；二甲苯樹脂；芳族聚酰胺樹脂凍氨酯類樹脂凍脲類樹脂；蜜胺樹脂；酚醛類樹脂凍醚；丙烯酸類樹脂；以及它們的共聚物等。再者，為了調(diào)節(jié)上述導(dǎo)電高分子或?qū)щ娊M合物的電導(dǎo)率，也可以通過摻雜受體摻雜劑或供體摻雜劑，來改變共軛導(dǎo)電高分子的共軛電子的氧化還原電位。作為受體摻雜劑，可以使用鹵素化合物、有機(jī)氰基化合物、有機(jī)金屬化合物等。作為鹵素化合物，可以舉出氯、溴、碘、氯化碘、溴化碘、氟化碘等。作為有機(jī)氰基化合物，可以使用在共軛鍵中包含兩個以上的氰基的化合物。此外，還可以使用五氟化磷、五氟化砷、五氟化銻、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼等、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、氟硼酸、氫氟酸、高氯酸等的無機(jī)酸、有機(jī)羧酸、有機(jī)磺酸等的有機(jī)酸。作為有機(jī)羧酸及有機(jī)磺酸，可以使用上述羧酸化合物及磺酸化合物。例如，可以舉出四氰基乙烯、四氰基乙烯氧化物、四氰基苯、四氰基quinodimethane、四氰基氮雜萘等。作為供體摻雜劑，可以舉出堿金屬、堿土金屬等。可以通過將上述導(dǎo)電高分子或?qū)щ娊M合物溶解于水或有機(jī)溶劑(醇類溶劑、酮類溶劑、酯類溶劑、烴類溶劑、芳香類溶劑等)并且利用濕法來形成用作陽極100或陰極101的薄膜。對用來溶解上述導(dǎo)電高分子或?qū)щ娊M合物的溶劑沒有特別的限制，使用溶解上述導(dǎo)電高分子及有機(jī)樹脂等的高分子樹脂化合物的溶劑即可。例如，可溶解于水、甲醇、乙醇、碳酸亞丙酯J-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、環(huán)己酮、丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、甲苯等單獨(dú)一種或它們的混合溶劑。可以在上述那樣將導(dǎo)電組合物溶解于溶劑中之后，通過涂布法、涂敷法、液滴噴射法(也稱為噴墨法)、印刷法等的濕法，來形成由導(dǎo)電組合物構(gòu)成的膜。既可以進(jìn)行熱處理來使溶劑干燥，又可以在減壓下使溶劑干燥。另外，在有機(jī)樹脂具有熱固化性的情況下，進(jìn)一步進(jìn)行加熱處理，而在有機(jī)樹脂具有光固化性的情況下，進(jìn)行光照射處理即可。另外，通過改變陽極100、陰極101的材料，本實(shí)施方式的發(fā)光元件可以提供各種各樣的變化。例如，通過使陽極100具有透光性，得到從陽極100—側(cè)射出光的結(jié)構(gòu)，另外，通過使陽極100具有遮光性(尤其為反射性)并使陰極101具有透光性，得到從陰極101一側(cè)射出光的結(jié)構(gòu)。再者，通過使陽極100及陰極101的雙方具有透光性，也可以得到從陽極一側(cè)和陰極一側(cè)的雙方射出光的結(jié)構(gòu)。如上所述的本實(shí)施方式的發(fā)光元件可以成為能夠?qū)崿F(xiàn)長使用壽命化的發(fā)光元件。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，作為使用實(shí)施方式1所說明的發(fā)光元件而制造的發(fā)光裝置的一個例子，說明無源矩陣型發(fā)光裝置及有源矩陣型發(fā)光裝置。圖3A至3D和圖4示出無源矩陣型發(fā)光裝置的例子。在無源矩陣型(也稱為單純矩陣型)發(fā)光裝置中，并列為條形(帶形)的多個陽極和并列為條形的多個陰極被設(shè)置為互相正交，并且發(fā)光層被夾住在其交叉部。從而，在被選擇(施加了電壓)的陽極和被選擇的陰極的交叉點(diǎn)上的像素點(diǎn)亮。圖3A至3C是示出密封之前的像素部的俯視圖的圖，而圖3D是沿著圖3A至3C中的虛線A-A'切斷的截面圖。在襯底601上作為基底絕緣層而形成絕緣層602。另外，若不需要基底絕緣層，則不必特意形成絕緣層602。在絕緣層602上以條形等間距地配置有多個第一電極603(參照22圖3A)。注意，第一電極603相當(dāng)于實(shí)施方式1所示的陽極100。另外，在第一電極603上設(shè)置有具有對應(yīng)于各像素的開口部的分隔壁604。具有開口部的分隔壁604由絕緣材料(光敏或非光敏有機(jī)材料(聚酰亞胺、丙烯酸類、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑或苯并環(huán)丁烯)或SOG膜(例如，包含烷基的氧化硅膜))構(gòu)成。注意，對應(yīng)于各像素的開口部605成為發(fā)光區(qū)域(參照圖3B)。在具有開口部的分隔壁604上設(shè)置與第一電極603交叉并彼此平行的多個反錐形的分隔壁606(參照圖3C)。根據(jù)光刻法利用未被曝光的部分作為圖案而留下的正型光敏樹脂，并通過調(diào)節(jié)曝光量或顯影時間，以使圖案下方的部分更多地受到蝕刻，來形成反錐形的分隔壁606。在如圖3C所示形成反錐形的分隔壁606之后，如圖3D所示依次形成EL層607及第二電極608。另外，本實(shí)施方式所示的EL層607相當(dāng)于實(shí)施方式1中所示的EL層103，至少包括發(fā)光層，并且發(fā)光層通過從陽極一側(cè)層疊第一發(fā)光層以及接觸于第一發(fā)光層的第二發(fā)光層的兩層來構(gòu)成。注意，在本實(shí)施方式中，第二電極608相當(dāng)于實(shí)施方式1的陰極101。將具有開口部的分隔壁604及反錐形的分隔壁606加在一起的高度被設(shè)定得大于EL層607及第二電極608的膜厚度，所以如圖3D所示形成分離為多個區(qū)域的EL層607、第二電極608。注意，分離為多個的區(qū)域彼此電獨(dú)立。第二電極608是在與第一電極603交叉的方向上延伸的彼此平行的條形電極。另外，在反錐形的分隔壁606上也形成EL層607的一部分及用來形成第二電極608的導(dǎo)電層的一部分，但是它們與EL層607及第二電極608分開。另外，若有需要，則也可以使用密封劑等粘合劑將密封罐或玻璃襯底等的密封材料貼合到襯底601來進(jìn)行密封，以將發(fā)光元件配置在被密封的空間中。因此，可以防止發(fā)光元件的退化。注意，還可以對被密封的空間填充填充劑或干燥了的惰性氣體。再者，還可以對襯底和密封材料之間封入干燥劑等，以防止水分等所引起的發(fā)光元件的退化。借助于干燥劑而清除少量的水分，以充分干燥。另外，作為干燥劑，可以使用通過化學(xué)吸附來吸收水分的物質(zhì)如氧化鈣或氧化鋇等的堿土金屬的氧化物。作為其他干燥劑，也可以使用通過物理吸附來吸附水分的物質(zhì)如沸石、硅膠等。接下來，圖4示出當(dāng)在圖3A至3D所示的無源矩陣型發(fā)光裝置安裝FPC等時的俯視圖。在圖4中，構(gòu)成圖像顯示的像素部具有彼此正交的掃描線組和數(shù)據(jù)線組。這里，圖3A至3D中的第一電極603相當(dāng)于圖4中的掃描線703，且圖3A至3D中的第二電極608相當(dāng)于圖4中的數(shù)據(jù)線708，并且反錐形的分隔壁606相當(dāng)于分隔壁706。在數(shù)據(jù)線708和掃描線703之間夾有圖3A至3D所示的EL層607，并且由區(qū)域705表示的交叉部對應(yīng)于一個像素。另外，掃描線703在布線端部與連接布線709電連接，且連接布線709通過輸入端子710連接到FPC711b。并且，數(shù)據(jù)線708通過輸入端子712連接到FPC711a。此外，若有必要，則也可以在射出面上適當(dāng)?shù)卦O(shè)置光學(xué)薄膜例如偏振片、或圓偏振片(包括橢圓偏振片)、相位差片(A/4片、A/2片)、濾色器等。另外，也可以在偏振片或圓偏振片上設(shè)置抗反射膜。例如，可以執(zhí)行防眩光處理(anti-glaretreatment)，該防眩光處理是通過利用表面的凹凸使反射光漫射，而可以降低反射眩光的處理。另外，雖然在圖4中示出了在襯底上不設(shè)置驅(qū)動電路的例子，但是，也可以在襯底上安裝具有驅(qū)動電路的IC芯片。此外，在安裝IC芯片的情況下，利用COG方式在像素部的周圍(外側(cè))區(qū)域中分別安裝數(shù)據(jù)線側(cè)IC和掃描線側(cè)IC，該數(shù)據(jù)線側(cè)IC和掃描線側(cè)IC形成有用來將各信號傳送到像素部的驅(qū)動電路。作為COG方式以外的安裝技術(shù)，還可以采用TCP或引線接合方式來進(jìn)行安裝。TCP是一種安裝有IC的TAB帶，并且通過將TAB帶連接到形成元件的襯底上的布線來安裝IC。數(shù)據(jù)線側(cè)IC及掃描線側(cè)IC可以使用硅襯底，也可以使用在其上形成了由TFT形成的驅(qū)動電路的玻璃襯底、石英襯底、或塑料襯底。接著，使用圖5A和5B說明有源矩陣型發(fā)光裝置的例子。另外，圖5A是表示發(fā)光裝置的俯視圖，而圖5B是沿著圖5A的虛線A-A'切斷的截面圖。根據(jù)本實(shí)施方式的有源矩陣型發(fā)光裝置包括設(shè)置在元件襯底801上設(shè)置的像素部802、驅(qū)動電路部(源極側(cè)驅(qū)動電路)803以及驅(qū)動電路部(柵極側(cè)驅(qū)動電路)804。將像素部802、驅(qū)動電路部803及驅(qū)動電路部804用密封劑805密封在元件襯底801和密封襯底806之間。此外，在元件襯底801上設(shè)置用于連接外部輸入端子的引導(dǎo)布線807，該外部輸入端子將來自外部的信號(例如，視頻信號、時鐘信號、起始信號、或者復(fù)位信號等)或電位傳送到驅(qū)動電路部803及驅(qū)動電路部804。在此，示出了作為外部輸入端子而設(shè)置FPC(柔性印刷電路)808的例子。注意，雖然在此僅示出了FPC，但是也可以在該FPC安裝有印刷線路板(PWB)。本說明書中的發(fā)光裝置不僅包括發(fā)光裝置主體，而且包括其中安裝有FPC或PWB的狀態(tài)。接著，參照圖5B說明截面結(jié)構(gòu)。雖然在元件襯底801上形成有驅(qū)動電路部以及像素部，但是在此示出作為源極側(cè)驅(qū)動電路的驅(qū)動電路部803和像素部802。示出在驅(qū)動電路部803中形成有組合n溝道型TFT809和p溝道型TFT810而成的CMOS電路的例子。此外，形成驅(qū)動電路部的電路也可以由多種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，雖然在本實(shí)施方式中，示出了將驅(qū)動電路形成在襯底上的驅(qū)動器一體型，但是并不一定要如此，也可以將驅(qū)動電路形成在外部而不形成在襯底上。此外，像素部802由多個像素形成，該多個像素分別包括開關(guān)TFT811、電流控制TFT812和電連接到電流控制TFT812的布線(源電極或漏電極)的陽極813。注意，覆蓋陽極813的端部地形成有絕緣物814。在此，絕緣物814通過采用正型光敏丙烯酸樹脂來形成。此外，為了改善層疊形成在上層的膜的覆蓋性，而優(yōu)選在絕緣物814的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，在使用正型光敏丙烯酸樹脂作為絕緣物814的材料的情況下，優(yōu)選將絕緣物814成型為其上端部具有有曲率半徑(0.2iim至3iim)的曲面。此外，因感光性的光而變得不溶于蝕刻劑的負(fù)型光敏材料或因感光性的光而變得可溶于蝕刻劑的正型光敏材料都可用于絕緣物814，并且除了有機(jī)化合物以外，還可以使用諸如氧化硅、氧氮化硅等無機(jī)化合物。在陽極813上層疊形成有EL層815及陰極816。另外，當(dāng)使用ITO膜作為陽極813，并且使用氮化鈦膜和包含鋁作為其主要成分的膜的疊層膜或者氮化鈦膜、包含鋁作為其主要成分的膜和氮化鈦膜的疊層膜作為連接到陽極813的電流控制TFT812的布線時，該布線的電阻低，并且可以得到良好的與ITO膜的歐姆接觸。注意，雖然在此未圖示，但是陰極816電連接到作為外部輸入端子的FPC808。如上所述，發(fā)光元件由陽極813、EL層815及陰極816構(gòu)成，但是，因?yàn)閷Πl(fā)光元件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)及材料已在實(shí)施方式1中進(jìn)行說明，所以省略重復(fù)說明。注意，圖5A和5B中的陽極813、EL層815以及陰極816分別相當(dāng)于實(shí)施方式1所示的陽極100、EL層103、陰極101。此外，雖然在圖5B所示的截面圖中僅圖示出一個發(fā)光元件817，但是在像素部802中，以矩陣形狀配置有多個發(fā)光元件。在像素部802中分別選擇性地形成能夠得到三種(R、G、B)發(fā)光的發(fā)光元件，而可以形成能夠進(jìn)行全彩色顯示的發(fā)光裝置。此外，也可以通過與濾色器的組合來形成能夠進(jìn)行全彩色顯示的發(fā)光裝置。再者，通過利用密封劑805將密封襯底806和元件襯底801貼合在一起，得到在由元件襯底801、密封襯底806及密封劑805包圍的空間818中具備發(fā)光元件817的結(jié)構(gòu)。除了有空間818填充有惰性氣體(氮、氬等)的結(jié)構(gòu)以外，還有空間818填充有密封劑805的結(jié)構(gòu)。注意，優(yōu)選使用環(huán)氧類樹脂作為密封劑805。另外，這些材料優(yōu)選為允許水分、氧盡可能地不滲入的材料。此外，作為用于密封襯底806的材料，除了玻璃襯底、石英襯底以外，還可以使用由FRP(玻璃纖維增強(qiáng)塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸等構(gòu)成的塑料襯底。如上所述，可以得到有源矩陣型發(fā)光裝置。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以適當(dāng)?shù)亟M合其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)而使用。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，參照圖6A至6E而說明通過利用實(shí)施方式2所示的發(fā)光裝置來完成的各種各樣的電子設(shè)備以及照明設(shè)備。作為本實(shí)施方式所示的電子設(shè)備，例如可以舉出電視裝置(也稱為電視或電視接收機(jī))、用于計(jì)算機(jī)等的監(jiān)視器、數(shù)碼相機(jī)或數(shù)碼攝影機(jī)等影像拍攝裝置、數(shù)碼相框、移動電話機(jī)(也稱為移動電話、移動電話裝置)、便攜式游戲機(jī)、便攜式信息終端、聲音再現(xiàn)裝置、彈珠機(jī)等的大型游戲機(jī)等。圖6A至6E示出這些電子設(shè)備以及照明設(shè)備的具體例子。圖6A示出電視裝置9100的一個例子。在電視裝置9100中，框體9101安裝有顯示部9103。由顯示部9103可以顯示圖像，并且可以將實(shí)施方式2所示的發(fā)光裝置用于顯示部9103。此外，在此示出利用支持架9105支撐框體9101的結(jié)構(gòu)。可以通過利用框體9101所具備的操作開關(guān)、另行提供的遙控操作機(jī)9110進(jìn)行電視裝置9100的操作。通過利用遙控操作機(jī)9110所具備的操作鍵9109，可以進(jìn)行頻道和音量的操作，并且可以對顯示于顯示部9103上的圖像進(jìn)行操作。此外，也可以采用在遙控操作機(jī)9110中設(shè)置顯示從該遙控操作機(jī)9110輸出的信息的顯示部9107的結(jié)構(gòu)。注意，電視裝置9100采用具備接收機(jī)、調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)。通過利用接收機(jī)，可以接收一般的電視廣播。再者，通過調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，可以進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間等)的信息通信。另外，因?yàn)閼?yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置是使用壽命長的發(fā)光裝置，所以通過將其用于電視裝置的顯示部9103，可以提供使用壽命長的電視裝置。此外，因?yàn)榘l(fā)光裝25置呈現(xiàn)良好的色度，所以通過將發(fā)光裝置用于電視裝置的顯示部9103，可以顯示圖像質(zhì)量提高了的圖像。圖6B示出計(jì)算機(jī)，其包括主體9201、框體9202、顯示部9203、鍵盤9204、外部連接端口9205、鼠標(biāo)9206等。注意，計(jì)算機(jī)通過將應(yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置用于其顯示部9203來制造。注意，因?yàn)閼?yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置是使用壽命長的發(fā)光裝置，所以通過將其用于計(jì)算機(jī)的顯示部9203，可以提供使用壽命長的計(jì)算機(jī)。此外，因?yàn)榘l(fā)光裝置呈現(xiàn)良好的色度，所以通過將發(fā)光裝置用于計(jì)算機(jī)的顯示部9203，可以顯示圖像質(zhì)量提高了的圖像。圖6C示出便攜式游戲機(jī)，其由框體9301和框體9302的兩個框體構(gòu)成，并且它們通過連接部9303連接為能夠開閉。在框體9301中安裝有顯示部9304，而在框體9302中安裝有顯示部9305。此外，圖6C所示的便攜式游戲機(jī)還具備操作鍵9309、連接端子9310、傳感器9311(包括測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動圈數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線等)、麥克風(fēng)9312等輸入手段。此外，還可以具備揚(yáng)聲器部9306、記錄介質(zhì)插入部9307、LED燈9308等。當(dāng)然，便攜式游戲機(jī)的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu)，而只要至少在顯示部9304及顯示部9305的雙方或一方中使用通過應(yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置，即可，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有其它附屬設(shè)備的結(jié)構(gòu)。圖6C所示的便攜式游戲機(jī)具有將儲存在記錄介質(zhì)中的程序或者數(shù)據(jù)讀出并顯示在顯示部上的功能、通過與其他便攜式游戲機(jī)之間進(jìn)行無線通信以共享信息的功能。注意，圖6C所示的便攜式游戲機(jī)所具有的功能不局限于此，而可以具有各種各樣的功能。注意，因?yàn)閼?yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置實(shí)現(xiàn)長使用壽命化，所以通過將其用于便攜式游戲機(jī)的顯示部(9304、9305)，可以提供使用壽命長的便攜式游戲機(jī)。此外，因?yàn)榘l(fā)光裝置呈現(xiàn)良好的色度，所以通過將發(fā)光裝置用于便攜式游戲機(jī)的顯示部(9304、9305)，可以顯示圖像質(zhì)量提高了的圖像。圖6D示出移動電話機(jī)的一個例子。移動電話機(jī)9500除了具備安裝在框體9501中的顯示部9502之外，還具備操作按鈕9503、外部連接端口9504、揚(yáng)聲器9505、麥克風(fēng)9506等。另外，移動電話機(jī)9500通過將應(yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置用于顯示部9502來制造o圖6D所示的移動電話機(jī)9500可以通過利用手指等觸摸顯示部9502來輸入信息。此外，可以通過利用手指等觸摸顯示部9502來進(jìn)行打電話或制作電子郵件等的操作。顯示部9502的畫面主要有如下三種模式第一是以圖像的顯示為主的顯示模式；第二是以文字等信息的輸入為主的輸入模式；第三是混合了顯示模式和輸入模式的兩種模式的顯示及輸入模式。例如，在打電話或制作電子郵件的情況下，可以將顯示部9502設(shè)定為以文字的輸入為主的文字輸入模式，并進(jìn)行顯示在畫面上的文字的輸入操作，即可。在此情況下，優(yōu)選的是，在顯示部9502的畫面的大部分上顯示鍵盤或者號碼按鈕。另外，通過在移動電話機(jī)9500內(nèi)部設(shè)置具有回轉(zhuǎn)儀、加速度傳感器等檢測傾斜度的傳感器的檢測裝置，判斷移動電話機(jī)9500的方向(豎向還是橫向)，而可以對顯示部269502的畫面顯示進(jìn)行自動切換。此外，通過觸摸顯示部9502或利用框體9501的操作按鈕9503進(jìn)行操作，來切換畫面模式。還可以根據(jù)顯示在顯示部9502上的圖像種類而切換畫面模式。例如，當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號為動態(tài)圖像的數(shù)據(jù)時，將畫面模式切換成顯示模式，而當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號為文字?jǐn)?shù)據(jù)時，將畫面模式切換成輸入模式。另外，當(dāng)在輸入模式中通過檢測出顯示部9502的光傳感器所檢測的信號得知在一定期間中沒有利用顯示部9502的觸摸操作的輸入時，也可以以將畫面模式從輸入模式切換成顯示模式的方式進(jìn)行控制。顯示部9502還可作為圖像傳感器發(fā)揮功能。例如，通過利用手掌或手指觸摸顯示部9502，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進(jìn)行個人識別。此外，通過在顯示部中使用發(fā)射近紅外光的背光燈或發(fā)射近紅外光的感測光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。注意，因?yàn)閼?yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置是使用壽命長的發(fā)光裝置，所以通過將其用于移動電話機(jī)的顯示部9502，可以提供使用壽命長的移動電話機(jī)。此外，因?yàn)榘l(fā)光裝置呈現(xiàn)良好的色度，所以通過將發(fā)光裝置用于移動電話機(jī)的顯示部9502，可以顯示圖像質(zhì)量提高了的圖像。圖6E示出臺式照明設(shè)備，其包括照明部9401、燈罩9402、可調(diào)臂(adjustab1earm)9403、支柱9404、底座(base)9405、電源9406。注意，臺式照明設(shè)備通過將應(yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置用于照明部9401來制造。注意，照明設(shè)備還包括天花板固定型照明設(shè)備或者壁掛型照明設(shè)備等。注意，因?yàn)閼?yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置實(shí)現(xiàn)長使用壽命化，所以通過將其應(yīng)用于臺式照明設(shè)備的照明部9401，可以提供使用壽命長的臺式照明設(shè)備。圖7示出將應(yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置用于室內(nèi)照明裝置1001的例子。因?yàn)樯鲜鰧?shí)施方式所示的發(fā)光裝置還可以實(shí)現(xiàn)大面積化，所以可以用于大面積的照明裝置。此外，上述實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置可以實(shí)現(xiàn)薄型化，所以也可以用于巻動型照明裝置1002。注意，應(yīng)用上述實(shí)施方式而形成的發(fā)光裝置具有使用壽命長的發(fā)光元件，所以可以用于使用壽命長的照明裝置。注意，如圖7所示，也可以在具備室內(nèi)照明裝置1001的房間內(nèi)同時使用圖6E所說明的臺式照明設(shè)備1003。如上所述，通過應(yīng)用上述實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置，可以得到電子設(shè)備、照明設(shè)備。該發(fā)光裝置的應(yīng)用范圍極為寬，而可以應(yīng)用于所有領(lǐng)域的電子設(shè)備。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以適當(dāng)?shù)亟M合其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)而使用。實(shí)施例l在示出對照元件的結(jié)果的同時說明實(shí)施例1的發(fā)光元件。注意，將在本實(shí)施例中使用的有機(jī)化合物的分子結(jié)構(gòu)示出于以下的結(jié)構(gòu)式(10)至(16)。元件結(jié)構(gòu)與圖2同樣。(10)PCBAPAPCBANB(12)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>(16)下面，示出發(fā)光元件1、發(fā)光元件2、對照發(fā)光元件1以及對照發(fā)光元件2的制造方法。首先，準(zhǔn)備玻璃襯底，其上作為陽極100以110nm的膜厚度形成有由銦錫硅氧化物(ITS0)構(gòu)成的膜。以2mm平方的大小露出其表面的方式使用聚酰亞胺膜覆蓋ITS0表面的四周，并且將電極面積設(shè)定為2mmX2mm。作為用來在該襯底上形成發(fā)光元件的預(yù)處理，用水洗滌襯底表面，在20(TC下焙燒1小時，然后進(jìn)行370秒的UV臭氧處理。之后，將襯底引入在其內(nèi)部壓力降低到10—4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，在真空蒸鍍裝置內(nèi)的加熱室中在17(TC下進(jìn)行30分鐘的真空焙燒。然后，將襯底放置冷卻30分鐘左右。隨后，將襯底固定到設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的支架，以使形成有ITSO的面朝下。在將真空蒸鍍裝置內(nèi)的壓力降低到10—乍a之后，將結(jié)構(gòu)式(10)所表示的4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPB)和氧化鉬(VI)共蒸鍍以滿足NPB:氧化鉬(VI)=4:l(質(zhì)量比)，從而形成空穴注入層104。將其膜厚度設(shè)定為50nm。注意，共蒸鍍是一種將多種不同的物質(zhì)從各自不同的蒸發(fā)源同時蒸發(fā)的蒸鍍法。接著，將NPB蒸鍍?yōu)?0nm，以形成空穴傳輸層105。再者，在空穴傳輸層105上形成第一發(fā)光層102a。對發(fā)光元件1及發(fā)光元件2來說，通過共蒸鍍作為第一發(fā)光物質(zhì)的上述結(jié)構(gòu)式(11)所表示的4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-冊-咔唑-3_基)三苯胺(簡稱PCBAPA)和作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物的上述結(jié)構(gòu)式(12)所表示的4-(l-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBANB)來形成第一發(fā)光層102a。對第一發(fā)光層102a中它們的質(zhì)量比來說，在發(fā)光元件1中，PCBAPA:PCBANB=1:0.5的方式進(jìn)行成膜，并且在發(fā)光元件2中，PCBAPA:PCBANB=1:2的方式進(jìn)行成膜(都是質(zhì)量比)。此外，在對照發(fā)光元件1中，蒸鍍PCBAPA并以其為第一發(fā)光層102a，并且在對照發(fā)光元件2中，蒸鍍PCBANB并以其為第一發(fā)光層102a。在各發(fā)光元件中，將第一發(fā)光層102a的膜厚度設(shè)定為25nm。接著，在各發(fā)光元件的第一發(fā)光層102a上通過共蒸鍍作為電子傳輸性的有機(jī)化合物的上述結(jié)構(gòu)式(13)所表示的9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPA)和作為第二發(fā)光物質(zhì)的上述結(jié)構(gòu)式(14)所表示的4-(l-萘基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)-4〃-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBNAPA)來形成第二發(fā)光層102b。由此，形成由第一發(fā)光層102a和第二發(fā)光層102b構(gòu)成的發(fā)光層102。注意，將第二發(fā)光層102b中的CzPA和PCBNAPA的質(zhì)量比設(shè)定為CzPA:PCBNAPA=1:0.l，并且將第二發(fā)光層102b的膜厚度設(shè)定為30nm。接著，通過將上述結(jié)構(gòu)式(15)所表示的三(8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱Alq)蒸鍍?yōu)?0nm，并且將上述結(jié)構(gòu)式(16)所表示的紅菲咯啉(簡稱BPhen)蒸鍍?yōu)?5nm，來形成電子傳輸層106。再者，通過在電子傳輸層106上將氟化鋰形成為lnm，來形成電子注入層107。最后，將鋁形成為200nm而作為陰極101，以完成發(fā)光元件。在上述的蒸鍍過程中，作為蒸鍍都使用電阻加熱法。將如上所述制造的發(fā)光元件1、發(fā)光元件2、對照發(fā)光元件1及對照發(fā)光元件2的元件結(jié)構(gòu)示出于表1。在此，發(fā)光元件1及發(fā)光元件2是具有實(shí)施方式1所記載的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。此外，對照發(fā)光元件1具有設(shè)置有由作為第一發(fā)光物質(zhì)的PCBAPA構(gòu)成的第一發(fā)光層102a的結(jié)構(gòu)，并且對照發(fā)光元件2具有設(shè)置有由作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物的PCBANB構(gòu)成的第一發(fā)光層102a的結(jié)構(gòu)。30裙Al200nmAl200n邁Al200nmAl200nm電子注入層工sG日-J—日—d日一d專輸層BPhenBPhen15nmBPhen15nmBPhen15nm電子45!5!第二發(fā)光層CzPA:PCBNAPA(=1:0.1)30mnCzPA:PCBNAPA(=1:0.1)30nmCzPA:PCBNAPA(=1:0.1)30nmCzPA:PCBNAPA(=1:0.1)30nm第一發(fā)光層PCBAPA:PCBANB(=1:0.5)25nmPCBAPA:PCBANB(=1:2)25nmPCBAPA25nmPCBANB25nm空穴傳輸層i!NPBlOnmNPBlOmn空穴注入層NPB:MoOx(-4:1)50n邁NPB:MoOx(-4:1)50nmNPB:MoOx(=4:1)50nm裙ITSOllOmnITSOllOnmITSOllOnmITSOllOnm發(fā)光元件1發(fā)光元件2對照發(fā)光元件1對照發(fā)光元件24在對通過上述方式而得到的發(fā)光元件1、發(fā)光元件2、對照發(fā)光元f光元件2在氮?dú)夥盏氖痔紫鋬?nèi)進(jìn)行密封工作以使這些發(fā)光元件不暴露于大發(fā)些照這對對m之牛氣發(fā)光元件的工作特性進(jìn)行測定。注意，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進(jìn)行測定。圖8示出各發(fā)光元件的電流密度_亮度特性，圖9示出電壓_亮度特性，圖10示出亮度-外量子效率特性。此外，表2示出1000cd/tf附近的各發(fā)光元件的電壓、外量子效率、色度以及發(fā)光峰值波長。表2亮度(cd/m2)電壓(V)外量子效率(％)色度(x，y)發(fā)光峰值波長(rim)發(fā)光元件111304.44.64(0.15,0.19)466發(fā)光元件210104.64.93(0.15,0.20)471對照發(fā)光元件19104.44.51(0.15,0.22)472對照發(fā)光元件211204.65.15(0.15,0.15)461根據(jù)圖10及表2，發(fā)光元件1及發(fā)光元件2得到比對照發(fā)光元件1高的外量子效率。此外，發(fā)光元件1及發(fā)光元件2得到其色度比對照發(fā)光元件1良好的藍(lán)色發(fā)光。可以認(rèn)為這是因?yàn)槿缦戮壒试诎l(fā)光元件1及發(fā)光元件2中，第一發(fā)光層102a包含第一發(fā)光物質(zhì)(在本實(shí)施例中，是PCBAPA)和空穴傳輸性的有機(jī)化合物(在本實(shí)施例中，是PCBANB)，所以在第一發(fā)光層102a中控制電子的傳輸，而在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的界面附近形成發(fā)光區(qū)域，另一方面，在第一發(fā)光層由第一發(fā)光物質(zhì)的單膜構(gòu)成的對照發(fā)光元件1中，在第一發(fā)光層102a中容易進(jìn)行電子的傳輸，而可能會在第一發(fā)光層102a的整個區(qū)域中形成發(fā)光區(qū)域。此外，對所制造的發(fā)光元件1、發(fā)光元件2、對照發(fā)光元件1以及對照發(fā)光元件2進(jìn)行可靠性測試。在可靠性測試中，在起始亮度為1000cd/tf且電流密度為一定的條件下，驅(qū)動這些元件，并且，每經(jīng)過一定時間，測定亮度。圖ll示出通過可靠性測試而得到的結(jié)果。在圖ll中，橫軸表示通電時間(小時)，而縱軸表示在每個時間中的相對于起始亮度的亮度的比例，即歸一化亮度(％)。根據(jù)圖11，在930小時的驅(qū)動后，發(fā)光元件1也保持起始亮度的76%的亮度，并且，發(fā)光元件2也保持起始亮度的72%的亮度。另一方面，930小時的驅(qū)動后的對照發(fā)光元件1保持起始亮度的71%的亮度，但是對照發(fā)光元件2退化到起始亮度的65%的亮度。因而，可知如下事實(shí)發(fā)光元件1及發(fā)光元件2與本實(shí)施例所示的對照發(fā)光元件、尤其是對照發(fā)光元件2相比，不容易發(fā)生時間的經(jīng)過所引起的亮度的降低，而使用壽命長。在發(fā)光元件1及發(fā)光元件2中，第一發(fā)光層102a包含具有與第二發(fā)光層102b所包含的電子傳輸性的有機(jī)化合物(在本實(shí)施例中，是CzPA)相同程度的LUMO能級的第一發(fā)光物質(zhì)，所以在第二發(fā)光層102b和第一發(fā)光層102a之間容易進(jìn)行電子的傳輸。另一方面，對第一發(fā)光層102a由空穴傳輸性的有機(jī)化合物的單膜構(gòu)成的對照發(fā)光元件2來說，注入勢壘高，而不容易注入電子，所以在第一發(fā)光層102a和第二發(fā)光層102b的界面蓄積電子，而發(fā)生發(fā)光元件的歷時退化。32根據(jù)上述事實(shí)，本實(shí)施例所示的發(fā)光元件1及發(fā)光元件2可以成為實(shí)現(xiàn)了發(fā)光效率的改善及長使用壽命化的發(fā)光元件。此外，本實(shí)施例所示的發(fā)光元件1及發(fā)光元件2也可以成為色純度高的發(fā)光元件。實(shí)施例2在本實(shí)施例中，在示出對照元件的結(jié)果的同時說明具有與實(shí)施例1不同的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。此外，將在本實(shí)施例中使用的有機(jī)化合物的分子結(jié)構(gòu)示出于以下的結(jié)構(gòu)式(17)。注意，省略對于已在其他實(shí)施例中示出分子結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物的記載。元件結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1同樣，而參照圖2。PCBA1BP(17)下面，示出本實(shí)施例的發(fā)光元件3、發(fā)光元件4、發(fā)光元件5以及對照發(fā)光元件3的制造方法。注意，本實(shí)施例所示的對照發(fā)光元件1以與實(shí)施例1所示的對照發(fā)光元件1同樣的制造方法來制造。發(fā)光元件3、發(fā)光元件4、發(fā)光元件5以及對照發(fā)光元件3都直到形成空穴傳輸層105為止與實(shí)施例1所示的發(fā)光元件1、2及對照發(fā)光元件1、2同樣地制造。接著，在各發(fā)光元件中，在空穴傳輸層105上形成第一發(fā)光層102a。對發(fā)光元件3、發(fā)光元件4及發(fā)光元件5來說，通過共蒸鍍作為第一發(fā)光物質(zhì)的4-(10_苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-冊-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBAPA)和作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物的上述結(jié)構(gòu)式(17)所表示的4-苯基-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)來形成第一發(fā)光層102a。對第一發(fā)光層102a中它們的質(zhì)量比來說，在發(fā)光元件3中，以PCBAPA:PCBA1BP=1:0.5的方式進(jìn)行成膜，并在發(fā)光元件4中，PCBAPA:PCBA1BP=1:1的方式進(jìn)行成膜，并且在發(fā)光元件5中，PCBAPA:PCBA1BP=1:2的方式進(jìn)行成膜(都是質(zhì)量比)。此外，在對照發(fā)光元件3中，蒸鍍PCBA1BP并以其為第一發(fā)光層102a。在各發(fā)光元件中，將第一發(fā)光層102a的膜厚度設(shè)定為25nm。接著，在第一發(fā)光層102a上層疊第二發(fā)光層102b，以形成由第一發(fā)光層102a及第二發(fā)光層102b構(gòu)成的發(fā)光層102。之后，在發(fā)光層102上按順序?qū)盈B電子傳輸層106、電子注入層107以及陰極101，以完成發(fā)光元件或者對照發(fā)光元件。這些層與實(shí)施例1所示的發(fā)光元件1、2以及對照發(fā)光元件1、2同樣地制造。將如上所述制造的發(fā)光元件3、發(fā)光元件4、發(fā)光元件5、對照發(fā)光元件1及對照發(fā)光元件3的元件結(jié)構(gòu)示出于表3。在此，發(fā)光元件3、發(fā)光元件4及發(fā)光元件5是具有實(shí)施方式1所記載的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。此外，對照發(fā)光元件1具有設(shè)置有由作為第一發(fā)光物質(zhì)的PCBAPA構(gòu)成的第一發(fā)光層102a的結(jié)構(gòu)，并且對照發(fā)光元件2具有設(shè)置有由作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物的PCBA1BP構(gòu)成的第一發(fā)光層102a的結(jié)構(gòu)。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>在對通過上述方式而得到的發(fā)光元件3、發(fā)光元件4、發(fā)光元件5、對照發(fā)光元件1以及對照發(fā)光元件3在氮?dú)夥盏氖痔紫鋬?nèi)進(jìn)行密封工作以使這些發(fā)光元件不暴露于大氣之后，對這些發(fā)光元件的工作特性進(jìn)行測定。注意，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進(jìn)行測定。圖12示出各發(fā)光元件的電流密度-亮度特性，圖13示出電壓-亮度特性，圖14示出亮度-外量子效率特性。此外，表4示出1000cd/tf附近的各發(fā)光元件的電壓、外量子效率、色度以及發(fā)光峰值波長。表4亮度(cd/m2)電壓(V)外量子效率(％)色度(x，y)發(fā)光峰值波長(nm)發(fā)光元件310104.64.66(0.15,0.20)471發(fā)光元件410504.84.79(0.15,0.19)472發(fā)光元件58604.84.84(0.15,0.20)471對照發(fā)光元件19104.44.51(0.15,0.22)472對照發(fā)光元件39404.84.80(0.15,0.15)461根據(jù)圖14及表4，發(fā)光元件3、發(fā)光元件4及發(fā)光元件5得到比對照發(fā)光元件1高的外量子效率。此外，發(fā)光元件3、發(fā)光元件4及發(fā)光元件5得到其色度比對照發(fā)光元件1良好的藍(lán)色發(fā)光?？梢哉J(rèn)為這是因?yàn)槿缦戮壒试诎l(fā)光元件3、發(fā)光元件4及發(fā)光元件5中，第一發(fā)光層102a包含第一發(fā)光物質(zhì)(在本實(shí)施例中，是PCBAPA)和空穴傳輸性的有機(jī)化合物(在本實(shí)施例中，是PCBA1BP)，所以在第一發(fā)光層102a中控制電子的傳輸，而在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的界面附近形成發(fā)光區(qū)域，另一方面，在第一發(fā)光層由第一發(fā)光物質(zhì)的單膜構(gòu)成的對照發(fā)光元件1中，在第一發(fā)光層中容易進(jìn)行電子的傳輸，而可能會在第一發(fā)光層102a的整個區(qū)域中形成發(fā)光區(qū)域。此外，對所制造的發(fā)光元件3、發(fā)光元件4、發(fā)光元件5、對照發(fā)光元件1以及對照發(fā)光元件3進(jìn)行可靠性測試。在可靠性測試中，在將起始亮度設(shè)定為1000cd/m2且電流密度為一定的條件下，驅(qū)動這些元件，并且，每經(jīng)過一定時間，測定亮度。圖15示出通過可靠性測試而得到的結(jié)果。在圖15中，橫軸表示通電時間(小時)，而縱軸表示在每個時間中的相對于起始亮度的亮度的比例，即歸一化亮度(％)。根據(jù)圖15，即便在930小時的驅(qū)動后，發(fā)光元件3也保持起始亮度的78%的亮度，并且，發(fā)光元件4及發(fā)光元件5也保持起始亮度的75%的亮度。另一方面，930小時的驅(qū)動后的對照發(fā)光元件1保持起始亮度的71%的亮度，但是對照發(fā)光元件3退化到起始亮度的64%的亮度。因而，可知如下事實(shí)發(fā)光元件3、發(fā)光元件4及發(fā)光元件5與本實(shí)施例所示的對照發(fā)光元件、尤其是對照發(fā)光元件3相比，不容易發(fā)生時間的經(jīng)過所引起的亮度的降低，而使用壽命長。在發(fā)光元件3、發(fā)光元件4及發(fā)光元件5中，第一發(fā)光層102a包含具有與第二發(fā)光36層102b所包含的電子傳輸性的有機(jī)化合物(在本實(shí)施例中，是CzPA)相同程度的LUMO能級的第一發(fā)光物質(zhì)，所以在第二發(fā)光層102b和第一發(fā)光層102a之間容易進(jìn)行電子的傳輸。另一方面，對第一發(fā)光層102a由空穴傳輸性的有機(jī)化合物的單膜構(gòu)成的對照發(fā)光元件3來說，注入勢壘高，而不容易注入電子，所以在第一發(fā)光層102a和第二發(fā)光層102b的界面蓄積電子，而發(fā)生發(fā)光元件的歷時退化。根據(jù)上述事實(shí)，本實(shí)施例所示的發(fā)光元件3、發(fā)光元件4及發(fā)光元件5可以成為實(shí)現(xiàn)了發(fā)光效率的改善及長使用壽命化的發(fā)光元件。此外，本實(shí)施例所示的發(fā)光元件3、發(fā)光元件4及發(fā)光元件5也可以成為色純度高的發(fā)光元件。實(shí)施例3在本實(shí)施例中，說明具有與實(shí)施例1、實(shí)施例2不同的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。注意，在本實(shí)施例中使用的有機(jī)化合物是已在其他實(shí)施例中示出分子結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物，所以省略其記載。元件結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1同樣，而參照圖2。以下說明本實(shí)施例的發(fā)光元件6的制造方法。注意，直到形成空穴傳輸層105為止與實(shí)施例1所示的發(fā)光元件1同樣地制造。接著，在空穴傳輸層105上，通過共蒸鍍作為第一發(fā)光物質(zhì)的4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBAPA)和作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物的4-(l-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBANB)來形成第一發(fā)光層102a。對第一發(fā)光層102a中它們的質(zhì)量比來說，以PCBAPA:PCBANB=1:1的方式進(jìn)行成膜(質(zhì)量比)。將第一發(fā)光層102a的膜厚度設(shè)定為25nm。接著，在第一發(fā)光層102a上層疊第二發(fā)光層102b，以形成由第一發(fā)光層102a及第二發(fā)光層102b構(gòu)成的發(fā)光層102。之后，在發(fā)光層102上按順序?qū)盈B電子傳輸層106、電子注入層107以及陰極101，以完成發(fā)光元件6。這些層與實(shí)施例1所示的發(fā)光元件1同樣地制造。將如上所示制造的發(fā)光元件6的元件結(jié)構(gòu)示出于表5。表5空穴注空穴傳第一發(fā)第二發(fā)光電子注陽極電子傳輸層陰極入層輸層光層層入層發(fā)NPB:PCBAPA:CzPA:光ITSOMoOx畫PCBANBPCBNAPAAlqBPhenLiFAl元11On(=4:1)10nm(=1:1)(=1:0.1)IO謂15nmlnm200nm件m650nra25nm30nm*混合比都是重量比在對通過上述方式而得到的發(fā)光元件6在氮?dú)夥盏氖痔紫鋬?nèi)進(jìn)行密封工作以使該發(fā)光元件不暴露于大氣之后，對該發(fā)光元件的工作特性進(jìn)行測定。注意，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進(jìn)行測定。37圖16示出發(fā)光元件的電流密度-亮度特性，圖17示出電壓-亮度特性，圖18示出亮度-外量子效率特性。此外，表6示出1000cd/tf附近的發(fā)光元件的電壓、外量子效率、色度以及發(fā)光峰值波長。表6電壓外量子效發(fā)光峰值波長亮度(cd/m2)色度(x，y)(V)率(％)(nm)發(fā)光元件611704.44.81(0.16,0.20)466根據(jù)圖18及表6可知，發(fā)光元件6得到高的外量子效率。此外，根據(jù)表6，發(fā)光元件6得到色度良好的藍(lán)色發(fā)光。可以認(rèn)為這是因?yàn)槿缦戮壒试诎l(fā)光元件6中，第一發(fā)光層102a包含第一發(fā)光物質(zhì)(在本實(shí)施例中，是PCBAPA)和空穴傳輸性的有機(jī)化合物(在本實(shí)施例中，是PCBANB)，所以在第一發(fā)光層102a中控制電子的傳輸，而在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的界面附近形成發(fā)光區(qū)域。此外，對所制造的發(fā)光元件6進(jìn)行可靠性測試。在可靠性測試中，在將起始亮度設(shè)定為1000cd/m2且電流密度為一定的條件下，驅(qū)動該元件，并且，每經(jīng)過一定時間，測定亮度。圖19示出通過可靠性測試而得到的結(jié)果。在圖19中，橫軸表示通電時間(小時)，而縱軸表示在各個時間中的相對于起始亮度的亮度的比例，即歸一化亮度(％)。根據(jù)圖19可知即便在1100小時的驅(qū)動后，發(fā)光元件6也保持起始亮度的86%的亮度，發(fā)光元件6不容易發(fā)生時間的經(jīng)過所引起的亮度的降低，而使用壽命長。可以認(rèn)為這是因?yàn)槿缦戮壒试诎l(fā)光元件6中，第一發(fā)光層102a包含具有與第二發(fā)光層102b所包含的電子傳輸性的有機(jī)化合物(在本實(shí)施例中，是CzPA)相同程度的LUMO能級的第一發(fā)光物質(zhì)，所以在第二發(fā)光層102b和第一發(fā)光層102a之間容易進(jìn)行電子的傳輸，而抑制電子蓄積在界面的現(xiàn)象。根據(jù)上述事實(shí)，本實(shí)施例所示的發(fā)光元件6可以成為實(shí)現(xiàn)了發(fā)光效率的改善及長使用壽命化的發(fā)光元件。此外，本實(shí)施例所示的發(fā)光元件6也可以成為色純度高的發(fā)光元件。實(shí)施例4在本實(shí)施例中，說明在其他實(shí)施例中使用的材料?！禤CBAPA的合成例》下面，記載在實(shí)施例1至實(shí)施例3中使用的結(jié)構(gòu)式(11)所表示的4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-冊-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBAPA)的合成方法的一個例子。[步驟1:9-苯基-9H-咔唑-3-硼酸的合成]將9-苯基-9H-咔唑-3-硼酸的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(a-l)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>將10g(31mmo1)的3_溴_9_苯基_9H_咔唑放在500mL的三口燒瓶中，并且對燒瓶的內(nèi)部進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。將150mL的四氫呋喃(THF)加入燒瓶中，來使3-溴-9-苯基-9H-咔唑溶解。將該溶液冷卻到-8(TC。從注射器將20mL(32mmo1)的正丁基鋰(1.58mol/L己烷溶液)滴下而加入該溶液中。在滴下結(jié)束后，以相同溫度攪拌該溶液l小時。在攪拌之后，將3.8mL(34mmo1)的硼酸三甲酯加入該溶液中，并且在將溫度退回室溫的同時攪拌大約15小時。攪拌后，將大約150mL的稀鹽酸(l.Omol/L)加入該溶液中，并且攪拌1小時。攪拌后，利用乙酸乙酯萃取該混合物的水層，將萃取溶液和有機(jī)層混合在一起，利用飽和碳酸氫鈉進(jìn)行洗滌。利用硫酸鎂使有機(jī)層干燥，干燥后對該混合物進(jìn)行自然過濾。當(dāng)濃縮所得到的濾液時，得到淡褐色的油狀物。當(dāng)對該油狀物進(jìn)行減壓干燥時，以86%的收率得到7.5g的目的物的淡褐色固體。[步驟2:4-(9-苯基-9H-咔唑_3_基)二苯基胺(簡稱PCBA)的合成]將PCBA的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(a-2)。(a-2)Pd(OAc)2，P(o-tolyl)3,2M1<2003水溶液DME將6.5g(26mmo1)的4-溴二苯基胺、7.5g(26mmo1)的在步驟l中合成的9-苯基-9H-咔唑-3-硼酸、400mg(1.3mmo1)的三(鄰甲苯基)膦放在500mL的三口燒瓶中，并且對燒瓶的內(nèi)部進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。對該混合物加入100mL的甲苯、50mL的乙醇、14mL的碳酸鉀水溶液(0.2mol/L)。通過在減壓下進(jìn)行攪拌的同時對該混合物進(jìn)行脫氣，脫氣后加入67mg(30mmo1)的醋酸鈀(11)。對該混合物進(jìn)行IO(TC且10小時的回流?；亓骱螅眉妆捷腿≡摶旌衔锏乃畬?，將萃取溶液和有機(jī)層混合在一起，利用飽和食鹽水進(jìn)行洗滌。當(dāng)利用39硫酸鎂使有機(jī)層干燥，干燥后對該混合物進(jìn)行自然過濾，濃縮所得到的濾液時，得到淡褐色的油狀物。通過硅膠柱色譜(展開溶劑己烷甲苯=4:6)精制該油狀物，利用二氯甲烷和己烷的混合溶劑使精制后得到的白色固體重結(jié)晶，以45%的收率得到4.9g的目的物的白色固體。注意，通過核磁共振法(NMR)測定在上述步驟2中得到的白色固體。下面示出^NMR的測定結(jié)果。根據(jù)測定結(jié)果，可以知道如下事實(shí)得到作為用來合成PCBAPA的原料的PCBA。力NMR(CDC13，300MHz):S=7.08-7.14(m，3H)，7.32-7.72(m，33H)，7.88(d，J=7.8Hz，2H)，8.19(d，J=7.8Hz，1H)，8.37(d，J=1.5Hz，1H)。[步驟3:PCBAPA的合成]將PCBAPA的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(a-3)。將7.8g(12mmo1)的9_(4_溴苯基)-lO-苯基蒽、4.8g(12mmo1)的PCBA、5.2g(52mmo1)的叔丁醇鈉放在300mL的三口燒瓶中，并且對燒瓶的內(nèi)部進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。對該混合物加入60mL的甲苯、0.30mL的三(叔丁基)膦(10wt%己烷溶液)。在減壓下進(jìn)行攪拌的同時對該混合物進(jìn)行脫氣，脫氣后加入136mg(0.24mmo1)的雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)。對該混合物進(jìn)行10(TC且3小時的攪拌。攪拌后，對該混合物加入大約50mL的甲苯，經(jīng)過Celite(七，<卜)(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531_16855)、氧化鋁、Florisil(7口'j-一A)(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼540-00135)進(jìn)行抽濾。濃縮所得到的濾液，而得到黃色固體。通過利用甲苯和己烷的混合溶劑使該固體重結(jié)晶，以75%的收率得到6.6g的目的物的PCBAPA的淡黃色固體。通過梯度升華法(trainsublimationmethod)對所得到的3.0g的淡黃色粉末狀固體進(jìn)行升華精制。作為升華精制條件，在8.7Pa的壓力且3.0mL/min的氬氣流量下，以35(TC加熱PCBAPA。在升華精制后，以90%的收率得到2.7g的PCBAPA的淡黃色固體。通過核磁共振法(NMR)測定所得到的固體。下面表示111NMR的測定結(jié)果。根據(jù)測定結(jié)果，可以知道如下事實(shí)得到PCBAPA。力NMR(DMS0-d6，300MHz):S=7.08-7.14(m，3H)，7.32-7.72(m，33H)，7.88(d，J=7.8Hz，2H)，8.19(d，J=7.8Hz，1H)，8.37(d，J=1.5Hz，1H)?！禤CBANB的合成例》下面，記載在實(shí)施例l及實(shí)施例3中使用的結(jié)構(gòu)式(12)所表示的4-(l-萘基)-4'-(9-苯基-冊-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBANB)的合成方法的一個例子。[步驟1:3-(4-溴苯基)-9-苯基-9H-咔唑的合成]將3-(4_溴苯基)-9-苯基-9H-咔唑的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(b_l)。Br將3.7g(9.9,1)的3-碘-9-苯基-9H-咔唑、2.0g(9.9mmo1)的4-溴苯基硼酸、0.61g(2.Ommol)的三(鄰甲苯基)膦放在200mL的三口燒瓶中，并且對該混合物加50mL的1，2-二甲氧基乙烷(簡稱DME)和10mL的2mol/L碳酸鉀水溶液。通過在減壓下攪拌該混合物的同時進(jìn)行脫氣，脫氣后，對燒瓶的內(nèi)部的氣氛進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。對該混合物加入0.llg(O.50mmo1)的醋酸鈀(II)。以8(TC攪拌該混合物9.5小時。攪拌后，將該混合物冷卻到室溫，然后利用水進(jìn)行兩次洗滌。利用甲苯萃取所得到的水層兩次，將萃取液和有機(jī)層混合在一起，利用飽和食鹽水進(jìn)行洗滌。利用硫酸鎂使有機(jī)層干燥，對該混合物進(jìn)行自然過濾，并且濃縮濾液。將所得到的油狀物溶于大約20mL的甲苯，并且使該溶液經(jīng)過Celite(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531-16855)、氧化鋁、Florisil(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼540-00135)進(jìn)行抽濾。利用硅膠柱色譜(展開溶劑甲苯己烷=1:4)精制通過濃縮所得到的濾液而得到的固體，其結(jié)果以49%的收率得到1.9g的目的物的白色粉末狀固體。[步驟2:4-(1_萘基)二苯胺的合成]將4-(l-萘基)二苯胺的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(b-2)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>將12g(50mmo1)的4_溴二苯胺、8.6g(50mmo1)的1_萘基硼酸、22mg(0.lmmol)的醋酸鈀(II)、60mg(0.2mmo1)的三(鄰甲苯基)膦放在200mL的三口燒瓶中，并且對該混合物加入50mL的甲苯、20mL的乙醇、35mL的2mol/L碳酸鉀水溶液。通過在減壓下攪拌該混合物的同時進(jìn)行脫氣，然后，在氮?dú)夥障乱?(TC加熱攪拌2小時。在攪拌后，對該混合物加入100mL的甲苯，并且使該混合物經(jīng)過Florisil(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼540-00135)、Celite(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531-16855)，進(jìn)行過濾。利用水洗滌所得到的濾液，加入硫酸鎂進(jìn)行干燥。對該混合物進(jìn)行過濾，并且通過利用硅膠柱色譜(展開溶劑甲苯己烷乙酸乙酯=l:8:i)精制通過濃縮所得到的濾液而得到的化合物。對通過濃縮所得到的餾分而得到的化合物加入甲醇并照射超聲波，進(jìn)行重結(jié)晶，其結(jié)果以20%的收率得到3.0g的目的物的白色粉末。[步驟3:4-(1_萘基)-4'-(9-苯基_9H_咔唑_3_基)三苯胺(簡稱:PCBANB)的合成]將PCBANB的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(b_3)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>將1.2g(3.Ommol)的3_(4_溴苯基)_9_苯基_9H_咔唑、0.9g(3.Ommol)的4-(l-萘基)二苯基胺、0.5g(5.0mmo1)的叔丁醇鈉、6.Omg(0.Olmmol)的雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)放在50mL的三口燒瓶中，并且對該混合物加入15mL的脫水二甲苯。通過在減壓下進(jìn)行攪拌的同時對該混合物進(jìn)行脫氣，脫氣后加入0.06mL(0.03mmol)的三(叔丁基)膦(10wt^己烷溶液)。在氮?dú)夥障乱?2(TC對該混合物進(jìn)行4.5小時的加熱攪拌。在攪拌后，對該混合物加入250mL的甲苯，并且使該混合物經(jīng)過Florisil(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼540-00135)、硅膠、氧化鋁、Celite(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531-16855)，進(jìn)行過濾。利用水洗滌所得到的濾液，加入硫酸鎂進(jìn)行干燥。使該混合物經(jīng)過Florisil(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼540-00135)、氧化鋁、硅膠、Celite(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531-16855)，進(jìn)行過濾，而得到濾液。濃縮所得到的濾液，加入丙酮和甲醇并照射超聲波，進(jìn)行重結(jié)晶，其結(jié)果以82%的收率得到1.5g的目的物的白色粉末。利用硅膠薄層色譜(TLC)而得到的Rf值(展開溶劑乙酸乙酯己烷=1:10)為如下目的物為0.34，3-(4-溴苯基)-9-苯基-9H-咔唑?yàn)?.46，并且4-(1-萘基)二苯基胺為O.25。通過核磁共振法(NMR)測定在上述步驟3中得到的化合物。下面表示^NMR的測定結(jié)果。根據(jù)測定結(jié)果，可以知道如下事實(shí)得到PCBANB。力NMR(CDCl3，300MHz):S(ppm)=7.07(t，J=6.6Hz，1H)，7.25-7.67(m，26H)，7.84(d，J=7.8Hz，1H)，7.89-7.92(m，1H)，8.03-8.07(m，1H)，8.18(d，J=7.8Hz，lH)，8.35(d，J=0.9Hz，1H)?！禤CBNAPA的合成例》下面，記載在實(shí)施例1至實(shí)施例3中使用的結(jié)構(gòu)式(14)所表示的4-(l-萘基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)-4"-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBNAPA)的合成方法的一個例子。[步驟1:4-(1-萘基)苯胺的合成]將4-(l-萘基)苯胺的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(c-l)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>將5.0g(29mmo1)的4_溴苯胺、5.0g(29mmo1)的1_萘基硼酸、0.45mg(1.5,1)的三(鄰甲苯基)膦放在500mL的三口燒瓶中，對燒瓶的內(nèi)部進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。對該混合物加入100mL的甲苯、50mL的乙醇、31mL的碳酸鉀水溶液(2mol/L)。在對燒瓶的內(nèi)部進(jìn)行減壓的同時進(jìn)行攪拌來進(jìn)行脫氣。脫氣后，使混合物的溫度成為6(TC，然后加入66.2mg(0.29mmo1)的醋酸鈀(II)。以8(TC對該混合物進(jìn)行2.3小時的回流?；亓骱?，對該混合物加入甲苯和水，將有機(jī)層和水層分離，利用甲苯萃取水層兩次。將該萃取溶液和有機(jī)層混合在一起，利用飽和食鹽水進(jìn)行洗滌，利用硫酸鎂進(jìn)行干燥。對該混合物進(jìn)行自然過濾，去掉硫酸鎂，濃縮濾液，以得到油狀物。使該油狀物經(jīng)過Florisil(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼540-00135)、Celite(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531-16855)、氧化鋁進(jìn)行抽濾，而得到濾液。濃縮所得到的濾液，其結(jié)果以40%的收率得到2.5g的目的物的油狀物。[步驟2:4-(1_萘基)-4'-(9-苯基_9H_咔唑_3_基)二苯基胺(縮寫PCBNA)的合成]將PCBNA的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(c_2)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>將0.8g(2.0,1)的3_(4-溴苯基)_9_苯基_9H_咔唑、0.6g(6.0,1)的叔丁醇鈉放在50mL的三口燒瓶中，對燒瓶的內(nèi)部進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。對該混合物加入溶于4mL甲苯中的0.48(2.0咖01)的4-(l-萘基)苯胺后，加入l.SmL的甲苯、0.lmL的三(叔丁基)膦(10wt^己烷溶液)。將該混合物的溫度成為6(TC，然后加入37mg(0.06mmo1)的雙(二亞芐基丙酮)鈀(O)。以8(TC攪拌該混合物3小時。攪拌后，對混合物加入甲苯，并且經(jīng)過Celite(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531-16855)、氧化鋁進(jìn)行抽濾，而得到濾液。通過利用硅膠柱色譜(展開溶劑己烷甲苯=3:2)精制通過濃縮所得到的濾液而得到的固體。濃縮所得到的餾分，其結(jié)果63%的收率得到0.7g的目的物的褐色固體。注意，通過核磁共振法(NMR)測定在上述步驟2中得到的固體。下面表示^NMR的測定結(jié)果。根據(jù)測定結(jié)果，可以知道如下事實(shí)得到PCBNA。力NMR(CDCl3，300MHz):S=7.25-7.70(m，23H)，7.84(d，J=7.8Hz，1H)，7.91(d，J=7.2Hz，1H)，8.03(d，J=8.1Hz，1H)，8.12(d，J=7.2Hz，1H)，8.34(s，1H)。[步驟3:4-(l-萘基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)_4〃-(9-苯基-冊-咔唑-3_基)三苯胺(縮寫PCBNAPA)的合成]將PCBNAPA的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(c_3)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>將0.45g(l.1,1)的9-(4-溴苯基)_10_苯基蒽、0.4g(4.3,1)的叔丁醇鈉放在50mL的三口燒瓶中，并且對燒瓶的內(nèi)部進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。對該混合物加入0.8g(l.4mmo1)的溶解于10mL的甲苯的PCBNA，然后加入4.3mL的甲苯、0.lmL的三(叔丁基)膦(10wt%己烷溶液)。將該混合物的溫度成為60°C，然后加入23mg(4.Ommol)的雙(二亞芐基丙酮)鈀(O)。以8(TC攪拌該混合物2小時。攪拌后，經(jīng)過Florisil(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼540-00135)、Celite(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531-16855)、氧化鋁進(jìn)行抽濾，得到濾液。通過利用硅膠柱色譜(展開溶劑己烷甲苯=3:7)精制通過濃縮所得到的濾液而得到的固體，并且濃縮所得到的餾分，而得到目的物的黃色固體。通過利用甲苯和己烷的混合溶劑使所得到的固體重結(jié)晶，以85%的收率得到1.07g的目的物的淡黃色粉末狀固體。利用梯度升華法對所得到的0.84g的黃色固體進(jìn)行升華精制。作為升華精制條件，在4.5Pa的壓力且5mL/min的氬氣流量下，以38(TC加熱淡黃色固體。在升華精制后，以91%的收率得到0.76g的目的物的黃色棱鏡結(jié)晶。通過核磁共振法(NMR)測定在上述步驟3中得到的化合物。下面表示^NMR的測定結(jié)果。根據(jù)測定結(jié)果，可以知道如下事實(shí)得到PCBNAPA。'HNMR(CDC13，300MHz):S=7.28-7.66(m，31H)，7.70-7.78(m，6H)7.85-7.94(m，4H)，8.09-8.12(m，1H)，8.20(d，J=7.8Hz，1H)，8.40(d，J=1.2Hz，1H)?！禤CBA1BP的合成例》下面，記載在實(shí)施例2中使用的結(jié)構(gòu)式(17)所表示的4-苯基-4'_(9_苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)的合成方法的一個例子。將4-苯基-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(d-l)。將2.0g(4.9mmo1)的4_(9_苯基_9H_咔唑-3-基)二苯胺(簡稱PCBA)、1.lg(4.9mmo1)的4-溴聯(lián)苯、2.0g(20mmo1)的叔丁醇鈉放在100mL的三口燒瓶中，并且對燒瓶的內(nèi)部進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。對該混合物加入50mL的甲苯、0.30mL的三(叔丁基)膦(10wt%己烷溶液)。在減壓下進(jìn)行攪拌的同時對該混合物進(jìn)行脫氣，脫氣后加入O.10g的雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)。接著，對該混合物進(jìn)行8(TC且5小時的加熱攪拌。攪拌后，對該混合物加入甲苯，使該混合物經(jīng)過Celite(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼531-16855)、氧化鋁、Florisil(日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼540-00135)進(jìn)行抽濾，而得到濾液。依次利用飽和碳酸鈉水溶液、飽和食鹽水而洗滌所得到的濾液。對有機(jī)層加入硫酸鎂進(jìn)行干燥。干燥后，對該混合物進(jìn)行抽濾，去掉硫酸鎂，得到濾液。通過利用硅膠柱色譜來精制通過濃縮所得到的濾液而得到的化合物。柱色譜通過首先利用甲苯己烷=i:9的混合溶劑作為展開溶劑，接著利用甲苯己烷=3:7的混合溶劑作為展開溶劑來進(jìn)行。利用氯仿和己烷的混合溶劑使通過濃縮所得到的餾分而得到的固體重結(jié)晶，其結(jié)果以84%的收率得到收量為2.3g的粉末狀白色固體。利用梯度升華法對所得到的1.2g的白色固體進(jìn)行升華精制。在7.0Pa的減壓下，將氬流量設(shè)定為3mL/min，以28(TC進(jìn)行20小時的升華精制。收量為1.lg，并且收率為89%。通過核磁共振法(NMR)測定所得到的化合物。下面表示1！1NMR的測定結(jié)果。根據(jù)測定結(jié)果，可以知道如下事實(shí)得到PCBA1BP。力NMR(DMS0-d6，300MHz):S(ppm)=7.05—7.20(m，7H)，7.28—7.78(m，21H)，8.34(d，J=7.8Hz，1H)，8.57(s，1H)。實(shí)施例5在本實(shí)施例中，測定用于在實(shí)施例1至3中制造的發(fā)光元件1至6以及對照發(fā)光元件1至3中的材料的HOMO能級以及LUMO能級。(測定例1:PCBAPA)在本測定例中，測定結(jié)構(gòu)式(11)所表示的PCBAPA的HOMO能級以及LUMO能級。注意，在發(fā)光元件1至6以及對照發(fā)光元件l中使用PCBAPA而作為第一發(fā)光物質(zhì)。當(dāng)在大氣中利用光電子能譜法(日本理研計(jì)器株式會社制造的AC-2)測定PCBAPA的薄膜狀態(tài)下的電離電位時，其為5.40eV。其結(jié)果，知道如下事實(shí)H0M0能級為-5.40eV。再者，當(dāng)使用PCBAPA的薄膜的吸收能譜的數(shù)據(jù)，從假定為直接躍遷的Tauc曲線算出吸收端，以該吸收端為光學(xué)能隙進(jìn)行估計(jì)時，該能隙為2.82eV。當(dāng)從所得到的能隙的值和HOMO能級算出LUMO能級時，其為_2.58eV。(測定例2:PCBANB)在本測定例中，測定結(jié)構(gòu)式(12)所表示的PCBANB的HOMO能級以及LUMO能級。注意，在發(fā)光元件1、2、6以及對照發(fā)光元件2中使用PCBANB而作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物。當(dāng)在大氣中利用光電子能譜法(日本理研計(jì)器株式會社制造的AC-2)測定PCBANB的薄膜狀態(tài)下的電離電位時，其為5.44eV。其結(jié)果，知道如下事實(shí)HOMO能級為-5.44eV。再者，當(dāng)使用PCBANB的薄膜的吸收能譜的數(shù)據(jù)，從假定為直接躍遷的Tauc曲線算出吸收端，以該吸收端為光學(xué)能隙進(jìn)行估計(jì)時，該能隙為3.25eV。當(dāng)從所得到的能隙的值和HOMO能級算出LUMO能級時，其為_2.19eV。[O312](測定例3:PCBAIBP)在本測定例中，測定結(jié)構(gòu)式(17)所表示的PCBA1BP的HOMO能級以及LUMO能級。注意，在發(fā)光元件3至5以及對照發(fā)光元件3中使用PCBA1BP而作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物。當(dāng)在大氣中利用光電子能譜法(日本理研計(jì)器株式會社制造的AC-2)測定PCBAIBP的薄膜狀態(tài)下的電離電位時，其為5.42eV。其結(jié)果，知道如下事實(shí)HOMO能級為-5.42eV。再者，當(dāng)使用PCBA1BP的薄膜的吸收能譜的數(shù)據(jù)，從假定為直接躍遷的Tauc曲線算出吸收端，以該吸收端為光學(xué)能隙進(jìn)行估計(jì)時，該能隙為3.21eV。當(dāng)從所得到的能隙的值和HOMO能級算出LUMO能級時，其為-2.21eV。(測定例4:PCBNAPA)在本測定例中，測定結(jié)構(gòu)式(14)所表示的PCBNAPA的HOMO能級以及LUMO能級。注意，在發(fā)光元件1至6以及對照發(fā)光元件1至3中使用PCBNAPA而作為第二發(fā)光物質(zhì)。當(dāng)在大氣中利用光電子能譜法(日本理研計(jì)器株式會社制造的AC-2)測定PCBNAPA的薄膜狀態(tài)下的電離電位時，其為5.47eV。其結(jié)果，知道如下事實(shí)H0M0能級為-5.47eV。再者，當(dāng)使用PCBNAPA的薄膜的吸收能譜的數(shù)據(jù)，從假定為直接躍遷的Tauc曲線算出吸收端，以該吸收端為光學(xué)能隙進(jìn)行估計(jì)時，該能隙為2.92eV。當(dāng)從所得到的能隙的值和HOMO能級算出LUMO能級時，其為_2.55eV。(測定例5:CzPA)在本測定例中，測定結(jié)構(gòu)式(13)所表示的CzPA的HOMO能級以及LUMO能級。注意，在發(fā)光元件1至6以及對照發(fā)光元件1至3中使用CzPA而作為電子傳輸性的有機(jī)化合物。當(dāng)在大氣中利用光電子能譜法(日本理研計(jì)器株式會社制造的AC-2)測定CzPA的薄膜狀態(tài)下的電離電位時，其為5.64eV。其結(jié)果，知道如下事實(shí)H0M0能級為-5.64eV。再者，當(dāng)使用CzPA的薄膜的吸收能譜的數(shù)據(jù)，從假定為直接躍遷的Tauc曲線算出吸收端，以該吸收端為光學(xué)能隙進(jìn)行估計(jì)時，該能隙為2.95eV。當(dāng)從所得到的能隙的值和HOMO能級算出LUMO能級時，其為-2.69eV。實(shí)施例6在本實(shí)施例中，說明具有與實(shí)施例1、實(shí)施例2以及實(shí)施例3不同的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。將在本實(shí)施例中使用的有機(jī)化合物的分子結(jié)構(gòu)示出于以下的結(jié)構(gòu)式(18)。注意，省略對于已在其他實(shí)施例中示出分子結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物的記載。元件結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1同樣，而參照圖2。(18)下面，示出本實(shí)施例的發(fā)光元件7及8的制造方法。注意，直到形成空穴傳輸層105為止與實(shí)施例1中的發(fā)光元件1同樣地制造。接著，在空穴傳輸層105上，通過共蒸鍍作為第一發(fā)光物質(zhì)的4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBAPA)和作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物的上述結(jié)構(gòu)式(18)所表示的4，4'-二(1-萘基)_4〃-(9-苯基-冊-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBNBB)來形成第一發(fā)光層102a。對第一發(fā)光層102a中的它們的質(zhì)量比來說，在發(fā)光元件7中，PCBAPA:PCBNBB=1:1的方式進(jìn)行成膜，并且在發(fā)光元件8中，以PCBAPA:PCBNBB=1:2的方式進(jìn)行成膜(都是質(zhì)量比)。將第一發(fā)光層102a的膜厚度設(shè)定為25nm。接著，在各發(fā)光元件的第一發(fā)光層102a上，通過共蒸鍍作為電子傳輸性的有機(jī)化49合物的9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPA)和作為第二發(fā)光物質(zhì)的4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-冊-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBAPA)來形成第二發(fā)光層102b。由此，形成由第一發(fā)光層102a和第二發(fā)光層102b構(gòu)成的發(fā)光層102。注意，在本實(shí)施例中，作為第一發(fā)光物質(zhì)和第二發(fā)光物質(zhì)，使用相同的化合物。將第二發(fā)光層102b中的CzPA和PCBAPA的質(zhì)量比設(shè)定為CzPA:PCBAPA=1:0.1，并且將第二發(fā)光層102b的膜厚度設(shè)定為30nm。接著，在發(fā)光層102上依次層疊電子傳輸層106、電子注入層107以及陰極101，以完成發(fā)光元件7以及發(fā)光元件8。這些層與實(shí)施例1所示的發(fā)光元件1同樣地制造。將如上所述制造的發(fā)光元件7以及發(fā)光元件8的元件結(jié)構(gòu)示出于表7。<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>在室溫(保持為25t:的氣氛)下進(jìn)行測定。圖20示出發(fā)光元件的電流密度_亮度特性，圖21示出電壓-亮度特性，圖22示出亮度-外量子效率特性。此外，表8示出1000cd/tf附近的發(fā)光元件的電壓、外量子效率、色度以及發(fā)光峰值波長。表8電壓外量子效發(fā)光峰值波長亮度(cd/m2)色度(x，y)(V)率(％)(nm)發(fā)光元件711604.65.08(0.15,0.18)466發(fā)光元件810704.65.29(0.15,0.18)464根據(jù)圖22及表8，知道如下事實(shí)發(fā)光元件7及發(fā)光元件8得到高的外量子效率。此外，根據(jù)表8，發(fā)光元件7及發(fā)光元件8得到其色度良好的藍(lán)色發(fā)光。可以認(rèn)為這是因?yàn)槿缦戮壒试诎l(fā)光元件7及發(fā)光元件8中，第一發(fā)光層102a包含第一發(fā)光物質(zhì)(在本實(shí)施例中，是PCBAPA)和空穴傳輸性的有機(jī)化合物(在本實(shí)施例中，是PCBNBB)，所以在第一發(fā)光層102a中控制電子的傳輸，而在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的界面附近形成發(fā)光區(qū)域。此外，對所制造的發(fā)光元件7及發(fā)光元件8進(jìn)行可靠性測試。在可靠性測試中，在將起始亮度設(shè)定為1000cd/m2且電流密度為一定的條件下，驅(qū)動這些元件，并且，每經(jīng)過一定時間，測定亮度。圖23示出通過可靠性測試而得到的結(jié)果。在圖23中，橫軸表示通電時間(小時)，而縱軸表示在各個時間中的相對于起始亮度的亮度的比例，即歸一化亮度(%)。根據(jù)圖23，即便在1000小時的驅(qū)動后，發(fā)光元件7也保持起始亮度的75%的亮度，并且，發(fā)光元件8也保持起始亮度的76%的亮度，而知道如下事實(shí)本實(shí)施例所示的發(fā)光元件不容易發(fā)生時間的經(jīng)過所引起的亮度的降低，而使用壽命長。在發(fā)光元件7及發(fā)光元件8中，第一發(fā)光層102a包含具有與第二發(fā)光層102b所包含的電子傳輸性的有機(jī)化合物(在本實(shí)施例中，是CzPA)相同程度的LUMO能級的第一發(fā)光物質(zhì)，并且，作為第一發(fā)光物質(zhì)和第二發(fā)光物質(zhì)而使用相同的化合物，所以在第二發(fā)光層102b和第一發(fā)光層102a之間容易進(jìn)行電子的傳輸，抑制電子蓄積在界面的現(xiàn)象，而實(shí)現(xiàn)了發(fā)光元件的長使用壽命化。根據(jù)上述事實(shí)，本實(shí)施例所示的發(fā)光元件7及發(fā)光元件8可以成為實(shí)現(xiàn)了發(fā)光效率的改善及長使用壽命化的發(fā)光元件。此外，本實(shí)施例所示的發(fā)光元件7及發(fā)光元件8也可以成為色純度高的發(fā)光元件。實(shí)施例7在本實(shí)施例中，說明在其他實(shí)施例中使用的材料。《PCBNBB的合成例》下面，示出在實(shí)施例6中使用的結(jié)構(gòu)式(18)所表示的4，4'_二(1_萘基)-4〃-(9-苯基普咔唑-3-基)三苯胺(簡稱:PCB鵬)的合成例。[步驟1:4，4'-二溴三苯胺的合成]52將4，4'-二溴三苯胺的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(K-l)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>在500mL的三角燒瓶中，使12g(50mmo1)的三苯胺溶于乙酸乙酯為250mL的混合溶劑，然后對此加入18g(lOOmmol)的N_溴代琥珀酰亞胺(簡稱NBS)，在室溫下攪拌24小時。反應(yīng)結(jié)束后，利用水洗滌該混合液，加入硫酸鎂，去掉水分。對該混合液進(jìn)行過濾，濃縮所得到的濾液而進(jìn)行干燥固化，以99%的收率得到收量為20g的目的物的白色固體。[步驟2:4，4'_二(l-萘基)三苯胺的合成]將4，4'_二(l-萘基)三苯胺的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(K-2)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>將6.0g(15mmo1)的4，4'_二溴三苯胺、5.2g(30mmo1)的1_萘基硼酸、2.Omg(O.Olmmol)的醋酸鈀(II)、6.Omg(0.0anmo1)的三(鄰甲苯基)膦放在100mL的三口燒瓶中，并且對該混合物加入20mL的甲苯、5mL的乙醇、20mL的2mol/L碳酸鉀水溶液。通過在減壓下攪拌該混合物的同時進(jìn)行脫氣，然后，在氮?dú)夥障乱?(TC加熱攪拌4.5小時，發(fā)生反應(yīng)。反應(yīng)后，對該反應(yīng)混合物加入150mL的甲苯，并且使其懸浮液經(jīng)過Florisil、Celite進(jìn)行過濾。利用水洗滌所得到的濾液，加入硫酸鎂，去掉水分。使其懸浮液經(jīng)過Florisil、氧化鋁、硅膠、Celite進(jìn)行過濾，得到濾液。濃縮所得到的濾液，加入甲醇并照射超聲波，然后進(jìn)行重結(jié)晶，其結(jié)果以86%的收率得到收量為6.4g的目的物的白色粉末。利用硅膠薄層色譜(TLC)而得到的Rf值(展開溶劑乙酸乙酯己烷=1:10)為如下目的物為0.53，4，4'-二溴三苯胺為0.69。[步驟3:4-溴-4'，4〃_二(1-萘基)三苯胺的合成]將4-溴-4'，4〃_二(l-萘基)三苯胺的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(K-3)。在300mL的三角燒瓶中，使6.4g(13mmo1)的4，4'_二_(1-萘基)三苯胺溶于150mL的乙酸乙酯，然后對此加入2.3g(13mmo1)的N-溴代琥珀酰亞胺(簡稱NBS)，在室溫下攪拌24小時。反應(yīng)結(jié)束后，利用水洗滌該混合液，加入硫酸鎂，去掉水分。對該混合液進(jìn)行過濾，濃縮所得到的濾液。在對此加入甲醇并照射超聲波后，進(jìn)行重結(jié)晶，然后進(jìn)行利用硅膠柱色譜(展開溶劑甲苯己烷=1:5)的精制。以22%的收率得到收量為1.6g的目的物的白色粉末。[步驟4:4，4'_二(l-萘基)-4〃-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBNBB)的合成]將4，4'-二(1-萘基)_4〃_(9-苯基-冊-咔唑-3-基)三苯胺的合成圖解示出于以下的反應(yīng)式(K-4)。將1.4g(2.5mmo1)的4_溴_4'，4〃-二(1-萘基)三苯胺、0.7g(2.5mmo1)的9-苯基-9H-咔唑-3-基-硼酸、4.0mg(0.02mmo1)的醋酸鈀(II)、6.Omg(0.02mmo1)的三(鄰甲苯基)膦放在50mL的三口燒瓶中，并且對該混合物加入20mL的甲苯、5mL的乙醇、2.5mL的2mol/L碳酸鉀水溶液。通過在減壓下攪拌該混合物的同時進(jìn)行脫氣，然后，在氮?dú)夥障乱?(TC加熱攪拌6.5小時，發(fā)生反應(yīng)。反應(yīng)后，對該反應(yīng)混合物加入150mL的甲苯，并且使其懸浮液經(jīng)過Florisil、Celite進(jìn)行過濾。利用水洗滌所得到的濾液，加入硫酸鎂，去掉水分。使其懸浮液經(jīng)過Florisil、氧化鋁、硅膠、Celite進(jìn)行過濾，得到濾液。濃縮所得到的濾液，進(jìn)行利用硅膠柱色譜(展開溶劑甲苯己烷=1:4)的精制。濃縮所得到的餾分，加入甲醇并照射超聲波，然后進(jìn)行重結(jié)晶，其結(jié)果以22%的收率得到收量為0.4g的目的物的白色粉末。通過核磁共振法(NMR)測定在上述步驟4中得到的化合物。下面表示^NMR的測定數(shù)據(jù)。根據(jù)測定結(jié)果，可以知道如下事實(shí)得到PCBNBB。力NMR(CDC13，300MHz):S(卯m)=7.28-7.72(m，30H)，7.85(d，J=7.8Hz，2H)，7.90-7.93(m，2H)，8.06-8.09(m，2H)，8.19(d，J=7.5Hz，1H)，8.38(d，J=1.5Hz，1H)。此外，當(dāng)在大氣中利用光電子能譜法(日本理研計(jì)器株式會社制造的AC-2)測定PCBNBB的薄膜狀態(tài)下的電離電位時，其為5.46eV。其結(jié)果，知道如下事實(shí)H0M0能級為-5.46eV。再者，當(dāng)使用PCBNBB的薄膜的吸收能譜的數(shù)據(jù)，從假定為直接躍遷的Tauc曲線算出吸收端，以該吸收端為光學(xué)能隙進(jìn)行估計(jì)時，該能隙為3.15eV。當(dāng)從所得到的能隙和HOMO能級算出LUM0能級時，其為-2.31eV。本說明書根據(jù)2009年1月21日在日本專利局受理的日本專利申請編號2009-011410而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。附圖標(biāo)記說明100陽極101陰極102發(fā)光層102a第一發(fā)光層102b第二發(fā)光層103EL層104空穴注入層105空穴傳輸層106電子傳輸層107電子注入層110發(fā)光元件122HOMO能級124HOMO能級128HOMO能級142LUMO能級144LUMO能級146LUMO能級148LUMO能級601襯底602絕緣層603電極604分隔壁605開口部55606分隔壁607EL層608電極703掃描線705區(qū)域706分隔壁708數(shù)據(jù)線709連接布線710輸入端子711aFPC711bFPC712輸入端子801元件襯底802像素部803驅(qū)動電路部804驅(qū)動電路部805密封劑806密封襯底807布線808FPC809n溝道型TFT810p溝道型TFT811開關(guān)TFT812電流控制TFT813陽極814絕緣物815EL層816陰極817發(fā)光元件818空間1001照明裝置1002照明裝置1003臺式照明設(shè)備9100電視裝置9100電視裝置9101框體9103顯示部9105支持架9107顯示部569109操作鍵9110遠(yuǎn)程操作機(jī)9201主體9202框體9203顯示部9204鍵盤9205外部連接端口9206鼠標(biāo)9301框體9302框體9303連結(jié)部9304顯示部9305顯示部9306揚(yáng)聲器部9307記錄介質(zhì)插入部9308LED燈9309操作鍵9310連接端子9311傳感器9312麥克風(fēng)9401照明部9402傘9403可調(diào)臂9404支柱9405底座9406電源9500攜帶電話機(jī)9501框體9502顯示部9502顯示部9503操作按鈕9504外部連接端口權(quán)利要求一種發(fā)光元件，包括第一電極；形成在所述第一電極上的第一發(fā)光層；與所述第一發(fā)光層接觸地形成在所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層；以及形成在所述第二發(fā)光層上的第二電極，其中，所述第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，所述第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物，所述第一發(fā)光物質(zhì)的最低空分子軌道能級、所述第二發(fā)光物質(zhì)的最低空分子軌道能級和所述電子傳輸性的有機(jī)化合物的最低空分子軌道能級之差是0.2eV以下，所述空穴傳輸性的有機(jī)化合物的最高占有分子軌道能級、所述第一發(fā)光物質(zhì)的最高占有分子軌道能級和所述第二發(fā)光物質(zhì)的最高占有分子軌道能級之差是0.2eV以下，并且，所述空穴傳輸性的有機(jī)化合物的最低空分子軌道能級和所述第一發(fā)光物質(zhì)的最低空分子軌道能級之差大于0.3eV。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層發(fā)出相同顏色的光。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，來自所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的發(fā)射光譜的最大峰值位于430nm以上且470nm以下的波長。4.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。5.—種包括根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。6.—種發(fā)光元件，包括第一電極；形成在所述第一電極上的第一發(fā)光層；與所述第一發(fā)光層接觸地形成在所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層；以及形成在所述第二發(fā)光層上的第二電極，其中，所述第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，所述第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物，所述第一發(fā)光層中的所述第一發(fā)光物質(zhì)的比例為30wt^以上且70wt^以下，所述第一發(fā)光物質(zhì)的最低空分子軌道能級、所述第二發(fā)光物質(zhì)的最低空分子軌道能級和所述電子傳輸性的有機(jī)化合物的最低空分子軌道能級之差是0.2eV以下，所述空穴傳輸性的有機(jī)化合物的最高占有分子軌道能級、所述第一發(fā)光物質(zhì)的最高占有分子軌道能級和所述第二發(fā)光物質(zhì)的最高占有分子軌道能級之差是0.2eV以下，并且，所述空穴傳輸性的有機(jī)化合物的最低空分子軌道能級和所述第一發(fā)光物質(zhì)的最低空分子軌道能級之差大于0.3eV。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件，其中，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層發(fā)出相同顏色的光。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件，其中，來自所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的發(fā)射光譜的最大峰值位于430nm以上且470nm以下的波長。9.一種包括根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。10.—種包括根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。11.一種發(fā)光元件，包括第一電極；形成在所述第一電極上的第一發(fā)光層；與所述第一發(fā)光層接觸地形成在所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層；以及形成在所述第二發(fā)光層上的第二電極，其中，所述第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，所述第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物，所述空穴傳輸性的有機(jī)化合物是包括芳基胺骨架的化合物，所述電子傳輸性的有機(jī)化合物是包括三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的芳烴骨架的化合物，并且，所述第一發(fā)光物質(zhì)及所述第二發(fā)光物質(zhì)分別是包括三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的芳烴骨架及芳基胺骨架的化合物。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件，其中，所述第一發(fā)光層中的所述第一發(fā)光物質(zhì)的比例為30wt^以上且70wt^以下。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件，其中，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層發(fā)出相同顏色的光。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件，其中，來自所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的發(fā)射光譜的最大峰值位于430nm以上且470nm以下的波長。15.—種包括根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。16.—種包括根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。17.—種發(fā)光元件，包括第一電極；形成在所述第一電極上的第一發(fā)光層；與所述第一發(fā)光層接觸地形成在所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層；以及形成在所述第二發(fā)光層上的第二電極，其中，所述第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，所述第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物，所述空穴傳輸性的有機(jī)化合物是以下的通式(1)所表示的化合物，所述電子傳輸性的有機(jī)化合物是包括三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的芳烴骨架的化合物，所述第一發(fā)光物質(zhì)及所述第二發(fā)光物質(zhì)分別是以下的通式(2)所表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>在所述通式(1)中，A表示取代或無取代的苯基和取代或無取代的萘基中的任一個，并且R1及R2分別表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基、取代或無取代的咔唑基中的任一個，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>(2)在通式(2)中，B表示三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的芳烴骨架，并且RS及W分別表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基、取代或無取代的咔唑基中的任一個。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光元件，其中，所述第一發(fā)光層中的所述第一發(fā)光物質(zhì)的比例為30wt^以上且70wt^以下。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光元件，其中，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層發(fā)出相同顏色的光。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光元件，其中，來自所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的發(fā)射光譜的最大峰值位于430nm以上且470nm以下的波長。21.—種包括根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。22.—種包括根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。23.—種發(fā)光元件，包括第一電極；形成在所述第一電極上的第一發(fā)光層；與所述第一發(fā)光層接觸地形成在所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層；形成在所述第二發(fā)光層上的第二電極，其中，所述第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，所述第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物，所述空穴傳輸性的有機(jī)化合物是以下的通式(3)所表示的化合物，所述電子傳輸性的有機(jī)化合物是包括三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的芳烴骨架的化合物，所述第一發(fā)光物質(zhì)及所述第二發(fā)光物質(zhì)分別是以下的通式(4)所表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>(3)在通式(3)中，A表示取代或無取代的苯基和取代或無取代的萘基中的任一個，R5表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個，并且R6表示碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>在通式(4)中，B表示三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)、或者六環(huán)的芳烴骨架，f表示氫、碳數(shù)為l至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個，并且R8表示碳數(shù)為1至4的烷基、取代或無取代的苯基、取代或無取代的萘基中的任一個。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的發(fā)光元件，其中，所述第一發(fā)光層中的所述第一發(fā)光物質(zhì)的比例為30wt^以上且70wt^以下。25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的發(fā)光元件，其中，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層發(fā)出相同顏色的光。26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的發(fā)光元件，其中，來自所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的發(fā)射光譜的最大峰值位于430nm以上且470nm以下的波長。27.—種包括根據(jù)權(quán)利要求23所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。28.—種包括根據(jù)權(quán)利要求27所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種使用壽命提高了的發(fā)光元件。該發(fā)光元件包括形成在第一電極上的第一發(fā)光層、與第一發(fā)光層接觸地形成在第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層、形成在第二發(fā)光層上的第二電極，其中，第一發(fā)光層包括第一發(fā)光物質(zhì)及空穴傳輸性的有機(jī)化合物，并且第二發(fā)光層包括第二發(fā)光物質(zhì)及電子傳輸性的有機(jī)化合物。選擇物質(zhì)，以便第一和第二發(fā)光物質(zhì)的最低空分子軌道能級與電子傳輸性的有機(jī)化合物的最低空分子軌道能級之差各自是0.2eV以下，并且，空穴傳輸性的有機(jī)化合物的最高占有分子軌道能級與第一和第二發(fā)光物質(zhì)的最高占有分子軌道能級之差各自是0.2eV以下，并且空穴傳輸性的有機(jī)化合物的最低空分子軌道能級和第一發(fā)光物質(zhì)的最低空分子軌道能級之差大于0.3eV。文檔編號H01L51/54GK101789495SQ201010004670公開日2010年7月28日申請日期2010年1月20日優(yōu)先權(quán)日2009年1月21日發(fā)明者瀨尾哲史,鈴木恒德申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所