專利名稱：工件臺及使用該工件臺的曝光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及保持被進(jìn)行曝光等加工處理的基板的工件臺，特別涉及能夠吸附保持
產(chǎn)生翹曲的晶片等基板(工件)的工件臺、及使用該工件臺的曝光裝置。
背景技術(shù)：
以往，在制造半導(dǎo)體、印刷基板、液晶基板等(以下也稱為工件)的工序中，在進(jìn)行
曝光等加工處理時，而使用吸附保持工件的工件臺，以使工件不發(fā)生位置偏移。
圖8是示出現(xiàn)有技術(shù)涉及的、具有吸附保持工件的工件臺的曝光裝置的一個例子的圖。 如該圖所示，該曝光裝置100具有射出紫外線的光照射部101、形成有圖案的掩 模102、保持掩模102的掩模臺103、保持涂敷有抗蝕劑的晶片或印刷基板等的工件104的 工件臺105、及將掩模102的圖案像投影在被保持在工件臺105上的工件104上的投影透鏡 106等所構(gòu)成。其中，在曝光裝置100中也存在不具有投影透鏡106的情況。此外，光照射 部101具有放射包含紫外線的光的燈1011、及將來自燈1011的光作反射的反射鏡1012。 此外，在工件臺105的表面形成有真空吸附槽(或多個真空吸附孔)1051。在工件臺105連 接有配管1052，經(jīng)由配管1052，當(dāng)在保持工件104時向真空吸附孔(真空吸附槽)1051供 給真空，另外當(dāng)在將工件104由工件臺105卸除時則向真空吸附孔(真空吸附槽)1051供 給空氣。 以下簡單說明該曝光裝置的動作。通過未圖示的搬送單元，在曝光裝置100的工 件臺105上置放印刷基板等工件104。在工件104的表面(形成圖案的側(cè))涂敷有抗蝕劑。 向工件臺105的真空吸附孔(真空吸附槽)1051供給真空，工件104被吸附保持在工件臺 105。在曝光處理中向工件臺105的真空的供給持續(xù)進(jìn)行以避免工件104移動。當(dāng)曝光處 理結(jié)束時，由控制部108來切換電磁閥107，中止對于真空吸附孔(真空吸附槽)1051的真 空的供給來解除工件104的吸附保持，對真空吸附孔(真空吸附槽)1051供給空氣，使空氣 由真空吸附孔(真空吸附槽)1051吹出。由此，工件104從工件臺105脫離，通過未圖示的 搬送單元而被搬送至曝光裝置100外。 [OOOS][先行技術(shù)文獻(xiàn)] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利特開2002-134597號公報(bào)；
專利文獻(xiàn)2 :日本專利特開2007-238290號公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
(發(fā)明所要解決的課題) —般而言，進(jìn)行曝光等處理的工件有晶片或玻璃基板、稍厚的印刷基板、薄且軟 的薄膜狀基板等各種種類。此外，例如在反復(fù)進(jìn)行CVD工序或蝕刻工序中產(chǎn)生翹曲或變形。
最近依用途的不同，在玻璃基板上黏貼硅晶片，或在藍(lán)寶石基板上黏貼氮化鎵的特殊基板
也逐漸被使用。如上所示，貼合材質(zhì)不同的2枚基板的工件由于各材質(zhì)的熱膨張系數(shù)不同，
3容易發(fā)生翹曲。工件臺為了吸附保持如上所述的各種材質(zhì)或已變形的工件，提出有各種真 空吸附槽(孔)的形狀或真空吸附方法。以下就其一例加以說明。 專利文獻(xiàn)1所記載的工作臺裝置具有供給真空的孔、及由該孔放射狀延伸的多 個真空吸附槽，通過這樣的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒈∏臆浀目蓳闲曰宀粫l(fā)生空氣積存地進(jìn)行下 吸附保持。
此外，專利文獻(xiàn)2所記載的工件平臺將吸附保持工件的多孔質(zhì)板料區(qū)分為與周
緣部空氣室相連通的周緣部區(qū)域、及與中央部空氣室相連通的中央部區(qū)域，例如由周緣部
區(qū)域朝中央部區(qū)域依序供給真空，由此可吸附保持已產(chǎn)生翹曲的較薄的工件。 本件發(fā)明人等針對將已產(chǎn)生翹曲的晶片矯正翹曲且可以全面地吸附保持的工件
臺精心研究。已產(chǎn)生翹曲的晶片例如圖9(a)所示，在翹曲成碗形、①120mm的晶片201中，
周邊部2011相對于中央部2012翹曲lmm或翹曲lmm以上。此外，如圖9(b)所示，依晶片
也有周邊部2021呈波狀變形的。為了吸附保持產(chǎn)生如上所示的翹曲的晶片202，例如使用
例如專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2所記載的工件臺來進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，但是并無法將全面進(jìn)行吸附保
持。其中，在該等圖中，為了易于理解，工件翹曲量被夸張顯示。以下針對難以全面吸附的
理由加以說明。 如公知技術(shù)的圖10(a)的工件臺301的剖面圖所示，當(dāng)使用具有放射狀延伸的多 個真空吸附槽3011的工件臺301時，即使對真空吸附槽3011供給真空，空氣也由晶片302 的翹曲的周邊部3021向真空吸附槽3011流入，真空吸附槽3011的真空吸附壓會降低，而 無法吸附晶片302。 此外，如公知技術(shù)的圖10(b)的工件臺303的剖面圖所示，當(dāng)使用在表面具備有多 數(shù)真空吸附孔3031的工件臺303時，晶片304的中央部3041被吸附在所相接的工件臺303 的中央部的真空吸附孔3031，但是空氣仍然會由晶片304的翹曲的周邊部3042流入真空吸 附孔3031，因此若再持續(xù)該情形，真空吸附壓會降低，而無法對晶片304的全面進(jìn)行吸附保持。 此外，如公知技術(shù)的圖ll(a)、 (b)的工件臺的剖面圖及平面圖所示，將環(huán)狀的真 空吸附槽，由工件臺401的中央部形成多個的第1真空吸附槽4011、第2真空吸附槽4012、 第3真空吸附槽4013…，由內(nèi)側(cè)的真空吸附槽依序?qū)⒄婵展┙o至第1真空吸附槽4011、第 2真空吸附槽4012、第3真空吸附槽4013…。但是，如該圖所示，雖然會有晶片402接近工 件臺401的部分4021被吸附且自此向外側(cè)被吸附的傾向，但是所被吸附的部分的相反側(cè)相 反地會離開工件臺401，自此泄漏而使真空吸附壓降低，仍然無法吸附保持晶片402全面。
本發(fā)明的目的是鑒于上述公知技術(shù)的問題而提供一種在通過真空吸附來吸附保 持基板(工件)的工件臺中，即使為已產(chǎn)生碗形翹曲的基板(工件)，也可以矯正該翹曲而 吸附保持基板(工件)全面的工件臺及使用該工件臺的曝光裝置。
(解決課題的手段) 本發(fā)明是為了解決上述課題，而采用以下所示的方式。 第1手段是一種工件臺，通過真空吸附來吸附保持工件，其特征為具有第1真空 吸附孔群，在吸附保持工件的工件臺表面，以放射狀配置有多列由與第1配管相連接的多 個真空吸附孔所構(gòu)成的真空吸附孔列；第2真空吸附孔群，形成于由上述第l真空吸附孔群 所隔著的區(qū)域，并與第2配管相連接；及控制部，在吸附保持上述工件時，由上述第1配管對上述第1真空吸附孔群供給真空，接著，由上述第2配管對上述第2真空吸附孔群供給真 空。
第2手段一種曝光裝置，具有射出光的光出射部；保持形成有圖案的掩膜的掩膜 臺；及保持工件的工件臺，上述工件轉(zhuǎn)印形成于上述掩膜的圖案，該曝光裝置其特征為上 述工件臺是上述第1手段所記載的工件臺。
(發(fā)明的效果) 根據(jù)本發(fā)明的工件臺，即使為產(chǎn)生碗形翹曲的工件或呈波浪起伏的工件，也可一 面矯正翹曲，一面將工件確實(shí)地吸附保持在工件臺全面。 此外，根據(jù)本發(fā)明的曝光裝置，可提供可將產(chǎn)生碗形翹曲的工件或呈波浪起伏的 工件確實(shí)地吸附保持工件臺全面的曝光裝置。


圖1示出第1實(shí)施方式的發(fā)明具有的工件臺的曝光裝置的構(gòu)成的剖面圖；
圖2是圖1所示的工件臺6的放大平面圖； 圖3是由圖2的A-A剖面及B_B剖面所觀看的工件臺6的放大剖面圖； 圖4是示出由圖2的A-A剖面所觀看的工件被吸附保持在工件臺全面的過程的示
意圖； 圖5是示出由圖2的B-B剖面所觀看的工件被吸附保持在工件臺全面的過程的示 意圖； 圖6示出由工件臺的表面所觀看的工件被吸附保持在工件臺全面的過程的示意 圖； 圖7是第2實(shí)施方式的發(fā)明的工件臺的放大平面圖； 圖8是示出公知技術(shù)的具有將工件作吸附保持的工件臺的曝光裝置的構(gòu)成剖面 圖； 圖9是顯示翹曲成碗形的晶片及周邊部呈波狀變形的晶片的正面圖；
圖10是示出公知技術(shù)的工件臺無法吸附翹曲成碗形的晶片的情況的剖面圖；
圖11示出其它公知技術(shù)的工件臺無法吸附翹曲成碗形的晶片的情況的剖面圖。
標(biāo)號說明 1 :曝光裝置，2 :光照射部，3 :掩膜，4 :掩膜臺，5 :工件，6 :工件臺，7 :投影透鏡， 21 :燈，22 :反射鏡，61 :第1真空吸附孔群，62 :第2真空吸附孔群，63 :第l真空配管，64 :第 2真空配管，65 :第1電磁閥，66 :第2電磁閥，67 :控制部，71 :第1真空配管，72 :第2真空 配管，81 :第1電磁閥，82 :第2電磁閥，100 :曝光裝置，101 :光照射部，102 :掩膜，103 :掩膜 臺，104 :工件，105 :工件臺，106 :投影透鏡，1011 :燈，1012 :反射鏡，1051 :真空吸附槽(或 復(fù)數(shù)真空吸附孔)，1052 :配管，107 :電磁閥，108 :控制部，201 :晶片，2011 :周邊部，2012 : 中央部，202 :晶片，2021 :周邊部，301 :工件臺，3011 :真空吸附槽，302 :晶片，3021 :周邊 部，303 :工件臺，3031 :真空吸附孔，304 :晶片，3041 :中央部，3042 :周邊部，401 :工件臺，
4011 :第1真空吸附槽，4012 :第2真空吸附槽，4013 :第3真空吸附槽，402 :晶片，4021 :晶 片402接近工件臺401的部分，X :第1真空吸附孔群61的真空吸附孔，Y凍2真空吸附孔 群62的真空吸附孔
具體實(shí)施例方式
使用圖1至圖6，說明本發(fā)明之一實(shí)施方式。 圖1示出本實(shí)施方式的發(fā)明涉及的具有工件臺的曝光裝置的概略構(gòu)成的剖面圖。 其中，以下就曝光裝置所用的工件臺為例加以說明，但是即使為曝光裝置以外，若為將工件 (基板)作吸附保持而進(jìn)行處理的裝置，即可適用本發(fā)明的工件臺。 如該圖所示，該曝光裝置1具有射出紫外線的光照射部2、形成有圖案的掩膜3、 保持掩膜3的掩膜臺4、對涂敷有抗蝕劑的晶片或印刷基板等工件5進(jìn)行保持的工件臺6、 在被保持在工件臺6上的工件5上投影掩膜3的圖案像的投影透鏡7等。其中，在曝光裝 置1中也存在不具有投影透鏡7的曝光裝置。光照射部2具有放射包含紫外線的光的燈 21、及將來自燈21的光作反射的反射鏡22。此外，在工件臺6的表面形成有真空吸附孔群 61、62。 在工件臺6連接有第1真空配管71及第2真空配管72，由控制部9控制第1電磁 閥81及第2電磁閥82，由此經(jīng)由第1真空配管71及第2真空配管72，當(dāng)保持工件5時，對 真空吸附孔供給真空，另外當(dāng)由工件臺6卸除工件5時，對真空吸附孔供給空氣。若對于向 工件臺6的供給真空的機(jī)構(gòu)進(jìn)行詳述，在第1真空配管71安裝有第1電磁閥81，在第2真 空配管72安裝有第2電磁閥82。第1電磁閥81與第2電磁閥82分別與控制部9相連接， 根據(jù)來自控制部9的動作訊號進(jìn)行動作。構(gòu)成為在第1真空配管71與第2真空配管72獨(dú) 立地供給真空，若第1電磁閥81進(jìn)行動作，則對第1真空配管71供給真空，若第2電磁閥 82進(jìn)行動作，則對第2真空配管72供給真空。 圖2是圖1所示的工件臺6的放大平面圖，圖3 (a)是圖2的A_A部分的剖面圖， 圖3(b)是圖2的B-B部分的剖面圖。 如圖2所示，在工件臺6具有第1真空吸附孔群61與第2真空吸附孔群62。第 1真空吸附孔群61放射狀配置而形成(圖中以X表示)多列的真空吸附孔列，該真空吸附 孔列將多個真空吸附孔X由工件臺6的中央部朝向周邊部(外側(cè))排列。其中，在該圖中， 第1真空吸附孔群61被直線狀排列，但是若為在某一范圍內(nèi)，也可以配置成蛇行(彎曲) 或曲折狀(Z字形)(-夕'平夕')。此外，第2真空吸附孔群62形成于被第1真空吸附孔 群61所隔著(包夾)的區(qū)域(圖中以Y表示)。在本實(shí)施方式中，各真空吸附孔的直徑為 Olmm，其個數(shù)是第l真空吸附孔群61的真空吸附孔X為10個，第2真空吸附孔群62的真 空吸附孔Y為19個。第1真空吸附孔群61的真空吸附孔X全部與第1真空配管71相連 接，此外，第2真空吸附孔群62的真空吸附孔Y全部與第2真空配管72相連接。第1真空 配管71與第2真空配管72獨(dú)立地供給有工件吸附用的真空。 使用圖4、圖5、及圖6，針對本發(fā)明的工件臺的動作加以說明。圖4(a) 圖4(c) 相當(dāng)于圖3(a)的情形，圖5(a) 圖5 (c)相當(dāng)于圖3 (b)的情形。其中，在該等圖中，為了 易于理解，工件翹曲量被夸張顯示。此外，圖6是由上方觀看工件臺6的圖，以模式顯示吸 附工件5的情況。 首先，如圖4(a)所示，已發(fā)生翹曲的工件(晶片等)5被未圖示的搬送機(jī)構(gòu)所搬送 且被載置于工件臺6。圖1所示的控制部9使第1電磁閥81進(jìn)行動作，對第1真空配管71 供給工件吸附用的真空。對第1真空吸附孔群71的真空吸附孔X供給真空。工件5翹曲
6成碗形，在其中央部或其周邊與工件臺6相接。因此，工件5由設(shè)置在工件臺6中央的第1 真空吸附孔群61的真空吸附孔X所吸附。 接著，如圖4(b)所示，第1真空吸附孔群61以放射狀形成3列，因此已翹曲的工 件5被拉至該3列中以工件5與工件臺6的間隔為最窄的列的工件臺6的中央部(內(nèi)側(cè)) 的真空吸附孔X而被吸附。于是，這次位于該列的外側(cè)的真空吸附孔X與工件5的間隔變 窄，被拉至該真空吸附孔X而被吸附(與圖6的箭頭(1)相對應(yīng))。其它列的真空吸附孔X 在該階段并無法吸附工件5而產(chǎn)生泄漏。但是，形成于工件臺6的真空吸附孔X(Y)的直徑 小為①lmm，而且真空吸附孔X (Y)的個數(shù)也少，因此隨著供給至第1真空配管71的真空壓 力會上升(接近于大氣壓)，大量空氣并不會流入。 不久，如圖4(c)所示，翹曲的工件5被第1真空吸附孔群71的1列所吸附(與圖 6的箭頭(1)相對應(yīng))。若以圖2的B-B剖面圖觀看該狀態(tài)，則如圖5(a)所示。
接著，在圖5(a)所示狀態(tài)下，控制部9使第2電磁閥82進(jìn)行動作，當(dāng)對第2真空 配管72供給工件吸附用的真空時，對第2真空吸附孔群62供給真空。對第2真空配管72 供給真空的定時是在對第1真空配管71供給真空的后再對第2真空配管72供給真空為止 的時間(數(shù)秒至數(shù)十秒)，可利用計(jì)時器予以設(shè)定，也可以當(dāng)工件5被第1真空吸附孔群61 的1列所吸附時，供給至第1真空配管71的真空壓力產(chǎn)生變動(壓力稍微下降)，因此由真 空傳感器來檢測該變動，而供給至第2真空配管72。 接著，如圖5 (b)所示，工件5被第1真空吸附孔群61的1列所吸附，因此位于正在 吸附工件5的真空吸附孔X的列相鄰的第2真空吸附孔群62的真空吸附孔Y與工件5的 間隔會變窄。因此，工件5被拉至該第2真空吸附孔群62的真空吸附孔Y而被吸附(與圖 6的箭號(2)相對應(yīng))。若工件5被吸附在位于第1真空吸附孔群61相鄰的第2真空吸附 孔群62的真空吸附孔Y時，在第2真空吸附孔群62中，工件5進(jìn)一步被吸附在另外在其圓 周方向相鄰的真空吸附孔Y或直徑方向(外側(cè))相鄰的真空吸附孔Y(與圖6的箭頭3相 對應(yīng))。 如圖5(c)所示，工件5—面矯正翹曲一面依序朝圓周方向被吸附，到達(dá)最初未吸 附工件5的第1真空吸附孔群61的真空吸附孔列。于是，在現(xiàn)階段，工件5被第2真空吸 附孔群62所吸附，因此工件5與第l真空吸附孔群61的真空吸附孔列的間隔會變窄，工件 5被第1真空吸附孔群61的真空吸附孔列所吸附(與圖6的箭頭4相對應(yīng))。若工件5被 吸附至第1真空吸附孔群61的真空吸附孔列X時，工件5進(jìn)一步被另外位于其相鄰的第2 真空吸附孔群62的真空吸附孔Y，以工件臺6的圓周方向與直徑方向依序被吸附(與圖6 的箭頭5相對應(yīng))。接著，最后工件5被矯正翹曲且在工件臺6全面被吸附保持(與圖6的 箭頭7相對應(yīng))。 本案發(fā)明人等使用本實(shí)施方式的發(fā)明的工件臺，實(shí)際上使用周邊部相對于中央部 翹曲lmm左右并且周邊部呈波狀變形的10枚曲120mm晶片來作為工件，結(jié)果確認(rèn)出10枚 晶片全部均可通過工件臺而全面作吸附保持。 圖7顯示第2實(shí)施方式的發(fā)明的工件臺的構(gòu)成的平面圖。 相對于在第1實(shí)施方式的工件臺6中以放射狀形成3列第1真空吸附孔群61，如 該圖所示，該工件臺6是以放射狀形成4列，在這方面有所不同。在本實(shí)施形態(tài)的工件臺6 中，也可以具有與第1實(shí)施形態(tài)的工件臺6相同的功能。
將上述務(wù)實(shí)施方式的發(fā)明的工件臺要點(diǎn)匯整如下。第l，形成在工件臺6表面的 真空吸附單元61、62形成為孔而非槽。由此，可防止因泄漏所造成的真空吸附壓力的降低。 第2，以放射狀形成的第1真空吸附孔群61的真空吸附孔X的圓周方向相鄰形成的真空吸 附孔是設(shè)置為第2真空吸附孔群62的真空吸附孔Y。其中，在第2真空吸附孔群62的真空 吸附孔Y的圓周方向相鄰可具有第2真空吸附孔群62的真空吸附孔Y。由此，將翹曲成碗 形的工件5先朝1個部位(或l列)以直徑方向吸附，接著朝圓周方向吸附。因此，工件5 慢慢被矯正翹曲，而被吸附在工件臺6全面。
權(quán)利要求
一種工件臺，通過真空吸附來吸附保持工件，其特征在于，具有第1真空吸附孔群，在吸附保持工件的工件臺表面，以放射狀配置有多列由與第1配管相連接的多個真空吸附孔構(gòu)成的真空吸附孔列；第2真空吸附孔群，形成于由上述第1真空吸附孔群所隔著的區(qū)域，并與第2配管相連接；及控制部，在吸附保持上述工件時，由上述第1配管對上述第1真空吸附孔群供給真空，接著，由上述第2配管對上述第2真空吸附孔群供給真空。
2. —種曝光裝置，具有射出光的光射出部；保持形成有圖案的掩膜的掩膜臺；及保持 工件的工件臺，上述工件轉(zhuǎn)印被形成于上述掩膜的圖案，該曝光裝置其特征為上述工件臺是權(quán)利要求1所述的工件臺。
全文摘要
本發(fā)明提供一種工件臺及使用該工件臺的曝光裝置，即使為已翹曲成碗形的工件或周邊部呈波狀變形的工件，也可矯正工件的翹曲，而吸附保持工件全面。本發(fā)明的工件臺，通過真空吸附來吸附保持工件的工件臺，其特征為具有第1真空吸附孔群(61)，在吸附保持工件的工件臺(6)表面，以放射狀配置有多列由與第1配管相連接的多個真空吸附孔(X)所構(gòu)成的真空吸附孔列；第2真空吸附孔群(Y)，形成于由第1真空吸附孔群(61)所隔著的區(qū)域，并與第2配管相連接；及控制部，在吸附保持工件時，由第1配管對第1真空吸附孔群(61)供給真空，接著，由第2配管對第2真空吸附孔群(62)供給真空。
文檔編號H01L21/683GK101794726SQ20101000540
公開日2010年8月4日 申請日期2010年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月2日
發(fā)明者中谷猛 申請人:優(yōu)志旺電機(jī)株式會社