專(zhuān)利名稱(chēng)：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制
作方法。。
背景技術(shù)：
目前，在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，可使用氮化硅在溝道中引發(fā)應(yīng)力，從而調(diào)節(jié)溝道中的 載流子的遷移率，進(jìn)而提高器件的處理速度?；パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)包括N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)結(jié)構(gòu)和P型金屬 氧化物半導(dǎo)體(PMOS)結(jié)構(gòu)。對(duì)于CMOS結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，需要在NMOS結(jié)構(gòu)上沉積具有張應(yīng)力 (tensile stress)的氮化硅層，在PMOS結(jié)構(gòu)上沉積具有壓應(yīng)力(compressive stress)的 氮化硅層，以確保NMOS結(jié)構(gòu)和PMOS結(jié)構(gòu)的溝道中的載流子具有相同的遷移率。圖IA IG所示，為現(xiàn)有互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程示意圖。如圖IA所示，在半導(dǎo)體襯底100上形成半導(dǎo)體器件的有源區(qū)和隔離區(qū)。具體來(lái)說(shuō)， 通過(guò)在半導(dǎo)體襯底100上形成淺溝槽隔離12，接著形成阱區(qū)11，將淺溝槽隔離22右邊定義 為第一區(qū)域，用于制作PMOS結(jié)構(gòu)，注入磷或砷雜質(zhì)離子在第一區(qū)域上形成N阱；淺溝槽隔離 12左邊定義為第二區(qū)域，用于制作NMOS結(jié)構(gòu)，注入硼或銦雜質(zhì)離子在第二區(qū)域上形成P阱。在半導(dǎo)體襯底100上依次生長(zhǎng)柵氧化層101和沉積多晶硅層102，并刻蝕形成多晶 硅柵極。其中，位于淺溝槽隔離12上的多晶硅柵極直接與淺溝槽隔離12接觸(淺溝槽隔 離12的上方也可以不形成多晶硅柵極)。之后，在多晶硅柵極兩側(cè)形成側(cè)壁層103，具體形成方式為通過(guò)化學(xué)氣相沉積 (CVD)等方法在多晶硅柵極表面及半導(dǎo)體襯底100表面淀積一層氧化硅，然后刻蝕形成側(cè) 壁層103，厚度約為幾十納米。在多晶硅柵極和側(cè)壁層103的保護(hù)下，進(jìn)行有源區(qū)的注入，以形成源極和漏極 104。由于PMOS結(jié)構(gòu)用空穴作為多數(shù)載流子，所以PMOS結(jié)構(gòu)的源極和漏極為P型，注入的 雜質(zhì)離子為硼或銦；而NMOS結(jié)構(gòu)用電子作為多數(shù)載流子，所以NMOS結(jié)構(gòu)的源極和漏極為N 型，注入的雜質(zhì)離子為磷或砷。之后，實(shí)施硅化物工藝(silicide process)，即沉積鎳(Ni)、鈦(Ti)或鈷(Co)等 任一金屬。由于這些金屬可與硅反應(yīng)，但是不會(huì)與硅氧化物如二氧化硅(SiO2)、硅氮化物如 氮化硅(Si3M)或硅氮氧化物(SiON)等反應(yīng)，所以該工藝只會(huì)在露出的多晶硅柵極表面和 半導(dǎo)體襯底100表面形成硅化物層105。上述結(jié)構(gòu)以淺溝槽隔離12為界，將形成NMOS結(jié)構(gòu)的右側(cè)區(qū)域定義為第一區(qū)域，將 形成PMOS結(jié)構(gòu)的左側(cè)區(qū)域定義為第二區(qū)域。如圖IB所示，在圖IA所示結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，沉積具有張應(yīng)力的第一氮化硅層 106，接著在具有張應(yīng)力的第一氮化硅層106的表面沉積硬掩膜氧化層(ΗΜ0，Hard Mask Oxide) 107，然后在硬掩膜氧化層107的表面旋涂第一光刻膠層108，并曝光顯影圖案化第 一光刻膠層108，使得第一光刻膠層108的開(kāi)口顯露出第二區(qū)域，同時(shí)覆蓋住第一區(qū)域，即第一光刻膠層108的開(kāi)口顯露出第二區(qū)域的硬掩膜氧化層107，但覆蓋住第一區(qū)域的硬掩 膜氧化層107。如圖IC所示，在第一光刻膠層108的保護(hù)下，對(duì)顯露出的第二區(qū)域的硬掩膜氧化 層107進(jìn)行刻蝕，接著，如圖ID所示，去除第一光刻膠層108。第一區(qū)域的硬掩膜氧化層107 由于之前被第一光刻膠層108覆蓋，所以仍然保留。之后，如圖IE所示在第一區(qū)域的硬掩 膜氧化層107的保護(hù)下，對(duì)第二區(qū)域的具有第一氮化硅層106進(jìn)行去除。需要說(shuō)明的是，之所以沒(méi)有在將第二區(qū)域的硬掩膜氧化層107和具有張應(yīng)力的第 一氮化硅層106均去除之后，再去除第一光刻膠層108，是因?yàn)槿コ哂袕垜?yīng)力的第一氮化 硅層106之后，其下層的硅化物層105就會(huì)顯露出來(lái)，而去除第一光刻膠層108通常采用如 下方法，即利用氧氣(O2)來(lái)去除光刻膠將硅片放在反應(yīng)腔內(nèi)的靜電吸盤(pán)上，并向反應(yīng)腔內(nèi) 輸入02，通過(guò)電極將輸入的電離為等離子體，之后，電離出的氧離子與光刻膠中的有機(jī)成份 發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成(X)2和其它易去除的氧化物等排除，以達(dá)到去除光刻膠的目的，而氧離 子與硅化物層105—旦接觸，就會(huì)將硅化物層105氧化，這在制作過(guò)程中是不允許的。所以， 在將第二區(qū)域的硬掩膜氧化層107去除之后，需要首先將第一區(qū)域的第一光刻膠層108去 除，然后再去除第二區(qū)域具有張應(yīng)力的第一氮化硅層106。如圖IF所示，在第一區(qū)域的硬掩膜氧化層107的表面以及第二區(qū)域的表面沉積具 有壓應(yīng)力的第二氮化硅層109，接著在具有第二氮化硅層109表面旋涂第二光刻膠層110， 并曝光顯影圖案化第二光刻膠層110，使得第二光刻膠層110的開(kāi)口顯露出第一區(qū)域的具 有第二氮化硅層109，同時(shí)覆蓋住第二區(qū)域的具有第二氮化硅層109。如圖IG所示，在第二光刻膠層110的保護(hù)下，對(duì)顯露出的第一區(qū)域的具有壓應(yīng)力 的第二氮化硅層109進(jìn)行刻蝕，以下層的硬掩膜氧化層107作為蝕刻的停止層。然后去除 第二光刻膠層110。至此，即結(jié)束了 CMOS結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程，后續(xù)如何處理與本發(fā)明所述方案無(wú)關(guān)，不 作介紹。但上述處理方式在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)存在一定的問(wèn)題，因?yàn)槿鐖DID和IE所示所示，在第一區(qū)域的硬掩膜氧化層107的保護(hù)下，對(duì)具有張應(yīng)力 的第一氮化硅層106進(jìn)行去除時(shí)，多采用干法刻蝕方式，且采用較高的選擇比(即具有張應(yīng) 力的第一氮化硅層106的刻蝕速率明顯大于硬掩膜氧化層107的刻蝕速率)。干法刻蝕也 可稱(chēng)為等離子體刻蝕，是指將硅片通過(guò)靜電吸盤(pán)固定在反應(yīng)腔內(nèi)，通過(guò)反應(yīng)腔中心或邊緣 進(jìn)氣方式，向反應(yīng)腔內(nèi)輸入刻蝕氣體，通常為含氟類(lèi)氣體，并且，為了提高刻蝕性能，該含氟 類(lèi)氣體多由多種氣體混合而成，比如由二氟甲烷(CHJ2)、三氟甲烷(CHF3)和氟甲烷(CH3F) 等含氟類(lèi)氣體中的兩種或者三種混合而成；含氟類(lèi)氣體在反應(yīng)腔內(nèi)的源功率的作用下解離 為等離子體，利用解離出的氟離子與硅片表面未被保護(hù)的區(qū)域發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)，從而 去除該區(qū)域的表面材料。而等離子體刻蝕方式通常為各向同性刻蝕。所謂各向同性刻蝕， 是指對(duì)于不同的刻蝕方向來(lái)說(shuō)，通常指橫向和縱向，刻蝕速率是一樣的，與之相反，各向異 性刻蝕則是指不同方向的刻蝕速率不一樣，某一方向明顯更快。這樣，在圖IE所示去除具 有張應(yīng)力的第一氮化硅層106時(shí)，不但會(huì)縱向刻蝕掉第一氮化硅層106，而且還會(huì)在第一區(qū) 域和第二區(qū)域的交界處造成過(guò)刻蝕(undercut)問(wèn)題，即圖IE中虛線(xiàn)圈所示區(qū)域會(huì)向右被 刻蝕掉一部分，從而影響第一區(qū)域上的具有第一氮化硅層106的性能。另外，雖然選擇比較高，但是第一區(qū)域的硬掩膜氧化層107也會(huì)被刻蝕，而且，由于刻蝕本身的特征，不可能保 證不同區(qū)域的刻蝕是完全均勻的，那么對(duì)于第一區(qū)域的硬掩膜氧化層107來(lái)說(shuō)，刻蝕完成 后，可能有的區(qū)域比較厚，而有的區(qū)域則比較薄，而依據(jù)之前的介紹可知，在圖IG所示過(guò)程 中，第一區(qū)域的硬掩膜氧化層107還需要作為具有壓應(yīng)力的第二氮化硅層109的刻蝕阻擋 層，如果第一區(qū)域的硬掩膜氧化層107不均勻，必然會(huì)影響其作為阻擋層的性能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，不但能夠降 低出現(xiàn)過(guò)刻蝕問(wèn)題的可能性，而且能夠提高刻蝕后的硬掩膜氧化層的均勻性。本發(fā)明提供了一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括在硅片 的半導(dǎo)體襯底上形成具有N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有P型金屬氧 化物半導(dǎo)體PMOS結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；在硅片表面依次沉積第一氮化硅層和硬掩膜氧化層，并 在第一區(qū)域上的硬掩膜氧化層表面形成第一光刻膠層；在第一光刻膠層的保護(hù)下，同時(shí)刻 蝕第二區(qū)域上的硬掩膜氧化層和第一氮化硅層，在刻蝕完成后去除第一光刻膠層；在硅片 表面沉積第二氮化硅層，并在第二區(qū)域上的第二氮化硅層表面形成第二光刻膠層；在第二 光刻膠層的保護(hù)下，刻蝕掉第一區(qū)域上的第二氮化硅層，并在刻蝕完成后去除第二光刻膠層。優(yōu)選的，所述刻蝕第二區(qū)域上的硬掩膜氧化層和第一氮化硅層，采用的工藝條件 為反應(yīng)腔內(nèi)的壓力為45 55毫托，源功率為350 450瓦，偏置電壓為200 300伏，刻 蝕氣體為02、CF4以及He組成的混合氣體，刻蝕時(shí)間為90 110秒。優(yōu)選的，所述刻蝕氣體A的流量為25 35毫升每分鐘，CF4流量為120 170毫 升每分鐘以及He流量為5 15毫升每分鐘。優(yōu)選的，所述在刻蝕完成后去除第一光刻膠層，反應(yīng)腔內(nèi)的壓力為45 55毫托， 源功率為280 320瓦，反應(yīng)腔內(nèi)的靜電吸盤(pán)上的溫度為20 30攝氏度，去除時(shí)間為25 35秒，去除氣體為由流量為400 600毫升每分鐘組成的&構(gòu)成?？梢?jiàn)，采用本發(fā)明的技術(shù)方案，在對(duì)第一氮化硅層進(jìn)行刻蝕是與硬掩膜氧化層刻 蝕同步一次進(jìn)行，通過(guò)改變刻蝕過(guò)程中刻蝕氣體組成比例和成分、反應(yīng)腔內(nèi)的壓力、源功率 以及偏置電壓，形成無(wú)刻蝕選擇性的干法刻蝕。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述方案縮短了刻 蝕的時(shí)間(現(xiàn)有技術(shù)中先刻蝕硬掩膜氧化層，接著去除第一光刻膠層，然后再進(jìn)行第一氮 化硅層)，而且由于是同步一次刻蝕第一氮化硅層和硬掩膜氧化層，使得第一氮化硅層具有 更好拉力控制，并能使第一氮化硅層刻蝕完成后側(cè)面不會(huì)留有殘余的氮化硅，從而在所有 刻蝕完成后，得到更為均勻的硬掩膜氧化層。


圖IA IG為現(xiàn)有互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程示意圖；圖2A 2E為本發(fā)明互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程示意圖；圖3為本發(fā)明互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明中提出一種改進(jìn)的CMOS結(jié)構(gòu)的制作方法，在 對(duì)具有張應(yīng)力的第一氮化硅層進(jìn)行刻蝕是與硬掩膜氧化層刻蝕同步一次進(jìn)行，通過(guò)改變刻 蝕過(guò)程中刻蝕氣體組成比例和成分、反應(yīng)腔內(nèi)的壓力、源功率以及偏置電壓，形成無(wú)刻蝕選 擇性的干法刻蝕。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述方案縮短了刻蝕的時(shí)間(現(xiàn)有技術(shù)中先刻 蝕硬掩膜氧化層，接著去除第一光刻膠層，然后再進(jìn)行第一氮化硅層)，而且由于是同步一 次刻蝕第一氮化硅層和硬掩膜氧化層，使得第一氮化硅層具有更好張應(yīng)力控制，并能使第 一氮化硅層刻蝕完成后側(cè)面不會(huì)留有殘余的氮化硅，從而在所有刻蝕完成后，得到更為均 勻的硬掩膜氧化層。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例， 對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明包括以下步驟，步驟301 在硅片的半導(dǎo)體襯底上形成第一區(qū)域和第二區(qū) 域。步驟302 在硅片表面依次沉積第一氮化硅層和硬掩膜氧化層，并在第一區(qū)域上的硬掩 膜氧化層表面形成第一光刻膠層。步驟303 在第一光刻膠層的保護(hù)下，刻蝕掉第二區(qū)域上 的硬掩膜氧化層和第一氮化硅層，并在刻蝕完成后去除第一光刻膠層。步驟304 在硅片表 面沉積具有的第二氮化硅層，并在第二區(qū)域上的第二氮化硅層表面形成第二光刻膠層。步 驟305 在第二光刻膠層的保護(hù)下，刻蝕掉第一區(qū)域上的第二氮化硅層，并在刻蝕完成后去 除第二光刻膠層。圖3為本發(fā)明的制作方法流程圖。如圖2A 2E所示，具體方法如下步驟301 在硅片的半導(dǎo)體襯底上形成第一區(qū)域和第二區(qū)域。如圖2A所示，首先，在半導(dǎo)體襯底200上形成半導(dǎo)體器件的有源區(qū)和隔離區(qū)，具體 步驟包括通過(guò)在半導(dǎo)體襯底200上形成淺溝槽隔離22，接著形成阱區(qū)21，將淺溝槽隔離 22右邊定義為第一區(qū)域，用于制作PMOS結(jié)構(gòu)，注入磷或砷雜質(zhì)離子在第一區(qū)域上形成N阱； 淺溝槽隔離22左邊定義為第二區(qū)域，用于制作NMOS結(jié)構(gòu)，注入硼或銦雜質(zhì)離子在第二區(qū)域 上形成P阱。然后，在半導(dǎo)體襯底200上依次生長(zhǎng)柵氧化層201和沉積多晶硅層202，并刻蝕形 成多晶硅柵極。其中位于淺溝槽隔離22上的多晶硅柵極直接與淺溝槽隔離22接觸(淺溝 槽隔離22的上方也可以不形成多晶硅柵極)。之后，在多晶硅柵極兩側(cè)形成側(cè)壁層203，具體為通過(guò)化學(xué)氣相沉積等方法在多 晶硅柵極表面及半導(dǎo)體襯底200表面淀積一層氧化硅，然后刻蝕形成側(cè)壁層203，厚度約為 幾十納米。之后，在多晶硅柵極和側(cè)壁層203的保護(hù)下，進(jìn)行有源區(qū)的注入，以形成源極和漏 極204。由于PMOS結(jié)構(gòu)用空穴作為多數(shù)載流子，所以PMOS結(jié)構(gòu)的源極和漏極為P型，注入 的雜質(zhì)離子為硼或銦；而NMOS結(jié)構(gòu)用電子作為多數(shù)載流子，所以NMOS結(jié)構(gòu)的源極和漏極為 N型，注入的雜質(zhì)離子為磷或砷。再之后，實(shí)施硅化物工藝，即沉積鎳、鈦或鈷等任一金屬。由于這些金屬可與硅反 應(yīng)，但是不會(huì)與硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物等反應(yīng)，所以該工藝只會(huì)在露出的多晶硅 柵極表面和半導(dǎo)體襯底200表面形成硅化物層205。步驟302 在硅片表面依次沉積第一氮化硅層和硬掩膜氧化層，并在第一區(qū)域上 的硬掩膜氧化層表面形成第一光刻膠層。
如圖2B所示，首先，在硅片表面沉積具有張應(yīng)力的第一氮化硅層206，然后在具有 張應(yīng)力的第一氮化硅層206的表面沉積硬掩膜氧化層207 ；之后，在硬掩膜氧化層207的表 面旋涂第一光刻膠層208，并曝光顯影圖案化第一光刻膠層208，使得第一光刻膠層208的 開(kāi)口顯露出第二區(qū)域，同時(shí)覆蓋住第一區(qū)域。步驟303 在第一光刻膠層的保護(hù)下，刻蝕掉第二區(qū)域上的硬掩膜氧化層和第一 氮化硅層，并在刻蝕完成后去除第一光刻膠層。如圖2C所示，首先，在第一光刻膠層208的保護(hù)下，同時(shí)干法刻蝕第二區(qū)域上的硬 掩膜氧化層207和第一氮化硅層206，采用的是干法刻蝕方法，工藝參數(shù)設(shè)置采用的工藝條 件為反應(yīng)腔內(nèi)的壓力為45 55毫托，源功率為350 450瓦，偏置電壓為200 300伏， 刻蝕氣體為02、CF4以及He組成的混合氣體，刻蝕時(shí)間為90 110秒?？涛g氣體02的流 量為25 35毫升每分鐘，CF4流量為120 170毫升每分鐘以及He流量為5 15毫升每 分鐘?？涛g完畢后，去除第一光刻膠層208，采用如下方法，即利用O2來(lái)去除光刻膠將硅片 放在反應(yīng)腔內(nèi)的靜電吸盤(pán)上，并向反應(yīng)腔內(nèi)輸入O2，通過(guò)電極將輸入的電離為等離子體，之 后，電離出的氧離子與光刻膠中的有機(jī)成份發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成和其它易去除的氧化物等 排除，以達(dá)到去除光刻膠的目的。而氧離子與硅化物層205 —旦接觸，就會(huì)將硅化物層205 氧化，為了避免氧化發(fā)生，設(shè)置工藝參數(shù)條件為反應(yīng)腔內(nèi)的靜電吸盤(pán)上的溫度為20 30攝 氏度(現(xiàn)有工藝為200 300攝氏度)，反應(yīng)腔內(nèi)的壓力為45 55毫托，源功率為280 320瓦，去除時(shí)間為25 35秒，去除氣體為由流量為400 600毫升每分鐘組成的化構(gòu)成。步驟304 在硅片表面沉積具有的第二氮化硅層，并在第二區(qū)域上的第二氮化硅 層表面形成第二光刻膠層。本步驟中，如圖2D所示，在第一區(qū)域的硬掩膜氧化層207的表面以及第二區(qū)域的 表面沉積具有壓應(yīng)力的第二氮化硅層209，接著在第二氮化硅層209表面旋涂第二光刻膠 層210，并曝光顯影圖案化第二光刻膠層210，使得第二光刻膠層210的開(kāi)口顯露出第一區(qū) 域的具有壓應(yīng)力的第二氮化硅層209，同時(shí)覆蓋住第二區(qū)域的具有壓應(yīng)力的第二氮化硅層 209。步驟305 在第二光刻膠層的保護(hù)下，刻蝕掉第一區(qū)域上的第二氮化硅層，并在刻 蝕完成后去除第二光刻膠層。如圖2E所示，在第二光刻膠層210的保護(hù)下，刻蝕第一區(qū)域上的第二氮化硅層 209，刻蝕后去除第二光刻膠層210。至此，即完成了本實(shí)施例所述互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程?？傊?，采用本發(fā)明的技術(shù)方案，不但能夠降低出現(xiàn)過(guò)刻蝕問(wèn)題的可能性，而且能夠 提高刻蝕后的硬掩膜氧化層的均勻性。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括在硅片的半導(dǎo)體襯底上形成具有N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有 P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；在硅片表面依次沉積第一氮化硅層和硬掩膜氧化層，并在第一區(qū)域上的硬掩膜氧化層 表面形成第一光刻膠層；在第一光刻膠層的保護(hù)下，同時(shí)刻蝕第二區(qū)域上的硬掩膜氧化層和第一氮化硅層，在 刻蝕完成后去除第一光刻膠層；在硅片表面沉積第二氮化硅層，并在第二區(qū)域上的第二氮化硅層表面形成第二光刻膠層；在第二光刻膠層的保護(hù)下，刻蝕掉第一區(qū)域上的第二氮化硅層，并在刻蝕完成后去除 第二光刻膠層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述 刻蝕第二區(qū)域上的硬掩膜氧化層和第一氮化硅層，采用的工藝條件為反應(yīng)腔內(nèi)的壓力為 45 55毫托，源功率為350 450瓦，偏置電壓為200 300伏，刻蝕氣體為02、CF4以及 He組成的混合氣體，刻蝕時(shí)間為90 110秒。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述刻 蝕氣體A的流量為25 35毫升每分鐘，CF4流量為120 170毫升每分鐘以及He流量為 5 15毫升每分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述在 刻蝕完成后去除第一光刻膠層，反應(yīng)腔內(nèi)的壓力為45 55毫托，源功率為觀0 320瓦， 反應(yīng)腔內(nèi)的靜電吸盤(pán)上的溫度為20 30攝氏度，去除時(shí)間為25 35秒，去除氣體為由流 量為400 600毫升每分鐘組成的化構(gòu)成。
全文摘要
一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括在硅片的半導(dǎo)體襯底上形成具有N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；在硅片表面依次沉積第一氮化硅層和硬掩膜氧化層，并在第一區(qū)域上的硬掩膜氧化層表面形成第一光刻膠層；在第一光刻膠層的保護(hù)下，同時(shí)刻蝕第二區(qū)域上的硬掩膜氧化層和第一氮化硅層，在刻蝕完成后去除第一光刻膠層。應(yīng)用本發(fā)明所述的方法，不但能夠降低出現(xiàn)過(guò)刻蝕問(wèn)題的可能性，而且能夠提高刻蝕后的硬掩膜氧化層的均勻性。
文檔編號(hào)H01L21/8238GK102130056SQ20101002270
公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2010年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月12日
發(fā)明者孫武, 黃敬勇 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司