專利名稱：檢測晶圓的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體集成電路領域的檢測方法。
背景技術：
請參閱圖1，一個圓形的晶圓(wafer) 10上包含多個矩形的晶粒(芯片)11，其中 每個晶粒11的橫向邊長為X_act，縱向邊長為y_act。半導體集成電路生產(chǎn)過程中，由晶圓測試機臺對晶圓10進行檢測。晶圓測試機臺 的橫向檢測精度為x_ins，縱向檢測精度為y_ins。當x_ins彡x_act且y_ins彡y_act時，晶圓測試機臺可以對每個晶粒11進行檢 測，并給出每個缺陷在哪個晶粒11中，以及缺陷在該晶粒11中的坐標。當X_ins > x_act或7」118 > y_act時，現(xiàn)有的檢測晶圓方法是將相鄰的mXη個 晶粒作為一個矩形的檢測單元，每個檢測單元的橫向尺寸為mXx_act，縱向尺寸為nXy_ act, x_ins彡mXx_act且y_ins彡nXy_aCt。晶圓檢測機臺可以對每個檢測單元進行檢 測，并給出每個缺陷在哪個檢測單元中，以及缺陷在該檢測單元中的坐標。但是此時晶圓檢 測機臺并沒有給出每個缺陷在哪個晶粒11中的信息，因此無法分析一個晶圓上的晶粒良 品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種檢測晶圓的方法，在任何情況下都可以給 出每個缺陷在哪個晶粒中，以及缺陷在該晶粒中的坐標。為解決上述技術問題，本發(fā)明檢測晶圓的方法包括如下步驟第1步，x_ins > x_act或y_ins > y_act時，將相鄰的mXn個晶粒作為一個矩形 的檢測單元，每個檢測單元的橫向尺寸為mXx_act，縱向尺寸為nXy_aCt，x_ins彡mXx_ act且7」118 ^nXy_act,晶圓檢測機臺對每個檢測單元進行檢測，并給出每個缺陷在哪個 檢測單元中，以及缺陷在該檢測單元中的坐標；所述x_ins為晶圓檢測機臺的橫向檢測精度；所述y_ins為晶圓檢測機臺的縱向檢測精度；所述x_act為每個晶粒的橫向尺寸；所述y_act為每個晶粒的縱向尺寸；第2步，將每個缺陷在哪個檢測單元中，以及缺陷在該檢測單元中的坐標；轉換為 每個缺陷在哪個晶粒中，以及缺陷在該晶粒中的坐標。本發(fā)明可以在任意情況下，將缺陷準確定位于每個晶粒之中，從而為后續(xù)分析如 晶圓中的晶粒良品率分析提供便利，有利于對生產(chǎn)工藝進行改進而提高產(chǎn)品的良品率。


圖1是晶圓與晶粒的示意圖2是缺陷B在所在檢測單元中的坐標示意圖；圖3是缺陷B在所在晶粒中的坐標示意圖。圖中附圖標記說明10為晶圓；11為晶粒；12為檢測單元。
具體實施例方式本發(fā)明檢測晶圓的方法，根據(jù)晶粒的尺寸大小不同具有兩種不同情況。第一種情況，當X_ins ( x_act且y_ins ( y_act時，晶圓測試機臺將每個晶粒作 為檢測單元，對每個晶粒進行檢測。檢測完畢后給出每個缺陷在哪個晶粒中，以及缺陷在該 晶粒中的坐標。例如晶圓測試機臺的檢測結果是缺陷A在第k個晶粒中，并且缺陷A在該第k個 晶粒中的坐標為(x0，y0)。每個晶粒的序號與位置的對應關系對于晶圓測試機臺是已知的。 晶粒中的坐標是以該矩形晶粒的某個角(如左下角)為原點建立的直角坐標系。第二種情況，當x_ins > x_act或y_ins > y_act時，將相鄰的mXn個晶粒作 為一個矩形的檢測單元，每個檢測單元的橫向尺寸為mXX_act，縱向尺寸為nXy_aCt，x_ ins ^ mXx_act且y_ins ^ nXy_act,晶圓檢測機臺對每個檢測單元進行檢測。檢測完畢 后給出每個缺陷在哪個檢測單元中，以及缺陷在該檢測單元中的坐標。例如晶圓測試機臺的檢測結果是缺陷B在第j個檢測單元中，并且缺陷B在該第 j個檢測單元中的坐標為(p0，qO)。每個檢測單元的序號與位置的對應關系對于晶圓檢測 機臺是已知的。檢測單元中的坐標是以該矩形檢測單元的某個角(如左下角)為原點建立 的直角坐標系。本發(fā)明所增加的工作是，已知每個檢測單元由mXn個晶粒組成，其中橫向為m個 晶粒，縱向為η個晶粒。已知缺陷B在第j個檢測單元中，并且缺陷B在該第j個檢測單元 中的坐標為(P0，q0)。如何得到缺陷B在哪一個晶粒中，以及缺陷B在該晶粒中的坐標(xO， y0)。下面僅給出一個實施例，具體介紹如何將缺陷從所在檢測單元的坐標(p0，q0)轉 換為所在晶粒的坐標(x0，y0)。請參閱圖2，這是一個檢測單元的示意圖。該檢測單元12由mXn個晶粒11所組 成，橫向為m個晶粒，縱向為η個晶粒。該檢測單元12中示意性地表示了一個缺陷B，缺陷 B在該檢測單元12中的坐標為(p0，q0)。(p，q)坐標系是以該檢測單元12的左下角為原 點建立的直角坐標系。首先將xl整除x_act，得到m0，余數(shù)為x0。再將yl整除y_act，得到n0，余數(shù)為 y0。其中m0、n0為正整數(shù)或零。請參閱圖3，缺陷B所在的晶粒11為該檢測單元12的原點所在晶粒11沿橫向數(shù) 第m0個、再沿縱向數(shù)第n0個晶粒11。缺陷B在所在晶粒11中的坐標為(x0，y0)。(χ, y) 坐標系是以該晶粒11的左下角為原點建立的直角坐標系。上述實施例僅為示意，在相同原理下，本領域的一般技術人員可做出各種等同替 換，則仍應屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權利要求
1.一種檢測晶圓的方法，其特征是，包括如下步驟第1步，當x_ins > x_act或y_ins > y_act時，將相鄰的mXn個晶粒作為一個矩形 的檢測單元，每個檢測單元的橫向尺寸為mXx_act，縱向尺寸為nXy_aCt，x_ins彡mXx_ act且7」118 ^nXy_act,晶圓檢測機臺對每個檢測單元進行檢測，并給出每個缺陷在哪個 檢測單元中，以及缺陷在該檢測單元中的坐標；所述X_ins為晶圓檢測機臺的橫向檢測精度；所述y_ins為晶圓檢測機臺的縱向檢測精度；所述x_act為每個晶粒的橫向尺寸；所述y_act為每個晶粒的縱向尺寸；第2步，將每個缺陷在哪個檢測單元中，以及缺陷在該檢測單元中的坐標；轉換為每個 缺陷在哪個晶粒中，以及缺陷在該晶粒中的坐標。
2.根據(jù)權利要求1所述的檢測晶圓的方法，其特征是，所述方法第1步中，當x_ ins ( x_act且y_ins ( y_act時，晶圓測試機臺將每個晶粒作為檢測單元，對每個晶粒進 行檢測；檢測完畢后給出每個缺陷在哪個晶粒中，以及缺陷在該晶粒中的坐標。
3.根據(jù)權利要求1所述的檢測晶圓的方法，其特征是，所述檢測單元中的坐標是以該 檢測單元的左下角為原點的直角坐標系中的坐標；所述晶粒中的坐標是以該晶粒的左下角為原點的直角坐標系的坐標。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種檢測晶圓的方法，包括如下步驟第1步，當x_ins＞x_act或y_ins＞y_act時，將相鄰的m×n個晶粒作為一個矩形的檢測單元，每個檢測單元的橫向尺寸為m×x_act，縱向尺寸為n×y_act，x_ins≤m×x_act且y_ins≤n×y_act，晶圓檢測機臺對每個檢測單元進行檢測，并給出每個缺陷在哪個檢測單元中，以及缺陷在該檢測單元中的坐標；第2步，將每個缺陷在哪個檢測單元中，以及缺陷在該檢測單元中的坐標；轉換為每個缺陷在哪個晶粒中，以及缺陷在該晶粒中的坐標。本發(fā)明可以在任意情況下，將缺陷準確定位于每個晶粒之中，從而為后續(xù)分析如晶圓中的晶粒良品率分析提供便利。
文檔編號H01L21/66GK102130031SQ20101002729
公開日2011年7月20日 申請日期2010年1月18日 優(yōu)先權日2010年1月18日
發(fā)明者蔡文新 申請人:上海華虹Nec電子有限公司