專利名稱：鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管的版圖結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種三極管的版圖設(shè)計(jì)，具體涉及一種鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管的版圖結(jié)構(gòu) 設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的鍺硅異質(zhì)結(jié)三級管制備工藝中，是利用埋層和外延層作為異質(zhì)結(jié)三極管的 集電極連接，以降低集電極電阻。其三極管陣列的版圖結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為集電極-基極-發(fā)射 極-基極-發(fā)射極(中間為基極和發(fā)射極的單元重復(fù)排列)一集電極的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)的，即 僅在一長串版圖兩端設(shè)置集電極，三極管陣列是通過埋層和外延層來實(shí)現(xiàn)集電極共接，再 由金屬層引出。而低成本的異質(zhì)結(jié)三極管結(jié)構(gòu)直接采用埋層作為集電極連接來實(shí)現(xiàn)。由于 沒有使用外延層，所以當(dāng)采用傳統(tǒng)的陣列排列時(shí)，會增大集電極的串聯(lián)電阻，擴(kuò)大陣列中集 電極串聯(lián)電阻的不均勻性，降低了三級管的射頻性能(Ft)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是基于低成本的鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管結(jié)構(gòu)，提供了一種 三極管的陣列版圖結(jié)構(gòu)，它可以降低版圖中集電極的串聯(lián)電阻，并使集電極的串聯(lián)電阻均 勻分布。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管的版圖結(jié)構(gòu)的技術(shù)解決方案 為該鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管版圖以集電極、基極、發(fā)射極、基極和集電極為單元進(jìn)行重復(fù)排列。本發(fā)明的版圖結(jié)構(gòu)中，將集電極-基極-發(fā)射極-基極-集電極為一個(gè)單元重復(fù) 排列，使集電極的串聯(lián)電阻減小并均勻分布，由此提高異質(zhì)結(jié)三極管的射頻性能。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明圖1是本發(fā)明的版圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是采用本發(fā)明的版圖結(jié)構(gòu)制備的三極管單體的剖面圖；圖3是現(xiàn)有的三極管陣列的等效電路圖；圖4是采用本發(fā)明的版圖結(jié)構(gòu)制備的三極管陣列的等效電路圖。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，為本發(fā)明的鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管的版圖結(jié)構(gòu)，以集電極、基極、發(fā)射極、 基極和集電極為單元進(jìn)行重復(fù)排列。版圖結(jié)構(gòu)中相鄰的單元可設(shè)為共用集電極。本發(fā)明的 版圖結(jié)構(gòu)可用于僅以埋層作為集電極連接的鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管制備中。圖2為采用這種版 圖結(jié)構(gòu)所制備的鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管的單體剖面圖，其中集電極10通過打在集電區(qū)2埋層1 上的通孔51引出來實(shí)現(xiàn)，圖中1為埋層，2為集電區(qū)；3為由外延鍺硅構(gòu)成的基區(qū)，由通孔5 和金屬6引出形成基極20 ；4為由多晶硅構(gòu)成的發(fā)射區(qū)，由通孔5和金屬6引出形成發(fā)射極30。所有的發(fā)射極共接，所有的基極共接，所有的極電極共接，共接可通過后道的金屬化工 藝完成。 采用本發(fā)明的版圖結(jié)構(gòu)制備的鍺硅異質(zhì)三極管陣列結(jié)構(gòu)，等效的電路圖如圖4所 示，每個(gè)三級管的集電極均相當(dāng)于串聯(lián)了 R阻值的電阻。而采用原有的版圖結(jié)構(gòu)制備的低 成本鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管的陣列結(jié)構(gòu)的等效電路中(見圖3)，所有的三極管集電極端的串聯(lián) 電阻并不相同，兩邊為相當(dāng)于R阻值的電阻，向里依次增大，到中間阻值最大，為R*(η/2)阻 值。因此，本發(fā)明的版圖結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，插入多個(gè)集電極引出端降低了集電極的串聯(lián)電阻，并使 之均勻分布，由此提高了低成本鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管的射頻性能。
權(quán)利要求
1.一種鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于所述鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管版圖以集 電極、基極、發(fā)射極、基極和集電極為單元進(jìn)行重復(fù)排列。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述相鄰的單元共用集電極。
3.如權(quán)利要求1或2所述的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于所述版圖結(jié)構(gòu)用于以埋層作為集 電極連接的鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管制備中。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述版圖結(jié)構(gòu)中的所有發(fā)射極共接，所 有基極共接，所有集電極共接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低成本鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管的版圖結(jié)構(gòu)，該異質(zhì)結(jié)三極管版圖以集電極、基極、發(fā)射極、基極和集電極為單元進(jìn)行重復(fù)排列，相鄰的單元共用集電極。通過這種陣列結(jié)構(gòu)使集電極的串聯(lián)電阻較原來的陣列結(jié)構(gòu)大大減小，由此提高異質(zhì)結(jié)三極管的射頻性能。
文檔編號H01L21/8222GK102130122SQ20101002733
公開日2011年7月20日 申請日期2010年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月20日
發(fā)明者劉梅, 苗彬彬 申請人:上海華虹Nec電子有限公司