專利名稱：一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域中的一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)及其制
造方法，特別是涉及一種應(yīng)用于半導(dǎo)體器件系統(tǒng)級塑料封裝時可以把大尺寸芯片懸空放置 在小尺寸芯片正上方的技術(shù)。
背景技術(shù)：
目前半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體器件是所有電子產(chǎn)品最重要的組成部分，其中數(shù)量 最大的是采用塑料封裝的集成電路和分立器件。為了使得塑料封裝后的半導(dǎo)體器件具有更 強(qiáng)大的功能，把多種功能芯片，包括如處理器、存儲器等功能芯片甚至還可以是電容等被動 元件集成在一個封裝體內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個基本完整的功能，通常稱這種封裝型式為系統(tǒng)級 封裝。 在系統(tǒng)級封裝中，如果需要把不同尺寸的芯片和被動元件封裝在一個封裝體內(nèi)， 通常的封裝方法是把不同尺寸的芯片并排裝配在基板上，如圖1。其塑料封裝的主要流程如 下先把被動元件1用焊膏2安裝在基板4上的焊盤3上，接著分別把第一芯片5用第一絕 緣膠膜6裝在基板4上，把第二芯片8用第二絕緣膠膜9裝在基板4上，再把第一芯片5與 第二芯片8分別用第一焊線7和第二焊線10與基板4上的對應(yīng)焊盤3進(jìn)行電氣連接，最后 用塑封料11把第一芯片5、第二芯片8、被動元件1、第一焊線7與第二焊線10、第一絕緣膠 膜6與第二絕緣膠膜9以及焊膏2等全部器件和材料包封，其中，第一芯片5的尺寸小于第 二芯片8。基板4中的焊盤3通過與基板4中的銅布線12與基板4中的焊墊13聯(lián)接，從而 實(shí)現(xiàn)被塑封料11包封的器件與外界的電氣連接，其中，焊墊13可以直接作為整個系統(tǒng)級封 裝體的輸入輸出端子，如圖1 ;也可以在焊墊13上再焊接焊球14，焊球14作為整個系統(tǒng)級 封裝體的輸入輸出端子，其封裝形式如圖2。這種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)和制造方法 的不足之處是封裝體積大和封裝密度低。 另外一種公知的方法如圖3與圖4所示。其塑封封裝主要流程如下先把被動元 件1用焊膏2安裝在基板4上的焊盤3上，接著把第二芯片8用第二絕緣膠膜9裝在基板4 上，再把第一芯片5用第一絕緣膠膜6裝在第二芯片8上，然后先用第二焊線10把第二芯片 8與基板4上對應(yīng)的焊盤3連接，再用第一焊線7把第一芯片5與基板4上對應(yīng)的焊盤3連 接，最后用塑封料11把第一芯片5、第二芯片8、被動元件1、第一焊線7與第二焊線10、第 一絕緣膠膜6與第二絕緣膠膜9以及焊膏2等全部器件和材料包封，其中，第一芯片5的尺 寸小于第二芯片8?；?中的焊盤3通過與基板4中的銅布線12與基板4中的焊墊13 聯(lián)接，從而實(shí)現(xiàn)被塑封料11包封的器件與外界的電氣連接，其中焊墊13可以直接作為整個 系統(tǒng)級封裝體的輸入輸出端子，如圖3 ;也可以在焊墊13上再焊接焊球14，焊球14作為整 個系統(tǒng)級封裝體的輸入輸出端子，其封裝形式如圖4。這種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)和 制造方法的不足之處是封裝密度低，更大的不足是當(dāng)?shù)谝恍酒?是射頻電路時，連接基板4 上的焊盤3的第一焊線7太長會導(dǎo)致頻率響應(yīng)差，無法滿足系統(tǒng)級封裝的電氣性能要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，使得半導(dǎo) 體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)封裝尺寸小，封裝密度高，并且頻率響應(yīng)好。 本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝
結(jié)構(gòu)，包括被動元件、基板、焊盤、第一芯片、第二芯片和塑封料，其中，所述的第一芯片的尺
寸小于所述的第二芯片，所述的被動元件安裝在所述的基板上的焊盤上，所述的第一芯片
安裝在所述的基板上，并與基板上的焊盤通過第一焊線實(shí)現(xiàn)電氣連接；所述的第一芯片周
圍有所述的被動元件；所述的第二芯片懸空放置在所述的第一芯片的正上方；所述的第二
芯片安裝在所述的被動元件上或在高導(dǎo)熱材料制成的幾何體上，并與基板上的焊盤通過第
二焊線實(shí)現(xiàn)電氣連接；所述的塑封料把所述的第一芯片、第二芯片、被動元件、第一焊線和
第二焊線包封，形成封裝結(jié)構(gòu)單元；所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)由至少一個所述
的封裝結(jié)構(gòu)單元組成；所述的基板上的焊盤通過與基板中的銅布線與基板中的焊墊連接。 所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的焊墊上焊有焊球。 所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的第二芯片利用不導(dǎo)電粘結(jié)物安裝在所述 的被動元件上或在高導(dǎo)熱材料制成的幾何體上；所述的第一芯片利用不導(dǎo)電粘結(jié)物安裝在 所述的基板上。 所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的不導(dǎo)電粘結(jié)物為絕緣膠或絕緣膠膜。
所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的被動元件用焊膏安裝在所述的基板上的 焊盤上。 所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)單元以矩陣形式排列。 本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是還提供一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封
裝的制造方法，包括以下步驟 (1)利用焊膏將被動元件安裝在基板上的焊盤上，并使用回流焊的方式使得焊膏 堅(jiān)固； (2)利用絕緣膠膜將第一芯片安裝在基板上，在裝配過程中或裝配后通過加熱方 式固化絕緣膠膜，使得第一芯片與基板結(jié)合牢靠； (3)通過第一焊線將第一芯片與基板上的焊盤實(shí)現(xiàn)電氣連接； (4)利用絕緣膠膜將第二芯片安裝在被動元件上，在裝配過程中或裝配后通過加 熱方式固化絕緣膠膜，使得第二芯片與被動元件結(jié)合牢靠；其中，第一芯片的尺寸小于第二 心片； (5)通過第二焊線將第二芯片與基板上的焊盤實(shí)現(xiàn)電氣連接； (6)利用塑封料把第一芯片、第二芯片、被動元件、焊線、絕緣膠膜以及焊膏包封，
包封后實(shí)施塑封料的后固化封裝工藝； (7)把包含有矩陣排列系統(tǒng)級封裝體的基板用切割或沖壓的方式分割成單體。
所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝的制造方法在所述的步驟(3)和步驟(5)中焊接
焊線前后對第一芯片和第二芯片進(jìn)行等離子清洗。 所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝的制造方法在所述的步驟(6)和步驟(7)之間還
包括植球封裝工藝步驟。 有益效果
由于采用了上述的技術(shù)方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效 果第二芯片懸空放置在第一芯片的正上方，即大尺寸芯片懸空放置在小尺寸芯片的正上 方，從而實(shí)現(xiàn)封裝尺寸小的優(yōu)點(diǎn)，而且降低系統(tǒng)成本。由于被動元件位于第一芯片的四周， 使得封裝結(jié)構(gòu)更為緊湊，具有封裝密度高的優(yōu)點(diǎn)，簡化高速總線設(shè)計(jì)。采用本發(fā)明的半導(dǎo)體 器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的焊線長度適中，降低噪聲，頻率響應(yīng)好，滿足系統(tǒng)級封裝的電氣性 能要求。 半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法在單一的封裝體內(nèi)實(shí)現(xiàn)多種功能，或者說將數(shù) 種功能合并入單一模組中，是一種具備低成本、小體積、高效能的解決方案，為封裝技術(shù)發(fā) 展的重要發(fā)展方向。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中把不同尺寸的芯片并排裝配在基板上，基板焊墊直接作為系統(tǒng) 級封裝體輸入輸出端子的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是現(xiàn)有技術(shù)中把不同尺寸的芯片并排裝配在基板上，在基板焊墊上焊接焊球 作為系統(tǒng)級封裝體輸入輸出端子的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是現(xiàn)有技術(shù)中把第一芯片直接疊放在第二芯片上，基板焊墊直接作為系統(tǒng)級 封裝體輸入輸出端子的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是現(xiàn)有技術(shù)中把第一芯片直接疊放在第二芯片上，在基板焊墊上焊接焊球作 為系統(tǒng)級封裝體輸入輸出端子的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，基板焊墊直接作為系統(tǒng)級封裝體 輸入輸出端子的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，在基板焊墊上焊接焊球作為系統(tǒng) 級封裝體輸入輸出端子的封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第1步后系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第2步后系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
圖9是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第3步后系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
圖10是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第4步后系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)示意 圖； 圖11是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第5步后系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)示意 圖； 圖12半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第7步前基板整體示意圖；
圖13半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第7步后基板單體俯視示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明 而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人 員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定 的范圍。 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，如圖5所示，包括被動元件1、基板4、焊盤3、第一芯片5、第二芯片8和塑封料ll，其中，所述的第一芯片5的 尺寸小于所述的第二芯片8，所述的被動元件1安裝在所述的基板4上的焊盤3上，所述的 第一芯片5安裝在所述的基板4上，并與基板4上的焊盤3通過第一焊線7實(shí)現(xiàn)電氣連接； 所述的第一芯片5周圍有所述的被動元件1 ;所述的第二芯片8懸空放置在所述的第一芯 片5的正上方；所述的第二芯片8安裝在所述的被動元件1 (如電阻、電容等)上或在高導(dǎo) 熱材料制成的幾何體(如塊狀立方體、圓柱體等)上，并與基板4上的焊盤3通過第二焊線 10實(shí)現(xiàn)電氣連接；所述的塑封料11把所述的第一芯片5、第二芯片8、被動元件1、第一焊線 7和第二焊線10包封，形成封裝結(jié)構(gòu)單元；所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)由至少一 個所述的封裝結(jié)構(gòu)單元組成。所述的基板4上的焊盤3通過與基板4中的銅布線12與基 板4中的焊墊13連接；所述的焊墊13作為整個系統(tǒng)級封裝體的輸入輸出端子或在所述的 焊墊13上焊有焊球14作為整個系統(tǒng)級封裝體的輸入輸出端子，如圖6所示。
所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的第二芯片8利用不導(dǎo)電粘結(jié)物安裝在所 述的被動元件1上或在高導(dǎo)熱材料制成的幾何體上；所述的第一芯片5利用不導(dǎo)電粘結(jié)物 安裝在所述的基板4上。其中，不導(dǎo)電粘結(jié)物可以是絕緣膠，也可以是絕緣膠膜。如圖5和 圖6中，第一芯片5利用第一絕緣膠膜6安裝在基板4上，第二芯片8利用第二絕緣膠膜9 安裝在被動元件1上。 所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的被動元件1用焊膏2安裝在所述的基板4 上的焊盤3上。 本發(fā)明可以是單體的封裝結(jié)構(gòu)，即只有一個封裝結(jié)構(gòu)單元組成的半導(dǎo)體器件的系 統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，也可以是由多個以矩陣排列在基板上的封裝結(jié)構(gòu)單元組成的半導(dǎo)體器件的 系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)。 不難發(fā)現(xiàn)，由于第二芯片懸空放置在第一芯片的正上方，即大尺寸芯片懸空放置 在小尺寸芯片的正上方，從而實(shí)現(xiàn)封裝尺寸小的優(yōu)點(diǎn)。由于被動元件位于第一芯片的四周， 使得封裝結(jié)構(gòu)更為緊湊，具有封裝密度高的優(yōu)點(diǎn)。采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)使得焊線的長度適中， 從而實(shí)現(xiàn)頻率響應(yīng)好，滿足系統(tǒng)級封裝的電氣性能要求。 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝的制造方法，其具體步驟如 下 第1步，被動元件1用焊膏2安裝在基板4上的焊盤3上，產(chǎn)品接著經(jīng)過回流焊后 使得焊膏2堅(jiān)固。圖7是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第1步后的產(chǎn)品示意圖。
第2步，第一芯片5用第一絕緣膠膜6裝在基板4上，裝配過程中或裝配后加熱固 化第一絕緣膠膜6，使得第一芯片5與基板4之間結(jié)合牢靠。圖8是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封 裝制造方法實(shí)施第2步后的產(chǎn)品示意圖。 第3步，第一芯片5與基板4上與第一芯片5對應(yīng)的焊盤3通過第一焊線7實(shí)現(xiàn) 電氣連接。圖9是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第3步后的產(chǎn)品示意圖。在焊接 焊線前后可對第一芯片5進(jìn)行等離子清洗。 第4步，第二芯片8用第二絕緣膠膜9安裝在被動元件1上，裝配過程中或裝配后 加熱固化第二絕緣膠膜9，使得第二芯片8與被動元件1之間結(jié)合牢靠。通過本步驟，可以 實(shí)現(xiàn)第二芯片8懸空堆疊在第一芯片5上，其中，第一芯片5的尺寸小于第二芯片8。圖10 是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第4步后的產(chǎn)品示意圖。
第5步，第二芯片8與基板4上與第二芯片8對應(yīng)的焊盤3通過第二焊線10實(shí)現(xiàn) 電氣連接。圖11是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第5步后的產(chǎn)品示意圖。在焊 接焊線前后可對第二芯片8進(jìn)行等離子清洗。 第6步，塑封料11把第一芯片5、第二芯片8、被動元件1、第一焊線7與第二焊線 10、第一絕緣膠膜6與第二絕緣膠膜9以及焊膏2等全部器件和材料包封，包封后實(shí)施塑封 料的后固化這一工藝步驟。圖5是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第6步后的產(chǎn)品 示意圖。 第7步，把包含著許多矩陣排列的產(chǎn)品15的基板4用切割或沖壓的方式分割成單 體15，其剖面圖如圖5。圖12是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第7步之前基板俯 視示意圖，圖13是半導(dǎo)體器件系統(tǒng)級封裝制造方法實(shí)施第7步之后基板單體示意圖，即是 圖5產(chǎn)品的俯視示意圖。 在第6步與第7步之間增加一個植球封裝工藝步驟，即在基板4上的焊墊13上焊 接焊球14，用焊球14作為系統(tǒng)級封裝體的輸入輸出端子。圖6是半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝 制造方法實(shí)施這一步驟后的產(chǎn)品剖面圖。如果不增加植球封裝工藝步驟，則由基板4上的 焊墊13作為系統(tǒng)級封裝體的輸入輸出端子。 由此可見，本發(fā)明的方法可在單一的封裝體內(nèi)實(shí)現(xiàn)多種功能，也就是說將數(shù)種功 能合并入單一模組中，是一種具備低成本、小體積、高效能的解決方案，為封裝技術(shù)發(fā)展的 重要發(fā)展方向。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，包括被動元件(1)、基板(4)、焊盤(3)、第一芯片(5)、第二芯片(8)和塑封料(11)，其中，所述的第一芯片(5)的尺寸小于所述的第二芯片(8)，所述的被動元件(1)安裝在所述的基板(4)上的焊盤(3)上，其特征在于，所述的第一芯片(5)安裝在所述的基板(4)上，并與基板(4)上的焊盤(3)通過第一焊線(7)實(shí)現(xiàn)電氣連接；所述的第一芯片(5)周圍有所述的被動元件(1)；所述的第二芯片(8)懸空放置在所述的第一芯片(5)的正上方；所述的第二芯片(8)安裝在所述的被動元件(1)上或在高導(dǎo)熱材料制成的幾何體上，并與基板(4)上的焊盤(3)通過第二焊線(10)實(shí)現(xiàn)電氣連接；所述的塑封料(11)把所述的第一芯片(5)、第二芯片(8)、被動元件(1)、第一焊線(7)和第二焊線(10)包封，形成封裝結(jié)構(gòu)單元；所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)由至少一個所述的封裝結(jié)構(gòu)單元組成；所述的基板(4)上的焊盤(3)通過與基板(4)中的銅布線(12)與基板(4)中的焊墊(13)連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的焊墊 (13)上焊有焊球(14)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第二芯 片(8)利用不導(dǎo)電粘結(jié)物安裝在所述的被動元件(1)上或在高導(dǎo)熱材料制成的幾何體上； 所述的第一芯片(5)利用不導(dǎo)電粘結(jié)物安裝在所述的基板(4)上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的不導(dǎo)電 粘結(jié)物為絕緣膠或絕緣膠膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的被動元 件(1)用焊膏(2)安裝在所述的基板(4)上的焊盤(3)上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的封裝結(jié) 構(gòu)單元以矩陣形式排列。
7. —種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝的制造方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用焊膏將被動元件安裝在基板上的焊盤上，并使用回流焊的方式使得焊膏堅(jiān)固；(2) 利用絕緣膠膜將第一芯片安裝在基板上，在裝配過程中或裝配后通過加熱方式固 化絕緣膠膜，使得第一芯片與基板結(jié)合牢靠；(3) 通過第一焊線將第一芯片與基板上的焊盤實(shí)現(xiàn)電氣連接；(4) 利用絕緣膠膜將第二芯片安裝在被動元件上，在裝配過程中或裝配后通過加熱方 式固化絕緣膠膜，使得第二芯片與被動元件結(jié)合牢靠；其中，第一芯片的尺寸小于第二芯 片；(5) 通過第二焊線將第二芯片與基板上的焊盤實(shí)現(xiàn)電氣連接；(6) 利用塑封料把第一芯片、第二芯片、被動元件、焊線、絕緣膠膜以及焊膏包封，包封 后實(shí)施塑封料的后固化封裝工藝；(7) 把包含有矩陣排列系統(tǒng)級封裝體的基板用切割或沖壓的方式分割成單體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝的制造方法，其特征在于，在所述 的步驟(3)和步驟(5)中焊接焊線前后對第一芯片和第二芯片進(jìn)行等離子清洗。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝的制造方法，其特征在于，在所述 的步驟(6)和步驟(7)之間還包括植球封裝工藝步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，包括被動元件、基板、焊盤、第一芯片、第二芯片和塑封料，其中，所述的第一芯片的尺寸小于所述的第二芯片。本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級封裝的制造方法，將所述的第一芯片安裝在基板上，并與基板上的焊盤通過第一焊線連接；將所述的第二芯片安裝在被動元件上或在高導(dǎo)熱材料制成的幾何體上，并與基板上的焊盤通過第二焊線連接，使得所述的第二芯片懸空放置在第一芯片的正上方；所述的塑封料把第一芯片、第二芯片、被動元件、第一焊線和第二焊線包封。本發(fā)明具有封裝尺寸小，封裝密度高，并且頻率響應(yīng)好的優(yōu)點(diǎn)，滿足系統(tǒng)級封裝的電氣性能要求。
文檔編號H01L21/58GK101789420SQ20101010488
公開日2010年7月28日 申請日期2010年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月3日
發(fā)明者吳曉純, 施建根, 朱海青, 楊國繼, 沈海軍, 王洪輝, 高國華 申請人:南通富士通微電子股份有限公司