專利名稱：：光伏模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1前序部分的光伏模塊以及用于將接觸條緊固至這種模塊的方法。
背景技術(shù)：
：為了允許收集由光輻射所產(chǎn)生的電荷載體并利用它們的能量，接觸條被緊固至光伏模塊的各個單元的后電極層。接觸條與后電極層的接觸可以以不同的方式實現(xiàn)，例如通過粘合、軟釬焊、焊接。軟釬焊比粘合優(yōu)選，這是因為軟釬焊不僅導(dǎo)致更穩(wěn)定的機械和電連接、還在加工工程方面明顯是簡單的。在接觸條借助于軟釬焊連接被緊固至后電極層時，后電極層的連接表面、即端接表面必須包括可軟釬焊的材料。為此目的，已知的光伏模塊大體上具有位于后電極層上的鎳釩層。盡管軟釬焊連接可以利用含鉛的釬料被產(chǎn)生，但是加工窗口非常小，從而甚至加工流中的小變化、例如溫度差異或者釬料層的厚度的小差異可以導(dǎo)致瑕疵焊點并因而導(dǎo)致瑕疵模塊、尤其是薄膜太陽能模塊(太陽能電池)。在無鉛的釬料使用之后，軟釬焊加工更加困難地控制，從而幾乎毫無例外地導(dǎo)致了瑕疵模塊。然而，考慮到REACHRegulation以及用于保護健康和環(huán)境的、已經(jīng)將光伏模塊禁用鉛的其它法律規(guī)定，無鉛釬料的使用在光伏模塊的生產(chǎn)中是特別令人感興趣的。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種光伏模塊的后電極層與接觸條之間的軟釬焊連接，而這種軟釬焊連接可以在不太窄的加工窗口中利用無鉛的和含鉛的釬料無瑕疵地產(chǎn)生。該目的根據(jù)本發(fā)明利用根據(jù)權(quán)利要求1的光伏模塊以及根據(jù)權(quán)利要求17的方法實現(xiàn)。從屬權(quán)利要求提出了本發(fā)明的有利的實施例。根據(jù)本發(fā)明，在后電極層的外側(cè)上、即在其背離光伏模塊的入射光側(cè)的后側(cè)上設(shè)有薄的含錫、銅和/或銀的接觸層。接觸層的層厚大體上至多500nm，并且優(yōu)選至少是lnm。特別優(yōu)選地，接觸層的層厚至少是10nm并至多100nm，特別為15至50nm。然后，接觸條可以通過軟釬焊的方式被緊固至預(yù)處理的含錫、銅和/或銀的接觸層。為此目的，在接觸條的至少朝向后電極層的連接表面上設(shè)有釬料，因而在軟釬焊之后，在接觸條與后電極層之間產(chǎn)生釬焊連接。含錫、銅和/或銀的接觸層可以由(未合金化的)錫、銅或銀或者由錫合金、銅合金或銀合金組成。因為特別地錫或錫合金容易在表面上空氣氧化，所以含錫層還可以以至少部分氧化的形式設(shè)置。含錫層的錫含量優(yōu)選至少為10%的重量百分比，特別地為超過50%的重量百分比。以同一方式，含銅或銀的接觸層的銅含量或銀含量優(yōu)選至少為10%的重量百分比，特別地為超過50%的重量百分比。銅合金和銀合金同樣可以至少部分地被氧化。同樣的方式可以應(yīng)用于純銅并可選地應(yīng)用于純銀。含錫、銅和/或銀的層優(yōu)選通過PVD處理、即物理氣相沉積被施加，特別地通過磁控濺射被施加。在這樣做時，錫或錫合金可以與氧反應(yīng)地被濺射為錫氧化物(SnOx)。后電極層具有由例如鋁、銀、銅和/或鉻的金屬組成的一個或多個層。含錫、銅和/或銀的接觸層然后在背離半導(dǎo)體層的太陽能單元的側(cè)部上被施加至后電極層的層端接層結(jié)構(gòu)。因而，后電極層的層端接層結(jié)構(gòu)可以例如是一保護層，該保護層由鎳-釩合金或碲組成。本發(fā)明的接觸層允許后電極層非常好地被軟釬焊。也就是說，接觸層有助于后電極層的可濕性(wettablility)以及可軟焊性，而這都利用了含鉛的和不含鉛的釬料。這導(dǎo)致了更加穩(wěn)定的與瑕疵更少的軟釬焊加工。也就是說，后電極層的更好的可濕性意味著為了進行軟釬焊供應(yīng)更少的能量，因而允許降低軟釬焊的溫度和/或軟釬焊的時間。另外，更短的軟釬焊的時間允許減少加工時間。本發(fā)明還允許利用無鉛釬料產(chǎn)生無缺陷的釬焊連接。此外，在使用含鉛釬料時可以更好地控制加工。接觸條大體上具有1至5mm的寬度以及20至500ym、尤其50至200ym的厚度。所述接觸條大體上由金屬(尤其銅、鋁或銀)或者所述金屬的合金、可選還有鋼組成。接觸條至少在朝向后電極層的連接表面上設(shè)有釬料層。然而，接觸條大體上在整個周邊上涂覆有釬料。釬料層的厚度可以是5至50i!m、尤其10至30iim。設(shè)有釬料層的接觸條可以通過熱摻雜工藝制造，在所述熱摻雜工藝中，接觸條被連續(xù)地引導(dǎo)經(jīng)過熔融的釬料。釬料可以是含鉛的或無鉛的軟釬料。含鉛釬料可以例如包括含鉛錫釬料、即含鉛錫合金，并且無鉛錫釬料可以是無鉛錫合金、尤其是來自錫/銀、錫/銅或錫/銀/銅的合金。根據(jù)本發(fā)明，任何公知的釬焊(軟釬焊)方法可以被用于將接觸條連接至后電極層。也就是說，可以例如實現(xiàn)通過與高溫媒介接觸的熱學(xué)焊接、超聲波焊接或激光焊接。然而，特別優(yōu)選的是采用感應(yīng)釬焊方法，借助于所述方法接觸條被供能；尤其是采用高頻感應(yīng)釬焊。光伏模塊可以由基于半導(dǎo)體晶片的薄膜太陽能單元或晶體太陽能單元組成。薄膜太陽能單元在模塊的光入射側(cè)上具有透明的非導(dǎo)電的基板、例如玻璃板，在所述基板上依次設(shè)置前電極層、至少一個半導(dǎo)體層以及后電極層。光伏模塊的各個單元大體上串聯(lián)連接。為此目的，前電極層、半導(dǎo)體層和后電極層通過分開的線形成圖案。接觸條然后被軟釬焊至將用于電流收集的單個單元。本發(fā)明的光伏薄膜模塊的前電極層具有例如50至100nm的厚度并優(yōu)選由透明的、導(dǎo)電的金屬氧化物組成，尤其是氧化鋅或氧化錫，例如摻雜鋁的氧化鋅、銦錫氧化物或例如摻雜氟的錫氧化物。半導(dǎo)體層可以由非晶(amorphous)、微結(jié)晶(micromorphous)或微晶(microcrystalline)硅組成。然而，半導(dǎo)體層還可以是復(fù)合半導(dǎo)體層，例如諸如碲化鎘的n-VI半導(dǎo)體、諸如砷化鎵的III-V半導(dǎo)體或者諸如硒化銦銅的I-III-VI半導(dǎo)體。本發(fā)明的模塊的薄膜太陽能單元的后電極層在朝向半導(dǎo)體層的側(cè)部上具有中間層，其中所述中間層由透明的、導(dǎo)電的金屬氧化物、尤其氧化鋅組成，優(yōu)選作為擴散屏障并用于改進反射性能。然而，其它透明金屬氧化物也可以被使用，例如氧化錫或銦錫氧化物。包括反射層的后電極層具有100至500nm、尤其200至300nm的層厚。金屬反射層例如由鋁、銀、銅和/或鉻或者所述金屬的合金組成。同樣，所述金屬反射層可以由多個由不同材料組成的副層構(gòu)成，例如，第一層由朝向半導(dǎo)體層的銀組成，鋁層作為第二層施加至所述第一層以形成用于將反射入射到后電極層上的光并使其不由半導(dǎo)體層吸收的反射層。反射層的厚度可以是50至300nm。在例如基于非晶、微結(jié)晶或微晶硅或者碲化鎘還有結(jié)晶晶片的太陽能模塊中，為了后表面封裝，在后電極層上層疊有例如EVA嵌裝箔片，其具有玻璃板(所謂的玻璃/玻璃層疊板)或者至少一個附加的箔片(所謂的玻璃/箔層疊板)。在這樣做時，嵌裝箔片在之前通過粘合或軟釬焊而設(shè)有接觸條的后電極層上直接層疊。然而，嵌裝箔片、尤其EVA箔片通常具有針對后電極層的不令人滿意的結(jié)合性，從而必須采用底料。然而，底料的使用是有代價的、復(fù)雜的并生態(tài)學(xué)上不可靠的。例如，對于某些嵌裝箔片而言，例如快速交聯(lián)或所謂的"快固化"EVA箔片，甚至底料也不會導(dǎo)致令人滿意的結(jié)合。令人吃驚地，已經(jīng)證明后表面封裝材料與本發(fā)明的接觸層的良好結(jié)合無需使用底料、甚至利用快速交聯(lián)嵌裝箔片就可以實現(xiàn)。由于太陽能單元在后表面封裝材料的交界面上的本發(fā)明的含錫、銅和/或銀的層，所以接觸條因而可以通過軟釬焊一方面被良好地固定，并且另一方面后表面封裝材料與后電極層的優(yōu)異結(jié)合被獲得，優(yōu)選，根據(jù)FINAT結(jié)合對應(yīng)于大于5N/cm、尤其大于10N/cm的拉伸剝離力(在同一平面內(nèi)以90。剝離)。底料可以完全被省略，即使位于含錫、銅和/或銀的層的交界面上的嵌裝箔片由所謂的"快固化"EVA箔片組成，即對于全交聯(lián)而言僅僅需要傳統(tǒng)的"標(biāo)準固化"EVA箔片的加工時間的一小部分的EVA箔片。嵌裝箔片、尤其EVA、PVB、聚烯烴或硅箔片可以被用于層疊附加的玻璃板，從而在光伏模塊的基板由玻璃組成時，玻璃/玻璃層疊板出現(xiàn)；或用于層疊一個或多個附加的塑料箔片，從而在基板由玻璃組成時，形成玻璃/箔片層疊板，因而所述附加的箔片用于保護光伏模塊免受大氣影響，即作為機械保護或者保護免受水蒸氣、光等影響。塑料箔片可以例如由諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的縮聚物或者諸如聚氟乙烯的含氟碳氫聚合物組成，后者例如由DuPont公司的商標(biāo)"Tedlar"的商品獲得。本發(fā)明的可軟釬焊的接觸層同時用作為用于后電極層的反射層的保護層。在銀、銅或其它可軟釬焊的材料或者材料的組合或者合金被用于反射層時，在軟釬焊加工的過程中可以出現(xiàn)錫釬料與后電極層的某些或所有層以及甚至半導(dǎo)體的完全混合(合金化)。此外，這使得非常大的能量輸入到半導(dǎo)體、下方的前電極層以及基板中。除了錫釬料以外，金屬反射層的背離半導(dǎo)體層的側(cè)上的其它金屬層還可以與金屬反射層合金化。這導(dǎo)致了多處瑕疵、例如短路；分層；基板缺陷、例如裂縫、掉皮等，并因而導(dǎo)致比例增加的廢品或者質(zhì)量降低的模塊。由于后電極層的各層直至半導(dǎo)體層的合金化所導(dǎo)致的軟釬焊差錯的出現(xiàn)以及所導(dǎo)致的大能量進入到半導(dǎo)體層、前電極層以及基板中根據(jù)本發(fā)明可以通過一屏障層抵消，其中所述屏障層由在接觸層與金屬反射層之間設(shè)置的與釬料和/或金屬反射層合金化的材料組成。優(yōu)選地，與釬料合金化的屏障層由以下金屬中的一種的或合金的至少一個層組成，其中所述金屬為鈦、鋯、鉿、鋁、釩、鉭、鈮、鉻、鉬、鎢、錳和鐵；所述合金為所述金屬中的至少兩種金屬的合金，或所述合金為所述金屬中的至少一種金屬與至少一種附加的金屬的合金，而在后一種情況中所述金屬中的至少一種金屬在重量上占主要成分。屏障層的厚度優(yōu)選至少是5nm、尤其至少是10nm。不與金屬反射層合金化的屏障層優(yōu)選由導(dǎo)電金屬化合物組成。金屬化合物例如可以是碳化物、硅化物、氮化物或硼化物。然而，優(yōu)選的是對于不與金屬反射層合金化的屏障層采用金屬氧化物。所使用的金屬氧化物尤其是還發(fā)現(xiàn)用于透明前電極層的金屬氧化物。這些金屬氧化物尤其是摻雜的氧化鋅或氧化錫，例如摻雜鋁的氧化鋅、摻雜氟的氧化錫或銦錫氧化物。由不與反射層合金化的材料所組成的屏障層的厚度優(yōu)選是2至500nm、尤其是20至200nm。屏障層確保了，在軟釬焊后，后電極層的各個層不與錫釬料合金化，并因而造成對半導(dǎo)體層以及前電極層或基板的損害。模塊由于軟釬焊加工所造成的輸出損失因而被防止。為了制造光伏模塊，在透明基板上沉積有作為功能層的透明的前電極層、半導(dǎo)體層和后電極層，它們通過分開的線形成圖案，以形成串聯(lián)連接的單元。金屬后電極層可以利用激光器形成圖案，其中所述激光器的光由半導(dǎo)體層吸收。由于激光器的激光束，位于激光焦點上的半導(dǎo)體材料蒸發(fā)，使得后電極層在焦點所在的區(qū)域被燒盡。然而，如果后電極層的材料不完全燒盡，并且碎片和類似的金屬材料仍附著在其上，則在前與后電極層之間的分開的線中可以出現(xiàn)短路并且因而模塊的輸出損失。然而，在不與金屬反射層合金化的屏障層由金屬化合物組成時，其中所述金屬化合物即金屬氧化物、例如氧化鋅和/或氧化錫，用于激光形成圖案的后電極層脆弱以使得激光束進入到模塊的半導(dǎo)體層中的能量輸入導(dǎo)致了上方的電極層的完全的燒盡。這防止了由于由分開的線中的金屬反射層材料所組成的未燒盡的碎片或類似部分所導(dǎo)致的短路。為了對后電極層形成圖案，有利的是采用發(fā)出可視范圍內(nèi)的激光的激光器，例如摻釹固態(tài)激光器、尤其摻釹釩酸釔激光器(Nd:YVOj敫光器)或摻釹釔鋁石榴石激光器(Nd:YAG激光器)，其具有532nm第二諧波波長的激光。后電極層的圖案形成優(yōu)選以脈沖激光操作的方式、例如利用調(diào)Q(Qswitch)方式實現(xiàn)。也就是說，激光器優(yōu)選是CW操作方式的激光器或調(diào)Q激光器。各激光焦點可以直接彼此靠近地重疊。然而，例如還可以利用摻釹固態(tài)激光器的355nm的第三諧波波長或者利用其1064nm的基礎(chǔ)波實現(xiàn)后電極層的激光圖案形成。例如，可以將具有1064nm波長的激光輻射光透過透明的基板引入到前電極層上，所述前電極層因而熱學(xué)加熱，從而上方的半導(dǎo)體層與后電極層被一起熱學(xué)去除，并且因而實現(xiàn)了后電極層的圖案形成。除了摻釹激光器以外，還可以利用在紅外或可見范圍內(nèi)發(fā)光的激光器，例如摻鐿激光器，其具有1070nm的基本波長、優(yōu)選具有基本波長的雙倍或三倍頻率。盡管在后電極層的圖案形成之后在半導(dǎo)體層中形成附加的分開的線，但是它們實際上并不影響光伏模塊的輸出。為了對后電極層形成圖案，激光束可以被直接引入到后電極層上。然而，后電極層7的圖案形成優(yōu)選利用一透過透明基板引入到半導(dǎo)體層上的激光束實現(xiàn)。優(yōu)選通過濺射的方式實現(xiàn)半導(dǎo)體層涂覆有后電極層。在這樣做時，后電極層的所有副層通過濺射的方式被施加至半導(dǎo)體層，即金屬反射層、屏障層、任何附加的層，直至最后的接觸層在半導(dǎo)體層的遠側(cè)上端接后電極層。因而，后電極層可以在連續(xù)的加工中無需任何破壞真空同時利用濺射地被產(chǎn)生。此后，本發(fā)明將例如參照附圖更加詳細地說明本發(fā)明。附圖示意性地示出了圖1是光伏薄膜模塊的一部分的剖視圖；圖2是根據(jù)圖1的模塊的半導(dǎo)體層上的層結(jié)構(gòu)的放大圖；圖3是在通過軟釬焊緊固接觸條之前光伏模塊的太陽能單元的縱向剖視圖；圖4是改型的光伏薄膜模塊的一部分的剖視圖；并且圖5是根據(jù)圖4的模塊的后電極層的層結(jié)構(gòu)的放大圖。具體實施例方式根據(jù)圖l，在大面積透明基板1、例如玻璃板上設(shè)有前電極層2，所述前電極層例如由摻雜的氧化錫組成，例如由非晶硅組成的半導(dǎo)體層3被施加至所述前電極層。后電極層4被施加至硅半導(dǎo)體層3。模塊包括單獨的串聯(lián)的單元Cl、C2、C3、C4。為此目的，前電極層2通過分開的線5形成圖案，硅半導(dǎo)體層3通過分開的線3形成圖案，并且后電極層4通過分開的線7形成圖案。條形單元C1、C2、C3、C4垂直于電流方向延伸。單元C1被構(gòu)造成用于電流收集。為此目的，接觸條8被軟釬焊至單元Cl的后電極層4。根據(jù)圖2，后電極層4包括朝向半導(dǎo)體層3的金屬氧化層9、施加至所述金屬氧化層的金屬層10、金屬屏障層11以及接觸層12，其中所述金屬氧化層9例如由氧化鋅組成，所述金屬層10例如由鋁、銅、銀和/或鉻并同時形成反射層，所述金屬屏障層11由不與釬料17(圖3)合金化的材料組成，所述接觸層12例如由氧化錫組成。在后電極層4上層疊有后表面封裝材料13。后表面封裝材料13包括嵌裝箔片14，其中所述嵌裝箔片例如是EVA、PVB、聚烯烴或硅嵌裝箔片，保護層15、例如玻璃板和/或一個或多個例如由PET組成的箔片與所述嵌裝箔片一起層疊到光伏模塊上。根據(jù)圖3，借助于軟釬焊連接而緊固至太陽能單元1的后電極層4的接觸條8由金屬條16形成，其中所述金屬條16例如由銅組成，在所述金屬條的兩側(cè)上、即在朝向后電極層4的連接表面和相反的表面上涂覆有釬料17。為了進行軟釬焊，接觸條8根據(jù)箭頭18而與太陽能單元的接觸層12接觸，因而接觸條8通過電感(感應(yīng))的方式被加熱。在半導(dǎo)體層3通過結(jié)晶半導(dǎo)體晶片被形成時，后電極層具有相應(yīng)改變的結(jié)構(gòu)。根據(jù)圖4的薄膜模塊與根據(jù)圖1的不同之處明顯僅僅在于，后表面封裝被省略并且后電極層4中的分開的線7也延伸穿過半導(dǎo)體層3。根據(jù)圖5，后電極層4包括朝向半導(dǎo)體層3的金屬氧化層9、施加至所述金屬氧化層的反射層10、脆弱導(dǎo)電層20以及接觸層12，其中所述金屬氧化層9例如由氧化鋅組成，所述反射層10例如由銀副層10a和鋁副層10b組成，所述導(dǎo)電層20例如由諸如氧化鋅的金屬氧化物組成，所述接觸層12例如由氧化錫或銅組成，而接觸條8軟釬焊至所述接觸層12。如圖4右側(cè)所示，為了在后電極層4中形成分開的線7，采用了激光器，所述激光器的激光束21利用透鏡22穿過透明基板1和前電極層2聚焦到半導(dǎo)體層3上。激光輻射因而加熱半導(dǎo)體層3，實際上使得半導(dǎo)體層蒸發(fā)或者使其被加熱從而上層的后電極層4在該區(qū)域內(nèi)被燒盡并因而形成分開的線7，其中所述激光的波長是在半導(dǎo)體層3的強烈吸收的光譜范圍內(nèi)，例如為532nm。后電極層4中的分開的線7因而還延伸到半導(dǎo)體層3中。然而，這實際上并不影響光伏模塊的輸出。以下的實施例將用于進一步說明本發(fā)明。例1由鍍錫的銅條組成的接觸條被軟釬焊至光伏模塊，其中所述光伏模塊包括由氧化鋅組成的后電極層(層厚90nm);鋁層(250nm);鎳釩層(50nm)，其中表面氧化的錫(Sn)層(20nm)已經(jīng)通過濺射的方式被施加至所述鎳釩層。隨后，快速固化的EVA嵌裝箔片被施加。用于將嵌裝箔片從光伏模塊剝離的拉伸剝離力(強度)通過FINAT測試方法(剝離角度90°)被確定，也就是通過根據(jù)IEC61646的濕熱測試但是在2300小時的提高的時間跨度之后被確定。此外，接觸條的軟焊性被確定。對比例2例1被重復(fù)，但是錫層被省略。實際上，底料(primer)在層疊之前被施加。對比例3對比例2被重復(fù)，但是錫層和底料這兩者被省略。端接層拉伸剝離力軟焊性例1沒有底料的Sn17N/cm是對比例2具有底料的NiV1N/cm是對比例3沒有底料的NiV1N/cm是例2至4采用了薄膜太陽能單元，它們已經(jīng)通過在后電極層的端接鎳釩層上進行磁控濺射而設(shè)有層厚《7nm、20nm和35nm的錫層。在利用了具有由無鉛釬料組成的涂層的接觸條之后，以下的剝離值在不同的軟釬焊時間之后得出。9<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>可以看出，在20或35nm的錫層的層厚獲得了接觸條的高剝離值，實際上甚至對于35nm的層厚在0.7秒的非常短的軟釬焊時間之后也可以獲得。權(quán)利要求一種光伏模塊，其包括后電極層(4)，接觸條(8)借助于軟釬焊連接而被緊固至所述后電極層，其特征在于，在所述后電極層(4)的朝向所述接觸條(8)的外側(cè)上設(shè)有含錫、銅和/或銀的接觸層(12)。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光伏模塊，其特征在于，所述接觸層(12)的層厚是l至500nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光伏模塊，其特征在于，所述接觸層(12)的層厚是10至100nm。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光伏模塊，其特征在于，所述含錫、銅和/或銀的接觸層(12)由所述金屬與至少一種附加金屬的合金組成。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光伏模塊，其特征在于，所述接觸層(12)是含錫層，其由至少部分氧化的錫和/或至少部分氧化的錫合金組成。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光伏模塊，其特征在于，所述接觸條(8)涂覆有層厚5至50iim的釬料(17)。7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的光伏模塊，其特征在于，所述釬料(17)是錫釬料。8.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的光伏模塊，其特征在于，所述后電極層(4)包含金屬反射層(IO)，并且在所述接觸層(12)與所述金屬反射層(10)之間設(shè)置屏障層(H、20)，其中所述屏障層由不與所述釬料(17)和/或所述金屬反射層(10)合金化的材料組成。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光伏模塊，其特征在于，所述不與釬料(17)合金化的屏障層(11)在所述后電極層(4)內(nèi)設(shè)置在背離所述接觸條(8)的接觸層(12)的側(cè)部上。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的光伏模塊，其特征在于，所述不與釬料(17)合金化的屏障層(11)是金屬屏障層，并由以下金屬之一的至少一個層組成鈦、鋅、鉿、鋁、釩、鉭、鈮、鉻、鉬、鎢、錳、鐵、鎳和碲，或者由所述金屬中的至少兩種金屬構(gòu)成的合金，或者所述金屬中的一種金屬為主要成分的情況下與至少一種附加的金屬構(gòu)成的合金。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光伏模塊，其特征在于，所述金屬屏障層(11)的層厚至少是5nm。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光伏模塊，其特征在于，所述不與金屬反射層(10)合金化的屏障層(20)由導(dǎo)電金屬化合物組成。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光伏模塊，其特征在于，所述由導(dǎo)電金屬化合物組成的屏障層(20)具有2至500nm的層厚。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光伏模塊，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬化合物是金屬氧化物。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光伏模塊，其特征在于，所述金屬氧化物是鋅氧化物和/或錫氧化物。16.根據(jù)權(quán)利要求8至15任一所述的光伏模塊，其特征在于，所述金屬反射層(10)具有50至500nm的層厚。17.根據(jù)權(quán)利要求8至16任一所述的光伏模塊，其特征在于，所述金屬反射層(10)包括至少一個由銀、鋁、銅和/或鉻或所述金屬的合金組成的層(11、12)。18.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的光伏模塊，其特征在于，所述光伏模塊包括后表面封裝材料(13)，其中所述后表面封裝材料覆蓋含有所述接觸條(8)的后電極層(4)。19.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光伏模塊，其特征在于，所述后表面封裝材料(13)由至少位于與所述接觸層(12)交界的嵌裝箔片(14)形成。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光伏模塊，其特征在于，所述嵌裝箔片(14)是由EVA(乙基醋酸乙烯)、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)、聚烯烴或硅組成的箔片。21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的光伏模塊，其特征在于，所述后表面封裝材料(13)除了所述嵌裝箔片(14)以外還包括保護層(15)，所述保護層在所述嵌裝箔片(14)的與所述后電極層相反的側(cè)部上設(shè)置。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的光伏模塊，其特征在于，所述保護層(15)由玻璃和/或至少一個塑料箔片組成。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的光伏模塊，其特征在于，所述塑料箔片由聚縮物或含氟碳氫聚合物組成。24.—種用于通過軟釬焊連接而將接觸條(8)緊固至光伏模塊的后電極層(4)的方法，其特征在于，在所述后電極層(4)的外側(cè)上設(shè)有含錫、銅和/或銀的接觸層(12)，并且至少在連接表面上設(shè)有釬料(17)的所述接觸條(8)通過軟釬焊的方式連接至所述接觸層(12)。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述接觸層(12)和/或屏障層(11)通過物理氣相沉積的方式被沉積。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所應(yīng)用的物理氣相沉積方法是磁控濺射。27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，感應(yīng)釬焊方法被采用。28.根據(jù)權(quán)利要求24或27所述的方法，其特征在于，設(shè)置一接觸條(8)，其中所述接觸條至少在連接表面上設(shè)有層厚5至50iim的釬料(17)。29.根據(jù)權(quán)利要求24或28所述的方法，其特征在于，設(shè)置一設(shè)有無鉛釬料(17)的接觸條(8)。全文摘要為了將接觸條(8)緊固至光伏模塊的后電極層(4)，在后電極層(4)的外側(cè)上設(shè)有含錫、銅和/或銀的接觸層(12)。隨后，在連接表面上設(shè)有釬料(17)的接觸條(8)通過軟釬焊被連接至后電極層(4)。接觸層(12)使得獲得了后表面封裝材料(13)的良好的結(jié)合性。屏障層(11)防止錫釬料與后電極層(1)的各層(9、10)的合金形成。文檔編號H01L31/18GK101794829SQ20101010690公開日2010年8月4日申請日期2010年1月29日優(yōu)先權(quán)日2009年1月29日發(fā)明者E·黑克爾,H·克諾爾,P·萊希納,R·居爾德納,R·魏德爾申請人:肖特太陽能股份公司