專利名稱：太陽能吸收層的漿料的制造方法、太陽能吸收層及其漿料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能吸收層的漿料的制造方法，特別是涉及一種不需要添加傳統(tǒng)界面活性劑或接著劑，且可解決漿料成膜時(shí)的孔隙問題的太陽能吸收層的漿料的制造方 法、太陽能吸收層及其漿料。
背景技術(shù)：
近年來，隨著國際油價(jià)高漲及環(huán)保意識的抬頭，綠色能源已成為新能源的主流，其 中太陽能電池又因系取自太陽的穩(wěn)定輻射能，來源不會(huì)枯竭，因此更為各國所重視，無不挹 注大量研發(fā)經(jīng)費(fèi)及政策性補(bǔ)貼，以扶植本地的太陽能電池產(chǎn)業(yè)，使得全球太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā) 展非?？焖佟５谝淮柲苣K包括單晶硅和多晶硅的太陽能模塊，雖然光電轉(zhuǎn)換效率高且量 產(chǎn)技術(shù)成熟，但因?yàn)椴牧铣杀靖?，且硅晶圓常因半導(dǎo)體工業(yè)的需求而貨源不足，影響后續(xù)的 量產(chǎn)規(guī)模。因此，包含非晶硅薄膜、銅銦鎵硒(CIGS)薄膜或銅銦鎵硒(硫)(CIGSS)薄膜和 碲化鎘薄膜的第二代的薄膜太陽能模塊，在近幾年已逐漸發(fā)展并成熟，其中又以銅銦鎵硒 或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率最高(單元電池可高達(dá)20%而模塊約14% )，因 此特別受到重視。請參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)用技術(shù)的銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池結(jié)構(gòu) 的示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有習(xí)用技術(shù)的銅銦鎵硒太陽能電池結(jié)構(gòu)包括基板10、第一導(dǎo)電 層20、銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層30、緩沖層40、絕緣層50以及第二導(dǎo)電層60，其 中基板10可為玻璃板、鋁板、不繡鋼板或塑膠板，第一導(dǎo)電層20—般包括金屬鉬，當(dāng)作背面 電極，銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層30包括適當(dāng)比例的銅、銦、鎵及硒，當(dāng)作ρ型薄膜， 為主要的光線吸收層，緩沖層40可包括硫化鎘(CdS)，當(dāng)作η型薄膜，絕緣層50包括氧化鋅 (ZnO)，用以提供保護(hù)，第二導(dǎo)電層60包含氧化鋅鋁(Ζη0:Α1)，用以連接正面電極。上述銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池的制造方法主要依據(jù)銅銦鎵硒或銅銦 鎵硒(硫)吸收層的制造環(huán)境而分成真空工藝及非真空工藝。真空工藝包括濺鍍法或蒸鍍 法，缺點(diǎn)是投資成本較高且材料利用率較低，因此整體制作成本較高。非真空工藝包括印刷 法或電沉積法，缺點(diǎn)是技術(shù)仍不成熟，仍無較大面積的商品化產(chǎn)品。不過非真空工藝仍具有 制造設(shè)備簡單且工藝條件容易達(dá)成的優(yōu)點(diǎn)，因而具有相當(dāng)?shù)纳虡I(yè)潛力。銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層的非真空工藝是先調(diào)配銅銦鎵硒或銅銦鎵硒 (硫)漿料或墨水(Ink)，用以涂布到鉬層上?，F(xiàn)有習(xí)用技術(shù)中，銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)漿料調(diào)配是先以適當(dāng)比例混合含IB、 IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份的粉末以形成原始含銅銦鎵硒或銅銦鎵硒 (硫)的粉末，再添加適當(dāng)比例的溶劑，并進(jìn)行攪拌以形成原始銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫) 漿料，最后添加接著劑(binder)或界面活性劑以提高銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層和 鉬背面電極的接著性，并進(jìn)行攪拌混合以形成最后銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)漿料。上述現(xiàn)有習(xí)用技術(shù)的缺點(diǎn)是，接著劑、界面活性劑可能會(huì)殘留在最后的銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層內(nèi)，造成銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層的含碳量和含氧量偏 高，影響銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層的光吸收特性，甚至影響效率。因此，需要一種 不添加接著劑、界面活性劑的銅銦鎵硒(硫)漿料調(diào)配方法，以改善上述現(xiàn)有習(xí)用技術(shù)的問題。同時(shí)由于一般漿料在配置時(shí)，會(huì)使用納米級含IB、IIIA及VIA族元素的球狀顆粒， 而平均粒徑相同的顆粒，在堆疊成膜時(shí)易有孔隙太大的問題，因此需要一種包含球狀顆粒 和其他如薄片狀納米顆粒混合均勻的納米粉，以改善孔隙太大的問題。由此可見，上述現(xiàn)有的太陽能吸收層的漿料的制造方法、太陽能吸收層及其漿料 在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決 上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè) 計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒有適切的產(chǎn)品及方法能夠解決上述問題，此顯然是 相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的太陽能吸收層的漿料的制造方法、太 陽能吸收層及其漿料，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的太陽能吸收層的漿料的制造方法、太陽能吸 收層及其漿料存在的缺陷，而提供一種新的太陽能吸收層的漿料的制造方法、太陽能吸收 層及其漿料，所要解決的技術(shù)問題是使其將過量的VIA族元素粉末添加于原始的混合粉末 中，以提高VIA族元素所占的比例，并利用上述過量的VIA族元素粉末提供界面活性劑或接 著劑的作用，故可不需添加傳統(tǒng)界面活性劑或接著劑，以解決傳統(tǒng)界面活性劑或接著劑殘 留于膜層中的碳氧含量所導(dǎo)致的太陽能電池效率不佳的問題，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新的太陽能吸收層的漿料的制造方法、太陽能 吸收層及其漿料，所要解決的技術(shù)問題是使其利用球狀納米顆粒粉末及至少一種非球狀納 米顆粒粉末混成漿料的粉末，以利用非球狀納米顆粒粉末填充于球狀納米顆粒粉末間的粒 料間孔隙的效果，解決傳統(tǒng)工藝的膜層中出現(xiàn)大孔隙或孔隙數(shù)量較多的問題，從而更加適 于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種太陽能吸收層的漿料的制造方法，其包括以下步驟混合含IB族、IIIA族及VIA族 元素的二個(gè)成份、三個(gè)成份或四個(gè)成份的粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的 一原始混合粉末，且該原始混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元素具有一第一組成比例， 其中該原始混合粉末是由球狀納米顆粒粉末及至少一種非球狀納米顆粒粉末所組成；以及 在該原始混合粉末中添加額外的VIA族元素粉末，并進(jìn)行混合，以形成一最后混合粉末，且 該最后混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元素具有一第二組成比例，其中該最后混合粉 末中的VIA族元素所占的比例是大于該原始混合粉末中的VIA族元素所占的比例。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其中所述的原始混合粉末中的第一組成 比例為IB族:IIIA族:VIA族元素的莫耳比例=1.0 1.0 2.0。前述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其中所述的最后混合粉末中的第二組成比例為IB族IIIA族VIA族元素的莫耳比例=1.0 1.0 X，其中X介于2. 0至4. 0之間。前述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其中所述的至少一種非球狀納米顆粒粉末為薄片狀納米顆粒粉末、不規(guī)則碎片狀的納米顆粒粉末或圓盤狀納米顆粒粉末。前述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其中所述的球狀納米顆粒粉末是占該混 合粉末的70%以上。前述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其中所述的IB族元素為銅元素。前述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其中所述的IIIA族元素為銦元素、鎵元 素、或銦元素與鎵元素的組合。前述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其中所述的VIA族元素可為硒元素、硫 元素或硒元素與硫元素的組合。前述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其中所述的太陽能吸收層的漿料為銅銦 鎵硒漿料或銅銦鎵硒硫漿料。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種應(yīng)用上述太陽能吸收層的漿料的制造方法所制作成的太陽能吸收層漿料及太陽能吸 收層。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上可知，為達(dá)到上述目 的，本發(fā)明提供了一種太陽能吸收層的漿料的制造方法，包含以下步驟步驟一混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二個(gè)成份、三個(gè)成份或四個(gè)成份粉 末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一原始混合粉末，且該原始混合粉末中的IB 族、IHA族及VIA族元素具有一第一組成比例，其中該原始混合粉末是由球狀納米顆粒粉 末及至少一種非球狀納米顆粒粉末所組成；步驟二 在該原始混合粉末中添加額外的VIA族元素粉末，并進(jìn)行混合，以形成一 最后混合粉末，且該最后混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元素具有一第二組成比例， 其中該最后混合粉末中的VIA族元素所占的比例大于該原始混合粉末中的VIA族元素所占 的比例。在一具體實(shí)施例中，IB族中的銅元素、IIIA族中的純銦元素、純鎵元素、或混合銦 元素與鎵元素的材料、VIA族中的純硒元素、純硫元素或混合硒元素與硫元素的材料可用以 組成上述混合粉末，并以本發(fā)明的制造方法制作成銅銦鎵硒(硫)漿料，更可應(yīng)用該漿料涂 布形成太陽能吸收層。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明太陽能吸收層的漿料的制造方法、太陽能吸收層及其 漿料至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果本發(fā)明利用上述過量的VIA族元素粉末提供界面活性劑或接著劑的作用，使本發(fā) 明的漿料不需要添加界面活性劑或接著劑，因此可避免殘留含碳和氧界面活性劑，避免降 低太陽能電池的效率；同時(shí)本發(fā)明通過混合包含球狀納米顆粒和至少一種非球狀納米顆 粒，利用非球狀納米顆粒粉末所提供的填充效果，可有效減少漿料在成膜時(shí)孔隙的尺寸及數(shù)量。綜上所述，本發(fā)明主要利用調(diào)配銅銦鎵硒(硫)漿料時(shí)，除了原始使用正常比例的 銅銦鎵硒(硫)化合物以外，另外添加過量VIA族元素粉末，除可補(bǔ)充VIA族元素的含量外， 也可以取代原來使用的界面活性劑和接著劑，并且使用粉末中混合的球狀納米顆粒和至少一種非球狀納米顆粒，降低混合物在成膜時(shí)的孔隙問題。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，具 有明顯的積極效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是現(xiàn)有習(xí)用技術(shù)的銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是本發(fā)明太陽能吸收層的漿料的制造方法的示意圖。SlOl S105 步驟10 基板20:第一導(dǎo)電層30:吸收層40 緩沖層50 絕緣層60:第二導(dǎo)電層
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的太陽能吸收層的漿料的制造方法、太陽能吸收層 及其漿料其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí) 施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實(shí)施方式
的說明，當(dāng)可對本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目 的所采取的技術(shù)手段及功效獲得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與 說明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。本發(fā)明提出一種太陽能吸收層的漿料的制造方法，其是提供一種不含界面活性劑 和接著劑的太陽能吸收層的漿料，以解決傳統(tǒng)添加界面活性劑和接著劑所導(dǎo)致太陽能吸收 層上殘留的含碳量、含氧量過高，而降低太陽能電池效率的問題。另外，本發(fā)明的混合粉末 是由球狀納米顆粒粉末及至少一種非球狀納米顆粒粉末所組成，因此可以降低混合粉末及 其漿料在成膜時(shí)的孔隙問題。本發(fā)明的具體實(shí)施例是以由IB族、IIIA族及VIA族所制作的太陽能吸收層的漿 料作為說明內(nèi)容，例如銅銦鎵硒(簡稱CIGS)漿料或銅銦鎵硒硫漿料，但不以上述為限。請參閱圖2所示，圖2是本發(fā)明太陽能吸收層的漿料的制造方法的示意圖。本發(fā) 明較佳實(shí)施例的太陽能吸收層的漿料的制造方法包括以下步驟首先，在步驟SlOl中，是 將含IB族、IIIA族及VIA族元素的二個(gè)成份、三個(gè)成份或四個(gè)成份的粉末加以混合以形成 原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一原始混合粉末。在本具體實(shí)施例中，本發(fā)明可選擇 IB族中的銅元素、IIIA族中的純銦元素、純鎵元素、或混合銦元素與鎵元素的材料、VIA族 中的純硒元素、純硫元素或混合硒元素與硫元素的材料，以形成上述原始混合粉末，例如可 選擇含銅-硒(IB-VIA)或銅-銦/鎵(IB-IIIA)的二元化合物粉末和IIIA族中的純銦元 素、純鎵元素混合銦元素與鎵元素的粉末混合成原始混合粉末，但不以上述為限；且在本步 驟的初始混合步驟中，該混合粉末的IB族、IIIA族及VIA族元素具有第一組成比例，例如 IB族IIIA族VIA族元素的莫耳比例=1.0 1. 0 2. 0，換言之，在原始混合粉末中，VIA族元素與IB族元素的莫耳比為2。
再者，該原始混合粉末是由球狀納米顆粒粉末及至少一種非球狀納米顆粒粉末所 組成，例如利用平均粒徑為500nm的納米粉末顆粒加以混合，且該非球狀納米顆粒粉末可 為薄片狀納米顆粒粉末、不規(guī)則碎片狀的納米顆粒粉末或圓盤狀奈米顆粒粉末，但不以此 為限。換言之，上述非球狀納米顆粒粉末可用于填充于球狀納米顆粒粉末之間的孔隙，故可 降低后續(xù)成膜時(shí)的孔隙問題。另外，在一具體實(shí)施例中，該球狀納米顆粒粉末是占該原始混 合粉末的70%以上，或者該至少一種非球狀納米顆粒粉末占該原始混合粉末的30%以下， 均可有效的改善后續(xù)成膜時(shí)的孔隙問題。接著，在步驟S103中，是在該原始混合粉末中添加額外的VIA族元素粉末，上述額 外添加的VIA族元素粉末除了具有補(bǔ)充原始混合粉末中VIA族元素含量的功效外，更可取 代傳統(tǒng)使用的界面活性劑或接著劑等，故使本發(fā)明的漿料不需要額外添加傳統(tǒng)的界面活性 劑或接著劑。同在步驟SlOl中所添加的元素粉末組成，在本步驟中所添加的VIA族元素粉 末可為純硒元素粉末、純硫元素粉末或混合硒元素與硫元素的粉末，但不以上述為限。在本 混合步驟之后，可形成一最后混合粉末，且該最后混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元 素具有一第二組成比例，例如IB族IIIA族VIA族元素的莫耳比例=1.0 1. 0 X， 其中，X介于2.0至4.0之間；換言之，在最后混合粉末中，VIA族元素與IB族元素的莫耳 比大于2，因此，藉由額外添加VIA族元素粉末，以使該最后混合粉末中的VIA族元素所占 的比例大于該原始混合粉末中的VIA族元素所占的比例，而上述超量添加的VIA族元素即 可取代傳統(tǒng)界面活性劑或接著劑的功能。在本具體步驟中，是將額外的VIA族元素粉末添 加于原始的混合粉末中。并且在步驟S105中，在上述最后混合粉末中混摻低溫易揮發(fā)的溶 齊U，再加以攪拌至少0. 5小時(shí)，而制作出可用作涂布使用的銅銦鎵硒(硫)漿料。根據(jù)本發(fā)明所進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)，額外添加的VIA族元素粉末的比例需加以控制，比例 過低，無法達(dá)成接著效果；而添加比例過高，則會(huì)導(dǎo)致所制作的銅銦鎵硒(硫)吸收層對于 電池中的下電極(鉬層)的接著力降低。本發(fā)明更提出一種以上述的制造方法所制作的太陽能吸收層漿料及其太陽能吸 收層，如圖1所示，太陽能電池結(jié)構(gòu)包括基板10、第一導(dǎo)電層20、吸收層30、緩沖層40、絕 緣層50以及第二導(dǎo)電層60，其中基板10可為玻璃板、鋁板、不繡鋼板或塑膠板，第一導(dǎo)電 層20可包括金屬鉬，其是用以作為背面電極；吸收層30則可由上述制造方法所制作的漿 料涂布、噴涂、印刷于第一導(dǎo)電層20上而形成含有適當(dāng)比例的IB、IIIA及VIA族元素的膜 層，其是用以作為P型薄膜，為主要的光線吸收層；緩沖層40可包括硫化鎘(CdS)，其是用 以作為η型薄膜；絕緣層50包括氧化鋅(ZnO)，用以提供保護(hù)；第二導(dǎo)電層60包含氧化鋅 鋁(Ζη0:Α1)，用以連接正面電極。因此，利用上述漿料涂布、噴涂或印刷等成型于第一導(dǎo)電 層20上，而形成含有適當(dāng)比例的IB、IIIA及VIA族元素的膜層不含有界面活性劑、接著劑 所殘留的碳、氧，故可提高吸收層30的光吸收特性及能量轉(zhuǎn)換效率；且，吸收層30中具有較 少量且較小的孔隙，故同樣可提高太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換效率。綜上所述，本發(fā)明具有下列諸多優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明提供的一種太陽能吸收層的漿料的制造方法，該方法是在初始混合粉末 中再額外添加過量的VIA族元素粉末，該過量的VIA族元素粉末可用以取代傳統(tǒng)界面活性 劑或接著劑等添加物，換言之，本發(fā)明不需要添加界面活性劑或接著劑仍可保持吸收層與第一導(dǎo)電層(金屬鉬層)的接著性，同時(shí)可解決界面活性劑或接著劑殘留于吸收層中的碳、 氧，而造成的太陽能吸收層的光吸收特性不佳的問題。
2、本發(fā)明的制造方法是利用球狀納米顆粒粉末及至少一種非球狀納米顆粒粉末 混成一種混合粉末，而利用上述非球狀納米顆粒粉末作為球狀納米顆粒粉末之間空隙的填 充材料/填隙材料，故可有效減少膜層中的孔隙數(shù)量或降低孔隙的尺寸，進(jìn)而提高太陽能 電池的工作效率。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對 以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種太陽能吸收層的漿料的制造方法，其特征在于其包括以下步驟混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二個(gè)成份、三個(gè)成份或四個(gè)成份的粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一原始混合粉末，且該原始混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元素具有一第一組成比例，其中該原始混合粉末是由球狀納米顆粒粉末及至少一種非球狀納米顆粒粉末所組成；以及在該原始混合粉末中添加額外的VIA族元素粉末，并進(jìn)行混合，以形成一最后混合粉末，且該最后混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元素具有一第二組成比例，其中該最后混合粉末中的VIA族元素所占的比例是大于該原始混合粉末中的VIA族元素所占的比例。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其特征在于其中所 述的原始混合粉末中的第一組成比例為IB族IIIA族VIA族元素的莫耳比例= 1. 0 1. 0 2. 0。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其特征在于其中所 述的最后混合粉末中的第二組成比例為IB族IIIA族VIA族元素的莫耳比例= 1.0 1.0 X，其中X介于2.0至4.0之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其特征在于其中所述的至 少一種非球狀納米顆粒粉末為薄片狀納米顆粒粉末、不規(guī)則碎片狀的納米顆粒粉末或圓盤 狀納米顆粒粉末。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其特征在于其中所述的球 狀納米顆粒粉末是占該混合粉末的70%以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其特征在于其中所述的IB 族元素為銅元素。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其特征在于其中所述的 IIIA族元素為銦元素、鎵元素、或銦元素與鎵元素的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其特征在于其中所述的 VIA族元素可為硒元素、硫元素或硒元素與硫元素的組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法，其特征在于其中所述的太 陽能吸收層的漿料為銅銦鎵硒漿料或銅銦鎵硒硫漿料。
10.一種應(yīng)用根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法所制作成的太陽 能吸收層漿料及太陽能吸收層。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種太陽能吸收層的漿料的制造方法、太陽能吸收層及其漿料。該太陽能吸收層的漿料的制造方法，包含以下步驟混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二個(gè)成份、三個(gè)成份或四個(gè)成份的粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一原始混合粉末，其中該原始混合粉末是由球狀納米顆粒粉末及至少一種非球狀納米顆粒粉末所組成；在該混合粉末中添加額外的VIA族元素粉末，并進(jìn)行混合，以形成一太陽能吸收層的混合粉末及其漿料。本發(fā)明還提供了一種太陽能吸收層漿料及太陽能吸收層。
文檔編號H01L31/0216GK101840959SQ201010111480
公開日2010年9月22日 申請日期2010年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月11日
發(fā)明者楊益郎, 陳文仁 申請人:昆山正富機(jī)械工業(yè)有限公司