專利名稱：基島埋入芯片正裝倒t型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo) 體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
(二)
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的芯片封裝形式的散熱方式，主要是采用了芯片下方的金屬基島作為散熱傳 導(dǎo)工具或途徑，而這種傳統(tǒng)封裝方式的散熱傳導(dǎo)存在以下的不足點
1、金屬基島體積太小 金屬基島在傳統(tǒng)封裝形式中，為了追求封裝體的可靠性安全，幾乎都采用了金屬 基島埋入在封裝體內(nèi)，而在有限的封裝體內(nèi)，同時要埋入金屬基島及信號、電源傳導(dǎo)用的金 屬內(nèi)腳(如圖l及圖2所示)，所以金屬基島的有效面積與體積就顯得非常的小，而同時金 屬基島還要來擔(dān)任高熱量的散熱的功能，就會顯得更為的不足了 。
2、埋入型金屬基島(如圖1及圖2所示) 金屬基島在傳統(tǒng)封裝形式中，為了追求封裝體的可靠性安全，幾乎都采用了金屬
基島埋入在封裝體內(nèi)，而金屬基島是依靠左右或是四個角落細細的支撐桿來固定或支撐金
屬基島，也因為這細細的支撐桿的特性，導(dǎo)致了金屬基島從芯片上所吸收到的熱量，無法快
速的從細細的支撐桿傳導(dǎo)出來，所以芯片的熱量無法或快速的傳導(dǎo)到封裝體外界，導(dǎo)致了
芯片的壽命快速老化甚至燒傷或燒壞。 3、金屬基島露出型(如圖3及圖4所示) 雖然金屬基島是露出的，可以提供比埋入型的散熱功能還要好的散熱能力，但是 因為金屬基島的體積及面積在封裝體內(nèi)還是非常的小，所以能夠提供散熱的能力，還是非 常有限。
(三)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種能夠提供散熱的能力強的基島埋入芯 片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一種基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封 裝結(jié)構(gòu)，包含有芯片、芯片下方的所承載的金屬基島、金屬內(nèi)腳、芯片到金屬內(nèi)腳的信號互 連的金屬絲、芯片與金屬基島之間的導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)I和塑封體，所述金屬 基島l埋入塑封體，在所述芯片上方設(shè)置有散熱塊，該散熱塊與所述芯片之間嵌置有導(dǎo)電 或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)II ;在所述散熱塊上方設(shè)置有散熱器，該散熱器與所述散熱塊之 間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)III，所述散熱塊呈倒置的"T"型結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的有益效果是 本發(fā)明通過在芯片上方增置散熱塊，以及在塑封體外增設(shè)散熱器，來擔(dān)任高熱量 的散熱的功能，能夠提供散熱的能力強，使芯片的熱量能快速的傳導(dǎo)到封裝體外界。可以應(yīng) 用在一般的封裝形式的封裝體及封裝工藝上使其成為高或是超高散熱(High Thermal or
3Super High Thermal)能力，如FBP可以成為SHT-FBP/QFN可以成為SHT-QFN/BGA可以成為 SHT-BGA/CSP可以成為SHT-CSP……。避免了芯片的壽命快速老化甚至燒傷或燒壞。
(四)


圖1為以往金屬基島埋入型芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1的俯視圖。 圖3為以往金屬基島露出型芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為圖3的俯視圖。 圖5為本發(fā)明基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中附圖標記 金屬基島1、導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)12、芯片3、金屬內(nèi)腳4、金屬絲5、導(dǎo)電 或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)II6、散熱塊7、塑封體8、散熱器11、導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物 質(zhì)11113。
(五)
具體實施例方式
參見圖5，圖5為本發(fā)明基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)示意 圖。由圖5可以看出，本發(fā)明基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)，包含有 芯片3、芯片下方的所承載的金屬基島1、金屬內(nèi)腳4、芯片到金屬內(nèi)腳的信號互連的金屬絲 5、芯片與金屬基島之間的導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)I2和塑封體8，所述金屬基島l埋 入塑封體8，在所述芯片3上方設(shè)置有散熱塊7，該散熱塊7與所述芯片3之間嵌置有導(dǎo)電 或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)116 ;在所述散熱塊7上方設(shè)置有散熱器ll，該散熱器11與所述 散熱塊7之間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)11113。
所述散熱塊7的材質(zhì)可以是銅、鋁、陶瓷或合金等。
所述散熱器11的材質(zhì)可以是銅、鋁、陶瓷或合金等。
所述散熱塊7呈倒置的"T"型結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
一種基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)，包含有芯片(3)、芯片下方的所承載的金屬基島(1)、金屬內(nèi)腳(4)、芯片到金屬內(nèi)腳的信號互連的金屬絲(5)、芯片與金屬基島之間的導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)I(2)和塑封體(8)，所述金屬基島(1)埋入塑封體(8)，其特征在于在所述芯片(3)上方設(shè)置有散熱塊(7)，該散熱塊(7)與所述芯片(3)之間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)II(6)；在所述散熱塊(7)上方設(shè)置有散熱器(11)，該散熱器(11)與所述散熱塊(7)之間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)III(13)，所述散熱塊(7)呈倒置的“T”型結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)， 其特征在于所述散熱塊(7)的材質(zhì)是銅、鋁、陶瓷或合金。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)， 其特征在于所述散熱器(11)的材質(zhì)是銅、鋁、陶瓷或合金。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結(jié)構(gòu)，包含有芯片(3)、金屬基島(1)、金屬內(nèi)腳(4)、金屬絲(5)、芯片與金屬基島之間的導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)I(2)和塑封體(8)，所述金屬基島(1)埋入塑封體(8)，在所述芯片(3)上方設(shè)置有散熱塊(7)，該散熱塊(7)與所述芯片(3)之間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)II(6)；在所述散熱塊(7)上方設(shè)置有散熱器(11)，該散熱器(11)與所述散熱塊(7)之間嵌置有導(dǎo)電或不導(dǎo)電的導(dǎo)熱粘結(jié)物質(zhì)III(13)，所述散熱塊(7)呈倒置的“T”型結(jié)構(gòu)。本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)能夠提供散熱的能力強。
文檔編號H01L23/367GK101771000SQ201010112848
公開日2010年7月7日 申請日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者梁志忠, 王新潮, 顧炯炯 申請人:江蘇長電科技股份有限公司