專利名稱：：薄膜晶體管及其制造方法和有機發(fā)光二極管顯示器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明各方面涉及薄膜晶體管(TFT)、制造所述薄膜晶體管的方法和包括所述薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器裝置。更具體地，本發(fā)明各方面涉及TFT、制造所述TFT的方法和包括所述TFT的OLED顯示器裝置，其中所述制造方法通過使用金屬蝕刻劑吸雜，能夠除去殘留在使用金屬催化劑結(jié)晶化的多晶硅層所形成的半導體層中的大部分金屬催化劑。
背景技術(shù)：
：薄膜晶體管(TFT)通常被用作有源矩陣液晶顯示器(AMIXD)裝置的有源元件，以及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器裝置的開關(guān)元件和驅(qū)動元件。在這些情況中，根據(jù)具體裝置元件的所需特性，需要控制TFT的特性。決定TFT特性的重要因素之一是漏電流。通常，在具有由未使用金屬催化劑的結(jié)晶方法結(jié)晶化的多晶硅層形成的半導體層的TFT中，當溝道區(qū)的寬度增加時，漏電流趨向于增加，當溝道區(qū)的長度增加時，漏電流趨向于減少。然而，即使增加溝道區(qū)的長度以減少漏電流時，效果也較小。而且，在顯示器裝置中，如果溝道區(qū)的長度增加，整個裝置的尺寸也會增加，且孔徑比會降低。因此，溝道區(qū)的長度受到限制。最近，已經(jīng)廣泛地研究使用金屬催化劑來使非晶硅層結(jié)晶的方法，因為此方法與固相結(jié)晶(SPC)法相比，優(yōu)點在于可在較短結(jié)晶時間內(nèi)、較低溫度下完成結(jié)晶。此外，可使用更大范圍的工藝條件，且再現(xiàn)性高于準分子激光器結(jié)晶(ELC)法。然而，在使用金屬催化劑結(jié)晶化的多晶硅層作為半導體層的TFT中，作為溝道區(qū)的長度或?qū)挾茸兓暮瘮?shù)，與其它TFT表現(xiàn)出的趨向性不同，TFT的漏電流改變但無明顯趨向性。因此，具有由金屬催化劑結(jié)晶化的多晶硅層形成的半導體層的TFT具有以下問題無法評估作為半導體層溝道區(qū)尺寸函數(shù)的漏電流，且無法確定用于控制漏電流的半導體層溝道區(qū)的尺寸。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明各方面提供了薄膜晶體管(TFT)、制造所述薄膜晶體管的方法和包括所述薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器裝置，其中所述制造方法通過使用金屬蝕刻劑吸雜，能夠除去殘留在由金屬催化劑結(jié)晶化的多晶硅層所形成的半導體層中的大部分金屬催化劑，從而改進TFT的特性。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，TFT包括基板；緩沖層，所述緩沖層位于所述基板上；半導體層，所述半導體層位于所述緩沖層上；柵電極，所述柵電極與所述半導體層絕緣；柵絕緣層，所述柵絕緣層將所述半導體層與所述柵電極絕緣；以及源電極和漏電極，所述源電極和漏電極與所述柵電極絕緣，且部分連接所述半導體層，其中所述半導體層包括至少一個槽。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式，OLED顯示器裝置包括基板；緩沖層，所述緩沖層位于所述基板上；半導體層，所述半導體層位于所述緩沖層上；柵電極，所述柵電極與所述半導體層絕緣；柵絕緣層，所述柵絕緣層使所述半導體層與所述柵電極絕緣；源電極和漏電極，所述源電極和漏電極與所述柵電極絕緣，且部分連接所述半導體層；絕緣層，所述絕緣層位于所述基板的整個表面上；第一電極，所述第一電極位于所述絕緣層上，且電連接所述源電極和漏電極之一；有機層；和第二電極，其中所述有機層包括至少一個槽。本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點將在以下說明書中部分詳述，且部分內(nèi)容從說明書中是顯而易見的，或者可通過本發(fā)明的實施而理解。結(jié)合附圖，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點將是顯而易見的，且從以下實施方式的描述中更容易理解圖IAID為說明根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的多晶硅層的結(jié)晶過程的截面圖；圖2A和2B為說明在根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施方式的多晶硅層上吸雜的截面圖；圖2C為根據(jù)圖2A和2B的實施方式在吸雜后得到的多晶硅層的表面圖；圖2D2F為根據(jù)圖2A和2B的實施方式已進行吸雜的多晶硅層的金屬催化劑濃度圖；圖3A3C為說明根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施方式的頂柵TFT制造過程的截面圖；圖4A4C為說明根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施方式的底柵TFT制造過程的截面圖；和圖5為根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施方式的OLED顯示器裝置的截面圖。具體實施例方式將對本發(fā)明的實施方式做出詳細說明，其實施例在附圖中說明，其中相同的附圖標記在文中指代相同元件。以下將描述實施方式以參考本發(fā)明。圖IAID為說明根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的多晶硅層結(jié)晶方法的截面圖。首先，如圖IA所示，緩沖層110形成在由玻璃或塑料形成的基板100上。緩沖層110是絕緣層，且可通過化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)由二氧化硅層、氮化硅層或它們的組合形成。緩沖層110用于防止基板100中產(chǎn)生的濕氣或雜質(zhì)擴散，并調(diào)節(jié)結(jié)晶期間的傳熱速率，從而促進非晶硅層的結(jié)晶。然而，在本發(fā)明的所有方面中，緩沖層110并不是必需的。隨后，非晶硅層120形成在緩沖層110上。非晶硅層120可通過CVD或PVD沉積。在非晶硅層120形成期間或之后，可進行脫氫工藝以降低氫濃度。然后，非晶硅層120結(jié)晶為多晶硅層。根據(jù)本發(fā)明各方面，非晶硅層通過使用金屬催化劑的結(jié)晶方法結(jié)晶為多晶硅層，例如金屬誘導的結(jié)晶(MIC)技術(shù)、金屬誘導的橫向結(jié)晶(MILC)技術(shù)或超晶粒硅結(jié)晶(SGS)技術(shù)。然而，結(jié)晶技術(shù)不限于此。SGS技術(shù)是使非晶硅層120結(jié)晶的方法，其中降低擴散到非晶硅層120中的金屬催化劑濃度，以控制多晶硅的粒徑在數(shù)Pm至數(shù)百ym內(nèi)的范圍內(nèi)。為了降低擴散到非晶硅層120中的金屬催化劑濃度，擴散層130(見圖1B)可形成在非晶硅層120上，且金屬催化劑層140(見圖IB)可形成在擴散層130上，并退火以使金屬催化劑擴散到非晶硅層120中?；蛘撸瑪U散到非晶硅層120中的金屬催化劑濃度可通過在非晶硅層120上以低濃度形成金屬催化劑層140而不形成擴散層來降低。在本發(fā)明的示例性實施方式中，多晶硅層可通過SGS結(jié)晶技術(shù)形成，現(xiàn)將對此進行說明。圖IB為說明在非晶硅層120上形成擴散層130和金屬催化劑層140的過程的截面圖。擴散層130形成在非晶硅層120上。擴散層130可由氮化硅層或二氧化硅層形成，在后續(xù)過程中形成的金屬催化劑可通過退火擴散到所述擴散層中，且擴散層130可以以氮化硅層和二氧化硅層的雙層結(jié)構(gòu)形成。此外，在擴散層130以雙層結(jié)構(gòu)形成時，可將任意一層圖案化以調(diào)節(jié)金屬催化劑擴散的位置。擴散層130可通過諸如CVD或PVD等任何適合的沉積方法形成。在所示的實施例中，擴散層130可形成12，000入的厚度。當擴散層130的厚度小于IA時，很難控制擴散通過擴散層130的金屬催化劑量。當擴散層130的厚度大于2,OOOA時，擴散進入非晶硅層120的金屬催化劑量過小，因此難以使非晶硅層120結(jié)晶為多晶娃層。隨后，金屬催化劑沉積在沉積層130上以形成金屬催化劑層140。金屬催化劑可選自由鎳(Ni)、鈀(Pd)、銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、錫(Sn)、銻(Sb)、銅(Cu)M(Tb)和鎘(Cd)構(gòu)成的組中，且優(yōu)選金屬催化劑為Ni。可在擴散層130上形成表面密度為IO11IO15原子/平方厘米的金屬催化劑層140。當形成表面密度小于IO11原子/平方厘米的金屬催化劑層140時，起結(jié)晶核作用的晶種數(shù)量過少，因此難以通過SGS結(jié)晶技術(shù)使非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層。當形成表面密度大于IO15原子/平方厘米的金屬催化劑層140時，擴散到非晶硅層120中的金屬催化劑的量過大，因此在多晶硅層中產(chǎn)生的晶粒尺寸較小。此外，殘留在多晶硅層中的金屬催化劑量也增加，因此通過圖案化多晶硅層形成的半導體層特性會更差。圖IC為說明通過基板100的退火使金屬催化劑擴散通過擴散層130至非晶硅層120界面的過程的截面圖。參照圖1C，將其上形成緩沖層110、非晶硅層120、擴散層130和金屬催化劑層140的基板100退火，以使金屬催化劑層140的一些金屬催化劑移動至非晶硅層120的表面。也就是說，在退火期間，僅有極少量的來自金屬催化劑層140的金屬催化劑140b通過擴散層130擴散至非晶硅層120的表面，而大部分金屬催化劑140a未到達非晶硅層120，或未全部通過擴散層130。因此，到達非晶硅層120表面的金屬催化劑140b的量取決于擴散層130的擴散阻擋能力，該擴散阻擋能力與擴散層130的厚度密切相關(guān)。即，隨著擴散層130的厚度增加，金屬催化劑140b的擴散量降低，因此產(chǎn)生的晶粒變得更大。另一方面，如果擴散層130的厚度降低，金屬催化劑140b的擴散量增加，因此產(chǎn)生的晶粒變得更小。退火工藝可在約200約900°C、優(yōu)選在約350約500°C下進行數(shù)秒至數(shù)小時，以擴散金屬催化劑。在上述退火條件下，可防止因過度退火引起的基板100變形，且降低生產(chǎn)成本并增加產(chǎn)率。退火方法可為爐法、快速熱退火(RTA)法、UV法和激光法中的一種。圖ID為說明通過使用擴散的金屬催化劑使非晶硅層120結(jié)晶為多晶硅層160的過程的截面圖。參照圖1D，非晶硅層120通過金屬催化劑140b結(jié)晶為多晶硅層160，該金屬催化劑140b已通過擴散層130擴散到非晶硅層120的表面。即，擴散的金屬催化劑140b與非晶硅層120的硅鍵合以形成金屬硅化物，該金屬硅化物形成晶種，即結(jié)晶核，因此非晶硅層120結(jié)晶為多晶硅c層160。如圖ID所示，進行退火工藝而不除去擴散層130和金屬催化劑層140。或者，多晶硅層可形成如下使金屬催化劑140b擴散到非晶硅層120上以形成作為結(jié)晶核的金屬硅化物，除去擴散層130和金屬催化劑層140，隨后使裸露的非晶硅層120退火。圖2A和2B為說明在根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施方式的多晶硅層上吸雜的截面圖。首先，如圖2A所示，使用根據(jù)圖IAID的金屬催化劑結(jié)晶化的緩沖層210和多晶硅層220已形成在基板200上。在此，隨后在基板200上進行示例性吸雜，其中為了說明，圖ID中所示的擴散層130和金屬催化劑層140已從圖2A和2B中省去。多晶硅層220包含殘留的金屬催化劑140a和140b，且結(jié)晶后殘留的金屬催化劑140a和140b的濃度為約IXIO135XIO14原子/平方厘米。用蝕刻劑蝕刻多晶硅層200。使用蝕刻劑以除去鎳或硅化鎳，且蝕刻劑包括25%鹽酸(HC1)、10%乙酸(CH3COOH)和多種濃度的三氯化鐵的混合物。此外，可以使用諸如HF或NH4F的緩沖氧化蝕刻劑(BOE)。當使用蝕刻劑蝕刻多晶硅層220約2分鐘時，殘留的金屬催化劑溶解在蝕刻劑中，由此進行吸雜工藝。參照圖2B，當蝕刻其上已形成多晶硅層220的基板200時，除去存在于多晶硅層220中殘留的金屬催化劑140a和140b。特別是將晶粒界面處的金屬硅化物140a溶解在蝕刻劑中并除去，從而形成槽或凹槽“a”。根據(jù)催化劑的初始濃度以及結(jié)晶退火工藝的溫度和時間，形成的凹槽“a”具有各種尺寸。凹槽“a”可具有約200約1，OOOnm范圍內(nèi)的尺寸，且可形成細孔。圖2C為如圖2B所示在使用蝕刻劑吸雜后得到的多晶硅層220的表面照片，從照片中可知，在除去聚集的金屬催化劑和金屬硅化物140a后形成凹槽“a”。圖2D2F為已進行吸雜的多晶硅層的金屬催化劑濃度圖，其中使用鎳作為金屬催化劑進行結(jié)晶。圖2D示出了在吸雜前測定的多晶硅層的鎳催化劑濃度，圖2E示出了在吸雜1分鐘后測定的多晶硅層的鎳催化劑濃度，圖2F示出了在吸雜2分鐘后測定的多晶硅層的鎳催化劑濃度。參照圖2D2F，當比較吸雜1分鐘和2分鐘之前和之后的鎳催化劑量時，可知在吸雜1分鐘后(B)，多晶硅層表面上的鎳催化劑量減少，且在吸雜2分鐘后(C)，鎳催化劑量也減少。雖然吸雜后在多晶硅層表面上形成槽，但所述槽對由多晶硅層形成的半導體層的特性無顯著影響。表1顯示了吸雜后由多晶硅層160形成的半導體層的特性。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>從表1中可看出，雖然凹槽“a”存在于多晶硅層的表面上，但是閾電壓(Vth)特性和截止電流(Ioff)特性優(yōu)異。因此，通過上述吸雜可有效地除去金屬催化劑。圖3A3C為說明使用制造多晶硅層的方法制造根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施方式的頂柵TFT的過程的截面圖。參照圖3A，緩沖層310形成在由玻璃、不銹鋼或塑料形成的基板300上。緩沖層310是絕緣層，且可由二氧化硅層、氮化硅層或它們的組合形成。緩沖層310用于防止基板300中產(chǎn)生的濕氣或雜質(zhì)擴散，且調(diào)節(jié)結(jié)晶期間的傳熱速率，從而促進非晶硅層的結(jié)晶。隨后，為了形成多晶硅層320a，將非晶硅層形成在緩沖層310上。采用與圖IAID的示例性實施方式相同的方式，使用金屬催化劑將非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層320a。然后，通過使用金屬蝕刻劑使多晶硅層320a經(jīng)過上述圖2A和2B的吸雜以除去殘留的金屬催化劑，從而形成具有由金屬催化劑形成的凹槽“a”的多晶硅層320a。參照圖3B，半導體層320通過圖案化多晶硅層320a形成在緩沖層310上。然后，將柵絕緣層330形成在包括半導體層320的基板300的整個表面上。柵絕緣層330可為二氧化硅層、氮化硅層或它們的組合。隨后，使用鋁(Al)或諸如鋁_釹(Al-Nd)等Al合金的單層，或者具有堆疊在鉻(Cr)或鉬(Mo)合金上的Al合金的多層，在柵絕緣層330上形成用于柵電極(未示出)的金屬層，且通過使用光刻工藝蝕刻用于柵電極的金屬層，形成對應于半導體層320的溝道區(qū)的柵電極340。然后，參照圖3C，夾層絕緣層350形成在包括柵電極340的基板300的整個表面上。本文中，夾層絕緣層350可由二氧化硅層、氮化硅層或它們的組合形成。接著，蝕刻夾層絕緣層350和柵絕緣層330以形成使半導體層320的源區(qū)和漏區(qū)暴露的接觸孔。形成通過接觸孔連接源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極360和361。在此情況中，源電極和漏電極360和361可由選自由鉬(Mo)或鉬(Mo)合金、鉻(Cr)、鎢(W)或(W)鎢合金、鉬-鎢(MoW)、鋁(Al)或鋁合金、鋁-釹(Al-Nd)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、或者銅(Cu)或銅(Cu)合金構(gòu)成的組中的一種形成。其它實例包括鉬-鎢(MoW)合金、鋁-釹(AlNd)合金或氮化鈦(TiN)。由此，完成包括半導體層320、柵電極340、以及源電極和漏電極360禾口361的TFT。圖4A4C為說明使用制造多晶硅層的方法制造根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施方式的底柵TFT的過程的截面圖。除了下文的具體說明外，將參照上述示例性實施方式的說明來描述此過程。參照圖4A，緩沖層410形成在基板400上。為了形成柵電極420，金屬層形成在緩沖層410上，且用光刻工藝通過蝕刻用于柵電極的金屬層來形成柵電極。然后，將柵絕緣層430形成在包括柵電極420的基板400上。隨后，參照圖4B，將非晶硅層形成在柵絕緣層430上，然后采用與圖IAID的示例性實施方式相同的方式，使用金屬催化劑將非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層440a。使多晶硅層440a經(jīng)過圖2A和2B的示例性實施方式中所述的吸雜，使得多晶硅層440a中的金屬催化劑通過吸雜被除去，從而留下槽“a”。參照圖4C，半導體層440通過圖案化多晶硅層440a形成。因此，源導電層和漏導電層形成在半導體層440上，并經(jīng)圖案化以形成源電極和漏電極450和451。在此情況下，源電極和漏電極450和451可由選自由鉬(Mo)或鉬(Mo)合金、鉻(Cr)、鎢(W)或(W)鎢合金、鉬-鎢(Moff)、鋁(Al)或鋁合金、鋁-釹(Al-Nd)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、或者銅(Cu)或銅(Cu)合金構(gòu)成的組中的一種形成。其它實例包括鉬-鎢(MoW)合金、鋁-釹(AlNd)合金或氮化鈦(TiN)。由此，完成包括半導體層440、柵電極420，以及源電極和漏電極450和451的TFT。圖5為根據(jù)本發(fā)明另一個示例性實施方式的包括頂柵TFT的OLED顯示器裝置的截面圖。參照圖5，絕緣層365形成在包括根據(jù)圖3A3C的示例性實施方式的TFT的基板300的整個表面上。絕緣層365可為在玻璃上由選自由二氧化硅、氮化硅和硅酸鹽構(gòu)成的組中的材料形成的無機層，或者由選自由聚酰亞胺、聚(苯并環(huán)丁烯)和聚丙烯酸酯構(gòu)成的組中的聚合物形成有機層。此外，絕緣層365可通過堆疊無機層和有機層形成。使源電極和漏電極360或361暴露的通孔通過蝕刻絕緣層365來形成。形成通過通孔連接源電極和漏電極360和361之一的第一電極370。第一電極370可為陽極或陰極。當?shù)谝浑姌O370為陽極時，陽極可由ΙΤ0、IZO或ITZO形成的透明導電層形成，而當?shù)谝浑姌O370為陰極時，陰極可由Mg、Ca、Al、Ag、Ba或它們的合金形成。隨后，具有使第一電極370表面部分暴露的開口的像素限定層375形成在第一電極370上，且包括發(fā)射層的有機層380形成在暴露的第一電極370上。有機層380可進一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子阻擋層、電子注入層和電子傳輸層中的至少一種。然后，第二電極385在有機層380上形成。由此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的OLED顯示器裝置。根據(jù)上述本發(fā)明各方面，通過使用金屬蝕刻劑吸雜，可除去殘留在由金屬催化劑結(jié)晶化的多晶硅層所形成的半導體層中的大部分金屬催化劑，由此可提供具有優(yōu)異電學特性的TFT、制造該TFT的方法和包括該TFT的OLED顯示器裝置。雖然已示出并描述了本發(fā)明的一些示例性實施方式，但應理解的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可變更此示例性實施方式而不背離本發(fā)明的原理和精神，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書和其等效方案限定。權(quán)利要求一種薄膜晶體管，包括緩沖層，所述緩沖層位于基板上；半導體層，所述半導體層位于所述緩沖層上；柵電極，所述柵電極與所述半導體層絕緣；柵絕緣層，所述柵絕緣層使所述半導體層與所述柵電極絕緣；和源電極和漏電極，所述源電極和漏電極與所述柵電極絕緣，并部分連接所述半導體層，其中所述半導體層包括至少一個凹槽。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層包括金屬催化劑。3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中每個凹槽的尺寸在2001，000μm。4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管包括緩沖層，所述緩沖層位于基板上；半導體層，所述半導體層位于所述緩沖層上；柵絕緣層，所述柵絕緣層位于所述半導體層上；柵電極，所述柵電極位于所述柵絕緣層上，并對應于所述半導體層；夾層絕緣層，所述夾層絕緣層位于所述基板的整個表面上；和源電極和漏電極，所述源電極和漏電極位于所述夾層絕緣層上，并部分連接所述半導體層。5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管包括緩沖層，所述緩沖層位于基板上；柵電極，所述柵電極位于所述緩沖層上；柵絕緣層，所述柵絕緣層位于所述基板的整個表面上；半導體層，所述半導體層位于所述柵絕緣層上，并對應于所述柵電極；和源電極和漏電極，所述源電極和漏電極使部分所述半導體層暴露，并連接所述半導體層。6.一種制造薄膜晶體管的方法，包括在基板上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成非晶硅層；在所述非晶硅層上形成金屬催化劑層；通過將所述基板退火，使所述非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層；除去所述金屬催化劑層；使用蝕刻劑蝕刻所述多晶硅層；通過圖案化所述多晶硅層形成半導體層；在所述半導體層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成柵電極；在所述基板的整個表面上形成夾層絕緣層；和在所述夾層絕緣層上形成源電極和漏電極以部分連接所述半導體層。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述蝕刻劑為選自由鹽酸、乙酸、三氯化鐵和緩沖氧化蝕刻劑構(gòu)成的組中的至少一種材料。8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述結(jié)晶在所述非晶硅層和所述金屬催化劑層之間形成擴散層后進行。9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述金屬催化劑層由選自由鎳(Ni)、鈀(Pd)、銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、錫(Sn)、銻(Sb)、銅(Cu)、鋱(Tb)和鎘(Cd)構(gòu)成的組中的金屬形成。10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述退火在350°C500°C下進行。11.一種制造薄膜晶體管的方法，包括在基板上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成柵電極；在所述基板的整個表面上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成非晶硅層；在所述非晶硅層上形成金屬催化劑層；通過將所述基板退火，使所述非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層；除去所述金屬催化劑層；使用蝕刻劑蝕刻所述多晶硅層；通過圖案化所述多晶硅層形成對應于所述柵電極的半導體層；和形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極使部分所述半導體層暴露，并連接所述半導體層。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述蝕刻劑為選自由鹽酸、乙酸、三氯化鐵和緩沖氧化蝕刻劑構(gòu)成的組中的至少一種材料。13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述結(jié)晶在所述非晶硅層和所述金屬催化劑層之間形成擴散層后進行。14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述金屬催化劑層由選自由鎳(Ni)、鈀(Pd)、銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、錫(Sn)、銻(Sb)、銅(Cu)、鋱(Tb)和鎘(Cd)構(gòu)成的組中的金屬形成。15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述退火在350°C500°C下進行。16.一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器裝置，包括緩沖層，所述緩沖層位于基板上；半導體層，所述半導體層位于所述緩沖層上；柵電極，所述柵電極與所述半導體層絕緣；柵絕緣層，所述柵絕緣層使所述半導體層與所述柵電極絕緣；源電極和漏電極，所述源電極和漏電極與所述柵電極絕緣，并部分連接所述半導體層；絕緣層，所述絕緣層位于所述基板的整個表面上；和第一電極，所述第一電極位于所述絕緣層上，并電連接所述源電極和漏電極其中之一；有機層；和第二電極，其中所述半導體層包括至少一個凹槽。17.如權(quán)利要求16所述的OLED顯示器裝置，其中所述半導體層包括金屬催化劑。18.如權(quán)利要求16所述的OLED顯示器裝置，其中每個凹槽的尺寸為2001，000μm。19.如權(quán)利要求16所述的OLED顯示器裝置，其中所述OLED顯示器裝置包括緩沖層，所述緩沖層位于基板上；半導體層，所述半導體層位于所述緩沖層上；柵絕緣層，所述柵絕緣層位于所述半導體層上；柵電極，所述柵電極位于所述柵絕緣層上，并對應于所述半導體層；夾層絕緣層，所述夾層絕緣層位于所述基板的整個表面上；和源電極和漏電極，所述源電極和漏電極位于所述夾層絕緣層上，并部分連接所述半導體層。20.如權(quán)利要求16所述的OLED顯示器裝置，其中所述OLED顯示器裝置包括緩沖層，所述緩沖層位于基板上；柵電極，所述柵電極位于所述緩沖層上；柵絕緣層，所述柵絕緣層位于所述基板的整個表面上；半導體層，所述半導體層位于所述柵絕緣層上，并對應于所述柵電極；和源電極和漏電極，所述源電極和漏電極使部分所述半導體層暴露，并連接所述半導體層。21.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層以如下方法制造在基板上形成非晶硅層，在所述非晶硅層上形成金屬催化劑層，通過將所述基板退火，使所述非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層，除去所述金屬催化劑層，和使用蝕刻劑蝕刻所述多晶硅層。22.如權(quán)利要求21所述的薄膜晶體管，其中緩沖層位于所述基板和所述非晶硅層之間，所述半導體層包括至少一個凹槽，且每個凹槽的尺寸為2001，000μm。23.如權(quán)利要求6所述的方法，其中在結(jié)晶后殘留的所述金屬催化劑的濃度為IXIO135XIO14原子/平方厘米。24.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述緩沖氧化蝕刻劑為HF和NH4F的混合物。25.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述緩沖層的厚度為12000A。26.如權(quán)利要求11所述的方法，其中在結(jié)晶后殘留的所述金屬催化劑的濃度為IXIO135XIO14原子/平方厘米。27.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述緩沖氧化蝕刻劑為HF和NH4F的混合物。28.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述緩沖層的厚度為12000A。29.如權(quán)利要求16所述的OLED顯示器裝置，其中所述半導體層以如下方法制造在基板上形成非晶硅層，在所述非品硅層上形成金屬催化劑層，通過將所述基板退火，使所述非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層，除去所述金屬催化劑層，和使用蝕刻劑蝕刻所述多晶硅層。30.如權(quán)利要求29所述的OLED顯示器裝置，其中緩沖層位于所述基板和所述非晶硅層之間，所述半導體層包括至少一個凹槽，且每個凹槽的尺寸為2001，000μm。31.一種制造半導體層的方法，包括在基板上形成非晶硅層，在所述非晶硅層上形成金屬催化劑層，通過將所述基板退火，使所述非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層，除去所述金屬催化劑層，和使用蝕刻劑蝕刻所述多晶硅層。32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中所述半導體層包括至少一個凹槽，且每個凹槽的尺寸為200Ι,ΟΟΟμπι。33.如權(quán)利要求31所述的方法，其中緩沖層位于所述非晶硅層和所述基板之間。34.如權(quán)利要求31所述的方法，其中擴散層在結(jié)晶之前位于所述非晶硅層和所述金屬催化劑層之間。全文摘要本發(fā)明涉及薄膜晶體管(TFT)和有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器裝置。所述TFT和OLED顯示器裝置包括基板；緩沖層，所述緩沖層位于所述基板上；半導體層，所述半導體層位于所述緩沖層上；柵電極，所述柵電極與所述半導體層絕緣；柵絕緣層，所述柵絕緣層將所述半導體層與所述柵電極絕緣；以及源電極和漏電極，所述源電極和漏電極與所述柵電極絕緣，且部分連接所述半導體層，其中所述半導體層由金屬催化劑結(jié)晶化的多晶硅層形成，且所述金屬催化劑通過使用蝕刻劑吸雜來去除。此外，OLED顯示器裝置包括絕緣層，所述絕緣層位于所述基板的整個表面上；第一電極，所述第一電極位于所述絕緣層上，且電連接所述源電極和漏電極其中之一；有機層；和第二電極。文檔編號H01L27/32GK101826556SQ201010124380公開日2010年9月8日申請日期2010年2月26日優(yōu)先權(quán)日2009年3月3日發(fā)明者姜有珍,安志洙,尹祥淵,崔寶京,張錫洛,徐晉旭,樸炳建,樸鐘力,李東炫,李吉遠,李基龍,李大宇,梁泰勛,洪鐘元,羅興烈,鄭在琓,鄭珉在,鄭胤謨,金永大,馬克西姆·利薩琴科申請人:三星移動顯示器株式會社