專利名稱：具有貫通電極的固體攝像器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有在半導(dǎo)體基板上形成的貫通電極的固體攝像器件，例如涉及攝像 模塊。
背景技術(shù)：
伴隨著電子設(shè)備的小型化，所裝載的半導(dǎo)體器件也需要小型化、高集成化。在九十 年代(1990年代)后半期，開始晶片級芯片規(guī)模封裝體(WaferLevel Chip Scale Package) 的實(shí)用化研究(例如，參照日經(jīng)Micro Devicesl998年4月號P28、P164、P176)。是在廢除 引線的倒裝焊芯片方式中，將半導(dǎo)體芯片表面朝下，利用凸塊使基板和半導(dǎo)體芯片接合的 方法。另一方面，從九十年代后半期還開始開發(fā)將多個半導(dǎo)體芯片三維層疊，可大幅地 實(shí)現(xiàn)小型化的層疊型封裝體(多芯片封裝體)，提出使用貫通電極的封裝體(參照(日本) 特開平10-223833號公報)。在2000年前后開始研究以光學(xué)元件進(jìn)行晶片級CSP (芯片規(guī) 模封裝體)。另夕卜，在 International Electron Devices Meeting 1999 TechnicalDigest (國 際電子器件會議1999技術(shù)摘要)pp. 879-882中，記載了摘自小柳他們的玻璃+粘接劑+攝 像傳感器+貫通電極的構(gòu)造和實(shí)際制作的剖面照片。另外，同樣地，在美國專利第6489675 號說明書以及(日本)特開2007-53149號公報中，也揭示了具備貫通電極、透光性支持基 板的光學(xué)元件的剖面構(gòu)造。但是，在全部這些文獻(xiàn)中，所提出的貫通電極都形成在硅半導(dǎo)體基板內(nèi)，因此由于 貫通電極和硅半導(dǎo)體基板的耦合、或貫通電極周邊的接地電阻高等而產(chǎn)生以下問題由焊 盤通過貫通電極供給的電源劣化，或者反過來，從硅半導(dǎo)體基板側(cè)產(chǎn)生電源噪音，而不能形 成所希望的良好電壓波形。

發(fā)明內(nèi)容
從第1側(cè)面看本發(fā)明的固體攝像器件，其特征在于，包括攝像元件，形成在半導(dǎo) 體基板的第1主面上；外部端子，形成于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1主面相對的第2主面 上；絕緣膜，形成于開孔在上述半導(dǎo)體基板中的貫通孔內(nèi)；貫通電極，形成在上述貫通孔內(nèi) 的上述絕緣膜上，與上述外部端子電連接；以及第1電極，形成于上述半導(dǎo)體基板的上述第 1主面的上述貫通電極上。從與上述半導(dǎo)體基板的第1主面垂直的方向看時，上述絕緣膜和 上述半導(dǎo)體基板相連接的外形比上述第1電極的外形大。從第2側(cè)面看本發(fā)明的固體攝像器件，其特征在于，包括攝像元件，形成在半導(dǎo) 體基板的第1主面上；外部端子，形成于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1主面相對的第2主面上；貫通電極，形成于開孔在上述半導(dǎo)體基板中的貫通孔內(nèi)，與上述外部端子電連接；第1電極，形成于上述半導(dǎo)體基板的上述第1主面的上述貫通電極上；半導(dǎo)體區(qū)域，以包圍上述 貫通電極的外周的至少一部分的方式，形成于上述半導(dǎo)體基板上；以及布線，形成在上述半 導(dǎo)體區(qū)域上，與上述半導(dǎo)體區(qū)域電連接。對上述半導(dǎo)體區(qū)域，通過上述布線供給接地電位。從第3側(cè)面看本發(fā)明的攝像模塊，其特征在于，包括固體攝像器件；透光性基板， 配置在上述固體攝像器件上；紅外線截止濾光片，配置在上述透光性基板上；以及攝像透 鏡，配置在上述紅外線截止濾光片上。其中，上述固體攝像器件，具有攝像元件，形成在半 導(dǎo)體基板的第1主面上；外部端子，形成于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1主面相對的第2主 面上；絕緣膜，形成于開孔在上述半導(dǎo)體基板中的貫通孔內(nèi)；貫通電極，形成在上述貫通孔 內(nèi)的上述絕緣膜上，與上述外部端子電連接；以及第1電極，形成于上述半導(dǎo)體基板的上述 第1主面的上述貫通電極上。從與上述半導(dǎo)體基板的第1主面垂直的方向看時，上述絕緣 膜和上述半導(dǎo)體基板相連接的外形比上述第1電極的外形大。


圖1是示出本發(fā)明的第1實(shí)施方式的攝像模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2是將第1實(shí)施方式的攝像模塊中的硅半導(dǎo)體基板和玻璃基板部分放大后的剖 面圖。圖3是從焊盤開口部側(cè)看圖2中的周邊電路部的圖。圖4是示出第1實(shí)施方式的照相機(jī)中的貫通電極的制造方法的圖。圖5是示出第1實(shí)施方式的照相機(jī)中的貫通電極的制造方法的圖。圖6是示出本發(fā)明的第2實(shí)施方式的攝像模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖7是從焊盤開口部側(cè)看圖6中的周邊電路部的圖。圖8是示出本發(fā)明的第3實(shí)施方式的攝像模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖9是從焊盤開口部側(cè)看圖8中的周邊電路部的圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對于本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在此，作為固體攝像器件，采用 攝像模塊為例。說明時，在整個附圖中，對于共有的部分賦予共有的參照符號。(第1實(shí)施方式)首先，對本發(fā)明的第1實(shí)施方式的攝像模塊進(jìn)行說明。圖1是示出第1實(shí)施方式的攝像模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。在形成了攝像元件(未圖 示)的硅半導(dǎo)體基板(攝像元件芯片)10的第1主面上，間隔著粘接劑11形成透光性支持 基板，例如玻璃基板12。在玻璃基板12上，通過粘接劑13配置IR (紅外線)截止濾光片 14。進(jìn)而，在IR截止濾光片(IR Cut Filter) 14上，通過粘接劑15配置包含攝像透鏡16 的透鏡支架17。另外，在硅半導(dǎo)體基板10的、與第1主面相對的第2主面上，形成外部端子(電 極)，例如焊錫球18。在硅半導(dǎo)體基板10以及玻璃基板12的周圍，配置遮光兼電磁屏蔽 19。該遮光兼電磁屏蔽19通過粘接劑20與透鏡支架17粘接。通過這樣的構(gòu)造形成攝像 模塊100。
攝像模塊100通過焊錫球18直接安裝(板上芯片封裝COB =Chip OnBoard)在例 如由樹脂或陶瓷組成的安裝基板200上。接著，對圖1中的硅半導(dǎo)體基板10和玻璃基板12的剖面構(gòu)造進(jìn)行詳細(xì)說明。圖2是將第1實(shí)施方式的攝像模塊中的硅半導(dǎo)體基板和玻璃基板部分放大后的剖 面圖。攝像模塊具有形成了攝像元件21的攝像像素部、和處理從該攝像像素部輸出的信號 的周邊電路部。攝像模塊的攝像像素部具有以下那樣的結(jié)構(gòu)。
在硅半導(dǎo)體基板10的第1主面上，配置元件分離絕緣層(例如，淺溝槽隔離(STI Shallow Trench Isolation)) 22、和被元件分離絕緣層22分離的元件區(qū)域。在元件區(qū)域上， 形成包含光電二極管以及晶體管的攝像元件21。在形成了攝像元件21的第1主面上形成層間絕緣膜23，在層間絕緣膜23上形成 層間絕緣膜24。進(jìn)而，在層間絕緣膜24中形成布線25。在層間絕緣膜24上，形成鈍化膜26，在鈍化膜26上形成基底層27。在基底層27 上，與攝像元件21對應(yīng)地分別配置彩色濾光片28。在彩色濾光片28上形成涂覆層29，在涂覆層29上與攝像元件21 (或彩色濾光片 28)對應(yīng)地分別形成微透鏡30。進(jìn)而，在微透鏡30上成為空洞31，在該空洞31上配置透光 性支持基板(透明基板)，例如玻璃基板12。在攝像模塊的周邊電路部上，形成以下那樣的貫通電極以及電極焊盤。在硅半導(dǎo) 體基板10的第1主面上形成層間絕緣膜23，在層間絕緣膜23上形成內(nèi)部電極(第1電 極)32。貫通孔從硅半導(dǎo)體基板10的第2主面經(jīng)過第1主面到達(dá)層間絕緣膜23。在貫通 孔的側(cè)面上以及底面上，形成絕緣膜35。在硅半導(dǎo)體基板10的第2主面上，形成絕緣膜36。在貫通孔的內(nèi)面上(絕緣膜35上以及內(nèi)部電極32的貫通孔側(cè)的面上)、以及絕緣 膜36上，形成貫通電極(導(dǎo)電體層)37。內(nèi)部電極32與攝像元件21或者形成在周邊電路 部上的周邊電路(未圖示)電連接。另外，在貫通電極37上、以及第2主面上的絕緣膜36上形成保護(hù)膜，例如阻焊層 38。進(jìn)而，在第2主面上，將貫通電極37上的阻焊層38的一部分開口，在露出的貫通電極 37上，形成焊錫球18。形成于貫通孔的貫通電極37與焊錫球18、以及攝像元件21或者周 邊電路電連接。而且，阻焊層38例如由酚醛類樹脂、或者聚酰亞胺類樹脂、胺類樹脂等組成。在焊 錫球18中，例如使用Sn-Pb (共晶)、或者95Pb-Sn (高鉛高熔點(diǎn)焊錫)、無鉛焊錫，作為無鉛 焊錫使用 Sn-Ag、Sn-Cu, Su-Ag-Cu 等。另外，在內(nèi)部電極32上，間隔著層間絕緣膜24形成元件面電極(第2電極)33。 在內(nèi)部電極32和元件面電極33之間的層間絕緣膜24內(nèi)，形成將這些電極間電連接的接觸 插頭(contact plug) 34。元件面電極33用于例如通過接觸插頭34以及內(nèi)部電極32，施加 電壓以及讀取信號等。特別在芯片篩選測試時，測試用針觸碰元件面電極33。進(jìn)而，在元件面電極33上，形成鈍化膜26。在鈍化膜26上形成基底層27，在基底 層27上形成涂覆層29。進(jìn)而，在涂覆層29上，形成苯乙烯類樹脂層39。將配置在元件面電極33上的、這些鈍化膜26、基底層27、涂覆層29、以及苯乙烯類樹脂層39開口，形成焊盤開口部40。在苯乙烯類樹脂層39上以及元件面電極33上，間 隔著粘接劑11形成玻璃基板12。圖形化粘接劑11，使其不在攝像元件21上(或者微透鏡 30上)配置。 圖3是從焊盤開口部側(cè)看圖2中的周邊電路部的圖，是示出絕緣膜35、內(nèi)部電極 32、以及貫通電極37的布局的俯視圖。如圖所示，在絕緣膜35的內(nèi)側(cè)配置內(nèi)部電極32，在 內(nèi)部電極32的內(nèi)側(cè)配置貫通電極37。 在貫通孔內(nèi)，配置在貫通電極37和硅半導(dǎo)體基板10之間的絕緣膜35，是將貫通電 極37和硅半導(dǎo)體基板10絕緣的構(gòu)件。如圖2以及圖3所示，在與硅半導(dǎo)體基板10的第1 主面平行的方向上，絕緣膜35的膜厚在300 IOOOnm的范圍，其外形位于內(nèi)部電極32的 外形的外側(cè)。在如圖2所示的剖面看時，存在于硅半導(dǎo)體基板10的第1主面上的絕緣膜35比內(nèi)部電極32大。而且，在如圖3所示的平面看時，絕緣膜35比內(nèi)部電極32的矩形大，包圍 內(nèi)部電極32。在圖3所示的例子中，內(nèi)部電極32是矩形，但不限于矩形，也可以是圓形或多 邊形。利用這樣的構(gòu)造，相比在貫通電極和硅半導(dǎo)體基板之間配置膜厚薄的絕緣膜的以 往例，能夠減少貫通電極37和硅半導(dǎo)體基板10間的電容，能夠減小貫通電極37的時間常 數(shù)。由此，可以防止從焊錫球18提供的電源的劣化，進(jìn)而能夠降低從硅半導(dǎo)體基板10側(cè)產(chǎn) 生的電源噪聲所造成的影響。由此，能夠?qū)⑺Ｍ牧己玫碾娫措妷汗┙o到攝像元件21以 及周邊電路上。接著，在下面陳述第1實(shí)施方式中的貫通電極37的制造方法。圖4以及圖5是示出第1實(shí)施方式的攝像模塊中的貫通電極的制造方法的圖。首先，如圖4所示，在硅半導(dǎo)體基板10上加工貫通孔，接著，在貫通孔內(nèi)形成絕緣 膜35。進(jìn)而，在硅半導(dǎo)體基板10的第2主面上形成絕緣膜36。接著，如圖5所示，在絕緣膜36、35、23內(nèi)開孔而形成到達(dá)內(nèi)部電極32的貫通孔 41。進(jìn)而，如圖2所示，在貫通孔41的側(cè)面上以及底面上、以及基板10的第2主面上，形成 貫通電極37。由此，內(nèi)部電極32和貫通電極37電連接。其后，形成阻焊層38以及焊錫球 18。若采用以上說明那樣的第1實(shí)施方式，由于在貫通電極和硅半導(dǎo)體基板之間，形 成膜厚厚的絕緣膜，因此能夠降低貫通電極和硅半導(dǎo)體基板間的電容。由此，能夠減小貫通 電極的時間常數(shù)，且能夠顯著降低由外部端子供給的電源電壓的劣化，或者反而降低從半 導(dǎo)體基板側(cè)產(chǎn)生的電源噪音所造成的影響。由此，能夠提供可靠性高的固體攝像器件。(第2實(shí)施方式)對本發(fā)明的第2實(shí)施方式的攝像模塊進(jìn)行說明。在第2實(shí)施方式中，以包圍貫通 電極37的外周的方式，在硅半導(dǎo)體基板10上形成與接地電位連接的半導(dǎo)體區(qū)域。圖6是示出第2實(shí)施方式的攝像模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖7是從焊盤開口部側(cè)看 圖6中的周邊電路部的圖，是示出接地區(qū)域(半導(dǎo)體區(qū)域)42、內(nèi)部電極32、以及貫通電極 37的布局的俯視圖。攝像模塊的攝像像素部與第1實(shí)施方式相同。以下，說明周邊電路部的構(gòu)造。如圖6所示，在硅半導(dǎo)體基板10的第1主面上形成層間絕緣膜23，在層間絕緣膜23上形成內(nèi)部電極(第1電極)32。從硅半導(dǎo)體基板10的第2主面經(jīng)過第1主面到達(dá)層 間絕緣膜23開孔而形成貫通孔。在貫通孔的側(cè)面上、以及硅半導(dǎo)體基板10的第2主面上 形成絕緣膜45。進(jìn)而，在貫通孔的內(nèi)面上(絕緣膜45上以及內(nèi)部電極32的貫通孔側(cè)的面上)、以 及第2主面的絕緣膜45上，形成貫通電極(導(dǎo)電體層)37。內(nèi)部電極32與攝像元件21或 者在周邊電路部上所形成的周邊電路(未圖示)電連接。另外，在硅半導(dǎo)體基板10的第1主面上，以包圍貫通電極37的外周的方式，形成 接地區(qū)域42。接地區(qū)域42由雜質(zhì)濃度高的擴(kuò)散層組成，配置在貫通電極37的附近，例如距 離貫通電極37的幾μ m 幾十μ m的位置。在圖7中示出以包圍貫通電極37的整個外周 的方式形成接地區(qū)域42的例子，但也能夠以只包圍貫通電極37的外周的一部分的方式來 形成接地區(qū)域42。進(jìn)而，在接地區(qū)域42上的層間絕緣膜23、24內(nèi)，形成與接地區(qū)域42連接的布線 43、接觸插頭44。在接地區(qū)域42上，供給著接地電位等基準(zhǔn)電位。因此，接地區(qū)域42通過 例如布線43以及接觸插頭44，與具有接地電位的焊錫球18連接。 在不具有接地區(qū)域42的以往構(gòu)造中，貫通電極37周邊的硅半導(dǎo)體基板具有高的 接地電阻，即以高電阻接地，在第2實(shí)施方式中，貫通電極37周邊的硅半導(dǎo)體基板具有低的 接地電阻，電位穩(wěn)定。由此，與第1實(shí)施方式相同，能夠防止從焊錫球18供給的電源的劣化，進(jìn)而能夠降 低從硅半導(dǎo)體基板10側(cè)產(chǎn)生的電源噪音所造成的影響。由此，能夠?qū)⑺Ｍ牧己玫碾娫?電壓供給到攝像元件21以及周邊電路上。若采用以上說明那樣的第2實(shí)施方式，由于降低了貫通電極的周邊的接地電阻， 因此減小了貫通電極的時間常數(shù)，且能夠顯著降低由外部端子供給的電源電壓的劣化，或 者反過來降低從半導(dǎo)體基板側(cè)產(chǎn)生的電源噪音所造成的影響。由此，能夠提供可靠性高的 固體攝像器件。(第3實(shí)施方式)對本發(fā)明的第3實(shí)施方式的攝像模塊進(jìn)行說明。第3實(shí)施方式是將第1實(shí)施方式 以及第2實(shí)施方式的特征部組合而成。在第3實(shí)施方式中，在貫通電極37和硅半導(dǎo)體基板 10之間，形成膜厚厚的絕緣膜，而且以包圍貫通電極37的方式，形成與接地電位連接的接 地區(qū)域42。圖8是示出第3實(shí)施方式的攝像模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖9是從焊盤開口部側(cè)看 圖8中的周邊電路部的圖，是示出接地區(qū)域42、絕緣膜35、內(nèi)部電極32、以及貫通電極37的 布局的俯視圖。如圖所示，在貫通電極37和硅半導(dǎo)體基板10之間，形成膜厚厚的絕緣膜35。進(jìn) 而，在硅半導(dǎo)體基板10的第1主面，以包圍貫通電極37的方式，形成與接地電位連接的接 地區(qū)域42。其他結(jié)構(gòu)與第1以及第2實(shí)施方式相同。若采用第3實(shí)施方式，具有比第1以及第2實(shí)施方式還大的效果，相比第1以及第 2實(shí)施方式能夠進(jìn)一步提供可靠性高的固體攝像器件。本發(fā)明的實(shí)施方式提供固體攝像器件，能夠減少從具有貫通電極的半導(dǎo)體基板的 電極供給的電源的劣化、或者降低從半導(dǎo)體基板側(cè)產(chǎn)生的電源噪音所造成的影響。
另外，上述各實(shí)施方式，不僅能夠單獨(dú)實(shí)施，而且可以適當(dāng)?shù)亟M合來實(shí)施。進(jìn)而，在 上述各實(shí)施方式中包含有各種階段的發(fā)明，通過適當(dāng)?shù)亟M合在各實(shí)施方式中揭示了的多個 構(gòu)成要件，也可以將各種階段的發(fā)明提取出來。對于相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地發(fā)現(xiàn)其額 外的優(yōu)點(diǎn)，并進(jìn)行修改，因此，本發(fā) 明在廣義上并不僅限于在此所述的具體情況和實(shí)施方式。因此，依照上述內(nèi)容進(jìn)行的各種 修改都不脫離本主旨或者在附屬的權(quán)力要求所定義的發(fā)明范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種固體攝像器件，其特征在于，包括攝像元件，形成在半導(dǎo)體基板的第1主面上；外部端子，形成于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1主面相對的第2主面上；絕緣膜，形成于開孔在上述半導(dǎo)體基板中的貫通孔內(nèi)；貫通電極，形成在上述貫通孔內(nèi)的上述絕緣膜上，與上述外部端子電連接；以及第1電極，形成于上述半導(dǎo)體基板的上述第1主面的上述貫通電極上；從與上述半導(dǎo)體基板的第1主面垂直的方向看時，上述絕緣膜和上述半導(dǎo)體基板相連接的外形比上述第1電極的外形大。
2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于，還包括半導(dǎo)體區(qū)域，以包圍上述貫通電極的外周的至少一部分的方式，形成于上述半導(dǎo)體基 板；以及布線，形成在上述半導(dǎo)體區(qū)域上，與上述半導(dǎo)體區(qū)域電連接； 經(jīng)由上述布線而向上述半導(dǎo)體區(qū)域供給接地電位。
3.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于，還包括層間絕緣膜，形成在上述第1電極上及上述半導(dǎo)體基板的上述第1主面上； 第2電極，形成在上述層間絕緣膜上；鈍化膜，形成在上述第2電極上及上述層間絕緣膜上，具有露出了上述第2電極的一部 分的開口部；以及接觸插頭，連接形成在上述第2電極和上述第1電極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于，還包括 彩色濾光片，與上述攝像元件對應(yīng)地配置在上述攝像元件上；以及 微透鏡，配置在上述彩色濾光片上。
5.一種固體攝像器件，其特征在于，包括 攝像元件，形成在半導(dǎo)體基板的第1主面上；外部端子，形成于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1主面相對的第2主面上； 貫通電極，形成于開孔在上述半導(dǎo)體基板中的貫通孔內(nèi)，與上述外部端子電連接； 第1電極，形成于上述半導(dǎo)體基板的上述第1主面的上述貫通電極上； 半導(dǎo)體區(qū)域，以包圍上述貫通電極的外周的至少一部分的方式，形成于上述半導(dǎo)體基 板；以及布線，形成在上述半導(dǎo)體區(qū)域上，與上述半導(dǎo)體區(qū)域電連接； 經(jīng)由上述布線而向上述半導(dǎo)體區(qū)域供給接地電位。
6.如權(quán)利要求5所述的固體攝像器件，其特征在于，還包括層間絕緣膜，形成在上述第1電極上及上述半導(dǎo)體基板的上述第1主面上； 第2電極，形成在上述層間絕緣膜上；鈍化膜，形成在上述第2電極上及上述層間絕緣膜上，具有露出了上述第2電極的一部 分的開口部；以及接觸插頭，連接形成在上述第2電極和上述第1電極之間。
7.如權(quán)利要求5所述的固體攝像器件，其特征在于，還包括 彩色濾光片，與上述攝像元件對應(yīng)地配置在上述攝像元件上；以及微透鏡，配置在上述彩色濾光片上。
8.一種攝像模塊，其特征在于，包括 固體攝像器件；透光性基板，配置在上述固體攝像器件上； 紅外線截止濾光片，配置在上述透光性基板上；以及 攝像透鏡，配置在上述紅外線截止濾光片上； 其中，上述固體攝像器件具有 攝像元件，形成在半導(dǎo)體基板的第1主面上；外部端子，形成于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1主面相對的第2主面上； 絕緣膜，形成在貫通孔內(nèi)，上述貫通孔開孔在上述半導(dǎo)體基板； 貫通電極，形成在上述貫通孔內(nèi)的上述絕緣膜上，與上述外部端子電連接；以及 第1電極，形成于上述半導(dǎo)體基板的上述第1主面的上述貫通電極上； 從與上述半導(dǎo)體基板的第1主面垂直的方向看時，上述絕緣膜和上述半導(dǎo)體基板相連 接的外形比上述第1電極的外形大。
9.如權(quán)利要求8所述的攝像模塊，其特征在于， 上述固體攝像器件還包括 半導(dǎo)體區(qū)域，以包圍上述貫通電極的外周的至少一部分的方式，形成于上述半導(dǎo)體基 板；以及布線，形成在上述半導(dǎo)體區(qū)域上，與上述半導(dǎo)體區(qū)域電連接； 經(jīng)由上述布線而向上述半導(dǎo)體區(qū)域供給接地電位。
10.如權(quán)利要求8所述的攝像模塊，其特征在于， 上述固體攝像器件還包括層間絕緣膜，形成在上述第1電極上及上述半導(dǎo)體基板的上述第1主面上； 第2電極，形成在上述層間絕緣膜上；鈍化膜，形成在上述第2電極上及上述層間絕緣膜上，具有露出了上述第2電極的一部 分的開口部；以及接觸插頭，連接形成在上述第2電極和上述第1電極之間。
11.如權(quán)利要求8所述的攝像模塊，其特征在于， 上述固體攝像器件還包括彩色濾光片，與上述攝像元件對應(yīng)地配置在上述攝像元件上；以及 微透鏡，配置在上述彩色濾光片上。
全文摘要
固體攝像器件包括攝像元件、外部端子、絕緣膜、貫通電極、以及第1電極。攝像元件，形成在半導(dǎo)體基板的第1主面上。外部端子，形成于上述半導(dǎo)體基板的與上述第1主面相對的第2主面上。絕緣膜，形成于開孔在上述半導(dǎo)體基板中的貫通孔內(nèi)。貫通電極，形成在上述貫通孔內(nèi)的上述絕緣膜上，與上述外部端子電連接。第1電極，形成于上述半導(dǎo)體基板的上述第1主面的上述貫通電極上。從與上述半導(dǎo)體基板的第1主面垂直的方向看時，上述絕緣膜和上述半導(dǎo)體基板相連接的外形比上述第1電極的外形大。
文檔編號H01L23/485GK101866897SQ20101012748
公開日2010年10月20日 申請日期2010年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月16日
發(fā)明者井上郁子, 萩原健一郎 申請人:株式會社東芝