專利名稱：晶片固持系統(tǒng)、系統(tǒng)及配合晶片載具使用的晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種集成電路，且特別是關(guān)于一種集成電路制造系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
集成電路的發(fā)展已對(duì)現(xiàn)代生活的近乎各種層面產(chǎn)生影響，集成電路的應(yīng)用使得諸 如計(jì)算機(jī)、影像設(shè)備、聲頻設(shè)備、汽車(chē)、電器用品以及類似設(shè)備變得更加可靠，而且同時(shí)滿足 了較低廉的價(jià)格，讓集成電路具有吸引力。
集成電路的制品包含在基板上的集成電路結(jié)構(gòu)，前述基板僅是一晶片的其中一部 分，隨后可切割成單獨(dú)的晶粒。隨著制程技術(shù)的發(fā)展，晶片的尺寸逐漸變大、厚度也逐漸變 薄，由于制造現(xiàn)今所需的晶片尺寸與厚度的繁復(fù)制程技術(shù)，在處理晶片時(shí)若要不對(duì)其造成 傷害或不導(dǎo)致額外的耗損將變得更加困難。圖Ia是繪示以往用以處理大尺寸且厚度薄的晶片的系統(tǒng)100等角視圖。此系統(tǒng) 100包含一晶片105，晶片105可使用粘著劑115以附著于晶片載具110上。如圖Ia所示， 粘著劑115可與晶片105的形狀相同或制成線性帶的形式，例如制成一般粘著帶條的形式。 粘著劑115可涂在晶片載具110上，隨后，晶片105可置放在粘著劑115與晶片載具110之 上。在另一實(shí)施例中，粘著劑115亦可涂在晶片105上，然后，晶片105可置放在晶片載具 110上。在又一實(shí)施例中，粘著劑115可旋轉(zhuǎn)涂布于晶片載具110上，之后，在使粘著劑115 干燥與固化后，再將晶片105置放在晶片載具110上。圖Ib是繪示系統(tǒng)100的側(cè)視圖。粘著劑115具有足夠的粘著性為佳，此特性可使晶片105在制程中穩(wěn)固地固定在 晶片載具110上。此外，無(wú)論制程所需溫度的高低，均能維持粘著性也是需求的特性之一。 然而，粘著劑115的粘著性若太好，一旦完成制程將導(dǎo)致晶片105難以由晶片載具110上移 除。再者，一旦移除晶片105，粘著劑115所留下的殘余物將需要額外的清除步驟。并且，移 除晶片105的步驟應(yīng)該要相對(duì)地簡(jiǎn)單且不易損壞晶片105，但是目前為止，現(xiàn)存的粘著帶條 或粘著材料均無(wú)法滿足上述需求。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，本發(fā)明提供一種晶片固持系統(tǒng)。此晶片固持系統(tǒng)包含一 晶片載具，用以固持一晶片(wafer)于指定位準(zhǔn)，以及一位于晶片與晶片載具頂端面之上 的頂環(huán)。晶片載具具有一準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)以固持晶片于指定位準(zhǔn)，而頂環(huán)用以固持晶片與晶片載 具，使晶片與晶片載具成為單一組件。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，本發(fā)明提供一種系統(tǒng)。此系統(tǒng)包含基座單元以及一環(huán) 狀物，此基座單元是由一具有與置放在基座單元頂端面上的晶片的熱膨脹系數(shù)實(shí)質(zhì)上相同 的第一材料所形成，而此環(huán)狀物具有一圓柱形凸緣，且至少部分圓柱形凸緣向下延伸至基 座單元以符合晶片與基座單元的尺寸。此外，環(huán)狀物另具有一唇形凸緣環(huán)繞著環(huán)狀物的頂 端面而形成，以防止基座單元延伸至較指定位準(zhǔn)更加深入環(huán)狀物。前述基座單元具有一準(zhǔn) 位結(jié)構(gòu)以維持晶片的指定位準(zhǔn)，而前述環(huán)狀物系由一具有與該晶片的熱膨脹系數(shù)約相同的第二材料所形成。根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，本發(fā)明提供一種配合晶片載具使用的晶片，其中晶片 載具具有一準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)以固持晶片于指定位準(zhǔn)。此晶片包含一圓形盤(pán)，此圓形盤(pán)具有多個(gè)形 成于晶片圓周附近的環(huán)狀環(huán)之內(nèi)的準(zhǔn)位開(kāi)口，當(dāng)晶片置放在晶片載具上以固持晶片于一位 準(zhǔn)時(shí)，多個(gè)準(zhǔn)位柱的至少其中一部分會(huì)穿過(guò)此些準(zhǔn)位開(kāi)口。其中每一準(zhǔn)位開(kāi)口均略大于準(zhǔn) 位柱，且此些準(zhǔn)位開(kāi)口的數(shù)目至少與此些準(zhǔn)位柱的數(shù)目相同。本發(fā)明一實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于無(wú)需使用粘著劑將晶片固定在晶片載具上，由于無(wú)需 使用粘著劑，在完成制程之后不再需要移除粘著劑殘余物的步驟。此外，亦無(wú)需擔(dān)心粘著劑 于提高制程溫度時(shí)會(huì)損壞。本發(fā)明一實(shí)施例的另一優(yōu)點(diǎn)為由于無(wú)需使用粘著劑，故可節(jié)省制造成本。再者，由 于無(wú)需使用粘著劑，因此不再需要額外的制造步驟，如涂粘著劑與移除粘著劑。本發(fā)明一實(shí)施例的再一優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明的各實(shí)施例中的固持結(jié)構(gòu)均可重復(fù)使用， 以減少成本與耗費(fèi)。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說(shuō) 明如下圖Ia是繪示依照先前技術(shù)的一種用以處理大尺寸且厚度薄的晶片系統(tǒng)的等角視 圖；圖Ib是繪示依照先前技術(shù)的一種用以處理大尺寸且厚度薄的晶片系統(tǒng)的側(cè)視 圖；圖2a是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)的等角視圖；圖2b是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)的側(cè)視圖；圖2c是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種經(jīng)組裝為單一組件的晶片固持系統(tǒng)的等 角視圖；圖2d是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種經(jīng)組裝為單一組件的晶片固持系統(tǒng)的側(cè) 視剖面圖；圖3a是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)的等角視圖；圖3b是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)的等角視圖；圖3c是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)的側(cè)視剖面圖；圖3d是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片載具的等角視圖；圖3e是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片與晶片載具的等角視圖；圖3f是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片與晶片載具的俯視圖；圖3g是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)的側(cè)視剖面圖；圖3h是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)的側(cè)視剖面圖；圖3i是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)的側(cè)視剖面圖；圖4a至41是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種使用頂部置晶技術(shù)的集成電路制程；圖5a是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種集成電路制程的流程圖5b是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持單元內(nèi)的晶片定位流程圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明200:晶片固持系統(tǒng)224:唇形凸緣205:晶片305 準(zhǔn)位柱210:晶片載具310 準(zhǔn)位柱212:準(zhǔn)位柱315:凹口214 孔洞320 準(zhǔn)位柱216 真空洞330 凹痕220 頂環(huán)405 真空臺(tái)222:圓柱形凸緣410 晶粒415 壓錘435 鋸子420:真空臺(tái)440 晶粒425 鑄模500 545 步驟430 切割膠帶550 570 步驟
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例將敘述具體的背景技術(shù)，也就是采用用頂部置晶技術(shù)所制造的集 成電路。然而，只要制程中需維持用以制造集成電路的晶片的位準(zhǔn)時(shí)，本發(fā)明亦可應(yīng)用于使 用其它制程技術(shù)所制造的集成電路之中。圖2a是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種用以固定一晶片205以供制造的晶片固 持系統(tǒng)200的等角視圖。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，當(dāng)于晶片205上制造集成電路時(shí)，晶片205 可置放在一晶片載具210上，以使晶片205的處理能夠簡(jiǎn)單且安全。為使晶片205于晶片載具210上的位準(zhǔn)更加精確，晶片載具210可具有多個(gè)準(zhǔn)位 柱(如準(zhǔn)位柱212)。晶片205可包含多個(gè)孔洞(如孔洞214)，可使準(zhǔn)位柱穿過(guò)且可使 準(zhǔn)位柱固持晶片205在與晶片載具210相應(yīng)的位準(zhǔn)上。前述在晶片205內(nèi)的孔洞可使用鉆 孔、刻凹痕、蝕刻以及諸如此類的方法形成。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，晶片載具210包含至少 兩個(gè)準(zhǔn)位柱，一般而言，若得以除去供準(zhǔn)位柱利用的空間的因素，準(zhǔn)位柱于晶片載具210上 的數(shù)量可無(wú)限制。然而，過(guò)多的準(zhǔn)位柱將導(dǎo)致制造上的困難，且若晶片載具210包含大量的 準(zhǔn)位柱將使晶片205難以對(duì)準(zhǔn)晶片載具210。此外，過(guò)多穿透晶片205所形成的孔洞可能使 晶片205變脆弱。雖然在此揭露的準(zhǔn)位柱為圓柱形，但準(zhǔn)位柱可具有其它剖面形狀包含三 角形、正方形、五角形、六角形、橢圓形以及諸如此類的形狀，準(zhǔn)位柱的形狀可能會(huì)影響晶片 205內(nèi)的孔洞設(shè)計(jì)。此外，準(zhǔn)位柱可沿著晶片載具210的外圓周部配置，致使晶片205內(nèi)的孔洞可位于晶片205的排除區(qū)內(nèi)，如上所述可減少此些孔洞對(duì)晶片205表面上可用區(qū)域的影響。晶片 載具210上的每一個(gè)準(zhǔn)位柱皆于晶片205上有一對(duì)應(yīng)的孔洞為佳，然而，晶片205上孔洞的 數(shù)量亦可較晶片載具210上準(zhǔn)位柱的數(shù)量為多。提供較準(zhǔn)位柱數(shù)量為多的孔洞，可使晶片 205能夠符合不同的晶片載具210以提高使用的靈活性，舉例而言，當(dāng)一晶片205具有6個(gè) 孔洞時(shí)，可符合具有2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)、5個(gè)或6個(gè)準(zhǔn)位柱的晶片載具210。晶片載具210亦可包含多個(gè)穿透其表面所形成的真空洞(如真空洞216)，這些真空洞可于晶片205和一制造基臺(tái)之間產(chǎn)生真空，以使晶片205 (與晶片固持系統(tǒng)200)在 制造過(guò)程中牢固地固定在適當(dāng)位置。一般而言，現(xiàn)行集成電路的主要尺寸大小已進(jìn)入納米 等級(jí)，任何晶片固持系統(tǒng)200的移動(dòng)或滑動(dòng)將會(huì)導(dǎo)致形成于晶片205上的集成電路無(wú)法挽 回的損壞。因此，在制造過(guò)程中需要將晶片205與晶片固持系統(tǒng)200盡量穩(wěn)固地固定住。晶片固持系統(tǒng)200尚可包含一頂環(huán)220，此頂環(huán)位于晶片205與該晶片載具210之上。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，頂環(huán)220包含一圓柱形凸緣222，此圓柱形凸緣222可緊密?chē)@ 并符合晶片205與晶片載具210的大小，以確保一旦頂環(huán)220就定位后晶片205即不會(huì)再 移動(dòng)。頂環(huán)220亦包含一唇形凸緣224形成于頂環(huán)220的頂端外緣周?chē)苑乐鬼敪h(huán)220 向下滑動(dòng)超過(guò)與晶片205以及晶片載具210的預(yù)定位置。頂環(huán)220可通過(guò)摩擦力或其它物 理固著方法(如銷、閂、螺絲、膠狀表面以及諸如此類的固著方式)與晶片載具210固著。晶片載具210與頂環(huán)220是以具有與該晶片205的熱膨脹系數(shù)相同或?qū)嵸|(zhì)上相同 的材料所形成，相同的熱膨脹系數(shù)可使晶片205、晶片載具210與頂環(huán)220于溫度改變時(shí)一 致相應(yīng)地膨脹與縮小。若使用具有實(shí)質(zhì)上不同的熱膨脹系數(shù)的材料，將會(huì)在晶片205上產(chǎn) 生非必要的應(yīng)力，此非必要的應(yīng)力可導(dǎo)致晶片205扭曲、彎曲、破裂或損壞。圖2b是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種如圖2a所示的晶片固持系統(tǒng)200的側(cè)視 圖。如圖2b所示，晶片205、晶片載具210與頂環(huán)220的尺寸大小可能與實(shí)際的尺寸大小不 同，在此僅用以簡(jiǎn)化說(shuō)明。同樣地在圖2b中所顯示的虛線為晶片205的隱藏特征(如孔 洞214)以及頂環(huán)220的隱藏特征(如頂環(huán)220的內(nèi)側(cè)面)，圓柱形凸緣222與唇形凸緣 224亦在此顯示。為維持簡(jiǎn)明，位于晶片載具210內(nèi)的真空洞并未顯示。圖2c是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)200的等角視圖，其中晶片 固持系統(tǒng)200內(nèi)的組件(晶片205、晶片載具210與頂環(huán)220)已組裝為單一組件。如圖2c 所示，晶片載具210已封入頂環(huán)220內(nèi)，因此無(wú)法顯示。在本發(fā)明另一實(shí)施例中，頂環(huán)220 并未完全封住晶片載具210，因此可顯示部分晶片載具210。圖2d是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)200的側(cè)視圖，其中晶片固 持系統(tǒng)200已沿著如圖2c所示的A-A’線切開(kāi)。如圖2d所示，晶片載具210的準(zhǔn)位柱符合 晶片205內(nèi)的孔洞，且晶片205與晶片載具210均符合頂環(huán)220的內(nèi)部空間。雖然圖示中 準(zhǔn)位柱恰延伸至晶片205的頂端面，但是準(zhǔn)位柱尚可延伸超出晶片205或延伸的長(zhǎng)度未及 晶片205的厚度。圖3a是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)200的等角視圖。圖3a繪 示另一晶片載具210的實(shí)施例，其中晶片載具210不具有真空洞。在晶片載具210具有適 當(dāng)數(shù)目的準(zhǔn)位柱的情況下，如果晶片205內(nèi)的孔洞制造得足夠精確，一旦晶片載具210、晶 片205與頂環(huán)220組裝為單一組件，準(zhǔn)位柱與孔洞的組合將足以防止晶片205的移動(dòng)。圖3b是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)200的等角視圖。圖3b繪 示又一晶片載具210的實(shí)施例，其中晶片載具210不具有準(zhǔn)位柱。由于晶片載具210不具 有準(zhǔn)位柱，是以晶片205可不包含孔洞。晶片載具210內(nèi)的真空洞和頂環(huán)220的聯(lián)合應(yīng)用， 將足以防止晶片205的移動(dòng)以及維持適當(dāng)?shù)奈粶?zhǔn)。若晶片載具210不具有準(zhǔn)位柱，則晶片 載具210可具有對(duì)應(yīng)晶片205尺寸大小的凹痕于其表面，舉例而言，如果晶片205是一 6時(shí) 晶片，則晶片載具210可具有一預(yù)定固持6時(shí)晶片的凹痕于其表面。圖3c是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)200的側(cè)視圖，其中晶片固持系統(tǒng)200已沿著其中間線切開(kāi)。如圖3c所示，準(zhǔn)位柱(如準(zhǔn)位柱305)延伸穿過(guò)整個(gè)晶 片205且進(jìn)入頂環(huán)220的孔洞。雖然圖示中準(zhǔn)位柱延伸至頂環(huán)220高度的最高點(diǎn)，但是準(zhǔn) 位柱尚可僅延伸進(jìn)入頂環(huán)220或延伸超出頂環(huán)220。延伸進(jìn)入頂環(huán)220的準(zhǔn)位柱可幫助維 持晶片固持系統(tǒng)200的完整，使晶片固持系統(tǒng)200在制造過(guò)程中可如單一組件般四處移動(dòng)。圖3d是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片載具210的等角視圖，如圖所示晶片 載具210具有3個(gè)準(zhǔn)位柱(如準(zhǔn)位柱310)。如前所述，晶片載具210可具有任意數(shù)量的 準(zhǔn)位柱，但準(zhǔn)位柱的數(shù)量以2個(gè)和6個(gè)之間的數(shù)量為佳。圖3e是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)200的等角視圖。如圖3e 所示，晶片固持系統(tǒng)200包含晶片載具210與晶片205，其中揭露于其它實(shí)施例的頂環(huán)220 未于本實(shí)施例的晶片固持系統(tǒng)200之中使用。晶片205與晶片載具210之間精確的吻合可 排除使用頂環(huán)220的需求。位于晶片載具210上的準(zhǔn)位柱可包含閂鎖系統(tǒng)，以協(xié)助確保晶 片205不會(huì)由晶片載具210上分離。圖3f是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片205與晶片載具210的俯視圖。如圖 3f所示，晶片205不具有可使準(zhǔn)位柱穿過(guò)的孔洞，而是具有沿著其外緣形成的凹口(如凹 口 315)，此沿著晶片205外緣形成的凹口可對(duì)準(zhǔn)晶片載具210的準(zhǔn)位柱(如準(zhǔn)位柱320)。 通過(guò)使用凹口而非孔洞，將可減少晶片205表面上不可利用的區(qū)域。雖然在此揭露的凹口 為圓形，但凹口可具有其它剖面形狀(如橢圓形、正方形、V形、六角形以及諸如此類的形 狀)，只要凹口的形狀事先與準(zhǔn)位柱的剖面形狀對(duì)應(yīng)好即可。
圖3g是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)200的側(cè)視剖面圖。如圖 3g所示，晶片固持系統(tǒng)200包含晶片載具210與晶片205，其中晶片載具210包含一在其頂 端面的凹痕330，凹痕330可用以固持晶片205。此凹痕330可約相等或略大于晶片205的 直徑，以協(xié)助確保維持晶片205的位準(zhǔn)，此外，凹痕330可具有一約相等或大于晶片205厚 度的深度。在本發(fā)明另一實(shí)施例中，凹痕330的深度可小于晶片205的厚度，但其深度需要 足以適當(dāng)?shù)毓坛志?05。雖然圖中未揭漏真空洞，惟一旦晶片205置放在凹痕330內(nèi)時(shí)， 晶片載具210可具有或可不具有真空洞以固持晶片205。圖3h是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持系統(tǒng)200的側(cè)視剖面圖，其中晶 片205置放在晶片載具210的凹痕330中，此凹痕330的邊墻可具有一傾斜度，以協(xié)助確保 晶片205可定位于晶片載具210的中心。圖3i是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固 持系統(tǒng)200的側(cè)視剖面圖，其中晶片固持系統(tǒng)200包含一頂環(huán)220以協(xié)助固持晶片205于 凹痕330中。圖4a至41是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種采用頂部置晶技術(shù)的集成電路制 程。如圖4a所示，晶片205置放在晶片載具210上，之后頂環(huán)220置放在晶片205以及晶 片載具210之上，以使晶片固持系統(tǒng)200變?yōu)槿鐖D4b所示的單一組件。隨后，在圖4c是揭 示晶片固持系統(tǒng)200可置放在一可產(chǎn)生真空狀態(tài)的真空臺(tái)405上，從而致使晶片固持系統(tǒng) 200附著于真空臺(tái)405。由于晶片固持系統(tǒng)200穩(wěn)固地置放在真空臺(tái)405上，含集成電路的晶粒(如可附 著在晶片205的晶粒410)可能已具有集成電路形成于其表面上。一壓錘415可用以置放 晶粒于晶片205的表面上，一旦完成置放晶粒的步驟，可停止于真空臺(tái)405上產(chǎn)生真空的動(dòng) 作，隨后可移除晶片固持系統(tǒng)200 (如圖4d所示)。
圖4e是依照本發(fā)明一實(shí)施例繪示一種置放于另一真空臺(tái)(鑄模真空臺(tái)420)，其中頂環(huán)200可由晶片固持系統(tǒng)200中移除，留下具有晶粒410的晶片205以及晶片載具210。 在鑄模真空臺(tái)420上，一晶片鑄模可鋪在晶片205上。圖4f是依照本發(fā)明一實(shí)施例繪示一 種晶片205，此晶片205具有鑄模425鋪在其表面上；圖4g是依照本發(fā)明一實(shí)施例繪示一 種不具鑄模425的晶片205。無(wú)論有無(wú)鑄模，均可鋪切割膠帶430于晶片205的表面上(如圖4h與圖4i所示)， 由于切割膠帶430的鋪設(shè)，晶片載具210可由晶片205上移除，僅留下附著于切割膠帶430 的晶片205。圖4j是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例一種具有切割膠帶430附著于表面上的晶片 205的仰視圖。隨后，可通過(guò)一鋸子435(如圖4k所示)自晶片205中切割出單獨(dú)的晶粒， 切割膠帶430在進(jìn)行切割步驟時(shí)，可協(xié)助將晶片205維持在一起。最后，圖41是依照本發(fā) 明一實(shí)施例繪示一種經(jīng)切割為多個(gè)單獨(dú)晶粒(如晶粒440)的晶片205，此晶?？蛇M(jìn)行進(jìn) 一步的制程，如封裝制程以及諸如此類制程。雖然圖4a至41繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種采用頂部置晶技術(shù)的集成電路制 程，但晶片固持系統(tǒng)200可使用于采用各種技術(shù)的集成電路制程，包含具有多晶?；虿痪?有多晶粒的制程。因此，前述的頂部置晶技術(shù)不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明一實(shí)施例無(wú)論在范圍或精 神上的限縮。圖5a是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種集成電路的制造流程圖500。集成電路的 制程500可從置放一晶片(如晶片205)于晶片固持單元(步驟505)起始。此晶片可置 放于一通過(guò)準(zhǔn)位柱、頂環(huán)(如頂環(huán)220)或其組合以保持其位準(zhǔn)的晶片載體(如晶片載體 210)上。圖5b是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種晶片固持單元內(nèi)的晶片定位流程圖550。 晶片固持單元的定位流程550可由將晶片的孔洞對(duì)準(zhǔn)晶片載具的準(zhǔn)位柱起始(步驟555)。 隨后，由于孔洞已對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)位柱，故晶片可置放于晶片載具上(步驟560)，若晶片載具不具有 準(zhǔn)位柱，則僅需將晶片對(duì)準(zhǔn)晶片載具。舉例而言，晶片可定位于晶片載具的中心。然后，由于晶片已置放在晶片載具上，接著可將一頂環(huán)對(duì)準(zhǔn)晶片與晶片載具(步 驟565)。若準(zhǔn)位柱亦需要對(duì)準(zhǔn)頂環(huán)，則在將頂環(huán)置放于晶片與晶片載具上(步驟570)之 前，須先行將準(zhǔn)位柱對(duì)準(zhǔn)頂環(huán)上的孔洞。請(qǐng)回頭參閱圖5a，當(dāng)晶片適當(dāng)?shù)闹梅庞诰坛謫卧?，在晶片上的集成電路?程便可開(kāi)始(步驟510)。在晶片上的集成電路制程可包含典型的光微影術(shù)、浸沒(méi)式微影術(shù) 以及其它可在晶片上制造集成電路的技術(shù)。接著，可執(zhí)行一檢查步驟以判斷制程是否完成(步驟515)，若制程尚未完成，則可 跳回步驟510以重新開(kāi)始在晶片上的集成電路制程。在每一制程步驟后均執(zhí)行檢查步驟為 佳。另外，檢查步驟可在晶片固持單元執(zhí)行不需移除、對(duì)準(zhǔn)與類似動(dòng)作的系列制程之后才執(zhí) 行。如果制程已完成，則晶片可由晶片固持單元中移除(步驟520)。由晶片固持單元中移除晶片的步驟可包含移除頂環(huán)、由晶片載具中移除晶片或其 組合。在自晶片固持單元中移除晶片后，晶片上的集成電路便可完成(步驟525)。完成集 成電路的步驟可包含切割成單獨(dú)晶粒、封裝晶粒以及類似步驟，隨后，集成電路的制程便可 完成。根據(jù)在晶片上制造集成電路的制造流程，可能需要由晶片固持單元中移除晶片。舉例而言，制造流程可包含使用與晶片載具或頂環(huán)不兼容的材料，制造流程的步驟可能包 含使用由于尺寸緣故而無(wú)法處理晶片固持單元的機(jī)構(gòu)以及類似的問(wèn)題。既然由晶片固持單 元中移除晶片的步驟需取決于制造流程，從而此步驟具有選擇性。因此，可執(zhí)行一選用檢查步驟，以判斷是否需要由晶片固持單元中移除晶片(步 驟530)，若不需要由晶片固持單元中移除晶片，則執(zhí)行一檢查步驟，以判斷制程是否完成 (步驟515)；若需要由晶片固持單元中移除晶片，則晶片可由晶片固持單元中移除(步驟 535)，且可接續(xù)于晶片上的集成電路制程(步驟540)，若有需要即可接續(xù)于晶片上的集成 電路制程。然后，可執(zhí)行另一檢查步驟以判斷是否需要另一制程步驟(步驟545) ，若需要另 一制程步驟，則可將晶片置放回晶片固持單元(步驟505)，且可接續(xù)于晶片上的集成電路 制程；若不需要另一制程步驟，則晶片上的集成電路將可完成(步驟525)。完成集成電路 的步驟可包含切割成單獨(dú)晶粒、封裝晶粒以及類似步驟，隨后，集成電路的制程將可完成。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)的 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種晶片固持系統(tǒng)，其特征在于，包含一晶片載具，用以固持一晶片于指定位準(zhǔn)，該晶片載具具有一準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)以固持該晶片于指定位準(zhǔn)；以及一頂環(huán)，位于該晶片與該晶片載具的頂端面之上，該頂環(huán)用以固持該晶片與該晶片載具，使該晶片與該晶片載具成為單一組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片固持系統(tǒng)，其特征在于，該準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)包含多個(gè)準(zhǔn)位柱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片固持系統(tǒng)，其特征在于，該晶片具有多個(gè)孔洞于該晶片 的表面，其中每一該些準(zhǔn)位柱對(duì)應(yīng)至少有一個(gè)孔洞。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片固持系統(tǒng)，其特征在于，該頂環(huán)具有多個(gè)孔洞于該頂環(huán) 的表面，其中每一該些準(zhǔn)位柱對(duì)應(yīng)至少有一個(gè)孔洞。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片固持系統(tǒng)，其特征在于，該準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)包含多個(gè)真空洞，該些真空洞為穿透該晶片載具所形成的孔洞。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片固持系統(tǒng)，其特征在于，該準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)包含一凹痕，位于該晶片載體的頂端面，該凹痕用以固持該晶片，其中該凹痕的尺寸大小大 于或等于該晶片的尺寸大小。
7.一種系統(tǒng)，其特征在于，包含一基座單元，由一具有與置放在該基座單元頂端面上的晶片的熱膨脹系數(shù)實(shí)質(zhì)上相同 的第一材料所形成，該基座單元具有一準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)以維持該晶片的指定位準(zhǔn)；以及一環(huán)狀物，該環(huán)狀物具有一圓柱形凸緣，至少部分該圓柱型凸緣向下延伸至該基座單 元以符合該晶片與該基座單元的尺寸，且具有一唇形凸緣環(huán)繞著該環(huán)狀物的頂端面而形 成，以防止該基座單元延伸至較指定位準(zhǔn)更加深入該環(huán)狀物，該環(huán)狀物由一具有與該晶片 的熱膨脹系數(shù)約相同的第二材料所形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，該準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)包含多個(gè)準(zhǔn)位柱，形成于該基座單元外帶周?chē)囊画h(huán)狀環(huán)之內(nèi)，且每一該些準(zhǔn)位柱均由該 基座單元的頂端面垂直延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，該環(huán)狀物具有多個(gè)環(huán)形孔洞形成于該環(huán) 狀物的頂端面，且該些環(huán)形孔洞的數(shù)目至少與該準(zhǔn)位柱的數(shù)目相同。
10.一種配合晶片載具使用的晶片，其特征在于，該晶片載具具有一準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)以固持該 晶片于指定位準(zhǔn)，該晶片包含一圓形盤(pán)，該圓形盤(pán)具有多個(gè)形成于該晶片外圓周部的環(huán)狀環(huán)之內(nèi)的準(zhǔn)位開(kāi)口，其中 當(dāng)該晶片置放在該晶片載具上以固持該晶片于一位準(zhǔn)時(shí)，多個(gè)準(zhǔn)位柱的至少其中一部分穿 過(guò)該些準(zhǔn)位開(kāi)口，其中每一該些準(zhǔn)位開(kāi)口均略大于該準(zhǔn)位柱，且該些準(zhǔn)位開(kāi)口的數(shù)目至少 與該些準(zhǔn)位柱的數(shù)目相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片固持系統(tǒng)、系統(tǒng)及配合晶片載具使用的晶片，晶片固持系統(tǒng)包含用以固持晶片于指定位準(zhǔn)的晶片載具以及位于晶片與晶片載具頂端面之上的頂環(huán)。頂環(huán)用以固持晶片與晶片載具，使晶片與晶片載具成為單一組件，而前述晶片載具包含準(zhǔn)位結(jié)構(gòu)以固持晶片于指定位準(zhǔn)。
文檔編號(hào)H01L23/544GK101826482SQ20101012809
公開(kāi)日2010年9月8日 申請(qǐng)日期2010年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月6日
發(fā)明者李柏毅, 王宗鼎 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司