專利名稱：一種led多晶片集成封裝器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED多晶片集成封裝器件。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的LED多晶片集成封裝器件多采用多顆小晶片或者多顆大晶片串并聯(lián)集成； 基板多采用鋁基電路板；晶片與基板的粘結(jié)采用銀膠固定；鋁基電路板多采用挖圓槽的方式，中間填平黃色熒光膠來形成白光。針對目前絕大多數(shù)的LED集成封裝器件的封裝形式， 其LED器件存在著封裝熱阻偏大，可靠性降低，發(fā)光效率偏低，器件的二次散熱處理困難， 壽命降低等缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是解決現(xiàn)有LED多晶片集成封裝器件熱阻偏大，可靠性低，發(fā)光效率偏低，器件的二次散熱處理困難，壽命降低的問題。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種LED多晶片集成封裝器件，它包括基板和若干個晶片，其特征是它還包括硅片、熒光發(fā)層和光學(xué)硅膠透鏡，所述硅片底部鍍有鍍金層，若干個晶片串并聯(lián)焊接在硅片上形成串并聯(lián)電路，所述基板為紫銅板，基板上開設(shè)有方槽，方槽底部電鍍鎳銀，硅片位于方槽內(nèi)，硅片與方槽底部之間是合金焊片，使硅片固定在方槽內(nèi)； 熒光粉層填充并覆蓋硅片上且上表面形成凸面，硅膠透鏡呈半球形固定在基板上方覆蓋熒光粉層。采用上述技術(shù)方案，在銅基板與硅片之間放置超薄的合金焊片，利用共晶焊接技術(shù)進(jìn)行共晶焊接，有效降低封裝熱阻；硅膠透鏡可根據(jù)應(yīng)用用途的不同而改變形狀，其光源發(fā)光角度根據(jù)不同的應(yīng)用做適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，在亮度與均勻性方面得到很好的提升。減少焊接引線的數(shù)量，提升產(chǎn)品的焊接可靠性相對于絕大多數(shù)LED多晶片集成封裝器件，由于采用多晶片直接焊接在硅片上，其焊接引線數(shù)量可大大減少，避免因?yàn)樘摵付鴮?dǎo)致的焊接不良， 從而提升其焊接的可靠性。降低器件的封裝熱阻，提升產(chǎn)品的可靠性將晶片焊接在硅片上，由于硅片具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性，可有效導(dǎo)出熱量；方槽及硅膠透鏡有效提升取光效率，避免光的損失。有效提升光輸出，減少裝配成本，降低封裝成本，提升產(chǎn)品的使用壽命。本發(fā)明有益效果是可靠性大大增加，光效率得到了提高，使用壽命延長。


圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1、基板，2、合金焊片，3、硅片，4、熒光粉層，5、硅膠透鏡，6、晶片。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明一種LED多晶片集成封裝器件，如圖1所示，它包括基板1和若干個晶片6， 它還包括硅片3、熒光粉層4和光學(xué)硅膠透鏡5，所述硅片3底部鍍有鍍金層，若干個晶片6串并聯(lián)焊接在硅片3上形成串并聯(lián)電路，所述基板1為紫銅板，基板1上開設(shè)有方槽，方槽底部電鍍鎳銀，硅片3位于方槽內(nèi)，硅片3與方槽底部之間是合金焊片2，使硅片3固定在方槽內(nèi)；熒光粉層4填充并覆蓋硅片3上且上表面形成凸面，硅膠透鏡5呈半球形固定在基板 1上方覆蓋熒光粉層4。
權(quán)利要求
1. 一種LED多晶片集成封裝器件，它包括基板[1]和若干個晶片W]，其特征是它還包括硅片[3]、熒光粉層[4]和光學(xué)硅膠透鏡[5]，所述硅片[3]底部鍍有鍍金層，若干個晶片 [6]串并聯(lián)焊接在硅片[3]上形成串并聯(lián)電路，所述基板[1]為紫銅板，基板[1]上開設(shè)有方槽，方槽底部電鍍鎳銀，硅片[3]位于方槽內(nèi)，硅片[3]與方槽底部之間是合金焊片[2]， 使硅片[3]固定在方槽內(nèi)；熒光粉層[4]填充并覆蓋硅片[3]上且上表面形成凸面，硅膠透鏡[5]呈半球形固定在基板[1]上方覆蓋熒光粉層W]。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LED多晶片集成封裝器件，它包括基板[1]和若干個晶片[6]，其特征是它還包括硅片[3]、熒光粉層[4]和光學(xué)硅膠透鏡[5]，所述硅片[3]底部鍍有鍍金層，若干個晶片[6]串并聯(lián)焊接在硅片[3]上形成串并聯(lián)電路，所述基板[1]為紫銅板，基板[1]上開設(shè)有方槽，方槽底部電鍍鎳銀，硅片[3]位于方槽內(nèi)，硅片[3]與方槽底部之間是合金焊片[2]，使硅片[3]固定在方槽內(nèi)；熒光粉層[4]填充并覆蓋硅片[3]上且上表面形成凸面，硅膠透鏡[5]呈半球形固定在基板[1]上方覆蓋熒光粉層[4]。本發(fā)明可靠性高，光效高，使用壽命長。
文檔編號H01L33/62GK102201397SQ20101013721
公開日2011年9月28日 申請日期2010年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月25日
發(fā)明者于正國, 向德祥, 徐俊峰, 李靜靜 申請人:安徽萊德電子科技有限公司