專利名稱：基板支承裝置及基板支承方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板支承裝置及基板支承方法。
背景技術(shù)：
在作為半導(dǎo)體制造工序之一的光刻工序中，在半導(dǎo)體晶圓(以下稱作晶圓)的表 面涂敷抗蝕劑，在以規(guī)定的圖案對該抗蝕劑進(jìn)行曝光之后使其顯影而形成抗蝕圖案。該處 理通常使用在進(jìn)行抗蝕劑的涂敷、顯影的涂敷、顯影裝置上連接曝光裝置而成的系統(tǒng)中進(jìn) 行。該涂敷、顯影裝置包括用于向晶圓涂敷抗蝕劑的抗蝕劑涂敷組件、用于向晶圓供 給顯影液的顯影組件、在由抗蝕劑涂敷組件及顯影組件對晶圓進(jìn)行處理的前后對晶圓進(jìn)行 加熱或冷卻的加熱、冷卻系統(tǒng)組件等。而且，在這些各組件之間及涂敷、顯影裝置與曝光裝 置之間，例如利用支承著晶圓進(jìn)行輸送的、作為基板支承裝置的一個(gè)形態(tài)的輸送臂等的基 板輸送裝置來輸送晶圓。圖19(a)、(b)表示構(gòu)成該基板輸送裝置的晶圓輸送部的一個(gè)例 子。圖19(a)、(b)所示的晶圓輸送部101包括形成為大致C字形的框架102，晶圓W 以被該框架102包圍的方式被保持。在框架102的內(nèi)周設(shè)有4個(gè)晶圓保持構(gòu)件103。晶圓 保持構(gòu)件103為了防止晶圓W的金屬污染而由樹脂形成，該晶圓保持構(gòu)件103包括在框架 102的內(nèi)側(cè)水平地支承晶圓W的背面支承部104 ；用于包圍晶圓W的側(cè)面、防止晶圓W自晶 圓輸送部101落下的側(cè)壁部105 ；傾斜部106。在交接、輸送晶圓W時(shí)，晶圓W的周緣部搭在 傾斜部106上，則晶圓W的背面在傾斜部106及背面支承部104上滑動，從而被引導(dǎo)到由上 述側(cè)壁部105包圍的支承區(qū)域。晶圓的尺寸被標(biāo)準(zhǔn)化，但由于各晶圓之間存在例如士0. 25 士0. 5mm左右的誤 差，因此，以如下方式配置各晶圓保持構(gòu)件103，即，在將晶圓W保持于晶圓輸送部101上時(shí)， 如圖19(b)所示，上述支承區(qū)域比晶圓W的直徑大一些，即在側(cè)壁部105與晶圓W的側(cè)面之 間形成有些許間隙。但是，在晶圓輸送部101移動時(shí)，由于如上所述地在側(cè)壁部105與晶圓W的側(cè)面之 間形成有間隙，因此，被保持的晶圓W由于慣性力而如圖20(a)所示地在背面支承部104上 滑動，其側(cè)面會沖撞側(cè)壁部105。結(jié)果，側(cè)壁部105及背面支承部104會磨損。圖20(b)示 意性地表示用顯微鏡觀察實(shí)際裝置所使用的晶圓輸送部101的側(cè)壁部105的結(jié)果，附圖標(biāo) 記108是如上所述地形成的磨損痕跡?，F(xiàn)今，謀求提高涂敷、顯影裝置的生產(chǎn)率，為此，由基 板輸送裝置輸送晶圓W的速度有所上升。這樣若輸送速度上升，就更加易于導(dǎo)致晶圓保持 構(gòu)件103磨損。另外，在涂敷、顯影裝置中，為了對晶圓W表面進(jìn)行各種處理而使用各種藥液。作 為藥液，有上述抗蝕劑及顯影液、用于在晶圓W上形成防反射膜、保護(hù)膜等的藥液等。這些 各藥液有時(shí)例如以混合的狀態(tài)進(jìn)入到晶圓的側(cè)面、背面而附著在其上。在輸送該晶圓W時(shí)， 各晶圓保持構(gòu)件103有時(shí)與附著于該晶圓W上的藥液相接觸而被化學(xué)性侵蝕?；瘜W(xué)性侵蝕包括腐蝕。由于這些物理性的磨損、化學(xué)性侵蝕，有可能導(dǎo)致例如背面支承部104發(fā)生變形 而使晶圓W被傾斜地保持；由于側(cè)壁部105的磨損、化學(xué)性侵蝕，有可能導(dǎo)致晶圓W進(jìn)入到 該磨損痕跡、侵蝕痕跡中，而使晶圓W在脫離了正常的支承區(qū)域的狀態(tài)下被支承；由于傾斜 部106及背面支承部104的摩擦系數(shù)因上述磨損及侵蝕而增大，結(jié)果可能導(dǎo)致晶圓W在該 傾斜部106上滑落。由此，在輸送過程中，晶圓W有可能自該晶圓輸送部101落下，或者晶 圓W未被交接到各組件的正常位置而不能正常地進(jìn)行處理。另外，在涂敷、顯影裝置的各組件中，作為基板支承裝置有這樣設(shè)置的情況，S卩，設(shè) 有包括晶圓W的背面支承部的載物臺，為了防止載置在該背面支承部上的晶圓W橫滑而設(shè) 有包圍晶圓W側(cè)面的位置限制部。被該位置限制部包圍的載置區(qū)域也考慮到晶圓W的誤差 而被設(shè)定得大于晶圓W的直徑。而且，該載物臺與晶圓保持構(gòu)件103同樣地也可能發(fā)生背 面支承部及位置限制部的磨損及由晶圓W帶來的藥液導(dǎo)致的化學(xué)性侵蝕、在該載物臺上使 晶圓W偏離載置區(qū)域地載置晶圓W、使晶圓W傾斜，從而導(dǎo)致不能進(jìn)行正常的處理，或者在該 載物臺與基板輸送裝置之間無法正常地交接該晶圓W。在專利文獻(xiàn)1中，記載了利用類金剛石碳膜包覆由樹脂構(gòu)成的機(jī)械零件基體的技 術(shù)，但并未記載上述基板輸送及基板載置的問題，無法解決該問題。另外，在專利文獻(xiàn)2中 記載了上述晶圓輸送部，但并未記載能夠解決上述問題的方法。專利文獻(xiàn)1 日本特許3355950號(段落0017)專利文獻(xiàn)2 日本特開平11-243133 (圖7等)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即是在這樣的情況下做成的，其目的在于提供能夠防止由于由與基板的接 觸引起的磨損及由基板帶來的藥品所引起的化學(xué)性侵蝕而無法正常地支承基板的基板支 承裝置及基板支承方法。本發(fā)明是一種基板支承裝置，其特征在于，該基板支承包括支承構(gòu)件，其具有用 于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其設(shè)置于該支承構(gòu)件上，包圍被上述背面支承 部支承的基板的側(cè)面，用于限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少 一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包覆該基材，用于防止該基材的磨損及化學(xué)性侵蝕中 的至少一種。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，該基板支承裝置包括用于支承上述支承構(gòu)件 的基體和用于使支承構(gòu)件相對于上述基體移動的驅(qū)動機(jī)構(gòu)，而構(gòu)成為基板輸送裝置。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，上述支承構(gòu)件是用于對基板進(jìn)行加熱或冷卻 的溫度調(diào)整板。本發(fā)明是一種基板支承裝置，其特征在于，該基板支承包括支承構(gòu)件，其具有用 于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其設(shè)置于該支承構(gòu)件上，包圍被上述背面支承 部支承的基板的側(cè)面，用于限制基板的位置；在上述支承構(gòu)件上設(shè)有傾斜部，該傾斜部自被 位置限制部包圍的基板的支承區(qū)域的外方朝向該支承區(qū)域下降，用于使基板的周緣部滑下 而將基板引導(dǎo)到背面支承部上，上述背面支承部、上述位置限制部、上述傾斜部中的至少一 個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包覆該基材，用于防止該基材的磨損及化學(xué)性侵蝕中的至少一種。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，上述基材由樹脂構(gòu)成。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，在上述基材上保持有其前端突出于該基材表 面的許多個(gè)纖維，上述保護(hù)膜包覆上述基材和纖維，防止上述位置限制部、背面支承部或者 傾斜部的磨損。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，上述保護(hù)膜由類金剛石構(gòu)成。本發(fā)明是一種基板支承方法，其特征在于，該基板支承方法包括以下工序利用具 有背面支承部的支承構(gòu)件支承基板的背面；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上的位置限制部包圍 被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制 部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包覆該基材，用于防止該基材的磨損及化 學(xué)性侵蝕中的至少一種。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，該基板支承方法包括利用基體支承上述支承 構(gòu)件的工序和利用驅(qū)動機(jī)構(gòu)使支承構(gòu)件相對于上述基體移動而輸送基板的工序。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，該基板支承方法包括利用上述支承構(gòu)件對基 板進(jìn)行加熱或冷卻的工序。本發(fā)明是一種基板支承方法，其特征在于，該基板支承方法包括以下工序利用具 有背面支承部的支承構(gòu)件支承基板的背面；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上的位置限制部包圍 被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，限制基板的位置；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上、且自 被位置限制部包圍的基板的支承區(qū)域的外方朝向該支承區(qū)域下降的傾斜部，使基板的周緣 部滑下而將基板引導(dǎo)到背面支承部上；上述背面支承部、上述位置限制部、上述傾斜部中的 至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包覆該基材，用于防止該基材的磨損及化學(xué)侵蝕 中的至少一種。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，上述基材由樹脂構(gòu)成。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，在上述基材上保持有其前端突出于該基材表 面的許多個(gè)纖維，上述保護(hù)膜包覆上述基材和纖維，防止上述位置限制部、背面支承部或者 傾斜部的磨損。本發(fā)明是一種基板支承裝置，其特征在于，該基板支承裝置包括支承構(gòu)件，其具 有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其設(shè)置于該支承構(gòu)件上，包圍被上述背面 支承部支承的基板的側(cè)面，用于限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的 至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包括包覆該基材的第1膜和層疊在該第1膜上的 第2膜，用于防止化學(xué)性侵蝕。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，該基板支承裝置包括用于支承上述支承構(gòu)件 的基體和用于使支承構(gòu)件相對于上述基體移動的驅(qū)動機(jī)構(gòu)，而構(gòu)成為基板輸送裝置。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，上述支承構(gòu)件是用于對基板進(jìn)行加熱或冷卻 的溫度調(diào)整板。本發(fā)明是一種基板支承裝置，其特征在于，該基板支承裝置包括支承構(gòu)件，其具 有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其設(shè)置于該支承構(gòu)件上，包圍被上述背面 支承部支承的基板的側(cè)面，用于限制基板的位置；在上述支承構(gòu)件上設(shè)有傾斜部，該傾斜部 自被位置限制部包圍的基板的支承區(qū)域的外方朝向該支承區(qū)域下降，用于使基板的周緣部
9滑下而將基板引導(dǎo)到背面支承部上，上述背面支承部、上述位置限制部、上述傾斜部中的至 少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包括包覆該基材的第1膜和層疊在該第1膜上的第 2膜，用于防止化學(xué)性侵蝕。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，上述基材由樹脂構(gòu)成。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，在上述基材上保持有其前端突出于該基材表 面的許多個(gè)纖維，上述保護(hù)膜包覆上述基材和纖維，防止上述位置限制部、背面支承部或者 傾斜部的磨損。本發(fā)明的基板支承裝置的特征在于，上述保護(hù)膜由類金剛石構(gòu)成。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，構(gòu)成上述第1膜的主要成分與構(gòu)成上述第2 膜的主要成分互不相同。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，作為構(gòu)成上述第1膜的主要成分含有氟，作 為構(gòu)成第2膜的主要成分含有硅。本發(fā)明是一種基板支承方法，其特征在于，該基板支承方法包括以下工序利用具 有背面支承部的支承構(gòu)件支承基板的背面；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上的位置限制部包圍 被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制 部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包括包覆該基材的第1膜和層疊在該第1 膜上的第2膜，用于防止化學(xué)性侵蝕。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，該基板支承方法包括利用基體支承上述支承 構(gòu)件的工序和利用驅(qū)動機(jī)構(gòu)使支承構(gòu)件相對于上述基體移動而輸送基板的工序。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，該基板支承方法包括利用上述支承構(gòu)件對基 板進(jìn)行加熱或冷卻的工序。本發(fā)明是一種基板支承方法，其特征在于，該基板支承方法包括以下工序利用具 有背面支承部的支承構(gòu)件支承基板的背面；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上的位置限制部包圍 被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，限制基板的位置；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上、且自 被位置限制部包圍的基板的支承區(qū)域的外方朝向該支承區(qū)域下降的傾斜部，使基板的周緣 部滑下而將基板引導(dǎo)到背面支承部上；上述背面支承部、上述位置限制部、上述傾斜部中的 至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包括包覆該基材的第1膜和層疊在該第1膜上的 第2膜，用于防止化學(xué)性侵蝕。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，上述基材由樹脂構(gòu)成。本發(fā)明的基板支承方法的特征在于，在上述基材上保持有其前端突出于該基材表 面的許多個(gè)纖維，上述保護(hù)膜包覆上述基材和纖維，防止上述位置限制部、背面支承部或者 傾斜部的磨損。本發(fā)明是一種真空卡盤，其特征在于，該真空卡盤包括基板載置部，其由含有樹 脂的成型體構(gòu)成，具有用于保持基板的基板載置面；纖維體，其在上述基板載置部內(nèi)埋設(shè)有 許多個(gè)，用于提高基板載置部的強(qiáng)度；保護(hù)膜，其形成為至少覆蓋基板載置面的表面、且覆 蓋自上述基板載置部的表面突出的上述纖維體，用于提高上述基板載置部相對于基板的耐 磨損性；吸引通路，其設(shè)置在上述基板載置部內(nèi)，用于從背面?zhèn)任惠d置于上述基板保持 部上的基板。本發(fā)明的真空卡盤的特征在于，上述基板載置部能自由旋轉(zhuǎn)，用于一邊使被吸附保持于該基板載置部上的基板旋轉(zhuǎn)一邊供給處理液而進(jìn)行液體處理，上述保護(hù)膜還在上述 基板載置部的側(cè)面及背面中的至少一個(gè)上形成為覆蓋自上述基板載置部的表面突出的上 述纖維體，抑制由與上述處理液相接觸導(dǎo)致的上述基板載置部老化。本發(fā)明是一種真空卡盤，該真空卡盤用于一邊使被吸附保持于能自由旋轉(zhuǎn)配置的 基板載置部上的基板旋轉(zhuǎn)一邊供給處理液而進(jìn)行液體處理，其特征在于，該真空卡盤包括 基板載置部，其由含有樹脂的成型體構(gòu)成，具有用于保持基板的基板載置面；纖維體，其在 上述基板載置部內(nèi)埋設(shè)有許多個(gè)，用于提高基板載置部的強(qiáng)度；保護(hù)膜，其在上述基板載置 部的側(cè)面及背面中的至少一個(gè)上形成為覆蓋自上述基板載置部的表面突出的上述纖維體， 抑制由與上述處理液相接觸導(dǎo)致的上述基板載置部老化；吸引通路，其設(shè)置在上述基板載 置部內(nèi)，用于從背面?zhèn)任惠d置于上述基板保持部上的基板。本發(fā)明的真空卡盤的特征在于，形成于上述基板載置部的側(cè)面及背面中的至少一 個(gè)上的保護(hù)膜為了提高對于上述處理液的疏水性而含有氟。本發(fā)明的真空卡盤的特征在于，上述保護(hù)膜是類金剛石膜。本發(fā)明是一種液體處理裝置，該液體處理裝置用于在處理杯內(nèi)一邊使被吸附保持 于真空卡盤上的基板旋轉(zhuǎn)一邊供給處理液而進(jìn)行液體處理，其特征在于，上述真空卡盤包 括基板載置部，其由含有樹脂的成型體構(gòu)成，具有用于保持基板的基板載置面；纖維體， 其在上述基板載置部內(nèi)埋設(shè)有許多個(gè)，用于提高基板載置部的強(qiáng)度；保護(hù)膜，其形成為至少 覆蓋基板載置面的表面、且覆蓋自上述基板載置部的表面突出的上述纖維體，用于提高上 述基板載置部相對于基板的耐磨損性；吸引通路，其設(shè)置在上述基板載置部內(nèi)，用于從背面 側(cè)吸引被載置于上述基板保持部上的基板。本發(fā)明是一種液體處理裝置，該液體處理裝置用于在處理杯內(nèi)一邊使被吸附保持 于真空卡盤上的基板旋轉(zhuǎn)一邊供給處理液而進(jìn)行液處理，其特征在于，上述真空卡盤用于 一邊使被吸附保持于能自由旋轉(zhuǎn)配置的基板載置部上的基板旋轉(zhuǎn)一邊供給處理液而進(jìn)行 液處理，該真空卡盤包括基板載置部，其由含有樹脂的成型體構(gòu)成，具有用于保持基板的 基板載置面；纖維體，其在上述基板載置部內(nèi)埋設(shè)有許多個(gè)，用于提高基板載置部的強(qiáng)度； 保護(hù)膜，其在上述基板載置部的側(cè)面及背面中的至少一個(gè)上形成為覆蓋自上述基板載置部 的表面突出的上述纖維體，抑制由與上述處理液相接觸導(dǎo)致的上述基板載置部老化；吸引 通路，其設(shè)置在上述基板載置部內(nèi)，用于從背面?zhèn)任惠d置于上述基板保持部上的基板。由于本發(fā)明的基板支承裝置包括支承構(gòu)件，其具有用于支承基板背面的背面支 承部；位置限制部，其包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，用于限制基板位置；保護(hù) 膜，其包覆上述背面支承部、上述位置限制部中的至少一個(gè)，用于防止它們的磨損及化學(xué)性 侵蝕中的至少一個(gè)，因此，能夠防止由上述磨損或者化學(xué)性侵蝕導(dǎo)致無法正常地支承基板。本發(fā)明的基板支承裝置利用由第1膜和層疊于該第1膜上的第2膜構(gòu)成的保護(hù) 膜，包圍用于支承基板背面的背面支承部或者被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，包覆 限制基板位置的位置限制部。即使因成膜處理的異常而導(dǎo)致在第1膜及第2膜中形成貫穿 各膜的通孔，只要這些通孔不重合，構(gòu)成背面支承部、位置限制部的基材就不會露出，因此， 能夠防止該基材被化學(xué)性侵蝕、無法正常地支承基板。本發(fā)明的真空卡盤將基板載置在由含有樹脂的成型體構(gòu)成的基板載置部上并吸 附保持基板，為了提高基板載置部的強(qiáng)度而在基板載置部內(nèi)埋設(shè)許多個(gè)纖維體，并且，在該基板載置部中的至少基板載置面的表面上以在成形時(shí)覆蓋自該基板載置部的表面朝向外 方突出的上述纖維體的方式形成保護(hù)膜，因此，能夠抑制由與基板的摩擦、滑動導(dǎo)致的基板 載置部老化(磨損)。另外，由于保護(hù)膜借助纖維體利用所謂的錨固效應(yīng)牢固地粘著在基板 載置部上，即使例如基板載置部因旋轉(zhuǎn)等而稍稍變形，保護(hù)膜也能夠追隨基板載置部的形 狀而變形，因此，能夠抑制膜剝離、破損。因而，即使在處理許多張晶圓的情況下，也能夠抑 制基板載置部老化。另外，在將基板吸附保持于真空卡盤上并供給處理液而進(jìn)行液體處理 時(shí)，通過在基板載置部的側(cè)面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)戎械闹辽僖粋€(gè)上以覆蓋自基板載置部的表面朝向 外方突出的許多個(gè)纖維體的方式形成保護(hù)膜，即使處理液從基板的表面經(jīng)由側(cè)面?zhèn)冗M(jìn)入到 背面?zhèn)?，也能夠抑制處理液附著于基板載置部、處理液從纖維體與基板載置部之間的界面 進(jìn)入，因此，能夠抑制由處理液導(dǎo)致的基板載置部老化(侵蝕)。


圖1是包括本發(fā)明的第1實(shí)施方式的基板輸送裝置的涂敷、顯影裝置的俯視圖。圖2是涂敷、顯影裝置的立體圖。圖3是涂敷、顯影裝置的縱剖側(cè)視圖。圖4是涂敷、顯影裝置的處理組件的立體圖。圖5是設(shè)置于處理組件的輸送臂上的晶圓輸送部的立體圖。圖6是晶圓輸送部的縱剖側(cè)視圖。圖7(a)、(b)是晶圓保持構(gòu)件的立體圖及該晶圓保持構(gòu)件的表面的縱剖視圖。圖8(a) (C)是表示晶圓保持部的制造工序的工序圖。圖9(a) (d)是表示向晶圓輸送部交接晶圓的工序的工序圖。圖10(a) (C)是表示晶圓沖撞晶圓保持部的側(cè)壁部時(shí)的情形的說明圖。圖11(a)、(b)是設(shè)置于涂敷、顯影裝置中的接口臂的俯視圖及縱剖側(cè)視圖。圖12是接口臂的晶圓輸送部的立體圖。圖13(a) (e)是表示晶圓輸送部接收晶圓的工序的說明圖。圖14(a)、(b)是設(shè)置于涂敷、顯影裝置中的加熱組件的加熱板的俯視圖及縱剖側(cè) 視圖。圖15(a) (C)是表示向加熱板交接晶圓的工序的工序圖。圖16是評價(jià)試驗(yàn)所采用的裝置的說明圖。圖17是表示評價(jià)試驗(yàn)的結(jié)果的坐標(biāo)圖。圖18是表示評價(jià)試驗(yàn)的結(jié)果的坐標(biāo)圖。圖19是以往的輸送臂的晶圓輸送部的俯視圖及縱剖側(cè)視圖。圖20是表示以往的輸送臂磨損的情形的說明圖。圖21是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的晶圓輸送部的縱剖側(cè)視圖。圖22(a)、(b)是晶圓保持構(gòu)件的立體圖及該晶圓保持構(gòu)件的表面的縱剖視圖。圖23(a) (d)是表示晶圓保持構(gòu)件的制造工序的工序圖。圖24(a) (d)是表示向晶圓輸送部交接晶圓的工序的工序圖。圖25(a)、(b)是表示向晶圓保持構(gòu)件交接晶圓的情形的說明圖。圖26(a) (c)是表示晶圓沖撞晶圓保持構(gòu)件的側(cè)壁部時(shí)的情形的說明圖。
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圖27(a)、(b)是表示晶圓保持構(gòu)件的另一例子的縱剖側(cè)視圖。圖28(a)、(b)是設(shè)置于涂敷、顯影裝置中的接口臂的俯視圖及縱剖側(cè)視圖。圖29(a)、(b)是接口臂的晶圓輸送部的立體圖。圖30(a) (c)是表示晶圓輸送部接收晶圓的工序的說明圖。圖31是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷裝置的縱剖視圖。圖32(a)、(b)是上述抗蝕劑涂敷裝置所采用的平臺的說明圖。圖33是放大表示平臺的縱剖視圖。圖34(a)、(b)是表示抗蝕劑涂敷裝置的作用的概略圖。圖35(a)、(b)是表示抗蝕劑涂敷裝置的作用的概略圖。圖36(a)、(b)是表示抗蝕劑涂敷裝置的作用的概略圖。圖37是表示抗蝕劑涂敷裝置的作用的概略圖。圖38是表示在表面未形成類金剛石碳膜的情況下的平臺的概略圖。圖39是表示應(yīng)用抗蝕劑涂敷裝置的涂敷、顯影裝置的立體圖。圖40是涂敷、顯影裝置的俯視圖。圖41是涂敷、顯影裝置的縱剖視圖。圖42(a)、(b)是表示本發(fā)明的實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)方法的概略圖。圖43是表示利用本發(fā)明的實(shí)施例獲得的結(jié)果的特性圖。圖44是表示利用本發(fā)明的實(shí)施例獲得的結(jié)果的特性圖。
具體實(shí)施例方式第1實(shí)施方式根據(jù)圖1 圖18說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式。對設(shè)有本發(fā)明的基板支承裝置的涂敷、顯影裝置1進(jìn)行說明。圖1表示在涂敷、顯 影裝置1上連接有曝光裝置C4的抗蝕圖案形成系統(tǒng)的俯視圖，圖2是該系統(tǒng)的立體圖。另 外，圖3是該系統(tǒng)的縱剖視圖。在該涂敷、顯影裝置1中設(shè)有載體模塊Cl，交接臂12自載置 在載置臺11上的密閉型的載體10取出晶圓W，將其交接到處理模塊C2，交接臂12自處理 模塊C2接收處理完畢的晶圓W而使其返回到載體10。如圖3所示，在該例子中，上述處理模塊C2自下方起依次層疊用于進(jìn)行顯影處理 的第1模塊(DEV層)Bi、用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的下層形成防反射膜的處理的第2模塊(BCT 層)B2、用于涂敷抗蝕劑膜的第3模塊(COT層)B3、用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的上層側(cè)形成保護(hù) 膜的處理的第4模塊(ITC層)B4。由于處理模塊C2的各層俯視為同樣的結(jié)構(gòu)，因此，以第3模塊(COT層)B3為例進(jìn) 行說明，COT層B3包括抗蝕劑膜形成組件13，其用于形成作為涂敷膜的抗蝕劑膜；架單元 Ul U4，其構(gòu)成用于進(jìn)行在上述抗蝕劑膜形成組件13進(jìn)行的處理的前處理及后處理的加 熱、冷卻系統(tǒng)的處理組件組；作為基板處理裝置的輸送臂A3，其設(shè)置在上述抗蝕劑膜形成 組件13與加熱、冷卻系統(tǒng)的處理組件組之間，并在它們之間進(jìn)行晶圓W的交接。上述架單元Ul U4沿著輸送臂A3進(jìn)行移動的輸送區(qū)域Rl排列，分別通過層疊 上述加熱組件21、冷卻組件而構(gòu)成。加熱組件21包括用于對所載置的晶圓進(jìn)行加熱的加熱 板7，冷卻組件包括用于對所載置的晶圓進(jìn)行冷卻的冷卻板。在圖1中示出了加熱組件21，
13加熱組件21包括冷卻板24，該冷卻板24在輸送區(qū)域Rl側(cè)與加熱板7側(cè)之間移動，具有中 轉(zhuǎn)交接晶圓W并且對被加熱后的晶圓W進(jìn)行冷卻的作用。加熱板7的構(gòu)造見后述。對于第2模塊(BCT層)B2、第4模塊(ITC層)B4，除了分別設(shè)有相當(dāng)于上述抗蝕 劑膜形成組件的防反射膜形成組件、保護(hù)膜形成組件、并在這些組件中替代抗蝕劑而分別 向晶圓W供給防反射膜形成用的藥液、保護(hù)膜形成用的藥液作為涂敷液之外，是與COT層B3 同樣的構(gòu)造。第1模塊(DEV層)Bi，在一個(gè)DEV層Bl內(nèi)層疊有兩層與抗蝕劑膜形成組件相對應(yīng) 的顯影組件，在第1模塊Bl中設(shè)有構(gòu)成用于進(jìn)行該顯影組件的前處理及后處理的加熱、冷 卻系統(tǒng)的處理組件組的架單元。而且，在該DEV層Bl內(nèi)設(shè)有向上述兩層顯影組件和上述加 熱、冷卻系統(tǒng)的處理組件輸送晶圓W的輸送臂Al。即，為兩層顯影組件共用輸送臂Al的結(jié) 構(gòu)。如圖1及圖3所示，在處理模塊C2中還設(shè)有架單元TO，將來自載體模塊Cl的晶 圓W依次輸送到上述架單元U5的一個(gè)交接單元、例如第2模塊(BCT層)B2所對應(yīng)的交接 單元CPL2。第2模塊(BCT層)B2內(nèi)的輸送臂A2自該交接單元CPL2接收晶圓W而將其輸 送到各單元(防反射膜形成組件及加熱、冷卻系統(tǒng)的處理組件組)，在這些單元中在晶圓W 上形成防反射膜。之后，將晶圓W輸送到架單元TO的交接單元BF2、交接臂D1、架單元TO的交接單 元CPL3，在此將晶圓W的溫度調(diào)整為例如23°C，然后借助輸送臂A3將晶圓W輸送到第3模 塊(COT層)B3，在抗蝕劑膜形成組件13中形成抗蝕劑膜。并且，晶圓W經(jīng)由輸送臂A3—架 單元TO的交接單元BF3 —交接臂Dl被輸送到架單元TO中的交接單元BF3。另外，形成有 抗蝕劑膜的晶圓W有時(shí)也在第4模塊(ITC層)B4中形成保護(hù)膜。在這種情況下，經(jīng)由交接 單元CPL4將晶圓W交接到輸送臂A4，在形成保護(hù)膜之后，利用輸送臂A4將晶圓W交接到交 接單元TRS4。另一方面，在DEV層Bl內(nèi)的上部設(shè)有作為專用的輸送部件的梭式臂14，該梭式臂 14用于自設(shè)置于架單元U5的交接單元CPLll向設(shè)置于架單元U6的交接單元CPL12直接 輸送晶圓W。借助交接臂Dl自交接單元BF3、TRS4接收形成有抗蝕劑膜、甚至是保護(hù)膜的 晶圓W并將其交接到交接單元CPLl 1，利用梭式臂14將晶圓W從交接單元CPLll直接輸送 到架單元TO的交接單元CPL12，放入到接口模塊C3中。另外，圖3中的標(biāo)注有CPL的交接 單元兼用作調(diào)溫用的冷卻單元，標(biāo)注有BF的交接單元兼用作能夠載置多張晶圓W的緩沖單兀。接著，利用接口臂50將晶圓W輸送到曝光裝置C4，在此進(jìn)行了規(guī)定的曝光處理之 后，將晶圓W載置于架單元TO的交接單元TRS6上而使其返回到處理模塊C2。在第1模塊 (DEV層)Bl中對返回來的晶圓W進(jìn)行顯影處理，利用輸送臂Al將晶圓W交接到架單元U5 的交接單元TRS1。之后，借助交接臂12使晶圓W返回到載體10。在此，參照圖4對作為構(gòu)成COT層B3的基板支承裝置的一個(gè)實(shí)施方式的基板輸送 裝置的輸送臂A3進(jìn)行說明。輸送臂A3包括沿著輸送區(qū)域Rl移動的水平移動部25、在水平 移動部25中上下升降的升降基體26、在升降基體26上繞鉛垂軸線轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)動基體27。在 轉(zhuǎn)動基體27上設(shè)有兩個(gè)晶圓輸送部3，該兩個(gè)晶圓輸送部3被該轉(zhuǎn)動基體27支承，在轉(zhuǎn)動 基體27上互相獨(dú)立地前后移動。上述水平移動部25、升降基體26、轉(zhuǎn)動基體27的動作通過未圖示的驅(qū)動機(jī)構(gòu)來進(jìn)行。參照圖5及圖6說明晶圓輸送部3。該晶圓輸送部3具有與背景技術(shù)欄中所述的 晶圓輸送部101同樣的形狀，該晶圓輸送部3包括形成為大致C字形的框架32，該框架32 具有自基部分為2支延伸出的突起。在框架32的內(nèi)周側(cè)隔開間隔地設(shè)有4個(gè)晶圓保持構(gòu) 件33，這4個(gè)晶圓保持構(gòu)件33用于在該內(nèi)周側(cè)保持晶圓W。由框架32和晶圓保持構(gòu)件33 構(gòu)成的晶圓輸送部3構(gòu)成基板的支承構(gòu)件。也參照作為晶圓保持構(gòu)件33的立體圖的圖7(a)說明晶圓保持構(gòu)件33。圖7 (a) 中標(biāo)注許多個(gè)點(diǎn)的部位是表示被后述的保護(hù)膜41包覆的部位。晶圓保持構(gòu)件33包括用 于支承晶圓W背面的背面支承部34 ；包圍被背面支承部34支承的晶圓W的側(cè)面、作為用于 限制晶圓W位置的位置限制部的下側(cè)垂直壁部35 ；與該下側(cè)垂直壁部35連續(xù)、形成為朝向 該下側(cè)垂直壁部35下降地的傾斜部36。傾斜部36具有使上到該傾斜部36的晶圓W的周 緣部滑落、而將晶圓W引導(dǎo)到被上述下側(cè)垂直壁部35包圍的支承區(qū)域30的作用。如背景 技術(shù)欄中說明的那樣，晶圓保持構(gòu)件33以支承區(qū)域30的直徑比晶圓W的直徑大一些的方 式設(shè)置于框架32上。另外，在傾斜部36上，與該傾斜部36連續(xù)地形成有上側(cè)垂直壁部37。上側(cè)垂直壁 部37具有這樣的作用，即，在利用晶圓輸送部3輸送晶圓W時(shí)，防止因慣性、沖撞從支承區(qū) 域30躍上到傾斜部36上的晶圓W的周緣部進(jìn)一步朝向上述支承區(qū)域30的外方去而自保 持構(gòu)件33落下。晶圓保持構(gòu)件33為了防止晶圓W的金屬污染而由例如作為PEEK(聚醚醚酮)樹 脂的成型體的基材40構(gòu)成，如圖7 (b)所示，在基材40中，為了提高其強(qiáng)度而混入保持有作 為纖維體的許多個(gè)碳纖維42。碳纖維42的直徑例如為7 μ m左右，其長度為例如0. Imm 0.6mm左右。而且，許多個(gè)碳纖維42的前端自上述基材40的表面突出Iym 5μπι左右。如圖6及圖7(b)所示，在上述背面支承部34、下側(cè)垂直壁部35及傾斜部36的表 面形成有由DLC (類金剛石膜)構(gòu)成的保護(hù)膜41，該DLC是由碳化氫或者碳的同素異形體構(gòu) 成的非晶質(zhì)的硬質(zhì)膜。由于DLC具有比上述基材40高的硬度，因此，DLC具有較高的耐磨 損性，對于各種藥液具有較高的抗腐蝕性，而且，其摩擦系數(shù)低于基材40。為了防止藥液經(jīng)由保護(hù)膜41和自基材40表面突出的碳纖維42之間的間隙而被 供給到基材40并且為了充分降低摩擦系數(shù)，將該保護(hù)膜41形成為覆蓋上述碳纖維42的前 端，且使該保護(hù)膜41具有比該突出的前端的長度大的膜厚。另外，作為圖7(b)的保護(hù)膜41 的厚度Η1，若其厚度過小，則膜的致密性較小，藥液有可能透過保護(hù)膜41而侵蝕基材40，若 其厚度過大，則在如后所述地晶圓W沖撞保護(hù)膜41時(shí)，保護(hù)膜41不會隨基材40變形，導(dǎo)致 其沖撞吸收性降低，因此，保護(hù)膜41的厚度Hl例如優(yōu)選為Ιμπι ΙΟμπι。說明該晶圓保持構(gòu)件33的制造方法。向熔融的上述樹脂中混合許多個(gè)碳纖維42， 將該混合物填充入用于成形晶圓保持構(gòu)件33的模具43中。然后，在模具43內(nèi)使樹脂固化 而形成基材40。圖8 (a)表示出基材40與模具43的邊界，存在于該邊界附近的碳纖維42 的前端部因樹脂固化時(shí)的膨脹收縮等被模具43按壓而彎折成與模具43密接的狀態(tài)。另外， 與模具43內(nèi)表面的表面粗糙度等的形狀相應(yīng)地，有時(shí)在基材40的表面形成有微小的凹凸 形狀。然后，如圖8(b)所示，自模具43拆下晶圓保持構(gòu)件33時(shí)，彎折的碳纖維42的前端 利用欲向外方彈出的回彈力(纖維42的恢復(fù)力)或者與模具43的內(nèi)表面形狀相應(yīng)地在晶圓保持構(gòu)件33的表面立起，成為突出于該表面的狀態(tài)。另外，在各圖中，以相同的粗度描畫 纖維42的突出于基材40表面的前端和埋入到基材40中的部分，但也存在上述前端被模具 43壓扁而使其直徑變得小于埋入到基材40中的部分的情況。之后，如圖8(c)所示，例如利用 PVD(Physical VaporDeposition)或者 CVD (Chemical Vapor Deposition)形成上述保護(hù)膜41。即，由于基材40的表面突出有碳 纖維42而成為形成有復(fù)雜的凹凸的狀態(tài)，因此，保護(hù)膜41因該凹凸而形成為錯綜復(fù)雜。因 而，保護(hù)膜41形成得相對于基材40的密接性較高。另外，在各圖中，以相同的粗度描畫纖 維42的突出于基材40表面的前端和埋入到基材40中的部分，但也存在上述前端被模具43 壓扁而使其直徑變得小于埋入到基材40中的部分的情況。例如在利用等離子CVD法形成上述DLC的保護(hù)膜41的情況下，作為原料氣體，采 用形成DLC通常所采用的甲烷(CH4)、乙燒(C2H6)、丙烷(C3H8)、丁烷(C4Hltl)、乙炔(C2H2)、苯 (C6H6)、四氟化碳(CF4)、六氟化二碳(C2F6)等碳化合物氣體。根據(jù)需要，向這些碳化合物氣體中混合作為載體氣體的氫氣、惰性氣體等，將它們 供給到基材40進(jìn)行成膜。接著，參照圖9對該輸送臂A3的晶圓輸送部3自設(shè)置于交接單元BF3中的載物臺 44接收晶圓W時(shí)的工藝進(jìn)行說明。使晶圓輸送部3朝向載物臺44前進(jìn)，如圖9(a)所示地 位于被載置于該載物臺44上的晶圓W的下方側(cè)。之后，使晶圓輸送部3上升，如圖9(b)所 示地例如將晶圓W以下述傾斜的狀態(tài)交接到晶圓輸送部3上，上述傾斜的狀態(tài)是指晶圓W 的背面被4個(gè)晶圓保持構(gòu)件33中的一部分晶圓保持構(gòu)件33的背面支承部34支承、且晶圓 W的周緣部位于4個(gè)傾斜部36中的一部分傾斜部36上。在這樣地將晶圓W交接到晶圓輸送部3上時(shí)，由于傾斜部36及背面支承部34被 保護(hù)膜41包覆，因此，能夠抑制由晶圓W的沖撞造成的破損。另外，此時(shí)，即使在例如晶圓 W的背面及側(cè)面的斜面部附著有藥液的霧沫，也能夠利用該保護(hù)膜41防止上述霧沫附著于 基材上，因此，能夠防止由該霧沫導(dǎo)致化學(xué)性侵蝕。而且，由于保護(hù)膜41的摩擦系數(shù)較低，因此，晶圓W的周緣部在傾斜部36上滑下， 并且晶圓W在上述背面支承部34上滑動，如圖9(c)所示，晶圓W位于被下側(cè)垂直壁部35 包圍的支承區(qū)域30中并被水平地保持。之后，在晶圓保持構(gòu)件33沿水平方向移動時(shí)，晶圓W因慣性力在背面支承部34上 滑動，沖撞下側(cè)垂直壁部35。參照圖10對此時(shí)的下側(cè)垂直壁部35的情形進(jìn)行說明。由于 該沖撞而對晶圓保持構(gòu)件33施加有應(yīng)力，上述由樹脂構(gòu)成的基材40發(fā)生變形。此時(shí)，由于 通過如上所述地在碳纖維42上組入保護(hù)膜41而使該保護(hù)膜41相對于基材40的密接性形 成得較高，因此，保護(hù)膜41也隨基材40變形。通過保護(hù)膜41及基材40這樣地變形，在下側(cè) 垂直壁部35中應(yīng)力自晶圓W的沖撞部位分散，該分散的應(yīng)力在各部分被基材40吸收(圖 10(a)、(b))。然后，在應(yīng)力變?nèi)鯐r(shí)，基材40利用其恢復(fù)力恢復(fù)為原本的形狀，保護(hù)膜41也 隨基材40復(fù)原(圖10(c))。以下側(cè)垂直壁部35為例說明了應(yīng)力被吸收的情形，但對于背面支承部34及傾斜 部36來說，即使也同樣如上所述地交接晶圓W或者在晶圓W在其表面滑動時(shí)施加較強(qiáng)的應(yīng) 力，由于保護(hù)膜41相對于基材40的密接性形成得較高，因此，與下側(cè)垂直壁部35同樣地， 該應(yīng)力在背面支承部34及傾斜部36上也被廣泛地分散開。因而，能夠獲得較高的耐磨損
16性。另外，在晶圓W這樣地在背面支承部34上滑動而沖撞于下側(cè)垂直壁部35時(shí)，即使在晶 圓W上附著有藥液的霧沫，也能夠利用保護(hù)膜41防止各部分的化學(xué)性侵蝕。如上所述，晶圓輸送部3的晶圓保持構(gòu)件33包括用于保持該晶圓W的背面支承 部34 ；使晶圓W保持于該背面支承部34上地引導(dǎo)晶圓W的傾斜部36 ；包圍晶圓W的側(cè)面、 用于限制晶圓W的位置的下側(cè)垂直壁部35，在上述背面支承部34、傾斜部36及下側(cè)垂直壁 部35的表面形成有由DLC構(gòu)成的保護(hù)膜41。因而，能夠抑制上述各部分由于磨損或者附著 有由晶圓W帶來的藥品而被化學(xué)性侵蝕導(dǎo)致的變形，上述磨損是由于上述各部分受到來自 晶圓W的物理性撞擊而產(chǎn)生的。結(jié)果，能夠利用該晶圓輸送部3的支承區(qū)域30可靠地保持 晶圓W，因此，能夠抑制在輸送過程中晶圓W自晶圓輸送部3落下，能夠抑制無法正常地將 該晶圓W交接到載置該晶圓W的組件上。另外，由于上述DLC的摩擦系數(shù)較低，因此，晶圓 W易于在傾斜部36及背面支承部34上滑動，能夠利用晶圓輸送部3的支承區(qū)域30可靠地 保持晶圓W。另外，通過如上所述地做出用保護(hù)膜41覆蓋突出于基材40的碳纖維42的結(jié)構(gòu)， 能夠提高保護(hù)膜41相對于基材40的密接性及保護(hù)膜41的強(qiáng)度，能夠使基材40吸收沖撞 而獲得更高的耐磨損性且抑制對晶圓W施加的沖撞，能夠降低晶圓W的缺損(表面缺陷) 等破損。并且，這樣地用保護(hù)膜41包覆突出了的碳纖維42，還具有這樣的效果在對基材 40施加沖撞時(shí)，能夠抑制碳纖維42自基材40脫落而成為微粒飛散。由于保護(hù)膜41如上所述地為DLC，因此，作為其主要成分的元素含有C(碳)及 H(氫)。除了該C及H之外，作為主要成分，也可以將保護(hù)膜41形成為例如含有Si(硅)的 DLC膜、含有Si及N(氮)的DLC膜、含有Si及0(氧)的DLC膜、含有F(氟)的DLC膜、含 有C、H、SiO2的DLC膜。上述N例如作為CN基包含在膜中。因含有F而使疏水性升高，相 對于藥液能夠獲得更高的疏水性，因此優(yōu)選。另外，因含有Si而使硬度升高，能獲得更高的 耐磨損性，并且，能獲得較高的平滑性及低摩擦系數(shù)，因此優(yōu)選。另外，作為構(gòu)成保護(hù)膜41的材質(zhì)，優(yōu)選選擇能夠抑制作為輸送對象的晶圓W的損 傷的材質(zhì)。從該觀點(diǎn)考慮，例如在晶圓W由硅構(gòu)成的情況下，在作為上述DLC而混入有硅時(shí)， 上述晶圓W及保護(hù)膜41均有可能被摩擦，因此，在這種情況下，優(yōu)選由不含有硅的DLC形成 保護(hù)膜41。在上述例子中，為了進(jìn)一步提高保護(hù)膜41與樹脂基材40的密接性，也可以在將基 材40自模具43分離之后對基材40進(jìn)行等離子處理，在利用基材40的表面形成復(fù)雜的凹 凸之后形成保護(hù)膜41。另外，作為纖維體的纖維，即使在樹脂的基材40中替代混入碳纖維 而例如混入玻璃纖維，也能夠提高基材40的強(qiáng)度及保護(hù)膜的密接性。但是，構(gòu)成保護(hù)膜41的材質(zhì)并不限定于DLC，只要對各種藥液具有較高的抗腐蝕 性或者較高的硬度即可，也可以采用SiC、AlN(氮化鋁)等陶瓷、石英構(gòu)件等。另外，例如 也可以由碳比率較高的、使精制的碳化氫等質(zhì)地混合于例如聚碳酸酯等丙烯酸類樹脂而成 的、耐磨損性較高的以C、H為主體的碳化氫樹脂形成保護(hù)膜41。該碳化氫樹脂的碳含有率 例如為80%以上。作為保護(hù)膜41，例如其維氏硬度優(yōu)選為1000 3000，就平滑性而言，Ra優(yōu)選為 0. 5nm 1. Onm,摩擦系數(shù)優(yōu)選為0. 2以下。另外，為了如上所述地對由樹脂構(gòu)成的基材進(jìn) 行成膜，為了防止該基材變質(zhì)，優(yōu)選選擇能夠以例如200°C以下的低溫成膜的材質(zhì)。
輸送臂A1、A2、A4及交接臂Dl的晶圓保持構(gòu)件也與該輸送臂A3的晶圓保持構(gòu)件 33同樣地構(gòu)成。接著，說明作為晶圓輸送部的另一例子的、設(shè)置于接口臂50上的晶圓輸送部5，參 照晶圓輸送部5的圖11 (a)的俯視圖、圖11(b)的縱剖側(cè)視圖、圖12的立體圖，以晶圓輸送 部5與晶圓輸送部3的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。如圖11 (a)所示，晶圓輸送部5具有能向 前后移動的轉(zhuǎn)動基體51，轉(zhuǎn)動基體51構(gòu)成為與轉(zhuǎn)動基體27同樣地能自由升降及自由轉(zhuǎn)動。 另外，在轉(zhuǎn)動基體51上，在晶圓輸送部5的左右兩側(cè)設(shè)有用于對晶圓W進(jìn)行對位的按壓部 52，該按壓部52與上述轉(zhuǎn)動基體51 —同移動。該晶圓輸送部5包括形成為兩股叉狀的框架53，在該框架53的各前端側(cè)設(shè)有晶圓 保持構(gòu)件54，該晶圓保持構(gòu)件54經(jīng)過與晶圓保持構(gòu)件33同樣的制造工序，與晶圓保持構(gòu) 件33同樣地由碳纖維42和用于保持該碳纖維42的基材40構(gòu)成。該晶圓保持構(gòu)件54包 括用于水平地支承晶圓W的背面支承部56和設(shè)置在該背面支承部56的前端側(cè)的垂直壁部 57。背面支承部56及垂直壁部57被已述的保護(hù)膜41所覆蓋。垂直壁部57具有在晶圓保 持部54中限制晶圓W位置的作用。另外，在框架53的基端側(cè)設(shè)有晶圓保持構(gòu)件61，該晶圓保持構(gòu)件61經(jīng)過與晶圓保 持構(gòu)件33同樣的制造工序，由碳纖維42和上述基材40構(gòu)成。該晶圓保持構(gòu)件61包括用 于水平地支承晶圓W背面的背面支承部62、設(shè)置在背面支承部62的基端側(cè)的下側(cè)垂直壁 部63、自上述基端側(cè)向前端側(cè)下降的傾斜部64。傾斜部64與傾斜部36同樣地具有向背面 支承部62引導(dǎo)晶圓W的作用。背面支承部62及下側(cè)垂直壁部63被保護(hù)膜41所覆蓋。圖 中附圖標(biāo)記60是被下側(cè)垂直壁部63和垂直壁部57包圍的晶圓W的支承區(qū)域。另外，在圖 12中，在被保護(hù)膜41覆蓋的部位標(biāo)注許多個(gè)點(diǎn)來表示。由框架53和晶圓保持構(gòu)件54、61 構(gòu)成的晶圓輸送部5構(gòu)成基板的支承構(gòu)件。使用圖13對晶圓輸送部5自設(shè)置于交接單元CPL12中的載物臺69接收晶圓W的 情形進(jìn)行說明。晶圓輸送部5朝向載物臺69前進(jìn)，在位于被載置于載物臺69上的晶圓W 的下側(cè)之后上升(圖13(a)、(b))，將晶圓W以被背面支承部56及傾斜部64支承的、例如 傾斜的狀態(tài)交接到晶圓輸送部5(圖13(c))。之后，晶圓輸送部5后退，晶圓W的側(cè)面抵接 于按壓部52而被向晶圓輸送部5的前端方向按壓，則晶圓W在傾斜部64上滑落，被背面支 承部56、62水平地支承(圖13(d))。晶圓W因慣性力在背面支承部56、62上滑動，抵接于 垂直壁部57而停止(圖13(e))。這樣，晶圓W被交接并輸送到晶圓輸送部5時(shí)，即使晶圓 W接觸于該晶圓保持構(gòu)件54、61的各部分，也能夠利用保護(hù)膜41抑制其磨損及化學(xué)性侵蝕。表示了接口臂50的晶圓輸送部5，交接臂12的晶圓輸送部也與晶圓輸送部5同樣 地構(gòu)成?？梢詫⑦@些晶圓輸送部3、5的所有表面用保護(hù)膜41包覆，也可以將晶圓輸送部5 的按壓部52用保護(hù)膜41包覆。接著，參照作為俯視圖的圖14(a)及作為縱剖側(cè)視圖的圖14(b)，對上述的設(shè)置于 COT層B3的加熱組件21中的、構(gòu)成基板支承裝置的加熱板7進(jìn)行說明。加熱板7兼用作載 置晶圓W的載物臺，形成為扁平的圓形，在其圓周方向上沿加熱板7的厚度方向穿設(shè)有3個(gè) 孔71 (圖14(b)中僅圖示2個(gè))。在孔71內(nèi)設(shè)有利用升降機(jī)構(gòu)72升降的升降銷73，升降 銷73在加熱板7上突出或沒入。在加熱板7的內(nèi)部設(shè)有用于加熱晶圓W的加熱器。在加熱板7中，在孔71的外側(cè)沿圓周方向設(shè)有多個(gè)、在該例子中為4個(gè)作為背面支承部的支承銷74。支承銷74具有使晶圓W自加熱板7的表面浮起地支承晶圓W的作用。 另外，在加熱板7的周緣部設(shè)有許多個(gè)用于防止晶圓W自加熱板7突出的位置限制用銷75。 支承銷74及位置限制用銷75經(jīng)過與晶圓保持構(gòu)件33同樣的制造工序來制造。而且，支承 銷74及位置限制用銷75與晶圓保持構(gòu)件33同樣地利用碳纖維42和由PEEK樹脂構(gòu)成的 基材40構(gòu)成，支承銷74及位置限制用銷75的表面被保護(hù)膜41所包覆。參照圖15說明向該加熱板7交接晶圓W的工序。在將晶圓W交接到冷卻板24上 時(shí)，使冷卻板24向加熱板7移動，使升降銷73上升而支承晶圓W的背面(圖15(a))。然 后，在冷卻板24自加熱板7退避之后，使升降銷73下降，將晶圓W交接到支承銷74上(圖 15(b))。此時(shí)，如圖15(c)所示，晶圓W有時(shí)在加熱板7與晶圓W背面之間的空氣的作用下 在支承銷74上滑動而沖撞于位置限制用銷75。但是，能夠與晶圓保持構(gòu)件33同樣地利用 保護(hù)膜41防止這些支承銷74及位置限制用銷75磨損、破損。另外，即使在晶圓W上附著 有藥液，也能夠防止這些支承銷74及位置限制用銷75被化學(xué)性侵蝕。上述保護(hù)膜除上述各例子之外，還能夠應(yīng)用于所有與基板接觸的接觸部。例如可 以在成膜裝置、蝕刻裝置的用于載置基板的載物臺表面上形成上述保護(hù)膜41，或者設(shè)置被 保護(hù)膜41包覆的位置限制用銷75。另外，也可以在用于冷卻晶圓的冷卻板表面上的晶圓W 的接觸部分形成上述保護(hù)膜41。另外，保護(hù)膜41也可以利用用于形成該保護(hù)膜的各種方法形成在晶圓保持構(gòu)件 33、54、61的各自的所有表面上，至少形成在基板接觸區(qū)域的部位即可。另外，作為構(gòu)成基材 40的樹脂，除PEEK之外，也可以采用公知的樹脂。評價(jià)試驗(yàn)1作為評價(jià)試驗(yàn)1-1，如圖16所示地沿圓周方向配置4個(gè)晶圓保持構(gòu)件33，將晶圓W 載置在晶圓保持構(gòu)件33的背面支承部34上。各晶圓保持構(gòu)件33與未圖示的驅(qū)動部相連 接，在保持各晶圓保持構(gòu)件33的間隔的狀態(tài)下，能夠如圖中箭頭所示地沿水平方向往返移 動。另外，調(diào)整各晶圓保持構(gòu)件33的位置，使得晶圓保持構(gòu)件33的下側(cè)垂直壁部35自晶圓 W的側(cè)面分開一些。但是，在該晶圓保持構(gòu)件33上未形成有本實(shí)施方式中說明的由DLC構(gòu) 成的保護(hù)膜41。另外，在該試驗(yàn)中采用的晶圓保持構(gòu)件33替代本實(shí)施方式中說明的PEEK 樹脂而由規(guī)定的樹脂構(gòu)成。在上述樹脂中，與本實(shí)施方式同樣地混入有碳纖維。載置晶圓W 之后，使晶圓保持構(gòu)件33往返移動20萬次，使晶圓W沖撞晶圓保持構(gòu)件33的下側(cè)垂直壁 部35。之后，使用顯微鏡測量形成在下側(cè)垂直壁部35上的磨損痕跡的深度。接著，作為評價(jià)試驗(yàn)1-2進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-1同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁 部35上的磨損痕跡的深度。但是，像實(shí)施方式中說明的那樣，在晶圓保持構(gòu)件33上形成有 保護(hù)膜41，其厚度為3 μ m。另外，作為評價(jià)試驗(yàn)1-3進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-2同樣的試驗(yàn)，測量 形成于下側(cè)垂直壁部35上的各磨損痕跡的深度。但是，在該評價(jià)試驗(yàn)1-3中，晶圓保持構(gòu) 件33與本實(shí)施方式相同由PEEK構(gòu)成。在晶圓保持構(gòu)件33上與實(shí)施方式同樣地形成有保護(hù) 膜41，其厚度與評價(jià)試驗(yàn)1-2相同為3 μ m。晶圓保持構(gòu)件33的往返移動次數(shù)為20萬次。另外，作為評價(jià)試驗(yàn)1-4進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-2同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁 部35上的磨損痕跡的深度。使晶圓保持構(gòu)件33往返移動的次數(shù)為1000萬次。形成于晶 圓保持構(gòu)件33各部上的保護(hù)膜41的厚度與評價(jià)試驗(yàn)1-2相同為3 μ m。
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作為評價(jià)試驗(yàn)1-5進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-3同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁部35 上的各磨損痕跡的深度。但是，在該評價(jià)試驗(yàn)1-5中，晶圓保持構(gòu)件33由與評價(jià)試驗(yàn)1-2 相同的規(guī)定樹脂構(gòu)成。在晶圓保持構(gòu)件33上與實(shí)施方式同樣地形成有保護(hù)膜41，其厚度為 8 μ m。晶圓保持構(gòu)件33的往返移動次數(shù)為1000萬次。作為評價(jià)試驗(yàn)1-6進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-4同樣的試驗(yàn)。但是，晶圓保持構(gòu)件33的往 返移動次數(shù)為1000萬次，磨損痕跡的測量部位為背面支承部34。作為評價(jià)試驗(yàn)1-7進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-3同樣的試驗(yàn)。但是，晶圓保持構(gòu)件33的往 返移動次數(shù)為1000萬次，磨損痕跡的測量部位為背面支承部34。作為評價(jià)試驗(yàn)1-8進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-5同樣的試驗(yàn)。但是，晶圓保持構(gòu)件33的往 返移動次數(shù)為1000萬次，磨損痕跡的測量部位為背面支承部34。圖17表示評價(jià)試驗(yàn)1-1 1-8的結(jié)果，針對每個(gè)評價(jià)試驗(yàn)分別以斜線坐標(biāo)圖表示 最大磨損痕跡的深度，以標(biāo)有許多點(diǎn)的坐標(biāo)圖表示各磨損痕跡的深度的平均值。另外，在各 坐標(biāo)圖上表示結(jié)果的數(shù)值，該數(shù)值單位為μ m。比較評價(jià)試驗(yàn)1-1的結(jié)果和評價(jià)試驗(yàn)1-2的 結(jié)果，評價(jià)試驗(yàn)1-2的最大磨損痕跡深度、磨損痕跡的平均值均較小。因而，由這些評價(jià)試 驗(yàn)1-1及1-2的結(jié)果顯示出像本實(shí)施方式中說明的那樣，通過形成保護(hù)膜41，能提高晶圓 保持構(gòu)件33的下側(cè)垂直壁部35的耐磨損性。另外，評價(jià)試驗(yàn)1-4與評價(jià)試驗(yàn)1-1相比，雖 然在評價(jià)試驗(yàn)1-4中晶圓W對下側(cè)垂直壁部35的沖撞次數(shù)較多，但最大磨損痕跡深度及磨 損痕跡深度的平均值卻是評價(jià)試驗(yàn)1-4的較小。因此，也顯示通過形成保護(hù)膜41能提高下 側(cè)垂直壁部35的耐磨損性。由評價(jià)試驗(yàn)1-3、1_5的結(jié)果可知，即使改變構(gòu)成晶圓保持構(gòu)件33的樹脂及保護(hù)膜 41的膜厚，其耐磨損性也高于評價(jià)試驗(yàn)1-1。另外，對于評價(jià)試驗(yàn)1-6 1-8，由于最大磨損 痕跡深度及磨損痕跡深度的平均值被抑制得較小，因此，一般認(rèn)為在背面支承部34上形成 保護(hù)膜41也是有效的。評價(jià)試驗(yàn)2作為評價(jià)試驗(yàn)2-1，向晶圓保持構(gòu)件33滴下磺酸的原液，使用顯微鏡測量所形成 的磨損痕跡(侵蝕痕跡)的深度。但是，在該晶圓保持構(gòu)件33上未形成保護(hù)膜41，而且，使 用替代PEEK樹脂而由評價(jià)試驗(yàn)1-1中采用的規(guī)定樹脂構(gòu)成的晶圓保持構(gòu)件33。作為評價(jià)試驗(yàn)2-2，對于與本實(shí)施方式同樣地在各部分上形成有保護(hù)膜41的晶圓 保持構(gòu)件33，與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣地向該保護(hù)膜41上滴下磺酸的原液，使用顯微鏡測量所 形成的磨損痕跡。晶圓保持構(gòu)件33采用與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣地由規(guī)定的樹脂構(gòu)成的、保護(hù) 膜41的厚度為1 μ m的材料。作為評價(jià)試驗(yàn)2-3，采用保護(hù)膜41的厚度為3μπι的晶圓保持構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià) 試驗(yàn)2-2同樣的試驗(yàn)。作為評價(jià)試驗(yàn)2-4，采用保護(hù)膜41的厚度為6 μ m的晶圓保持構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià) 試驗(yàn)2-2同樣的試驗(yàn)。作為評價(jià)試驗(yàn)2-5，采用層疊有第1保護(hù)膜和第2保護(hù)膜的晶圓保持構(gòu)件33進(jìn)行 與評價(jià)試驗(yàn)2-2同樣的試驗(yàn)。第1保護(hù)膜和第2保護(hù)膜的厚度分別為3 μ m，構(gòu)成第1保護(hù) 膜的各元素的比率和構(gòu)成第2保護(hù)膜的各元素的比率互不相同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-6，采用保護(hù)膜41的厚度為8 μ m的晶圓保持構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-2同樣的試驗(yàn)。作為評價(jià)試驗(yàn)2-7，采用由P EEK構(gòu)成的、形成有3μπι的保護(hù)膜41的晶圓保持構(gòu) 件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-2同樣的試驗(yàn)。構(gòu)成該保護(hù)膜41的各元素的比率與構(gòu)成評價(jià)試驗(yàn) 2-1 2-4、2-6的保護(hù)膜41的各元素的比率不同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-8，采用由PEEK構(gòu)成的、形成有3 μ m的保護(hù)膜41的晶圓保持構(gòu) 件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣的試驗(yàn)。構(gòu)成該保護(hù)膜41的元素的比率與構(gòu)成評價(jià)試驗(yàn) 2-1 2-4、2-6的保護(hù)膜41的各元素的比率不同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-9，采用由聚酰亞胺構(gòu)成的、形成有3μπι的保護(hù)膜41的晶圓保持 構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣的試驗(yàn)。構(gòu)成該保護(hù)膜41的元素的比率與構(gòu)成評價(jià)試驗(yàn) 2-7的保護(hù)膜41的各元素的比率不同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-10，采用由聚酰亞胺構(gòu)成的、形成有3 μ m的保護(hù)膜41的晶圓保持 構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣的試驗(yàn)。構(gòu)成該保護(hù)膜41的元素的比率與構(gòu)成評價(jià)試驗(yàn) 2-1 2-4、2-6的保護(hù)膜41的各元素的比率不同。圖18表示評價(jià)試驗(yàn)2-1 2-10的結(jié)果，與圖17同樣地針對每個(gè)評價(jià)試驗(yàn)分別以 斜線坐標(biāo)圖表示最大磨損痕跡的深度，以標(biāo)有許多點(diǎn)的坐標(biāo)圖表示各磨損痕跡的深度的平 均值。另外，在各坐標(biāo)圖上表示結(jié)果的數(shù)值，該數(shù)值單位為μ m。比較評價(jià)試驗(yàn)2-1的結(jié)果 和評價(jià)試驗(yàn)2-2 2-6的結(jié)果，評價(jià)試驗(yàn)2-2 2-6的最大磨損痕跡深度、磨損痕跡的平均 值均小于評價(jià)試驗(yàn)2-1。因而，由上述評價(jià)試驗(yàn)2-1 2-6的結(jié)果顯示出通過形成保護(hù)膜 41能提高抗酸性。在評價(jià)試驗(yàn)2-5中，未發(fā)現(xiàn)由保護(hù)膜41較薄導(dǎo)致的碳纖維脫落、由保護(hù)膜41過厚 導(dǎo)致的形成針孔，是特別理想的成膜狀態(tài)，由于最大磨損痕跡深度及磨損痕跡的平均值最 小，因此，可以說這樣地成膜特別理想。另外，對于評價(jià)試驗(yàn)2-7 2-10，最大磨損痕跡深度及磨損痕跡深度的平均值被 抑制得比較小。因而，由這些結(jié)果也可以看出形成保護(hù)膜41有助于提高抗侵蝕性。第2實(shí)施方式下面，根據(jù)圖21 圖30說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。另外，在圖21 圖30所示的第2實(shí)施方式中，對與圖1 圖18所示的第1實(shí)施 方式相同的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略詳細(xì)說明。如圖21及圖22(b)所示，在上述背面支承部34、下側(cè)垂直壁部35及傾斜部36的 表面上形成有兩層作為層疊膜的保護(hù)膜41。保護(hù)膜41由下層膜42和上層膜43構(gòu)成，這些 下層膜42和上層膜43由DLC(類金剛石)構(gòu)成，該DLC是由碳化氫或者碳的同素異形體構(gòu) 成的非晶質(zhì)的硬質(zhì)膜。圖中附圖標(biāo)記44是在成膜時(shí)形成于各膜42、43上的通孔(貫穿缺 陷)。由于DLC具有比上述基材40高的硬度，因此，具有較高的耐磨損性，對于各種藥液具 有較高的抗腐蝕性，而且，其摩擦系數(shù)低于基材40。由于上層膜43在交接晶圓W時(shí)及輸送晶圓W時(shí)與晶圓W相接觸，因此，為了獲得 由更低的摩擦系數(shù)、更高的平滑性、更高的硬度帶來的耐磨損性，上層膜43作為主要成分 由含有C(碳)、H(氫)及Si(硅)的DLC膜形成。另外，直接形成在基材40上的下層膜42 對于藥液具有較高的疏水性，為了防止該藥液浸透入基材40、獲得較高的抗腐蝕性，下層膜 42作為主要成分由含有C、H及F (氟)的DLC膜構(gòu)成。即，與下層膜42相比，上層膜43具有更低的摩擦系數(shù)、更高的平滑性及更高的硬度，與上層膜43相比，下層膜42具有較高的 疏水性。為了防止藥液經(jīng)由保護(hù)膜41與自基材40表面突出的碳纖維45的間隙被供給到 基材40，并且為了充分降低摩擦系數(shù)，保護(hù)膜41形成為覆蓋上述碳纖維45的前端，且具有 比該突出的前端的長度大的膜厚。另外，作為圖22(b)的保護(hù)膜41的厚度H1，若其厚度過 小，則膜的致密性較小，藥液有可能透過保護(hù)膜41而侵蝕基材40，若其厚度過大，則在如 后所述地晶圓W沖撞時(shí)，不會隨基材40而變形，導(dǎo)致其沖撞吸收性降低，因此，例如優(yōu)選為 1 μ m 10 μ m。另外，為了獲得充分的疏水性，下層膜42的厚度H2例如為1 μ m 3 μ m，為 了獲得充分的硬度，上層膜43的厚度H3例如為5 μ m 10 μ m。說明該晶圓保持構(gòu)件33的制造方法。向熔融的上述樹脂中混合許多個(gè)碳纖維45， 將該混合物填充入用于成形晶圓保持構(gòu)件33的模具46內(nèi)，然后在模具46內(nèi)使樹脂固化而 形成基材40。圖23(a)表示基材40與模具46的邊界，存在于該邊界附近的碳纖維45的 前端部因樹脂固化時(shí)的膨脹收縮等被模具46按壓而折彎成與模具46密接的狀態(tài)。另外， 與模具46內(nèi)表面的表面粗糙度等的形狀相應(yīng)地，有時(shí)在基材40的表面上形成微小的凹凸。 然后，如圖23(b)所示，自模具46拆下晶圓保持構(gòu)件33時(shí)，折彎的了碳纖維45的前端利用 欲向外方彈出的回彈力(碳纖維45的恢復(fù)力)或者根據(jù)模具46的內(nèi)表面形狀在晶圓保持 構(gòu)件33的表面立起，成為突出該表面的狀態(tài)。另外，在各圖中，以相同的粗度描畫纖維45 的突出于基材40表面的前端和埋入到基材40中的部分，但也存在上述前端被模具46壓扁 而使其直徑變得小于埋入到基材40中的部分的情況。之后，如圖23(c)所示，例如利用 PVD(Physical VaporDeposition)或者 CVD(Chemical Vapor D印osition)形成下層膜42。由于基材40的表面呈突出有碳纖維 45、形成有復(fù)雜的凹凸的狀態(tài)，因此，下層膜42因該凹凸而形成為錯綜復(fù)雜。因而，下層膜 42形成得相對于基材40的密接性較高。然后，如圖23(d)所示，利用PVD或者CVD形成上 層膜43而形成保護(hù)膜41。由于這樣地層疊膜，因此，即使在下層膜42中形成有通孔44，該 通孔44也會被上層膜43覆蓋，而且，即使在上層膜43中產(chǎn)生通孔44，在其下側(cè)也存在下層 膜42，從而，能夠防止因通孔44導(dǎo)致基材40的表面露出。例如在利用等離子CVD法形成上述DLC的保護(hù)膜41的情況下，作為原料氣體，采 用DLC形成通常所采用的甲烷(CH4)、乙燒(C2H6)、丙烷(C3H8)、丁烷(C4Hltl)、乙炔(C2H2)、苯 (C6H6)、四氟化碳(CF4)、六氟化二碳(C2F6)等碳化合物氣體。根據(jù)需要，向這些碳化合物氣 體中混合作為載體氣體的氫氣、惰性氣體等而將其供給到晶圓W來進(jìn)行成膜。在該例子中， 下層膜42通過向基材40供給含有碳、氫和氟的原料氣體而形成，上層膜43通過向基材40 供給含有碳、氫和硅的原料氣體而形成。接著，參照圖24對該輸送臂A3的晶圓輸送部3自設(shè)置于交接單元BF3中的載物 臺47接收晶圓W時(shí)的工藝進(jìn)行說明。晶圓輸送部3朝向載物臺47前進(jìn)，如圖24(a)所示 地位于被載置于該載物臺47上的晶圓W的下方側(cè)。之后，使晶圓輸送部3上升，如圖24(b) 所示地例如將晶圓W以下述狀態(tài)交接到晶圓輸送部3，上述狀態(tài)是指晶圓W的背面被4個(gè)晶 圓保持構(gòu)件33中的一部分晶圓保持構(gòu)件33的背面支承部34支承、而且晶圓W的周緣部位 于4個(gè)傾斜部36中的一部分傾斜部36上的傾斜的狀態(tài)。在這樣地將晶圓W交接到晶圓保持構(gòu)件33上時(shí)，由于傾斜部36及背面支承部34被保護(hù)膜41包覆，因此，能夠抑制由晶圓W的沖撞造成的破損。特別是，由于保護(hù)膜41的上 層膜43為了變得更硬質(zhì)而含有硅，因此，能夠更可靠地抑制破損。另外，此時(shí)，如圖25(a)、 (b)所示，即使在晶圓W的背面及側(cè)面的斜面部上附著有藥液的霧沫48，由于如上所述地將 保護(hù)膜41構(gòu)成為層疊膜，能防止因通孔44導(dǎo)致的基材40露出，因此，也能夠防止基材40暴 露在霧沫48中。另外，下層膜42為了獲得疏水性而含有氟，因此，即使霧沫48經(jīng)由上層膜 43的通孔44附著于下層膜42上，也能夠利用其疏水性防止霧沫48浸透入基材40，因此， 能夠更加可靠地防止霧沫48的化學(xué)性侵蝕。而且，由于保護(hù)膜41的摩擦系數(shù)較低，因此，晶圓W的周緣部在傾斜部36上迅速 地滑下，并且晶圓W在上述背面支承部34上滑動，如圖24(c)所示，晶圓W位于被下側(cè)垂直 壁部35包圍的支承區(qū)域30，且被水平地保持。之后，在晶圓保持構(gòu)件33沿水平方向移動時(shí)，晶圓W因慣性力而在背面支承部34 上滑動，沖撞下側(cè)垂直壁部35。參照圖26說明此時(shí)下側(cè)垂直壁部35的情形。因該沖撞而 對晶圓保持構(gòu)件33施加有應(yīng)力，由樹脂構(gòu)成的基材40發(fā)生變形。此時(shí)，由于如上所述地在 碳纖維45上組入下層膜42而使該保護(hù)膜41相對于基材40的密接性形成得較高，因此，下 層膜42也隨基材40變形，上層膜43由于與下層膜42同為DLC，因此相對于下層膜42的 密接性較高，因此，追隨該下層膜42的變形而變形。通過保護(hù)膜41及基材40這樣地變形， 在下側(cè)垂直壁部35中應(yīng)力自晶圓W的沖撞部位分散，該分散的應(yīng)力在各部分被基材40吸 收(圖26(a)、(b))。然后，在應(yīng)力變?nèi)鯐r(shí)，基材40利用其恢復(fù)力恢復(fù)為原本的形狀，保護(hù) 膜41也隨基材40復(fù)原(圖26 (c))。以下側(cè)垂直壁部35為例說明了應(yīng)力被吸收的情形，但對于背面支承部34及傾斜 部36來說，即使也同樣如上所述地交接晶圓W或者在晶圓W在其表面滑動時(shí)施加較強(qiáng)的應(yīng) 力，由于保護(hù)膜41相對于基材40的密接性形成得較高，因此，與下側(cè)垂直壁部35同樣地， 該應(yīng)力在背面支承部34及傾斜部36上也被廣泛地分散開。因而，能夠獲得較高的耐磨損 性。另外，對將晶圓W交接到晶圓保持構(gòu)件33上時(shí)能防止基材40暴露于藥液的霧沫 48中的情形進(jìn)行了說明，但例如像上述那樣，在輸送晶圓W的過程中，晶圓W沖撞下側(cè)垂直 壁部35時(shí)，也與交接晶圓W時(shí)同樣地能夠防止附著于晶圓W側(cè)面的霧沫48經(jīng)由通孔44附 著于下側(cè)垂直壁部35的基材40上，因此，能夠防止侵蝕。如上所述，晶圓輸送部3的晶圓保持構(gòu)件33包括用于保持該晶圓W的背面支承 部34;以晶圓W被該背面支承部34保持的方式引導(dǎo)晶圓W的傾斜部36 ；包圍晶圓W的側(cè)面， 用于限制晶圓W的位置的下側(cè)垂直壁部35，在這些背面支承部34、傾斜部36及下側(cè)垂直壁 部35的表面上形成有由DLC構(gòu)成的、由下層膜42和上層膜43組成的保護(hù)膜41。因而，即 使在各膜42、43中形成有作為貫穿缺陷的通孔44，只要它們不重合，構(gòu)成各部分的基材40 就不會露出，因此，能夠抑制基材40與藥液接觸而被化學(xué)性侵蝕。這樣，抗腐蝕性升高，結(jié) 果，能夠利用該晶圓輸送部3的支承區(qū)域30可靠地保持晶圓W，因此，能夠抑制在輸送過程 中晶圓W自晶圓輸送部3落下或者無法正常地將該晶圓W交接到載置該晶圓W的組件上。 另外，由于上述DLC的摩擦系數(shù)較低，因此，晶圓W易于在傾斜部36及背面支承部34上滑 動，能夠利用晶圓輸送部3的支承區(qū)域30可靠地保持晶圓W。另外，通過如上所述地做成用保護(hù)膜41覆蓋突出于基材40的碳纖維45的結(jié)構(gòu)，
23能夠提高保護(hù)膜41相對于基材40的密接性及保護(hù)膜41的強(qiáng)度，基材40吸收沖撞而能獲 得更高的耐磨損性，并且能抑制對晶圓W施加的沖撞，降低晶圓W的缺損(表面缺陷)等破 損。下層膜42、上層膜43例如可以分別構(gòu)成為作為主要成分由C和H構(gòu)成而不含有 F、Si的DLC膜，而且，也可以將下層膜42和上層膜43構(gòu)成為除作為主要成分含有C和H之 外、例如還含有Si及N(氮)的膜、含有Si及0(氧)的DLC膜、含有C、H、SiO2 WDLC膜。 上述N例如作為CN基包含在膜中。也可以是在下層膜42中作為主要成分含有C、H、Si，在 上層膜43中作為主要成分含有C、H、F，但優(yōu)選如上所述地將含有Si的、更硬質(zhì)且摩擦系數(shù) 更低的膜作為上層膜。并且，例如上層膜43及下層膜42也可以構(gòu)成為其主要成分彼此相同的膜。例如， 也可以將主要成分由C和H構(gòu)成的膜構(gòu)成為上層膜43和下層膜42，但在這種情況下，為了 抑制例如藥液浸透入基材40，優(yōu)選形成為使下層膜的致密性形成得高于上層膜的致密性， 而且，使上層膜具有比下層膜高的平滑性及比下層膜低的摩擦系數(shù)。另外，上層膜43、下層 膜42也可以由相同組成的膜構(gòu)成，保護(hù)膜41并不限定為兩層，也可以由3層以上層疊膜構(gòu) 成。如圖27(a)所示，上層膜43也可以不包覆整個(gè)下層膜42。另外，如圖27(b)所示， 自基材40突出的碳纖維45的前端也可以穿過下層膜42而到達(dá)上層膜43。另外，作為纖維 體的纖維，即使在樹脂的基材40中替代混入碳纖維而例如混入玻璃纖維，也能夠提高基材 40的強(qiáng)度及保護(hù)膜的密接性。但是，構(gòu)成保護(hù)膜41的材質(zhì)并不限定于DLC，只要對各種藥液具有較高的抗腐蝕 性或者較高的硬度即可，也可以采用SiC、AlN(氮化鋁)等陶瓷、石英構(gòu)件等。另外，例如 也可以由碳比率較高的、例如在聚碳酸酯等丙烯酸類樹脂中等質(zhì)地混合精制的碳化氫而成 的、耐磨損性較高的碳化氫樹脂形成保護(hù)膜41。該碳化氫樹脂的碳含有率例如為80%以 上。作為保護(hù)膜41，例如其維氏硬度優(yōu)選為1000 3000，就平滑性而言，Ra優(yōu)選為 0. 5nm 1. Onm,摩擦系數(shù)優(yōu)選為0. 2以下。另外，為了如上所述地對由樹脂構(gòu)成的基材成 膜，為了防止該基材變質(zhì)，優(yōu)選選擇能夠以例如200°C以下的低溫成膜的材質(zhì)。輸送臂A1、A2、A4及交接臂Dl的晶圓保持構(gòu)件也與該輸送臂A3的晶圓保持構(gòu)件 33同樣地構(gòu)成。接著，說明作為晶圓輸送部的另一例子的、設(shè)置于接口臂50上的晶圓輸送部5，參 照晶圓輸送部5的圖28(a)的俯視圖、圖28(b)的縱剖側(cè)視圖以晶圓輸送部5與晶圓輸送 部3的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。晶圓輸送部5支承于圖28(a)所示的轉(zhuǎn)動基體51，該轉(zhuǎn)動 基體51能向前后移動，轉(zhuǎn)動基體51與轉(zhuǎn)動基體27同樣地構(gòu)成為能自由升降及自由轉(zhuǎn)動。 另外，在轉(zhuǎn)動基體51上，在晶圓輸送部5的左右兩側(cè)設(shè)有用于對晶圓W進(jìn)行對位的按壓部 52，該按壓部52與上述轉(zhuǎn)動基體51 —同移動。該晶圓輸送部5包括形成為兩股叉狀的框架53 (參照圖12)，在該框架53的各前 端側(cè)設(shè)有晶圓保持構(gòu)件54，該晶圓保持構(gòu)件54經(jīng)過與晶圓保持構(gòu)件33同樣的制造工序，與 晶圓保持構(gòu)件33同樣地利用碳纖維45和由PEEK樹脂組成的基材40構(gòu)成。該晶圓保持構(gòu) 件54包括用于水平地支承晶圓W的背面支承部56和設(shè)置在該背面支承部56的前端側(cè)的垂直壁部57。背面支承部56及垂直壁部57被已述的保護(hù)膜41所覆蓋。垂直壁部57具有 在晶圓保持部54中限制晶圓W位置的作用。在框架53的基端側(cè)設(shè)有晶圓保持構(gòu)件61，該晶圓保持構(gòu)件61經(jīng)過與晶圓保持構(gòu) 件33同樣的制造工序，利用碳纖維45和由PEEK樹脂組成的基材40構(gòu)成(參照圖12)。該 晶圓保持構(gòu)件61包括用于水平地支承晶圓W背面的背面支承部62、設(shè)置在背面支承部62 的基端側(cè)的下側(cè)垂直壁部63、自上述基端側(cè)向前端側(cè)下降的傾斜部64。傾斜部64與傾斜 部36同樣地具有向背面支承部62引導(dǎo)晶圓W的作用。背面支承部62及下側(cè)垂直壁部63 被保護(hù)膜41所覆蓋。圖中附圖標(biāo)記60是被下側(cè)垂直壁部63和垂直壁部57包圍的晶圓W 的支承區(qū)域。另外，在圖12中，在被保護(hù)膜41覆蓋的部位標(biāo)注許多個(gè)點(diǎn)來表示。由框架53 和晶圓保持構(gòu)件54、61構(gòu)成的晶圓輸送部5構(gòu)成基板的支承構(gòu)件。參照圖13對晶圓輸送部5自設(shè)置于交接單元CPL12中的載物臺69接收晶圓W的 情形進(jìn)行說明。晶圓輸送部5朝向載物臺69前進(jìn)，在位于被載置于載物臺69上的晶圓W 的下側(cè)之后上升(圖13(a)、(b))，將晶圓W以被背面支承部56及傾斜部64支承的例如傾 斜的狀態(tài)交接到晶圓輸送部5(圖13(c))。之后，晶圓輸送部5后退，晶圓W的側(cè)面抵接于 按壓部52而被向晶圓輸送部5的前端方向按壓，晶圓W在傾斜部64上滑落而被背面支承 部56、62水平地支承(圖13(d))。晶圓W因慣性力在背面支承部56、62上滑動，抵接于垂 直壁部57而停止(圖13(e))。在這樣地將晶圓W交接輸送到晶圓輸送部5時(shí)，即使晶圓W 接觸該晶圓保持構(gòu)件54、61的各部分，也能夠利用保護(hù)膜41抑制構(gòu)成該保持構(gòu)件54、61的 基材40的化學(xué)性侵蝕及磨損。表示了接口臂50的晶圓輸送部5，但交接臂12的晶圓輸送部也與晶圓輸送部5同 樣地構(gòu)成?？梢詫⑦@些晶圓輸送部3、5的所有表面用保護(hù)膜41包覆，也可以將晶圓輸送部 5的按壓部52用保護(hù)膜41包覆。接著，說明設(shè)置于上述COT層B3的加熱組件21中的、構(gòu)成基板支承裝置的加熱板 7，參照作為其俯視圖的圖29(a)及作為其縱剖側(cè)視圖的圖29(b)進(jìn)行說明。加熱板7兼用 作載置晶圓W的載物臺，形成為扁平的圓形，在其圓周方向上沿加熱板7的厚度方向穿設(shè)有 3個(gè)孔(圖29(b)中僅圖示2個(gè))。在孔71內(nèi)設(shè)有利用升降機(jī)構(gòu)72升降的升降銷73，升降 銷73在加熱板7上突出或沒入。在加熱板7的內(nèi)部設(shè)有用于加熱晶圓W的加熱器。在加熱板7中，在孔71的外側(cè)沿圓周方向設(shè)有多個(gè)、在該例子中為4個(gè)作為背面 支承部的支承銷74。支承銷74具有使晶圓W自加熱板7表面浮起地支承晶圓W的作用。 另外，在加熱板7的周緣部設(shè)有用于防止晶圓W自加熱板7突出的許多個(gè)位置限制用銷75。 支承銷74及位置限制用銷75經(jīng)過與晶圓保持構(gòu)件33同樣的制造工序來制造。而且，支承 銷74及位置限制用銷75與晶圓保持構(gòu)件33同樣地利用碳纖維45和由PEEK樹脂組成的 基材40構(gòu)成，支承銷74及位置限制用銷75的表面被由下層膜42和上層膜43構(gòu)成的保護(hù) 膜41所包覆。參照圖30說明向該加熱板7交接晶圓W的工序。在將晶圓W交接到冷卻板24上 時(shí)，使冷卻板24向加熱板7移動，使升降銷73上升而支承晶圓W的背面(圖30(a))。然 后，在冷卻板24自加熱板7退避之后，使升降銷73下降，將晶圓W交接到支承銷74上(圖 30 (b))。此時(shí)，如圖30(c)所示，晶圓W在加熱板7與晶圓W背面之間的空氣的作用下在支承銷74上滑動，存在沖撞位置限制用銷75的情況。但是，與晶圓保持構(gòu)件33同樣地能夠 利用保護(hù)膜41防止這些支承銷74及位置限制用銷75磨損。另外，即使在晶圓W上附著有 藥液，也能夠利用保護(hù)膜41防止這些支承銷74及位置限制用銷75被化學(xué)性侵蝕。上述保護(hù)膜除上述各例子之外，還能夠應(yīng)用于所有與基板相接觸的接觸部。例如 也可以在成膜裝置、蝕刻裝置的用于載置基板的載物臺表面上形成上述保護(hù)膜41，或者設(shè) 置由保護(hù)膜41包覆的位置限制用銷75。另外，保護(hù)膜41也可以利用用于形成該保護(hù)膜的各種方法形成在晶圓保持構(gòu)件 33、54、61的各自的所有表面上，至少形成在基板接觸區(qū)域的部位即可。另外，作為構(gòu)成基材 40的樹脂，除PEEK之外，也可以采用公知的樹脂。評價(jià)試驗(yàn)1作為評價(jià)試驗(yàn)1-1，如圖16所示地沿圓周方向配置4個(gè)晶圓保持構(gòu)件33，將晶圓W 載置在晶圓保持構(gòu)件33的背面支承部34上。各晶圓保持構(gòu)件33與未圖示的驅(qū)動部相連 接，能夠在保持各晶圓保持構(gòu)件33的間隔的狀態(tài)下如圖中箭頭所示地沿水平方向往返移 動。另外，調(diào)整各晶圓保持構(gòu)件33的位置，使得晶圓保持構(gòu)件33的下側(cè)垂直壁部35自晶圓 W的側(cè)面分開一些。但是，在該晶圓保持構(gòu)件33上未形成在本實(shí)施方式中說明的由DLC構(gòu) 成的保護(hù)膜41。另外，在該試驗(yàn)中采用的晶圓保持構(gòu)件33替代本實(shí)施方式中說明的PEEK 樹脂而由規(guī)定的樹脂構(gòu)成。在上述樹脂中，與本實(shí)施方式同樣地混入有碳纖維。載置晶圓W 之后，使晶圓保持構(gòu)件33往返移動20萬次，使晶圓W沖撞晶圓保持構(gòu)件33的下側(cè)垂直壁 部35。之后，使用顯微鏡測量形成于下側(cè)垂直壁部35上的磨損痕跡的深度。接著，作為評價(jià)試驗(yàn)1-2進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-1同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁 部35上的磨損痕跡的深度。但是，在該評價(jià)試驗(yàn)1-2所采用的晶圓保持構(gòu)件33中，在與本 實(shí)施方式同樣的各部分上形成有由DLC構(gòu)成的保護(hù)膜，但該保護(hù)膜不層疊而是單層，其厚 度為3μπι。另外，作為評價(jià)試驗(yàn)1-3進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-2同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁 部35上的各磨損痕跡的深度。但是，在該評價(jià)試驗(yàn)1-3中，晶圓保持構(gòu)件33與本實(shí)施方式 相同由PEEK構(gòu)成。在晶圓保持構(gòu)件33中與實(shí)施方式同樣地形成有保護(hù)膜41，其厚度與評 價(jià)試驗(yàn)1-2相同為3 μ m。晶圓保持構(gòu)件33的往返移動次數(shù)為20萬次。另外，作為評價(jià)試驗(yàn)1-4進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-2同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁 部35上的磨損痕跡的深度。使晶圓保持構(gòu)件33往返移動的次數(shù)為1000萬次。形成于晶 圓保持構(gòu)件33的各部分上的保護(hù)膜41的厚度與評價(jià)試驗(yàn)1-2相同為3 μ m。作為評價(jià)試驗(yàn)1-5進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-3同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁部35 上的各磨損痕跡的深度。但是，在該評價(jià)試驗(yàn)1-5中，晶圓保持構(gòu)件33由與評價(jià)試驗(yàn)1-2 相同的規(guī)定樹脂構(gòu)成。與評價(jià)試驗(yàn)1-2同樣地形成于晶圓保持構(gòu)件33上的由DLC構(gòu)成的 保護(hù)膜為單層，其厚度為8μπι。晶圓保持構(gòu)件33的往返移動次數(shù)為1000萬次。作為評價(jià)試驗(yàn)1-6進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-4同樣的試驗(yàn)。但是，晶圓保持構(gòu)件33的往 返移動次數(shù)為1000萬次，磨損痕跡的測量部位為背面支承部34。作為評價(jià)試驗(yàn)1-7進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-3同樣的試驗(yàn)。但是，晶圓保持構(gòu)件33的往 返移動次數(shù)為1000萬次，磨損痕跡的測量部位為背面支承部34。作為評價(jià)試驗(yàn)1-8進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-5同樣的試驗(yàn)。但是，晶圓保持構(gòu)件33的往返移動次數(shù)為1000萬次，磨損痕跡的測量部位為背面支承部34。評價(jià)試驗(yàn)1-1 1-8的結(jié)果與圖17所示的第1實(shí)施方式的結(jié)果相同。在圖17中， 針對每個(gè)評價(jià)試驗(yàn)分別以斜線坐標(biāo)圖表示最大磨損痕跡的深度，以標(biāo)有許多點(diǎn)的坐標(biāo)圖表 示各磨損痕跡的深度的平均值。另外，在各坐標(biāo)圖上表示結(jié)果的數(shù)值，該數(shù)值單位為μπι。 比較評價(jià)試驗(yàn)1-1的結(jié)果和評價(jià)試驗(yàn)1-2的結(jié)果，評價(jià)試驗(yàn)1-2的最大磨損痕跡深度、磨損 痕跡的平均值均較小。因而，由這些評價(jià)試驗(yàn)1-1及1-2的結(jié)果可知，通過形成保護(hù)膜能提 高晶圓保持構(gòu)件33的下側(cè)垂直壁部35的耐磨損性。另外，與評價(jià)試驗(yàn)1-1相比，在評價(jià)試 驗(yàn)1-4中，晶圓W對下側(cè)垂直壁部35的沖撞次數(shù)較多，但評價(jià)試驗(yàn)1-4的最大磨損痕跡深 度及磨損痕跡深度的平均值卻較小。因此，也顯示出通過形成保護(hù)膜41能提高下側(cè)垂直壁 部35的耐磨損性。由評價(jià)試驗(yàn)1-3、1_5的結(jié)果可知，即使改變構(gòu)成晶圓保持構(gòu)件33的樹脂及保護(hù)膜 的膜厚，其耐磨損性也高于評價(jià)試驗(yàn)1-1。另外，對于評價(jià)試驗(yàn)1-6 1-8，由于最大磨損痕 跡深度及磨損痕跡深度的平均值被抑制得較小，因此，一般認(rèn)為在背面支承部34上形成保 護(hù)膜也是有效的。評價(jià)試驗(yàn)2作為評價(jià)試驗(yàn)2-1，向晶圓保持構(gòu)件33滴下磺酸的原液，使用顯微鏡測量所形成 的磨損痕跡(侵蝕痕跡)的深度。但是，在該晶圓保持構(gòu)件33上未形成保護(hù)膜41，而且，使 用替代PEEK樹脂而由評價(jià)試驗(yàn)1-1中采用的規(guī)定樹脂構(gòu)成的晶圓保持構(gòu)件33。作為評價(jià)試驗(yàn)2-2，對于在與實(shí)施方式同樣的各部分上形成有保護(hù)膜的晶圓保持 構(gòu)件33，與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣地向該保護(hù)膜上滴下磺酸的原液，使用顯微鏡測量所形成的 磨損痕跡。但是，該評價(jià)試驗(yàn)2-2所采用的保護(hù)膜與評價(jià)試驗(yàn)2-2同樣地為單層且由DLC 構(gòu)成，其厚度為1 μ m。晶圓保持構(gòu)件33與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣地由規(guī)定的樹脂構(gòu)成。作為評價(jià)試驗(yàn)2-3進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-2同樣的試驗(yàn)。在該評價(jià)試驗(yàn)2_3中形成于 晶圓保持構(gòu)件上的保護(hù)膜也為單層，其厚度為3μπι。作為評價(jià)試驗(yàn)2-4，進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-2同樣的試驗(yàn)。在該評價(jià)試驗(yàn)2_3中形成于 晶圓保持構(gòu)件上的保護(hù)膜也為單層，其厚度為6μπι。作為評價(jià)試驗(yàn)2-5，采用形成有在上述實(shí)施方式中說明的、由下層膜42和上層膜 43構(gòu)成的保護(hù)膜41的晶圓保持構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-2同樣的試驗(yàn)。下層膜42、上層 膜43的厚度分別為3 μ m,構(gòu)成第1保護(hù)膜的各元素的比率和構(gòu)成第2保護(hù)膜的各元素的比 率互不相同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-6進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-2同樣的試驗(yàn)。在該評價(jià)試驗(yàn)2_3中形成于 晶圓保持構(gòu)件上的保護(hù)膜也為單層，其厚度為6μπι。作為評價(jià)試驗(yàn)2-7，采用由PEEK構(gòu)成的晶圓保持構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2_2同 樣的評價(jià)試驗(yàn)。在該評價(jià)試驗(yàn)2-3中形成于晶圓保持構(gòu)件上的保護(hù)膜也為單層，其厚度為 3 μπι。構(gòu)成在該評價(jià)試驗(yàn)2-7中形成于晶圓保持構(gòu)件33上的保護(hù)膜的各元素的比率與構(gòu) 成評價(jià)試驗(yàn)2-1 2-4、2-6的保護(hù)膜的各元素的比率不同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-8，采用由PEEK構(gòu)成的晶圓保持構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2_2同 樣的評價(jià)試驗(yàn)。在該評價(jià)試驗(yàn)2-3中形成于晶圓保持構(gòu)件上的保護(hù)膜也為單層，其厚度為 3μπι。構(gòu)成在該評價(jià)試驗(yàn)2-8中形成于晶圓保持構(gòu)件33上的保護(hù)膜的各元素的比率與構(gòu)
27成評價(jià)試驗(yàn)2-1 2-4、2_6的保護(hù)膜的各元素的比率相同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-9，采用由聚酰亞胺構(gòu)成的晶圓保持構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2_2 同樣的評價(jià)試驗(yàn)。在該評價(jià)試驗(yàn)2-9中形成于晶圓保持構(gòu)件上的保護(hù)膜也為單層，其厚度 為3 μ m。構(gòu)成在該評價(jià)試驗(yàn)2-9中形成于晶圓保持構(gòu)件33上的保護(hù)膜的各元素的比率與 構(gòu)成評價(jià)試驗(yàn)2-7的保護(hù)膜的各元素的比率相同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-10，采用由聚酰亞胺構(gòu)成的晶圓保持構(gòu)件33進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2_2 同樣的評價(jià)試驗(yàn)。在該評價(jià)試驗(yàn)2-10中形成于晶圓保持構(gòu)件上的保護(hù)膜也為單層，其厚度 為3 μ m。構(gòu)成在該評價(jià)試驗(yàn)2-10中形成于晶圓保持構(gòu)件33上的保護(hù)膜的各元素的比率與 構(gòu)成評價(jià)試驗(yàn)2-1 2-4、2-6的保護(hù)膜41的各元素的比率相同。評價(jià)試驗(yàn)2-1 2-10的結(jié)果與圖18所示的第1實(shí)施方式的結(jié)果相同。在圖18中， 針對每個(gè)評價(jià)試驗(yàn)分別以斜線坐標(biāo)圖表示最大磨損痕跡的深度，以標(biāo)有許多點(diǎn)的坐標(biāo)圖表 示各磨損痕跡的深度的平均值。另外，在各坐標(biāo)圖上表示結(jié)果的數(shù)值，該數(shù)值單位為μπι。 對于最大磨損痕跡深度及磨損痕跡的平均值，形成有層疊的保護(hù)膜41的評價(jià)試驗(yàn)2-5小于 形成有單層保護(hù)膜的評價(jià)試驗(yàn)2-2 2-4、2-6 2-10及未形成保護(hù)膜的評價(jià)試驗(yàn)2_1。因 而，像本實(shí)施方式中說明的那樣地將保護(hù)膜做成層疊構(gòu)造，有助于提高對藥液的抗腐蝕性。第3實(shí)施方式下面，參照圖31 圖44說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。說明將本發(fā)明的液體處理裝置應(yīng)用于抗蝕劑涂敷裝置的實(shí)施方式。如圖31所示， 抗蝕劑涂敷裝置包括旋轉(zhuǎn)卡盤(真空卡盤)213和用于向該旋轉(zhuǎn)卡盤213上的晶圓W供給 處理液例如抗蝕液的、作為處理液供給部件的抗蝕劑噴嘴27，上述旋轉(zhuǎn)卡盤213由作為基 板載置部的大致圓板狀的平臺211和與該平臺211的下表面中央部相連接的旋轉(zhuǎn)軸212構(gòu) 成，上述平臺211從背面?zhèn)日婵瘴交謇绨雽?dǎo)體晶圓(以下稱作“晶圓”)W并水平地保 持該基板例如半導(dǎo)體晶圓W。在該旋轉(zhuǎn)軸212的下端側(cè)連接有使該旋轉(zhuǎn)軸212繞鉛垂軸線 自由旋轉(zhuǎn)及自由升降地支承該旋轉(zhuǎn)軸212的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部214。圖31中的附圖標(biāo)記210是容 納旋轉(zhuǎn)卡盤213的處理容器(殼體)，例如在處理容器210的下方側(cè)，通過形成在旋轉(zhuǎn)卡盤 213的內(nèi)部區(qū)域中的吸引通路231連接有吸引泵215，該吸引泵215是用于從背面?zhèn)任?圓W的吸附保持部件。該圖31中的附圖標(biāo)記215a是為了吸附保持晶圓W及解除吸附保持 而設(shè)置于吸引通路231中的泄漏閥。在該處理容器210中，在頂面設(shè)有用于向該處理容器 210的內(nèi)部供給清潔氣體的風(fēng)機(jī)過濾單元(FFU) 216，在底面連接有用于對處理容器210內(nèi) 的氣氛進(jìn)行排氣的排氣管217，通過自上述風(fēng)機(jī)過濾單元216供氣以及由排氣管217排氣， 在處理容器210內(nèi)形成有下降氣流。另外，圖31中的附圖標(biāo)記210a是用于向該處理容器 210內(nèi)搬入晶圓W及自處理容器210內(nèi)搬出晶圓W的輸送口，附圖標(biāo)記210b是用于開閉輸 送口的閘門。參照圖32及圖33詳細(xì)說明上述平臺211。該平臺211的直徑尺寸例如形成為 130mm，構(gòu)成為從背面?zhèn)任奖３滞庑纬叽缋鐬?00mm的晶圓W的內(nèi)周側(cè)中央部。如圖 32(a)、(b)所示，與形成在旋轉(zhuǎn)軸212內(nèi)的上述吸引通路231相連通的吸引孔221在平臺 211的上表面中央開口，而且，在平臺211的上表面211a上的多個(gè)部位例如3個(gè)部位，以同 心圓狀配置沿著平臺211的圓周方向形成的環(huán)狀構(gòu)件222。這3個(gè)環(huán)狀構(gòu)件222的上表面 構(gòu)成用于吸附保持晶圓W的基板保持面(基板載置面)，形成為相同的高度，以能夠水平地保持晶圓W。在這3個(gè)環(huán)狀構(gòu)件222中的內(nèi)周側(cè)的兩個(gè)環(huán)狀構(gòu)件222上，在圓周方向上的多 個(gè)部位、例如4個(gè)部位分別等間隔地設(shè)有沿著整個(gè)上下方向形成的切口部223，當(dāng)將晶圓W 載置在平臺211上并且自吸引孔221吸引晶圓W的背面?zhèn)鹊臍夥諘r(shí)，如該圖32(a)中箭頭 所示，平臺211與晶圓W背面之間的氣氛經(jīng)由切口部223從外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)的吸引孔221 流通，晶圓W被吸附保持在平臺211上。另外，平臺211由PEEK (聚醚醚酮)、PBI (聚苯并咪唑)、PP (聚丙烯)或者PTFE (聚 四氟乙烯)等樹脂、該例子中為PEEK構(gòu)成。如圖33所示，在平臺211的內(nèi)部，作為纖維體埋 設(shè)有例如由長度尺寸為0. Imm 6mm左右、直徑尺寸例如為7 μ m左右的例如碳、玻璃或者 樹脂、該例子中為碳構(gòu)成的許多個(gè)纖維224。該纖維224為了提高平臺211的強(qiáng)度而混入， 例如通過在軟化(熔融)的樹脂中浸漬纖維224而形成混合物并將該混合物例如注入到模 具內(nèi)而使其固化來成形。因此，存在因樹脂固化時(shí)的膨脹收縮等而以纖維224被模具內(nèi)表 面向樹脂側(cè)按壓的狀態(tài)、折彎的狀態(tài)成形的情況，或者與模具內(nèi)表面的表面粗糙度相應(yīng)地 在表面形成微小的凹凸，因此，埋設(shè)在該平臺211內(nèi)的纖維224利用自模具取出樹脂(平臺 211)時(shí)欲向外方伸出的反彈力或者與模具的內(nèi)表面形狀相應(yīng)地，其端部自該平臺211的表 面例如突出1 5μπι左右。在平臺211的表面，以覆蓋上表面211a、側(cè)周面211b及下表面211c的方式涂覆 有由類金剛石(DLC)膜等構(gòu)成的保護(hù)膜225，該保護(hù)膜225由形成為覆蓋上表面211a側(cè)的 上層保護(hù)膜226和從下表面211c側(cè)到側(cè)周面211b地形成的下層保護(hù)膜227構(gòu)成。這些 保護(hù)膜226、227例如在平臺211的側(cè)周面211b與上表面211a的邊界附近無縫地(平臺 211的表面不露出地)相連接。該保護(hù)膜225例如采用含有碳、氫等的原料氣體、利用等離 子 CVD (Chemical Vapor Deposition) PVD (PhysicalVapor D印osition)法等在例如 200°C以下的低溫形成，例如分別形成于上表面211a、側(cè)周面211b及下表面211c上。具體 地講，例如在等離子CVD用處理容器內(nèi)，使平臺211的上表面211a朝向上方(原料氣體的 供給側(cè))地配置平臺211，在上表面211a上形成保護(hù)膜226，接著，將上下表面顛倒而在平 臺211的下表面211c上形成保護(hù)膜227。之后，使平臺211橫倒，一邊使平臺211繞軸線旋 轉(zhuǎn)一邊在側(cè)周面211b上進(jìn)行保護(hù)膜227的處理。這樣，例如上層保護(hù)膜226由含有碳和氫 而不含有硅的原料氣體形成，下層保護(hù)膜227由含有碳、氫及氟的原料氣體形成。這些保護(hù) 膜226、227是物性與金剛石相似的膜，具體地講，例如硬度為1000 3000Hv，固有電阻率 為1.0X IO6 IO14 Ω ·αιι，表面粗糙度Ra為0. 5 l.Onm、例如0. 7nm左右。另外，下層保 護(hù)膜227如上所述地含有氟，因此，摩擦系數(shù)極小，為0. 05 0. 2左右，而且，相對于有機(jī)溶 劑、水溶液的疏水性升高。這些保護(hù)膜226、227以埋入(覆蓋)有自平臺211的表面朝向 外方突出的纖維224的方式形成為膜厚為1 20 μ m左右。因而，該保護(hù)膜225借助纖維 224利用所謂的錨固效應(yīng)牢固地粘著在平臺211的表面上。返回到上述抗蝕劑涂覆裝置的說明，如上述圖31所示，在旋轉(zhuǎn)卡盤213的上方設(shè) 有用于向該旋轉(zhuǎn)卡盤213上的晶圓W表面噴出處理液(涂敷液)例如抗蝕液的、作為處理 液供給部件的抗蝕劑噴嘴271 ；用于噴出溶解液例如稀薄劑的溶劑噴嘴272，這些噴嘴271、 272利用未圖示的臂，能從晶圓W的中心部到周緣部地沿著晶圓W的半徑方向水平自由移動 及自由升降。另外，在這些噴嘴271、272上，分別通過抗蝕液供給管273及溶劑供給管274 分別連接有抗蝕液供給源275及溶劑供給源276。
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另外，在旋轉(zhuǎn)卡盤213的周圍設(shè)有處理杯233，該處理杯233包括以與吸附保持 在該旋轉(zhuǎn)卡盤213上的晶圓W的背面周緣部相對的方式配置的內(nèi)側(cè)杯240、從側(cè)方側(cè)及下方 側(cè)包圍該內(nèi)側(cè)杯240地設(shè)置的中間杯250、配置在該中間杯250上方的外側(cè)杯260。內(nèi)側(cè)杯240用于將自晶圓W的周緣部流下的處理液等引導(dǎo)到后述的排液通路252 中，內(nèi)側(cè)杯240由環(huán)狀的傾斜部241和環(huán)狀的垂直壁242構(gòu)成；上述傾斜部241自與吸附 保持在旋轉(zhuǎn)卡盤213上的晶圓W的外緣部相對的部位朝向外側(cè)地向下方傾斜；上述垂直壁 242自該傾斜部241的下端側(cè)向下方延伸。在該內(nèi)側(cè)杯240的上端部，在形成為與旋轉(zhuǎn)卡盤 213上的晶圓W的周緣部相對的、以環(huán)狀突出的突出部244中嵌入有斜面清洗噴嘴245，該 斜面清洗噴嘴245是用于自下方內(nèi)周側(cè)朝向晶圓W的背面周緣部噴出溶解液、例如稀薄劑 的溶解液供給部件，該斜面清洗噴嘴245例如與旋轉(zhuǎn)卡盤213上的晶圓W的直徑方向相對 地配置在2個(gè)部位。該斜面清洗噴嘴245在鋪設(shè)于后述的圓板243上的導(dǎo)軌246上，能夠 沿著旋轉(zhuǎn)卡盤213上的晶圓W的半徑方向水平地進(jìn)退。圖31中的附圖標(biāo)記247是形成于 斜面清洗噴嘴245上的噴出口，附圖標(biāo)記248是用于自處理容器210的外側(cè)向斜面清洗噴 嘴245供給溶解液的供給通路。另外，在圖31中，對于內(nèi)側(cè)杯240，在右側(cè)描畫出設(shè)有斜面 清洗噴嘴245的部位，在左側(cè)描畫出未設(shè)置斜面清洗噴嘴245的部位。在平臺211的下方側(cè)以包圍旋轉(zhuǎn)軸212的方式配置有圓板243，該圓板243形成 為與旋轉(zhuǎn)卡盤213上的晶圓W大致相同的直徑，上述內(nèi)側(cè)杯240在內(nèi)周側(cè)支承于圓板243。 另外，如后所述，在該圓板243中形成有用于噴出落下到該圓板243上的處理液等的漏液管 的排出口(均未圖示)。中間杯250形成為在整個(gè)圓周方向上以凹狀覆蓋內(nèi)側(cè)杯240的垂直壁242而成為 液體接受部251，在該液體接受部251的下表面，為了排出處理液而例如連接著自處理容器 210的下方側(cè)伸出的排液通路252的一端側(cè)。在該液體接受部251的底面的內(nèi)周側(cè)，為了對 處理容器210內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣而連接著自處理容器210的下方側(cè)貫穿該液體接受部251 的底面而延伸到上方的兩條排氣通路253，這些排氣通路253在接近內(nèi)側(cè)杯240的傾斜部 241的下端位置的位置開口。垂直壁242外側(cè)的中間杯250的上端緣以接近旋轉(zhuǎn)卡盤213 上的晶圓W周緣部的方式，在整個(gè)圓周方向上以錐形狀伸出而成為傾斜構(gòu)件254。在該傾斜 構(gòu)件254的下端側(cè)，在整個(gè)圓周方向上的多個(gè)部位設(shè)有用于將晶圓W上方側(cè)的氣氛與朝向 上述排氣通路253排出的氣流一同排出的開口部255。外側(cè)杯260是配置在上述傾斜構(gòu)件254的外周緣上的大致環(huán)狀的構(gòu)件，為了降低 晶圓W旋轉(zhuǎn)時(shí)周圍氣流的紊亂，使其上端緣以錐形狀縮徑為在整個(gè)圓周方向上覆蓋旋轉(zhuǎn)卡 盤213上的晶圓W上方側(cè)的氣氛。另外，如圖31所示，在該抗蝕劑涂敷裝置中設(shè)有控制部281，該控制部281包括未 圖示的CPU、存儲器、程序。于是，通過自該控制部281向抗蝕劑涂敷裝置的各部分輸出控制 信號而輸入程序，以進(jìn)行后述的抗蝕劑膜涂敷處理等液處理、輸送晶圓W。該程序例如容納 于硬盤、微型磁盤、磁性光盤、存儲卡等存儲介質(zhì)中，安裝于計(jì)算機(jī)中。接著，說明上述實(shí)施方式的作用。首先，利用未圖示的輸送臂將晶圓W搬入到處理 容器210內(nèi)，如圖34 (a)所示地使旋轉(zhuǎn)卡盤213上升，如圖34 (b)所示地接收晶圓W并進(jìn)行 真空吸附。此時(shí)，通過吸附晶圓W，將晶圓W大力地按壓于平臺211。接著，使旋轉(zhuǎn)卡盤213下降而將晶圓W容納在處理杯233內(nèi)，并且，使未圖示的輸
30送臂退避而關(guān)閉閘門210b，使晶圓W以規(guī)定的轉(zhuǎn)速、例如幾千rpm旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，若欲利用旋 轉(zhuǎn)卡盤213使晶圓W旋轉(zhuǎn)，則由于晶圓W欲保持停止的狀態(tài)，在平臺211與晶圓W之間產(chǎn)生 很大的摩擦力，平臺211的上表面與晶圓W的背面會稍稍滑動(磨合)。另外，通過這樣地 使平臺211以高轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，構(gòu)成該平臺211的樹脂會因離心力而稍稍撓曲或變形，但由于借 助纖維224利用所謂的錨固效應(yīng)在平臺211上牢固地粘著有保護(hù)膜225，因此，能夠追隨平 臺211的形狀而經(jīng)得住微小的變形。接著，使溶劑噴嘴272從待機(jī)位置移動到晶圓W上方的規(guī)定位置，如圖35 (a)所 示，自溶劑噴嘴272向晶圓W供給稀薄劑，利用稀薄劑使晶圓W的表面濕潤，從而進(jìn)行調(diào)整 為使之后涂敷的抗蝕液易于在晶圓W上伸展開的環(huán)境的預(yù)濕處理。從晶圓W的外周緣甩下 的稀薄劑經(jīng)由傾斜部241及垂直壁242被從排液通路252排出，而且，與稀薄劑一同流通到 下方來的處理容器210內(nèi)的氣氛經(jīng)由液體接受部251被從排氣通路253排出。此時(shí)，被供 給到晶圓W上的稀薄劑為微小的液滴、霧沫，如圖35(a)所示，被供給到晶圓W上的稀薄存 在未被排出到排液通路252、排氣通路253而經(jīng)由晶圓W的側(cè)方區(qū)域極少量地進(jìn)入到晶圓W 的背面?zhèn)鹊那闆r。這樣，稀薄劑的霧沫等進(jìn)入到晶圓W的背面?zhèn)葧r(shí)，如圖35(b)所示，存在 稀薄劑的霧沫附著于平臺211的側(cè)面、背面的保護(hù)膜227上的情況。之后，使溶劑噴嘴272退避到待機(jī)位置，并且，使抗蝕劑噴嘴271移動到晶圓W上 方的規(guī)定位置，使晶圓W的轉(zhuǎn)速上升至規(guī)定值。由于這樣地改變晶圓W的轉(zhuǎn)速，同樣地晶 圓W和平臺211之間會產(chǎn)生稍稍滑動。然后，自抗蝕劑噴嘴271向晶圓W的中心部噴出抗 蝕液，如圖36(a)所示，抗蝕液利用由晶圓W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力自中心部朝向周緣部伸展， 并且，多余的抗蝕液被從晶圓W的表面甩下。被從晶圓W的表面甩下的多余的抗蝕液自排 液通路252排出，但存在霧沫極少量地經(jīng)由晶圓W的側(cè)方區(qū)域而進(jìn)入、同樣地附著于平臺 211 (保護(hù)膜227)的側(cè)周面、背面的情況。然后，在抗蝕液涂敷處理結(jié)束之后，使抗蝕劑噴 嘴271退避到規(guī)定的待機(jī)位置，之后，使晶圓W旋轉(zhuǎn)規(guī)定的時(shí)間而謀求抗蝕劑膜的膜厚均勻 化，并且，將抗蝕液烘干而形成抗蝕劑膜290。接著，使晶圓W的轉(zhuǎn)速瞬間下降至例如700rpm，自斜面清洗噴嘴245向晶圓W的周 緣部噴出作為溶解液(清洗液)的溶劑、例如稀薄劑，進(jìn)行背面沖洗處理。如圖36(b)所示， 溶解液從晶圓W背面?zhèn)鹊男泵娌窟M(jìn)入到表面?zhèn)鹊男泵娌浚箍刮g液膜的周緣部的規(guī)定寬度 被清洗(切割)。然后，自斜面清洗噴嘴245噴出的稀薄劑、溶解于該稀薄劑的抗蝕液被從 排液通路252排出。此時(shí)，由于如上所述地使晶圓W的轉(zhuǎn)速瞬間下降至例如700rpm左右， 因此，經(jīng)由晶圓W的背面、平臺211的下方區(qū)域而被壓縮后的空氣被釋放，與晶圓W上表面 側(cè)的氣氛相比，其背面?zhèn)鹊臍夥諘簳r(shí)變得負(fù)壓較大。因而，與進(jìn)行預(yù)濕處理、抗蝕劑膜290 的涂敷處理時(shí)相比，在進(jìn)行該背面沖洗處理時(shí)，有可能發(fā)生霧沫進(jìn)入到平臺211側(cè)。然后，在將稀薄劑烘干規(guī)定時(shí)間之后，使晶圓W停止旋轉(zhuǎn)，按照與搬入時(shí)相反的順 序從抗蝕劑涂敷裝置搬出晶圓W。即使在使晶圓W停止旋轉(zhuǎn)時(shí)，由于利用平臺211使欲保持 旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的晶圓W停止，因此，也會在晶圓W與平臺211之間產(chǎn)生滑動。接著，搬入下一個(gè)晶圓W，同樣地進(jìn)行預(yù)濕處理、抗蝕劑膜290的涂敷處理及背面 沖洗處理，而且，在平臺211 (保護(hù)膜227)的側(cè)周面及背面隨時(shí)間的經(jīng)過還是會附著有微小 量的稀薄劑、抗蝕液的霧沫。若這樣地在批量生產(chǎn)工廠的基板處理過程中處理晶圓W，則在 交接晶圓W時(shí)、吸附時(shí)或者晶圓W旋轉(zhuǎn)時(shí)，每次都會在旋轉(zhuǎn)卡盤213與晶圓W之間產(chǎn)生摩擦、滑動，但由于在平臺211的表面形成有保護(hù)膜226，因此，能夠抑制平臺211磨損、損傷。另 外，由于保護(hù)膜225借助纖維224利用所謂的錨固效應(yīng)牢固地粘著在平臺211上，因此，即 使在處理許多張晶圓W的期間里例如平臺211反復(fù)發(fā)生變形，也每次都能夠追隨平臺211 的形狀而變形，因此，能夠抑制膜剝離、破損。并且，通過對許多張晶圓W進(jìn)行處理會使附著于平臺211 (保護(hù)膜227)上的霧沫 的量積蓄起來，如圖37所示地成為例如有機(jī)溶劑的很大的液滴、積存液285。此時(shí)，由于在 平臺211的側(cè)周面及背面的表面上形成有保護(hù)膜227，因此，積存液285不會接觸到平臺 211。另外，由于自平臺211的表面突出的纖維224被保護(hù)膜227覆蓋，因此，同樣不會接觸 于積存液285。并且，由于在該保護(hù)膜227中如上所述地含有氟，保護(hù)膜227的疏水性較高， 因此，積存液285會立即成為液滴而落到下方。因而，即使在保護(hù)膜227的表面上形成有積 存液285，積存液285與保護(hù)膜227也不會長時(shí)間接觸。自保護(hù)膜227落下的積存液285被 從形成于圓板243上的未圖示的漏液管排出。采用上述實(shí)施方式，在將晶圓W吸附保持于旋轉(zhuǎn)卡盤213上時(shí)，為了提高平臺211 的強(qiáng)度而在內(nèi)部混合纖維224地進(jìn)行成形時(shí)，由于纖維224的端部自平臺211的表面突出， 因此，以埋設(shè)有該纖維224的方式在平臺211的上表面形成保護(hù)膜226。因此，平臺211不 會直接接觸晶圓W，例如在交接、吸附晶圓W時(shí)或者晶圓W旋轉(zhuǎn)時(shí)，能夠抑制平臺211與晶圓 W之間的摩擦、滑動，因此，能夠抑制平臺211老化(磨損)。另外，由于保護(hù)膜226借助纖 維224利用所謂的錨固效應(yīng)牢固地粘著在平臺211上，即使在例如因旋轉(zhuǎn)而使平臺211撓 曲、變形的情況下，保護(hù)膜226也能夠追隨平臺211的形狀而變形，因此，能夠抑制膜剝離、 破損。因此，即使在處理許多張晶圓W的情況下，也能夠抑制平臺211老化。并且，由于纖 維224被保護(hù)膜226所覆蓋，即使例如晶圓W與平臺211接觸，也能夠抑制纖維224脫落、 剝落，因此，能夠抑制產(chǎn)生微粒。另外，由于能夠抑制纖維224剝落，因此，能夠抑制例如以 纖維224的剝落部位為起點(diǎn)的龜裂、損傷的發(fā)展(產(chǎn)生)。另外，在將該旋轉(zhuǎn)卡盤213用于液體處理的情況下，即使供給到晶圓W表面的處理 液經(jīng)由晶圓W的側(cè)方區(qū)域進(jìn)入到平臺211的側(cè)周面、背面、在處理許多張晶圓W的期間里形 成處理液的積存液285，由于在平臺211的側(cè)周面及背面形成保護(hù)膜227，平臺211也不會 直接接觸于積存液285，因此，能夠抑制對平臺211產(chǎn)生的例如變質(zhì)、氧化或者溶解等這樣 的化學(xué)性侵蝕(老化)的發(fā)展。并且，如上所述，保護(hù)膜227形成為覆蓋自平臺211的表面 向外方突出的纖維224，例如處理液不會經(jīng)由平臺211與纖維224之間的微小間隙(界面) 進(jìn)入到平臺211內(nèi)，因此，能夠抑制平臺211老化。此時(shí)，在未形成保護(hù)膜227的情況下，如 圖38所示，處理液例如利用表面張力從平臺211與纖維224之間的微小間隙(界面)進(jìn)入， 而從內(nèi)部侵蝕平臺211，進(jìn)而導(dǎo)致纖維224易于脫落，但通過如上所述地形成保護(hù)膜227，也 能夠抑制由侵蝕平臺211導(dǎo)致的纖維224脫落。并且，由于在保護(hù)膜227中混入有氟，因此， 保護(hù)膜227的表面疏水性變得極高。因此，保護(hù)膜227不會長時(shí)間接觸積存液285，即使例 如在保護(hù)膜227中形成有針孔等缺陷而使處理液進(jìn)入到平臺211內(nèi)，積存液285也會立即 成為液滴而落到下方，能夠進(jìn)一步抑制對平臺211的侵蝕。另外，由于在與晶圓W接觸的上表面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)膜226中不含有硅，保護(hù)膜226比晶 圓W柔軟，因此，能夠抑制對晶圓W產(chǎn)生物理損傷。并且，由于在與晶圓W接觸的基板載置面上形成摩擦系數(shù)極小的保護(hù)膜226，因
32此，能夠抑制在晶圓W的背面附著微粒。在上述例子中，在平臺211的所有表面上形成保護(hù)膜225(保護(hù)膜226、227)，但對 于平臺211的上表面來說，至少僅形成在與晶圓W接觸的基板載置面(環(huán)狀構(gòu)件222的上 端面)上即可。另外，例如在將旋轉(zhuǎn)卡盤213應(yīng)用于不進(jìn)行液體處理的裝置、例如用于除去 晶圓W周緣部的無用抗蝕劑膜的周邊曝光裝置、選擇曝光裝置的情況下，也可以在旋轉(zhuǎn)驅(qū) 動部214中不設(shè)置旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，在平臺211的側(cè)周面、背面形成保護(hù)膜227即可。并且，在進(jìn) 行液體處理的情況下，例如在平臺211的表面磨損小到不會成為問題的程度時(shí)，也可以在 平臺211的上表面不形成保護(hù)膜226，而在側(cè)周面及背面上形成保護(hù)膜227。并且，作為保 護(hù)膜227，也可以不形成為將平臺211的側(cè)周面及背面都覆蓋，而形成于側(cè)周面及背面中的 一方上，也可以形成于側(cè)周面及背面的一部分上。作為上述保護(hù)膜225的材質(zhì)，除碳和氫之外，例如也可以含有CN(氮化碳)、氧，側(cè) 周面及背面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)膜227也可以含有硅。另外，作為該保護(hù)膜225，例如也可以是碳比率 被設(shè)定得較高的耐磨損性的膜、例如含有精制碳化氫的膜等，在這種情況下，例如通過在平 臺211上涂敷等質(zhì)地混合了聚碳酸酯等丙烯酸類樹脂和該精制碳化氫而成的涂敷液，之后 使其烘干及固化來形成保護(hù)膜225。并且，作為保護(hù)膜225，除含有上述碳的膜之外，只要是 例如SiC(碳化硅)、A1N(氮化鋁)、石英等陶瓷類材料即可，在這種情況下，利用通過以粉 體狀涂敷之后進(jìn)行熱處理這樣的方法來形成保護(hù)膜225。另外，上述旋轉(zhuǎn)卡盤213除應(yīng)用于上述抗蝕劑涂敷裝置(抗蝕劑涂覆機(jī))之外， 也可以應(yīng)用于后述的各液體處理、例如底層防反射膜涂覆機(jī)(BCT)、表面防反射膜涂覆機(jī) (TCT)等。另外，在進(jìn)行液體浸漬曝光處理的情況下，也可以將上述旋轉(zhuǎn)卡盤213應(yīng)用于在 該液體浸漬曝光處理之前在晶圓W的表面形成保護(hù)膜的保護(hù)膜涂覆機(jī)(ITC)、在進(jìn)行液體 浸漬曝光處理之后剝離該保護(hù)膜的有機(jī)保護(hù)膜剝離組件(ITR)。在有機(jī)保護(hù)膜剝離組件 中，替代上述抗蝕劑噴嘴271而設(shè)有作為供給有機(jī)溶劑(溶解液)、例如稀薄劑的部件的噴 嘴。并且，保護(hù)膜225除了對于上述有機(jī)溶劑(稀薄劑、抗蝕液)之外，對于酸水溶液、堿 水溶液也具有抗性，因此，例如也可以將旋轉(zhuǎn)卡盤213應(yīng)用于在進(jìn)行曝光處理之后向晶圓W 上的抗蝕劑膜供給堿性處理液(顯影液)而進(jìn)行顯影處理的顯影處理裝置，例如也可以應(yīng) 用于將堿水溶液(氨水溶液與過氧化水溶液的混合溶液)、酸水溶液(稀氫氟酸(dilute hydrofluoric acid solution))及有機(jī)溶劑(IPA、異丙醇)等按順序或者混合地用作處理 液來清洗晶圓W的單張清洗裝置。在這些情況下，保護(hù)膜227也能夠抑制由堿水溶液、酸水 溶液或者有機(jī)溶劑導(dǎo)致的平臺211老化。接著，參照圖39 圖41說明應(yīng)用上述抗蝕劑涂敷裝置的涂敷、顯影裝置。如圖39 及圖40所示，該涂敷、顯影裝置包括自密閉型的載體200取出晶圓W的載體模塊Si、對晶圓 W進(jìn)行各處理的處理模塊S2、在與涂敷、顯影裝置相連接的曝光裝置S4與處理模塊S2之間 交接晶圓W的接口模塊S3。在載體模塊Sl中，交接臂C自載置在載置臺201上的載體200 取出晶圓W，將其交接到與該載體模塊Sl相鄰的處理模塊S2，并且，交接臂C接收在處理模 塊S2中處理后的處理完畢的晶圓W而使其返回到載體200。如圖41所示，在該例子中，處理模塊S2自下方依次層疊用于進(jìn)行顯影處理的第1 模塊(DEV層)Bi、用于進(jìn)行形成于抗蝕劑膜下層的防反射膜的形成處理的第2模塊(BCT 層)B2、用于進(jìn)行抗蝕液的涂敷處理的第3模塊(COT層)B3、用于進(jìn)行形成于抗蝕劑膜上層側(cè)的防反射膜的形成處理的第4模塊(TCT層)B4而構(gòu)成。第3模塊(COT層)B3包括抗蝕劑涂敷裝置，其用于涂敷抗蝕液；加熱冷卻系統(tǒng)的 處理單元組，其組裝了用于進(jìn)行在該抗蝕劑涂敷裝置中進(jìn)行的處理的前處理及后處理的基 板加熱裝置；輸送臂A3，其設(shè)置在上述抗蝕劑涂敷裝置與基板加熱裝置之間，在它們之間 交接晶圓W。另外，第2模塊(BCT層)B2、第4模塊(TCT層)B4分別包括利用旋轉(zhuǎn)涂覆來 涂敷用于形成防反射膜的藥液的液體處理裝置；上述加熱冷卻系統(tǒng)的處理單元組；設(shè)置在 上述處理裝置與處理單元組之間、在它們之間交接晶圓W的輸送臂A2、A4。對于第1處理 模塊(DEV層)Bi，例如在一個(gè)DEV層Bl內(nèi)層疊兩層顯影單元。而且，在該DEV層Bl內(nèi)設(shè)有 用于向這2層顯影單元輸送晶圓W的共用的輸送臂Al。如圖40及圖41所示，在處理模塊 S2中還設(shè)有架單元U1，在該架單元Ul的各部分相互之間，利用設(shè)置在上述架單元Ul附近 的能自由升降的交接臂Dl輸送晶圓W。在上述DEV層Bl內(nèi)的上部設(shè)有梭式臂E，該梭式臂 E是用于將晶圓W從設(shè)置于架單元Ul中的交接單元CPLll直接輸送到設(shè)置于處理模塊S2 內(nèi)的架單元U2中的交接單元CPL12的專用的輸送部件。在該涂敷、顯影裝置中，首先利用交接臂C將載體模塊Sl的載體200內(nèi)的晶圓W 取出，將其輸送到上述架單元Ul的一個(gè)交接單元、例如交接單元CPL2。接著，借助交接單 元CPL3及輸送臂A3將晶圓W搬入到第3模塊(COT層)B3，在疏水化處理單元中將表面疏 水化，然后利用液體處理裝置202如上所述地形成抗蝕劑膜。之后，利用輸送臂A3將晶圓 W交接到架單元Ul的交接單元BF3。然后，晶圓W經(jīng)由交接單元BF3 —交接臂Dl —交接單元CPL4被輸送到輸送臂A4， 在抗蝕劑膜上形成防反射膜之后，利用輸送臂A4將晶圓W交接到交接單元TRS4。另外，也 存在在抗蝕劑膜上不形成防反射膜的情況、替代對晶圓W進(jìn)行疏水化處理而利用第2模塊 (BCT層)B2形成防反射膜的情況。利用交接臂Dl將形成有抗蝕劑膜或還形成有防反射膜的晶圓W經(jīng)由交接單元 BF3、TRS4交接到交接單元CPL11，利用上述梭式臂E將晶圓W直接輸送到架單元U2的交接 單元CPL12，將晶圓W搬入到接口模塊S3中。另外，圖41中的標(biāo)注有CPL的交接單元兼用 作調(diào)溫用的冷卻單元，標(biāo)注有BF的交接單元兼用作能夠載置多張晶圓W的緩沖單元。接著，利用接口臂B將晶圓W輸送到曝光裝置S4，在此進(jìn)行了規(guī)定的曝光處理之 后，將晶圓W載置于架單元U2的交接單元TRS6上而使其返回到處理模塊S2。該晶圓W在 第1模塊(DEV層)Bl中進(jìn)行顯影處理、被輸送臂Al交接到架單元U1、再借助交接臂C返回 到載體200。另外，在如上所述地作為上述曝光裝置S4而連接進(jìn)行液體浸漬曝光處理的液 體浸漬曝光裝置的情況下，在涂敷、顯影裝置的處理模塊S2內(nèi)設(shè)有在該液體浸漬曝光處理 之前在晶圓W的表面形成保護(hù)膜的保護(hù)膜涂覆機(jī)(ITC)、在進(jìn)行液體浸漬曝光處理之后剝 離該保護(hù)膜的有機(jī)保護(hù)膜剝離組件(ITR)。實(shí)施例接著，對為了確認(rèn)形成上述保護(hù)膜225時(shí)平臺211的抗酸性、耐磨損性提高了多少 程度而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行說明。評價(jià)試驗(yàn)1首先，作為評價(jià)試驗(yàn)1，進(jìn)行評價(jià)保護(hù)膜225的耐磨損性的實(shí)驗(yàn)。在該實(shí)驗(yàn)中，為 了對保護(hù)膜225迅速地施加沖擊而進(jìn)行加速試驗(yàn)，在圓周方向上配置4個(gè)從側(cè)方側(cè)保持晶
34圓W的晶圓保持部333，在這些晶圓保持部333的內(nèi)部區(qū)域中使晶圓W沿水平方向移動而 使晶圓W的外周緣與晶圓保持部333的內(nèi)周面相沖撞，測量晶圓保持部333的磨損量。這 些晶圓保持部333分別如圖42(a)、(b)所示地構(gòu)成，附圖標(biāo)記334是從背面?zhèn)戎С芯AW 的背面支承部，附圖標(biāo)記335是從側(cè)面?zhèn)劝鼑С杏诒趁嬷С胁?34的晶圓W、用于限制其 位置的下側(cè)垂直壁部，附圖標(biāo)記336是形成為自下側(cè)垂直壁部335朝向上方以錐形狀擴(kuò)徑、 在晶圓W落入背面支承部334時(shí)用于支承晶圓W的外緣使其滑落的傾斜部。各晶圓保持部 333與未圖示的驅(qū)動部相連接，在保持各晶圓保持部333的間隔的狀態(tài)下，能夠如圖中箭頭 所示地沿水平方向往返移動。另外，調(diào)整各晶圓保持部333的位置，使得晶圓保持部333的 下側(cè)垂直壁部335自晶圓W的側(cè)面分開一些。在該評價(jià)試驗(yàn)1-1中，在該晶圓保持部333上未形成本實(shí)施方式中說明的保護(hù)膜 225，為了用作相對于后述的形成保護(hù)膜225的例子的比較對象而進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。在該試驗(yàn)中采 用的晶圓保持部333替代本實(shí)施方式中說明的PEEK樹脂而由規(guī)定的樹脂構(gòu)成。在上述樹 脂中，與本實(shí)施方式同樣地混入有碳纖維。載置晶圓W之后，使晶圓保持部333往返移動20 萬次，使晶圓W沖撞晶圓保持部333的下側(cè)垂直壁部335。之后，使用顯微鏡測量形成于下 側(cè)垂直壁部335上的磨損痕跡的深度。接著，作為評價(jià)試驗(yàn)1-2進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-1同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁 部335上的磨損痕跡的深度。但是，在晶圓保持部333上形成有本實(shí)施方式中說明的保護(hù) 膜225 (保護(hù)膜226)，其厚度為3 μ m。另外，作為評價(jià)試驗(yàn)1-3進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-2同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁 部335上的各磨損痕跡的深度。但是，在該評價(jià)試驗(yàn)1-3中，晶圓保持部333由與本實(shí)施方 式相同的PEEK構(gòu)成。形成于晶圓保持部333上的保護(hù)膜225的厚度與評價(jià)試驗(yàn)1_2相同 為 3 μ m0作為評價(jià)試驗(yàn)1-4進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-3同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁部335 上的磨損痕跡的深度。但是，使晶圓保持部333往返移動的次數(shù)為1000萬次。形成于下側(cè) 垂直壁部335上的保護(hù)膜225的厚度與評價(jià)試驗(yàn)1-3相同為3 μ m。該晶圓保持部333由與 評價(jià)試驗(yàn)1-1相同的樹脂構(gòu)成。作為評價(jià)試驗(yàn)1-5進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-4同樣的試驗(yàn)，測量形成于下側(cè)垂直壁部335 上的各磨損痕跡的深度。但是，在該評價(jià)試驗(yàn)1-5中，晶圓保持部333由與評價(jià)試驗(yàn)1-2相 同的規(guī)定樹脂構(gòu)成。形成于晶圓保持部333的各部分上的保護(hù)膜225的厚度為8 μ m。晶圓 保持部333的往返移動次數(shù)為1000萬次。作為評價(jià)試驗(yàn)1-6進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-4同樣的試驗(yàn)。但是，晶圓保持部333的往 返移動次數(shù)為1000萬次，磨損痕跡的測量部位為背面支承部334。作為評價(jià)試驗(yàn)1-7進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-3同樣的試驗(yàn)。但是，晶圓保持部333的往 返移動次數(shù)為1000萬次，磨損痕跡的測量部位為背面支承部334。作為評價(jià)試驗(yàn)1-8進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)1-5同樣的試驗(yàn)。但是，晶圓保持部333的往 返移動次數(shù)為1000萬次，磨損痕跡的測量部位為背面支承部334。圖43表示評價(jià)試驗(yàn)1-1 1-8的結(jié)果，針對每個(gè)評價(jià)試驗(yàn)分別以斜線坐標(biāo)圖表示 最大磨損痕跡的深度，以標(biāo)有許多點(diǎn)的坐標(biāo)圖表示各磨損痕跡的深度的平均值。另外，在各 坐標(biāo)圖上表示結(jié)果的數(shù)值，該數(shù)值單位為μ m。比較評價(jià)試驗(yàn)1-1的結(jié)果和評價(jià)試驗(yàn)1-2的結(jié)果，評價(jià)試驗(yàn)1-2的最大磨損痕跡深度、磨損痕跡的平均值均較小。因而，由這些評價(jià)試 驗(yàn)1-1及1-2的結(jié)果顯示出像本實(shí)施方式中說明的那樣，通過形成保護(hù)膜225能提高晶圓 保持部333的下側(cè)垂直壁部335 (平臺211)的耐磨損性。另外，在評價(jià)試驗(yàn)1_4中，晶圓W 對下側(cè)垂直壁部335的沖撞次數(shù)多于評價(jià)試驗(yàn)1-1，但評價(jià)試驗(yàn)1-4的最大磨損痕跡深度及 磨損痕跡深度的平均值卻較小。因此，也顯示出通過形成保護(hù)膜225能提高下側(cè)垂直壁部 335的耐磨損性。由評價(jià)試驗(yàn)1-3、1_5的結(jié)果可知，即使改變構(gòu)成晶圓保持部333的樹脂及保護(hù)膜 225的膜厚，其耐磨損性也高于評價(jià)試驗(yàn)1-1。另外，對于評價(jià)試驗(yàn)1-6 1-8，由于最大磨 損痕跡深度及磨損痕跡深度的平均值被抑制得較小，因此，一般認(rèn)為在背面支承部334上 形成保護(hù)膜225也是有效的。評價(jià)試驗(yàn)2作為評價(jià)試驗(yàn)2-1，向晶圓保持部333滴下磺酸的原液，使用顯微鏡測量所形成的 磨損痕跡(侵蝕痕跡)的深度。但是，在該晶圓保持部333上未形成保護(hù)膜225，而且，使用 替代PEEK樹脂而由評價(jià)試驗(yàn)1-1中采用的規(guī)定樹脂構(gòu)成的晶圓保持部333。作為評價(jià)試驗(yàn)2-2，對于與本實(shí)施方式同樣地在各部分形成有保護(hù)膜225 (保護(hù)膜 227)的晶圓保持部333，與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣地向該保護(hù)膜225上滴下磺酸的原液，使用顯 微鏡測量所形成的磨損痕跡。晶圓保持部333采用與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣地由規(guī)定的樹脂構(gòu) 成的、保護(hù)膜225的厚度為1 μ m的材料。作為評價(jià)試驗(yàn)2-3，采用保護(hù)膜225的厚度為3 μ m的晶圓保持部333進(jìn)行與評價(jià) 試驗(yàn)2-1同樣的試驗(yàn)。作為評價(jià)試驗(yàn)2-4，采用保護(hù)膜225的厚度為6 μ m的晶圓保持部333進(jìn)行與評價(jià) 試驗(yàn)2-1同樣的試驗(yàn)。作為評價(jià)試驗(yàn)2-5，采用保護(hù)膜225的厚度為8 μ m的晶圓保持部333進(jìn)行與評價(jià) 試驗(yàn)2-1同樣的試驗(yàn)。作為評價(jià)試驗(yàn)2-6，采用由PEEK構(gòu)成的、形成有3 μ m的保護(hù)膜225的晶圓保持部 333進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣的評價(jià)試驗(yàn)。構(gòu)成該保護(hù)膜225的各元素的比率與構(gòu)成評價(jià) 試驗(yàn)2-1 2-5的保護(hù)膜225的各元素的比率不同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-7，采用由PEEK構(gòu)成的、形成有3 μ m的保護(hù)膜225的晶圓保持部 333進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣的評價(jià)試驗(yàn)。構(gòu)成該保護(hù)膜225的元素的比率與構(gòu)成評價(jià)試 驗(yàn)2-1 2-5的保護(hù)膜225的各元素的比率相同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-8，采用由聚酰亞胺構(gòu)成的、形成有3 μ m的保護(hù)膜225的晶圓保持 部333進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣的試驗(yàn)。構(gòu)成該保護(hù)膜225的元素的比率與構(gòu)成評價(jià)試驗(yàn) 2-6的保護(hù)膜225的各元素的比率相同。作為評價(jià)試驗(yàn)2-9，采用由聚酰亞胺構(gòu)成的、形成有3 μ m的保護(hù)膜225的晶圓保持 部333進(jìn)行與評價(jià)試驗(yàn)2-1同樣的試驗(yàn)。構(gòu)成該保護(hù)膜225的元素的比率與構(gòu)成評價(jià)試驗(yàn) 2-1 2-5的保護(hù)膜225的各元素的比率相同。圖44表示評價(jià)試驗(yàn)2-1 2_9的結(jié)果，與圖43同樣地針對每個(gè)評價(jià)試驗(yàn)分別以 斜線坐標(biāo)圖表示最大磨損痕跡的深度，以標(biāo)有許多點(diǎn)的坐標(biāo)圖表示各磨損痕跡的深度的平 均值。另外，在各坐標(biāo)圖上表示結(jié)果的數(shù)值，該數(shù)值單位為μ m。比較評價(jià)試驗(yàn)2-1的結(jié)果和評價(jià)試驗(yàn)2-2 2-5的結(jié)果，評價(jià)試驗(yàn)2-2 2-5的最大磨損痕跡深度、磨損痕跡的平均 值均小于評價(jià)試驗(yàn)2-1。因而，由這些評價(jià)試驗(yàn)2-1 2-5的結(jié)果顯示出通過形成保護(hù)膜 225能提高抗酸性。 另外，在評價(jià)試驗(yàn)2-6 2-9中，最大磨損痕跡深度及磨損痕跡深度的平均值也被 抑制得比較小。因而，由這些結(jié)果也可以看出形成保護(hù)膜225有助于提高抗腐蝕性。
權(quán)利要求
一種基板支承裝置，其特征在于，該基板支承裝置包括支承構(gòu)件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其設(shè)置于該支承構(gòu)件上，包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，用于限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包覆該基材，用于防止該基材的磨損及化學(xué)性侵蝕中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支承裝置，其特征在于，該基板支承裝置包括用于支承上述支承構(gòu)件的基體和用于使支承構(gòu)件相對于上述基 體移動的驅(qū)動機(jī)構(gòu)，而構(gòu)成為基板輸送裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支承裝置，其特征在于， 上述支承構(gòu)件是用于對基板進(jìn)行加熱或冷卻的溫度調(diào)整板。
4.一種基板支承裝置，其特征在于， 該基板支承裝置包括支承構(gòu)件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其設(shè)置于該支承構(gòu)件上，包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，用于 限制基板的位置；在上述支承構(gòu)件上設(shè)有傾斜部，該傾斜部自被位置限制部包圍的基板的支承區(qū)域的外 方朝向該支承區(qū)域下降，用于使基板的周緣部滑下而將基板引導(dǎo)到背面支承部上；上述背面支承部、上述位置限制部、上述傾斜部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該 保護(hù)膜包覆該基材，用于防止該基材的磨損及化學(xué)性侵蝕中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的基板支承裝置，其特征在于， 上述基材由樹脂構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板支承裝置，其特征在于， 在上述基材上保持有其前端突出于該基材表面的許多個(gè)纖維；上述保護(hù)膜包覆上述基材和纖維，防止上述位置限制部、背面支承部或者傾斜部的磨損。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的基板支承裝置，其特征在于， 上述保護(hù)膜由類金剛石構(gòu)成。
8.一種基板支承方法，其特征在于， 該基板支承方法包括以下工序利用具有背面支承部的支承構(gòu)件支承基板的背面；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上的位置限制部包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面， 限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包覆 該基材，用于防止該基材的磨損及化學(xué)性侵蝕中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板支承方法，其特征在于，該基板支承方法包括利用基體支承上述支承構(gòu)件的工序和利用驅(qū)動機(jī)構(gòu)使支承構(gòu)件 相對于上述基體移動而輸送基板的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板支承方法，其特征在于，該基板支承方法包括利用上述支承構(gòu)件對基板進(jìn)行加熱或冷卻的工序。
11.一種基板支承方法，其特征在于， 該基板支承方法包括以下工序利用具有背面支承部的支承構(gòu)件支承基板的背面；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上的位置限制部包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面， 限制基板的位置；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上、且自被位置限制部包圍的基板的支承區(qū)域的外方朝向該 支承區(qū)域下降的傾斜部，使基板的周緣部滑下而將基板引導(dǎo)到背面支承部上；上述背面支承部、上述位置限制部、上述傾斜部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該 保護(hù)膜包覆該基材，用于防止該基材的磨損及化學(xué)侵蝕中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求8或11中所述的基板支承方法，其特征在于， 上述基材由樹脂構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板支承方法，其特征在于， 在上述基材上保持有其前端突出于該基材表面的許多個(gè)纖維；上述保護(hù)膜包覆上述基材和纖維，防止上述位置限制部、背面支承部或者傾斜部的磨損。
14.一種基板支承裝置，其特征在于， 該基板支承裝置包括支承構(gòu)件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其設(shè)置于該支承構(gòu)件上，包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，用于 限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包括 包覆該基材的第1膜和層疊在該第1膜上的第2膜，用于防止化學(xué)性侵蝕。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板支承裝置，其特征在于，該基板支承裝置包括用于支承上述支承構(gòu)件的基體和用于使支承構(gòu)件相對于上述基 體移動的驅(qū)動機(jī)構(gòu)，而構(gòu)成為基板輸送裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板支承裝置，其特征在于， 上述支承構(gòu)件是用于對基板進(jìn)行加熱或冷卻的溫度調(diào)整板。
17.一種基板支承裝置，其特征在于， 該基板支承裝置包括支承構(gòu)件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其設(shè)置于該支承構(gòu)件上，包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，用于 限制基板的位置；在上述支承構(gòu)件上設(shè)有傾斜部，該傾斜部自被位置限制部包圍的基板的支承區(qū)域的外 方朝向該支承區(qū)域下降，用于使基板的周緣部滑下而將基板引導(dǎo)到背面支承部上；上述背面支承部、上述位置限制部、上述傾斜部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該 保護(hù)膜包括包覆該基材的第1膜和層疊在該第1膜上的第2膜，用于防止化學(xué)性侵蝕。
18.根據(jù)權(quán)利要求14或17所述的基板支承裝置，其特征在于，上述基材由樹脂構(gòu)成。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基板支承裝置，其特征在于， 在上述基材上保持有其前端突出于該基材表面的許多個(gè)纖維；上述保護(hù)膜包覆上述基材和纖維，防止上述位置限制部、背面支承部或者傾斜部的磨損。
20.根據(jù)權(quán)利要求14或17所述的基板支承裝置，其特征在于， 上述保護(hù)膜由類金剛石構(gòu)成。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的基板支承裝置，其特征在于，構(gòu)成上述第1膜的主要成分與構(gòu)成上述第2膜的主要成分互不相同。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的基板支承裝置，其特征在于，作為構(gòu)成上述第1膜的主要成分含有氟，作為構(gòu)成第2膜的主要成分含有硅。
23.—種基板支承方法，其特征在于， 該基板支承方法包括以下工序利用具有背面支承部的支承構(gòu)件支承基板的背面；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上的位置限制部包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面， 限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包括 包覆該基材的第1膜和層疊在該第1膜上的第2膜，用于防止化學(xué)性侵蝕。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的基板支承方法，其特征在于，該基板支承方法包括利用基體支承上述支承構(gòu)件的工序和利用驅(qū)動機(jī)構(gòu)使支承構(gòu)件 相對于上述基體移動而輸送基板的工序。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的基板支承方法，其特征在于，該基板支承方法包括利用上述支承構(gòu)件對基板進(jìn)行加熱或冷卻的工序。
26.—種基板支承方法，其特征在于， 該基板支承方法包括以下工序利用具有背面支承部的支承構(gòu)件支承基板的背面；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上的位置限制部包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面， 限制基板的位置；利用設(shè)置于上述支承構(gòu)件上、且自被位置限制部包圍的基板的支承區(qū)域的外方朝向該 支承區(qū)域下降的傾斜部，使基板的周緣部滑下而將基板引導(dǎo)到背面支承部上；上述背面支承部、上述位置限制部、上述傾斜部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該 保護(hù)膜包括包覆該基材的第1膜和層疊在該第1膜上的第2膜，用于防止化學(xué)性侵蝕。
27.根據(jù)權(quán)利要求23或26所述的基板支承方法，其特征在于， 上述基材由樹脂構(gòu)成。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的基板支承方法，其特征在于， 在上述基材上保持有其前端突出于該基材表面的許多個(gè)纖維；上述保護(hù)膜包覆上述基材和纖維，防止上述位置限制部、背面支承部或者傾斜部的磨損。
29.一種真空卡盤，其特征在于，該真空卡盤包括基板載置部，其由含有樹脂的成型體構(gòu)成，具有用于保持基板的基板載置面； 纖維體，其在上述基板載置部內(nèi)埋設(shè)有許多個(gè)，用于提高基板載置部的強(qiáng)度； 保護(hù)膜，其形成為至少覆蓋基板載置面的表面、且覆蓋自上述基板載置部的表面突出 的上述纖維體，用于提高上述基板載置部相對于基板的耐磨損性；吸引通路，其設(shè)置在上述基板載置部內(nèi)，用于從背面?zhèn)任惠d置于上述基板保持部 上的基板。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的真空卡盤，其特征在于，上述基板載置部能自由旋轉(zhuǎn)，用于一邊使被吸附保持于該基板載置部上的基板旋轉(zhuǎn)一 邊供給處理液而進(jìn)行液體處理；上述保護(hù)膜還在上述基板載置部的側(cè)面及背面中的至少一個(gè)上形成為覆蓋自上述基 板載置部的表面突出的上述纖維體，從而抑制由與上述處理液相接觸導(dǎo)致的上述基板載置 部老化。
31.一種真空卡盤，該真空卡盤用于一邊使被吸附保持于能自由旋轉(zhuǎn)配置的基板載置 部上的基板旋轉(zhuǎn)一邊供給處理液而進(jìn)行液體處理，其特征在于，該真空卡盤包括基板載置部，其由含有樹脂的成型體構(gòu)成，具有用于保持基板的基板載置面； 纖維體，其在上述基板載置部內(nèi)埋設(shè)有許多個(gè)，用于提高基板載置部的強(qiáng)度； 保護(hù)膜，其在上述基板載置部的側(cè)面及背面中的至少一個(gè)上形成為覆蓋自上述基板載 置部的表面突出的上述纖維體，從而抑制由與上述處理液相接觸導(dǎo)致的上述基板載置部老 化；吸引通路，其設(shè)置在上述基板載置部內(nèi)，用于從背面?zhèn)任惠d置于上述基板保持部 上的基板。
32.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的真空卡盤，其特征在于，形成于上述基板載置部的側(cè)面及背面中的至少一個(gè)上的保護(hù)膜為了提高對于上述處 理液的疏水性而含有氟。
33.根據(jù)權(quán)利要求29或31所述的真空卡盤，其特征在于， 上述保護(hù)膜是類金剛石膜。
34.一種液體處理裝置，該液體處理裝置用于在處理杯內(nèi)一邊使被吸附保持于真空卡 盤上的基板旋轉(zhuǎn)一邊供給處理液而進(jìn)行液處理，其特征在于，上述真空卡盤包括基板載置部，其由含有樹脂的成型體構(gòu)成，具有用于保持基板的基板載置面； 纖維體，其在上述基板載置部內(nèi)埋設(shè)有許多個(gè)，用于提高基板載置部的強(qiáng)度； 保護(hù)膜，其形成為至少覆蓋基板載置面的表面、且覆蓋自上述基板載置部的表面突出 的上述纖維體，用于提高上述基板載置部相對于基板的耐磨損性；吸引通路，其設(shè)置在上述基板載置部內(nèi)，用于從背面?zhèn)任惠d置于上述基板保持部 上的基板。
35.一種液體處理裝置，該液體處理裝置用于在處理杯內(nèi)一邊使被吸附保持于真空卡 盤上的基板旋轉(zhuǎn)一邊供給處理液而進(jìn)行液體處理，其特征在于，5上述真空卡盤用于一邊使被吸附保持于能自由旋轉(zhuǎn)配置的基板載置部上的基板旋轉(zhuǎn) 一邊供給處理液而進(jìn)行液處理，該真空卡盤包括基板載置部，其由含有樹脂的成型體構(gòu)成，具有用于保持基板的基板載置面； 纖維體，其在上述基板載置部內(nèi)埋設(shè)有許多個(gè)，用于提高基板載置部的強(qiáng)度； 保護(hù)膜，其在上述基板載置部的側(cè)面及背面中的至少一個(gè)上形成為覆蓋自上述基板載 置部的表面突出的上述纖維體，從而抑制由與上述處理液相接觸導(dǎo)致的上述基板載置部老 化；吸引通路，其設(shè)置在上述基板載置部內(nèi)，用于從背面?zhèn)任惠d置于上述基板保持部 上的基板。
全文摘要
本發(fā)明提供基板支承裝置及基板支承方法。該基板支承裝置能夠防止由于由與基板的接觸引起的磨損及由基板帶來的藥品的化學(xué)性侵蝕而無法正常地支承基板。該基板支承裝置包括支承構(gòu)件，其具有支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其設(shè)置于該支承構(gòu)件上，包圍被上述背面支承部支承的基板的側(cè)面，用于限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一個(gè)由基材和保護(hù)膜構(gòu)成，該保護(hù)膜包覆該基材，用于防止該基材的磨損及化學(xué)性侵蝕中的至少一種。該基板支承裝置例如還包括支承上述支承構(gòu)件的基體和用于使支承構(gòu)件相對于上述基體移動的驅(qū)動機(jī)構(gòu)，構(gòu)成為基板輸送裝置。上述支承構(gòu)件例如構(gòu)成為用于對基板進(jìn)行加熱或冷卻的溫度調(diào)整板。
文檔編號H01L21/00GK101901777SQ20101014187
公開日2010年12月1日 申請日期2010年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者中野征二, 松下道明, 森川勝洋, 榎木田卓, 飯?zhí)锍烧?申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社