專利名稱：具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
未來的電子產(chǎn)品，將朝著具有輕、薄、短、小的功能，以使得電子產(chǎn)品能更趨于迷你化。而分離式組件(discrete component)在電子產(chǎn)品中所占的面積又是最龐大的，所以能夠有效地整合分離式組件，將使得電子產(chǎn)品可以達(dá)到輕、薄、短、小的功能。分離式組件的應(yīng)用，例如固態(tài)二極管(solid state diodes)已被大量地運(yùn)用在許多的電子設(shè)備上，固態(tài)二極管包含有相對(duì)應(yīng)陽(yáng)極與陰極的兩端子，且陽(yáng)極與陰極兩端之間的電壓與電流系以非線性特性存在。其中一種二極管的使用方式，其利用其單向?qū)щ姷奶匦?，將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，以達(dá)到整流的效果，使電源端得以穩(wěn)定地輸出直流電力。因此， 這類的二極管又稱為整流二極管(rectifying diode)或稱整流子(rectifier)。而整流二極管的使用領(lǐng)域亦非常廣泛，包括信息、通訊、消費(fèi)性電子、航天、醫(yī)療、汽車、辦公設(shè)備等。然而，習(xí)知分離式組件的設(shè)計(jì)，皆以單一功能為主。因此，當(dāng)電子產(chǎn)品需要安裝不同功能的分離式組件來保護(hù)電子產(chǎn)品時(shí)，習(xí)知僅能設(shè)置多數(shù)個(gè)單一功能的分離式組件于電子產(chǎn)品內(nèi)，因此習(xí)知的作法不僅耗費(fèi)制造的成本，更是占用電子產(chǎn)品整體的體積。本發(fā)明人有感上述缺失的可改善，悉心觀察且研究，并配合學(xué)理的運(yùn)用，而提出一種設(shè)計(jì)合理且有效改善上述缺失的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其能夠提供多層空間來容置分離式組件并產(chǎn)生防突波功能。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其能夠提供多層空間來容置分離式組件并產(chǎn)生防突波功能。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一絕緣單元、一單向?qū)▎卧耙槐Ｗo(hù)單元?；鍐卧哂兄辽僖豁攲踊濉⒅辽僖恢虚g基板及至少一底層基板。絕緣單元具有至少一填充于上述至少一頂層基板及上述至少一中間基板之間的第一絕緣層及至少一填充于上述至少一中間基板及上述至少一底層基板之間的第二絕緣層。單向?qū)▎卧哂卸鄠€(gè)電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板與上述至少一中間基板之間且被上述至少一第一絕緣層所包覆的單向?qū)ńM件。保護(hù)單元具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間且被上述至少一第二絕緣層所包覆的具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟首先，提供一基板單元，其具有至少一頂層基板、至少一中間基板及至少一底層基板；接著，將多個(gè)單向?qū)ńM件電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板與上述至少一中間基板之間，且將多個(gè)具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件電性地設(shè)置于上述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間；然后，將至少一第一絕緣層填充于上述至少一頂層基板及上述至少一中間基板之間，且將至少一第二絕緣層填充于上述至少一中間基板及上述至少一底層基板之間；接下來，形成多個(gè)穿過該基板單元的貫穿孔，其中每一個(gè)貫穿孔依序穿過上述至少一頂層基板、上述至少一第一絕緣層、上述至少一中間基板、上述至少一第二絕緣層及上述至少一底層基板；緊接著，分別形成多個(gè)導(dǎo)電層于該些貫穿孔的內(nèi)表面上，其中每一個(gè)導(dǎo)電層電性連接于上述至少一頂層基板、上述至少一中間基板及上述至少一底層基板；最后，切割該基板單元、上述至少一第一絕緣層及上述至少一第二絕緣層，以形成多個(gè)單顆的半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其中該些單向?qū)ńM件中的至少一個(gè)及該些具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件中的至少一個(gè)被封裝于每一個(gè)單顆的半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)。因此，本發(fā)明的有益效果在于上述至少一頂層基板與上述至少一中間基板之間具有一層容置空間以收容多個(gè)被上述至少一第一絕緣層所包覆的單向?qū)ńM件，且上述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間具有另外一層容置空間以收容至少一個(gè)被上述至少一第二絕緣層所包覆的具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件，因此本發(fā)明可解決 「習(xí)知僅能設(shè)置多數(shù)個(gè)單一功能的分離式組件于電子產(chǎn)品內(nèi)，因此習(xí)知的作法不僅耗費(fèi)制造的成本，更是占用電子產(chǎn)品整體的體積」的缺失。


圖IA至圖ID分別為本發(fā)明具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的制作流程示意圖；圖2A為本發(fā)明具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的其中一視角的立體分解圖；圖2B為本發(fā)明具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的另外一視角的立體分解圖；圖3為本發(fā)明具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的電路示意圖；圖4A為本發(fā)明具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的其中一視角的立體分解圖；圖4B為本發(fā)明具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的另外一視角的立體分解圖；圖5為本發(fā)明具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的電路示意圖；以及圖6為本發(fā)明具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。符號(hào)說明半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)頂層基板頂層導(dǎo)電軌跡
第一導(dǎo)電層IlD中間基板12
第一中間導(dǎo)電軌跡12A第二中間導(dǎo)電軌跡12B
第三半穿孔12C第三導(dǎo)電層12D
底層基板13底層導(dǎo)電軌跡13A
底層導(dǎo)電焊墊13B第五半穿孔13C
第五導(dǎo)電層13D絕緣單元2
第一絕緣層21第二半穿孔21A
第二導(dǎo)電層21B第二絕緣層22
第四半穿孔 22A第四導(dǎo)電層22B
單向?qū)▎卧?3單向?qū)ńM件30
陽(yáng)極端 30P陰極端30N
保護(hù)單元 4保護(hù)組件40
貫穿孔 P導(dǎo)電層C
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖IA至圖ID所示，其分別為本發(fā)明制作方法的制作流程示意圖。由上述依序的圖中可知，本發(fā)明提供一種具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法， 其包括下列步驟步驟SlOO為首先，如圖IA所示，提供一基板單元1，其具有至少一頂層基板11、 至少一中間基板12及至少一底層基板13。此外，上述至少一頂層基板11的上表面及下表面分別具有多個(gè)導(dǎo)電焊墊(如圖IA中最上面所顯示的多個(gè)頂面凸塊)及多個(gè)導(dǎo)電軌跡，上述至少一中間基板12的上表面及下表面皆具有多個(gè)導(dǎo)電軌跡，且上述至少一底層基板13 的上表面及下表面分別具有多個(gè)導(dǎo)電軌跡及多個(gè)導(dǎo)電焊墊(如圖IA中最下面所顯示的多個(gè)相對(duì)應(yīng)該些頂面凸塊的底面凸塊)。另外，上述該些導(dǎo)電焊墊及該些導(dǎo)電軌跡皆可透過印刷或任何成形方式來形成。步驟S102為如圖IA所示，將多個(gè)單向?qū)ńM件(圖未示)電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板11與上述至少一中間基板12之間，且將多個(gè)具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件(例如變阻器(varistor)(圖未示))電性地設(shè)置于上述至少一中間基板12與上述至少一底層基板13之間。步驟S104為如圖IA所示，將至少一第一絕緣層21填充于上述至少一頂層基板 11及上述至少一中間基板12之間，且將至少一第二絕緣層22填充于上述至少一中間基板 12及上述至少一底層基板13之間。此外，由圖IA可知，當(dāng)上述至少一第一絕緣層21及上述至少一第二絕緣層22填充完成后，上述至少一頂層基板11、上述至少一第一絕緣層21、 上述至少一中間基板12、上述至少一第二絕緣層22及上述至少一底層基板13可由上而下依序堆棧在一起，而且該些單向?qū)ńM件(圖未示)及該些具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件分別被上述至少一第一絕緣層21及上述至少一第二絕緣層22所完全包覆而幾乎無空隙。步驟S106為如圖IB所示，形成多個(gè)穿過該基板單元1的貫穿孔P，其中每一個(gè)貫穿孔P依序穿過上述至少一頂層基板11、上述至少一第一絕緣層21、上述至少一中間基板12、上述至少一第二絕緣層22及上述至少一底層基板13。此外，該些導(dǎo)電焊墊及該些導(dǎo)電軌跡也同時(shí)被該些貫穿孔P給貫穿。步驟S108為如圖IC所示，分別形成多個(gè)導(dǎo)電層C于該些貫穿孔P的內(nèi)表面上， 其中每一個(gè)導(dǎo)電層C電性連接于上述至少一頂層基板11、上述至少一中間基板12及上述至少一底層基板13。換言之，由于該些導(dǎo)電層C被成形于該些貫穿孔P的內(nèi)表面上，所以每一個(gè)導(dǎo)電層C皆可將上述至少一頂層基板11、上述至少一中間基板12及上述至少一底層基板13三者電性連接在一起，以使得該些導(dǎo)電焊墊及該些導(dǎo)電軌跡也可選擇性地彼此電性導(dǎo)通。步驟SllO為配合圖IC及圖ID所示，延著圖IC所示的切割線L切割該基板單元
1、上述至少一第一絕緣層21及上述至少一第二絕緣層22，以形成多個(gè)單顆的半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)Z(圖ID只顯示其中一個(gè)半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)Z)，其中該些單向?qū)ńM件中的至少一個(gè)及該些具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件中的至少一個(gè)被封裝于每一個(gè)單顆的半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)Z內(nèi)。換言之，依據(jù)不同的使用需求，設(shè)計(jì)者可以任意設(shè)計(jì)該些導(dǎo)電焊墊及該些導(dǎo)電軌跡的成形位置，并且設(shè)計(jì)每一個(gè)半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)Z需要幾個(gè)單向?qū)ńM件及幾個(gè)具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件。請(qǐng)參閱圖2A及圖2B所示，其分別為本發(fā)明第一實(shí)施例的兩種不同方位的分解示意圖，另外第一實(shí)施例的組合圖可參考圖ID所示。由上述圖中可知，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一絕緣單元
2、一單向?qū)▎卧?及一保護(hù)單元4。其中，該基板單元1具有至少一頂層基板11、至少一中間基板12及至少一底層基板13。舉例來說，上述至少一頂層基板11的上表面具有多個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊11A，上述至少一頂層基板11的下表面具有多個(gè)頂層導(dǎo)電軌跡11B，上述至少一中間基板12的上表面具有多個(gè)第一中間導(dǎo)電軌跡12A，上述至少一中間基板12的下表面具有多個(gè)第二中間導(dǎo)電軌跡 12B，上述至少一底層基板13的上表面具有多個(gè)底層導(dǎo)電軌跡13A，且上述至少一底層基板 13的下表面具有多個(gè)底層導(dǎo)電焊墊13B。再者，該絕緣單元2具有至少一填充于上述至少一頂層基板11及上述至少一中間基板12之間的第一絕緣層21及至少一填充于上述至少一中間基板12及上述至少一底層基板13之間的第二絕緣層22。此外，上述至少一頂層基板11、上述至少一第一絕緣層21、 上述至少一中間基板12、上述至少一第二絕緣層22及上述至少一底層基板13由上而下依序堆棧在一起。另外，上述至少一頂層基板11的側(cè)邊具有多個(gè)第一半穿孔11C，上述至少一第一絕緣層21的側(cè)邊具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)該些第一半穿孔IlC的第二半穿孔21A，上述至少一中間基板12的側(cè)邊具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)該些第二半穿孔21A的第三半穿孔12C，上述至少一第二絕緣層22的側(cè)邊具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)該些第三半穿孔12C的第四半穿孔22A，且上述至少一底層基板13的側(cè)邊具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)該些第四半穿孔22A的第五半穿孔13C。換言之，每一個(gè)第一半穿孔11C、每一個(gè)第二半穿孔21A、每一個(gè)第三半穿孔12C、每一個(gè)第四半穿孔22A及每一個(gè)第五半穿孔13C皆相連在一起以形成每一個(gè)貫穿孔P。此外，上述至少一頂層基板11具有多個(gè)分別成形于該些第一半穿孔IlC的內(nèi)表上的第一導(dǎo)電層11D，上述至少一第一絕緣層21具有多個(gè)分別成形于該些第二半穿孔21A的內(nèi)表上且分別電性連接于該些第一導(dǎo)電層IlD的第二導(dǎo)電層21B，上述至少一中間基板12 具有多個(gè)分別成形于該些第三半穿孔12C的內(nèi)表上且分別電性連接于該些第二導(dǎo)電層21B 的第三導(dǎo)電層12D，上述至少一第二絕緣層22具有多個(gè)分別成形于該些第四半穿孔22A的內(nèi)表上且分別電性連接于該些第三導(dǎo)電層12D的第四導(dǎo)電層22B，且上述至少一底層基板 13具有多個(gè)分別成形于該些第五半穿孔13C的內(nèi)表上且分別電性連接于該些第四導(dǎo)電層 22B的第五導(dǎo)電層13D。換言之，每一個(gè)第一導(dǎo)電層11D、每一個(gè)第二導(dǎo)電層21B、每一個(gè)第三導(dǎo)電層12D、每一個(gè)第四導(dǎo)電層22B及第一個(gè)第五導(dǎo)電層13D皆相連在一起以形成每一個(gè)導(dǎo)電層C。再者，該單向?qū)▎卧?具有多個(gè)電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板11與上述至少一中間基板12之間且被上述至少一第一絕緣層21所包覆的單向?qū)ńM件30 (例如二極管)，其中每一個(gè)單向?qū)ńM件30可選擇性地電性連接于其中一頂層導(dǎo)電軌跡IlB及其中一第一中間導(dǎo)電軌跡12A之間。另外，該保護(hù)單元4具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一中間基板12與上述至少一底層基板13之間且被上述至少一第二絕緣層22所包覆的具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件40(例如變阻器)，其中上述至少一具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件 40電性連接于其中一第二中間導(dǎo)電軌跡12B及其中一底層導(dǎo)電軌跡13A之間。請(qǐng)參閱圖3所示，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的電路示意圖。配合圖2A及圖2B可知， 本發(fā)明第一實(shí)施例提供四個(gè)單向?qū)ńM件30(每一個(gè)單向?qū)ńM件30的上表面及下表面分別為陰極端30N及陽(yáng)極端30P)及一個(gè)具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件40相互電性配合，以組成一如同圖3所示的橋式整流器。再者，圖3顯示兩個(gè)交流端( )及兩個(gè)電極端(+、_)，圖中較細(xì)的導(dǎo)線為上述至少一頂層基板11的該些頂層導(dǎo)電軌跡11B，圖中較粗的導(dǎo)線為上述至少一中間基板12的該些第一中間導(dǎo)電軌跡12A，圖中的黑點(diǎn)為導(dǎo)通上述至少一頂層基板11的該些頂層導(dǎo)電軌跡IlB與上述至少一中間基板12的該些第一中間導(dǎo)電軌跡12A的導(dǎo)電層C，且上述至少一具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件40與兩交流端形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖4A及圖4B所示，其分別為本發(fā)明第二實(shí)施例的兩種不同方位的分解示意圖，另外第二實(shí)施例的組合圖可參考圖ID所示。由上述圖中可知，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一絕緣單元 2、一單向?qū)▎卧?及一保護(hù)單元4，且第二實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的差別在于在第二實(shí)施例中，該些頂層導(dǎo)電軌跡IlB及該些第一中間導(dǎo)電軌跡12A采用另外一種的電路布局， 且其中兩個(gè)單向?qū)ńM件30的上表面及下表面分別為陰極端30N及陽(yáng)極端30P，而另外兩個(gè)單向?qū)ńM件30的上表面及下表面分別為陽(yáng)極端30P及陰極端30N。請(qǐng)參閱圖5所示，其為本發(fā)明第二實(shí)施例的電路示意圖。配合圖4A和圖4B可知， 本發(fā)明第二實(shí)施例提供四個(gè)單向?qū)ńM件30及一個(gè)具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件40相互電性配合，以組成一如同圖5所示的橋式整流器。再者，圖5顯示兩個(gè)交流端 ( )及兩個(gè)電極端(+、“)，圖中較細(xì)的導(dǎo)線為上述至少一頂層基板11的該些頂層導(dǎo)電軌跡11B，圖中較粗的導(dǎo)線為上述至少一中間基板12的該些第一中間導(dǎo)電軌跡12A，圖中的黑點(diǎn)為導(dǎo)通上述至少一頂層基板11的該些頂層導(dǎo)電軌跡IlB與上述至少一中間基板12的該些第一中間導(dǎo)電軌跡12A的導(dǎo)電層C，且上述至少一具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件40與兩交流端形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖6所示，其為本發(fā)明多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。由圖中可知，上述至少一頂層基板11與上述至少一中間基板12之間具有一層容置空間以收容多個(gè)被上述至少一第一絕緣層21所包覆的單向?qū)ńM件30，且上述至少一中間基板12與上述至少一底層基板13之間具有另外一層容置空間以收容至少一個(gè)被上述至少一第二絕緣層22所包覆的具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件40，以使得本發(fā)明可達(dá)成多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的制作。再者，由上述的制作方法可知，如果該基板單元1使用至少三塊電路基板(上述至少一頂層基板11、上述至少一中間基板12及上述至少一底層基板13)的話，則本案將有兩層的空間可以容納一預(yù)定數(shù)量的單向?qū)ńM件30及具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件40。換言之，如果該基板單元1使用更多塊電路基板的話，則本案將有更多層的空間可以容納更多數(shù)量的單向?qū)ńM件30及具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件40。綜上所述，上述至少一頂層基板與上述至少一中間基板之間具有一層容置空間以收容多個(gè)被上述至少一第一絕緣層所包覆的單向?qū)ńM件，且上述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間具有另外一層容置空間以收容至少一個(gè)被上述至少一第二絕緣層所包覆的具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件，因此本發(fā)明可解決「習(xí)知僅能設(shè)置多數(shù)個(gè)單一功能的分離式組件于電子產(chǎn)品內(nèi)，因此習(xí)知的作法不僅耗費(fèi)制造的成本，更是占用電子產(chǎn)品整體的體積」的缺失。以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，非因此局限本發(fā)明的保護(hù)范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板單元，其具有至少一頂層基板、至少一中間基板及至少一底層基板；絕緣單元，其具有至少一填充于上述至少一頂層基板及上述至少一中間基板之間的第一絕緣層及至少一填充于上述至少一中間基板及上述至少一底層基板之間的第二絕緣層；單向?qū)▎卧?，其具有多個(gè)電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板與上述至少一中間基板之間且被上述至少一第一絕緣層所包覆的單向?qū)ńM件；以及一保護(hù)單元，其具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間且被上述至少一第二絕緣層所包覆的具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 上述至少一頂層基板、上述至少一第一絕緣層、上述至少一中間基板、上述至少一第二絕緣層及上述至少一底層基板由上而下依序堆棧在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 上述至少一頂層基板的上表面具有多個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊，上述至少一頂層基板的下表面具有多個(gè)頂層導(dǎo)電軌跡，上述至少一中間基板的上表面具有多個(gè)第一中間導(dǎo)電軌跡，上述至少一中間基板的下表面具有多個(gè)第二中間導(dǎo)電軌跡，上述至少一底層基板的上表面具有多個(gè)底層導(dǎo)電軌跡，且上述至少一底層基板的下表面具有多個(gè)底層導(dǎo)電焊墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 每一個(gè)單向?qū)ńM件選擇性地電性連接于其中一頂層導(dǎo)電軌跡及其中一第一中間導(dǎo)電軌跡之間，且上述至少一具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件電性連接于其中一第二中間導(dǎo)電軌跡及其中一底層導(dǎo)電軌跡之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 上述至少一頂層基板的側(cè)邊具有多個(gè)第一半穿孔，上述至少一第一絕緣層的側(cè)邊具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)該些第一半穿孔的第二半穿孔，上述至少一中間基板的側(cè)邊具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)該些第二半穿孔的第三半穿孔，上述至少一第二絕緣層的側(cè)邊具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)該些第三半穿孔的第四半穿孔，且上述至少一底層基板的側(cè)邊具有多個(gè)相對(duì)應(yīng)該些第四半穿孔的第五半穿孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 上述至少一頂層基板具有多個(gè)分別成形于該些第一半穿孔的內(nèi)表上的第一導(dǎo)電層，上述至少一第一絕緣層具有多個(gè)分別成形于該些第二半穿孔的內(nèi)表上且分別電性連接于該些第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層，上述至少一中間基板具有多個(gè)分別成形于該些第三半穿孔的內(nèi)表上且分別電性連接于該些第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層，上述至少一第二絕緣層具有多個(gè)分別成形于該些第四半穿孔的內(nèi)表上且分別電性連接于該些第三導(dǎo)電層的第四導(dǎo)電層，且上述至少一底層基板具有多個(gè)分別成形于該些第五半穿孔的內(nèi)表上且分別電性連接于該些第四導(dǎo)電層的第五導(dǎo)電層。
7.一種具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括下列步驟提供一基板單元，其具有至少一頂層基板、至少一中間基板及至少一底層基板；將多個(gè)單向?qū)ńM件電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板與上述至少一中間基板之間，且將多個(gè)具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件電性地設(shè)置于上述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間；將至少一第一絕緣層填充于上述至少一頂層基板及上述至少一中間基板之間，且將至少一第二絕緣層填充于上述至少一中間基板及上述至少一底層基板之間；形成多個(gè)穿過該基板單元的貫穿孔，其中每一個(gè)貫穿孔依序穿過上述至少一頂層基板、上述至少一第一絕緣層、上述至少一中間基板、上述至少一第二絕緣層及上述至少一底層基板；分別形成多個(gè)導(dǎo)電層于該些貫穿孔的內(nèi)表面上，其中每一個(gè)導(dǎo)電層電性連接于上述至少一頂層基板、上述至少一中間基板及上述至少一底層基板；以及切割該基板單元、上述至少一第一絕緣層及上述至少一第二絕緣層，以形成多個(gè)單顆的半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其中該些單向?qū)ńM件中的至少一個(gè)及該些具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件中的至少一個(gè)被封裝于每一個(gè)單顆的半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于上述至少一頂層基板、上述至少一第一絕緣層、上述至少一中間基板、上述至少一第二絕緣層及上述至少一底層基板由上而下依序堆棧在一起。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于上述至少一頂層基板的上表面具有多個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊，上述至少一頂層基板的下表面具有多個(gè)頂層導(dǎo)電軌跡，上述至少一中間基板的上表面具有多個(gè)第一中間導(dǎo)電軌跡，上述至少一中間基板的下表面具有多個(gè)第二中間導(dǎo)電軌跡，上述至少一底層基板的上表面具有多個(gè)底層導(dǎo)電軌跡，且上述至少一底層基板的下表面具有多個(gè)底層導(dǎo)電焊墊。
全文摘要
一種具防突波功能的多層式半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板單元、絕緣單元、單向?qū)▎卧氨Ｗo(hù)單元?；鍐卧哂兄辽僖豁攲踊濉⒅辽僖恢虚g基板及至少一底層基板。絕緣單元具有至少一填充于至少一頂層基板及至少一中間基板之間的第一絕緣層及至少一填充于至少一中間基板及至少一底層基板之間的第二絕緣層。單向?qū)▎卧哂卸鄠€(gè)電性地設(shè)置于至少一頂層基板與至少一中間基板之間且被至少一第一絕緣層所包覆的單向?qū)ńM件。保護(hù)單元具有至少一電性地設(shè)置于至少一中間基板與至少一底層基板之間且被至少一第二絕緣層所包覆的具有防止突波電流或突波電壓的保護(hù)組件；進(jìn)而有效地降低了成本。
文檔編號(hào)H01L21/50GK102201395SQ20101014193
公開日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2010年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月25日
發(fā)明者方偉光 申請(qǐng)人:方偉光