專(zhuān)利名稱(chēng)：晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體硅太陽(yáng)能電池的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法。
背景技術(shù)：
目前硅晶太陽(yáng)能電池的主體工藝通過(guò)高質(zhì)量的晶硅原料、良好物理PN結(jié)擴(kuò)散和優(yōu)質(zhì)的鈍化及電流收集等方面構(gòu)成。晶硅幾十年的發(fā)展，現(xiàn)今認(rèn)為進(jìn)一步提高產(chǎn)線(xiàn)電池效率的突破口在表面鈍化尤其是背極的鈍化上，其中S^2作為Si的同系氧化物在鈍化效果及實(shí)現(xiàn)上有明顯的優(yōu)勢(shì)。目前其鈍化應(yīng)用分為兩類(lèi)i. P型電池的正面SW2超薄膜結(jié)合 SiNx的減反鈍化；2. P型電池背面鈍化。但目前存在的問(wèn)題是鈍化效果最優(yōu)的SiA需要在高溫小生長(zhǎng)，其產(chǎn)線(xiàn)應(yīng)用上存在耗時(shí)耗能的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了解決上述存在的缺點(diǎn)和不足，提供一種降低成本并提高晶體硅太陽(yáng)能電池效率的晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。將硅片放入具有一體化液體環(huán)境的設(shè)備中，對(duì)硅片進(jìn)行清洗、擴(kuò)散，在硝酸或氟化氫對(duì)硅片的背面進(jìn)行去磷硅玻璃及刻邊，再用氟化氫浸泡，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。將硅片進(jìn)行等離子干刻和液體濕刻，對(duì)硅片進(jìn)行清洗、擴(kuò)散，再對(duì)硅片進(jìn)行等離子刻邊，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。對(duì)硅片進(jìn)行清洗、擴(kuò)散，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明中二氧化硅薄膜上表面鈍化加強(qiáng)膜的制備節(jié)省了時(shí)間、降低了成本，并提高了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在結(jié)合附圖
和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。實(shí)施例1:將硅片放入具有一體化液體環(huán)境的設(shè)備中，對(duì)硅片進(jìn)行清洗、擴(kuò)散，在硝酸或氟化氫對(duì)硅片的背面進(jìn)行去磷硅玻璃及刻邊，再用氟化氫浸泡，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。實(shí)施例2:將硅片進(jìn)行等離子干刻和液體濕刻，對(duì)硅片進(jìn)行清洗、擴(kuò)散，再對(duì)硅片進(jìn)行等離子刻邊，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。實(shí)施例3:對(duì)硅片進(jìn)行清洗、擴(kuò)散，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。本發(fā)明通過(guò)目前發(fā)展的低溫液體氧化工藝的實(shí)現(xiàn)及與目前液體E-etched工藝的整合，來(lái)實(shí)現(xiàn)在硅片擴(kuò)散后及氮化硅鍍膜間的邊刻，去磷硅玻璃及超薄二氧化硅超薄膜制備，作為達(dá)到低成本提高太陽(yáng)能電池性能作用的方法。在正常晶硅電池工藝的基礎(chǔ)上，在硅片結(jié)擴(kuò)散與ARC減反膜制備之間，在原有的刻邊及去磷硅玻璃的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)液體二氧化硅超薄膜上表面鈍化加強(qiáng)膜制備，其中采用的熱氧化液體，其中熱濃硝酸已被證明有效，其他參考液體有雙氧水、次氯酸、濃硫酸等。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法，其特征在于將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法，其特征在于將硅片放入具有一體化液體環(huán)境的設(shè)備中，對(duì)硅片進(jìn)行清洗、擴(kuò)散，在硝酸或氟化氫對(duì)硅片的背面進(jìn)行去磷硅玻璃及刻邊，再用氟化氫浸泡，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法，其特征在于將硅片進(jìn)行等離子干刻和液體濕刻，對(duì)硅片進(jìn)行清洗、擴(kuò)散，再對(duì)硅片進(jìn)行等離子刻邊，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法，其特征在于對(duì)硅片進(jìn)行清洗、擴(kuò)散，用氟化氫浸泡硅片并去磷硅玻璃，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池的液體氧化鈍化方法，將硅片放入熱氧化液體浸泡制備超薄二氧化硅薄膜，進(jìn)行氮化硅鍍膜工藝。本發(fā)明中二氧化硅薄膜上表面鈍化加強(qiáng)膜的制備節(jié)省了時(shí)間、降低了成本，并提高了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102237433SQ20101015217
公開(kāi)日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月20日
發(fā)明者吳國(guó)強(qiáng) 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司