專利名稱：三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，涉及一種電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，尤其涉及一 種立體堆疊電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器制造方法，用于半導(dǎo)體器件的制造。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件的多層堆疊是集成電路發(fā)展的必然趨勢(shì)，多層堆疊的半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn) 的不僅僅是集成度的成倍上升，而且獲得了器件速度的提升，在合適的層數(shù)范圍內(nèi)，器件的 成本也會(huì)得到顯著的降低，從而使半導(dǎo)體器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。相變存儲(chǔ)器、電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器等電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器是當(dāng)今炙手可熱的下一代非易失 性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，具有廣闊的市場(chǎng)前景，電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度高、制造工藝簡(jiǎn)單、速 度快、并且具有良好的數(shù)據(jù)保持能力，將在不久的將來(lái)在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。也正如 其他半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的三維立體堆疊也是存儲(chǔ)器發(fā)展的重要方向，對(duì)于電阻轉(zhuǎn) 換存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)也是如此?，F(xiàn)今發(fā)展三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的主要瓶頸在于現(xiàn)有的三維堆疊技術(shù) 與電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器工藝的兼容性和成本，特別是在相變存儲(chǔ)器的應(yīng)用中，因?yàn)椴捎玫拇鎯?chǔ) 材料——相變存儲(chǔ)器在高于300多度的時(shí)候普遍具有不穩(wěn)定性。而在現(xiàn)有的三維堆疊技術(shù) 中，工藝中存在數(shù)道高溫工藝，例如在鍵合技術(shù)中，就存在smart-cut以及缺陷修復(fù)的高溫 工藝，因此與相變存儲(chǔ)器的工藝不相兼容。上面也提到三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的 目的之一是大幅度提升存儲(chǔ)器存儲(chǔ)密度的目的，因此，采用高密度的二極管進(jìn)行選通是必 然的選擇，而在制造PN 二極管的過(guò)程中也存在摻雜雜質(zhì)活化的接近900度的激活工藝。以 上的這些高溫工藝將對(duì)相變存儲(chǔ)器單元造成破壞性的影響，不僅大幅地降低了芯片的成品 率，更從根本上否定了此三維立體堆疊的技術(shù)方案。此外，在三維立體堆疊的鍵合工藝中，因?yàn)樽?位線的存在，鍵合圓晶有部分的接 觸是金屬-半導(dǎo)體或者金屬-氧化物的接觸，金屬與圓晶之間的鍵合能力較弱，存在大量 的缺陷，因此，一直是鍵合技術(shù)的瓶頸之一，后續(xù)的化學(xué)機(jī)械拋光可能對(duì)圓晶帶來(lái)很大的影 響，拋光中所施加的機(jī)械力可能造成鍵合界面的剝離。如何提升三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換 存儲(chǔ)器堆疊過(guò)程中的圓晶粘附強(qiáng)度也實(shí)際需要解決的科學(xué)和工程問(wèn)題。當(dāng)前，三維立體堆 疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器并沒(méi)有良好的技術(shù)路線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種在低溫工藝下實(shí)現(xiàn)電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器三維 立體堆疊的制造方法，能夠使工藝與電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器工藝兼容，而且具有良好的可靠性和 較少的缺陷，使電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器在密度、速度和可靠性上更具競(jìng)爭(zhēng)力。一種三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，包括如下的步驟(A)制造半導(dǎo)體圓晶一，在制造有外圍電路和至少一層選通和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)陣列的基底表面依次沉積粘附層甲和金屬層甲(粘附層甲和金屬層甲可為同一種材料)，此過(guò)程輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化；(B)制造半導(dǎo)體圓晶二，在半導(dǎo)體基底上形成PN層，并進(jìn)行激活處理實(shí)現(xiàn)摻雜雜質(zhì)的激活，在含有PN層的圓晶二表面依次沉積粘附層乙和金屬層乙(粘附層乙和金屬層乙 可為同一種材料)，此過(guò)程輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化；(C)將圓晶一和圓晶二進(jìn)行鍵合，圓晶二含有金屬層乙的表面與圓晶一含有金屬 層甲的表面進(jìn)行接觸，通過(guò)鍵合實(shí)現(xiàn)堆疊；(D)堆疊完成后去除原圓晶二多余部分，保留PN層，去除工藝可采用以下四種中 的一種或者多種a.化學(xué)機(jī)械拋光(可含粗拋光和精拋光兩步)；b.背面腐蝕，通過(guò)濕法腐 蝕去除多余半導(dǎo)體；c.退火剝離工藝，離子注入在PN下方形成特殊摻雜層，采用退火在半 導(dǎo)體中形成缺陷，使半導(dǎo)體層從中間裂開(kāi)；d.干法刻蝕。(E)在獲得堆疊后的平坦基底上制造PN 二極管選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列；(F)如需要繼續(xù)堆，疊重復(fù)步驟㈧到(E)的步驟；(G)制造通孔和上電極，并進(jìn)行封裝處理。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是圓晶一和圓晶二的表 面需含粘附層和金屬層，粘附層和金屬層可為同一種材料，且圓晶一和圓晶二可采用同一 種粘附層或者金屬層。粘附層具有良好的粘附能力。金屬層甲和金屬層乙之間較易鍵合， 兩者為金屬單質(zhì)或者為合金。圓晶一和步驟(E)中制造選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列的優(yōu)選結(jié)構(gòu)和方案為 雙淺溝道隔離結(jié)構(gòu)。電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元能夠在電信號(hào)的作用下實(shí)現(xiàn)器件單元電阻的轉(zhuǎn)換，并可實(shí)現(xiàn) 雙級(jí)或者多級(jí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器為相變存儲(chǔ)器，或?yàn)殡娮桦S機(jī)存儲(chǔ)器，或?yàn)镾b 基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器。多層堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中可同時(shí)包含相變存儲(chǔ)器、電阻隨機(jī)存儲(chǔ) 器、Sb基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中的一種或者多種。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法中步驟(D)所述的退火剝離工 藝，其優(yōu)選的方法為通過(guò)離子注入H和B，在退火的幫助下，引發(fā)半導(dǎo)體中的缺陷，實(shí)現(xiàn)400 度以下的剝離。一種肖特基二極管選通的三維立體堆疊電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，包括如下的 步驟(A)制造半導(dǎo)體圓晶一，在制造有外圍電路和至少一層選通和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)陣列的基底表面依次沉積粘附層甲和金屬層甲(粘附層甲和金屬層甲可為同一種材 料)，采用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化，存儲(chǔ)陣列中的選通單元可以是不同于肖特基二極管的 單元；(B)制造半導(dǎo)體圓晶二，圓晶二采用的半導(dǎo)體為輕摻雜的半導(dǎo)體(如若不是，則在 半導(dǎo)體基底上形成輕摻雜層，并進(jìn)行激活處理實(shí)現(xiàn)摻雜雜質(zhì)的激活)，隨后在表面依次沉積 金屬層乙和可選擇的金屬層丙，輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化，金屬乙與輕參雜半導(dǎo)體 (層)形成肖特基勢(shì)壘；(C)將半導(dǎo)體圓晶一和圓晶二進(jìn)行鍵合，實(shí)現(xiàn)堆疊；(D)堆疊完成后去除圓晶二上多余部分的半導(dǎo)體，去除工藝可采用以下四種的一 種或者多種a.化學(xué)機(jī)械拋光(可含粗拋光和精拋光兩步)；b.背面腐蝕，通過(guò)濕法腐蝕去除多余半導(dǎo)體；C.火剝離工藝，離子注入在PN下方形成特殊摻雜層，采用退火在半導(dǎo)體中 形成缺陷，使半導(dǎo)體層從中間裂開(kāi)；d.干法刻蝕。(E)在獲得堆疊后的平坦基底上制造肖特基二極管選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣 列；(F)如需要繼續(xù)堆疊重復(fù)步驟㈧到(E)的步驟；(G)制造通孔和上電極，并進(jìn)行封裝處理。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是圓晶二可直接采用輕 摻雜的半導(dǎo)體。圓晶二如果需要進(jìn)行輕摻雜，則要在堆疊前要先對(duì)表面的輕摻雜層進(jìn)行活 化處理，激活摻雜雜質(zhì)。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是金屬乙與所述的輕摻 雜半導(dǎo)體(層)形成肖特基勢(shì)壘。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是粘附層具有良好的粘 附能力。金屬層甲和金屬層乙(或金屬層丙)之間較易鍵合，三種金屬為單質(zhì)金屬或者為 合金。是鍵合時(shí)圓晶一和圓晶二可采用同一種金屬層。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是圓晶一的選通單元可 以是肖特基二極管、或PN 二極管、或雙極型晶體管、或場(chǎng)效應(yīng)晶體管、或同時(shí)包含以上幾 種。多層堆疊的結(jié)構(gòu)中可同時(shí)含有PN 二極管、雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管和肖特基二極管。圓晶一和步驟(E)中制造選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列的優(yōu)選結(jié)構(gòu)和方案為 雙淺溝道隔離結(jié)構(gòu)。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元 能夠在電信號(hào)的作用下實(shí)現(xiàn)器件單元電阻的轉(zhuǎn)換，并可實(shí)現(xiàn)雙級(jí)或者多級(jí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器為相變存儲(chǔ)器，或?yàn)殡娮桦S機(jī)存儲(chǔ)器，或?yàn)镾b基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ) 器。多層堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中可同時(shí)包含相變存儲(chǔ)、電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器，和Sb基電阻轉(zhuǎn) 換存儲(chǔ)器中的一種或者多種。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法中步驟(D)所述的退火剝離工 藝，其優(yōu)選的方法為通過(guò)離子注入H和B，在退火的幫助下，引發(fā)半導(dǎo)體中的缺陷，實(shí)現(xiàn)400 度以下的剝離。一種三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，包括如下的步驟(A)制造半導(dǎo)體圓晶一，在制造有外圍電路和至少一層選通和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)陣列的基底表面依次沉積粘附層甲和金屬層甲(粘附層甲和金屬層甲可為同一種材 料)，此過(guò)程輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化；(B)制造半導(dǎo)體圓晶二，在半導(dǎo)體基底上形成PNP層或NPN層，并進(jìn)行激活處理 實(shí)現(xiàn)摻雜雜質(zhì)的激活，在含有PNP層或NPN層的圓晶二表面依次沉積粘附層乙和金屬層乙 (粘附層乙和金屬層乙可為同一種材料)，此過(guò)程輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化；(C)將圓晶一和圓晶二進(jìn)行鍵合，圓晶二含有金屬層乙的表面與圓晶一含有金屬 層甲的表面進(jìn)行接觸，通過(guò)鍵合實(shí)現(xiàn)堆疊；(D)堆疊完成后去除原圓晶二多余部分，保留PNP層或NPN層，去除工藝可采用以 下四種中的一種或者多種a.化學(xué)機(jī)械拋光(可含粗拋光和精拋光兩步)；b.背面腐蝕，通過(guò)濕法腐蝕去除多余半導(dǎo)體；C.退火剝離工藝，離子注入在PNP層或NPN層下方形成特殊 摻雜層，采用退火在半導(dǎo)體中形成缺陷，使半導(dǎo)體層從中間裂開(kāi)；d.干法刻蝕。(E)在獲得堆疊后的平坦基底上制造PNP層或NPN層雙極型晶體管選通陣列和電 阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列；(F)如需要繼續(xù)堆，疊重復(fù)步驟㈧到(E)的步驟；(G)制造通孔和上電極，并進(jìn)行封裝處理。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征是圓晶一和圓晶二的表 面需含粘附層和金屬層，粘附層和金屬層可為同一種材料，且圓晶一和圓晶二可采用同一 種粘附層或者金屬層。粘附層具有良好的粘附能力。金屬層甲和金屬層乙之間較易鍵合， 兩者為金屬單質(zhì)或?yàn)楹辖?。圓晶一和步驟(E)中制造選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列的優(yōu)選結(jié)構(gòu)和方案為 雙淺溝道隔離結(jié)構(gòu)。電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元能夠在電信號(hào)的作用下實(shí)現(xiàn)器件單元電阻的轉(zhuǎn)換，并可實(shí)現(xiàn) 雙級(jí)或者多級(jí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器為相變存儲(chǔ)器，或?yàn)殡娮桦S機(jī)存儲(chǔ)器，或?yàn)镾b 基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器。多層堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中可同時(shí)包含相變存儲(chǔ)器、電阻隨機(jī)存儲(chǔ) 器、Sb基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中的一種或者多種。所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法中步驟(D)所述的退火剝離工 藝，其優(yōu)選的方法為通過(guò)離子注入H和B，在退火的幫助下，引發(fā)半導(dǎo)體中的缺陷，實(shí)現(xiàn)400 度以下的剝離。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明提出的三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方 法，不僅能夠使工藝與電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器工藝兼容，而且具有良好的可靠性和較少的缺陷，有 望在三維立體堆疊中獲得大規(guī)模的應(yīng)用。


圖IA-圖10為制造多層堆疊電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器工藝流程示意圖。圖2A-圖20為另一種制造多層堆疊電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器工藝流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。實(shí)施例一請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明揭示了一種三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，包括 如下的步驟(1)圖IA所示為制造有外圍電路和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列的基底，圖中基底1 沒(méi)有繪出外圍電路部分，且圖示的尺寸非等比例繪制，基底帶有一層的存儲(chǔ)陣列，本案中， 采用的選通管為PN 二極管，當(dāng)然也可以采用其他選通單元，例如肖特基二極管和雙極型晶 體管以及場(chǎng)效應(yīng)晶體管等，在此，以PN 二極管為例，但要說(shuō)明的是，本實(shí)施例選用的選通管 并不限制于PN 二極管。采用的存儲(chǔ)器電阻存儲(chǔ)單元也可以是相變存儲(chǔ)器、電阻隨機(jī)存儲(chǔ) 器、Sb基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中的一種，在此，為了表述方便，以電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器為例。圖IA中， 2為導(dǎo)電字線(采用金屬或者是重?fù)诫s半導(dǎo)體)，3為絕緣材料，4為PN 二極管，5為電極，6為NiO存儲(chǔ)材料單元。圖IA中沿A-A方向的投影如圖IB所示。(2)采用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化后，在上述基底表面依次沉積粘附層7和金屬 層8，如圖IC所示，如此得到了圓晶一。這里采用的粘附層7以Ti為例，金屬層8為Cu。粘 附層和金屬層可為同一種材料，即例如，兩者全部都是Ti。如果表面不平整，需要進(jìn)行平坦 化。粘附層的選用可增強(qiáng)金屬層與基底之間的附著能力。(3)制造圓晶二，在平坦的半導(dǎo)體基底9上通過(guò)離子注入形成PN層10，并進(jìn)行激 活處理實(shí)現(xiàn)摻雜雜質(zhì)的激活，隨后再進(jìn)行一次離子注入，形成特殊的雜質(zhì)層11，如圖ID所
7J\ ο(4)在含有PN層的表面依次沉積12粘附層Ti和13金屬層Cu，如有必要，則采用 化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化，得到如圖IE所示的結(jié)構(gòu)，即圓晶二。粘附層的選用可增強(qiáng)金屬 層與圓晶二之間的附著能力。(5)如圖IF將圓晶一和圓晶二進(jìn)行鍵合，圓晶二含有PN層的表面與圓晶一的表面 進(jìn)行接觸，實(shí)現(xiàn)堆疊；鍵合后的結(jié)構(gòu)如圖IG所示，其中14和15分別是圓晶一和圓晶二，16 就是鍵合之后的結(jié)構(gòu)。(6)在300度下通過(guò)高純氮?dú)獾谋Ｗo(hù)進(jìn)行退火，由于離子注入雜質(zhì)后在半導(dǎo)體中 形成的缺陷，半導(dǎo)體將從層11處裂開(kāi)，將PN表面層留在圓晶一的表面，平坦化后如圖IH所 示，而剝離下來(lái)的半導(dǎo)體基底9還可以循環(huán)使用，圖IH中沿B-B方向的投影如圖II所示。(7)拋光后，依次沉積與半導(dǎo)體具有良好歐姆接觸的導(dǎo)電層17和NiO層，如圖IJ 所示。(8)在獲得堆疊后的平坦基底上制造PN 二極管選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列； 制造上述的結(jié)構(gòu)優(yōu)先采用雙淺溝道隔離技術(shù)制造，具體是a.如圖IK所示制造較深的第 一淺溝道19，直到能將圓晶一上的粘附層和金屬層分隔成分立的線條，為位線(/字線)； b.制造與其相交(最好是正交)的第二淺溝道20，淺溝道的深度相比于第一淺溝道較淺， 深度直到圓晶二上的粘附層和金屬層的上方，即能夠?qū)⑼晃痪€上方的PN層分隔成獨(dú)立 的單元，形成PN 二極管，如圖IL ;c.沉積絕緣層21，材料例如多晶硅，填充后，采用化學(xué)機(jī) 械拋光進(jìn)行平坦化，得到如圖IM和IN所示的結(jié)構(gòu)；d.沉積粘附層和金屬層。(9)如需要繼續(xù)堆疊重復(fù)步驟(1)到(8)的步驟，形成如圖10所示的多層堆疊結(jié) 構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)的層數(shù)顯然不局限于圖中所示的4層，可以為更多；多層結(jié)構(gòu)中，相鄰層之間 共享字/位線，雖然本實(shí)施例中所示的圖中采用同一種存儲(chǔ)材料，但是在此需要指出，不同 層之間可以采用不同的存儲(chǔ)材料，甚至可以采用相變材料和Sb基材料。(10)制造各層之間的通孔和上電極，并進(jìn)行封裝處理。實(shí)施例二本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于，本實(shí)施例為制造雙極型晶體管選通三維立體堆 疊電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的方法。上述實(shí)施例中也已經(jīng)得到說(shuō)明，在圖IA和圖IB的結(jié)構(gòu)中，可以采用雙極型晶體管 替代PN 二極管4作為選通管。如果采用雙極型晶體管作為選通管，圖ID中形成的PN層10 則要相應(yīng)地改為NPN層或者是PNP層，隨后的相應(yīng)工藝與實(shí)施例一相似。最后得到的圖10 所示的多層堆疊的電阻存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中，相比的不同之處在于22-25各層采用的選通單元為 雙極型晶體管。
實(shí)施例三本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于，本實(shí)施例為制造肖特基二極管選通三維立體堆 疊電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的方法。(1)圖2A所示為制造有外圍電路和一層電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列的基底，同樣也 沒(méi)有示意出外圍電路，但是并不表示基底31上不具備外圍電路。本案中采用的選通管為肖 特基二極管，當(dāng)然也可以采用其他選通單元，例如PN 二極管和雙極型晶體管等，在此，以肖 特基二極管為例，但要說(shuō)明的是并不限制于肖特基二極管。多個(gè)肖特基二極管34共享一根 字線32，肖特基管形成的 肖特基勢(shì)壘的界面可以在與字線32或者是與電極35的界面。電 極35還是相變存儲(chǔ)單元37的加熱電極，它可以包含多層結(jié)構(gòu)。36是為了限制相變材料體 積的絕緣側(cè)墻，能夠有效降低相變存儲(chǔ)器的功耗。采用的相變存儲(chǔ)器單元也可以是電阻隨 機(jī)存儲(chǔ)器、Sb基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中的一種，在此，為了表述方便，以Si-Sb-Te基相變存儲(chǔ)器 為例。圖2A中沿C-C方向的投影如圖2B所示。(2)采用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化，在基底表面依次沉積粘附層38和金屬層39， 如圖2C所示，這里采用的粘附層以TiN為例，金屬層為WTi。粘附層和金屬層可為同一種材 料，即例如，兩者全部都是Ti或者TiN等。如果表面不平整，需要再次進(jìn)行平坦化。(3)制造鍵合所需的圓晶二 采用輕摻雜的半導(dǎo)體40，在平坦的半導(dǎo)體基底上通 過(guò)離子注入形成B和H摻雜層42，表面層41依然是輕摻雜半導(dǎo)體，如圖2D所示。注入形成 的B和H摻雜層42也可以用其他的離子注入方法代替。(4)沉積金屬層43，如圖2E所示，金屬層43除了與半導(dǎo)體41之間具有良好的接 觸和粘附性之外，還可與輕摻雜的半導(dǎo)體41形成肖特基勢(shì)壘。(5)將圓晶一和圓晶二進(jìn)行鍵合，圓晶二表面的金屬與圓晶一表面的WTi實(shí)現(xiàn)金 屬_金屬鍵合，實(shí)現(xiàn)堆疊，如圖2F和G所示。(6)在250度下通過(guò)真空保護(hù)進(jìn)行退火，由于H和B的離子注入后在半導(dǎo)體中形成 的缺陷，半導(dǎo)體將從42層裂開(kāi)，將表面層41留在圓晶一的表面，如圖2H所示，圖中沿D-D 方向的投影如圖21所示，而剝離下來(lái)的半導(dǎo)體基底還可以循環(huán)使用，有利于節(jié)省成本。(7)沉積電極48，電極48可包含多層結(jié)構(gòu)，如果金屬層43與輕摻雜的半導(dǎo)體41 未能形成歐姆接觸，電極48多層結(jié)構(gòu)中與與輕摻雜的半導(dǎo)體41接觸的部分需要與還需要 與輕摻雜的半導(dǎo)體41形成肖特基勢(shì)壘。隨后沉積絕緣材料49，如圖2J所示。(8)在獲得堆疊后的平坦基底上制造肖特基二極管選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣 列，如圖2K所示，圖中所示52為犧牲層。圖2K所示的沿E-E方向的投影如圖2L所示。圖 中51所示即為肖特基二極管，根據(jù)上述的工藝步驟，其肖特基勢(shì)壘可在上表面，也可在下 表面。(9)回刻工藝，形成空槽53，露出電極，然而在溝槽的底部和側(cè)壁，保留有絕緣層 52，如圖2M所示。(10)填充Si-Sb材料54，化學(xué)機(jī)械拋光平坦化后如圖2N所示。(11)制造字線55，如圖20所示的雙層堆疊結(jié)構(gòu)。(12)如需要繼續(xù)堆疊重復(fù)步驟(1)到(11)的步驟；(13)制造各層之間的通孔和上電極，并進(jìn)行封裝處理。實(shí)施例四
本實(shí)施例與實(shí)施例三的區(qū)別在于，本實(shí)施例揭示一種制造三維立體堆疊電阻轉(zhuǎn)換 存儲(chǔ)器的方法，采用多種選通管多種存儲(chǔ)單元。實(shí)施例三中，圖2A和2B中所示的肖特基二極管可以用PN 二極管或者雙極型二極 管代替，而隨后的上層選通管可以是肖特基二極管，即在一個(gè)多層堆疊的器件中，可以包含 多種選通管，也可以包含多種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，再次不再贅述。在鍵合之后，圓晶二多余部分半 導(dǎo)體的去除可以采用別的方法，例如化學(xué)機(jī)械拋光、濕法刻蝕和干法刻蝕中的一種或者多 種，并不局限于上述的方法，在此也不再贅述。這里本發(fā)明的描述和應(yīng)用是說(shuō)明性的，并非想將本發(fā)明的范圍限制在上述實(shí)施例 中。這里所披露的實(shí)施例的變形和改變是可能的，對(duì)于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)實(shí) 施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本發(fā)明 的精神或本質(zhì)特征的情況下，本發(fā)明可以以其他形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例，以及用其他基底、 材料和部件來(lái)實(shí)現(xiàn)。在不脫離本發(fā)明范圍和精神的情況下，可以對(duì)這里所披露的實(shí)施例進(jìn) 行其他變形和改變。
例如，存儲(chǔ)材料的選擇并不限制于特定的相變材料或者是電阻隨機(jī)存儲(chǔ)材料，可 以是任何一種能夠在電信號(hào)的作用下實(shí)現(xiàn)電阻反轉(zhuǎn)的材料，在一個(gè)多層堆疊的器件中，可 以包含多種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，也可以包含多種選通管。
權(quán)利要求
一種三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟(A)制造半導(dǎo)體第一圓晶，在制造有外圍電路和至少一層選通和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列的基底表面依次沉積粘附層甲和金屬層甲，此過(guò)程輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化；(B)制造半導(dǎo)體第二圓晶，在半導(dǎo)體基底上形成PN層，并進(jìn)行激活處理實(shí)現(xiàn)摻雜雜質(zhì)的激活，在含有PN層的第二圓晶表面依次沉積粘附層乙和金屬層乙，此過(guò)程輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化；(C)將第一圓晶和第二圓晶進(jìn)行鍵合，第二圓晶含有金屬層乙的表面與第一圓晶含有金屬層甲的表面進(jìn)行接觸，通過(guò)鍵合實(shí)現(xiàn)堆疊；(D)堆疊完成后去除原第二圓晶多余部分，保留PN層；(E)在獲得堆疊后的平坦基底上制造PN二極管選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列；(G)制造通孔和上電極，并進(jìn)行封裝處理。
2.如權(quán)利要求1所述的三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 步驟⑶中，去除工藝采用以下四種中的一種或者多種a.化學(xué)機(jī)械拋光；b.背面腐蝕，通過(guò)濕法腐蝕去除多余半導(dǎo)體；c.退火剝離工藝，離子注入在PN下方形成特殊摻雜層，采用退火在半導(dǎo)體中形成缺 陷，使半導(dǎo)體層從中間裂開(kāi)；d.干法刻蝕。
3.如權(quán)利要求2所述的三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 所述化學(xué)機(jī)械拋光包含粗拋光和精拋光兩步。
4.如權(quán)利要求1所述的三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 所述方法在步驟(G)之前還包括步驟(F)如需要繼續(xù)堆疊，則根據(jù)需要重復(fù)步驟(A)到(E)的步驟。
5.如權(quán)利要求1所述的三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于所述步驟(A)中，粘附層甲和金屬層甲為同一種材料；步驟(B)中，粘附層乙和金屬層 乙為同一種材料。
6.如權(quán)利要求1所述的三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 所述粘附層甲、粘附層乙具有良好的粘附能力。
7.如權(quán)利要求1所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 金屬層甲和金屬層乙之間易鍵合，金屬層甲和金屬層乙為單質(zhì)金屬，或?yàn)楹辖稹?br> 8.如權(quán)利要求1所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于鍵合時(shí)，第一圓晶和第二圓晶的表面含粘附層和金屬層，粘附層和金屬層為同一種材 料，且第一圓晶和第二圓晶采用同一種粘附層或者金屬層。
9.如權(quán)利要求1所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于第一圓晶和步驟(E)中制造選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列的結(jié)構(gòu)為雙淺溝道隔離 結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元在電信號(hào)的作用下實(shí)現(xiàn)器件單元電阻的轉(zhuǎn)換，并可實(shí)現(xiàn)雙級(jí)或者多級(jí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
11.如權(quán)利要求1或10所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于所述電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器為相變存儲(chǔ)器，或?yàn)殡娮桦S機(jī)存儲(chǔ)器，或?yàn)镾b基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器.
12.如權(quán)利要求1所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于所述電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器為多層堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器，其中同時(shí)包含相變存儲(chǔ)器、電阻 隨機(jī)存儲(chǔ)器、Sb基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中的一種或者多種。
13.如權(quán)利要求1所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于所述步驟(D)中，退火剝離工藝為通過(guò)離子注入H和B，在退火的幫助下，引發(fā)半導(dǎo)體中 的缺陷，實(shí)現(xiàn)400度以下的剝離。
14.一種肖特基二極管選通的三維立體堆疊電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，包括如下的 步驟(A1)制造半導(dǎo)體第一圓晶，在制造有外圍電路和至少一層選通和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器存儲(chǔ) 陣列的基底表面依次沉積粘附層甲和金屬層甲，采用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化；(B1)制造半導(dǎo)體第二圓晶，第二圓晶采用的半導(dǎo)體為輕摻雜的半導(dǎo)體；或者若第二圓 晶采用的半導(dǎo)體不是輕摻雜的半導(dǎo)體，則在半導(dǎo)體基底上形成輕摻雜層，并進(jìn)行激活處理 實(shí)現(xiàn)摻雜雜質(zhì)的激活；隨后在表面依次沉積金屬層乙和可選擇的金屬層丙，輔助以化學(xué)機(jī) 械拋光進(jìn)行平坦化，金屬層乙與輕參雜半導(dǎo)體/輕參雜層形成肖特基勢(shì)壘； (C1)將半導(dǎo)體第一圓晶和第二圓晶進(jìn)行鍵合，實(shí)現(xiàn)堆疊； (D1)堆疊完成后去除第二圓晶上多余部分的半導(dǎo)體；(E1)在獲得堆疊后的平坦基底上制造肖特基二極管選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列；(G1)制造通孔和上電極，并進(jìn)行封裝處理。
15.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于所述方法在步驟(G1)之前還包括步驟(F1)如需要繼續(xù)堆疊，則根據(jù)需要重復(fù)步驟 (A1)到(E1)的步驟。
16.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 步驟(D1)中，去除工藝采用以下四種的一種或者多種a.化學(xué)機(jī)械拋光，含粗拋光和精拋光兩步；b.背面腐蝕，通過(guò)濕法腐蝕去除多余半導(dǎo)體；c.火剝離工藝，離子注入在PN下方形成特殊摻雜層，采用退火在半導(dǎo)體中形成缺陷， 使半導(dǎo)體層從中間裂開(kāi)；d.干法刻蝕。
17.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 步驟(A1)中，存儲(chǔ)陣列中的選通單元為不同于肖特基二極管的單元；所述步驟(A1)中，粘附層甲和金屬層甲為同一種材料；步驟(B1)中，金屬層丙和金屬 層乙為同一種材料。
18.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于所述第二圓晶直接采用輕摻雜的半導(dǎo)體。
19.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于第二圓晶如果需要進(jìn)行輕摻雜，則要在堆疊前先對(duì)表面的輕摻雜層進(jìn)行活化處理，激 活摻雜雜質(zhì)。
20.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 所述第二圓晶直接采用輕摻雜的半導(dǎo)體，或者，第二圓晶如果需要進(jìn)行輕摻雜，則要在堆疊前先對(duì)表面的輕摻雜層進(jìn)行活化處理，激活摻雜雜質(zhì)；金屬層乙與上述輕摻雜半導(dǎo)體/輕摻雜層形成肖特基勢(shì)壘。
21.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 粘附層具有良好的粘附能力。
22.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 金屬層甲和金屬層乙或金屬層丙之間易鍵合，金屬甲、乙、丙為單質(zhì)金屬或者為合金。
23.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于第一圓晶的選通單元為肖特基二極管、或PN 二極管、雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、或 同時(shí)包含以上幾種。
24.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于多層堆疊的結(jié)構(gòu)中同時(shí)含有肖特基二極管、PN 二極管、雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
25.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于第一圓晶和步驟(E1)中制造選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列的優(yōu)選結(jié)構(gòu)和方案為雙 淺溝道隔離結(jié)構(gòu)。
26.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 鍵合時(shí)第一圓晶和第二圓晶采用同一種金屬層。
27.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元在電信號(hào)的作用下實(shí)現(xiàn)器件單元電阻的轉(zhuǎn)換，并可實(shí)現(xiàn)雙級(jí)或者 多級(jí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
28.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器為相變存儲(chǔ)器，或?yàn)殡娮桦S機(jī)存儲(chǔ)器，或?yàn)镾b基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器。
29.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 所述電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器為多層堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器；其同時(shí)包含相變存儲(chǔ)、電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器，和Sb基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中的一種或者多種。
30.如權(quán)利要求14所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 步驟(D1)所述的退火剝離工藝，其優(yōu)選的方法為通過(guò)離子注入H和B，在退火的幫助下，引發(fā)半導(dǎo)體中的缺陷，實(shí)現(xiàn)400度以下的剝離。
31.一種三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下 步驟(A2)制造半導(dǎo)體第一圓晶，在制造有外圍電路和至少一層選通和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器存儲(chǔ) 陣列的基底表面依次沉積粘附層甲和金屬層甲，此過(guò)程輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化；(B2)制造半導(dǎo)體第二圓晶，在半導(dǎo)體基底上形成PNP層或NPN層，并進(jìn)行激活處理實(shí)現(xiàn) 摻雜雜質(zhì)的激活，在含有PNP層或NPN層的第二圓晶表面依次沉積粘附層乙和金屬層乙，此過(guò)程輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化；(C2)將第一圓晶和第二圓晶進(jìn)行鍵合，第二圓晶含有金屬層乙的表面與第一圓晶含有 金屬層甲的表面進(jìn)行接觸，通過(guò)鍵合實(shí)現(xiàn)堆疊；(D2)堆疊完成后去除原第二圓晶多余部分，保留PNP層或NPN層； (E2)在獲得堆疊后的平坦基底上制造PNP層或NPN層雙極型晶體管選通陣列和電阻轉(zhuǎn) 換存儲(chǔ)器陣列；(G2)制造通孔和上電極，并進(jìn)行封裝處理。
32.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于所述方法在步驟(G2)之前還包括步驟(F2)如需要繼續(xù)堆疊，則根據(jù)需要重復(fù)步驟 (A2)到(E2)的步驟。
33.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 步驟(D2)中，去除工藝采用以下四種的一種或者多種a.化學(xué)機(jī)械拋光，含粗拋光和精拋光；b.背面腐蝕，通過(guò)濕法腐蝕去除多余半導(dǎo)體；c.火剝離工藝，離子注入在PN下方形成特殊摻雜層，采用退火在半導(dǎo)體中形成缺陷， 使半導(dǎo)體層從中間裂開(kāi)；d.干法刻蝕。
34.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于所述步驟(A2)中，粘附層甲和金屬層甲為同一種材料；步驟(B2)中，粘附層乙和金屬 層乙為同一種材料。
35.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 粘附層具有良好的粘附能力；金屬層甲和金屬層乙之間較易鍵合，兩者為單質(zhì)金屬或者為合金。
36.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于鍵合時(shí)，第一圓晶和第二圓晶的表面需含粘附層和金屬層，粘附層和金屬層為同一種 材料，且第一圓晶和第二圓晶采用同一種粘附層或者金屬層。
37.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于第一圓晶和步驟(E2)中制造選通陣列和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器陣列的結(jié)構(gòu)為雙淺溝道隔離 結(jié)構(gòu)。
38.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元在電信號(hào)的作用下實(shí)現(xiàn)器件單元電阻的轉(zhuǎn)換，并可實(shí)現(xiàn)雙級(jí)或者 多級(jí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
39.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器為相變存儲(chǔ)器，或?yàn)殡娮桦S機(jī)存儲(chǔ)器，或?yàn)镾b基電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器。
40.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于多層堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器中同時(shí)包含相變存儲(chǔ)器、電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器、Sb基電阻轉(zhuǎn)換 存儲(chǔ)器中的一種或者多種。
41.如權(quán)利要求31所述三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于 步驟(D2)所述的退火剝離工藝，方法為通過(guò)離子注入H和B，在退火的幫助下，引發(fā)半導(dǎo)體中的缺陷，實(shí)現(xiàn)400度以下的剝離。
全文摘要
本發(fā)明提供一種三維立體多層堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法，所述方法包括如下步驟在制造有外圍電路和電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)陣列的表面依次沉積粘附層和金屬層，輔助以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化，形成需要鍵合的圓晶一；制造鍵合所需的圓晶二工藝如下在圓晶上形成PN層，并進(jìn)行激活處理，隨后表面依次沉積粘附層和金屬層，并平坦化；圓晶鍵合圓晶一和圓晶二；通過(guò)后續(xù)的工藝去除圓晶二多余部分，可采用背面腐蝕、拋光、或者退火剝離工藝。本發(fā)明還包括一種制造肖特基二極管選通的三維立體堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法。本發(fā)明不僅能夠使工藝與電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器工藝兼容，而且具有良好的可靠性和較少的缺陷，有望在三維立體堆疊中獲得大規(guī)模的應(yīng)用。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101834152SQ20101015246
公開(kāi)日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月20日
發(fā)明者劉旭焱, 劉波, 宋志棠, 封松林, 張挺, 馬曉波 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所