專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
高壓器件在現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用，與之對(duì)應(yīng)的高壓工藝由于需要為電路設(shè)計(jì)提供很多種類型的器件，例如高壓MOS管、低壓MOS管、電阻、電容、電感等，因此高壓工藝本身的集成度很高，并且對(duì)這些器件的性能要求也都非常高，這里所提到的高壓器件都是指平面的高壓器件。通常0.35um以上的高壓工藝中，高壓MOS器件最常用的隔離方式是LOCOS (硅的局部氧化)工藝，即在有源區(qū)以外的區(qū)域生長(zhǎng)一層厚的氧化膜作為隔離層，也稱場(chǎng)氧，簡(jiǎn)稱場(chǎng)氧。場(chǎng)氧下面的硅區(qū)為溝道阻止區(qū)，所述溝道阻止區(qū)可以起到隔離導(dǎo)電溝道的作用，通常會(huì)在該區(qū)域進(jìn)行重?fù)诫s注入，也即場(chǎng)注入或溝道阻斷注入，所述重?fù)诫s注入的類型和導(dǎo)電溝道的類型相反，從而可以進(jìn)一步的隔離導(dǎo)電溝道。上述兩步對(duì)于器件的隔離性能好壞影響極大，場(chǎng)氧的厚度、場(chǎng)注入的能量和劑量等決定了場(chǎng)管開啟電壓的高低，因此選擇合適的場(chǎng)氧厚度和場(chǎng)注入劑量等條件對(duì)高壓器件的隔離來(lái)講至關(guān)重要。公開號(hào)“CN1964004A”的中國(guó)專利文獻(xiàn)中提供了一種改善高壓NMOS器件隔離特性的方法，其通過增加場(chǎng)氧厚度、提高低壓P阱注入的濃度等方法來(lái)改善高壓NMOS器件隔離特性。眾所周知，現(xiàn)代平面高壓器件要實(shí)現(xiàn)耐壓，大多需要在MOS管的漏端形成漂移區(qū)， 然后利用漂移區(qū)形成耗盡層，以減小表面電場(chǎng)(RESURF原理)，這種漂移區(qū)是借由離子注入然后通過高溫?zé)徇^程擴(kuò)散形成，我們稱這種MOS管為L(zhǎng)DMOS (橫向擴(kuò)散漂移區(qū)MOS管)。而漂移區(qū)的上表面通常需要生長(zhǎng)一定厚度的熱氧化層，然后通過多晶硅柵搭在熱氧化層上改變漂移區(qū)上表面的電勢(shì)分布實(shí)現(xiàn)漂移區(qū)的完全耗盡，達(dá)到有限漂移區(qū)長(zhǎng)度下最極限的耐壓。通常漂移區(qū)的熱氧化層和LOCOS中的場(chǎng)氧會(huì)在同一步中形成，由于0. 35um以上的高壓工藝中LOCOS的場(chǎng)氧通常比較厚，而且只能做一次，因此漂移區(qū)上的熱氧化層都被迫使用這一次場(chǎng)氧，這樣漂移區(qū)上的熱氧化層就會(huì)像場(chǎng)氧一樣厚，因?yàn)闊嵫趸瘜釉胶衿湎聦拥钠茀^(qū)耗盡效果越差，這樣使得漂移區(qū)難以完全耗盡達(dá)到最佳的耐壓效果。例如圖1至圖5所示為一種現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法示意圖。參考圖1，首先在整個(gè)硅襯底10表面生長(zhǎng)一層200埃的緩沖氧化層(PAD oxide)和用低壓爐管的方式淀積一層氮化硅層(SiN)，其構(gòu)成硬掩膜層15 ；接著參考圖2，在硬掩膜層15上涂上光刻膠 17，通過曝光顯影定義出隔離區(qū)20和漂移區(qū)25;接著參考圖2，使用等離子蝕刻去除隔離區(qū) 20和漂移區(qū)25的硬掩膜層15，暴露出隔離區(qū)20和漂移區(qū)25的硅襯底10 ；接著參考圖3， 做去膠清洗，然后再次涂上光刻膠27，通過曝光顯影暴露出隔離區(qū)20位置，進(jìn)行場(chǎng)注入，形成隔離區(qū)摻雜30 ；接著參考圖4，去完膠后再次涂光刻膠37，通過曝光顯影暴露出漂移區(qū)25 位置，做漂移區(qū)注入，形成漂移區(qū)40 ；最后參考圖5，生長(zhǎng)場(chǎng)氧50和漂移區(qū)的熱氧化層60。 因?yàn)閳?chǎng)氧50和熱氧化層60是在同一步驟中形成，因此漂移區(qū)的熱氧化層60厚度只能跟場(chǎng)氧50厚度一樣，這樣漂移區(qū)的熱氧化層60厚度是不可控的，太厚的漂移區(qū)熱氧化層60會(huì)減弱漂移區(qū)的耗盡效果，無(wú)法達(dá)到最佳的耐壓效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是在提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，提高高壓器件的耐壓效果。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其中包括步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括位于半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；去除第一區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；向第一區(qū)域注入雜質(zhì)離子；在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第一氧化硅層；去除第二區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；在具有第一氧化硅層的第一區(qū)域上及第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第二氧化硅層。優(yōu)選地，所述去除第一區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層的步驟包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成暴露所述第一區(qū)域的光掩膜圖形；對(duì)所述第一區(qū)域的硬掩膜層進(jìn)行刻蝕。優(yōu)選地，所述去除第二區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層的步驟包括在半導(dǎo)體襯底上形成暴露所述第二區(qū)域的光掩膜圖形；對(duì)所述第二區(qū)域的硬掩膜層進(jìn)行刻蝕。優(yōu)選地，所述硬掩膜層包括氧化硅層和位于氧化硅層上的氮化硅層。優(yōu)選地，所述去除第二區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；和在具有第一氧化硅層的第一區(qū)域繼續(xù)生長(zhǎng)第二氧化硅層，第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第二氧化硅層步驟之間還包括向所述第二區(qū)域注入雜質(zhì)離子。優(yōu)選地，所述第一區(qū)域注入的雜質(zhì)離子和第二區(qū)域注入的雜質(zhì)離子的類型相反。優(yōu)選地，所述在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第一氧化硅層是采用熱氧化的方法。優(yōu)選地，所述在具有第一氧化硅層的第一區(qū)域繼續(xù)生長(zhǎng)第二氧化硅層，第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第二氧化硅層是采用熱氧化的方法。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上具有第一氧化物層和第二氧化物層的疊層結(jié)構(gòu)，第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上具有第二氧化物層。優(yōu)選地，所述第一區(qū)域?yàn)楦綦x區(qū)，在第一區(qū)域的硅襯底內(nèi)具有第一類型的摻雜，所述第二區(qū)域?yàn)槠茀^(qū)，在第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第二類型的摻雜。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底，硬掩膜層所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上具有氧化物層，第一區(qū)域半導(dǎo)體襯底上的氧化物層的厚度大于第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上的氧化物層的厚度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明主要具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過首先在隔離區(qū)的位置長(zhǎng)第一氧化硅層，然后在隔離區(qū)和漂移區(qū)的位置同時(shí)長(zhǎng)第二氧化硅層，隔離區(qū)位置的第一氧化硅層和第二氧化硅層就構(gòu)成了場(chǎng)氧，漂移區(qū)的第二氧化硅層就構(gòu)成了熱氧化層。這樣使得保證場(chǎng)氧厚度不變的情況下，可以調(diào)節(jié)所需的漂移區(qū)熱氧化層的厚度，從而使得耐壓效果增強(qiáng)，并且由于在隔離區(qū)和漂移區(qū)只需要做兩次光刻，從而大大節(jié)省了工藝流程，降低了成本。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1至圖5是一種現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法示意圖；圖6是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法流程圖；圖7至圖12是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法一實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)中，由于隔離區(qū)的場(chǎng)氧和漂移區(qū)的熱氧化層是在同一步工藝中形成，這樣漂移區(qū)的熱氧化層厚度只能跟場(chǎng)氧厚度一樣，這樣漂移區(qū)的熱氧化層厚度是不可控的，而為了保證隔離的效果，場(chǎng)氧通常需要較厚，太厚的漂移區(qū)熱氧化層會(huì)減弱漂移區(qū)的耗盡效果，無(wú)法達(dá)到最佳的耐壓效果。而且場(chǎng)區(qū)的注入和漂移區(qū)的注入還需要兩次光刻分別定義，多出一道光刻，增加了成本。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)，得到了一種半導(dǎo)體器件的制造方法通過首先在隔離區(qū)的位置長(zhǎng)第一氧化硅層，然后在隔離區(qū)和漂移區(qū)的位置同時(shí)長(zhǎng)第二氧化硅層，隔離區(qū)位置的第一氧化硅層和第二氧化硅層就構(gòu)成了場(chǎng)氧，漂移區(qū)的第二氧化硅層就構(gòu)成了熱氧化層。這樣使得保證場(chǎng)氧厚度不變的情況下，可以調(diào)節(jié)所需的漂移區(qū)熱氧化層的厚度，從而使得耐壓效果增強(qiáng)，并且由于在隔離區(qū)和漂移區(qū)只需要做兩次光刻，從而大大節(jié)省了工藝流程，降低了成本。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖6是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法流程圖；圖7至圖12是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法一實(shí)施例的示意圖。如圖6所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包括步驟S10:提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有硬掩膜層，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；S20 去除第一區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；S30 向第一區(qū)域注入雜質(zhì)離子；S40 在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第一氧化硅層；
S50 去除第二區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；S60 在具有第一氧化硅層的第一區(qū)域上及第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第二氧
化硅層。下面結(jié)合圖7至圖12對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖7所示，首先，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100包括襯底層105和位于襯底層105表面的硬掩膜層110。所述半導(dǎo)體襯底100包括第一區(qū)域120a和第二區(qū)域120b。一般的，第一區(qū)域120a和第二區(qū)域120b用于形成不同的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如在本實(shí)施例中第一區(qū)域120a 用于形成隔離區(qū)，第二區(qū)域120b用于形成漂移區(qū)。具體地，襯底層105可以是單晶硅、多晶硅或非晶硅，也可以是硅、鍺、砷化鎵或硅鍺化合物，還可以具有外延層或絕緣層上硅結(jié)構(gòu)。所述的半導(dǎo)體襯底100還可以是其它半導(dǎo)體材料，這里不再一一列舉。所述硬掩膜層110可以為氧化硅層和氮化硅層，在一具體實(shí)施方式
中，所述硬掩膜層110可以為氧化物層和氮化硅層的疊層結(jié)構(gòu)，例如其包括在襯底層105表面生長(zhǎng)的一層200埃的緩沖氧化物層(PAD oxide)和用低壓爐管的方式淀積的氮化硅層(SiN)。接著，參考圖8，可以在半導(dǎo)體襯底100上形成光掩膜圖形130，其工藝具體可以為在所述硬掩膜層Iio表面旋涂(spin on)光刻膠，接著通過曝光將掩膜版上的與開口相對(duì)應(yīng)的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，然后利用顯影液將第一區(qū)域120a相應(yīng)部位的光刻膠去除，以形成暴露第一區(qū)域120a的光掩膜圖形130。然后，可以利用等離子刻蝕工藝去除第一區(qū)域 120a的硬掩膜層110，露出襯底層105。具體的，等離子體刻蝕工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，因此不再贅述。在刻蝕之后，接著做去膠清洗，去除覆蓋在半導(dǎo)體襯底100上的光掩膜圖案130。需要說明的是在其它實(shí)施例中也可以采用其它方法去除第一區(qū)域120a半導(dǎo)體襯底100表面的硬掩膜層110。接著，參考圖9，在硬掩膜層110掩膜下進(jìn)行離子注入，向第一區(qū)域120a的襯底層 105內(nèi)注入雜質(zhì)離子，例如注入第一類型的雜質(zhì)離子，所述第一類型為P型，從而形成隔離區(qū)摻雜1201。該步驟中的離子注入工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的工藝，因此也不再贅述。接著，參考圖10，可以利用熱氧化工藝，在第一區(qū)域120a的襯底層105表面生長(zhǎng)第一氧化硅層140。在現(xiàn)有技術(shù)中隔離區(qū)的場(chǎng)氧是一步形成的，因此需要在一步中達(dá)到想要的厚度，在本發(fā)明由于場(chǎng)氧要經(jīng)過兩步形成，因此在該步驟中氧化硅層可以根據(jù)實(shí)際的需要進(jìn)行調(diào)整，例如在一具體實(shí)現(xiàn)中該步驟中形成的第一氧化硅層140的厚度為5000埃至 5500埃，例如本實(shí)施例中為5000埃。接著，參考圖11，可以在半導(dǎo)體襯底100上形成光掩膜圖形150，工藝具體可以為 在所述硬掩膜層110和第一氧化硅層140表面旋涂(spin on)光刻膠，接著通過曝光將掩膜版上的與開口相對(duì)應(yīng)的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，然后利用顯影液將第二區(qū)域120b應(yīng)部位的光刻膠去除，以形成暴露第二區(qū)域120b的光掩膜圖形150。然后，可以利用等離子刻蝕工藝去除第二區(qū)域120b的硬掩膜層110，露出襯底層105。在刻蝕之后，接著做去膠清洗，去除覆蓋在半導(dǎo)體襯底100上的光掩膜圖案150。需要說明的是在其它實(shí)施例中也可以采用其它方法去除第二區(qū)域120b半導(dǎo)體襯底100表面的硬掩膜層110。接著，在一具體實(shí)現(xiàn)中，繼續(xù)參考圖11，可以在硬掩膜層110掩膜下進(jìn)行離子注入，向第二區(qū)域120b的襯底層105內(nèi)注入雜質(zhì)離子，例如注入第二類型的雜質(zhì)離子，所述第二類型為N型，從而形成漂移區(qū)。需要說明的是在其它實(shí)施例中，如果第二區(qū)域120b不是用來(lái)形成漂移區(qū)，例如是用來(lái)形成柵氧層，則本離子注入的步驟非為必須。接著，參考圖12，可以利用熱氧化工藝，在第一區(qū)域120a襯底層105表面繼續(xù)生長(zhǎng)第二氧化硅層160，從而在第一區(qū)域120a形成隔離區(qū)。在第一區(qū)域120a生長(zhǎng)第二氧化硅層 160的同時(shí)，在第二區(qū)域120b的襯底層105表面也生長(zhǎng)第二氧化硅層160，形成2500埃至 3000埃的第二氧化硅層，例如3000埃，即3000埃的漂移區(qū)熱氧化硅層。從而隔離區(qū)的場(chǎng)氧厚度就為第一氧化硅層140和其下繼續(xù)形成的第二氧化硅層160的和。在實(shí)施過程中，由于襯底第一區(qū)域120a上已覆蓋了第一氧化硅層140，在其上再次氧化形成的第二氧化硅層 160的厚度會(huì)比第二區(qū)域120b上所形成的第二氧化硅層160薄，因而最終形成的場(chǎng)氧厚度僅約為6500埃。在第二次氧化形成第二氧化硅層160后，可以去除硬掩膜層110，進(jìn)一步形成柵極、源極區(qū)和漏極區(qū)，從而得到高壓MOS器件。本發(fā)明通過首先在隔離區(qū)的位置長(zhǎng)第一氧化硅層，然后在隔離區(qū)和漂移區(qū)的位置同時(shí)長(zhǎng)第二氧化硅層，隔離區(qū)位置的第一氧化硅層和第二氧化硅層就構(gòu)成了場(chǎng)氧，漂移區(qū)的第二氧化硅層就構(gòu)成了熱氧化層。這樣使得保證場(chǎng)氧厚度不變的情況下，可以調(diào)節(jié)所需的漂移區(qū)熱氧化層的厚度，從而使得耐壓效果增強(qiáng)，并且由于在隔離區(qū)和漂移區(qū)只需要做兩次光刻，而現(xiàn)有技術(shù)需要三次光刻，因此大大節(jié)省了工藝流程，降低了成本。需要說明的是，除上述步驟之外，本發(fā)明還可以利用上述方法在半導(dǎo)體襯底上的不同區(qū)域，形成具有不同厚度的多個(gè)氧化物層，從而使得最厚的場(chǎng)氧可以采用三次、四次甚至更多的熱氧化步驟中形成，只要利用了本發(fā)明的形成不同厚度的氧化物層的方法都在本發(fā)明保護(hù)的范圍內(nèi)。需要說明的是，本發(fā)明不僅適用于隔離區(qū)場(chǎng)氧和漂移區(qū)熱氧化層的形成，另外本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法還可以用于形成兩個(gè)隔離區(qū)，所述兩個(gè)隔離區(qū)上具有不同厚度的場(chǎng)氧，并且兩個(gè)隔離區(qū)還可以具有不同的離子摻雜濃度。除此之外，本發(fā)明還提供了一種上述半導(dǎo)體器件制造方法得到的半導(dǎo)體器件，其包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上具有第一氧化物層和第二氧化物層的疊層結(jié)構(gòu)，第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上具有第二氧化物層。其中，所述第一區(qū)域?yàn)楦綦x區(qū)，在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第一類型的摻雜， 所述第二區(qū)域?yàn)槠茀^(qū)，在第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第二類型的摻雜。另外本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底，硬掩膜層所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上具有氧化物層，第一區(qū)域半導(dǎo)體襯底上的氧化物層的厚度大于第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上的氧化物層的厚度。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括位于半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；去除第一區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；向第一區(qū)域注入雜質(zhì)離子；在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第一氧化硅層；去除第二區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；在具有第一氧化硅層的第一區(qū)域上及第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第二氧化硅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述去除第一區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層的步驟包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成暴露所述第一區(qū)域的光掩膜圖形；對(duì)所述第一區(qū)域的硬掩膜層進(jìn)行刻蝕。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述去除第二區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層的步驟包括在半導(dǎo)體襯底上形成暴露所述第二區(qū)域的光掩膜圖形；對(duì)所述第二區(qū)域的硬掩膜層進(jìn)行刻蝕。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層包括氧化硅層和位于氧化硅層上的氮化硅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述去除第二區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；和在具有第一氧化硅層的第一區(qū)域上和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第二氧化硅層步驟之間還包括向所述第二區(qū)域注入雜質(zhì)離子。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一區(qū)域注入的雜質(zhì)離子和第二區(qū)域注入的雜質(zhì)離子的類型相反。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第一氧化硅層是采用熱氧化的方法。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述在具有第一氧化硅層的第一區(qū)域繼續(xù)生長(zhǎng)第二氧化硅層，第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第二氧化硅層是采用熱氧化的方法。
9.一種利用權(quán)利要求1的方法得到的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底，硬掩膜層所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上具有第一氧化物層和第二氧化物層的疊層結(jié)構(gòu)，第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上具有第二氧化物層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一區(qū)域?yàn)楦綦x區(qū)，在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第一類型的摻雜，所述第二區(qū)域?yàn)槠茀^(qū)，在第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第二類型的摻雜。
11.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底，硬掩膜層所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上具有氧化物層，第一區(qū)域半導(dǎo)體襯底上的氧化物層的厚度大于第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上的氧化物層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中制造方法包括步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括位于半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；去除第一區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；向第一區(qū)域注入雜質(zhì)離子；在第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第一氧化硅層；去除第二區(qū)域半導(dǎo)體襯底表面的硬掩膜層；在具有第一氧化硅層的第一區(qū)域上及第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第二氧化硅層，從而提高高壓器件的耐壓效果。
文檔編號(hào)H01L21/762GK102237293SQ20101015568
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月23日
發(fā)明者吳孝嘉, 羅澤煌, 郭立 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司, 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司