專利名稱：一種太陽電池的去邊方法
技術領域：
本發(fā)明屬于太陽能電池加工技術領域，具體涉及一種太陽電池的去邊方法。
背景技術：
晶體硅太陽電池是目前主流的太陽電池，其生產(chǎn)過程為去損傷層制絨、擴散、刻蝕周邊、去磷硅玻璃、PECVD沉積氮化硅鈍化減反射膜、絲網(wǎng)印刷正反面電極、正反面電極共燒結。其中刻蝕周邊也稱為去邊，是為了去除擴散時在邊緣形成的短路結，目前去邊的方法主要有激光刻邊法、等離子體刻蝕法、化學腐蝕法等。其中等離子體刻蝕法最為成熟，但此方法存在過刻、鉆刻和刻蝕不均勻的現(xiàn)象；采用激光刻槽法和等離子體刻蝕法去邊，都容易對PN結造成一定的損傷，影響邊緣PN結的質(zhì)量，進而降低太陽電池邊緣部分的光電轉(zhuǎn)換效率?；瘜W腐蝕法有兩種，一種是將數(shù)百個硅片緊密疊放在一起，用工具加緊，然后放入腐蝕溶液中進行邊緣腐蝕，另一種是稱為“水上漂”的方法，該方法是讓硅片漂浮在腐蝕液面上， 將背面和邊緣一起腐蝕?；瘜W腐蝕方法不會對PN結產(chǎn)生損傷，但這兩種化學腐蝕方法和等離子體刻蝕法一樣存在過刻、鉆刻和刻蝕不均勻的現(xiàn)象，不易實現(xiàn)精確腐蝕。專利CN101604711A給出了一種化學腐蝕去邊方法，該方法是將腐蝕漿料均勻涂抹在擴散后硅片的邊緣處，然后對硅片加熱，加快腐蝕速度，腐蝕完畢用純水沖洗即可，該方法可以實現(xiàn)精確刻蝕，使邊緣部分轉(zhuǎn)換效率得以提高，進而提高整個太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。但邊緣涂抹不易實現(xiàn)工業(yè)自動化，量產(chǎn)存在一定難度。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠精確腐蝕且能夠適合工業(yè)化量產(chǎn)的太陽電池的去邊方法。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術方案是一種太陽電池的去邊方法，其特征在于，包括緊密疊放步驟，將至少兩片硅片緊密疊放在一起夾緊；純凈水浸泡步驟，將緊密疊放在一起的硅片放入純凈水中浸泡；高壓噴淋腐蝕步驟，將腐蝕液高壓噴淋在純凈水浸泡后的硅片的側表面進行化學腐蝕；清洗步驟，將經(jīng)過化學腐蝕后的硅片放入純凈水中清洗干凈。所述太陽電池的去邊方法，所述高壓噴淋腐蝕步驟中的噴淋壓力為0. 5至20巴。優(yōu)選的，所述高壓噴淋腐蝕步驟中的噴淋壓力為1至5巴；1 巴(bar) = 100，000 帕(Pa) = 10 牛頓 / 平方厘米=0. IMpa0優(yōu)選的，所述高壓噴淋腐蝕步驟中的噴淋時間為1至3分鐘。優(yōu)選的，所述高壓噴淋腐蝕步驟中所使用的腐蝕液為酸性腐蝕液或堿性腐蝕液。優(yōu)選的，在所述高壓噴淋腐蝕步驟中，腐蝕液高壓噴淋的同時，緩慢旋轉(zhuǎn)硅片使之能夠均勻腐蝕。
優(yōu)選的，所述純凈水浸泡步驟中的浸泡時間為1至2分鐘。本發(fā)明純凈水浸泡步驟中，將緊密疊放在一起的硅片放入純水中浸泡是為了讓純凈水充滿硅片的縫隙，在表面張力的作用下阻止腐蝕液的浸入，使化學腐蝕只發(fā)生在邊緣區(qū)域。本發(fā)明純凈水浸泡步驟中，必須使用純凈水，以防止帶雜質(zhì)的水對硅片進行污染破壞，降低太陽電池的品質(zhì)。本發(fā)明高壓噴淋腐蝕步驟中，將腐蝕液高壓噴淋在硅片側表面進行化學腐蝕一是為了加快腐蝕速度，二是為了只加快邊緣的腐蝕速度，因為高速噴射的腐蝕液只能到達硅片的側表面，高速液體的機械沖擊加速了硅片的側表面的腐蝕速度，硅片的縫隙中即使有少量的腐蝕液浸入，其腐蝕的速度也會很慢，因而實現(xiàn)對硅片側表面的精確腐蝕。由上可知，本發(fā)明的去邊方法能夠精確控制腐蝕，不會蔓延到硅片正面，因而增大正面PN結的有效面積，同時正面的電極也可以延伸到硅片的邊緣，提高邊緣電流的收集效果，進一步提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。同時，本發(fā)明可將成百上千的硅片疊放在一起進行化學腐蝕，適合工業(yè)化量產(chǎn)需求。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本申請的一部分，并不構成對本發(fā)明的不當限定，在附圖中圖1是本發(fā)明提供的一種太陽電池的去邊方法的流程示意圖；圖2是本發(fā)明提供的一種太陽電池的去邊方法的原理示意圖。圖中1、硅片2、純凈水3、腐蝕液
具體實施例方式下面將結合附圖以及具體實施例來詳細說明本發(fā)明，在此本發(fā)明的示意性實施例及說明用來解釋本發(fā)明，但并不作為對本發(fā)明的限定。圖1是本發(fā)明提供的一種太陽電池的去邊方法的流程示意圖；如圖1所示，本發(fā)明包括S101，緊密疊放硅片，將至少兩片硅片緊密疊放在一起夾緊。量產(chǎn)時，可使用工具夾緊，而且數(shù)量可以是成百上千，以提高生產(chǎn)效率。由于硅片表面平滑，因此硅片之間的間距很小，可使得水分子在縫隙口具有一定的張力以阻止腐蝕液浸入間隙，使化學腐蝕只發(fā)生在硅片的邊緣。S102，純凈水浸泡硅片，將緊密疊放在一起的硅片放入純凈水中浸泡1至2分鐘。浸泡1至2分鐘的時間，足以使純凈水進入并充滿硅片之間的縫隙，當然浸泡更長時間也可以，但是，不利于提高量產(chǎn)效率。S103,高壓噴淋腐蝕硅片，然后將經(jīng)過浸泡的硅片放入刻蝕設備中，一邊緩慢旋轉(zhuǎn)硅片，一邊用酸性腐蝕液或堿性腐蝕液高壓噴淋在硅片側表面進行化學腐蝕約1-3分鐘。緩慢旋轉(zhuǎn)硅片是為了使腐蝕液能夠均勻噴淋到所有硅片需要腐蝕的側表面。所述的高壓壓力可根據(jù)實際情況在0.5巴至20巴之間調(diào)節(jié)，如所需要腐蝕的硅片數(shù)目不一致、要求的腐蝕的時間和程度不同，壓力可以略有不同。當然，考慮到設備的狀況和量產(chǎn)的實際需求，壓力范圍為1巴至5巴為較佳壓力范圍。S104，清洗硅片，將硅片放入純凈水中清洗干凈。當然，為了清洗的快速和干凈，也可以使用超聲波清洗，清洗完畢的硅片即可流到下道工序一去磷硅玻璃。如圖2所示，本發(fā)明先讓純凈水2浸占硅片1間的微小縫隙，高速噴射的腐蝕液3 噴射到硅片1的側表面，純凈水2阻止了腐蝕液進入硅片縫隙，防止了側蝕。以上對本發(fā)明實施例所提供的技術方案進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本發(fā)明實施例的原理以及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只適用于幫助理解本發(fā)明實施例的原理；同時，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本發(fā)明實施例，在具體實施方式
以及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制。
權利要求
1.一種太陽電池的去邊方法，其特征在于，包括 緊密疊放步驟，將至少兩片硅片緊密疊放在一起夾緊；純凈水浸泡步驟，將緊密疊放在一起的硅片放入純凈水中浸泡；高壓噴淋腐蝕步驟，將腐蝕液高壓噴淋在純凈水浸泡后的硅片的側表面進行化學腐蝕；清洗步驟，將經(jīng)過化學腐蝕后的硅片放入純凈水中清洗干凈。
2.根據(jù)權利要求1所述的太陽電池的去邊方法，其特征在于 所述高壓噴淋腐蝕步驟中的噴淋壓力為0. 5至20巴。
3.根據(jù)權利要求2所述的太陽電池的去邊方法，其特征在于 所述高壓噴淋腐蝕步驟中的噴淋壓力為1至5巴。
4.根據(jù)權利要求1所述的太陽電池的去邊方法，其特征在于 所述高壓噴淋腐蝕步驟中的噴淋時間為1至3分鐘。
5.根據(jù)權利要求1所述的太陽電池的去邊方法，其特征在于所述高壓噴淋腐蝕步驟中所使用的腐蝕液為酸性腐蝕液或堿性腐蝕液。
6.根據(jù)權利要求1所述的太陽電池的去邊方法，其特征在于在所述高壓噴淋腐蝕步驟中，腐蝕液高壓噴淋的同時，緩慢旋轉(zhuǎn)硅片使之能夠均勻腐蝕。
7.根據(jù)權利要求1所述的太陽電池的去邊方法，其特征在于 所述純凈水浸泡步驟中的浸泡時間為1至2分鐘。
全文摘要
本發(fā)明屬于太陽能電池加工技術領域，具體涉及一種太陽電池的去邊方法，包括S101，緊密疊放硅片；S102，純凈水浸泡硅片；S103，高壓噴淋腐蝕硅片；S104，清洗硅片。本發(fā)明的去邊方法能夠精確控制腐蝕，不會蔓延到硅片正面，因而增大正面PN結的有效面積，同時正面的電極也可以延伸到硅片的邊緣，提高邊緣電流的收集效果，進一步提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。同時，本發(fā)明可將成百上千的硅片疊放在一起進行化學腐蝕，適合工業(yè)化量產(chǎn)需求。
文檔編號H01L31/18GK102237435SQ20101015804
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月21日 優(yōu)先權日2010年4月21日
發(fā)明者黃國保 申請人:陜西眾森電能科技有限公司