專利名稱：拋光墊以及拋光半導(dǎo)體晶片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及拋光墊以及拋光半導(dǎo)體晶片的方法。
背景技術(shù)：
待拋光的半導(dǎo)體晶片通常是硅片或具有由硅衍生的層狀結(jié)構(gòu)的襯底(例如 硅-鍺)。所述硅片特別用于生產(chǎn)半導(dǎo)體元件，如儲存器片(DRAM)、微處理器、傳感器、發(fā)光
二極管等等。用硅片制造尤其是儲存器片和微處理器的要求越來越嚴(yán)格。這首先涉及硅片自身 的晶體性質(zhì)(如有關(guān)缺陷密度、用于捕獲金屬雜質(zhì)的內(nèi)部吸除劑)，但是特別地還涉及晶片 的幾何學(xué)和平面度。理想的是硅片具有兩個完全平行面，特別是在其上要制造元件的硅晶 片的那面上有優(yōu)越平面度，并且具有低的表面粗糙度。而且，期望能夠利用元件面的全部區(qū) 域，這在目前由于晶片邊緣的厚度下降以及邊緣區(qū)域的不良幾何學(xué)是不可能的。已知的是，拋光半導(dǎo)體晶片的傳統(tǒng)方法造成這種塌邊。所述傳統(tǒng)方法首先包括雙 面拋光(DSP)，其用供給拋光漿的拋光墊同時對半導(dǎo)體晶片的兩面進(jìn)行拋光，即去除拋光； 以及化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，相對比，其包括使用較軟的拋光墊僅對正面(“元件面”)進(jìn)行最 終拋光，即所謂的無霧拋光(“精整拋光”)。在這兩種拋光方法中，均以拋光劑漿料的形式 提供磨料。在半導(dǎo)體晶片的拋光中相對新穎的但是在元件工業(yè)中相當(dāng)長的時間以來是已知 的和理解得很好的，是所謂的“固著磨料拋光”(FAP)技術(shù)，其中半導(dǎo)體晶片在含有粘合在拋 光墊中的磨料物質(zhì)的拋光墊(“固著磨料墊”)上拋光。以下，將使用所述FAP拋光墊的拋光步驟簡稱為FAP步驟。與DSP和CMP的基本差別是在DSP和CMP中，拋光墊不含磨料。德國專利申請DE 102 007 035 266 Al描述了一種拋光由硅材料構(gòu)成的襯底的 方法，其包括兩個FAP類型的拋光步驟，這兩個拋光步驟的不同之處在于，在一個拋光步驟 中，在襯底和拋光墊之間引入含有固體物質(zhì)形式的非粘合磨料物質(zhì)的拋光劑漿料，而在第 二個拋光步驟中，拋光劑漿料被替換成不含固體物質(zhì)的拋光劑溶液。如上所提及的，依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)拋光的半導(dǎo)體晶片在其邊緣區(qū)域的厚度上展示出不 期望的降低(塌邊)。邊緣幾何通常通過確定一個或多個塌邊參數(shù)而量化，所述參數(shù)通常涉及硅片的 總厚度或其正面和/或背面的邊緣幾何，并可以用于表征通常觀察到的硅片在邊緣區(qū)域 的厚度或硅片正面和/或背面同樣在邊緣區(qū)域的平面度的降低。在jpn. J. Appl. Phys. Vol. 38(1999)，pp. 38-39中描述了測量硅片塌邊的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的通過一種拋光半導(dǎo)體晶片的方法達(dá)到，在所述方法中，在第一步中， 用包含粒徑為0. 1-1.0 μ m的固著磨料的拋光墊并在供應(yīng)不含固體物質(zhì)的PH值為至少11. 8的拋光劑的情況下拋光半導(dǎo)體晶片的背面，以及，在第二步中，拋光半導(dǎo)體晶片的正面，其 中提供PH值小于11. 8的拋光劑。
具體實施例方式本發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識到，當(dāng)用包含固著磨料的拋光墊和pH大于或等于11.8的不含 磨料的拋光劑拋光半導(dǎo)體晶片的背面時，沒有發(fā)生在傳統(tǒng)拋光方法中觀察到的半導(dǎo)體晶片 厚度的塌邊，相反，以這種方式拋光的半導(dǎo)體晶片邊緣的厚度甚至?xí)黾恿?。已?jīng)發(fā)現(xiàn)，拋 光劑的PH值在這方面是至關(guān)重要的標(biāo)準(zhǔn)。通過隨后用pH值必須小于11. 8的拋光劑拋光正面的步驟，可以得到半導(dǎo)體晶片 突出的邊緣幾何，不管拋光墊是否含有固著磨料或是否不含磨料(就像傳統(tǒng)CMP拋光墊一 樣)。這是因為使用pH小于11. 8的拋光劑的FAP法，以類似于傳統(tǒng)CMP拋光法的方式 (其很大程度上不依賴拋光劑的pH)，傾向于產(chǎn)生塌邊。然而，由于之前在背面拋光期間在邊緣處產(chǎn)生了增厚，正面的拋光使得這兩種效 應(yīng)相互補(bǔ)償。這樣產(chǎn)生了厚度上沒有塌邊的半導(dǎo)體晶片。因此長期存在的需求得到滿足，尤其是恰恰由于晶片的邊緣區(qū)域中的塌邊和不良 幾何導(dǎo)致不是全部晶片區(qū)域，而僅僅是減去特定的邊緣排除(2-3mm)的晶片區(qū)域能被用于 元件生產(chǎn)。本發(fā)明可以預(yù)期生產(chǎn)量的大量提高，因為，通過本發(fā)明，邊緣排除實際上被降至 零，全部區(qū)域可以得到利用的半導(dǎo)體晶片首次可以實現(xiàn)?，F(xiàn)有技術(shù)中沒有本發(fā)明的教導(dǎo)。盡管從DE 102 007 035 266 Al中已知使用pH 10-12的堿性范圍內(nèi)的拋光劑進(jìn)行FAP，在該方法必須提供兩次FAP拋光加工，在半導(dǎo)體晶 片的同-面上，一次使用含磨料的拋光劑而另一次不使用含磨料的拋光劑。在半導(dǎo)體晶片 背面上一次FAP拋光加工與正面上第二次FAP或CMP拋光加工的組合并未被公開。而且，現(xiàn)有技術(shù)中并沒有認(rèn)識到，在大于或等于11. 8的pH下，由于在半導(dǎo)體晶片 的邊緣區(qū)域去除的材料比例如半導(dǎo)體晶片的中心的更少，從而進(jìn)行選擇性材料去除。也沒 有原因進(jìn)行這方面的調(diào)查，因為之前本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)為在FAP的情況下和CMP的情況下 PH值都不具有這樣的選擇性效果，而是在FAP情況下，在化學(xué)上支持或增強(qiáng)通過粘合在拋 光墊中的磨料進(jìn)行的機(jī)械去除以及在CMP情況下，在化學(xué)上支持或增強(qiáng)通過含在拋光劑中 的磨料材料進(jìn)行的機(jī)械去除，而所述化學(xué)支持或增強(qiáng)在整個晶片區(qū)域上是均勻發(fā)生的。在FAP情況下結(jié)果明顯不同和拋光劑的pH值使得可以進(jìn)行選擇性去除的事實是 令人驚奇的。FAP技術(shù)可以適于實際上完全消除在所有拋光法中總是發(fā)生的塌邊的事實是 絕不可預(yù)見的。本領(lǐng)域技術(shù)人員先前認(rèn)為，在任何拋光法中都必須保持材料去除盡可能小， 并且通過半導(dǎo)體晶片的凸面或凹面拋光，試圖盡可能遠(yuǎn)地將塌邊限制在最外側(cè)邊緣區(qū)域。因此，拋光晶片中的塌邊被這樣接受。在隨后的外延步驟中，現(xiàn)有技術(shù)中嘗試在外延反應(yīng)器中在預(yù)處理步驟中補(bǔ)償所述 塌邊。其它通過邊緣研磨去除邊緣區(qū)域的不良幾何的嘗試不構(gòu)成適合的解決方案，尤其 是由于在操作期間，在邊緣上產(chǎn)生的損傷是實際上很難處理的問題，也就是說邊緣研磨之后在任何情況下都必須進(jìn)行邊緣拋光加工。盡管這適于在DSP后去除塌邊，但是在隨后的 CMP步驟后會再次產(chǎn)生塌邊，使得這幾乎也是不經(jīng)濟(jì)的。因此，唯有本發(fā)明的方法可提供精細(xì)拋光晶片(正面的CMP或FAP之后)而在正 面拋光后沒有塌邊并且無需任何額外措施。越來越重要的是，在生產(chǎn)具有突出幾何和納米拓?fù)湫阅艿木倪^程中，尤其在 22nm設(shè)計規(guī)則要求(依據(jù)ITRS = “國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖”)的情況下，以及關(guān)于晶片直 徑的逐漸增大(由300nm變?yōu)?50nm)，開發(fā)滿足這些要求的拋光方法是重要的。尤其是在得到需要的幾何學(xué)，在此主要是晶片邊緣幾何和納米拓?fù)涞那闆r下，在 工藝學(xué)上去除材料的傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)不再能夠達(dá)到這些要求，特別是在半導(dǎo)體晶 片的塌邊方面，和與之相關(guān)的邊緣排除或在需要的幾何性質(zhì)上可利用的半導(dǎo)體晶片區(qū)域方 面(本領(lǐng)域技術(shù)人員也使用術(shù)語“質(zhì)量保證區(qū)”)，這在相當(dāng)長的時間已經(jīng)是顯然的。依據(jù)本發(fā)明使用包含固著磨料的拋光墊在要求的pH值范圍下的拋光法或者僅對 背面的單面拋光進(jìn)行或者對同時雙面拋光進(jìn)行。在所述方法中，依據(jù)要被拋光的半導(dǎo)體晶片的起始幾何，PH值可以不同或設(shè)定為
恒定值。通過包含固著磨料的拋光墊進(jìn)行的兩階段FAP實施為對背面和正面的順序拋光 是特別優(yōu)選的。在這種情況下，兩個拋光過程，即背面拋光和正面拋光，可以彼此協(xié)調(diào)，從而可以 對晶片幾何和晶片納米拓?fù)溥M(jìn)行目標(biāo)影響，尤其是在晶片邊緣區(qū)域。 為此，依據(jù)本發(fā)明，必須用與正面不同的pH值拋光背面。因此，通過疊置兩個拋光輪廓(正面和背面)，特別是可以產(chǎn)生非常特定的邊緣輪 廓，并且塌邊可以理想地被降為零。從而依據(jù)本發(fā)明，用pH值的變化來改變外側(cè)晶片邊緣的厚度輪廓。相比之下，不同的化學(xué)機(jī)械拋光法，不管其實施的方式(雙面拋光、單面拋光、去 除或無霧拋光)，都是用固定的PH值實施。從而排除了對半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域中幾何學(xué) 的目標(biāo)影響。依據(jù)本發(fā)明的方法對于具有450mm直徑的新一代技術(shù)的半導(dǎo)體晶片的拋光特別 具有優(yōu)勢，尤其是由于使用傳統(tǒng)拋光方法的邊緣區(qū)域中的幾何問題在所述大直徑的情況下 被強(qiáng)化。本發(fā)明的方法中控制PH的拋光消除了這些問題。依據(jù)本發(fā)明的方法改進(jìn)了半導(dǎo)體晶片的外側(cè)邊緣區(qū)域的幾何學(xué)，特別是在相對于 半導(dǎo)體晶片的邊緣小于或等于10mm，特別優(yōu)選小于或等于5mm的距離范圍內(nèi)。在半導(dǎo)體晶片的背面的拋光期間拋光劑溶液優(yōu)選包含化合物如碳酸鈉(Na2CO3)、 碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH4OH)、氫氧化四甲銨(TMAH) 或任何期望的混合物。所述混合物在所述拋光劑溶液中的比例優(yōu)選為0.01-10重量％，特別優(yōu)選 0. 01-0. 2 重量 ％。尤其優(yōu)選使用碳酸鉀。拋光劑溶液的pH值為至少11. 8。而且，拋光劑溶液可以含有一種或多種其它添加劑，例如表面活性添加劑如潤濕劑和表面活性劑、作為保護(hù)性膠體的穩(wěn)定劑、防腐劑、生物殺滅劑、醇和配位劑。在依據(jù)本發(fā)明的方法中，在背面拋光過程中使用含有其中粘合有磨料物質(zhì)的拋光 墊(FAP或FA墊)。適合的磨料物質(zhì)包括例如元素鈰、鋁、硅、鋯的氧化物顆粒，以及硬質(zhì)物質(zhì)如碳化 硅、氮化硼或金剛石的顆粒。特別合適的拋光墊具有多個重復(fù)的微結(jié)構(gòu)賦予的表面形貌。這些微結(jié)構(gòu)(“柱”) 具有例如橫截面為圓柱形或多邊形的柱狀或者角錐狀或平截頭角錐狀。例如在WO 92/13680 Al和US 2005/227590 Al中有對這樣的拋光墊更詳細(xì)的描 述。特別優(yōu)選使用氧化鈰顆粒粘合在拋光墊中，也參見US 6602117 Bi。FAP拋光墊中含有的磨料的平均粒徑優(yōu)選為0. 1-1. Oym,特別優(yōu)選0. 1-0. 6 μ m, 和由其優(yōu)選0. 1-0. 25 μ m。具有多層結(jié)構(gòu)的拋光墊特別適于實施本方法。在此情況下，拋光墊的其中一層是 順應(yīng)的。因而可以調(diào)節(jié)和隨后連續(xù)轉(zhuǎn)變墊的高度。順應(yīng)層優(yōu)選是無紡層。由浸漬聚氨酯的 聚酯纖維構(gòu)成的層是特別優(yōu)選的(“無紡”)。順應(yīng)層優(yōu)選對應(yīng)于拋光墊的最底層。位于其上的優(yōu)選是例如由聚氨酯構(gòu)成的泡沫 層，其通過粘合劑層固定在所述順應(yīng)層上。位于PU泡沫上的是由更硬的硬質(zhì)材料構(gòu)成的 層，優(yōu)選由硬塑料構(gòu)成的層，例如聚碳酸酯是適合的。位于該硬質(zhì)層上的是具有微重復(fù)結(jié)構(gòu) 的層，即真正的固著磨料層。然而，順應(yīng)層也可以位于泡沫層和硬質(zhì)層之間，或直接位于固著磨料層之下。優(yōu)選通過壓敏粘合劑層(PSA)將各個層彼此固定在一起。本發(fā)明人認(rèn)識到，不含有通常存在于現(xiàn)有技術(shù)的FAP拋光墊中的PU泡沫層的拋光 墊能得到良好的結(jié)果。在這種情況下，拋光墊包含具有微重復(fù)結(jié)構(gòu)的層、順應(yīng)層和由硬塑料如聚碳酸酯 構(gòu)成的層，其中所述順應(yīng)層可以是拋光墊的中間層，或者是拋光墊的最底層。這些新穎的拋光墊特別適用于多板拋光機(jī)(產(chǎn)自Applied Materials, Inc.的 AMAT Reflection) 0所述拋光機(jī)包括5區(qū)膜行星輪，其允許在5個區(qū)中設(shè)定不同的壓力分 布。這與順應(yīng)拋光墊結(jié)合得到拋光的晶片突出的幾何結(jié)果。在半導(dǎo)體晶片的正面拋光期間，優(yōu)選使用含有磨料的拋光劑。磨料在拋光劑漿料中的比例優(yōu)選為0. 25-20重量％，特別優(yōu)選0. 25-1重量％。磨料顆粒的粒徑分布優(yōu)選為單峰分布。平均粒徑為5-300nm，特別優(yōu)選5_50nm。磨料包括機(jī)械去除襯底材料的材料，優(yōu)選元素鋁、鈰或硅的一種或多種氧化物。含有膠體分散二氧化硅的拋光劑漿料是特別優(yōu)選的。拋光劑漿料優(yōu)選含有添加劑如碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鈉(NaOH)、 氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH4OH)、氫氧化四甲銨(TMAH)。然而，拋光劑漿料可以含有一種或多種其它添加劑，例如表面活性添加劑如潤濕 劑和表面活性劑、作為保護(hù)性膠體的穩(wěn)定劑、防腐劑、生物殺滅劑、醇和配位劑。在正面的拋光期間pH值必須小于11. 8。
7
pH值優(yōu)選位于10-11. 5的范圍內(nèi)。在拋光加工期間優(yōu)選使用不包含固著磨料的拋光墊。傳統(tǒng)的CMP拋光墊適于此目 的。所用的CMP拋光墊是具有多孔基質(zhì)的拋光墊。拋光墊優(yōu)選包含熱塑性或熱固性聚合物。多種材料都是適用的，例如聚氨酯、聚碳 酸酯、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚酯等。拋光墊優(yōu)選包含多微孔的固體聚氨酯。使用由浸漬有聚合物的泡沫板或氈或纖維基材構(gòu)成的拋光墊也是優(yōu)選的。涂覆/浸漬的拋光墊也可以設(shè)計成在基材上與在涂層中具有不同的孔分布和孔徑。拋光墊可以是基本平面的，或者是多孔的。為了控制拋光墊的多孔性，可以在拋光墊中加入填料。市售拋光墊為例如產(chǎn)自Rodel Inc.的SPM 3100或產(chǎn)自Rohm & Hass的DCP系列 墊和商標(biāo)為IC1000 、Polytex 或SUBA 的墊。然而，代替所述拋光墊，可以使用FAP墊，例如在背面拋光期間使用的墊，這同樣 是優(yōu)選的。原則上，借助拋光頭，將半導(dǎo)體晶片要拋光的表面對著位于拋光板上的拋光墊對 半導(dǎo)體晶片進(jìn)行壓制。拋光頭還包含扣環(huán)，其橫向圍繞襯底，防止其在拋光期間滑向拋光頭。對于現(xiàn)代拋光頭，遠(yuǎn)離拋光墊的硅片的那一面位于傳送所施加的拋光壓的彈性膜 上。所述膜是形成氣墊或液墊的可以細(xì)分的腔室系統(tǒng)的一部分。然而，在使用彈性支撐(“背墊”)代替膜的情況下也使用拋光頭。用在襯底和拋光墊之間供應(yīng)的拋光劑拋光襯底，同時旋轉(zhuǎn)拋光頭和拋光板。在這種情況下，拋光頭額外還可以平移越過拋光墊，從而更全面地利用拋光墊區(qū) 域。而且，依據(jù)本發(fā)明的方法可以同樣在單板或多板拋光機(jī)上實施。優(yōu)選使用具有優(yōu)選兩個，尤其優(yōu)選三個拋光板和拋光頭的多板拋光機(jī)。實施例在第一步中，通過包含牢著磨料的拋光墊并供應(yīng)設(shè)定特定的pH值的拋光液下，直 徑為300mm的硅片背面被拋光使得在邊緣處產(chǎn)生特定的厚度輪廓。所述拋光墊包含平截頭角錐狀的微重復(fù)結(jié)構(gòu)，其含有氧化鈰(CeO2)顆粒。粒徑為0. 1-1. Ομπι。僅通過提高堿性溶液的pH值，不使用硅溶膠，F(xiàn)AP拋光法能夠?qū)⒎駝t預(yù)期的塌邊 轉(zhuǎn)變?yōu)檫吘壧岣撸簿褪钦f以需要的反方向產(chǎn)生彎曲。用pH值為至少11. 8的無磨料拋光溶液拋光背面的結(jié)果是，在晶片邊緣區(qū)域產(chǎn)生 邊緣提高，從而產(chǎn)生偏斜，其補(bǔ)償了隨后在PH為11. 2下發(fā)生的拋光晶片正面的過程中傾向 于形成的塌邊，從而形成了平面的晶片邊緣區(qū)域。在這種情況下，正面的拋光可以實施為傳統(tǒng)的CMP步驟或在小于11. 8的pH值下 的固著磨料拋光。這兩種拋光方法都導(dǎo)致形成塌邊。依據(jù)本發(fā)明的方法成功地用于這兩種 類型的正面拋光。
在實驗中發(fā)現(xiàn)，為了設(shè)定晶片背面的期望表面粗糙度，用適合的硅溶膠例如 Glanzox 3900*實施第二部分拋光步驟是有利的，這同樣在FAP拋光墊上產(chǎn)生。*Glanzox 3900是產(chǎn)自Fujimi Incorporated，Japan的作為濃縮液提供的拋光劑 漿料的商品名。PH為10. 5的濃縮液含有約9重量％的膠體SiO2，平均粒徑為30-40nm?？梢栽谌魏螘r間添加其它典型的傳統(tǒng)CMP拋光步驟(軟質(zhì)墊+堿性硅溶膠)作為 無霧拋光法用于少量去除以進(jìn)一步降低表面粗糙度并降低缺陷密度(例如LLS = “局部光 散射物”)，但這不是本發(fā)明成功的本質(zhì)。
權(quán)利要求
一種拋光半導(dǎo)體晶片的方法，其中，在第一步中，通過包含粒徑為0.1 1.0μm的固著磨料的拋光墊并在供應(yīng)不含固體材料的pH值為至少11.8的拋光劑的情況下拋光所述半導(dǎo)體晶片的背面，以及，在第二步中，拋光該半導(dǎo)體晶片的正面，其中供應(yīng)pH值小于11.8的拋光劑。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中在第一步中所述拋光劑是化合物碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸 鉀(K2CO3)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH4OH)、氫氧化四甲銨(TMAH)或 它們?nèi)魏纹谕幕旌衔锏乃芤骸?br> 3.權(quán)利要求2所述的方法，其中所述拋光劑溶液的ρΗ值為11.8-12. 5，所述化合物在 該拋光劑溶液中的比例為0.01-10重量％。
4.權(quán)利要求1-3之一所述的方法，其中在第二步中所述拋光劑是含有磨料的拋光劑漿 料，所述磨料在所述拋光劑漿料中的比例為0. 25-20重量％。
5.權(quán)利要求4所述的方法，其中所述磨料在所述拋光劑漿料中的比例為0.25-1重 量％。
6.權(quán)利要求5所述的方法，其中所述磨料的平均粒徑為5-300nm。
7.權(quán)利要求6所述的方法，其中所述磨料的平均粒徑為5-50nm。
8.權(quán)利要求4所述的方法，其中拋光劑漿料中的所述磨料包括元素鋁、鈰或硅的一種 或多種氧化物。
9.權(quán)利要求8所述的方法，其中所述拋光劑漿料含有膠體分散二氧化硅。
10.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述拋光劑漿料的ρΗ值為10-11.5。
11.權(quán)利要求10所述的方法，其中用選自碳酸鈉(Na2C03)、碳酸鉀(K2C03)、氫氧化鈉 (NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH4OH)、氫氧化四甲銨(TMAH)或它們?nèi)魏纹谕幕旌?物的添加劑設(shè)定所述拋光劑漿料的PH值。
12.權(quán)利要求1-11之一所述的方法，其中在第一步中使用的所述拋光墊含有選自元素 鈰、鋁、硅或鋯的氧化物顆粒，或者諸如碳化硅、氮化硼或金剛石的硬質(zhì)材料的顆粒的磨料。
13.權(quán)利要求12所述的方法，其中在FAP拋光墊中含有的所述磨料的平均粒徑為 0. 1-0. 6 μ m0
14.權(quán)利要求13所述的方法，其中在FAP拋光墊中含有的所述磨料的平均粒徑為 0. 1-0. 25 μ m。
15.權(quán)利要求12-14之一所述的方法，其中在第二步中也使用所述含有磨料的拋光墊。
16.權(quán)利要求12-15之一所述的方法，其中所述含有磨料的拋光墊是多層的，并在包含 磨料顆粒的具有微重復(fù)結(jié)構(gòu)的層的一側(cè)包含順應(yīng)無紡層和硬塑料層。
17.權(quán)利要求1-16之一所述的方法，其中所述半導(dǎo)體晶片是直徑為300mm或更大的硅片。
18.一種用于拋光半導(dǎo)體晶片的設(shè)備中的拋光墊，其包括含磨料層、由硬塑料構(gòu)成的層 以及順應(yīng)無紡層，其中通過壓敏粘合劑層將上述這些層彼此粘合。
19.權(quán)利要求18所述的拋光墊，其中所述由硬塑料構(gòu)成的層包括聚碳酸酯。
20.權(quán)利要求18或19所述的拋光墊，其中所述拋光墊包括額外的由聚氨脂泡沫構(gòu)成的層。
21.權(quán)利要求18-20之一所述的拋光墊，其中所述順應(yīng)層包括聚酯纖維。
22.權(quán)利要求18-21之一所述的拋光墊，其中所述含磨料層包含元素鈰、鋁、硅或鋯的 氧化物顆粒，或者諸如碳化硅、氮化硼或金剛石的硬質(zhì)材料的顆粒。
23.用權(quán)利要求18-22之一所述的含磨料的拋光墊拋光半導(dǎo)體晶片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種拋光半導(dǎo)體晶片的方法，其中，在第一步中，通過包含粒徑為0.1-1.0μm的固著磨料的拋光墊并在供應(yīng)不含固體材料的pH值為至少11.8的拋光劑的情況下拋光所述半導(dǎo)體晶片的背面，以及，在第二步中，拋光該半導(dǎo)體晶片的正面，其中供應(yīng)pH值小于11.8的拋光劑。還涉及一種用于拋光半導(dǎo)體晶片的設(shè)備中的拋光墊，其包含含磨料層、由硬塑料構(gòu)成層以及順應(yīng)無紡層，其中通過壓敏粘合劑層將上述這些層彼此粘合。
文檔編號H01L21/304GK101927455SQ20101015865
公開日2010年12月29日 申請日期2010年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月24日
發(fā)明者J·施萬德納, R·柯普爾特 申請人:硅電子股份公司