專利名稱：集成電路晶圓切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種集成電路晶圓切割方法，其中可通過集成電路晶圓切割方法形成集成電路晶粒。
背景技術(shù)：
硅晶圓是目前制作集成電路的基底材料(Substrate)，通過集成電路制造技術(shù)，經(jīng)過一系列繁復(fù)的化學(xué)、物理和光學(xué)程序，完成的集成電路晶圓上可產(chǎn)生出數(shù)以千、百計的晶粒(die)。這些晶粒經(jīng)由測試、切割、封裝等過程，可進一步成為一顆顆具有各種功能的集成電路產(chǎn)品。如圖IA及圖IA中區(qū)域80的PP切面放大的圖IB所示的已知技術(shù)，已知集成電路晶圓90包含晶圓基板100、復(fù)數(shù)個集成電路300、復(fù)數(shù)個測試鍵400及保護層500。已知技術(shù)進行晶圓切割時通常是以切割刀沿相鄰的集成電路300間的路徑對集成電路晶圓90施外力K。由于切割時僅是以切割刀直接對集成電路晶圓90進行切割，因此，集成電路晶圓 90會受切割應(yīng)力破壞而產(chǎn)生有裂痕及損壞的情形。以上集成電路晶圓切割方法有改善的空間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的為提供一種集成電路晶圓切割方法，具有較佳的集成電路晶圓切割良率。本發(fā)明的集成電路晶圓切割方法，包含以下步驟于晶圓基板形成復(fù)數(shù)個集成電路；于集成電路上方形成圖案化保護層；以及使用圖案化保護層做為遮罩，蝕刻穿晶圓基板，以形成復(fù)數(shù)個集成電路晶粒。其中，圖案化保護層較佳是光阻。圖案化保護層的形成步驟包含形成光阻層以覆蓋晶圓基板；使用光罩，對光阻層進行曝光；以及對光阻層進行顯影，以形成圖案化保護層。蝕刻步驟包含使用干式或濕式蝕刻工藝。集成電路晶圓切割方法進一步包含在蝕刻步驟前，將晶圓基板的另一側(cè)粘附于支撐件。集成電路晶圓切割方法進一步包含在蝕刻步驟后，將復(fù)數(shù)個集成電路晶粒與支撐件分離。集成電路晶圓切割方法于形成圖案化保護層之前，進一步包含形成一隔離層以覆蓋晶圓基板的集成電路。


圖IA及圖IB為已知技術(shù)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例流程圖；圖3A及圖:3B所示為本發(fā)明于晶圓基板上形成集成電路的實施例示意圖；圖4A及圖4B為本發(fā)明實施例形成圖案化保護層示意圖；圖5A及圖5B為本發(fā)明實施例具有圖案化保護層示意3
圖6為本發(fā)明實施例所形成集成電路晶粒的示意圖；圖7為本發(fā)明不同實施例流程圖；圖8A及圖8B為本發(fā)明實施例晶圓基板的另一側(cè)粘附于支撐件的示意圖；圖9為本發(fā)明較佳實施例流程圖；圖10為本發(fā)明實施例隔離層覆蓋晶圓基板的示意圖；圖IlA為本發(fā)明較佳實施例圖案化保護層形成于集成電路上方的示意圖；以及圖IlB為本發(fā)明較佳實施例形成的集成電路晶粒的示意圖。主要元件符號說明100晶圓基板300集成電路310集成電路晶粒311集成電路晶粒400測試鍵500保護層510光阻層511圖案化保護層520隔離層666 光罩600 溝槽80 區(qū)域800 區(qū)域888支撐件90集成電路晶圓K夕卜力
具體實施例方式如圖2所示，本發(fā)明的集成電路晶圓切割方法，包含步驟1010，于晶圓基板形成復(fù)數(shù)個集成電路。具體而言，是以重復(fù)施以熱工藝、沈積、微影、蝕刻等半導(dǎo)體程序，于晶圓基板100上形成集成電路300如圖3A及圖:3B所示。步驟1030，于集成電路上方形成圖案化保護層。圖案化保護層較佳是為光阻。具體而言，圖案化保護層的形成步驟包含如圖4A所示形成光阻層510以覆蓋晶圓基板100 ； 如圖4B所示使用光罩666，對光阻層510進行曝光；以及對光阻層510進行顯影，以形成如圖5A及圖5B所示的圖案化保護層511。其中，圖4A所示的光阻層510較佳是以旋轉(zhuǎn)涂布的方式覆蓋晶圓基板100及其表面的集成電路300。圖5A及圖5B所示的圖案化保護層511 是具有復(fù)數(shù)條溝槽600的已顯影的光阻層510。其中，復(fù)數(shù)條溝槽600以自圖案化保護層 511表面向下延伸的方式形成于集成電路300之間，而圖案化保護層511則覆蓋于集成電路 300。步驟1050，使用圖案化保護層做為遮罩，蝕刻穿晶圓基板，以形成復(fù)數(shù)個集成電路晶粒。具體而言，是使用干式或濕式蝕刻工藝，蝕刻穿如圖6所示的晶圓基板100，以形成復(fù)數(shù)個分離的集成電路晶粒310。通過以上步驟，本發(fā)明的集成電路晶圓切割方法無須使用刀具，即可形成復(fù)數(shù)個集成電路晶粒310。因此，可有效避免集成電路晶圓會受切割應(yīng)力破壞而產(chǎn)生裂痕及損壞的情形。進一步而言，由于本發(fā)明的集成電路晶圓切割方法是使用蝕刻工藝進行切割，故在步驟1010于晶圓基板100形成復(fù)數(shù)個集成電路300時，集成電路300的間距可縮小，進而提升單位面積的集成電路晶粒310產(chǎn)量。此外，已知技術(shù)為了切割操作的方便，集成電路晶粒通常需以矩陣排列且大小需相同，本發(fā)明亦無此限制。在如圖7所示的不同實施例中，為了工藝操作上的方便，本發(fā)明的集成電路晶圓切割方法進一步包含步驟1040，在步驟1050前，如圖8A所示將晶圓基板100的另一側(cè)粘附于支撐件888 ；以及步驟1060，在步驟1050后，將復(fù)數(shù)個集成電路晶粒310與支撐件888 分離。具體而言，特別是步驟1050采用濕式蝕刻工藝時，晶圓基板100在被蝕刻穿后，形成的復(fù)數(shù)個分離的集成電路晶粒310會散布在蝕刻液中，造成收集上的困難。在進行蝕刻前先將晶圓基板100的另一側(cè)粘附于支撐件888，可使晶圓基板100蝕刻穿后形成的復(fù)數(shù)個分離的集成電路晶粒310黏附而如圖8B所示停留在支撐件888表面，不致散布在蝕刻液中。 其中，支撐件888較佳為膠帶。然而在不同實施例中，支撐件888可以為可耐受蝕刻液侵蝕的物體。在如圖9所示的較佳實施例中，集成電路晶圓切割方法進一步包含步驟1020，于步驟1030之前，形成一隔離層以覆蓋晶圓基板的集成電路。具體而言，隔離層520是如圖 10所示覆蓋晶圓基板100及其表面的集成電路300。換言之，在此較佳實施例中，經(jīng)過步驟 1030后，圖案化保護層511會如圖IlA所示形成于集成電路300及隔離層520上方。再經(jīng)過步驟1050后，則形成如圖IlB所示的集成電路晶粒311。雖然前述的描述及圖式已揭示本發(fā)明的較佳實施例，必須了解到各種增添、許多修改和取代可能使用于本發(fā)明較佳實施例，而不會脫離如所附申請專利范圍所界定的本發(fā)明原理的精神及范圍。熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將可體會，本發(fā)明可使用于許多形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例、材料、元件和組件的修改。因此，本文于此所揭示的實施例應(yīng)被視為用以說明本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍應(yīng)由后附申請專利范圍所界定，并涵蓋其合法均等物，并不限于先前的描述。
權(quán)利要求
1.一種集成電路晶圓切割方法，包含以下步驟 于一晶圓基板形成復(fù)數(shù)個集成電路；于該些集成電路上方形成一圖案化保護層；以及使用該圖案化保護層做為遮罩，蝕刻穿該晶圓基板，以形成復(fù)數(shù)個集成電路晶粒。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路晶圓切割方法，其中該圖案化保護層是光阻。
3.如權(quán)利要求2所述的集成電路晶圓切割方法，其中該圖案化保護層的形成步驟包含形成一光阻層以覆蓋該晶圓基板； 使用一光罩，對該光阻層進行曝光；以及對該光阻層進行顯影，以形成該圖案化保護層。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路晶圓切割方法，其中該蝕刻步驟包含使用干式蝕刻工藝。
5.如權(quán)利要求1所述的集成電路晶圓切割方法，其中該蝕刻步驟包含使用濕式蝕刻工藝。
6.如權(quán)利要求5所述的集成電路晶圓切割方法，進一步包含在該蝕刻步驟前，將該晶圓基板的另一側(cè)粘附于一支撐件。
7.如權(quán)利要求6所述的集成電路晶圓切割方法，進一步包含在該蝕刻步驟后，將該復(fù)數(shù)個集成電路晶粒與該支撐件分離。
8.如權(quán)利要求1所述的集成電路晶圓切割方法，于形成該圖案化保護層之前，進一步包含形成一隔離層以覆蓋該晶圓基板的該些集成電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種集成電路晶圓切割方法，包含以下步驟于晶圓基板形成復(fù)數(shù)個集成電路；于集成電路上方形成圖案化保護層；以及使用圖案化保護層做為遮罩，蝕刻穿晶圓基板，以形成復(fù)數(shù)個集成電路晶粒。其中，圖案化保護層較佳是光阻。圖案化保護層的形成步驟包含形成光阻層以覆蓋晶圓基板；使用光罩，對光阻層進行曝光；以及對光阻層進行顯影，以形成圖案化保護層。蝕刻步驟包含使用干式或濕式蝕刻工藝。
文檔編號H01L21/78GK102237307SQ201010167230
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月27日
發(fā)明者黃耀生 申請人:瑞鼎科技股份有限公司