專利名稱：電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明關于一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種直接使一第二開關元件的第二漏極與一第一開關元件的柵極電性連接而不需透過第三導電層作為 橋接線的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術：
—MiW (active matrix organic light emitting diode, AMOLED)顯示面板具有多項特性與優(yōu)勢，例如可利用低溫制造工藝加以制作、可實現(xiàn)大尺寸 顯示、反應時間快、低電壓、高效率、自發(fā)光與廣視角等，使得它被普遍預期將成為下一世代 的顯示面板的主流。請參考圖1。圖1繪示了現(xiàn)有有機發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。 如圖ι所示，有機發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)1包括一薄膜晶體管2，以及一有機發(fā)光 二極管0LED。薄膜晶體管2為一下柵極型薄膜晶體管，其包括一柵極3、一源極4與一漏極 5，其中薄膜晶體管2的源極4通過一透明導電層6與有機發(fā)光二極管OLED電性連接。另 夕卜，像素結(jié)構(gòu)1另包括另一薄膜晶體管(圖未示)，且薄膜晶體管2的柵極3通過透明導電 層6與另一薄膜晶體管的漏極7電性連接。由于現(xiàn)有有機發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)利用透明導電層橋接一薄膜晶體 管的柵極與另一薄膜晶體管的漏極，因此當像素結(jié)構(gòu)應用在上發(fā)光式有機發(fā)光二極管顯示 面板時，有機發(fā)光二極管必須避開作為橋接線的透明導電層，而造成開口率的損失。此外， 在現(xiàn)有有機發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)中，薄膜晶體管做用多晶硅作為半導體通道層 的材料。多晶硅雖然具有高載子移動率，但其需利用高溫制造工藝加以制作且具有均勻度 不佳的缺點，因此亦造成了現(xiàn)有有機發(fā)光二極管顯示面板制作成本的提升以及應用上的限 制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，以 增加開口率。本發(fā)明的一較佳實施例提供一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，包括一基板、一 第一圖案化導電層、一絕緣層、一第二圖案化導電層、一主動層、一第一保護層與一電激發(fā) 光元件。第一圖案化導電層設置于基板上，其中第一圖案化導電層包括一柵極。絕緣層設置 于基板及第一圖案化導電層上，其中絕緣層包括至少一第一接觸洞，部分暴露出柵極。第二 圖案化導電層設置于絕緣層上，其中第二圖案化導電層包括一第一源極與一第一漏極，以 及一第二漏極與絕緣層的第一接觸洞暴露出的柵極電性連接。主動層設置于絕緣層上并分 別與第一源極及第一漏極部分重疊。第一保護層設置于第二圖案化導電層與主動層上，其 中第一保護層包括至少一第二接觸洞，部分暴露出第一源極與第一漏極的其中的一者。電 激發(fā)光元件設置于第一保護層上，其中電激發(fā)光元件與第一保護層的第二接觸洞暴露出的第一源極與第一漏極的其中的一者電性連接。本發(fā)明的另一較佳實施例提供一種制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，包 括下列步驟。提供一基板，并于基板上形成一第一圖案化導電層，其中第一圖案化導電層 包括一柵極。于基板及第一圖案化導電層上形成一絕緣層，并于絕緣層內(nèi)形成至少一第一 接觸洞，部分暴露出柵極。于絕緣層上形成一第二圖案化導電層，其中第二圖案化導電層包 括一第一源極與一第一漏極，以及一第二漏極與絕緣層的第一接觸洞暴露出的柵極電性連 接。于絕緣層上形成一主動層，其中主動層分別與第一源極與第一漏極部分重疊。于第二 圖案化導電層與主動層上形成一第一保護層，并于第一保護層內(nèi)形成至少一第二接觸洞， 部分暴露出第一源極與第一漏極的其中的一者。于第一保護層上形成一電激發(fā)光元件，并 使電激發(fā)光元件與該第一保護層的第二接觸洞暴露出的第一源極與第一漏極的其中的一 者電性連接。本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)利用第二薄膜晶體管的第二漏極直接與 第一薄膜晶體管的柵極電性連接，而不需第三導電層作為橋接線，因此可大幅增加電激發(fā) 光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光面積，進而提升開口率。


圖1繪示了現(xiàn)有有機發(fā)光二極管顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2繪示了本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路示意圖。圖3至圖8繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu) 的示意圖。圖9與圖10繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖。圖11與圖12繪示了本發(fā)明的第三較佳實施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖。圖13與圖14繪示了本發(fā)明的第四較佳實施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖。圖15與圖16繪示了本發(fā)明的第五較佳實施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖。附圖標號1像素結(jié)構(gòu)2 薄膜晶體管3柵極4 源極5漏極6 透明導電層7漏極OLED有機發(fā)光二極管10基板12 第一圖案化導電層14絕緣層14H第一接觸洞16主動層17 蝕刻停止層18第二圖案化導電層 19蓋層20第一保護層20H第二接觸洞22第三導電層24 第二保護層
26電激發(fā)光層28陰極30像素結(jié)構(gòu)40像素結(jié)構(gòu)50像素結(jié)構(gòu)60像素結(jié)構(gòu)70像素結(jié)構(gòu)EL電激發(fā)光元件C儲存電容SL掃描線DL數(shù)據(jù)線Tl第一薄膜晶體管T2第二薄膜晶體管 Gl柵極G2柵極Sl第一源極Dl第一漏極S2第二源極D2第二漏極VddVdd 電壓源Vss Vss電壓源I驅(qū)動電流
具體實施例方式為使熟習本發(fā)明所屬技術領域的一般技藝者能更進一步了解本發(fā)明，下文特列舉 本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附圖式，詳細說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達成的功效。另 夕卜，在本文的實施方式中，”第一”與”第二”等用語用以區(qū)別不同的元件或制造工藝，并非 用以限定元件或制造工藝的順序。請參考圖2。圖2繪示了本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路示意 圖。如圖2所示，本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包括一第一開關元件、一第二開關 元件、一儲存電容C與一電激發(fā)光元件EL。在本實施例中，第一開關元件與第二開關元件分 別以第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2加以實現(xiàn)，且電激發(fā)光元件EL可為例如一有 機發(fā)光二極管，但不以此為限。第二薄膜晶體管T2的柵極G2與一掃描線SL電性連接，而 其第二源極S2與第二漏極D2分別與一數(shù)據(jù)線DL與第一薄膜晶體管Tl的柵極Gl以及儲 存電容C的一電極電性連接。第一薄膜晶體管Tl的第一漏極Dl分別與一 Vdd電壓源以及 儲存電容C的另一電極電性連接。電激發(fā)光元件EL的陽極與陰極分別與第一薄膜晶體管 Tl的第一源極Sl以及一 Vss電壓源電性連接。于進行發(fā)光時，掃描線SL所提供的一掃描 訊號會短暫地開啟第二薄膜晶體管T2的柵極G2，此時數(shù)據(jù)線DL提供的數(shù)據(jù)訊號會通過薄 膜晶體管T2進而開啟第一薄膜晶體管Tl的柵極G1。當?shù)诙∧ぞw管T2的柵極G2關閉 后，儲存電容C會發(fā)揮儲存電容的作用維持數(shù)據(jù)訊號的位準，而使得第一薄膜晶體管Tl的 柵極Gl持續(xù)開啟，在此期間內(nèi)Vdd電壓源提供的驅(qū)動電流I會持續(xù)通過電激發(fā)光元件EL， 以驅(qū)動電激發(fā)光元件EL持續(xù)發(fā)光。在本實施例中，電激發(fā)光元件EL設置于第一薄膜晶體 管Tl的第一源極S 1以及Vss電壓源之間，但本發(fā)明并不以此配置為限，例如電激發(fā)光元 件EL亦可設置于第一薄膜晶體管Tl的第一漏極Dl以及Vdd電壓源之間。請參考圖3至圖8，并一并參考圖2。圖3至圖8繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例 的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖3所示，首先，提供一基板10。基板10 可為一透明基板，但不以此為限。接著于基板10上形成一第一導電層，例如一金屬層，但不 以此為限。隨后，進行一第一圖案化制造工藝，例如一第一微影蝕刻制造工藝(photolitho graphy-and-etchingprocess, PEP)，對第一導電層進行圖案化以形成一第一圖案化導電層 12。第一圖案化導電層12包括柵極Gl與柵極G2 (圖3未示)，其中柵極Gl作為第一薄膜晶體管Tl的柵極，而柵極G2作為第二薄膜晶體管T2的柵極。如圖4所示，隨后于基板10及第一圖案化導電層12上形成一絕緣層14，并進行一 第二圖案化制造工藝，例如一第二微影蝕刻制造工藝，對絕緣層14進行圖案化以于絕緣層 14內(nèi)形成至少一第一接觸洞14H，其中第一接觸洞14H部分暴露出柵極G1。絕緣層14可為 各式絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，但不以此為限。如圖5所示，接著于絕緣 層14上形成一半導體層，并進行一第三圖案化制造工藝，例如一第三微影蝕刻制造工藝， 對半導體層進行圖案化以形成一主動層16，其中主動層16作為第一薄膜晶體管Tl的通道， 且在本實施例中，主動層16的材質(zhì)可選用金屬氧化物，例如銦鎵錫氧化物(In-Ga-Zn-0， IGZ0)、銦鋅氧化物(Ιη-Ζη-0，ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或上述材料的混合物，其具有可利用低溫 制造工藝加以制作、載子移動率高、均勻性佳與透光等優(yōu)點，但并不以此為限。舉例而言，主 動層16的材料亦可為非晶半導體(例 如非晶硅)、多晶半導體(例如多晶硅)、微晶半導體 (例如微晶硅)等。如圖6所示，接著于絕緣層14與主動層16上形成一第二導電層，例如一金屬層， 但不以此為限。隨后，進行一第四圖案化制造工藝，例如一第四微影蝕刻制造工藝，對第二 導電層進行圖案化以形成一第二圖案化導電層18。第二圖案化導電層18包括一第一源極 Si、一第一漏極D1、一第二源極S2(圖6未示)與一第二漏極D2。第一源極Sl與第一漏極 Dl作為第一薄膜晶體管Tl的源極與漏極，第二源極S2與第二漏極D2作為第二薄膜晶體管 T2的源極與漏極，且第一源極Sl與第一漏極Dl分別覆蓋于主動層16的上表面，并分別與 主動層16部分重疊。在本實施例中，第二薄膜晶體管T2的第二漏極D2經(jīng)由絕緣層14的 第一接觸洞14H與暴露出的第一薄膜晶體管Tl的柵極Gl電性連接，藉此可形成如圖2所 示的第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2的電性連接關系。在本實施例中，第二漏極 D2填入絕緣層14的第一接觸洞14H而直接與柵極Gl電性連接，但不以此為限。舉例而言， 于形成第二漏極D2之前，可先于絕緣層14的第一接觸洞14H內(nèi)填入另一導電層作為連接 插塞(圖未示)，并使后續(xù)形成的第二漏極D2通過連接插塞與柵極Gl電性連接。如圖7所示，接著于第二圖案化導電層18與主動層16上形成一第一保護層20，并 進行一第五圖案化制造工藝，例如一第五微影蝕刻制造工藝，對第一保護層20進行圖案化 以于第一保護層20內(nèi)形成至少一第二接觸洞20H，其中第二接觸洞20H部分暴露出第一源 極Sl與第一漏極Dl的其中的一者。本實施例以第二接觸洞20H部分暴露出第一源極Sl為 例，但并不以此為限，例如若電激發(fā)光元件EL設置于第一薄膜晶體管Tl的第一漏極Dl以 及Vdd電壓源之間，則第二接觸洞20H部分暴露出第一漏極D1。第一保護層20可為單層或 多層結(jié)構(gòu)，且其材料可為無機材料、有機材料或無機/有機混合材料。值得說明的是若第一 保護層20選用感旋光性有機材料，則第五圖案化制造工藝可利用曝光顯影制造工藝加以 實現(xiàn)，而不需使用蝕刻制造工藝加以實現(xiàn)。如圖8所示，于第一保護層20上形成一第三導電層22，并進行一第六圖案化制造 工藝，例如一第六微影蝕刻制造工藝，對第三導電層22進行圖案化。第三導電層22可為各 式透明導電材料，例如氧化銦錫，或是非透明導電材料，例如金屬材料。第三導電層22作為 電激發(fā)光元件的陽極，且第三導電層22填入第二接觸洞20H內(nèi)并與第一薄膜晶體管Tl的 第一源極Sl或第一漏極Dl的其中一者電性連接。在本實施例中，第三導電層22與第二接 觸洞20H暴露出第一源極Sl電性連接，但并不以此為限。隨后，于第一保護層20與第三導電層22上形成一第二保護層24，并進行一第七圖案化制造工藝，例如一第七微影蝕刻制造 工藝，對第二保護層24進行圖案化以至少暴露出部分第三導電層22。第二保護層24可為 單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可為無機材料、有機材料或無機/有機混合材料。值得說明的是 若第二保護層24選用感旋光性有機材料，則第五圖案化制造工藝可利用曝光顯影制造工 藝加以實現(xiàn)，而不需使用蝕刻制造工藝加以實現(xiàn)。接著，再于暴露出的第三導電層22上依 序形成一電激發(fā)光層26 (例如一有機發(fā)光層)與一陰極28，其中第三導電層22為陽極，其 與電激發(fā)光層26以及陰極28構(gòu)成電激發(fā)光元件EL。為了提升發(fā)光效率，在形成電激發(fā)光 層26之前，可先于第三導電層22上形成例如電洞注入層與電洞傳輸層等膜層，且在形成陰 極28之前，可先于電激發(fā)光層26上形成電子傳輸層與電子注入層等膜層。通過上述步驟， 即可制作出本實施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)30，如圖8所示。本實施例的電激發(fā)光顯示面板為一上發(fā)光型電激發(fā)光顯示面板，且由于 第二薄膜 晶體管T2的第二漏極D2經(jīng)由絕緣層14的第一接觸洞14H與暴露出的第一薄膜晶體管Tl 的柵極Gl電性連接，而非利用第三導電層22來橋接第二漏極D2與柵極G1，因此電激發(fā)光 元件EL的范圍可延伸至第一薄膜晶體管Tl的上方。在此狀況下，電激發(fā)光元件EL可至少 部份重疊于第一源極Sl與第一漏極D1，或完全覆蓋于第一源極Sl與第一漏極Dl的上方， 且電激發(fā)光元件EL亦可至少部分重疊于絕緣層14的第一接觸洞14H，或完全覆蓋于絕緣 層14的第一接觸洞14H的上方，藉此可大幅地增加電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)30的發(fā) 光面積，進而提升開口率。本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)并不以上述實施例為限。下文將依序介紹 本發(fā)明的其它較佳實施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，且為了便于比較 各實施例的相異處并簡化說明，在下文的各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且 主要針對各實施例的相異處進行說明，而不再對重復部分進行贅述。請參考圖9與圖10，并一并參考圖2至圖5。圖9與圖10繪示了本發(fā)明的第二較 佳實施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖9與圖10接續(xù)圖3至圖5 所示的步驟之后進行。如圖9所示，于絕緣層14上形成主動層16之后，接著于絕緣層14與 主動層16上形成一蝕刻停止層17，并進行一第八圖案化制造工藝，例如一第八微影蝕刻制 造工藝，對蝕刻停止層17進行圖案化，以去除部分蝕刻停止層17，藉此使得蝕刻停止層17 僅部分覆蓋主動層16的上表面。蝕刻停止層17的材料可為各式介電材料，例如氮化硅，但 不以此為限。蝕刻停止層17的作用在于保護主動層16，藉此避免主動層16于后續(xù)圖案化 第二導電層的過程中受損。如圖10所示，接著形成第二圖案化導電層18，其中第二圖案化 導電層18的第一源極Sl與第一漏極Dl分別部分覆蓋蝕刻停止層17的上表面。隨著，依 序形成第一保護層20、第三導電層22、第二保護層24與電激發(fā)光元件EL，即制作出本實施 例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)40。請參考圖11與圖12，并一并參考圖2至圖5。圖11與圖12繪示了本發(fā)明的第三 較佳實施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖11與圖12接續(xù)圖3至 圖5所示的步驟之后進行。如圖11所示，與前述第二較佳實施例不同之處在于，在本實施 例中，蝕刻停止層17不僅覆蓋主動層16的上表面，并一并覆蓋主動層16的兩側(cè)表面與部 分絕緣層14，且暴露出絕緣層14的第一接觸洞14H。如圖12所示，接著形成第二圖案化導 電層18，其中第二圖案化導電層18的第一源極Sl與第一漏極Dl分別部分覆蓋蝕刻停止層17的上表面。隨著，依序形成第一保護層20、第三導電層22、第二保護層24與電激發(fā)光元件EL，即制作出本實施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)50。請參考圖13與圖14，并一并參考圖2至圖4。圖13與圖14繪示了本發(fā)明的第四 較佳實施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖13與圖14接續(xù)圖3至 圖4所示的步驟之后進行。如圖13所示，于形成絕緣層14之后，接著于絕緣層14上形成 一第二導電層，例如一金屬層，但不以此為限。隨后，進行一第三圖案化制造工藝，例如一第 三微影蝕刻制造工藝，對第二導電層進行圖案化以形成一第二圖案化導電層18。第二圖案 化導電層18包括一第一源極Si、一第一漏極D1、一第二源極S2 (圖13未示)與一第二漏 極D2。第一源極Sl與第一漏極Dl作為第一薄膜晶體管Tl的源極與漏極，第二源極S2與 第二漏極D2作為第二薄膜晶體管T2的源極與漏極。在本實施例中，第二薄膜晶體管T2的 第二漏極D2經(jīng)由絕緣層14的第一接觸洞14H與暴露出的第一薄膜晶體管Tl的柵極Gl電 性連接，藉此可形成如圖2所示的第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2的電性連接關 系。隨后，于絕緣層14與第二圖案化導電層18上形成一半導體層，并進行一第四圖案化制 造工藝，例如一第四微影蝕刻制造工藝，對半導體層進行圖案化以形成一主動層16，其中主 動層16分別至少與第一源極Sl與第一漏極Dl部分重疊。如圖14所示，隨后依序于絕緣 層14、主動層16與第二圖案化導電層18上形成第一保護層20、第三導電層22、第二保護層 24與電激發(fā)光元件EL，即制作出本實施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)60。請參考圖15與圖16，并一并參考圖2至圖4。圖15與圖16繪示了本發(fā)明的第五 較佳實施例的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖15與圖16接續(xù)圖3至 圖4所示的步驟之后進行。如圖15所示，于形成絕緣層14之后，接著于絕緣層14上形成一 第二導電層，例如一金屬層，但不以此為限。隨后，進行一第三圖案化制造工藝，例如一第三 微影蝕刻制造工藝，對第二導電層進行圖案化以形成一第二圖案化導電層18。第二圖案化 導電層18包括一第一源極Si、一第一漏極D1、一第二源極S2 (圖15未示)與一第二漏極 D2。第一源極Sl與第一漏極Dl作為第一薄膜晶體管Tl的源極與漏極，第二源極S2與第 二漏極D2作為第二薄膜晶體管T2的源極與漏極。在本實施例中，第二薄膜晶體管T2的第 二漏極D2經(jīng)由絕緣層14的第一接觸洞14H與暴露出的第一薄膜晶體管Tl的柵極Gl電性 連接，藉此可形成如圖1所示的第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2的電性連接關系。 隨后，依序于絕緣層14與第二圖案化導電層18上形成一半導體層，以及于半導體層的上表 面形成一蓋層(cap layer)19，并進行一第四圖案化制造工藝，例如一第四微影蝕刻制造工 藝，對半導體層與蓋層19進行圖案化以形成一主動層16，以及使蓋層19對應主動層16，其 中主動層16分別至少與第一源極Sl與第一漏極Dl部分重疊。蓋層19的材料可為各式介 電材料，例如氮化硅，但不以此為限。蓋層19的作用在隔絕水氣以及控制薄膜晶體管Tl的 電性特性，例如電流與電壓的關系。在本實施例中，蓋層19與主動層16利用同一圖案化制 造工藝制作，因此蓋層19與主動層16具有相同的圖案，但本發(fā)明的應用并不以此為限。舉 例而言，蓋層19與主動層16亦可分別利用不同的圖案化制造工藝制作，藉此蓋層19與主 動層16可具有不同的圖案，例如蓋層19可進一步包覆主動層16的兩側(cè)表面。如圖16所 示，隨后依序于絕緣層14、蓋層19與第二圖案化導電層18上形成第一保護層20、第三導電 層22、第二保護層24與電激發(fā)光元件EL，即制作出本實施例的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié) 構(gòu)70。
綜上所述，本發(fā)明的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)利用第二薄膜晶體管的第二漏 極直接與第一薄膜晶體管的柵極電性連接，而不需第三導電層作為橋接線，因此可大幅增 加電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)30的發(fā)光面積，進而提升開口率。此外，本發(fā)明的電激發(fā) 光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)可使用金屬氧化物作為薄膜晶體管的主動層的材料，因此具有可利 用低溫制造工藝加以制作、載子移動率高、均勻性佳與透光等優(yōu)點。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權利要求 范圍所做的均等變化與 修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)包括一基板；一第一圖案化導電層，設置于所述的基板上，其中所述的第一圖案化導電層包括一柵極；一絕緣層，設置于所述的基板及所述的第一圖案化導電層上，其中所述的絕緣層包括至少一第一接觸洞，部分暴露出所述的柵極；一第二圖案化導電層，設置于所述的絕緣層上，其中所述的第二圖案化導電層包括一第一源極與一第一漏極，以及一第二漏極與所述的絕緣層的所述的第一接觸洞暴露出的所述的柵極電性連接；一主動層，設置于所述的絕緣層上并分別與所述的第一源極及所述的第一漏極部分重疊；一第一保護層，設置于所述的第二圖案化導電層與所述的主動層上，其中所述的第一保護層包括至少一第二接觸洞，部分暴露出所述的第一源極與所述的第一漏極的其中的一者；以及一電激發(fā)光元件，設置于所述的第一保護層上，其中所述的電激發(fā)光元件與所述的第一保護層的所述的第二接觸洞暴露出的所述的第一源極與所述的第一漏極的其中的一者電性連接。
2.如權利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第一 源極與所述的第一漏極分別部分覆蓋于主動層的一上表面。
3.如權利要求2所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu) 另包括一蝕刻停止層，部分覆蓋所述的主動層的所述的上表面，且所述的第一源極與所述 的第一漏極分別部分覆蓋所述的蝕刻停止層的一上表面。
4.如權利要求3所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的蝕刻 停止層另覆蓋所述的主動層的兩側(cè)表面以及所述的絕緣層的一上表面。
5.如權利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的主動 層分別部分覆蓋所述的第一源極與所述的第一漏極的一上表面。
6.如權利要求5所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu) 另包括一蓋層，覆蓋所述的主動層的一上表面。
7.如權利要求6所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的蓋層 另包覆所述的主動層的兩側(cè)表面。
8.如權利要求6所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的蓋層 包括一氧化硅層、一氮化硅層或一氮氧化硅層。
9.如權利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的主動 層包括一金屬氧化物。
10.如權利要求9所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的金屬 氧化物包括銦鎵錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或上述材料的混合物。
11.如權利要求9所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的金屬 氧化物包括一非晶金屬氧化物。
12.如權利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中部分所述的電激發(fā)光元件至少部分重疊于所述的絕緣層的所述的第一接觸洞。
13.如權利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中部分所述的 電激發(fā)光元件與所述的第一源極及所述的第一漏極至少部分重疊。
14.一種制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述的方法包括 提供一基板；于所述的基板上形成一第一圖案化導電層，其中所述的第一圖案化導電層包括一柵極；于所述的基板及所述的第一圖案化導電層上形成一絕緣層，并于所述的絕緣層內(nèi)形成 至少一第一接觸洞，部分暴露出所述的柵極；于所述的絕緣層上形成一第二圖案化導電層，其中所述的第二圖案化導電層包括一第 一源極與一第一漏極，以及一第二漏極與所述的絕緣層的所述的第一接觸洞暴露出的所述 的柵極電性連接；于所述的絕緣層上形成一主動層，其中所述的主動層分別與所述的第一源極與所述的第一漏極部分重疊；于所述的第二圖案化導電層與所述的主動層上形成一第一保護層，并于所述的第一保 護層內(nèi)形成至少一第二接觸洞，部分暴露出所述的第一源極與所述的第一漏極的其中的一 者；以及于所述的第一保護層上形成一電激發(fā)光元件，并使所述的電激發(fā)光元件與所述的第一 保護層的所述的第二接觸洞暴露出的所述的第一源極與所述的第一漏極的其中的一者電 性連接。
15.如權利要求14所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中形成所述的第二圖案化導電層的步驟于形成所述的主動層的步驟之后進行，且所述的第 一源極與所述的第一漏極分別部分覆蓋于主動層的一上表面。
16.如權利要求15所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所 述的方法另包括于形成所述的第二圖案化導電層之前，先形成一蝕刻停止層部分覆蓋所述 的主動層的所述的上表面，其中所述的第一源極與所述的第一漏極分別部分覆蓋所述的蝕 刻停止層的一上表面。
17.如權利要求16所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中所述的蝕刻停止層另覆蓋所述的主動層的兩側(cè)表面以及所述的絕緣層的一上表面。
18.如權利要求14所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中形成所述的主動層的步驟于形成所述的第二圖案化導電層的步驟之后進行，且所述的主 動層分別部分覆蓋所述的第一源極與所述的第一漏極的一上表面。
19.如權利要求18所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所 述的方法另包括于形成所述的第一保護層之前，先形成一蓋層覆蓋所述的主動層的一上表 面。
20.如權利要求19所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中所述的蓋層另包覆所述的主動層的兩側(cè)表面。
21.如權利要求14所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中部分所述的電激發(fā)光元件至少部分重疊于所述的絕緣層的所述的第一接觸洞。
22.如權利要求14所述的制作電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，其 中部分所述的電激發(fā)光元件與所述的第一源極及所述的第一漏極至少部分重疊。
全文摘要
本發(fā)明是關于一種電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述的像素結(jié)構(gòu)包括一基板、一第一圖案化導電層、一絕緣層、一第二圖案化導電層、一主動層、一第一保護層與一電激發(fā)光元件。第一圖案化導電層包括一柵極。絕緣層設置于基板及第一圖案化導電層上，其中絕緣層包括至少一第一接觸洞，部分暴露出柵極。第二圖案化導電層設置于絕緣層上，其中第二圖案化導電層包括一第一源極與一第一漏極，以及一第二漏極與絕緣層的第一接觸洞暴露出的柵極電性連接。
文檔編號H01L27/32GK101819990SQ201010167348
公開日2010年9月1日 申請日期2010年4月23日 優(yōu)先權日2010年4月23日
發(fā)明者蔡宗廷, 謝信弘 申請人:友達光電股份有限公司