專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別是涉及一種具有不與特定連接墊重疊或直接連接的 至少一凸塊的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
請參照圖1，其為已知半導(dǎo)體裝置100的示意圖。已知半導(dǎo)體裝置100包含有內(nèi)含 有源與無源電子電路的有源區(qū)102、環(huán)繞著有源區(qū)102的一些連接墊(pad) 104的半導(dǎo)體芯 片101以及直接放置于該多個連接墊104上以作為外部連接之用的一些凸塊(bump) 106。 該多個連接墊104之所以被設(shè)置環(huán)繞著有源區(qū)102，是因為來自該多個凸塊106的壓力可能 會傷害到有源區(qū)102中的該多個有源電子電路。請配合圖1來參照圖2，圖2為應(yīng)用玻璃上芯片(Chip-on-Glass，COG)技術(shù)將圖 1所示的半導(dǎo)體芯片101粘著(mount)于基板202上的示意圖。如圖所示，半導(dǎo)體裝置100 中的半導(dǎo)體芯片101由于其本身的面積而占用了基板202上接近邊緣的面積，而基板202 上所剩下的面積則用以作為顯示區(qū)，因此，為了要最大化該顯示區(qū)的面積，減少半導(dǎo)體芯片 101 (也就是半導(dǎo)體裝置100)所占用的面積為必要的。

發(fā)明內(nèi)容
為了更有效地利用顯示區(qū)，本發(fā)明提供了一種具有較小芯片面積的半導(dǎo)體裝置架 構(gòu)。依據(jù)本發(fā)明的實施例，其提供了一種范例半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包含有半導(dǎo) 體芯片、多個凸塊以及至少一導(dǎo)電性組件。該半導(dǎo)體芯片包含有內(nèi)建電子電路的有源區(qū)以 及多個連接墊。該多個凸塊則被設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片上，其中至少一凸塊的位置不與該多 個連接墊中其中一特定連接墊在該半導(dǎo)體芯片上的位置重疊。該至少一導(dǎo)電性組件連接該 至少一凸塊的頂面以及該特定連接墊。依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，其亦提供了一種范例半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包含 有半導(dǎo)體芯片、多個凸塊以及至少一導(dǎo)電性組件。該半導(dǎo)體芯片包含有內(nèi)建電子電路的有 源區(qū)以及多個連接墊。該多個凸塊則被設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片上，其中至少一凸塊的位置不 與該多個連接墊中其中一特定連接墊直接連接。該至少一導(dǎo)電性組件連接該至少一凸塊的 頂面以及該特定連接墊。


圖1為已知半導(dǎo)體裝置的示意圖。圖2為應(yīng)用玻璃上芯片技術(shù)將圖1所示的該半導(dǎo)體芯片粘著于基板上的示意圖。圖3為依據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體裝置的示意圖。圖4為圖3所示的半導(dǎo)體裝置沿著切線4-4’的剖面圖。圖5為圖3所示的半導(dǎo)體芯片以玻璃上芯片技術(shù)而粘著于基板上的示意圖。
附圖標記說明100,300半導(dǎo)體裝置101,301半導(dǎo)體芯片
102,302有源區(qū)104,304連接墊106,306凸塊202、502基板402a、402b、402c保護層403導(dǎo)電性組件404濺鍍層406導(dǎo)電層
具體實施例方式在說明書及后續(xù)的權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。所屬領(lǐng)域中 普通技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬體制造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及 權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區(qū) 分的準則。在通篇說明書及后續(xù)的權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為開放式的用語，故應(yīng)解 釋成“包含但不限定于”。另外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手段。因 此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表該第一裝置可直接電氣連接于該第二裝 置，或透過其他裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。請參照圖3，其為依據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體裝置300的示意圖。在此實施例 中，半導(dǎo)體裝置300包含(但不限于)具有內(nèi)建電子電路的有源區(qū)302以及多個連接墊304 的半導(dǎo)體芯片301、設(shè)置于半導(dǎo)體芯片301上的多個凸塊306以及連接該多個凸塊306之 中一凸塊的頂面以及該多個連接墊304中一特定連接墊的導(dǎo)電性組件403 (未繪示于圖3 中，但繪示于圖4中)。為了進一步詳述圖3所示的半導(dǎo)體裝置300，請參照圖4，其為圖3 所示的半導(dǎo)體裝置300沿著切線4-4’的剖面圖。為了簡明扼要起見，圖4僅繪示了半導(dǎo)體 裝置300的一部分。如圖4所示，除了連接墊304的頂面以外，保護層402b與402c散布在 半導(dǎo)體芯片301之上。在此范例中，本發(fā)明應(yīng)用了鈦(titanium)金屬化合物作為濺鍍靶材 (sputter target)來實現(xiàn)濺鍍層(sputtered layer) 404并用來當(dāng)作導(dǎo)電性組件403的一 部分，濺鍍層404設(shè)置于半導(dǎo)體芯片301之上，用以連接連接墊304的頂面以及凸塊306，其 中凸塊306以彈性材料(例如聚亞酰胺(polyimide))實現(xiàn)。如此一來，凸塊306便不一 定需要直接置于連接墊304之上來形成電氣連接。此外，因為凸塊306是以聚亞酰胺來實 現(xiàn)，凸塊306可被置于有源區(qū)302之上來節(jié)省芯片面積而同時不影響到半導(dǎo)體芯片301的 功能運作。再者，導(dǎo)電層406(例如以黃金所構(gòu)成的金屬層)另形成于濺鍍層404之上，導(dǎo) 電層406用來當(dāng)作導(dǎo)電性組件403的另一部分并在不大幅增加成本的前提下增進整體的導(dǎo) 電性。然而，值得注意的是，導(dǎo)電層406可以視需求而選擇性(optional)的實現(xiàn)，亦即，在 本發(fā)明其他的設(shè)計當(dāng)中，亦可將導(dǎo)電層406省略。如圖4所示，除了凸塊306頂面的部分導(dǎo) 電性組件以外，另一保護層402a形成于導(dǎo)電性組件403之上。與圖1所示的已知半導(dǎo)體芯 片101相比較，半導(dǎo)體芯片301具有較小的整體面積，是故亦可達到減少成本的目的。
圖5為圖3所示的半導(dǎo)體芯片301以玻璃上芯片技術(shù)而粘著于基板502上的示意圖。與圖2所示的已知半導(dǎo)體芯片101相比較，半導(dǎo)體芯片301占用了較少的面積，故顯示 區(qū)的面積也相對應(yīng)地增加了。此外，由于凸塊306是以彈性材料所實現(xiàn)，在同樣應(yīng)用玻璃上 芯片技術(shù)來將半導(dǎo)體芯片301經(jīng)由凸塊306連接到基板502時，凸塊306的高度仍可維持 不變。請注意，上述實施例僅用以說明本發(fā)明，并非用來限制本發(fā)明的范疇。舉例來說， 凸塊306的材料并非限定為聚亞酰胺，其他彈性材料亦可用來實現(xiàn)凸塊306 ；此外，濺鍍層 404的材料也不限定為鈦金屬化合物。這些設(shè)計上的變化均落在本發(fā)明的范疇之內(nèi)。如圖3 5所明示，凸塊306中至少一凸塊的位置不與連接墊304中其中一特定 連接墊在半導(dǎo)體芯片301上的位置重疊；換句話說，凸塊306中至少一凸塊不與連接墊304 中其中一特定連接墊在半導(dǎo)體芯片301直接連接，如此一來，便可有效地減少半導(dǎo)體芯片 的芯片面積。綜上所述，依據(jù)本發(fā)明的實施例，其提供了可節(jié)省芯片面積以及最大化顯示區(qū)面 積的一種半導(dǎo)體裝置，因此，應(yīng)用此半導(dǎo)體裝置的設(shè)備便可大幅地提升其效能。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等同變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，包含有半導(dǎo)體芯片，包含有內(nèi)建電子電路的有源區(qū)，以及多個連接墊；多個凸塊，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片上，其中至少一凸塊的位置不與該多個連接墊中其中一特定連接墊在該半導(dǎo)體芯片上的位置重疊；以及至少一導(dǎo)電性組件，連接該至少一凸塊的頂面以及該特定連接墊。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該凸塊直接設(shè)置于該有源區(qū)上。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中該凸塊是以彈性材料所構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中該彈性材料為聚亞酰胺。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該導(dǎo)電性組件包含有形成于該至少一凸塊以 及該特定連接墊上的濺鍍層，且該濺鍍層是以導(dǎo)電性材料所構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中該導(dǎo)電性組件另包含有形成于該濺鍍層上的 導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該半導(dǎo)體裝置另包含有絕緣性的保護層，其 位于該導(dǎo)電性組件設(shè)置在該至少一凸塊之上以外的部分上。
8.一種半導(dǎo)體裝置，包含有半導(dǎo)體芯片，包含有內(nèi)建電子電路的有源區(qū)，以及多個連接墊；多個凸塊，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片上，其中至少一凸塊的位置不與該多個連接墊中其中 一特定連接墊直接連接；以及至少一導(dǎo)電性組件，連接該至少一凸塊的項面以及該特定連接墊。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中該凸塊直接設(shè)置于該有源區(qū)上。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中該凸塊是以彈性材料所構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中該彈性材料為聚亞酰胺。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中該導(dǎo)電性組件包含有形成于該至少一凸塊 以及該特定連接墊上的濺鍍層，且該濺鍍層是以導(dǎo)電性材料所構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中該導(dǎo)電性組件另包含有形成于該濺鍍層上 的導(dǎo)電層。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中該半導(dǎo)體裝置另包含有絕緣性的保護層，其 位于該導(dǎo)電性組件設(shè)置在該至少一凸塊之上以外的部分上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置，包含有半導(dǎo)體芯片、多個凸塊以及至少一導(dǎo)電性組件。該半導(dǎo)體芯片包含有內(nèi)建電子電路的有源區(qū)以及多個連接墊。該多個凸塊設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片上，其中至少一凸塊的位置不與該多個連接墊中其中一特定連接墊在該半導(dǎo)體芯片上的位置重疊。該導(dǎo)電性組件連接該至少一凸塊的頂面以及該特定連接墊。
文檔編號H01L23/485GK101866899SQ20101016739
公開日2010年10月20日 申請日期2010年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月20日
發(fā)明者林久順, 陳建賓 申請人:奇景光電股份有限公司