專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般的發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)封裝結(jié)構(gòu)是將熒光粉混在透明膠體中并覆蓋住發(fā)光二極管芯片以形成白光或多種波長的混合光。然而，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的不同方向的光束經(jīng)過透明膠體的距離往往不同，從而造成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)出射光線混光不均勻。例如，對于采用藍色發(fā)光二極管芯片及黃色熒光粉的白光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，出射光線中心區(qū)域往往偏藍色，而外圍區(qū)域偏黃色。請參閱圖1，為解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1包括一封裝載體2、發(fā)光二極管芯片3、熒光粉4及透明膠體5。所述發(fā)光二極管芯片3貼設(shè)于封裝載體2的一凹槽的底部，熒光粉4通過離心技術(shù)沉淀于封裝載體2的凹槽的底壁和側(cè)壁上，企圖形成厚度相同的熒光粉層。然而，由于封裝載體2的凹槽的底壁和側(cè)壁間形成一直角，位于該角落處的熒光粉層會具有一較大的厚度，仍然無法得到厚度相同的熒光粉層，從而造成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)出射光線仍然會混光不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種混光更均勻的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一封裝載體及兩個導(dǎo)線架，該封裝載體包括一第一表面，該第一表面上形成有一容置槽，所述容置槽由一底壁和一側(cè)壁圍成，所述側(cè)壁包括一弧形凹面，該弧形凹面與所述底壁連接；將發(fā)光二極管芯片貼設(shè)于所述容置槽的底壁上，并與所述兩個導(dǎo)線架電性連接；將混有熒光粉的透明膠體注入到所述容置槽內(nèi)；在透明膠體固化前利用離心技術(shù)使透明膠體中的熒光粉沉淀在所述發(fā)光二極管芯片的表面、所述容置槽的底壁及側(cè)壁上，得到一第一熒光層，其中第一熒光層的厚度大致相同；及固化所述透明膠體。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一封裝載體、兩個導(dǎo)線架、一發(fā)光二極管芯片、 一第一熒光層及一透明膠體。該封裝載體包括一第一表面，該第一表面上形成有一容置槽， 所述容置槽由一底壁和一側(cè)壁圍成，所述側(cè)壁包括一弧形凹面，該弧形凹面與所述底壁連接。所述發(fā)光二極管芯片貼設(shè)于所述容置槽的底壁上，并與所述兩個導(dǎo)線架電性連接。所述第一熒光層形成在所述發(fā)光二極管芯片的表面、所述側(cè)壁及底壁上。所述透明膠體容置于所述容置槽內(nèi)并覆蓋所述發(fā)光二極管芯片及第一熒光層。本發(fā)明實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及制造方法中，由于封裝載體的容置槽的側(cè)壁具有一與容置槽的底壁連接的弧形凹面，可在采用離心技術(shù)形成第一熒光層時避免熒光粉在容置槽的側(cè)壁或底壁某處堆積而導(dǎo)致第一熒光層厚度不均，從而能夠得到厚度均勻的第一熒光層，進而提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的混光均勻性。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種發(fā)光二;極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖2是本發(fā)明第一實施方式提供的·一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖3是本發(fā)明第二.實施方式提供的·一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖4是本發(fā)明第三.實施方式提供的·一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖5是本發(fā)明實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖
主要元件符號說明
發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1，10,20,30
封裝載體2，11,21,31
發(fā)光二極管芯片3，13,33
熒光粉4
透明膠體5，15
導(dǎo)線架12
第一熒光層14,34
第二熒光層36
第一表面111
第二表面112
容置槽113,213,313
凹槽314a
底壁114,214,314
側(cè)壁115,215,315
弧形凹面115a,215a,315a
電極131
焊線132
弧形凸面215b
具體實施例方式以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的詳細說明。請參閱圖2，本發(fā)明第一實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10包括封裝載體11、兩個導(dǎo)線架12、發(fā)光二極管芯片13、第一熒光層14及透明膠體15。所述封裝載體11包括相對的第一表面111及第二表面112。該第一表面111上形成有一容置槽113。所述容置槽113由底壁114和側(cè)壁115圍成。所述側(cè)壁115包括一弧形凹面115a，該弧形凹面11 位于側(cè)壁115靠近底壁114 一端，其與所述底壁114連接。 優(yōu)選地，所述底壁114與所述弧形凹面11 相切。所述封裝載體11可采用高導(dǎo)熱且電絕緣材料制成，該高導(dǎo)熱且電絕緣材料可選自石墨、硅、陶瓷、類鉆、環(huán)氧樹脂或硅烷氧樹脂等。所述每個導(dǎo)線架12 —端裸露在容置槽113的底壁114上，另一端裸露在封裝載體 11的第二表面。所述導(dǎo)線架12可采用金屬或金屬合金制成。所述發(fā)光二極管芯片13貼設(shè)于所述容置槽113的底壁114或?qū)Ь€架12上，具體地，該發(fā)光二極管芯片13可通過粘著膠固定于容置槽113的底壁114或?qū)Ь€架12上。 該發(fā)光二極管芯片13包括兩個極性相反的電極131，該兩個電極131分別通過焊線132 與所述兩個導(dǎo)線架12電性連接。值得說明的是，該發(fā)光二極管芯片13亦可以利用覆晶 (flip-chip)或共晶(eutectic)的方式電性連接所述兩個導(dǎo)線架12。所述發(fā)光二極管芯片13能夠發(fā)出一第一波長的光，例如藍光、紫外光(ultraviolet)等。所述第一熒光層14形成于發(fā)光二極管芯片13的表面、所述容置槽113的底壁114 及側(cè)壁115上。第一熒光層14是依據(jù)容置槽113的底壁114及側(cè)壁115所設(shè)置，并且第一熒光層14的厚度大致相同。該第一熒光層14由熒光粉組成，當(dāng)發(fā)光二極管芯片13發(fā)射的第一波長的光照射到該第一熒光層14上后，該第一熒光層14中的熒光粉會受到激發(fā)，產(chǎn)生電子能階的躍遷，進而發(fā)出一第二波長的光，例如黃光、其他可見光等。所述第一熒光層14 也可以包含透明膠體15。所述透明膠體15填充于所述容置槽113內(nèi)，并覆蓋住發(fā)光二極管芯片13和第一熒光層14。所述透明膠體15用于保護發(fā)光二極管芯片13免受灰塵、水氣等影響。透明膠體15的材質(zhì)可以為硅膠(silicone)、環(huán)氧樹脂(印oxy)或其組合物。所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10中的發(fā)光二極管芯片13發(fā)射出的部分第一波長的光會直接通過透明膠體15射出發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10，其余部分的第一波長的光會照射到第一熒光層14上激發(fā)得到第二波長的光。通過該第一波長的光與第二波長的光混合即可得到多種波長的混合光。若該第一波長的光為藍光，第二波長的光為黃光，則混合光為白光。請參閱圖3，本發(fā)明第二實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20具有一封裝載體21，該封裝載體21上的容置槽213由底壁214和側(cè)壁215圍成。該側(cè)壁215包括一弧形凹面215a，該弧形凹面21 與所述底壁214連接。所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20與第一實施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10相似，二者區(qū)別在于，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20中的側(cè)壁215還包括一弧形凸面215b，該弧形凸面215b與弧形凹面21 遠離底壁214的一端連接。優(yōu)選地，所述弧形凸面21 與所述弧形凹面21 在二者相連接處具有共同的切請參閱圖4，本發(fā)明第三實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30具有一封裝載體31及發(fā)光二極管芯片33，該封裝載體31上的容置槽313由底壁314和側(cè)壁315圍成。 該底壁314和側(cè)壁315上形成有第一熒光層34，其中第一熒光層34的厚度大致相同。該側(cè)壁315包括一弧形凹面31 ，該弧形凹面31 與所述底壁314連接。所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30與第一實施方式中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10相似，二者區(qū)別在于，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30中的底壁314上還具有凹槽31 ，該凹槽31 內(nèi)形成有一第二熒光層36。本實施方式中，所述凹槽31 靠近弧形凹面315a。在離心制程形成第一熒光層34時，熒光粉會落入凹槽31 中并形成第二熒光層36，使堆積在底壁314和側(cè)壁315的熒光粉高度下降，有助于形成一厚度大致相同的第一熒光層34。由于凹槽31 為一凹陷結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光二極管芯片33發(fā)出的光線無法打到凹槽31 內(nèi)的第二熒光層36上，因此凹槽31 內(nèi)的第二熒光層36并不影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)30的光均勻性。請參閱圖5，本發(fā)明實施方式還提供了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，下面將以本發(fā)明第一實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10為例來說明該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟步驟S401，提供封裝載體11及兩個導(dǎo)線架12。所述封裝載體11之結(jié)構(gòu)于第一實施方式中已說明，故不再贅述。步驟S402，將發(fā)光二極管芯片13貼設(shè)于所述封裝載體11的容置槽113的底壁114 上，并與所述兩個導(dǎo)線架12電性連接。步驟S403，將混有熒光粉的透明膠體15注入到所述容置槽113內(nèi)。步驟S404，在透明膠體15固化前利用離心技術(shù)使透明膠體15中的熒光粉沉淀在發(fā)光二極管芯片13的表面、所述容置槽113的底壁114及側(cè)壁115上得到第一熒光層14， 其中第一熒光層14的厚度大致相同。具體地，在透明膠體15固化前，可將整個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10放入離心機臺內(nèi)，利用離心力的作用使熒光粉沉淀到發(fā)光二極管芯片13的表面、所述容置槽113的底壁114及側(cè)壁115上。步驟S405，固化所述透明膠體15，從而得到發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10。本發(fā)明實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及制造方法中，由于封裝載體的容置槽的側(cè)壁具有一與容置槽的底壁連接的弧形凹面，可在采用離心技術(shù)形成第一熒光層時避免熒光粉在容置槽的側(cè)壁或底壁某處堆積而導(dǎo)致第一熒光層厚度不均，從而能夠得到厚度均勻的第一熒光層，進而提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的混光均勻性?？梢岳斫獾氖?，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種像應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一封裝載體及兩個導(dǎo)線架，該封裝載體包括一第一表面，該第一表面上形成有一容置槽，所述容置槽由一底壁和一側(cè)壁圍成，所述側(cè)壁包括一弧形凹面，該弧形凹面與所述底壁連接；將發(fā)光二極管芯片貼設(shè)于所述容置槽的底壁上，并與所述兩個導(dǎo)線架電性連接； 將混有熒光粉的透明膠體注入到所述容置槽內(nèi)；在透明膠體固化前利用離心技術(shù)使透明膠體中的熒光粉沉淀在所述發(fā)光二極管芯片的表面、所述容置槽的底壁及側(cè)壁上，得到一第一熒光層；及固化所述透明膠體。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述利用離心技術(shù)使透明膠體中的熒光粉沉淀在所述發(fā)光二極管芯片的表面、所述容置槽的底壁及側(cè)壁上是利用離心力的作用使熒光粉沉淀到所述發(fā)光二極管芯片的表面、所述容置槽的底壁及側(cè)壁上。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述側(cè)壁還包括一弧形凸面，該弧形凸面與所述弧形凹面遠離底壁的一端連接，且所述弧形凸面上沉淀有所述第一熒光層。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述底壁上具有凹槽且該凹槽沉淀一第二熒光層。
5.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一封裝載體、兩個導(dǎo)線架及一發(fā)光二極管芯片， 該封裝載體包括一第一表面，該第一表面上形成有一容置槽，所述容置槽由一底壁和一側(cè)壁圍成，所述發(fā)光二極管芯片貼設(shè)于所述容置槽的底壁上，并與所述兩個導(dǎo)線架電性連接， 其特征在于所述側(cè)壁包括一弧形凹面，該弧形凹面與所述底壁連接，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括一第一熒光層及一透明膠體，所述第一熒光層形成在所述發(fā)光二極管芯片的表面、所述側(cè)壁及底壁上，所述透明膠體容置于所述容置槽內(nèi)并覆蓋所述發(fā)光二極管芯片及第一熒光層。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一熒光層通過離心技術(shù)沉淀在所述發(fā)光二極管芯片的表面、所述側(cè)壁及底壁上。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底壁與所述弧形凹面相切。
8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述側(cè)壁還包括一弧形凸面，該弧形凸面與所述弧形凹面遠離底壁的一端連接，且所述弧形凸面上形成有第一熒光層。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述弧形凸面與所述弧形凹面在二者相連接處具有共同的切面。
10.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底壁上具有凹槽，且該凹槽沉淀有一第二熒光層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一封裝載體及兩個導(dǎo)線架，該封裝載體包括一第一表面，該第一表面上形成有一容置槽，所述容置槽由一底壁和一側(cè)壁圍成，所述側(cè)壁包括一弧形凹面，該弧形凹面與所述底壁連接；將發(fā)光二極管芯片貼設(shè)于所述容置槽的底壁上，并與所述兩個導(dǎo)線架電性連接；將混有熒光粉的透明膠體注入到所述容置槽內(nèi)；在透明膠體固化前利用離心技術(shù)使透明膠體中的熒光粉沉淀在所述發(fā)光二極管芯片的表面、所述容置槽的底壁及側(cè)壁上，得到一第一熒光層，其中第一熒光層的厚度大致相同；及固化所述透明膠體。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L33/44GK102244179SQ20101017119
公開日2011年11月16日 申請日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月13日
發(fā)明者黃志強 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司