專利名稱：氮化物類半導(dǎo)體元件、光學(xué)裝置和氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氮化物類半導(dǎo)體元件、光學(xué)裝置和氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法， 特別涉及具有包含缺陷集中區(qū)域的基板的氮化物類半導(dǎo)體元件、光學(xué)裝置和氮化物類半導(dǎo) 體元件的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，提出了使用包含缺陷集中區(qū)域的氮化物類半導(dǎo)體基板的氮化物類半 導(dǎo)體元件。例如在日本特開(kāi)2003-133649號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了這種氮化物類半導(dǎo)體元件。上述日本特開(kāi)2003-133649號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了一種錠(ingot)的制造方法，在通過(guò) 生長(zhǎng)形成氮化物類半導(dǎo)體基板時(shí)，使缺陷集中在規(guī)定區(qū)域中，使得該錠具有缺陷密度高的 缺陷集中區(qū)域；和與缺陷集中在缺陷集中區(qū)域相應(yīng)地，缺陷密度低的低缺陷區(qū)域。另外，該 日本特開(kāi)2003-133649號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，通過(guò)垂直于錠 的生長(zhǎng)方向地切割上述錠，形成包含在垂直于主表面(上表面)的方向上延伸到基板的下 表面的缺陷集中區(qū)域的基板，并且在該基板的上表面上設(shè)置半導(dǎo)體發(fā)光元件層，并且在基 板的下表面上設(shè)置電極。但是，上述日本特開(kāi)2003-133649號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的氮化物類半導(dǎo)體元件中，基板 的主表面(上表面)是作為極性面的(0001)面，因此在其上形成有包含發(fā)光層的氮化物類 半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件中，會(huì)產(chǎn)生下述問(wèn)題在通過(guò)結(jié)晶生長(zhǎng)而形成的發(fā)光層中產(chǎn)生壓電 電場(chǎng)，發(fā)光效率低下。此外，在上述基板上形成氮化物類半導(dǎo)體元件層、構(gòu)成場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)元件 的氮化物類半導(dǎo)體元件中，由于壓電電場(chǎng)而感應(yīng)電子，F(xiàn)ET的源極-漏極之間不能夠常閉， 因此產(chǎn)生不能夠應(yīng)用于需要常閉化的電源器件等的問(wèn)題。如上所述，在作為極性面的基板的上表面形成有元件層的氮化物類半導(dǎo)體元件 中，會(huì)產(chǎn)生由于壓電電場(chǎng)的產(chǎn)生而導(dǎo)致對(duì)元件本來(lái)的動(dòng)作造成不良影響的問(wèn)題。另外，如上述日本特開(kāi)2003-133649號(hào)公報(bào)所述，存在缺陷集中區(qū)域與低缺陷區(qū) 域極性反轉(zhuǎn)的情況。在這種情況下，在缺陷集中區(qū)域和低缺陷區(qū)域的邊界處結(jié)晶不連續(xù)。因 此，在橫穿低缺陷區(qū)域和缺陷集中區(qū)域的邊界的方向上電流的流動(dòng)受到阻礙，于是存在橫 穿缺陷集中區(qū)域時(shí)的電阻變高的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面的氮化物類半導(dǎo)體元件具有由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的基板；在基板上形成的由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的元件層；和在與元件層相反的一側(cè)的基板的表面形成的電極，其中，基板包括由非極性面或半極性面構(gòu)成的第一面；為第一面的相反側(cè)的 面的第二面；從第一面向第二面在相對(duì)于第一面的法線方向傾斜的方向延伸，并且向第二 面貫通的缺陷集中區(qū)域；和具有形成有元件層的第一面和第二面，以缺陷集中區(qū)域作為邊 界與基板的其它區(qū)域分離的電流通路區(qū)域，缺陷集中區(qū)域不在第一面上露出，電極形成在 電流通路區(qū)域的第二面上。這里，本發(fā)明的非極性面是指與(0001)面的法線方向平行的面以及從這個(gè)面傾 斜最大約15°的面。另外，本發(fā)明的半極性面是指從(000士 1)面傾斜約30°以上約75° 以下的面，例如，{11-22}面、{11-2-2}面、{1-101}面、{1-10-1}面等。本發(fā)明的第一方面的氮化物類半導(dǎo)體元件中，如上所述，基板的第一面是非極性 面或半極性面，因此能夠降低在氮化物類半導(dǎo)體元件層中產(chǎn)生的壓電電場(chǎng)，能夠抑制因壓 電電場(chǎng)的產(chǎn)生而導(dǎo)致的對(duì)元件本來(lái)的動(dòng)作的不良影響。另外，第一方面的氮化物類半導(dǎo)體 元件中，在配置在缺陷集中區(qū)域的一側(cè)的電流通路區(qū)域中，在第一面上形成元件層，并且在 第二面上形成電極，因此元件層與電極之間的電流能夠不橫穿缺陷集中區(qū)域地流動(dòng)，能夠 抑制由缺陷集中區(qū)域引起的電阻增大。上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體元件中，優(yōu)選的是，元件層包含電流注入部，電流 注入部的寬度方向的中心位于電流通路區(qū)域中的第二面的上方。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，不會(huì)橫穿 缺陷集中區(qū)域，從電流注入部流向第二面上的電極的電流增大，因此能夠抑制由缺陷集中 區(qū)域引起的電阻增大。上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體元件中，優(yōu)選的是，基板還包含作為其它區(qū)域的 非電流通路區(qū)域，電極從電流通路區(qū)域的第二面上形成到非電流通路區(qū)域的第二面上。根 據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在通過(guò)電流通路區(qū)域從元件層流向電流通路區(qū)域的第二面上的電極的電流之 夕卜，電流也從元件層橫穿缺陷集中區(qū)域而流向非電流通路區(qū)域的第二面上的電極，因此能 夠進(jìn)一步降低元件層與電極之間的電阻。上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體元件中，優(yōu)選的是，元件層包含電流注入部，缺陷 集中區(qū)域朝向第二面向接近電流注入部的方向傾斜，電流注入部的寬度方向的中心配置在 比第一面的寬度方向的中心更遠(yuǎn)離缺陷集中區(qū)域的方向的位置。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠使從 電流注入部流向電極的電流的中心遠(yuǎn)離缺陷集中區(qū)域。由此，不橫穿缺陷集中區(qū)域地從電 流注入部流向第二面上的電極的電流增大，因此能夠進(jìn)一步抑制由缺陷集中區(qū)域引起的電 阻增大。在上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體元件中，優(yōu)選的是，基板還包含在第一面的側(cè) 端部側(cè)形成的凹部，缺陷集中區(qū)域從凹部向第二面貫通。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，缺陷集中區(qū)域延伸 至位于形成有元件層的第一面的側(cè)端部的凹部，因此元件層與顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域的部分被 分離開(kāi)，能夠抑制裂紋、位錯(cuò)從缺陷集中區(qū)域向元件層的傳遞。在上述基板還包含凹部的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，凹部的深度比元件層的厚度大。根據(jù) 這種結(jié)構(gòu)，在形成元件層時(shí)在凹部?jī)?nèi)形成的非元件層，通過(guò)薄層與元件層連接、或者斷開(kāi)， 因此能夠抑制裂紋、位錯(cuò)從缺陷集中區(qū)域向元件層的傳遞。上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體元件中，優(yōu)選的是，第一面是與(10-10)面、 (2-1-10)面或者與這些面等效的面大致等同的面。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠在上述基板的由非極性面構(gòu)成的第一面上形成元件層，因此能夠使在元件層中產(chǎn)生的壓電電場(chǎng)幾乎為O。上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體元件中，優(yōu)選的是，缺陷集中區(qū)域形成為與(H、 K、-Η-Κ、0)面(H、K中的至少一個(gè)是非0整數(shù))大致平行。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在制造工藝中， 在形成包含缺陷集中區(qū)域的晶片基板時(shí)，利用適合的切割面對(duì)包含缺陷集中區(qū)域的氮化物 類半導(dǎo)體進(jìn)行切割，由此能夠容易地在晶片基板的表面形成由非極性面構(gòu)成的第一面。本發(fā)明的第二方面的光學(xué)裝置包括氮化物類半導(dǎo)體元件，和控制氮化物類半導(dǎo)體 元件的出射光的光學(xué)系統(tǒng)，該氮化物類半導(dǎo)體元件具有由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的基板； 由在基板上形成的氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光元件層；和在與發(fā)光元件層相反的一側(cè)的基 板表面形成的電極，其中，基板包括由非極性面或半極性面構(gòu)成的第一面；為第一面的相 反側(cè)的面的第二面；從第一面向第二面在相對(duì)于第一面的法線方向傾斜的方向延伸，并且 向第二面貫通的缺陷集中區(qū)域；和具有形成有發(fā)光元件層的第一面和第二面，以缺陷集中 區(qū)域作為邊界與基板的其它區(qū)域分離的電流通路區(qū)域，缺陷集中區(qū)域不在第一面上露出， 電極形成在電流通路區(qū)域的第二面上。本發(fā)明的第二方面的光學(xué)裝置中，如上所述，基板的第一面為非極性面或者半極 性面，因此能夠得到能夠降低在由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光元件層中產(chǎn)生的壓電電場(chǎng)， 能夠抑制因壓電電場(chǎng)的產(chǎn)生而導(dǎo)致的對(duì)元件本來(lái)動(dòng)作的不良影響的光學(xué)裝置。另外，在配 置在缺陷集中區(qū)域的一側(cè)的電流通路區(qū)域中，在第一面上形成發(fā)光元件層，在第二面上形 成電極，因此能夠得到發(fā)光元件層與電極之間的電流能夠不橫穿缺陷集中區(qū)域地流動(dòng)、并 且能夠抑制由缺陷集中區(qū)域引起的電阻增大的光學(xué)裝置。本發(fā)明的第三方面的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法包括形成由氮化物類半導(dǎo) 體構(gòu)成的晶片基板的工序，該基板具有從由非極性面或者半極性面構(gòu)成的第一面在相對(duì)于 第一面的法線方向傾斜的方向延伸，并且向作為第一面的相反側(cè)的面的第二面貫通的缺陷 集中區(qū)域；在第一面上形成由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的元件層的工序；和將晶片基板截?cái)喑?多個(gè)元件的工序，其中，截?cái)喙ば虬ㄒ允股鲜鋈毕菁袇^(qū)域不在元件的第一面上露出的 方式截?cái)嗑宓墓ば?。本發(fā)明的第三方面的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，能夠制造上述第一方面的 氮化物類半導(dǎo)體元件。上述第三方面的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，在晶片基板的第 一面上形成元件層的工序之前，還包括在第一面的顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域的部分形成槽部的工 序。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在第一面的顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域的部分形成槽部之后，在第一面上形成元 件層，因此，在形成元件層時(shí)，在槽部?jī)?nèi)形成的非元件層能夠利用槽部的臺(tái)階經(jīng)由薄層與元 件層連接，或者分開(kāi)。由此，在元件層形成時(shí)，能夠抑制裂紋、位錯(cuò)從槽部?jī)?nèi)的缺陷集中區(qū)域 向元件層的傳遞，能夠形成裂紋、位錯(cuò)較少的元件層。上述第三方面的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，截?cái)喙ば虬ㄔ?槽部處，在槽部?jī)?nèi)截?cái)嗑宓墓ば?。根?jù)這種結(jié)構(gòu)，通過(guò)在晶片基板的厚度薄的位置沿 著槽部將晶片基板截?cái)喑啥鄠€(gè)元件，能夠使截?cái)嘧兊萌菀祝⑶医財(cái)鄷r(shí)多余的力難以落到 元件層上，因此能夠抑制元件層的剝離、損傷的發(fā)生。在包括在槽部?jī)?nèi)截?cái)嗌鲜鼍宓墓ば虻慕Y(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，截?cái)喙ば虬ㄔ谘刂鄄康膬?nèi)側(cè)面的截?cái)嗝娼財(cái)嗑宓墓ば?。根?jù)這種結(jié)構(gòu)，沿著形成有槽部的內(nèi)側(cè)面的位置，能夠容易地截?cái)嗑濉Ｔ谶@種情況下，優(yōu)選的是，截?cái)喙ば虬ㄔ谘刂话毕菁袇^(qū)的內(nèi)側(cè)面的截?cái)嗝娼財(cái)嗌鲜鼍宓墓ば颉８鶕?jù)這種結(jié)構(gòu)，與沿著包含缺陷集中區(qū)域的內(nèi)側(cè)面截?cái)嗑?片基板的情況不同，能夠抑制由于在缺陷集中區(qū)域晶片基板出現(xiàn)缺口而造成的氮化物類半 導(dǎo)體元件的破損，由此能夠提高成品率。在還包括形成上述槽部的工序的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，截?cái)喙ば虬ㄒ允乖话?含槽部的方式截?cái)嗑宓墓ば?。根?jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠形成在元件的側(cè)端部不包含槽部 的氮化物類半導(dǎo)體元件，因此相應(yīng)地能夠較小地形成氮化物類半導(dǎo)體元件的寬度。在還包括形成上述槽部的工序的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，槽部的深度比元件層的厚度 大。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，形成元件層時(shí)在槽部?jī)?nèi)形成的非元件層經(jīng)由薄層與元件層連接，或者分 開(kāi)，因此能夠得到抑制裂紋、位錯(cuò)從缺陷集中區(qū)域向元件層的傳遞的氮化物類半導(dǎo)體元件。上述第三方面的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，截?cái)喙ば虬ㄔ?第一面的沒(méi)有顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域的區(qū)域中截?cái)嗑宓墓ば?。根?jù)這種結(jié)構(gòu)，在第一面 中不顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域，因此能夠確保在上方形成有元件層的晶片基板的電流通路區(qū)域較 廣。上述第三方面的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，截?cái)喙ば虬ㄊ?缺陷集中區(qū)域在晶片基板的側(cè)斷面露出的工序。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠使缺陷集中區(qū)域在晶 片基板的側(cè)斷面露出而形成元件，因此相應(yīng)地能夠較小地形成元件的寬度。上述第三方面的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，截?cái)喙ば虬ㄍ?過(guò)沿著缺陷集中區(qū)域截?cái)嗑?，使缺陷集中區(qū)域在晶片基板的兩側(cè)端面露出的工序。 根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，沿著缺陷集中區(qū)域截?cái)嗟镱惏雽?dǎo)體元件，因此僅在基板的兩側(cè)存在缺 陷集中區(qū)域，基板的第一面和第二面的整個(gè)面沒(méi)有被缺陷集中區(qū)域分開(kāi)。即，能夠使基板的 第二面的大致整個(gè)面成為電流通路面，電流通路面上的電極的平面面積變大，因此能夠得 到進(jìn)一步降低電阻的氮化物類半導(dǎo)體元件。


圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的截面圖。圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的俯視圖。圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的基板的立體圖。圖4是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的基板的仰視圖。圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的晶片基板的制造工 藝的截面圖。圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的晶片基板的制造工 藝的俯視圖。圖7是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的晶片基板的立體圖。圖8是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的晶片基板的截面圖。圖9是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的截面圖。圖10是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的截面圖。圖11是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的截面圖。
圖12是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的俯視圖。圖13是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的截面圖。圖14是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的俯視圖。圖15是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的截面圖。圖16是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的構(gòu)造的截面圖。圖17是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的截面圖。圖18是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的構(gòu)造的截面圖。圖19是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的截面圖。圖20是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的構(gòu)造的截面圖。圖21是用于說(shuō)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的制造工藝的截面圖。圖22是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的構(gòu)造的截面圖。圖23是內(nèi)置有半導(dǎo)體激光裝置的光拾取裝置的結(jié)構(gòu)圖，該半導(dǎo)體激光裝置安裝 有本發(fā)明的第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件。圖24是表示安裝有本發(fā)明的第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置 的概略構(gòu)造的外觀立體圖。圖25是卸下安裝有本發(fā)明的第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置 的罐式封裝(can package)的蓋體的狀態(tài)下的正面圖。圖26是具有光拾取裝置的光盤(pán)裝置的結(jié)構(gòu)圖，該光拾取裝置安裝有本發(fā)明的第 七實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件。圖27是表示安裝有本發(fā)明的第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置 的結(jié)構(gòu)的正面圖。圖28是安裝有本發(fā)明的第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的投影裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖29是安裝有本發(fā)明的第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的投影裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖30是在安裝有本發(fā)明的第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件的投影裝置中，表示 控制部發(fā)出時(shí)序信號(hào)的狀態(tài)的時(shí)序圖。圖31是本發(fā)明的第一變形例的半導(dǎo)體激光元件的基板的截面圖。圖32是本發(fā)明的第二變形例的半導(dǎo)體激光元件的基板的截面圖。圖33是本發(fā)明的第三變形例的半導(dǎo)體激光元件的基板的截面圖。圖34是本發(fā)明的第四變形例的半導(dǎo)體激光元件的基板的截面圖。圖35是本發(fā)明的第五變形例的半導(dǎo)體激光元件的基板的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。(第一實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)D1 圖4，說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件100的構(gòu)造。另外，在第一實(shí)施方式中，對(duì)將本發(fā)明的“氮化物類半導(dǎo)體元件”應(yīng)用于半導(dǎo)體激光元件100的情況 進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示，第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件100是發(fā)射大約405nm的藍(lán)紫色激 光的激光元件，具有基板10、半導(dǎo)體元件層20、p側(cè)歐姆電極29、電流阻擋層30、p側(cè)墊電極31和η側(cè)電極45。基板10由η型氮化鎵(GaN)構(gòu)成，具有約100 μ m的厚度和約400 μ m的寬度。在第一實(shí)施方式中，基板10的上表面15為非極性面，由相對(duì)于(11-20)面以沿著W001]方 向的軸為中心、從[11-20]方向向[1-100]方向傾斜約30度的(10-10)面構(gòu)成。另外，基 板10中，缺陷集中區(qū)域12具有與(11-20)面平行的面，如圖3所示，缺陷集中區(qū)域12從基 板10的前端面IOa到后端面IOb在W001]方向面狀地?cái)U(kuò)展。另外，如圖1所示，該缺陷集中區(qū)域12在從基板10的上表面15向下表面16接近 脊部50的方向、相對(duì)于基板10的上表面15的法線方向傾斜大約60度而延伸。而且，缺陷 集中區(qū)域12是從基板10的下表面16向上表面15面沿著[1-100]方向缺陷面狀集合的結(jié) 構(gòu)。另外，如圖1和圖3所示，在基板10的上表面15的兩側(cè)端部，以沿著W001]方向 從基板10的前端面IOa延伸到后端面IOb的方式形成有一對(duì)凹部60和61。凹部60和61 的深度分別約為5 μ m，凹部60和61的各自底面60a和61a的寬度約為55 μ m。缺陷集中 區(qū)域12以從基板的下表面16向一對(duì)凹部60和61中的一個(gè)凹部60貫通的方式延伸，并且 從基板10的前端面IOa到后端面IOb沿著W001]方向面狀延伸。另外，雖然缺陷集中區(qū) 域12在凹部60的底面60a和側(cè)面60b的兩個(gè)面顯現(xiàn)，但是在側(cè)面60b中的基板的上表面 15側(cè)的部分，沒(méi)有顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12?；?0以缺陷集中區(qū)域12作為邊界，分離成電流通路區(qū)域70和非電流通路區(qū)域 71 (其它區(qū)域)。電流通路區(qū)域70由從上表面15整個(gè)區(qū)域到下表面16的一部分(電流通 路面16a)的區(qū)域構(gòu)成。另外，非電流通路區(qū)域71由從凹部60的底面60a到下表面16的 剩余部分(非電流通路面16b)的區(qū)域構(gòu)成。如圖4所示，基板10的下表面16被缺陷集中 區(qū)域12分離成電流通路區(qū)域70側(cè)的電流通路面16a和非電流通路區(qū)域71側(cè)的非電流通 路面16b。另外，缺陷集中區(qū)域12在與圖3所示的缺陷集中區(qū)域12的面垂直的方向上的厚 度tl為約20 μ m以上約50 μ m以下，在基板10的下表面16顯現(xiàn)的缺陷集中區(qū)域12的寬 度Wl為約40 μ m以上約100 μ m以下。例如，在缺陷集中區(qū)域12的厚度為約50 μ m的情況 下，缺陷集中區(qū)域12在基板的下表面16中顯現(xiàn)的部分的寬度為約100 μ m，其位置處于距 離凹部60側(cè)的基板10的側(cè)端面約120 μ m以上約220 μ m以下的范圍。因此，缺陷集中區(qū) 域12在基板的下表面16中顯現(xiàn)的部分達(dá)到基板10的寬度方向的中心，即距離凹部60側(cè) 的基板10的側(cè)端面約200 μ m的位置。如圖1所示，半導(dǎo)體元件層20形成在上表面15的整個(gè)區(qū)域，包括在基板10的上 表面15上形成的由AlatllGaa99N構(gòu)成的具有約1. Oym厚度的緩沖層21 ；在緩沖層21上形 成、由摻雜有Ge的η型Ala^7Gaa93N構(gòu)成的具有約為1. 9 μ m厚度的η型包覆層(clad) 22 ； 在η型包覆層22上形成、由Ala2Gaa8N構(gòu)成的具有約20nm厚度的η側(cè)載流子阻擋層23 ；和 在η側(cè)載流子阻擋層23上形成的發(fā)光層24。發(fā)光層24為多重量子阱(MQW Multiple Quantum well)構(gòu)造。具體來(lái)說(shuō)，發(fā)光層 24由MQW活性層構(gòu)成，該MQW活性層交替疊層有具有約2. 5nm的厚度并且由InxGai_xN構(gòu) 成的3個(gè)量子阱層；和具有約20nm厚度并且由InyGai_yN構(gòu)成的3個(gè)量子勢(shì)壘層。這里，χ > y, χ = 0. 15, y = 0. 02。
另外，半導(dǎo)體元件層20還包括在發(fā)光層24上形成、由InatllGaa99N構(gòu)成的具有約SOnm厚度的ρ側(cè)導(dǎo)光層25 ；在ρ側(cè)導(dǎo)光層25上形成、由Ala25Gaa75N構(gòu)成的具有約為20nm 厚度的P側(cè)載流子阻擋層26 ；在ρ側(cè)載流子阻擋層26上形成、由摻雜有Mg的Alatl7Gaa93N 構(gòu)成的具有約0. 5 μ m厚度的ρ型包覆層27 ；和在ρ型包覆層27上形成、由Inatl7Gaa93N構(gòu) 成的具有約3nm厚度的ρ側(cè)接觸層28。在P型包覆層27設(shè)置有寬度為約2 μ m、具有大約0. 4 μ m厚度的凸部27a。另外， P側(cè)接觸層28形成在ρ型包覆層27的凸部27a上。由ρ型包覆層27的凸部27a和ρ側(cè)接 觸層28形成脊部50。該脊部50以在W001]方向上從基板10的前端面IOa延伸到后端面 IOb的方式形成為條狀(參照?qǐng)D2)。另夕卜，ρ型包覆層27形成為，凸部27a的寬度方向的中心位置，相比于基板10的 上表面15的寬度方向的中心位置即距離凹部60側(cè)的基板10的端面大約200 μ m的位置， 位于在從缺陷集中區(qū)域12所延伸的凹部60遠(yuǎn)離的方向更偏離約25 μ m左右的位置，缺陷 集中區(qū)域12不位于凸部27a的寬度方向的中心位置的下方。即，凸部27a的寬度方向的中 心(脊部50的寬度方向的中心)位于基板的下表面16中的電流通路面16a的上方。在P側(cè)接觸層28上，從下層側(cè)向上層側(cè)形成有由具有約5nm厚度的Pt層、具有約 IOOnm厚度的Pd層、具有約150nm厚度的Au層構(gòu)成的ρ側(cè)歐姆電極29。另外，以覆蓋ρ型 包覆層27的上表面上、脊部50和ρ側(cè)歐姆電極29的側(cè)面的方式，形成有由SiO2構(gòu)成的具 有約0. 2 μ m厚度的電流阻擋層30。另外，在ρ側(cè)歐姆電極29的上表面和電流阻擋層30的 上表面，從下層側(cè)向上層側(cè)形成有由具有約IOOnm厚度的Ti層、具有約IOOnm厚度的Pd層 和具有約3 μ m厚度的Au層構(gòu)成的ρ側(cè)墊電極31。由此，供給至ρ側(cè)墊電極31的電流，通過(guò)由沒(méi)有被電流阻擋層30絕緣的ρ側(cè)歐姆 電極29、ρ側(cè)接觸層28和ρ型包覆層27的凸部27a構(gòu)成的脊部50，供給半導(dǎo)體元件層20 內(nèi)的發(fā)光層24。即，脊部50是用于向半導(dǎo)體元件層20的發(fā)光層供給電流的電流注入部，位 于發(fā)光層24中脊部50的下方的部分成為發(fā)光部。另外，在基板10的下表面16，η側(cè)電極45在從基板10的電流通路面16a到非電 流通路面16b的范圍形成在下表面16上，其中η側(cè)電極45從基板10的下表面16開(kāi)始依 次由具有約IOnm厚度的Al層、具有約20nm厚度的Pt層、具有約300nm厚度的Au層構(gòu)成。另外，在基板10的凹部60和61的底面60a和61a、以及側(cè)面60b和61b上，形成 有非元件層40。在基板10的上表面15上形成半導(dǎo)體元件層20時(shí)，同時(shí)在凹部60內(nèi)形成 該非元件層40，在凹部60的側(cè)面60b上和半導(dǎo)體元件層20的側(cè)端面上，也形成比底面60a 上形成的層薄的層40a。另外，從基板10的上表面15到凹部60的底面60a的長(zhǎng)度(凹部 60的深度)為約5 μ m,比半導(dǎo)體元件層20的厚度(約3 μ m)大。S卩，在凹部60的底面60a 上形成的非元件層40的厚度和半導(dǎo)體元件層20的厚度大致相等，因此，凹部60的深度比 底面60a上的非元件層40大。此處，半導(dǎo)體元件層20的厚度表示從基板10的上表面15 即緩沖層21的下表面到脊部50的ρ側(cè)接觸層28的上表面的長(zhǎng)度。由此，基板10的上表面15上的半導(dǎo)體元件層20和凹部60的底面60a上的非元 件層40，通過(guò)在凹部60的側(cè)面60b上形成的非元件層40的薄層40a連接。這里，基板10是本發(fā)明的“基板”的例子，半導(dǎo)體元件層20是本發(fā)明的“元件層” 的例子，發(fā)光層24是本發(fā)明的“發(fā)光元件層”的例子，η側(cè)電極45是本發(fā)明的“電極”的例子，上表面15是本發(fā)明的“第一面”的例子，下表面16是本發(fā)明的“第二面”的例子，缺陷 集中區(qū)域12是本發(fā)明的“缺陷集中區(qū)域”的例子，電流通路區(qū)域70是本發(fā)明的“電流通路 區(qū)域”的例子，非電流通路區(qū)域71是本發(fā)明的“非電流通路區(qū)域”的例子，凹部60是本發(fā)明 的“凹部”的例子，脊部50是本發(fā)明的“電流注入部”的例子。接著，參照?qǐng)D5 圖15，說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件100的制造工藝。其中，圖5是表示在生長(zhǎng)用基板上形成的GaN層的截面圖，圖6是表示在生長(zhǎng)用基板上形成的 GaN層的俯視圖。如圖5所示，首先，在以(111)面作為主表面的GaAs基板160上，以在[11_20]方 向隔開(kāi)約200 μ m的間隔的方式形成有由非晶體或多晶體構(gòu)成的、[1-100]方向(圖5的垂 直紙面方向)為長(zhǎng)度方向的條狀GaN層170。此后，通過(guò)氫經(jīng)物氣相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxiy(HVPE))法，在GaAs基板160的主表面上沿著W001]方向生長(zhǎng)GaN層180。在這樣生長(zhǎng)了 GaN層180時(shí)，由非晶體或多晶體構(gòu)成的GaN層170上的區(qū)域中的 GaN層180，包含很多位錯(cuò)，并且形成了具有以該區(qū)域?yàn)楣鹊匿忼X狀凹凸的截面形狀的GaN 層180。該GaN層180的凹凸的斜面(刻面(facet) 180a)是(11-22)面。而且，在一邊保 持該截面形狀一邊沿著W001]方向進(jìn)行生長(zhǎng)的情況下，刻面180a中存在的位錯(cuò)移動(dòng)到刻 面的谷間180b。由此，在GaN層170上，以在[11-20]方向上隔開(kāi)約200 μ m的間隔并且平 行于(11-20)面的方式形成缺陷集中區(qū)域12。這樣，形成了具有沿著(11-20)面缺陷集中 的缺陷集中區(qū)域12的GaN層180。此后，除去GaAs基板160，并且，如圖6所示，沿著與從(11-20)面向[1-100]方向 傾斜約30度的角度的(10-10)面平行的切割面(虛線90)切割GaN層180。由此，形成切 割面成為上表面和下表面的多個(gè)晶片基板101。晶片基板101中，上表面和下表面實(shí)質(zhì)上等 同于(10-10)面，缺陷集中區(qū)域12從下表面向上表面斜著延伸。這里，缺陷集中區(qū)域12沿 著W001]方向(圖6的垂直紙面方向)面狀延伸。接著，與切割面90垂直地切斷被切割過(guò)的晶片基板101的兩端，如圖6所示，得到 具有從下表面16向上表面15斜著延伸的缺陷集中區(qū)域12的晶片基板101。這里，圖7是 晶片基板101的立體圖，圖8是沿著圖7的晶片基板101的立體圖中的點(diǎn)劃線1000-1000 以與前端面平行的面切開(kāi)而得的截面圖。而且，如圖7所示，缺陷集中區(qū)域12在晶片基板 101的上表面15上，在W001]方向上具有約40 μ m以上約100 μ m以下的寬度并且呈現(xiàn)條 狀。進(jìn)一步，如圖9所示，沿著晶片基板101的上表面15的顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的部 分，在wool]方向(垂直紙面方向)上形成，具有從晶片基板101的前端側(cè)延伸到后端側(cè)的 條狀的寬度為約Iio μ m的開(kāi)口部85a的、由SiO2構(gòu)成的掩膜85。掩膜85形成為，該開(kāi)口 部85a的寬度比基板10的上表面15中顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的部分的寬度大，開(kāi)口部85a 的寬度方向的中心位置與顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的部分的寬度方向的中心大致一致。由此， 使得基板10的上表面15中顯現(xiàn)的缺陷集中區(qū)域12的全部位于掩膜85的開(kāi)口部85a內(nèi)， 并且與開(kāi)口部85a的端部間空出規(guī)定的間隔。然后，如圖10所示，通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻(Reactive Ion Etching(RIE))法，沿著顯 現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的部分蝕刻晶片基板101的上表面，由此在晶片基板101的上表面上形 成深度為5 μ m、寬度為110 μ m的槽部80。槽部80的深度優(yōu)選為約3 μ m以上約5 μ m以下。另外，槽部80的寬度優(yōu)選為50 110 μ m，從而完全包含缺陷集中區(qū)域12在基板的上表面 15顯現(xiàn)的部分。由此，缺陷集中區(qū)域12僅僅出現(xiàn)在槽部80內(nèi)，因此在晶片基板101的上表 面15上不顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12。另外，缺陷集中區(qū)域12在相對(duì)于晶片基板101的上表面 傾斜的方向延伸，因此，在槽部80內(nèi)顯現(xiàn)的缺陷集中區(qū)域12，不僅在槽部80的底面顯現(xiàn)，還 在單側(cè)的內(nèi)側(cè)面?zhèn)蕊@現(xiàn)。接著，如圖11所示，通過(guò)結(jié)晶生長(zhǎng)，在施加了槽部80的加工的晶片基板101上形 成半導(dǎo)體元件層20，該半導(dǎo)體元件層20是用于發(fā)射具有405nm的振蕩波長(zhǎng)的藍(lán)紫色激光的 激光元件。下面，對(duì)通過(guò)有機(jī)金屬氣相沉積法(M0CVD法)在晶片基板101上形成由氮化物類 半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體元件層20的技術(shù)進(jìn)行具體說(shuō)明。通過(guò)MOCVD法，在晶片基板101的各槽部80間的上表面上形成由緩沖層21、n型包 覆層22、n側(cè)載流子阻擋層23、發(fā)光層24、p側(cè)導(dǎo)光層25、p側(cè)載流子阻擋層26、p型包覆層 27和ρ側(cè)接觸層28構(gòu)成的半導(dǎo)體元件層20 (參照?qǐng)D1)。具體地說(shuō)，在基板10上生長(zhǎng)厚度 約為1. 0 μ m的由AlatllGaa99N構(gòu)成的緩沖層21。接著，生長(zhǎng)由摻雜有Ge的η型Alatl7Gaa93N 構(gòu)成的具有約1. 9 μ m厚度的η型包覆層22，和具有約20nm厚度的由Ala 2Ga0.8N構(gòu)成的η側(cè) 載流子阻擋層23。然后，形成由MQW活性層構(gòu)成的發(fā)光層24，該MQW活性層具有由InxGai_xN 構(gòu)成的3個(gè)量子阱層和由InyGai_yN構(gòu)成的3個(gè)量子勢(shì)壘層交替疊層的多重量子阱構(gòu)造。這 里，χ > y，x = 0. 15，y = 0. 02。然后，在發(fā)光層24的上表面上，依次形成由InaoiGaa99N構(gòu) 成的具有約80nm厚度的ρ側(cè)導(dǎo)光層25，和由Ala25Gaa75N構(gòu)成的具有約20nm厚度的ρ側(cè)載 流子阻擋層26。接著，生長(zhǎng)由Alatl7Gaa93N構(gòu)成的具有約0.45 μ m厚度的ρ型包覆層27。然后，形成由Inatl7Gaa93N構(gòu)成的具有約30nm厚度的ρ側(cè)接觸層28。如上所述，通過(guò)MOCVD法在由 GaN構(gòu)成的晶片基板101上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件層20。然后，將基板溫度降到室溫附近，并且將疊層有半導(dǎo)體元件層20的晶片基板101 從反應(yīng)爐中取出。然后，在半導(dǎo)體元件層20 (P側(cè)接觸層28)的上表面上形成由在Wool]方向延伸 的條狀SiO2構(gòu)成的掩膜。這里，掩膜寬度約為2 μ m，掩膜的寬度方向的中心位置形成在，相 對(duì)于晶片基板101的槽部80間的各上表面15的寬度方向的中心位置，在缺陷集中區(qū)域12 從上表面15向下表面傾斜的方向上偏離約25 μ m的位置。然后，通過(guò)使用Cl2氣體的RIE 法，以SiO2作為掩膜，對(duì)ρ側(cè)接觸層28和ρ型包覆層27的一部分進(jìn)行圖案化，由此形成脊 部50。在該蝕刻中，對(duì)ρ側(cè)接觸層28進(jìn)行圖案化，并且在具有約0. 45 μ m厚度的ρ型包覆 層27中剩余約0. 05 μ m，形成ρ型包覆層27的凸部27a。由此，形成由ρ型包覆層27的凸 部27a和ρ側(cè)接觸層28構(gòu)成的、具有約2 μ m的寬度和0. 4 μ m的高度的脊部50。另外，脊 部50以與晶片基板101的W001]方向(垂直紙面方向)平行地延伸的方式形成。然后，除去掩膜，并且在位于脊部50的上表面的P側(cè)接觸層28上形成P側(cè)歐姆電 極29。然后，以覆蓋ρ型包覆層27的上表面上、脊部50和ρ側(cè)歐姆電極29的側(cè)面的方式， 形成由SiO2構(gòu)成的電流阻擋層30。然后，在ρ側(cè)歐姆電極29的上表面和電流阻擋層30的 上表面形成P側(cè)墊電極31。在形成該半導(dǎo)體元件層20時(shí)，為了在形成有槽部80的晶片基板101上的整個(gè)面上進(jìn)行成膜，在晶片基板101的槽部80的底面、內(nèi)側(cè)面也形成層，該層是非元件層40。另 外，從晶片基板101的上表面15到槽部80的底面的長(zhǎng)度(槽部80的深度)比半導(dǎo)體元件 層20的厚度大。因此，如圖11所示，在晶片基板101的槽部80內(nèi)，形成與半導(dǎo)體元件層20 厚度大致相同的非元件層40，上表面15上的半導(dǎo)體元件層20和槽部80的底面的非元件層 40，通過(guò)在槽部80的內(nèi)側(cè)面形成的非元件層40的薄層40a連接。另外，通過(guò)對(duì)晶片基板101的下表面?zhèn)冗M(jìn)行研磨，直到圖11的研磨位置(虛線 91)，如圖13所示，進(jìn)行薄型化，直到容易解理晶片基板101、并且在脊部50的寬度方向的中 心的下方位置不存在缺陷集中區(qū)域12的厚度(約ΙΟΟμπι)。然后，在晶片基板101的下表 面內(nèi)，在半導(dǎo)體元件層20的下方的區(qū)域形成η側(cè)電極45。接著，沿著圖12的解理面(虛線92)，解理晶片基板101。晶片基板101的解理例 如是通過(guò)激光劃線法，避開(kāi)脊部50，沿著解理面，在槽部80和其附近形成劃線槽，對(duì)晶片基 板101施加機(jī)械力，使得在晶片基板101的下表面?zhèn)葟澢Ａ硗?，圖13是沿著圖12的點(diǎn)劃 線1100-1100的截面圖。由此，如圖14所示，在條狀的晶片基板101上沿著解理面排列形成多個(gè)半導(dǎo)體元 件層20。這里，圖14是沿著解理面排列形成有多個(gè)半導(dǎo)體元件層20的條狀的晶片基板101 的俯視圖，圖15是沿著圖14的點(diǎn)劃線1200-1200的截面圖。然后，沿著圖15的截?cái)嗝?虛線93)，與上述同樣地，在條狀的晶片基板101的槽 部80的寬度方向的中心附近形成劃線槽，通過(guò)截?cái)鄺l狀晶片基板101，形成多個(gè)第一實(shí)施 方式的半導(dǎo)體激光元件100。此時(shí)，被截?cái)嗟木?01成為各個(gè)半導(dǎo)體激光元件100的 基板10，槽部80成為在基板10的上表面15的兩側(cè)端部，沿著Wool]方向從基板10的前 端面IOa延伸到后端面IOb的一對(duì)凹部60和61 (參照?qǐng)D1和圖3)。這里，晶片基板101是本發(fā)明的“晶片基板”一個(gè)例子，槽部80是本發(fā)明的“槽部” 的一個(gè)例子。在第一實(shí)施方式中，如上所述，基板10的上表面15是非極性面(10-10)面，因此 能夠減小在其上形成的半導(dǎo)體元件層20的發(fā)光層24中產(chǎn)生的壓電電場(chǎng)。由此能夠增大半 導(dǎo)體激光元件100的發(fā)光效率。另外，在第一實(shí)施方式中，在以基板10的缺陷集中區(qū)域12為邊界分開(kāi)的電流通路 區(qū)域70和非電流通路區(qū)域71內(nèi)、電流通路區(qū)域70側(cè)的基板10的上表面15上形成有半導(dǎo) 體元件層20，在電流通路區(qū)域70側(cè)的基板10的電流通路面16a上形成有η側(cè)電極45。由 此，半導(dǎo)體元件層20和η側(cè)電極45之間的電流能夠不穿過(guò)缺陷集中區(qū)域12地進(jìn)行流動(dòng)， 能夠抑制由缺陷集中區(qū)域12引起的電阻增大。另外，在第一實(shí)施方式中，缺陷集中區(qū)域12延伸到位于形成有半導(dǎo)體元件層20的 上表面15的側(cè)端部的凹部60，由此，利用凹部60的臺(tái)階，半導(dǎo)體元件層20和非元件層40 通過(guò)在凹部60的側(cè)面60b形成的薄層40a連接，能夠抑制裂紋和位錯(cuò)從缺陷集中區(qū)域12 向半導(dǎo)體元件層20的傳遞。另外，在第一實(shí)施方式中，脊部50的寬度方向的中心位于基板的下表面16的電流 通路面16a的上方，由此在脊部50和電流通路面16a上形成的η側(cè)電極45之間，不穿過(guò)缺 陷集中區(qū)域12而流動(dòng)的電流增大，因此能夠抑制缺陷集中區(qū)域12引起的電阻增大。另外，在第一實(shí)施方式中，η側(cè)電極45從基板10的電流通路面16a到非電流通路面16b形成在下表面16上，由此，除了通過(guò)電流通路區(qū)域70、從半導(dǎo)體元件層20流向下表 面16的電流通路面16a上的η側(cè)電極45的電流之外，電流還會(huì)從半導(dǎo)體元件層20穿過(guò)缺 陷集中區(qū)域12流向下表面16的非電流通路面16b上的η側(cè)電極45，因此，能夠進(jìn)一步降低 半導(dǎo)體元件層20與η側(cè)電極45之間的電阻。另外，在第一實(shí)施方式中，脊部50以位于基板10的上表面15中除了顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的部分之外的區(qū)域的上方的方式形成，由此，能夠在除了顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的 部分之外的上表面15上可靠地配置在脊部50的下部形成的導(dǎo)光路。另外，脊部50以位于 基板10的下表面16中除了顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的部分之外的區(qū)域的上方的方式形成，由 此，能夠在除了顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的部分之外的下表面16的上方可靠地配置導(dǎo)光路。結(jié) 果，能夠避開(kāi)具有高電阻的缺陷集中區(qū)域12地流動(dòng)電流，因此能夠抑制電流通路的電阻的 增大。另外，在第一實(shí)施方式中，缺陷集中區(qū)域12以沿著脊部50(導(dǎo)光路)的延伸方向 面狀延伸的方式形成，由此，利用缺陷集中區(qū)域12，能夠容易地形成沿著導(dǎo)光路的延伸方向 延伸的電流通路區(qū)域70。另外，在第一實(shí)施方式的制造工藝中，如上所述，在成為基板10的晶片基板101的 上表面15的顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的部分形成作為凹部60的槽部80之后，在形成有槽部 80的晶片基板101的上表面15上形成半導(dǎo)體元件層20，由此，在上表面15上形成的半導(dǎo) 體元件層20和形成半導(dǎo)體元件層20時(shí)在槽部80形成的非元件層40，與在槽部80的側(cè)面 形成的非元件層40的薄層40a連接。由此，在形成半導(dǎo)體元件層20時(shí)，能夠抑制裂紋和位 錯(cuò)從槽部80內(nèi)的缺陷集中區(qū)域12向半導(dǎo)體元件層20的傳遞，能夠形成裂紋和位錯(cuò)較少的 半導(dǎo)體元件層20。另外，在第一實(shí)施方式的制造工藝中，沿著晶片基板101的厚度薄的位置即槽部 80，將晶片基板101截?cái)喑啥鄠€(gè)元件，由此，截?cái)嘧兊萌菀?，并且截?cái)鄷r(shí)多余的力難以落到 半導(dǎo)體元件層20上，因此能夠抑制半導(dǎo)體元件層20的剝離和損傷的發(fā)生。另外，在第一實(shí)施方式的制造工藝中，以成為基板10的晶片基板101的上表面15 上的顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的部分的寬度方向的中心位置和槽部形成用的掩膜85的開(kāi)口部 85a的寬度方向的中心位置大致一致的方式形成掩膜85，由此，能夠以從上表面15除去缺 陷集中區(qū)域12顯現(xiàn)的部分所需要的最小限度的寬度設(shè)定掩膜85的開(kāi)口部85a的寬度，不 會(huì)多余地除去缺陷集中區(qū)域12的顯現(xiàn)部分之外的上表面15。因此，能夠增大元件層20的 寬度。(第二實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)D6和圖16，對(duì)第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，對(duì)與圖1相同的部分標(biāo) 注相同的符號(hào)，其說(shuō)明引用圖1的說(shuō)明。如圖16所示，第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件200中，基板10由在兩側(cè)端面分 別具有缺陷集中區(qū)域I2a和12b的電流通路區(qū)域70構(gòu)成。這里，缺陷集中區(qū)域12a和12b 是，沿著圖6所示的晶片基板101的缺陷集中區(qū)域12，在缺陷集中區(qū)域12的厚度方向的中 心附近進(jìn)行截?cái)鄷r(shí)，在基板10側(cè)分別剩余的缺陷集中區(qū)域。如圖16所示，僅在基板10的上表面15的一側(cè)端部形成凹部61。在基板10的沒(méi) 有形成凹部的一側(cè)的側(cè)端面的下側(cè)部分形成有傾斜面10c，在形成有凹部61的側(cè)端部，在凹部61的下方形成有傾斜面10d。傾斜面IOc從基板10的上表面15向下表面16沿著接近脊部50 (電流注入部) 的方向傾斜，傾斜面IOd從基板10的上表面15向下表面16沿著遠(yuǎn)離脊部50的方向傾斜。缺陷集中區(qū)域12a和12b分別沿著傾斜面IOc和IOd形成，缺陷集中區(qū)域12a從基板10的上表面15向下表面16沿著接近脊部50的方向傾斜，缺陷集中區(qū)域12b從基板 10的上表面15向下表面16沿著遠(yuǎn)離脊部50的方向傾斜。另外，基板10僅由電流通路區(qū)域70構(gòu)成，電流通路區(qū)域70的下表面16的整個(gè)區(qū) 域成為電流通路面16a。缺陷集中區(qū)域12a、12b位于基板10的外側(cè)面，成為分離電流通路區(qū)域70和元件 外部(其它區(qū)域)的邊界。脊部50的寬度方向的中心位置，位于比基板10的上表面15的寬度方向的中心位 置更遠(yuǎn)離具有缺陷集中區(qū)域12a的側(cè)端部的方向的位置，脊部50的寬度方向的中心位置位 于電流通路面16a的上方。第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件200中，在凹部61的底面61a和側(cè)面61b形成有 非元件層40。另外，基板10的上表面15上的半導(dǎo)體元件層20和底面61a上的非元件層 40，通過(guò)在側(cè)面61b上形成的非元件層40的比在底面61a上形成的層薄的層40a連接。另外，基板10的下表面16的整個(gè)面成為電流通路面16a，遍及下表面16的缺陷集 中區(qū)域12a和12b之外的大致整個(gè)面形成η側(cè)電極45。接著，參照?qǐng)D15 圖17，對(duì)第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件200的制造工藝進(jìn)行 說(shuō)明。本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件200，如圖17所示，在研磨晶片基板101 的下表面?zhèn)戎螅谙卤砻?6的缺陷集中區(qū)域12之外的大致整個(gè)面上形成η側(cè)電極45。 然后，參照第一實(shí)施方式的圖15所示的制造工序，代替大致垂直于晶片基板101的截?cái)嗝?(虛線93)，以沿著缺陷集中區(qū)域12的面作為截?cái)嗝?在圖17中表示為虛線93)，截?cái)嗑?基板101，形成多個(gè)半導(dǎo)體激光元件200。結(jié)果，如圖16所示，得到基板10的側(cè)面由在傾斜 面IOc和IOd上形成的缺陷集中區(qū)域12a和12b構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件200。另外，第二實(shí) 施方式的其它制造工藝與上述第一實(shí)施方式相同。第二實(shí)施方式中，如上所述，沿著缺陷集中區(qū)域12截?cái)喟雽?dǎo)體激光元件200，由 此，僅在基板10的側(cè)端面存在缺陷集中區(qū)域12a和12b，基板10的上表面15和下表面16 的整個(gè)面沒(méi)有被缺陷集中區(qū)域12截?cái)?。由此，基?0的下表面16的大致整個(gè)面成為電流 通路面16a，能夠使電流通路面16a上的η側(cè)電極45的平面面積最大，因此能夠更進(jìn)一步降 低電阻。(第三實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)D18，對(duì)第三實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，對(duì)與圖1相同的部分標(biāo)注相同 的符號(hào)，其說(shuō)明引用圖1的說(shuō)明。如圖18所示，第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件300，在基板10的上表面距離基板 10的一側(cè)端面IOe規(guī)定距離的位置，以沿著W001]方向(垂直于圖18的紙面的方向)延 伸的方式形成有凹部60。凹部60具有底面60a和兩側(cè)面60b和60c，基板10的側(cè)端面IOe 和凹部60的側(cè)面60c之間的距離約為50 μ m?；?0的上表面，夾著凹部60分為形成有具有脊部50的半導(dǎo)體元件層20的上表面15a和形成有非元件層40的上表面15b。另外， 非元件層40在形成半導(dǎo)體元件層20時(shí)形成，由與半導(dǎo)體元件層20大致相同的層構(gòu)成?；?0以缺陷集中區(qū)域12為邊界分成電流通路區(qū)域70和非電流通路區(qū)域71 (其 它區(qū)域)。電流通路區(qū)域70由形成有具有脊部50的半導(dǎo)體元件層20的上表面15a到下表 面16的一部分(電流通路面16a)的區(qū)域構(gòu)成。另外，非電流通路區(qū)域71由凹部60的底 面60a和形成有非元件層40的上表面15b到下表面16的剩余部分(非電流通路面16b) 的區(qū)域構(gòu)成。另外，在基板10的凹部60的內(nèi)部和上表面15b上形成有非元件層40，在凹部60 的側(cè)面60b上和半導(dǎo)體元件層20的側(cè)端面也形成比底面60a上形成的層薄的層40a。此外，與第一實(shí)施方式相同，基板10的上表面15a上的半導(dǎo)體元件層20和凹部60 的底面60a上的非元件層40，通過(guò)凹部60的側(cè)面60b上形成的非元件層40的薄層40a連接。脊部50的寬度方向的中心位置，位于比基板10的上表面15a的寬度方向的中心 位置更遠(yuǎn)離具有缺陷集中區(qū)域12的側(cè)端部的方向的位置，脊部50的寬度方向的中心位置 位于電流通路面16a的上方。接著，參照?qǐng)D15、圖18和圖19，對(duì)第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件300的制造工 藝進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件300，參照第一實(shí)施方式的圖15所表示 的制造工序，代替位于槽部80內(nèi)的截?cái)嗝?虛線93)，在槽部80的附近，以在與槽部80相 同的方向延伸的面作為截?cái)嗝?圖19所示的虛線94)，沿著截?cái)嗝嫘纬蓜澗€槽，截?cái)嗑?板101，由此形成多個(gè)半導(dǎo)體激光元件300。這里，劃線槽位于半導(dǎo)體元件層20和電流阻擋 層30上，并且形成在沒(méi)有形成ρ側(cè)墊電極31的區(qū)域。結(jié)果，如圖18所示，得到了凹部60 形成在距離基板10的側(cè)端面IOe規(guī)定距離的位置的半導(dǎo)體激光元件300。此外，其它制造 工藝與上述第一實(shí)施方式相同。第三實(shí)施方式中，如上所述，能夠在沒(méi)有顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12的區(qū)域截?cái)嘣?因此能夠抑制在缺陷集中區(qū)域中基板側(cè)端面出現(xiàn)缺口、元件裂開(kāi)等元件破損的發(fā)生，能夠 提高成品率。(第四實(shí)施方式)參照?qǐng)D20和圖21，對(duì)第四實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，對(duì)與圖1相同的部分標(biāo)注相 同的符號(hào)，其說(shuō)明引用圖1的說(shuō)明。如圖20所示，第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件400構(gòu)成為，元件的寬度方向的端 部具有從半導(dǎo)體元件層20側(cè)向基板10沿著大致垂直于上表面15的方向延伸的一對(duì)側(cè)端 面IOf。即，上述第一 第三實(shí)施方式中形成的凹部60和61沒(méi)有殘留在半導(dǎo)體激光元件 400的寬度方向的兩端部。即，第四實(shí)施方式的制造工藝中，如圖21所示，相對(duì)于條狀晶片基板101 (半導(dǎo)體 元件層20)的下表面16，在比槽部80更靠脊部50的位置形成劃線槽，之后沿著該截?cái)嗝?(虛線95)截?cái)鄺l狀晶片基板101，由此形成多個(gè)半導(dǎo)體激光元件400。第四實(shí)施方式的制造工藝中，如上所述，通過(guò)在比槽部80更靠脊部50的一側(cè)的位 置截?cái)鄺l狀晶片基板101，使缺陷集中區(qū)域12在基板10的側(cè)端面IOf中露出，形成半導(dǎo)體激光元件400，因此，相應(yīng)地能夠較小地形成半導(dǎo)體激光元件400的寬度W2(參照?qǐng)D20)。另 夕卜，這時(shí)，上表面15沒(méi)有顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12，因此能夠確保在上方形成有半導(dǎo)體元件層 20的基板10的電流通路區(qū)域70較廣。(第五實(shí)施方式)參照?qǐng)D21和圖22，對(duì)第五實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，對(duì)與圖1相同的部分標(biāo)注相同的符號(hào)，其說(shuō)明引用圖1的說(shuō)明。如圖22所示，與上述第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件400相同，第五實(shí)施方式的 半導(dǎo)體激光元件500構(gòu)成為，元件的寬度方向的端部具有從半導(dǎo)體元件層20側(cè)向基板10 沿著大致垂直于上表面15的方向延伸的一對(duì)側(cè)端面10f。而且，在第五實(shí)施方式中，構(gòu)成為 凹部60的側(cè)面60b和凹部61的側(cè)面61b分別在側(cè)端面IOf的一部分中露出。S卩，在第五實(shí)施方式的制造工藝中，如圖21所示，相對(duì)于條狀晶片基板101的下表 面16，在與槽部80的角部(內(nèi)側(cè)面與底部的連接部)對(duì)應(yīng)的位置形成劃線槽，之后在分別 沿著槽部80的兩側(cè)的內(nèi)側(cè)面的截?cái)嗝?虛線96和97)截?cái)鄺l狀晶片基板101，由此形成多 個(gè)半導(dǎo)體激光元件500。在第五實(shí)施方式的制造工藝中，如上所述，在槽部80的底部截?cái)鄺l狀晶片基板 101，由此晶片基板101的厚度較薄，相應(yīng)地容易截?cái)啵⑶以诮財(cái)鄷r(shí)多余的力難以落到半 導(dǎo)體元件層20上，因此能夠抑制半導(dǎo)體元件層20的剝離、損傷的發(fā)生。另外，第五實(shí)施方式的制造工藝中，在沿著槽部80的內(nèi)側(cè)面的截?cái)嗝?虛線96和 97)截?cái)嗑?01，由此，能夠沿著形成有槽部80的內(nèi)側(cè)面的位置，容易地截?cái)嗑?板 101。(第六實(shí)施方式)參照?qǐng)D23 圖25，對(duì)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的光拾取裝置600進(jìn)行說(shuō)明。其中， 光拾取裝置600是本發(fā)明的“光學(xué)裝置”的一個(gè)例子。如圖23所示，本發(fā)明的第六實(shí)施方式的光拾取裝置600包括半導(dǎo)體激光裝置 610，其安裝有上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件100 (參照?qǐng)D25)，和紅色/紅外雙波長(zhǎng) 半導(dǎo)體激光元件690 (參照?qǐng)D25)；對(duì)半導(dǎo)體激光裝置610射出的激光進(jìn)行調(diào)整的光學(xué)系統(tǒng) 620 ；和接受激光的光檢測(cè)部630。另外，如圖24和圖25所示，半導(dǎo)體激光裝置610具有由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的基底 611 ；設(shè)置在基底611前面的蓋體612 ；和安裝在基底611后面的引線613、614、615和616。 另外，在基底611的前面，與基底611 —體形成有首部(header)611a(參照?qǐng)D25)。在首部 611a的上表面配置有半導(dǎo)體激光元件100，子基座(基臺(tái)，Submoimt)651(參照?qǐng)D25)和首 部611a通過(guò)樹(shù)脂制造的接合層617(參照?qǐng)D25)被固定。另外，在蓋體612的前面安裝有 透過(guò)從半導(dǎo)體激光元件100射出的激光的光學(xué)窗612a (參照?qǐng)D24)，利用蓋體612，密封被 蓋體612覆蓋的基底611內(nèi)部的半導(dǎo)體激光元件100和紅色/紅外雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件 690。另外，如圖25所示，引線613 615貫通基底611，并且隔著絕緣部件618以相互 電絕緣的方式被固定。另外，引線613通過(guò)導(dǎo)線901與墊電極691電連接，引線614通過(guò)導(dǎo) 線902與墊電極692電連接。另外，引線615通過(guò)導(dǎo)線903與墊電極693電連接。另外，半 導(dǎo)體激光元件100的η側(cè)電極45與沒(méi)有載置子基座651的部分的首部611a的上表面通過(guò)導(dǎo)線904電連接。另外，紅色/紅外雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件690的η側(cè)電極697與沒(méi)有載置 子基座651的部分的首部611a的上表面通過(guò)導(dǎo)線905電連接。另外，引線616與基底611 一體形成。由此，導(dǎo)線616與η側(cè)電極45和η側(cè)電極697經(jīng)由首部611a —同電連接，能夠 實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體激光元件100和紅色/紅外雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件690的共陰極的接線。另外，如圖23所示，光學(xué)系統(tǒng)620具有偏振光分束器(偏振光BS)621、準(zhǔn)直透鏡 622、擴(kuò)束器623、λ /4板624、物鏡625、柱面透鏡626和光軸修正元件627。另外，偏振光BS621使從半導(dǎo)體激光裝置610射出的激光全透射，并且對(duì)從光盤(pán) 635反饋的激光進(jìn)行全反射。準(zhǔn)直透鏡622將透過(guò)偏振光BS621的來(lái)自半導(dǎo)體激光元件100 的激光變換成平行光。擴(kuò)束器623由凹透鏡、凸透鏡和致動(dòng)器(未圖示)構(gòu)成。致動(dòng)器具 有如下功能根據(jù)來(lái)自下述伺服電路的伺服信號(hào)，改變凹透鏡和凸透鏡的距離，從而修正從 半導(dǎo)體激光裝置610射出的激光的波陣面狀態(tài)。另外，λ /4板624將由準(zhǔn)直透鏡622變換成大致平行光的直線偏振光的激光變換 成圓偏振光。另外，λ /4板624將從光盤(pán)635反饋的圓偏振光的激光變換成直線偏振光。 這種情況下的直線偏振光的偏振光方向與從半導(dǎo)體激光裝置610射出的激光的直線偏振 光的方向正交。由此，從光盤(pán)635反饋的激光被偏振光BS621大致全反射。物鏡625將透 過(guò)λ/4板624的激光會(huì)聚到光盤(pán)635的表面(記錄層)上。而且，根據(jù)來(lái)自后述的伺服電 路的伺服信號(hào)(跟蹤伺服信號(hào)、聚焦伺服信號(hào)和傾斜伺服信號(hào))，物鏡625利用物鏡致動(dòng)器 (未圖示)在聚焦方向、跟蹤方向和傾斜方向移動(dòng)。另外，沿著被偏振光BS621全反射的激光的光軸，配置有柱面透鏡626、光軸修正 元件627和光檢測(cè)部630。柱面透鏡626對(duì)入射的激光施加像散作用。光軸修正元件627 由衍射光柵構(gòu)成，配置成使得透過(guò)柱面透鏡626的藍(lán)紫色、紅色和紅外的各個(gè)激光的0次衍 射光的光點(diǎn)在后述的光檢測(cè)部630的檢測(cè)區(qū)域上一致。另外，光檢測(cè)部630基于接收的激光的強(qiáng)度分布輸出再現(xiàn)信號(hào)。這里，光檢測(cè)部 630具有規(guī)定圖案的檢測(cè)區(qū)域，使得與再現(xiàn)信號(hào)一同，能夠得到聚焦誤差信號(hào)、跟蹤誤差信 號(hào)和傾斜誤差信號(hào)。這樣，構(gòu)成了具有半導(dǎo)體激光裝置610的光拾取裝置600。該光拾取裝置600中，半導(dǎo)體激光裝置610構(gòu)成為，通過(guò)在引線616與引線613 615之間分別獨(dú)立地施加電壓，能夠從半導(dǎo)體激光元件100和紅色/紅外雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光 元件690獨(dú)立地射出藍(lán)紫色、紅色和紅外的激光。如上所述，半導(dǎo)體激光裝置610射出的激 光被偏振光BS621、準(zhǔn)直透鏡622、擴(kuò)束器623、λ /4板624、物鏡625、柱面透鏡626和光軸 修正元件627調(diào)整后，照射在光檢測(cè)部630的檢測(cè)區(qū)域上。這里，在對(duì)記錄在光盤(pán)635的信息進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，能夠?qū)陌雽?dǎo)體激光元件100和紅 色/紅外雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件690射出的各激光功率控制為一定，同時(shí)對(duì)光盤(pán)635的記 錄層照射激光，并且得到從光檢測(cè)部630輸出的再現(xiàn)信號(hào)。另外，根據(jù)同時(shí)輸出的聚焦誤差 信號(hào)、跟蹤誤差信號(hào)和傾斜誤差信號(hào)，能夠分別對(duì)擴(kuò)束器623的致動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)物鏡625的物 鏡致動(dòng)器進(jìn)行反饋控制。另外，在對(duì)光盤(pán)635記錄信息時(shí)，基于將要記錄的信息，控制從半導(dǎo)體激光元件100和紅色/紅外雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件690射出的激光功率，同時(shí)對(duì)光盤(pán)635照射激光。 由此，能夠在光盤(pán)635的記錄層記錄信息。另外，與上述相同，根據(jù)從光檢測(cè)部630輸出的 聚焦誤差信號(hào)、跟蹤誤差信號(hào)和傾斜誤差信號(hào)，能夠分別對(duì)擴(kuò)束器623的致動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)物鏡625的物鏡致動(dòng)器進(jìn)行反饋控制。這樣，使用具有半導(dǎo)體激光裝置610的光拾取裝置600，能夠進(jìn)行對(duì)光盤(pán)635的記 錄和再現(xiàn)。第六實(shí)施方式的光拾取裝置600，在半導(dǎo)體激光裝置610內(nèi)部安裝有半導(dǎo)體激光元件100，因此，能夠得到具有半導(dǎo)體激光元件100的光拾取裝置，該半導(dǎo)體激光元件100能 夠降低壓電電場(chǎng)而提高發(fā)光效率，并且能夠抑制由缺陷集中區(qū)域12引起的電阻增大。(第七實(shí)施方式)參照?qǐng)D23和圖26，對(duì)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的光盤(pán)裝置700進(jìn)行說(shuō)明。其中，光 盤(pán)裝置700是本發(fā)明的“光學(xué)裝置”的一個(gè)例子。如圖26所示，本發(fā)明的第七實(shí)施方式的光盤(pán)裝置700包括上述第六實(shí)施方式的 光拾取裝置600 (參照?qǐng)D23)、控制器701、激光驅(qū)動(dòng)電路702、信號(hào)生成電路703、伺服電路 704和盤(pán)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)705。 向控制器701輸入基于將要記錄在光盤(pán)635中的信息所生成的記錄數(shù)據(jù)Sl。另外， 控制器701構(gòu)成為，根據(jù)記錄數(shù)據(jù)Sl和來(lái)自后述的信號(hào)生成電路703的信號(hào)S5，向激光驅(qū) 動(dòng)電路702輸出信號(hào)S2，并且向伺服電路704輸出信號(hào)S7。另外，如后所述，控制器701基 于信號(hào)S5輸出再現(xiàn)數(shù)據(jù)S10。另外，根據(jù)上述信號(hào)S2，激光驅(qū)動(dòng)電路702輸出控制從光拾 取裝置600內(nèi)的半導(dǎo)體激光裝置610射出的激光功率的信號(hào)S3。即，半導(dǎo)體激光裝置610 構(gòu)成為由控制器701和激光驅(qū)動(dòng)電路702驅(qū)動(dòng)。如圖26所示，光拾取裝置600中，向光盤(pán)635照射根據(jù)上述信號(hào)S3被控制的激光。 另外，從光拾取裝置600內(nèi)的光撿出部630向信號(hào)生成電路703輸出信號(hào)S4。另外，根據(jù) 來(lái)自下述伺服電路704的伺服信號(hào)S8，控制光拾取裝置600內(nèi)的光學(xué)系統(tǒng)620 (擴(kuò)束器623 的致動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)物鏡625的物鏡致動(dòng)器)。信號(hào)生成電路703對(duì)從光拾取裝置600輸出的 信號(hào)S4進(jìn)行放大和運(yùn)算處理，再向控制器701輸出包含再現(xiàn)信號(hào)的第一輸出信號(hào)S5，并且 向伺服電路704輸出進(jìn)行上述光拾取裝置600的反饋控制和后述的光盤(pán)635的旋轉(zhuǎn)控制的 第二輸出信號(hào)S6。伺服電路704，如圖26所示，根據(jù)來(lái)自信號(hào)生成電路703和控制器701的第二輸出 信號(hào)S6和信號(hào)S7，輸出控制光拾取裝置600內(nèi)的光學(xué)系統(tǒng)620的伺服信號(hào)S8和控制盤(pán)驅(qū) 動(dòng)電動(dòng)機(jī)705的電動(dòng)機(jī)伺服信號(hào)S9。另外，盤(pán)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)705根據(jù)電動(dòng)機(jī)伺服信號(hào)S9控制 光盤(pán)635的旋轉(zhuǎn)速度。這里，在對(duì)記錄在光盤(pán)635中的信息進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，首先，利用在這里省略說(shuō)明的識(shí) 別光盤(pán)635的種類(CD、DVD、BD等)的機(jī)構(gòu)，選擇應(yīng)該照射的波長(zhǎng)的激光。接著，從控制器 701向激光驅(qū)動(dòng)電路702輸出信號(hào)S2，使得應(yīng)該從光拾取裝置600內(nèi)的半導(dǎo)體激光裝置610 射出的波長(zhǎng)的激光的強(qiáng)度為一定。進(jìn)一步，利用上面說(shuō)明的光拾取裝置600的半導(dǎo)體激光 裝置610、光學(xué)系統(tǒng)620和光檢測(cè)部630的功能，從光檢測(cè)部630向信號(hào)生成電路703輸出 包含再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)S4，信號(hào)生成電路703向控制器701輸出包含再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)S5?？?制器701通過(guò)處理信號(hào)S5，抽出在光盤(pán)635中記錄的再現(xiàn)信號(hào)，作為再現(xiàn)數(shù)據(jù)SlO進(jìn)行輸 出。使用該再現(xiàn)數(shù)據(jù)S10，例如能夠向監(jiān)控器或揚(yáng)聲器等輸出光盤(pán)635中記錄的影象、聲音 等信息。另外，根據(jù)來(lái)自光檢測(cè)部630的信號(hào)S4，進(jìn)行各部件的反饋控制。另外，在對(duì)光盤(pán)635記錄信息時(shí)，首先，利用上述同樣的識(shí)別光盤(pán)635的種類(⑶、DVD、BD等)的機(jī)構(gòu)，選擇應(yīng)該照射的波長(zhǎng)的激光。接著，根據(jù)與記錄信息對(duì)應(yīng)的記錄數(shù)據(jù) Si，從控制器701向激光驅(qū)動(dòng)電路702輸出信號(hào)S2。進(jìn)一步，利用上面說(shuō)明的光拾取裝置 600的半導(dǎo)體激光裝置610、光學(xué)系統(tǒng)620和光檢測(cè)部630的功能，在光盤(pán)635中記錄信息， 并且基于來(lái)自光檢測(cè)部630的信號(hào)S4，進(jìn)行各部件的反饋控制。這樣，使用光拾取裝置700，能夠進(jìn)行對(duì)光盤(pán)635的記錄和再現(xiàn)。第七實(shí)施方式的光盤(pán)裝置700中，在半導(dǎo)體激光裝置610內(nèi)部安裝有半導(dǎo)體激光元件100，因此能夠得到應(yīng)用半導(dǎo)體激光元件100的光盤(pán)裝置700，該半導(dǎo)體激光元件100 能夠降低壓電電場(chǎng)而提高發(fā)光效率，并且能夠抑制由缺陷集中區(qū)域12引起的電阻增大。(第八實(shí)施方式)參照?qǐng)D21、圖27和圖28，對(duì)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的投影裝置800的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō) 明。另外，對(duì)在投影裝置800中構(gòu)成RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的各半導(dǎo)體激光元件 大致同時(shí)點(diǎn)亮的例子進(jìn)行說(shuō)明。其中，投影裝置800是本發(fā)明的“光學(xué)裝置”的一個(gè)例子。如圖28所示，本發(fā)明的第八實(shí)施方式的投影裝置800具有RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激 光裝置810 ；由多個(gè)光學(xué)部件構(gòu)成的光學(xué)系統(tǒng)820 ；和控制RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810 和光學(xué)系統(tǒng)820的控制部850。由此，從RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810射出的激光，在由 光學(xué)系統(tǒng)820調(diào)制后，投影到外部的屏幕890等上。另外，如圖27所示，RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810構(gòu)成為，在由Cu等具有導(dǎo)電 性的材料構(gòu)成的子基座652的上表面上，載置具有約655nm的振蕩波長(zhǎng)的紅色半導(dǎo)體激光 元件805、具有約530nm的振蕩波長(zhǎng)的綠色半導(dǎo)體激光元件105和具有約480nm的波長(zhǎng)的藍(lán) 色半導(dǎo)體激光元件106。這里，綠色半導(dǎo)體激光元件105和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106通過(guò)使 用與上述第四實(shí)施方式的制造工藝(參照?qǐng)D21)相同的制造工藝而形成。另外，紅色半導(dǎo) 體激光元件805、綠色半導(dǎo)體激光元件105和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106中，各自具有的η側(cè) 電極45a、45b和697a通過(guò)由Au-Sn焊料等構(gòu)成的接合層619固定在子基座652的上表面 上。另外，子基座652的下表面通過(guò)接合層619接合在首部611a上。另外，引線613通過(guò)導(dǎo)線911與ρ側(cè)墊電極31a電連接，該ρ側(cè)墊電極31a與綠色 半導(dǎo)體激光元件105的ρ型半導(dǎo)體層導(dǎo)通，引線614通過(guò)導(dǎo)線912與ρ側(cè)墊電極31b電連 接，該P(yáng)側(cè)墊電極31b與藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106的ρ型半導(dǎo)體層導(dǎo)通。另外，引線615通 過(guò)導(dǎo)線913與紅色半導(dǎo)體激光元件805的ρ側(cè)墊電極697b電連接。由此，引線616與η側(cè) 電極45a、45b和697a通過(guò)首部611a —起電連接，實(shí)現(xiàn)紅色半導(dǎo)體激光元件805、綠色半導(dǎo) 體激光元件105和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106的共陰極的接線。另外，如圖28所示，在光學(xué)系統(tǒng)820中，RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810射出的 激光，通過(guò)由凹透鏡和凸透鏡構(gòu)成的色散角控制透鏡822變換成具有規(guī)定光束直徑的平行 光，之后射入復(fù)眼積分器823。另外，復(fù)眼積分器823以由復(fù)眼狀的透鏡組構(gòu)成的2個(gè)復(fù)眼 透鏡對(duì)置的方式構(gòu)成，對(duì)從色散角控制透鏡822射入的光施加透鏡作用，使得射入液晶面 板829、833和840時(shí)的光量分布變得均勻。即，透過(guò)復(fù)眼積分器823的光被調(diào)整為，能夠具 有與液晶面板829、833和840的尺寸對(duì)應(yīng)的寬高比(例如16 9)的廣度而射入。另外，透過(guò)復(fù)眼積分器823的光被聚光透鏡824聚光。另外，透過(guò)聚光透鏡824的 光中，僅紅色光被二向色鏡825反射，而綠色光和藍(lán)色光透過(guò)二向色鏡825。然后，紅色光經(jīng)由反射鏡826，在被透鏡827平行化后，經(jīng)由入射側(cè)偏振光板828射入液晶面板829。該液晶面板829根據(jù)紅色用的圖像信號(hào)(R圖像信號(hào))被驅(qū)動(dòng)，從而調(diào)制紅色光。另外，在二向色鏡830中，透過(guò)二向色鏡825的光中僅綠色光被反射，而藍(lán)色光透過(guò)二向色鏡830。然后，綠色光被透鏡831平行化，之后經(jīng)由入射側(cè)偏振光板832射入液晶面板833。 該液晶面板833根據(jù)綠色用的圖像信號(hào)(G圖像信號(hào))被驅(qū)動(dòng)，從而調(diào)制綠色光。另外，透過(guò)二向色鏡830的藍(lán)色光，經(jīng)過(guò)透鏡834、反射鏡835、透鏡836和反射鏡 837，進(jìn)一步被透鏡838平行化，之后經(jīng)由入射側(cè)偏振光板839射入液晶面板840。該液晶面 板840根據(jù)藍(lán)色用的圖像信號(hào)(B圖像信號(hào))被驅(qū)動(dòng)，從而調(diào)制藍(lán)色光。然后，被液晶面板829、833和840調(diào)制后的紅色光、綠色光和藍(lán)色光，被二向色棱 鏡841合成后，經(jīng)由出射側(cè)偏振光板842射入投影透鏡843。另外，投影透鏡843內(nèi)置有 用于使投影光在被投影面(屏幕890)上成像的透鏡組；和用于使透鏡組的一部分沿著光軸 方向移位，調(diào)整投影圖像的變焦和聚焦的致動(dòng)器。另外，投影裝置800，利用控制部850進(jìn)行控制，使得作為關(guān)于紅色半導(dǎo)體激光元 件805的驅(qū)動(dòng)的R信號(hào)、關(guān)于綠色半導(dǎo)體激光元件105的驅(qū)動(dòng)的G信號(hào)和關(guān)于藍(lán)色半導(dǎo)體 激光元件106的驅(qū)動(dòng)的B信號(hào)的恒定電壓，被供給至RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的各 激光元件。由此，RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的紅色半導(dǎo)體激光元件805、綠色半導(dǎo)體 激光元件105和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106構(gòu)成為實(shí)質(zhì)上同時(shí)振蕩。另外，通過(guò)由控制部850 控制RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的紅色半導(dǎo)體激光元件805、綠色半導(dǎo)體激光元件105 和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106各自的光強(qiáng)度，而控制投影到屏幕890上的像素的色調(diào)和亮度 等。由此，利用控制部850將規(guī)定的圖像投影到屏幕890。這樣，構(gòu)成了裝載有本發(fā)明的第一實(shí)施方式的RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的 投影裝置800。(第九實(shí)施方式)參照?qǐng)D27、圖29和圖30，對(duì)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的投影裝置900的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō) 明。另外，對(duì)在投影裝置900中構(gòu)成RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的各個(gè)半導(dǎo)體激光元 件時(shí)序點(diǎn)亮的例子進(jìn)行說(shuō)明。其中，投影裝置900是本發(fā)明的“光學(xué)裝置”的一個(gè)例子。如圖29所示，本發(fā)明的第九實(shí)施方式的投影裝置900具有上述第八實(shí)施方式中 使用的RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810 ；光學(xué)系統(tǒng)920 ；和控制RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置 810和光學(xué)系統(tǒng)920的控制部950。由此，來(lái)自RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的激光被光 學(xué)系統(tǒng)920調(diào)制之后，投影到屏幕990等上。另外，在光學(xué)系統(tǒng)920中，從RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810射出的激光，分別被 透鏡922變換成平行光之后，射入光導(dǎo)管924。光導(dǎo)管924的內(nèi)面為鏡面，激光在光導(dǎo)管924的內(nèi)面反復(fù)進(jìn)行反射的同時(shí)進(jìn)入光 導(dǎo)管924內(nèi)。此時(shí)，通過(guò)光導(dǎo)管924內(nèi)的多重反射作用，使從光導(dǎo)管924射出的各色的激光 的強(qiáng)度分布均勻化。另外，從光導(dǎo)管924射出的激光通過(guò)中繼(relay)光學(xué)系統(tǒng)925射入 數(shù)字微鏡器件(DMD)元件926。DMD元件926由矩陣狀配置的微小反射鏡組構(gòu)成。另外，DMD元件926具有以下功 能通過(guò)在朝向投影透鏡980的第一方向A和離開(kāi)投影透鏡980的第二方向B之間切換各像素位置的光的反射方向，表達(dá)(調(diào)制)各像素的灰度等級(jí)。射入各像素位置的激光中沿 第一方向A反射的光(ON光)射入投影透鏡980而投影在被投影面(屏幕990)上。另外， 被DMD元件926反射到第二方向B的光(OFF光)沒(méi)有射入投影透鏡980而是被光吸收體 927吸收。另外，在投影裝置900中，利用控制部950進(jìn)行控制，使得向RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激 光裝置810供給脈沖電源，RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的紅色半導(dǎo)體激光元件805、綠 色半導(dǎo)體激光元件105和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106構(gòu)成為，被時(shí)序性地分割而一個(gè)元件一 個(gè)元件地周期性進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。另外，利用控制部950，光學(xué)系統(tǒng)920的DMD元件926構(gòu)成為，與 紅色半導(dǎo)體激光元件805、綠色半導(dǎo)體激光元件105和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106的驅(qū)動(dòng)狀態(tài) 分別同步，并且配合各像素(R、G*B)的灰度等級(jí)而對(duì)光進(jìn)行調(diào)制。具體而言，如圖30所示，關(guān)于紅色半導(dǎo)體激光元件805 (參照?qǐng)D27)的驅(qū)動(dòng)的R信 號(hào)、關(guān)于綠色半導(dǎo)體激光元件105(參照?qǐng)D27)的驅(qū)動(dòng)的G信號(hào)和關(guān)于藍(lán)色半導(dǎo)體激光元 件106(參照?qǐng)D27)的驅(qū)動(dòng)的B信號(hào)，在相互不重疊地被時(shí)序性分割的狀態(tài)下，通過(guò)控制部 950 (參照?qǐng)D29)被供向RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的各激光元件。另外，與該B信號(hào)、 G信號(hào)和R信號(hào)同步，來(lái)自控制部950的B圖像信號(hào)、G圖像信號(hào)和R圖像信號(hào)分別向DMD 元件926輸出。由此，基于圖30所示的時(shí)序圖中的B信號(hào)，藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106發(fā)出藍(lán)色光， 并且在該定時(shí)，基于B圖像信號(hào)，利用DMD元件926調(diào)制藍(lán)色光。另外，基于在B信號(hào)之后 輸出的G信號(hào)，綠色半導(dǎo)體激光元件105發(fā)出綠色光，并且在該定時(shí)，基于G圖像信號(hào)，利用 DMD元件926調(diào)制綠色光。進(jìn)一步，基于在G信號(hào)之后輸出的R信號(hào)，紅色半導(dǎo)體激光元件 805發(fā)出紅色光，并且在該定時(shí)，基于R圖像信號(hào)，利用DMD元件926調(diào)制紅色光。然后，基 于在R信號(hào)之后輸出的B信號(hào)，藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件106發(fā)出藍(lán)色光，并且在該定時(shí)，再次 基于B圖像信號(hào)，利用DMD元件926調(diào)制藍(lán)色光。通過(guò)重復(fù)上述動(dòng)作，基于B圖像信號(hào)、G圖 像信號(hào)和R圖像信號(hào)的激光照射所得的圖像被投影到被投影面(屏幕990)上。這樣，構(gòu)成了裝載有本發(fā)明的第九實(shí)施方式的RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置810的 投影裝置900。另外，應(yīng)該理解的是，上述第一 第九實(shí)施方式中的所有方面均為例示，而不是限 制。本發(fā)明的范圍并不是由上述實(shí)施方式的說(shuō)明所表示，而是由權(quán)利要求的范圍所表示，還 包括在與權(quán)利要求的范圍等同的含義和范圍內(nèi)的所有變換。例如，在上述第一實(shí)施方式中，沿著(11-20)面形成缺陷集中區(qū)域12，但是并不局 限于此。在本發(fā)明中，可以沿著(H、K、-H-K、0)面(H、K中的至少一個(gè)是非0整數(shù)，以下相 同)形成缺陷集中區(qū)域12。另外，在上述第一 第九實(shí)施方式中，缺陷集中區(qū)域12可以是穿透位錯(cuò) (threading dislocation)面狀集合的結(jié)構(gòu)。另外，在上述第一 第三實(shí)施方式中，缺陷集中區(qū)域12從基板10的凹部60貫通 到下表面16，但是本發(fā)明并不局限于此。本發(fā)明中，只要橫穿從半導(dǎo)體元件層20到n側(cè)電 極45的電流通路，缺陷集中區(qū)域12延伸至?xí)?dǎo)致電阻上升的程度即可，缺陷集中區(qū)域12 的一部分也可以不從基板10的凹部60貫通到下表面16。另外，上述第一 第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件中，基板10的上表面15是作為
23非極性面的(10-10)面，但是本發(fā)明并不局限于此。本發(fā)明中，在沿著(H、K、-H-K、0)面形成缺陷集中區(qū)域12的情況下，基板10的上表面15可以是以沿著W001]方向的軸為中心、 從[H、K、-H-K、0]方向向[K、-H、H-K、0]方向傾斜約30°以上約60°以下的非極性面。例 如，在缺陷集中區(qū)域12沿著(11-20)面形成的情況下，基板10的上表面15可以是以沿著
方向的軸為中心、從[11-20]方向向[1-100]方向傾斜約30°以上約60°以下的 (10-10)面到(2-1-10)面之間的非極性面。或者，在缺陷集中區(qū)域12沿著(1-100)面形成 的情況下，基板10的上表面15也可以是以沿W001]方向的軸為中心、從[1-100]方向向 [11-20]方向傾斜約30°以上約60°以下的(10-10)面到(2-1-10)面之間的非極性面。 特別的是，通過(guò)使基板10的上表面15為非極性面，能夠使在氮化物類半導(dǎo)體元件層中產(chǎn)生 的壓電電壓大致為0。另外，上述第一 第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件中，基板10的上表面15是作為 非極性面的(10-10)面，但是本發(fā)明并不局限于此。在本發(fā)明中，在缺陷集中區(qū)域12沿著 (H、K、-H-K、0)面形成的情況下，基板10的上表面15可以是以沿著[K、-H、H-K、0]方向的 軸為中心、從[H、K、-H-K、0]方向向W001]方向傾斜約30°以上約75°以下的面?；蛘?， 在缺陷集中區(qū)域12沿著(H、K、-H-K、0)面形成的情況下，基板10的上表面15可以是以沿 著[K、-H、H-K、0]方向的軸為中心、從[H、K、-H-K、0]方向向W00-1]方向傾斜約30°以上 約75°以下的面。另外，上述第一和第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件中，在凹部60的底面60a和側(cè) 面60b這兩者中顯現(xiàn)缺陷集中區(qū)域12，但是本發(fā)明并不局限于此。例如，如圖31所示的第 一變形例這樣，缺陷集中區(qū)域12也可以僅在凹部60和61各自的底面60a和61a中顯現(xiàn)。另外，上述第一 第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件中，凹部60和61是截面形狀為 矩形的形狀，但是本發(fā)明并不局限于此。例如，如圖32所示的第二變形例這樣，也可以是在 從凹部60和61各自的底面60a和61a到上表面15之間具有臺(tái)階差的臺(tái)階狀的形狀。另外，上述第一 第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件中，凹部60和61是截面形狀為 矩形的形狀，但是本發(fā)明不局限于此。例如，如圖33所示的第三變形例和圖34所示的第四 變形例這樣，也可以是凹部60和61各自的側(cè)面60b和61b由斜向的傾斜面構(gòu)成的臺(tái)形狀。 此時(shí)，圖33所示的形狀中，凹部60和61各自的底面60a和61a與側(cè)面60b和61b所成的 角度為鈍角，圖34所示的形狀中，凹部60和61的底面60a和61a與側(cè)面60b和61b所成 的角度為銳角。另外，上述第一 第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件中，凹部60和61是截面形狀為 矩形的形狀，但是本發(fā)明并不局限于此。例如，如圖35所示的第五變形例這樣，在凹部60 和61各自的底面60a和61a的一部分上可以具有凸部60d和61d。另外，上述第一 第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件中，元件層20和非元件層40通 過(guò)非元件層40的薄層40a連接，但是本發(fā)明并不局限于此。本發(fā)明也可以是，元件層20和 非元件層40之間的薄層40a在途中斷開(kāi)，使元件層20和非元件層40斷開(kāi)。另外，在上述第一 第九實(shí)施方式中，對(duì)將本發(fā)明的“氮化物類半導(dǎo)體元件”應(yīng)用 于半導(dǎo)體激光元件的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以使用與上述第一和第二實(shí)施方式相同的 基板10，形成LED元件、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)元件。在這種情況下，在需要常斷化的電源裝 置中，能夠抑制因活性層中的裂紋、缺陷所引起的泄漏電流的產(chǎn)生。
另外，在上述第五實(shí)施方式中，表示了在分別沿著槽部80的兩側(cè)的內(nèi)側(cè)面的截?cái)?面(虛線96和97)截?cái)嗷?01，由此形成不包含凹部60的半導(dǎo)體激光元件500的例子， 但是本發(fā)明并不局限于此。在本發(fā)明中，如圖21所示，也可以在沿著槽部80的一個(gè)內(nèi)側(cè)面 的截?cái)嗝?虛線96和97)截?cái)嗷?01，由此形成包含凹部60的半導(dǎo)體激光元件。在這種 情況下，在沿著槽部80的內(nèi)側(cè)面中不包含缺陷集中區(qū)域12的內(nèi)側(cè)面的截?cái)嗝?虛線96) 截?cái)嗷?01，由此能夠抑制因在缺陷集中區(qū)域12中基板101出現(xiàn)缺口而引起的半導(dǎo)體激 光元件的破損，因此能夠提高成品率。
權(quán)利要求
一種氮化物類半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的基板；在所述基板上形成的由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的元件層；和在與所述元件層相反的一側(cè)的所述基板的表面形成的電極，其中，所述基板包括由非極性面或半極性面構(gòu)成的第一面；為所述第一面的相反側(cè)的面的第二面；在相對(duì)于所述第一面的法線方向傾斜的方向延伸，并且向所述第二面貫通的缺陷集中區(qū)域；和具有形成有所述元件層的所述第一面和所述第二面，且以所述缺陷集中區(qū)域作為邊界與所述基板的其它區(qū)域分離的電流通路區(qū)域，所述缺陷集中區(qū)域不在所述第一面上露出，所述電極形成在所述電流通路區(qū)域的所述第二面上。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體元件，其特征在于 所述元件層包含電流注入部，所述電流注入部的寬度方向的中心位于所述電流通路區(qū)域的所述第二面的上方。
3.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體元件，其特征在于 所述基板還包含作為所述其它區(qū)域的非電流通路區(qū)域，所述電極形成在從所述電流通路區(qū)域的所述第二面上到所述非電流通路區(qū)域的所述 第二面上的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體元件，其特征在于 所述元件層包含電流注入部，所述缺陷集中區(qū)域朝向所述第二面向接近所述電流注入部的方向傾斜， 所述電流注入部的寬度方向的中心配置在比所述第一面的寬度方向的中心更遠(yuǎn)離所 述缺陷集中區(qū)域的方向的位置。
5.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體元件，其特征在于 所述基板還包含在所述第一面的側(cè)端部側(cè)形成的凹部，所述缺陷集中區(qū)域從所述凹部向所述第二面貫通。
6.如權(quán)利要求5所述的氮化物類半導(dǎo)體元件，其特征在于 所述凹部的深度比所述元件層的厚度大。
7.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體元件，其特征在于所述第一面是與(10-10)面、(2-1-10)面或與這些面等效的面大致等同的面。
8.如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體元件，其特征在于所述缺陷集中區(qū)域形成為與(Η、Κ、-Η-Κ、0)面大致平行，其中，H、K中的至少一個(gè)是非0整數(shù)。
9.一種光學(xué)裝置，其特征在于，包括 氮化物類半導(dǎo)體元件；和控制所述氮化物類半導(dǎo)體元件的出射光的光學(xué)系統(tǒng)， 該氮化物類半導(dǎo)體元件具有由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的基板；在所述基板上形成的由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光元件層；和 在與所述發(fā)光元件層相反的一側(cè)的所述基板的表面形成的電極， 其中，所述基板包括 由非極性面或半極性面構(gòu)成的第一面； 為所述第一面的相反側(cè)的面的第二面；從所述第一面向所述第二面在相對(duì)于所述第一面的法線方向傾斜的方向延伸，并且向 所述第二面貫通的缺陷集中區(qū)域；和具有形成有所述發(fā)光元件層的所述第一面和所述第二面，且以所述缺陷集中區(qū)域作為 邊界與所述基板的其它區(qū)域分離的電流通路區(qū)域， 所述缺陷集中區(qū)域不在所述第一面上露出， 所述電極形成在所述電流通路區(qū)域的所述第二面上。
10.一種氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，包括形成由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的晶片基板的工序，該基板具有從由非極性面或者半極性 面構(gòu)成的第一面在相對(duì)于所述第一面的法線方向傾斜的方向延伸，并且向作為所述第一面 的相反側(cè)的面的第二面貫通的缺陷集中區(qū)域；在所述第一面上形成由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的元件層的工序；和 將所述晶片基板截?cái)喑啥鄠€(gè)元件的截?cái)喙ば?，其中，所述截?cái)喙ば虬ㄒ允顾鋈毕菁袇^(qū)域不在所述元件的所述第一面上露出的方式 截?cái)嗨鼍宓墓ば颉?br> 11.如權(quán)利要求10所述的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于在所述晶片基板的所述第一面上形成所述元件層的工序之前，還包括在所述第一面的 顯現(xiàn)所述缺陷集中區(qū)域部分形成槽部的工序。
12.如權(quán)利要求10所述的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于 所述截?cái)喙ば虬ㄔ谒霾鄄浚谒霾鄄績(jī)?nèi)截?cái)嗨鼍宓墓ば颉?br> 13.如權(quán)利要求12所述的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于所述截?cái)喙ば虬ㄔ谘刂霾鄄康膬?nèi)側(cè)面的截?cái)嗝娼財(cái)嗨鼍宓墓ば颉?br> 14.如權(quán)利要求13所述的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于所述截?cái)喙ば虬ㄔ谘刂话鋈毕菁袇^(qū)域的所述內(nèi)側(cè)面的截?cái)嗝娼財(cái)嗨?晶片基板的工序。
15.如權(quán)利要求11所述的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造工序，其特征在于 所述截?cái)喙ば虬ㄒ允顾鲈话霾鄄康姆绞浇財(cái)嗨鼍宓墓ば颉?br> 16.如權(quán)利要求11所述的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于 所述槽部的深度比所述元件層的厚度大。
17.如權(quán)利要求10所述的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于所述截?cái)喙ば虬ㄔ谒龅谝幻娴臎](méi)有顯現(xiàn)所述缺陷集中區(qū)域的區(qū)域中截?cái)嗨鼍?片基板的工序。
18.如權(quán)利要求10所述的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于所述截?cái)喙ば虬ㄊ顾鋈毕菁袇^(qū)域在所述晶片基板的側(cè)端面露出的工序。
19.如權(quán)利要求10所述的氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于 所述截?cái)喙ば虬ㄍㄟ^(guò)沿著所述缺陷集中區(qū)域截?cái)嗨鼍澹顾鋈毕菁袇^(qū) 域在所述晶片基板的兩側(cè)端面露出的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供氮化物類半導(dǎo)體元件、光學(xué)裝置和氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法。該氮化物類半導(dǎo)體元件包括由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的基板；在基板上形成的元件層；和在與元件層相反的一側(cè)的基板的表面形成的電極?；灏ㄓ煞菢O性面或半極性面構(gòu)成的第一面；第一面的相反側(cè)的第二面；從第一面朝向第二面在相對(duì)于第一面的法線方向傾斜的方向延伸，并且向第二面貫通的缺陷集中區(qū)域；和以缺陷集中區(qū)域作為邊界與基板的其它區(qū)域分離的電流通路區(qū)域，缺陷集中區(qū)域不在第一面上露出，電極形成在電流通路區(qū)域的上述第二面上。
文檔編號(hào)H01S5/323GK101841130SQ20101017693
公開(kāi)日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2010年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月5日
發(fā)明者三宅泰人, 久納康光, 畑雅幸 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社