專利名稱：基板及應用其的半導體封裝件與其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種基板及應用其的半導體封裝件與其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有可強化強度的支撐結(jié)構(gòu)的基板及應用其的半導體封裝件與其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的基板包括基材、上圖案化線路層及下圖案化線路層并具有導通貫孔。為了 增加基板的電路鋪設(shè)范圍及增加輸出入接點數(shù)目，上圖案化線路層及下圖案化線路層分別 形成于基材的相對二面，且透過導通貫孔彼此電性連接。一芯片可設(shè)于基板上以與基板形 成半導體封裝件。然而，傳統(tǒng)的基材一整塊塑料基板，其厚度較厚、體積較大，使最后形成的半導體 封裝件的體積無法有效縮小。并且，于基材上形成導通貫孔也會降低材板的結(jié)構(gòu)強度。在 此情況下，為了維持基板的結(jié)構(gòu)強度，需要選用厚度較厚的基材，如此將使得傳統(tǒng)的半導體 封裝件的體積無法有效縮小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種基板及應用其的半導體封裝件與其制造方法，基板具有金屬支 撐層，可強化基板的結(jié)構(gòu)強度。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種基板?；灏ㄒ粓D案化線路層、一第一介電保 護層、一金屬遮蔽層、一金屬支撐層及一第二介電保護層。圖案化線路層具有一溝槽及相對 的一第一面與一第二面。溝槽從第一面貫穿至第二面。第一面具有數(shù)個第一接點及數(shù)個第 二接點且該些第一接點鄰近于溝槽。第一介電保護層形成于第一面上并露出第一接點及第 二接點。第二介電保護層形成于第二面上并露出溝槽。金屬支撐層埋設(shè)于第一介電保護層 內(nèi)并用以強化基板的結(jié)構(gòu)強度。金屬遮蔽層夾設(shè)于金屬支撐層與圖案化線路層之間。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種半導體封裝件。半導體封裝件包括一基板、一半 導體組件、數(shù)條焊線、數(shù)個焊球及第一封膠?；灏ㄒ粓D案化線路層、一第一介電保護層、 一金屬遮蔽層、一金屬支撐層及一第二介電保護層。圖案化線路層具有一溝槽及相對的一 第一面與一第二面。溝槽從第一面貫穿至第二面。第一面具有數(shù)個第一接點及數(shù)個第二接 點且該些第一接點鄰近于溝槽。第一介電保護層形成于第一面上并露出第一接點及第二接 點。第二介電保護層形成于第二面上并露出溝槽。金屬支撐層埋設(shè)于第一介電保護層內(nèi)并 用以強化基板的結(jié)構(gòu)強度。金屬遮蔽層夾設(shè)于金屬支撐層與圖案化線路層之間。半導體組 件設(shè)于第二介電保護層上并具有一主動表面，主動表面從溝槽露出。焊線電性連接主動表 面與第一接點。焊球電性連接于第二接點。第一封膠包覆焊線及第一接點。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提出一種基板的制造方法。制造方法包括以下步驟。提 供一載板，該載板具有一第一載板表面；形成一基板結(jié)構(gòu)于第一載板表面；分離該載板與 該第二黏貼膜；以及，移除第二黏貼膜。于形成基板結(jié)構(gòu)于第一載板表面的該步驟包括以下 步驟將一金屬支撐板經(jīng)由一第一黏貼膜于設(shè)置于該載板上；形成一蝕刻阻障層于金屬支撐板上；形成一遮蔽圖案于蝕刻阻障層上，遮蔽圖案定義出一溝槽區(qū)；形成一圖案化線路 層于蝕刻阻障層中未被遮蔽圖案覆蓋的部分上，其中圖案化線路層具有相對的一第一面與 一第二面，第一面具有數(shù)個第一接點及數(shù)個第二接點，該些第一接點鄰近于溝槽區(qū)，第一面 面向蝕刻阻障層；移除遮蔽圖案，其中圖案化線路層對應于溝槽區(qū)的部位形成一溝槽；形 成一第二介電保護層于溝槽內(nèi)并覆蓋圖案化線路層的第二面；黏貼一第二黏貼膜于第二介 電保護層；倒置(invert)第一黏貼膜、金屬支撐板、蝕刻阻障層、圖案化線路層及第二介電 保護層及第二黏貼膜并使第二黏貼膜黏貼于載板上；移除第一黏貼膜；移除金屬支撐板的 一部分以形成一金屬支撐層，金屬支撐層露出蝕刻阻障層的一部分；移除蝕刻阻障層的該 部分以形成一金屬遮蔽層；形成一第一介電保護層于圖案化線路層的第一面，第一介電保 護層并露出第二接點、溝槽及第一接點；及，移除溝槽區(qū)內(nèi)的第二介電保護層。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作 詳細說明如下


圖IA繪示依照本發(fā)明較佳實施例的半導體封裝件的剖視圖。圖IB繪示圖IA的圖案化線路層的上視圖。圖2A及2B繪示依照本發(fā)明較佳實施例的基板的制造方法流程圖。圖3A至3S繪示圖1的基板的制造示意圖。圖4繪示圖3S中往方向Vl觀看到的基板結(jié)構(gòu)的上視圖。主要組件符號說明100:半導體封裝件102 基板104:表面處理層106 焊球108:半導體組件110:焊線112:圖案化線路層114:第一介電保護層116 蝕刻阻障層118:金屬支撐板120:第二介電保護層120a 第二介電保護層的一部分122 第一面124 第二面126 第二開孔128 載板130:第一載板表面132 第二載板表面134 第一封膠
136 第一黏貼膜138 走線140、140a:第二黏貼膜142 第二封膠144:圖案化強化層146 第一遮蔽圖案148 主動表面152:第二遮蔽圖案154:開口156 第一開孔162 第三遮蔽圖案164 金屬支撐層166 蝕刻阻障層的一部分168 溝槽區(qū)170 保護層開孔172 金屬遮蔽層174、186、134 側(cè)面176 溝槽178 貫穿部180 強化部188 第一接點192 第二接點194:內(nèi)側(cè)面S102-S142 步驟
具體實施例方式以下提出較佳實施例作為本發(fā)明的說明，然而實施例所提出的內(nèi)容，僅為舉例說 明之用，而繪制的圖式為配合說明，并非作為限縮本發(fā)明保護范圍之用。再者，實施例的圖 示亦省略不必要的組件，以利清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點。請同時參照圖IA及圖1B，圖IA繪示依照本發(fā)明較佳實施例的半導體封裝件的剖 視圖，圖IB繪示圖IA的圖案化線路層的底視圖。其中，圖IA的圖案化線路層112的剖視 方向圖IB中的方向1A-1A，。如圖IA所示，半導體封裝件100包括基板102、數(shù)個焊球106、數(shù)條焊線110、半導 體組件108、第一封膠134及第二封膠142。其中，第二封膠142包覆半導體組件108?；?02包括圖案化線路層112、第一介電保護層114、金屬遮蔽層172、金屬支撐 層164、第二介電保護層120及表面處理層104。金屬遮蔽層172夾設(shè)于金屬支撐層164與圖案化線路層112之間。金屬支撐層164埋設(shè)于第二介電保護層120內(nèi)并位于基板102的邊緣部分。金屬支撐層164可由金屬板件所形成，可強化基板102的結(jié)構(gòu)強度。由于金屬支撐層164的強化作用，使本實施例的基板102可往輕薄短小的方向來設(shè)計。圖案化線路層112可應用電鍍(plating)技術(shù)完成，故其厚度甚薄，可大幅縮小基 板102的厚度及體積。圖案化線路層112包括數(shù)條走線(tracer) 138及圖案化強化層144并具有相對的 第一面122與第二面124及溝槽176。如圖IB所示，溝槽176呈長條狀并從第一面122貫 穿至第二面124。圖案化強化層144可強化基板102的結(jié)構(gòu)強度。該些走線138的其中一走線138a電性連接于圖案化強化層144。圖案化強化層 144可電性連接于一接地端(未繪示)，使走線138a成為接地(grounding)走線。如圖IA所示，走線138的上表面與圖案化強化層144的上表面定義出圖案化線路 層112的第一面122，走線138的下表面與圖案化強化層144的下表面定義出圖案化線路層 112的第二面124。圖案化強化層144具有強化基板102的結(jié)構(gòu)強度的作用。第一面122具有數(shù)個第一接點188及數(shù)個第二接點192。第一接點188及第二接 點192定義于走線138中同一側(cè)的表面上。第一接點188及焊線110被第一封膠134包覆， 避免被大氣環(huán)境的破壞。其中，每條走線138上的第一接點188與第二接點192可沿著圖 案化線路層112的延伸方向錯開一距離。請繼續(xù)參照圖1A，第一介電保護層114具有數(shù)個第二開孔126及數(shù)個第一開孔 156。該些第二接點192對應地從該些第二開孔126露出且該些第一接點188對應地從該些 第一開孔156露出。第二接點192及第一接點188成為基板102中相對二面的電性接點。如圖IB所示，溝槽176大致上位于圖案化線路層112的中間位置。該些第一接點 188鄰近于溝槽176且該沿著溝槽176的相對二側(cè)配置。請回到圖1A，半導體組件108例如是芯片，其具有主動表面148，其從溝槽176露 出。焊線110電性連接半導體組件108的主動表面148與第一接點188，而該些焊球106對 應地電性連接于該些第二接點192。藉此，半導體組件108與焊球106可透過圖案化線路層 112進行電性連接。以下說明形成圖IA的基板的制造方法。請參照圖2A及2B及圖3A至3S，圖2A及 2B繪示依照本發(fā)明較佳實施例的基板的制造方法流程圖，圖3A至3S繪示圖1的基板的制 造示意圖。于圖2A的步驟S102中，如圖3A所示，提供載板128。載板128具有相對的第一載 板表面130與第二載板表面132。其中，載板128可以是環(huán)氧玻璃纖維板(FR-4)、BT基板、 其它塑料制或金屬制的載板。接下來的工藝步驟中，可同時于載板128中相對的第一載板表面130與第二載板 表面132上分別形成二組相似的結(jié)構(gòu)，使產(chǎn)能加倍。以下僅以形成于第一載板表面130上 的基板結(jié)構(gòu)為例作說明。接著，于步驟S104中，如圖3B所示，將金屬支撐板118經(jīng)由第一黏貼膜136設(shè)于 載板128的第一載板表面130上。上述金屬支撐板118的材質(zhì)例如是銅(Cu)。例如，金屬支撐板118可以是銅箔 (copper foil)、銅片(copper sheet)或銅板(copper plate)。金屬支撐板118具有適當?shù)膹姸?，可作為后續(xù)工藝的支撐作用，以強化工藝中所 形成的結(jié)構(gòu)的整體強度。金屬支撐板118的一部分(即金屬支撐層164)可保留至最終的基板產(chǎn)品中，可強化半導體封裝件的結(jié)構(gòu)強度。然后，于步驟S106中，如圖3C所示，應用電鍍技術(shù)形成蝕刻阻障層(EtchingStop Layer)116于金屬支撐板118上。其中，蝕刻阻障層116的材質(zhì)例如是鎳(Ni)或任何的選 擇性蝕刻金屬(selectively etchable metal)層。當金屬支撐板118與蝕刻阻障層116 同時處于蝕刻環(huán)境時，蝕刻液選擇性地蝕刻選擇性蝕刻金屬層而不會蝕刻金屬支撐板118， 如后續(xù)步驟S124所示。然后，于步驟S108中，如圖3D所示，形成第一遮蔽圖案146于蝕刻阻障層116的 一部分上，第一遮蔽圖案146定義出溝槽區(qū)168并具有貫穿部178，貫穿部178位于溝槽區(qū) 168 內(nèi)。此處的第一遮蔽圖案146例如是由干膜光阻或光阻層應用微影工藝 (photolithography)所形成。在上述微影工藝之前，可涂布(apply) —光阻材料于蝕刻阻障層116上，然后烘烤 該光阻材料形成光阻材料層后，再對該光阻材料層進行微影工藝以形成第一遮蔽圖案146。然后，于步驟SllO中，如圖3E所示，應用電鍍技術(shù)形成圖案化線路層112于蝕刻 阻障層116的另一部分上。由于受到第一遮蔽圖案146的阻擋，圖案化線路層112形成于蝕刻阻障層116中 未被第一遮蔽圖案146覆蓋的部分上。進一步地說，圖案化線路層112的分布范圍與第一 遮蔽圖案146的分布范圍互補。圖案化線路層112包括數(shù)條走線138及圖案化強化層144(圖案化強化層144繪示 于圖1B)并具有相對的第一面122與第二面124，第一面122面向蝕刻阻障層116。此外， 走線138中同一側(cè)的表面(即第一面122)定義有第一接點188及第二接點192，其作為基 板對外電性連接的輸出/入電性接點。其中第一接點188鄰近溝槽區(qū)168。然后，于步驟S112中，如圖3F所示，使用剝除方式來移除第一遮蔽圖案146。第一 遮蔽圖案146被移除后，圖案化線路層112對應于溝槽區(qū)168的部位形成溝槽176及強化 部180。其中強化部180位于溝槽176內(nèi)，強化部180圖案化線路層112填入圖3D的貫穿 部178內(nèi)所形成。強化部180可強化基板結(jié)構(gòu)的強度，作為后續(xù)工藝的支撐作用。然于其 它實施方面的基板的制造方法中，亦可省略貫穿部178及強化部180的形成步驟。然后，于步驟Sl 14中，如圖3G所示，形成第二介電保護層120于溝槽176內(nèi)并覆 蓋強化部180、圖案化線路層112的第二面124及內(nèi)側(cè)面194。于形成第二介電保護層120的過程中，可應用涂布技術(shù)形成一保護層材料(未繪 示)于圖案化線路層112上。此處的保護層材料例如是介電材料。然后，于步驟S116中，如圖3H所示，黏貼第二黏貼膜140于第二介電保護層120上。然后，于步驟S118中，如圖31所示，倒置(invert)第一黏貼膜136、金屬支撐板 118、蝕刻阻障層116、圖案化線路層112、第二介電保護層120及第二黏貼膜140，并使第二 黏貼膜140黏貼于第一載板表面130上。然后，于步驟S120中，如圖3J所示，以剝除方式將第一黏貼膜136自金屬支撐板 118上移除，以露出金屬支撐板118。然后，于圖2B的步驟S122中，如圖3K所示，應用蝕刻技術(shù)移除金屬支撐板118的一部分以形成金屬支撐層164。金屬支撐層164圍繞該些第二接點192及該些第一接點188 并露出蝕刻阻障層116的一部分166。在蝕刻金屬支撐板118的過程中，蝕刻阻障層116可保護其下方的圖案化線路層 112。然后，于步驟S124中，如圖3L所示，應用蝕刻技術(shù)移除蝕刻阻障層116中露出于 金屬支撐層164的該部分166 (該部分166繪示于圖3K)，以形成金屬遮蔽層172。金屬遮 蔽層172露出走線138的第二接點192及第一接點188。然后，于步驟S126中，如圖3M所示，形成第一介電保護層114于圖案化線路層112 的第一面122上。第一介電保護層114具有數(shù)個第二開孔126及第一開孔156，該些第二 開孔126對應地露出該些第二接點192，而第一開孔156露出該些第一接點188及溝槽區(qū) 168。于形成第一介電保護層114的過程中，可先涂布一保護層材料(未繪示)于圖案 化線路層112的第一面122上，然后再應用微影工藝圖案化該保護層材料以形成第二開孔 126及第一開孔156，藉此形成如圖3M所示的第一介電保護層114。此處的保護層材料例如 是介電材料。
然后，于步驟S128中，如圖3N所示，形成第二遮蔽圖案152于第一介電保護層114 上且覆蓋溝槽176的開口 154并露出第二接點192及第一接點188。然后，于步驟S130中，如圖30所示，形成表面處理層104于該些第二接點192上 及該些第一接點188上。表面處理層104的材質(zhì)利如是鎳、鈀(Pa)與金(Au)中至少一者，其可應用例如 是電鍍技術(shù)形成；或者，于另一實施方面中，表面處理層104亦可為有機保焊層(Organic Solderability Preservative, OSP)。然后，于步驟S132中，以剝除方式移除第二遮蔽圖案152。然后，于步驟S134中，如圖3P所示，形成第三遮蔽圖案162覆蓋第一介電保護層 114及第一接點188及第二接點192上的表面處理層104。 然后，于步驟S136中，如圖3Q所示，應用微影工藝，移除溝槽區(qū)168內(nèi)的第二介電 保護層120的一部分120a及強化部180 ( 一部分120a及強化部180繪示于圖3P)，以于第 二介電保護層120中形成保護層開孔170。保護層開孔170并露出溝槽176。然后，于步驟S138中，以剝除方式移除位于溝槽區(qū)168內(nèi)的第二黏貼膜140a(第 二黏貼膜140a繪示于圖3Q)。然后，于步驟S 140中，如圖3R所示，分離載板128與第二黏貼膜140，使第二黏貼 膜140裸露出來。上述分離的方式例如是剝除方式。進一步地說，由于金屬支撐層164、圖案化線路 層112、金屬遮蔽層172、第一介電保護層114及第二介電保護層120緊密地連結(jié)在一起并 緊密地黏貼于第二黏貼膜140上。故，當分離第二黏貼膜140與載板128后，上述緊密連接 的結(jié)構(gòu)仍完整保留。然后，于步驟S142中，如圖3S所示，以剝除方式將第二黏貼膜140自第二介電保 護層120上移除。至此，形成二組相似的基板結(jié)構(gòu)。然后，于步驟S142之后，請同時參照圖4，其繪示圖3S中往方向Vl觀看到的基板結(jié)構(gòu)的上視圖?？裳厍懈盥窂絇切割上述基板結(jié)構(gòu)，以形成數(shù)個如圖IA所示的基板102。 為不使圖示過于復雜，圖4僅繪示出金屬支撐層164。切割路徑P通過重迭的金屬支撐層164、金屬遮蔽層172(未繪示于圖4)及圖案化 線路層112 (未繪示于圖4)，使切割后的金屬支撐層164的側(cè)面174、圖案化線路層112的 側(cè)面186及金屬遮蔽層172的側(cè)面134大致上齊平，如圖IA所示。由于切割路徑P通過金屬支撐層164，使切割后的金屬支撐層164的側(cè)面174成為 基板102的邊緣側(cè)面。即，金屬支撐層164大致上位于基板102的周邊部位，可大幅強化基 板102的整體結(jié)構(gòu)強度。此外，在一實施方面中，于切割步驟之后或之前，可對應地形成數(shù)個如圖IA所示 的焊球106于該些第二開孔126內(nèi)，以使焊球106電性連接于圖案化線路層112。
此外，另一實施方面中，于切割步驟之后或之前，可設(shè)置如圖IA所示的半導體組 件108于第二介電保護層120上。然后再應用打線技術(shù)(wire bounding)以焊線110電性 連接半導體組件108的主動表面148與第一接點188，以使半導體組件108電性連接于第一 接點188。藉此，半導體組件108與焊球106透過圖案化線路層112電性連接。在焊線110電性連接半導體組件108的主動表面148與第一接點188后，以第一 封膠134包覆焊線110及第一接點188且以第二封膠142包覆半導體組件108，以形成圖 IA的半導體封裝件100。另外，當表面處理層104為有機保焊層時，在形成焊球的回焊(reflow)工藝后，表 面處理層104蒸發(fā)消失。也就是說，當表面處理層104為有機保焊層時，在圖IA的半導體 封裝件100不會有表面處理層104的存在。本發(fā)明上述實施例所揭露的基板及應用其的半導體封裝件與其制造方法，基板透 過其的圖案化線路層中相對二表面提供電性接點，由于圖案化線路層的厚度較薄，可有小 縮小基板的體積及厚度。此外，基板的金屬支撐層位于基板的邊緣部分，其可由金屬板件所 形成，具有強化基板的結(jié)構(gòu)強度的作用。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動 與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求書所界定者為準。
權(quán)利要求
一種基板，包括一圖案化線路層，具有一溝槽及相對的一第一面與一第二面，該溝槽從該第一面貫穿至該第二面，該第一面具有數(shù)個第一接點及數(shù)個第二接點且該些第一接點鄰近于該溝槽；一第一介電保護層，形成于該第一面上并露出該些第一接點及該些第二接點；一第二介電保護層，形成于該第二面上并露出該溝槽；一金屬支撐層，埋設(shè)于該第一介電保護層內(nèi)并用以強化該基板的結(jié)構(gòu)強度；以及一金屬遮蔽層，夾設(shè)于該金屬支撐層與該圖案化線路層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的基板，更包括一表面處理層，形成于該些第一接點上及該些第二接點上。
3.如權(quán)利要求1所述的基板，其中該溝槽實質(zhì)上位于該圖案化線路層的中間位置。
4.如權(quán)利要求1所述的基板，其中該金屬支撐層圍繞該些第一接點及該些第二接點。
5.如權(quán)利要求1所述的基板，其中該第一介電保護層更覆蓋該金屬支撐層。
6.如權(quán)利要求1所述的基板，其中該金屬遮蔽層的材質(zhì)鎳。
7.如權(quán)利要求1所述的基板，其中該金屬支撐層及該圖案化線路層的材質(zhì)銅。
8.一種半導體封裝件，包括 一基板，包括一圖案化線路層，具有一溝槽及相對的一第一面與一第二面，該溝槽從該第一面貫穿 至該第二面，該第一面具有數(shù)個第一接點及數(shù)個第二接點，該些第一接點鄰近于該溝槽； 一第一介電保護層，形成于該第一面上并露出該些第二接點及該些第一接點； 一第二介電保護層，形成于該第二面并露出該溝槽； 一金屬支撐層，埋設(shè)于該第一介電保護層內(nèi)，用以強化該基板的結(jié)構(gòu)強度；及 一金屬遮蔽層，夾設(shè)于該金屬支撐層與該圖案化線路層之間； 一半導體組件，設(shè)于該第二介電保護層上并具有一主動表面，該主動表面從該溝槽露出；數(shù)個條焊線，電性連接該主動表面與該些第一接點； 數(shù)個焊球，電性連接于該些第二接點；以及 一第一封膠，包覆該些焊線及該些第一接點。
9.一種基板的制造方法，包括提供一載板，該載板具有一第一載板表面；以及 形成一基板結(jié)構(gòu)于該第一載板表面，包括以下步驟 將一金屬支撐板經(jīng)由一第一黏貼膜于設(shè)置于該載板上； 形成一蝕刻阻障層于該金屬支撐板上；形成一遮蔽圖案于該蝕刻阻障層上，該遮蔽圖案定義出一溝槽區(qū)； 形成一圖案化線路層于該蝕刻阻障層中未被該遮蔽圖案覆蓋的部分上，其中該圖案化 線路層具有相對的一第一面與一第二面，該第一面具有數(shù)個第一接點及數(shù)個第二接點，該 些第一接點鄰近于該溝槽區(qū)，該第一面面向該蝕刻阻障層；移除該遮蔽圖案，其中于移除該遮蔽圖案后，該圖案化線路層對應該溝槽區(qū)的部位形 成一溝槽；形成一第二介電保護層于該溝槽內(nèi)并覆蓋該圖案化線路層的該第二面；黏貼一第二黏貼膜于該第二介電保護層；倒置該第一黏貼膜、該金屬支撐板、該蝕刻阻障層、該圖案化線路層及該第二介電保護 層及該第二黏貼膜并使該第二黏貼膜黏貼于該載板上； 移除該第一黏貼膜；移除該金屬支撐板的一部分以形成一金屬支撐層，該金屬支撐層露出該蝕刻阻障層的 一部份；移除該蝕刻阻障層的該部分以形成一金屬遮蔽層；形成一第一介電保護層于該圖案化線路層的該第一面，該第一介電保護層并露出該些 第二接點、該溝槽及該些第一接點；及移除該溝槽區(qū)內(nèi)的該第二介電保護層； 分離該載板與該第二黏貼膜；以及 移除該第二黏貼膜。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中該載板更具有一與該第一載板表面相對的第 二載板表面，該制造方法更包括形成另一基板結(jié)構(gòu)于該第二載板表面。
11.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中于移除該金屬支撐板的該部分的該步驟中，該金屬支撐層圍繞該些第二接點及該些第一接點。
全文摘要
一種基板及應用其的半導體封裝件與其制造方法?；灏▓D案化線路層、第一介電保護層、金屬遮蔽層、金屬支撐層及第二介電保護層。圖案化線路層具有溝槽及相對的第一面與第二面。溝槽從第一面貫穿至第二面。第一面具有數(shù)個第一接點及數(shù)個第二接點且該些第一接點鄰近于溝槽。第一介電保護層形成于第一面上并露出第一接點及第二接點。第二介電保護層形成于第二面上并露出溝槽。金屬支撐層埋設(shè)于第一介電保護層內(nèi)，而金屬遮蔽層夾設(shè)于金屬支撐層與圖案化線路層之間。
文檔編號H01L21/48GK101819960SQ20101017753
公開日2010年9月1日 申請日期2010年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月7日
發(fā)明者李俊哲, 李達鈞, 陳姿慧, 黃士輔 申請人:日月光半導體制造股份有限公司