專利名稱：圖形曝光方法、導電膜制造方法和導電膜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及圖形曝光方法、導電膜制造方法和導電膜，尤其涉及包含以周期圖形 進行接近式曝光感光材料的圖形曝光方法、采用該圖形曝光方法的導電膜制造方法和導電膜。
背景技術：
近年來，由各種制造方法獲得的導電膜被考察。在這些膜中，一種銀鹽型導電膜 被如下制造，即對涂布的鹵化銀乳劑進行圖形曝光以形成確保導電性的導電銀部分和確 保透明性的開口部分(參看，例如日本公開專利文獻No. 2004-221564和2004-221565)。 在一種公知的銀鹽型導電膜制造方法中，感光材料被連續(xù)傳送，借助于相對于感光材料 500 μ m或以下的貼近間隙(proximity gap)布置的光掩模經(jīng)受接近式曝光(proximity exposure)，并且因此而沿傳送方向周期性地在掩模圖形中曝光(參看，例如日本公開專利 文獻No. 2007-072171和2007-102200)。此外，由印刷方法制造的導電膜也是已知的(參 看，例如日本公開專利文獻No. 2008-283042)。在上述日本公開專利文獻No. 2007-072171中，對50至550 μ m范圍內的擬貼近間 隙變化進行了模擬，以研究貼近間隙和因光衍射而產生的光強度分布之間的關系(參看段 落W126])。從模擬結果可以清楚地看到，隨著貼近間隙增大，光強度分布加寬。在日本公 開專利文獻No. 2007-072171中，發(fā)現(xiàn)從曝光質量的角度看，較小的貼近間隙是優(yōu)選的，并 且基于該發(fā)現(xiàn)，50 μ m的貼近間隙Lg被選擇。然而，在日本公開專利文獻No. 2007-072171中，盡管對50至550 μ m范圍內的貼 近間隙變化進行了模擬，以評價因光衍射而產生的光強度分布，但當導電膜在實際制造中， 貼近間隙僅被設置為50 μ m,而非50 μ m以外的距離。另外，銀鹽型導電膜具有在制品中產生摩爾紋(moire)的缺點。

發(fā)明內容
考慮到上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種圖形曝光方法和導電膜制造方法。其 能夠以減少的摩爾紋制造導電膜。本發(fā)明的另一目的是提供一種導電膜，其具有減少的摩爾紋。通過銳意研制，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過控制導電膜中的網(wǎng)格圖形側壁形狀，摩爾紋可被 減少。作為進一步研究的結果，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)貼近間隙與導電膜中的網(wǎng)格圖形的側壁形狀之 間存在摩爾紋減少關系。在傳統(tǒng)方法中，當用于實際制造導電膜時貼近間隙僅被設置在 50 μ m。與此不同，在上述研究中，各種其它貼近間隙被用于制造導電膜，并且摩爾紋減少效 果被評價。結果，發(fā)現(xiàn)通過將貼近間隙設置為70至200 μ m，可制造出難以產生摩爾紋的導 電膜。本發(fā)明是基于這些發(fā)現(xiàn)得出的。[1]根據(jù)本發(fā)明第一方面的圖形曝光方法包括下述步驟連續(xù)傳送帶狀或片狀感光材料，和
借助于布置在與感光材料相距70至200 μ m的貼近間隙內的光掩模使感光材料經(jīng) 受接近式曝光，從而以對應于光掩模的掩模圖形且沿傳送方向周期性地重復的周期圖形曝 光感光材料。[2]在根據(jù)第一方面的圖形曝光方法中，通過曝光，潛像以網(wǎng)格圖形的形式形成在 感光材料上，網(wǎng)格圖形具有多個交叉部和分布在其間的線，所述線的側面具有從表示所述線的設計寬度假想線向外延伸的鼓出部，并且鼓出部的鼓出量為設計寬度的1/25至1/6。[3]根據(jù)本發(fā)明第二方面的導電膜制造方法包括下述步驟連續(xù)傳送帶狀或片狀感光材料，借助于布置在與感光材料相距70至200 μ m的貼近間隙內的光掩模使感光材料經(jīng) 受接近式曝光，從而以對應于光掩模的掩模圖形且沿傳送方向周期性地重復的周期圖形曝 光感光材料，以及對曝光的感光材料進行顯影以形成金屬銀部分。[4]在根據(jù)第二方面的導電膜制造方法中，通過曝光，潛像以網(wǎng)格圖形的形式形成 在感光材料上，網(wǎng)格圖形具有多個交叉部和分布在其間的線，所述線的側面具有從表示所述線的設計寬度的假想線向外延伸的鼓出部，并且鼓出部的鼓出量為設計寬度的1/25至1/6。[5]根據(jù)第二方面的導電膜制造方法進一步包括下述步驟對金屬銀部分進行鍍 層(電鍍)處理。[6]根據(jù)本發(fā)明第三方面的導電膜包括多個由導電金屬細線形成的導電部分和多 個開口部分，其中，金屬細線的側面具有從表示金屬細線設計寬度的假想線朝向開口部分延伸的鼓 出部，并且鼓出部的鼓出量為設計寬度的1/25至1/6。[7]在根據(jù)第三方面的導電膜中，導電部分和開口部分的組合體具有網(wǎng)格形狀，并 且導電部分以網(wǎng)格圖形的形式形成，網(wǎng)格圖形具有導電金屬細線的多個交叉部。[8]在根據(jù)第三方面的導電膜中，鼓出量是從表示金屬細線設計寬度的假想線至 鼓出部頂部沿著從假想線延伸至所述頂部的法線測量的長度。[9]在根據(jù)第三方面的導電膜中，鼓出部具有兩個或更多凸部，所述凸部的高寬比 (豎直尺寸與水平尺寸的比率)為1/5至3/2。[10]在根據(jù)第三方面的導電膜中，鼓出部的數(shù)量為每100 μ m金屬細線5或以上。[11]在根據(jù)第三方面的導電膜中，至少兩個凸部在金屬細線的側面上沿金屬細線 的延伸方向連續(xù)形成。如前所述，本發(fā)明的圖形曝光方法和導電膜制造方法能夠以減少的摩爾紋制造導 電膜。此外，本發(fā)明的導電膜呈現(xiàn)出減少的摩爾紋。
通過下面結合顯示了附圖所作描述，本發(fā)明的上述以及其它目的和特征可以清楚 地展現(xiàn)出來，附圖中以代表例的方式顯示了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。


圖1是局部省略的俯視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明實施方式的導電膜；圖2是局部省略的剖視圖，顯示了該實施方式的導電膜；圖3是放大俯視圖，顯示了該實施方式的導電膜中的交叉部和分布在其間的金屬 細線；圖4A是說明圖，顯示了金屬細線的側面(鼓出部)；圖4B是說明圖，顯示了鼓出部中的凸部；圖5A是局部省略的俯視圖，顯示了使用具有設計寬度的金屬細線的導電膜；圖5B是特性圖，顯示了透過導電膜的光的積分量；圖6A是顯示了制備涂布有感光銀鹽層的感光材料的過程的視圖；圖6B是顯示了感光銀鹽層形成網(wǎng)格圖形的過程曝光的視圖；圖6C是顯示了顯影處理的過程的視圖；圖6D是顯示了以網(wǎng)格圖形的形式形成金屬銀部分的過程的視圖；圖7是顯示了用于根據(jù)所述實施方式的制造方法的曝光設備的結構圖；圖8是部分地顯示了掩模保持部的示意性結構圖；圖9是顯示了使用曝光設備的曝光方法的操作的概念圖；圖10是顯示了使用曝光設備的曝光方法中的步驟的流程圖。
具體實施例方式下面將參照圖1至10描述本發(fā)明的圖形曝光方法、導電膜制造方法和導電膜的實 施方式。如示于圖1，根據(jù)該實施方式的導電膜10包含多個導電部分12和多個開口部分 14，并且導電部分12和開口部分14的組合體具有網(wǎng)格形狀M。網(wǎng)格形狀M是由一個開口 部分14和圍繞開口部分14的四個導電部分12形成的組合形狀。導電部分12和開口部分 14的組合體可以具有不同于網(wǎng)格形狀M的條帶形狀。舉例而言，條帶形狀可以是僅分布著 多個第一金屬細線12a的形狀，僅分布著多個第二金屬細線12b的形狀，多個水平延伸金屬 線沿豎直方向分布的形狀，多個豎直延伸金屬線沿水平方向分布的形狀，等等。如示于圖2，導電膜10具有透明膜基材16和形成在透明膜基材16上的導電部分 12和開口部分14。本實施方式中的導電膜10可以用于車輛的除霜器(除霜裝置)或窗玻 璃，用于在施加電流時發(fā)熱的加熱片材，用于觸控板的電極，無機EL器件，有機EL器件，或 太陽能電池，或印刷基板。如示于圖1，導電膜10中的導電部分12具有由多個第一金屬細線12a與多個第 二金屬細線12b交叉形成的金屬網(wǎng)格圖形22，所述第一金屬細線分布成沿一個方向(圖1 中的χ方向)具有第一間距Li，所述第二金屬細線分布成沿另一方向(圖1中的y方向) 具有第二間距L2。第一間距Ll和第二間距L2可以為100至6000 μ m。每個第一金屬細線 12a和第二金屬細線12b可以具有線寬d為200μπι或以下?？梢岳斫猓€寬可以為50 μ m或以下以提高透明性。線寬的下限為2 μ m。盡管在本實施方式中所有第一金屬細線12a分布在恒定的第一間距Li，但一些第 一金屬細線12a可以分布在不同的間距。在這種情況下，相鄰第一金屬細線12a以各自的 距離分布，而非恒定的第一間距Li。此外，第二金屬細線12b可以也可以以這種方式布置。 因此，相鄰第一金屬細線12a之間的距離和相鄰第二金屬細線12b之間的距離優(yōu)選為100 至 6000 μ m,更優(yōu)選 150 至 1000 μ m。導電部分(12)被布置成金屬網(wǎng)格圖形22，其具有由第一金屬細線12a和第二金屬 細線12b形成的大量格子狀交叉點(交叉部24)。如示于圖3中的放大圖，鼓出部26在交 叉部24之間的第一金屬細線12a和第二金屬細線12b的側面上朝向開口部分14延伸。如 示于圖4A，每個鼓出部26的鼓出量da為設計寬度Wc的1/25至1/6。設計寬度Wc是第一金屬細線12a和第二金屬細線12b的目標線寬。目標線寬主 要通過改變光掩模中透過光的狹縫的寬度而控制。除了狹縫寬度，目標線寬還取決于感光 材料、顯影處理、鍍層處理等等的組合。在每個第一金屬細線12a和第二金屬細線12b中， 對于每100 μ m的線，一側上的鼓出部26的數(shù)量優(yōu)選為5或以上，更優(yōu)選10或以上。線的 兩側的鼓出部26的數(shù)量大致相同。因此，當線在一側具有五個鼓出部26時，線的兩側通常 一共具有十個鼓出部26。當線的鼓出部26的數(shù)量太少時，趨向于摩爾紋防止效果不足。鼓 出部26的數(shù)量的上限為50。如示于圖4A，從表示(限定)第一金屬細線12a或第二金屬細線12b的設計寬度 Wc的假想線m到鼓出部26頂部26a畫出法線，鼓出量da是從法線基點28到鼓出部26頂 部26a的長度(最大長度)。因此，鼓出部26從表示設計寬度Wc的假想線m朝向開口部分 14延伸。鼓出部26具有兩個或更多凸部30，所述凸部的高寬比(豎直尺寸與水平尺寸的 比率)為1/5至3/2。如示于圖4B，凸部30的高寬比為Ly/Lx，其中，Lx表示位于凸部30 兩側的第一凹部32a和第二凹部32b的底部之間的連線的長度，Ly表示從凸部30的頂部 30a到法線基點34的長度，所述法線是在頂部30a和所述線之間畫出的。在本發(fā)明中，鼓出 量da主要通過改變貼近間隙Lg而被控制。鼓出部26的形狀可以通過適宜地選擇感光材 料的類型、顯影處理、鍍層處理等等而被控制。特別地講，在該實施方式中，在每個第一金屬細線12a和第二金屬細線12b中，至 少兩個凸部30被連續(xù)形成在兩個交叉部24之間。在這種情況下，凸部30未被分布在恒定 間距，并且是隨機地分布在第一金屬細線12a兩側。對于第二金屬細線12b也是如此。如示于圖3，具有一或多個凸部和凹部的鼓出部26還從交叉部24 (第一金屬細線 12a的側面和第二金屬細線12b的側面交叉的位置)處的四個角部36中的每個朝向開口部 分14延伸。角部36的鼓出部26可以分別具有各種形狀，其中一或多個凸部或凹部可以隨 機形成。在具有設計寬度Wc的第一金屬細線12a和第二金屬細線12b被形成為不帶鼓出 部26的金屬網(wǎng)格圖形22的情況下，如示于圖5A，當朝向膜的一側投影時透過開口部分14 的光的積分量的分布如圖5B所示。在除交叉部24之外的位置，例如假想線A和B所示的 位置，導電部分12以恒定的比例分布，從而積分量是大致一致的，如示于圖5B。在具有交叉 部24的位置，兩個導電部分12合為一體，從而透過光的積分量增大，如示于圖5B。這些積 分量增大的位置根據(jù)交叉部24的分布而以空間頻率配置。
當包含具有這種透光特性的導電膜的濾光器被用于等離子顯示板(以下稱作 PDP)或類似物時，會因PDP像素和上面描述的具有增大光透過積分量的位置之間的空間頻 率差異而產生摩爾紋。與此不同，在本發(fā)明的實施方式中，位于交叉部24之間的第一金屬細線12a和第 二金屬細線12b的側壁具有朝向開口部分14延伸的鼓出部26，并且鼓出部26具有隨機分 布的多個凹部和凸部。因此，在除了交叉部24以外的位置，透過光的積分量不是均勻的，并 且基于隨機分布的多個凹部和凸部而變化。此外，還由于每個交叉部24的四個角部36隨 機分布的凹部和凸部，透過光的積分量在具有交叉部24的位置處也是變化的。因此，在不 帶交叉部24的位置和帶有交叉部24的位置積分量不規(guī)則地變化，藉此，在空間頻率下具有 增大積分量的位置的產生被抑制。結果，摩爾紋被減少，如同導電部分12和開口部分14的 組合體的金屬網(wǎng)格圖形22不存在那樣。接下來，參照圖6A至6D描述根據(jù)本發(fā)明實施方式的兩種制造導電膜10的方法 (第一和第二制造方法)。第二制造方法未在圖中示出。在第一種制造方法中，感光銀鹽層被形成，曝光，顯影，和定影在透明膜基材16 上，以形成金屬網(wǎng)格圖形22形式的金屬銀部分。具體地講，如示于圖6A，感光材料被制備，即通過在透明膜基材16上涂布感光銀 鹽層44，感光銀鹽層包含明膠42和商化銀40 (例如，溴化銀粒子，氯溴化銀粒子，或碘溴化 銀粒子)的混合物。盡管在圖6A至6D中鹵化銀40被夸張顯示為粒子以方便理解，但鹵化 銀40的尺寸、濃度等等并不局限于圖中所示的。接下來，如示于圖6B，感光銀鹽層44經(jīng)受所需的曝光處理以形成將被轉化成第一 金屬細線12a的第一線46a和將被轉化成第二金屬細線12b的第二線46b。當光能被施加 至鹵化銀40時，微小銀核被產生，以形成第一線46a和第二線46b (金屬網(wǎng)格圖形22a)的 潛像。舉例而言，示于圖7的接近式曝光設備100可以用于曝光處理，如下面所述。如示于圖6C，顯影處理被執(zhí)行以將金屬網(wǎng)格圖形22a的潛像至轉化為裸眼可見的 圖像。具體地講，使用顯影液，具有金屬網(wǎng)格圖形22a潛像的感光銀鹽層44被顯影，顯影液 為堿性或酸性溶液，通常為堿性溶液。在顯影處理中，使用潛像銀核作為催化劑核，來自鹵 化銀粒子或顯影液的陰離子通過顯影液中的還原劑(顯影劑)被還原為金屬銀。結果，潛 像銀核生長而形成可見銀圖像(顯影銀48)。在顯影處理后感光鹵化銀40存留于感光銀鹽層44中。如示于圖6D，鹵化銀40通 過定影處理使用定影液而被去除，定影液是酸性或堿性溶液，通常為酸性溶液。在定影處理后，金屬銀部分50布置在曝光部位中，只有明膠42以開口部分14的 形式存留在未曝光部位中。因此，金屬銀部分50(導電部分12)和開口部分14的組合體形 成在透明膜基材16上。在此階段金屬銀部分50可以不帶修改地被用作金屬網(wǎng)格圖形22。 金屬銀部分50也可以經(jīng)受鍍層處理并且可以與鍍層一起被用作金屬網(wǎng)格圖形22。用于曝光感光銀鹽層44的光掩模具有掩模圖形，用于形成第一線46a和第二線 46b的潛像，如下面所述。在第二制造方法中，舉例而言，銅箔被形成在透明膜基材上，并且光阻膜形成在銅 箔上，以制備出感光材料。感光材料中的光阻膜經(jīng)受曝光處理以形成將被轉化成第一金屬 細線的第一線和將被轉化成第二金屬細線的第二線。光阻膜是負光阻型的，并且其中的曝光部位被硬化。網(wǎng)格圖形對應于預期金屬網(wǎng)格圖形被形成在此階段。將在下面描述的曝光 設備100可以還被用于這種曝光處理。接下來，曝光光阻膜被顯影以形成對應于網(wǎng)格圖形的光阻圖形，并且從光阻圖形 曝光的銅箔被蝕刻以形成金屬網(wǎng)格圖形。還是在該方法中，用于光阻膜曝光的光掩模具有用于形成第一和第二線的掩模圖 形。下面將參照圖7至10描述適用于本實施方式中的制造方法中的曝光處理的接近 式曝光設備(以下稱作曝光設備100)。如示于圖7，曝光設備100具有工件供應單元104，用于供應長感光材料102，曝 光單元106，用于在感光材料102上以第一線46a和第二線46b的網(wǎng)格圖形22a的形式形成 潛像，工件卷繞單元108，用于卷回曝光的感光材料102，工件連接單元110，用于將處理過 的感光材料102的后端連接至下一感光材料102的前端，從而連續(xù)處理多個感光材料102， 和控制單元112，用于控制所有上述單元。在長感光材料102中，透明PET膜，具有厚度tl為100 μ m和寬度WO為650至 750mm，被用作透明膜基材16，并且感光銀鹽層44 (根據(jù)第一種制造方法)或銅箔和光阻膜 (根據(jù)第二制造方法)被形成在PET膜的一個表面上。長感光材料102具有長度為100至 1000m，并且卷繞成料卷而安置在工件供應單元104中。安置于工件供應單元104中的感光材料102的前端被拉出，經(jīng)過多個輥，并且固定 在工件卷繞單元108中的收取卷筒114上。收取卷筒114、曝光輥116和多個驅動輥(未 示出)由電機118沿卷繞方向旋轉，藉此感光材料102被沿著工件傳送方向F從工件供應 單元104朝向工件卷繞單元108傳送。舉例而言，感光材料102可以以工件傳送速度V為 4m/分鐘傳送。工件傳送速度V可以基于感光銀鹽層44 (或光阻膜)的敏感度或曝光光源 的輸出而最佳地選擇。曝光單元106具有圍繞曝光輥116的外周安置的光掩模120和可用作曝光光源以 朝向光掩模120發(fā)射光的照明裝置122。舉例而言，光掩模120可包含掩模襯底和形成在 掩模襯底的一個表面上的掩模圖形。掩模襯底可以由透明鈉玻璃構成，其具有厚度t2為 4. 5mm，沿工件傳送方向F掩模長度La為200mm，且沿垂直于工件傳送方向F的方向掩模寬 度 Wa 為 800_。舉例而言，掩模圖形是如此獲得的，即穿過黑色遮光圖形形成期望形狀的用于傳 輸光的狹縫。掩模圖形具有與金屬網(wǎng)格圖形22相同的形狀和尺寸，并且通過沿著工件寬度 方向沉積鉻而形成在掩模襯底上。光掩模120由示于圖8的掩模保持部130固定。掩模保持部130具有保持架132， 用于固定光掩模120，支持部134，用于支撐保持架132使之在曝光位置和分離位置之間可 移動，和致動器136，用于在曝光位置和分離位置之間傳送保持架132。在曝光位置，固定在 保持架132上的光掩模120以貼近間隙Lg面對著感光材料102，并且在分離位置(在圖8 中以雙點劃線表示)，光掩模120安置在大于貼近間隙Lg的距離。光掩模120的外疊加和固定在保持架132的前后部分之間。保持架132具有沿寬 度方向分布的多個調節(jié)螺釘138，它們從后表面插入并且接觸到光掩模120。調節(jié)螺釘138 被用于沿寬度方向微量地控制貼近間隙Lg的微小誤差。通過控制每個調節(jié)螺釘138向保持架132中的插入，光掩模120可以在保持架132中移動以使得整個表面以恒定的貼近間 隙Lg定位。支持部134具有滑動導向件140，其可滑動地附連于滑軌142并且連接著保持架 132。支持部134被用于以在曝光位置和分離位置之間可滑動的方式支撐保持架132。保持 架132由致動器136作用而在滑軌142上在曝光和分離位置之間滑動。通過精確控制用于 確定滑軌142上的曝光位置的止擋，期望的貼近間隙Lg可以實現(xiàn)。致動器136附連于支持部134，并且其移動體144連接著滑動導向件140。致動器 136由控制單元112控制。支持部134在傳送至曝光位置時以高精度展現(xiàn)出優(yōu)異的位置再 現(xiàn)性，并且因此貼近間隙Lg不會由于保持架132的移動而被改變。如示于圖9，照明裝置122具有激光器輸出部146，準直透鏡148，用于將來自激 光器輸出部146的激光147準直為平行光，反射鏡150，用于反射激光147，多棱鏡(polygon mirror) 152，可用作掃描裝置，和電機(未示出)。舉例而言，激光器輸出部146以60mW輸出單模半導體激光，來自激光器輸出部146 的激光147具有適合于感光銀鹽層44的405nm波長，并且準直透鏡148具有焦長為3mm并 且用于將入射激光147轉化為具有橢圓形投影形狀的平行光，橢圓的長軸長度為3. 6mm、短 軸長度為1. 2mm。激光147朝向光掩模120發(fā)射，以使得長軸平行于工件傳送方向F、短軸 平行于工件寬度方向。下面參照圖9描述使用曝光設備100A以網(wǎng)格圖形22a的形式形成潛像的方法。首先，長感光材料102被沿圖9中的箭頭F所示的工件傳送方向傳送。在傳送過 程中，激光147從照明裝置122朝向光掩模120發(fā)射。激光147透過光掩模120的掩模圖 形中的狹縫到達感光材料102。因此，感光材料102被以周期長度例如424 μ m沿著傳送方 向曝光為周期圖形。感光材料102和光掩模120之間存在貼近間隙Lg為70至200 μ m。在 周期長度中接近式曝光與工件傳送同步化，藉此，通過曝光，預期周期圖形被形成。在本發(fā) 明中，通過將貼近間隙Lg控制在70至200 μ m的范圍內，朝向開口部分14延伸的鼓出部26 形成在交叉部24之間的第一金屬細線12a和第二金屬細線12b的側面上。鼓出部26可有 效地減少摩爾紋。通過選擇感光材料的類型、顯影處理和鍍層處理，鼓出部26的形狀可以 最佳地控制。在使用具有感光銀鹽層的感光材料的情況下，金屬銀部分50優(yōu)選經(jīng)受鍍層處理。 通過鍍層處理，鼓出部26被加厚和強調，并且因此而呈現(xiàn)出更高的摩爾紋減少效果。在該實施方式中，感光材料102在接近式曝光中不被停止，而是連續(xù)傳送。在具有 掩模圖形的光掩模120靜止的狀態(tài)下，感光材料102被周期性地(例如，周期對應于424 μ m 進給量)接近式曝光，從而覆蓋至少一個掩模圖形完整周期的區(qū)域被曝光。當感光材料102 再次被激光147掃描時，沿工件傳送方向F對應于周期圖形的網(wǎng)格圖形22a被形成在感光 材料102上。感光材料102在這一過程中沿工件傳送方向F被傳送周期長度，并且感光材料 102的曝光部位被穿過光掩模120的相同圖形進一步曝光。當工件傳送速度V與曝光周期 T同步化時，潛像被以相同的圖形進一步曝光，而不會擾亂周期圖形。通過重復上述過程，可 在一個周期圖形中執(zhí)行多重曝光。下面參照圖7中的結構圖和圖10中的流程圖描述使用曝光設備100的曝光過程 的概要。
首先，在圖10中的步驟Si，感光材料102被安置在工件供應單元104中。感光材 料102包含長膜，其厚度為100 μ m、寬度為650至750mm，涂布有未曝光感光銀鹽層44 (或 光阻膜)。100至IOOOm的感光材料102被圍繞卷筒卷繞并且安置于工件供應單元104中。 感光材料102的前端被固定于工件卷繞單元108中的收取卷筒114。在步驟S2，多棱鏡152在照明裝置122中旋轉，同時將激光器輸出部146保持在關 機狀態(tài)。在步驟S3，由照明裝置122判斷多棱鏡152的旋轉速度是否達到了預定值。當多棱鏡152的旋轉速度達到了預定值后，在步驟S4，感光材料102的傳送被啟動。在步驟S5，判斷是否工件傳送速度V達到預定值。曝光周期T需要與工件傳送速 度V同步化，以實現(xiàn)上面描述的多重曝光而沒有偏移。通過使多棱鏡152旋轉速度ω與工 件傳送速度V同步化，可以最容易地實現(xiàn)曝光周期T與工件傳送速度V同步化。舉例而言， 晶體振蕩器170(參看圖7)作為基準時鐘布置在外側，并且利用基準時鐘由控制單元112 將所有速度調節(jié)到預期恒定速度，從而曝光周期T可以與工件傳送速度V適當?shù)赝交?。?于多棱鏡152的掃描開始信號可以是通過使用光檢測器例如光電二極管檢測掃描所用激 光147而獲得的信號。備選地，用于多棱鏡152的在每個表面處輸出一次的控制脈沖信號 的前沿可以被用作掃描開始信號。當多棱鏡152的旋轉速度ω和工件傳送速度V達到預定速度后，處理步驟前進到 下一步驟S6。接下來，激光147從照明裝置122中的激光器輸出部146發(fā)射出來。在多棱鏡152的旋轉速度ω與工件傳送速度V同步化后曝光被啟動，以容易地識 別正確曝光部位和缺陷部位。即使是在非同步的旋轉速度ω和工件傳送速度V執(zhí)行曝光 時，潛像也能被以網(wǎng)格圖形22a的形式形成，并且工件可以展現(xiàn)為良品。在這種情況下，在 通過視覺外觀檢查來排除缺陷部位時，不可避免地出現(xiàn)人為誤差，并且缺陷部位包含在制 品中。在由控制單元112監(jiān)視同步化以使得在非同步狀態(tài)下激光器輸出部146不被啟動并 且因此而曝光不被執(zhí)行的情況下，缺陷部位肯定會被識別出來。因此，在啟動/停止非同步 狀態(tài)下，激光147被自動停止輸出。在步驟S7，感光材料102通過光掩模120被曝光，從而以網(wǎng)格圖形22a的形式形成 潛像。曝光被反復執(zhí)行以實現(xiàn)多重曝光，如前面所描述。步驟S7中的曝光被重復進行，直至在步驟S8從控制單元112輸出結束信號。曝光感光材料102被卷繞在工件卷繞單元108上。當全部感光材料102被從工件 供應單元104排出后，在步驟S8，結束信號從工件供應單元104輸出到控制單元112，并且 在步驟S9，感光材料102的傳送停止。接下來，在步驟S10，感光材料102的末端在工件連 接單元110中被切割，并且通過膠帶接合至安置于工件供應單元104中的另一感光材料102 的前端。在感光材料102被接合后，工件的傳送被再次啟動。當感光材料102之間的連接 部分穿過曝光輥116時，光掩模120由掩模保持部130移動到分離位置，并且因此連接部分 不會接觸到光掩模120。當連接部分與曝光輥116分開后，光掩模120以優(yōu)異的再現(xiàn)性返回 曝光位置到達預定貼近間隙Lg。當連接部分位于曝光輥116上時，激光器輸出部146優(yōu)選 處在關機狀態(tài)。
當連接部分被卷繞到工件卷繞單元108上時，工件傳送再次停止，并且被卷繞的 末端被停止、切割和通過膠帶固定。卷繞的制品被取下，另一收取卷筒114被置入且夾持， 下一感光材料102的切割前端被固定至收取卷筒114。這樣，曝光過程就完成了。制品通過 反復曝光過程被制造出來。盡管在本實施方式中傳送和卷繞是沿著一個軸線進行的，但曝光設備100也可以 使得傳送和卷繞沿著兩個軸線進行以降低更換時間。備選地，曝光設備100可以通過使用 貯存器或類似物來更換感光材料102，而不需要停止傳送，以使得損失最小化。在曝光過程中曝光的感光材料102然后經(jīng)受顯影處理。感光材料102被顯影以形 成金屬網(wǎng)格圖形22形式的金屬銀部分50，藉此，獲得了本發(fā)明實施方式中的導電膜10。在本發(fā)明實施方式中，具有條狀或片材形狀的感光材料102被連續(xù)傳送且透過布 置在70至200 μ m的貼近間隙內的光掩模120經(jīng)受接近式曝光，并且因此而在光掩模120 的掩模圖形中沿傳送方向被周期性地重復進行曝光。結果，具有交叉部24和分布在其間的 第一和第二線46a、46b的潛像形成在感光材料102上，第一和第二線46a、46b的側面具有 從表示每條線的設計寬度Wc的假想線向外延伸的鼓出部26，并且鼓出部26的鼓出量位于 設計寬度Wc的1/25至1/6的范圍內。當感光材料102被顯影以產生導電膜10后，位于交 叉部24之間的第一和第二金屬細線12a、12b的側面具有從表示每條線的設計寬度Wc的假 想線m朝向開口部分14延伸的鼓出部26，鼓出部26的鼓出量da位于設計寬度Wc的1/25 至1/6的范圍內，并且每個鼓出部26具有兩個或更多凸部30，所述凸部的高寬比(Ly/Lx) 為 1/5 至 3/2。因此，在本發(fā)明實施方式中的圖形曝光方法和導電膜制造方法中，導電膜10可以 以減少的摩爾紋制造出來。下面詳細描述本發(fā)明實施方式的導電膜10的制造方法，導電膜的特別優(yōu)選實施 例采用照相感光鹵化銀材料。如前所述，本發(fā)明實施方式中的導電膜10可以被制造成使得具有透明膜基材16 和其上的含感光鹵化銀乳劑層的感光材料102被曝光和顯影，藉此金屬銀部分50(導電部 分12)和開口部分14分別形成在曝光部位和未曝光部位?；诟泄獠牧?02和顯影處理，本發(fā)明實施方式中的導電膜10的制造方法包括下
面三種工藝。(1) 一種工藝，包括使不帶物理顯影核的感光黑白鹵化銀材料經(jīng)受化學或熱顯影， 以在感光材料102上形成金屬銀部分50。(2) 一種工藝，包括使具有含物理顯影核的鹵化銀乳劑層的感光黑白鹵化銀材料 經(jīng)受溶解物理顯影，以在感光材料102上形成金屬銀部分50。(3) 一種工藝，包括使不帶物理顯影核的感光黑白鹵化銀材料與具有含物理顯影 核的非感光層的圖像接受片材的疊層經(jīng)受擴散轉印顯影，以在非感光圖像接受片材上形成 金屬銀部分50。在工藝(1)中，一體型黑白顯影過程被用于在感光材料102上形成透光性導電膜 例如光傳輸電磁屏蔽膜或光傳輸導電膜。所產生的銀是化學或熱顯影銀，包含高比表面面 積的銀絲，并且在后續(xù)的鍍層或物理顯影處理中展現(xiàn)出高活性。在工藝(2)中，在曝光部位，鹵化銀粒子圍繞物理顯影核熔化并沉積在核上，以在感光材料102上形成透光性導電膜例如光傳輸電磁屏蔽膜或光傳輸導電膜。在這種工藝 中，同樣一體型黑白顯影過程被使用。盡管在顯影過程中鹵化銀沉積在物理顯影核上因而 可以實現(xiàn)高活性，但顯影銀包含具有小比表面面積的球形形狀。在工藝(3)中，在未曝光部位鹵化銀粒子被融化，并且擴散和沉積到圖像接受片 材的顯影核上，以在片材上形成透光性導電膜例如光傳輸電磁屏蔽膜或光傳輸導電膜。在 這一過程中，所謂的分開型過程被使用，并且圖像接受片材被從感光材料102剝離。負顯影處理或反轉顯影處理可以用于這些過程。在擴散轉印顯影中，可以使用自 動正型感光材料(auto-positive photosensitivematerial) 102實現(xiàn)負顯影處理。化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影和擴散轉印顯影具有本領域公知的含 義，并且在一般照相化學教科書中有所解釋，例如Shin-ichiKikuchi，“ Shashin Kagaku (Photographic Chemistry) “ , Kyoritsu Shuppan Co. , Ltd. , 1955 禾口 C. Ε. K. Mees, “ The Theory of Photographic Process,4th ed. “ ，Mcmillan，1977。(感光材料102)[透明膜基材16]用于本發(fā)明實施方式中的制造方法的透明膜基材16可以是塑料膜等等。在該實施方式中，從透光性、耐熱性、處置和成本的角度看，優(yōu)選地，塑料膜是聚對 苯二甲酸乙二酯膜或三醋酸纖維素(TAC)膜。在將導電膜10用于窗玻璃透明加熱元件的情況下，透明膜基材16優(yōu)選具有高透 光性。在這種情況下，塑料膜的總可見光透過率優(yōu)選為70%或以上，更優(yōu)選85%或以上，特 別優(yōu)選90%或以上。塑料膜可以是彩色的，只要其不妨礙本發(fā)明的有益效果即可。透明膜基材16的厚度可以是0.001mm(1.0 μ m)至2. 0mm，且優(yōu)選5至350 μ m。當 厚度為5至350 μ m時，期望的可見光透過性可以獲得，并且膜容易處置?？紤]到如前面所 描述圍繞卷筒卷繞的透明膜基材16的重量、附著力、變形等等，厚度更優(yōu)選為200ym或以 下，進一步優(yōu)選20至180 μ m，最優(yōu)選50至120 μ m。[保護層]保護層可以形成在感光材料102的乳劑層上。用于本發(fā)明實施方式中的保護層包 含粘合劑例如明膠或高分子量聚合物，并且形成在感光乳劑層上以提高防劃傷能力或機械 性能。[乳劑層]用于本發(fā)明實施方式的制造方法中的感光材料102優(yōu)選具有透明膜基材16和其 上的包含作為光感應體的銀鹽(感光銀鹽層44)的乳劑層。在該實施方式中，如果需要的 話，除了銀鹽以外，乳劑層還可包含顏料、粘合劑、溶劑等等。用于本實施方式的銀鹽優(yōu)選為無機銀鹽例如鹵化銀，并且特別優(yōu)選以用于照相感 光鹵化銀材料的鹵化銀粒子的狀態(tài)使用。鹵化銀具有優(yōu)異的光感應性能。粘合劑可以用于乳劑層中，以將銀鹽粒子均勻地散布和有不予乳劑層粘附于基 材。在本發(fā)明中，盡管粘合劑可以由非水溶性或水溶性聚合物構成，但優(yōu)選包含水溶性聚合 物。粘合劑的實施例包括明膠，聚乙烯醇(PVA)，聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，多糖類例如淀 粉，纖維素及其衍生物，聚氧化乙烯(polyethyleneoxides)，多聚糖(polysaccharides)，聚乙烯胺(polyvinylamines)，殼聚醣(chitosans)，聚賴氨酸(polylysines)，聚丙烯酸 (polyacrylic acids)，聚 丙烯酸■ (polyalginic acids)，聚海藻酸(polyhyaluronic acids)，和羧基纖維素(carboxycelluloses)。由于官能團的離子性，粘合劑具有中性、陰離 子性或陽離子性。乳劑層中粘合劑的量沒有特別的限制，并且可以被適宜地選擇以獲得足夠的分散 性和附著性。用于形成乳劑層的溶劑沒有特別的限制，并且其例子包括水，有機溶劑(比如，醇 類例如甲醇，酮類例如丙酮，酰胺類例如甲酰胺，亞砜類例如二甲基亞砜，酯類例如乙酸乙 酯，醚類)，離子性液體，及其混合物。在本發(fā)明中，乳劑層中的溶劑與銀鹽、粘合劑和類似物的總量之間的質量比為 30%至90%質量，優(yōu)選50%至80%質量。[金屬銀部分50]通過控制施加于透明膜基材16的感光銀鹽層44的厚度，金屬銀部分50的厚度可 以被適宜地選擇。金屬銀部分50的厚度可以為0. 001至0. 2mm,并且優(yōu)選30 μ m或以下，更 優(yōu)選20 μ m或以下，進一步優(yōu)選0. 01至9 μ m，最優(yōu)選0. 05至5 μ m。金屬銀部分50優(yōu)選形 成為圖形化形狀。金屬銀部分50可以具有單層結構或包含兩層或更多層的多層結構。在 金屬銀部分50具有包含兩層或更多層的圖形化多層結構的情況下，各層可以具有不同波 長的感色性，并且通過使用不同波長的光來曝光，不同的圖形可以形成在各層中。[網(wǎng)格圖形22]網(wǎng)格圖形22的形式的導電部分12的線寬可以在200 μ m(0. 2mm)或以下的范圍 內被選擇。在導電部分12用于透明加熱元件的情況下，線寬優(yōu)選為5至50 μ m，更優(yōu)選5 至30 μ m，最優(yōu)選10至25μπι。網(wǎng)格圖形22的線間隔優(yōu)選為50至500 μ m，更優(yōu)選200至 400 μ m,最優(yōu)選250至350 μ m。網(wǎng)格圖形22可以具有線寬大于20 μ m的部分，用于接地連
接等等目的。在導電膜10中，開口部分14是網(wǎng)格圖形22形式的導電部分12以外的光透過性 部分。開口部分14的透過率為90%或以上，優(yōu)選95%或以上，更優(yōu)選97%或以上，進一步 優(yōu)選98%或以上，最優(yōu)選99%或以上。這里，透過率是在波長范圍380至780nm內忽略透 明膜基材16的光吸收和反射后獲得的最小透過率值。 考慮到可見光透過性，網(wǎng)格圖形22的開口率優(yōu)選為85 %或以上，更優(yōu)選90 %或以 上，最優(yōu)選95%或以上。開口率是除了網(wǎng)格圖形22形式的導電部分12以外的開口部分14 占總面積的比例。舉例而言，具有15 μ m線寬和300 μ m間距的正方形格子狀網(wǎng)格具有的開 口率為90%。從維持導電膜10的高生產率的角度看，優(yōu)選地，網(wǎng)格圖形22具有連續(xù)結構，其長 度為3m或以上。隨著網(wǎng)格圖形22的連續(xù)結構的長度增加，生產率可以進一步提高。因此， 在這種情況下，透明加熱元件的生產損耗可被減少。網(wǎng)格圖形22的長度優(yōu)選為2000m或以下。當具有過分大量連續(xù)印刷網(wǎng)格形狀M 的網(wǎng)格圖形22被形成為卷料時，卷料的缺點是大直徑、大重量以及施加于卷料中心的高壓 力，這會導致粘連或變形等等。長度優(yōu)選為3m或以上，更優(yōu)選100至1000m，進一步優(yōu)選200 至800m，最優(yōu)選300至500m。
[粘合層]本發(fā)明實施方式中的導電膜10可以通過粘合層貼附于窗玻璃等等。下面將詳細描述制造導電膜的每個步驟。[曝光]曝光利用上面描述的曝光設備100優(yōu)選完成。曝光設備100在上面已被詳細描述， 從而省略對其詳細解釋。[顯影]在本發(fā)明實施方式中，乳劑層在曝光后經(jīng)受顯影處理。用于照相銀鹽膜、相紙、印 刷制版用膜、光掩蔽用乳劑掩模和類似物的普通顯影處理技術可以用于本發(fā)明。在本發(fā)明實施方式中，顯影處理可以包含定影處理，用于去除未曝光部位中的銀 鹽，以使得材料穩(wěn)定化。用于照相銀鹽膜、相紙、印刷制版用膜、光掩蔽用乳劑掩模和類似物 的普通定影處理技術可以用于本發(fā)明。顯影和定影感光材料優(yōu)選經(jīng)受水洗處理或穩(wěn)定化處理。顯影后曝光部位中所含金屬銀與曝光前該部位中所含的銀的質量比優(yōu)選為50% 質量或以上，更優(yōu)選80%質量或以上。當質量比為50%質量或以上時，高導電性可以容易 實現(xiàn)。[物理顯影和鍍層處理]在本發(fā)明實施方式中，為了增加通過曝光和顯影形成的金屬銀部分50的導電性， 導電金屬粒子可以通過物理顯影和/或鍍層處理被沉積在金屬銀部分50上。在本實施方 式中，導電金屬粒子可以通過物理顯影和鍍層處理中的僅僅一種或二種沉積在金屬銀部分 50上。在網(wǎng)格圖形22用于透明加熱元件的情況下，網(wǎng)格圖形22形式的導電部分12優(yōu)選 具有較小的厚度。隨著厚度減小窗玻璃的視角增大，并且透明加熱元件的加熱效率增大。因 此，由導電金屬粒子構成的層的厚度優(yōu)選小于9 μ m,更優(yōu)選至少0. 1 μ m且小于5 μ m，進一 步優(yōu)選至少0. 1 μ m且小于3 μ m。在本發(fā)明實施方式中，通過改變感光銀鹽層44的涂覆厚度，金屬銀部分50的厚度 可以控制，并且，在物理顯影和/或鍍層處理中控制由導電金屬粒子構成的層的厚度，藉此 厚度小于5 μ m、優(yōu)選小于3 μ m的導電膜10可以容易地制造出來。在傳統(tǒng)蝕刻方法中，大多數(shù)金屬膜必須通過蝕刻來去除和廢棄。與此不同，在本發(fā) 明實施方式中，僅包含最小量的導電金屬的圖形可以形成在透明膜基材16上。因此，只有 最小量的金屬被使用，從而制造成本和金屬廢物量可被減少。[實施例]下面將參照實施例更具體地描述本發(fā)明。用于本發(fā)明實施例的材料、用量、配比、 處理內容、處理程序等可以被適宜地改變，而不脫離本發(fā)明的范圍。因此，下面的具體實施 例在所有方面對被認為是解釋性的而非限制性的。(鹵化銀感光材料)包含水性介質、明膠和氯溴碘化銀粒子的乳劑被制備。銀氯溴碘化粒子的碘含量 為0. 2摩爾％，溴含量為40摩爾％，平均球當量直徑為0. 1 μ m，明膠的量為10. Og每60g 銀。
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K3Rh2Brdn K2IrCl6被添加到乳劑中，濃度為10_7摩爾/摩爾銀，以使得鹵化銀粒子 摻雜Rh和Ir離子。Na2PdCl4被進一步添加至乳劑，并且所產生的乳劑利用氯金酸和硫代硫 酸鈉被金-硫協(xié)同敏化。所獲得的乳劑和明膠硬化劑被施加于聚對苯二甲酸乙二酯(PET) 支持體，以使得所施加的銀的量為lg/m2。銀/明膠體積比為1/2。PET支持體的寬度為30cm，乳劑被涂布于其上而形成寬度為25cm、長度為20m。PET 支持體的寬度為3cm的兩端部分被切掉，以獲得寬度為24cm的感光鹵化銀材料的料卷。(曝光)使用上述曝光設備100，感光鹵化銀材料被曝光。因此，在連續(xù)傳送材料的同時，感 光鹵化銀材料透過布置在預定貼近間隙內的光掩模120經(jīng)受接近式曝光。用于曝光的光的 波長為400nm，光束形狀為大約12-μ m的正方形，激光源的輸出為100 μ J。感光鹵化銀材料以寬度為24cm、長度為IOm的連續(xù)格子狀圖形(網(wǎng)格圖形22)被 曝光。在格子狀圖形中，12- μ m網(wǎng)格形狀M被以300 μ m的間距傾斜45度分布。(顯影)IL顯影液的配方對苯二酚(hydroquinone)20g亞石智酸鈉(sodium sulfite)50g(potassium carbonate)40gZi二月安0 Zigl (ethylenediaminetetr aacetic acid)2g溴化鉀(potassium bromide)3g聚乙二醇(polyethylene glycol) 2000Igfi氧化鉀(potassium hydroxide)4gpH控制在 10. 3IL定影液的配方硫代硫酸銨(ammoniumthiosulfate)溶液(75% )300ml一7jC亞硫酸銨(ammonium sulfite monohydrate)25g1，3-丙二胺-N，N，N' , N'-四乙酸(1，3-diaminopropanetetraacetic acid)8g醋酸5g氨水(27%)IgpH控制在 6. 2使用FUJIFILM公司制造的自動顯影機re_710PTS，利用上述處理劑在下面的條件 下處理曝光感光材料以獲得導電膜樣品。在35°C執(zhí)行顯影處理30秒，在34°C執(zhí)行定影處 理23秒，然后以5L/min的水流速執(zhí)行水洗處理20秒。運行條件使得所處理的感光材料量為IOOm2/天，顯影液補充量為500ml/m2，定影 液補充量為640ml/m2，處理周期為3天。(對比例1至3)如示于表1，在對比例1至3中用于接近式曝光的貼近間隙Lg分別為30、50和 220 μ Hio(實施例1至5)
如示于表1，在實施例1至5中用于接近式曝光的貼近間隙Lg分別為70、100、150、 180 和 200 μ m。[評價](金屬細線的鼓出量與設計寬度的比率)利用圖像拾取設備從上方視角獲得導電膜10中的金屬細線圖像，使用圖像識別 軟件測量金屬細線的最大寬度Wm，并且金屬細線的鼓出量與設計寬度Wc的比率利用下述 公式計算出來比率={(Wm-Wc)/2}/Wc。(金屬細線中是否出現(xiàn)圖形模糊)當所形成的金屬細線的平均寬度小于設計寬度時，金屬細線被評價為"模糊 (Blurred)“。當所形成的金屬細線的平均寬度大于設計寬度時，金屬細線被評價為"不模 糊(Unblurred)“。(摩爾紋評價)原始電磁屏蔽膜被從Panasonic Corporation制造的PDPTH-42PX300拆下。轉 臺被布置在PDP上，以便將前面制造的導電膜10附連于其上。轉臺是厚度為5mm的玻 璃板，可用作PDP的前板。此外，轉臺具有角度標尺，用于測量所附連的導電膜10的偏 角。PDP被接通，并且圖形產生器(ASTR0VG828D)被連接到PDP的HDMI端子。白色255 信號以最大輸出從圖形產生器傳輸?shù)絇DP。導電膜10通過膠帶被固定在轉臺上以防止 偏轉。在暗室中在以-45°至+45°范圍的偏角轉動轉臺的同時視覺觀測和評估導電膜 10的摩爾紋。在改變偏角的情況下摩爾紋以與PDP相距1.5m的距離觀測，并且被評價 為"優(yōu)異"、“良好"或"差"。優(yōu)異指的是摩爾紋未被看到，良好指的是在可接受的程 度上摩爾紋略微可見，差指的是摩爾紋高度可見。在綜合評價時，每個導電膜10被評價 為"A"、“ B"、“ C"、“ D"或〃 E〃?！癆”指的是膜在角度范圍20°或以上被評價 為優(yōu)異，“B”指的是膜在角度范圍10°或以上但小于20°被評價為優(yōu)異，“C”指的是膜在角 度范圍小于10°被評價為優(yōu)異，“D”指的是膜在任何角度都未被評價為優(yōu)異且在角度范圍 小于10°被評價為差，“E”指的是膜在任何角度都未被評價為優(yōu)異且在角度范圍10°或以 上被評價為差。(評價結果)評價結果示于表1。[表 1] 鼓出部數(shù)量是指每ΙΟΟμπι金屬細線中形成在在金屬細線的一側的鼓出部的數(shù) 量。從每個導電膜的Icm2中選擇出五根金屬細線，每IOOym統(tǒng)計形成在每根線一側的鼓 出部的數(shù)量，并且所統(tǒng)計的數(shù)量的平均值被作為鼓出部數(shù)量。對比例1中鼓出部的數(shù)量" 零"指的是鼓出部26具有可忽視的消尺寸，其鼓出量與設計寬度的比率為1/40。如示于表1，在對比例3中，圖形模糊是由于曝光量小引起的。與此不同，在實施例 1至5和對比例1和2中，圖形模糊未被觀察到。在對比例1和2中，鼓出量與金屬細線設計寬度的比率分別為1/40和1/30。在實 施例1至5中，該比率在1/25至1/6的范圍內。在對比例3中，由于顯著的圖形模糊，不能 獲得該比率。在實施例2中，關于摩爾紋方面導電膜被評價為〃 Α"，并且?guī)缀鯖]有明顯的摩爾 紋。在實施例1和3至5中，導電膜被評價為〃 B"，并且?guī)缀鯖]有明顯的摩爾紋，盡管稍遜 于實施例2。與此不同，在對比例1和3中，導電膜被評價為"Ε"并且存在明顯的摩爾紋。 在對比例2中，摩爾紋被減小，但未達到實施例1和3至5中的程度。在實施例1至5中，高寬比為1/5至3/2的多個凸部隨機分布在每個鼓出部中?？梢岳斫猓景l(fā)明的圖形曝光方法、導電膜制造方法和導電膜并不局限于上面的 實施方式，在不脫離本發(fā)明范圍的前提下，可以作出各種變化和改型。
權利要求
一種圖形曝光方法，包括下述步驟連續(xù)傳送帶狀或片狀感光材料；以及借助于布置在與感光材料相距70至200μm的貼近間隙內的光掩模使感光材料經(jīng)受接近式曝光，從而以對應于光掩模的掩模圖形且沿傳送方向周期性地重復的周期圖形曝光感光材料。
2.根據(jù)權利要求1的圖形曝光方法，其中，通過曝光，在感光材料上以網(wǎng)格圖形(22)的 形式形成潛像，網(wǎng)格圖形(22)具有多個交叉部(24)和分布在其間的線(46a，46b)， 所述線(46a，46b)的側面具有從表示所述線(46a，46b)的設計寬度(Wc)的假想線(m) 向外延伸的鼓出部(26)，并且鼓出部(26)的鼓出量(da)為設計寬度(Wc)的1/25至1/6。
3.—種制造導電膜的方法，包括下述步驟 連續(xù)傳送帶狀或片狀感光材料，借助于布置在與感光材料相距70至200μπι的貼近間隙內的光掩模(120)使感光材料 經(jīng)受接近式曝光，從而以對應于光掩模(120)的掩模圖形且沿傳送方向周期性地重復的周 期圖形曝光感光材料，以及對曝光的感光材料進行顯影以形成金屬銀部分(50)。
4.根據(jù)權利要求3的方法，其中，通過曝光，在感光材料上以網(wǎng)格圖形(22)的形式形成 潛像，網(wǎng)格圖形(22)具有多個交叉部(24)和分布在其間的線(46a，46b)， 所述線(46a，46b)的側面具有從表示所述線(46a，46b)的設計寬度(Wc)的假想線(m) 向外延伸的鼓出部(26)，并且鼓出部(26)的鼓出量(da)為設計寬度(Wc)的1/25至1/6。
5.根據(jù)權利要求3的方法，進一步包括下述步驟使金屬銀部分(50)經(jīng)受鍍層處理。
6.一種導電膜，包括多個由導電金屬細線(12a，12b)形成的導電部分(12)和多個開口 部分(14)，其中，金屬細線(12a，12b)的側面具有從表示金屬細線(12a，12b)的設計寬度(Wc)的假想 線(m)朝向開口部分(14)延伸的鼓出部(26)，并且鼓出部(26)的鼓出量(da)為設計寬度(Wc)的1/25至1/6。
7.根據(jù)權利要求6的導電膜，其中，導電部分(12)和開口部分(14)的組合體具有網(wǎng)格 形狀(M)，并且導電部分(12)以網(wǎng)格圖形(22)的形式形成，所述網(wǎng)格圖形具有多個由導電金屬細線 (12a, 12b)形成的交叉部(24)。
8.根據(jù)權利要求6的導電膜，其中，鼓出量(da)是從表示金屬細線(12a，12b)的設計 寬度(Wc)的假想線(m)至鼓出部(26)的頂部(26a)沿著從假想線(m)延伸至頂部(26a) 法線測量的長度。
9.根據(jù)權利要求6的導電膜，其中，鼓出部(26)具有兩個或更多凸部(30)，所述凸部 的高寬比為1/5至3/2，所述高寬比為豎直尺寸(Ly)與水平尺寸(Lx)的比率。
10.根據(jù)權利要求6的導電膜，其中，鼓出部(26)的數(shù)量為每100μ m金屬細線5或以
11.根據(jù)權利要求6的導電膜，其中，在金屬細線(12a，12b)的側面上沿金屬細線 (12a, 12b)的延伸方向連續(xù)形成至少兩個凸部(30)。
全文摘要
提供了一種圖形曝光方法、導電膜制造方法和導電膜，其中，感光材料借助于布置在70至200μm的貼近間隙內的光掩模經(jīng)受接近式曝光，并且因此而在掩模圖形中沿傳送方向周期性地曝光以獲得導電膜(10)。導電膜(10)具有多個由第一和第二導電金屬細線(12a，12b)形成的導電部分(12)和多個開口部分(14)。每個金屬細線(12a，12b)的側面具有從表示金屬細線(12a，12b)設計寬度(Wc)的假想線(m)朝向開口部分(14)延伸的鼓出部(26)，并且鼓出部(26)的鼓出量(da)為設計寬度(Wc)的1/25至1/6。
文檔編號H01L21/3213GK101900950SQ201010193409
公開日2010年12月1日 申請日期2010年5月28日 優(yōu)先權日2009年5月29日
發(fā)明者三橋大助, 松田豊美, 須藤淳, 馬場友紀 申請人:富士膠片株式會社