專利名稱：一種有機電致發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，尤其涉及一種能提高亮度、延長壽命，調(diào)節(jié)發(fā)光色調(diào)的器件結構。
背景技術：
有機電致發(fā)光是指采用有機材料層作為發(fā)光層，在發(fā)光層兩側設有陰極層和陽極層，在兩極間加上電壓，當有電流通過發(fā)光層時，發(fā)光層的有機材料就會發(fā)光。人們根據(jù)這一原理，制成了有機電致發(fā)光器件(Or ganic Light Emitting Diode，以下簡稱OLED)。0LED 相對于傳統(tǒng)的液晶顯示器件，具有形體薄、制備工藝簡單、發(fā)光材料全固化、器件可柔性化等優(yōu)點引起了人們的廣泛關注，越來越多的OLED被應用于顯示與照明領域。不同的有機材料所發(fā)出的光的顏色不同，人們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了能夠產(chǎn)生藍色、紅色和黃色光線的有機材料，但能夠穩(wěn)定發(fā)出白色光線的有機材料幾乎沒有。于是研究人員通過將不同顏色的發(fā)光材料進行疊加，讓它們同時發(fā)光，這樣就可以得到白色0LED。白光OLED根據(jù)色調(diào)不同，又分為冷色調(diào)白光0LED，暖色調(diào)白光0LED。冷色調(diào)白光 OLED目前已被應用于儀器、車載電子、家用電子等設備上，應用較為普遍。常見的冷色調(diào)有綠色、藍色。為使白光OLED發(fā)出具有冷色調(diào)的光，需要提高OLED中藍色光或綠色光的發(fā)光效率，形成冷色調(diào)白光OLED。專利CN200610103960. 6中記載，現(xiàn)有OLED的光取出效率較低，約為20%左右，有 80%的光并未發(fā)射出0LED?，F(xiàn)有的偏光片的光透過率只有43%左右，該專利采用偏光片提高OLED中500-640nm波長段的整體光透過率，透光率達到53-59%，500_640nm波長段的光
包括藍光、綠光、黃光、橙色光、紅光?，F(xiàn)有制備中，白光OLED的藍色材料發(fā)光效率較低，得到的白光OLED大部分偏暖色調(diào)，難以滿足實際需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明人基于上述問題，經(jīng)過研究，提出一種具有偏光片的冷色調(diào)白光 0LED，該白光OLED發(fā)出的光通過偏光片調(diào)節(jié)，增加疊加的光當中冷色調(diào)光的透光率，抑制暖色調(diào)光的透光率，實現(xiàn)總體為冷色調(diào)白光的效果。本發(fā)明可以通過以下器件結構實現(xiàn)一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極層、陰極層以及位于陽極層和陰極層之間的有機功能層，所述有機電致發(fā)光器件發(fā)出第一白色光，所述第一白色光的色坐標范圍為(CIE-X > 0. 30，CIE-Y > 0. 34)，還包括一個偏光片，所述偏光片貼附于該有機電致發(fā)光器件上，所述第一白色光透過偏光片形成第二白色光，第二白色光的色坐標范圍為 (CIE-X ( 0. 30，CIE-Y ( 0. 34)。其中，所述偏光片對波長范圍420-480nm的透光率大于55%，對波長范圍640 700nm的透光率大于55%，對波長范圍500 600nm透光率小于45%。其中，對波長范圍420-480nm的透光率小于70%。
其中，所述第一白色光的色坐標范圍為(0. 30 < CIE-X ( 0. 34,0. 34 < CIE-Y ( 0.39)。其中，所述有機功能層包括藍色發(fā)光材料與紅色發(fā)光材料混合。其中，所述藍色發(fā)光材料波峰范圍為420-480nm，紅色發(fā)光材料的波峰范圍為 640-700nm。本發(fā)明相對于現(xiàn)有冷色調(diào)白光方案，亮度提高14nit，而功耗卻有所降低。


圖1為本發(fā)明提出的有機電致發(fā)光器件中的基本結構圖。圖2為色坐標圖。
具體實施例方式本發(fā)明提出的有機電致發(fā)光器件中的基本結構如圖1所示，其中01為基板，可以是玻璃或是柔性基片，柔性基片采用聚酯類、聚酰亞胺類化合物中的一種材料；02為陽極層，可以采用無機材料或有機導電聚合物。無機材料一般為氧化銦錫 (簡稱ITO)，氧化鋅、氧化錫鋅等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，優(yōu)選ITO ；有機導電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉(以下簡稱PED0TPSS)、聚苯胺(以下簡稱 PANI)中的一種材料；03為空穴傳輸層，材料例如，具有氨基取代基的噁二唑化合物、具有氨基取代基的三苯基甲烷化合物、三級化合物、腙化合物、吡唑啉化合物、烯胺化合物、苯乙烯基化合物、 1，2_ 二苯乙烯化合物或咔唑化合物。還可以采用金屬鉍的商化物或金屬鉍的氧化物進行摻雜。04為發(fā)光層，可以為一個或多個發(fā)光層。一般采用小分子材料，可以是熒光材料，如金屬有機配合物Alq3、Gaq3、Al (Saph-q)或Ga(Saph-q)類化合物，該小分子材料中可摻雜有染料，一般為芳香稠環(huán)類(如rubrene)、香豆素類(如DMQA、C545T)或雙吡喃類(如DCJTB、DCM)化合物中的一種材料，摻雜濃度為小分子材料的0. Olwt % 20wt%。 發(fā)光層材料也可采用咔唑衍生物如CBP、聚乙烯咔唑(PVK)等摻雜磷光染料，Ir(ppy)3> Ir (ppy)2 (acac)或 Ir (mppy) 3 可用作綠光染料；Ir (piq)3、Ir (piq)2 (acac)、Btp2Ir (acac)、 Ir (MDQ)2(acac)、Ir (DBQ)2(acac)、Ir(fbi)2(acac)、Ir(2-phq)3> Ir(2_phq)2(acac)、 Ir (bt) 2 (acac)或 PtOEP 可用作紅光染料；Ir (MDQ) 2 (acac)、Ir (DBQ) 2 (acac)、 Ir (fbi) 2 (acac)、Ir (2-phq) 3、Ir (2-phq) 2 (acac)或 Ir (bt) 2 (acac)可用作黃光染料，藍光材料為蒽類衍生物。05為電子傳輸層(非必需)，材料可以為蒽化合物、菲化合物、熒蒽化合物、苯并 (9，10)菲化合物、二唑化合物或亞乙烯基化合物。06為陰極層，一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、 銀的合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層，本發(fā)明優(yōu)選為依次的LiF層、Al層。07為偏光片。色坐標圖如圖2，本發(fā)明發(fā)光層采用藍色光+紅色光疊加生成白色光，生成的白色光色坐標為(0. 30 < CIE-X彡0. 34,0. 34 < CIE-Y彡0. 39)。其中藍色光的波峰范圍為 420-480nm,紅色光的波峰范圍為640_700nm。根據(jù)規(guī)定，要得到冷色調(diào)白光，生成的白光的色坐標應為(CIE-X ^ 0. 30, CIE-Y ^ 0. 34)，為偏藍色白光。本發(fā)明在OLED上貼附一層偏光片薄膜，提高藍色光效率， 抑制黃色光效率，將橫向色坐標值下降0. 04，縱向色坐標值下降0. 05，使得生成的白光的色坐標下降到(CIE-X彡0. 34-0. 04 = 0. 30，CIE-Y彡0. 39-0. 05 = 0. 34)以內(nèi)，滿足冷色調(diào)白光OLED的要求。偏光片對不同顏色的光進行篩選，增強冷色調(diào)光線的取出效率和透光率，抑制暖色調(diào)光線的透光率。該偏光片對不同波段光線分別進行增強或減弱。具體為在藍光區(qū)域，波長范圍420 480nm，優(yōu)選為460_480nm的透光率大于55%，小于 70%;透光率超過70%會影響顯示的對比度。在黃綠光、黃光區(qū)域，波長范圍500 600nm， 優(yōu)選為550-600nm的透光率小于45% ；在紅光區(qū)域，波長范圍640 700nm的透光率大于 55%。下面將給出若干實施例，并結合附圖具體解釋本發(fā)明的技術方案。應當注意到，下面的實施例僅用于幫助理解發(fā)明，而不是對本發(fā)明的限制。對比例1 器件結構為IT0/HIL(850 A )/NPB(200 A )/BHBD(90 A，4 % )/RH:RD(300 A，2 % )/ Alq3 (200 A ) /LiF (5 A ) /Al (1500 入)工藝步驟為(1)利用煮沸的洗滌劑超聲和去離子水超聲的方法對玻璃基板進行清洗，并放置在紅外燈下烘干。(2)在玻璃上蒸鍍一層ITO作為陽極，膜厚為ISOnm ；(3)采用雙源共蒸的方法蒸鍍MTDATA (4，4，，4”-三(3_甲基苯基苯胺)三苯胺) 和F4TCNQ作為HIL，膜厚為85nm。F4TCNQ在MTDATA中摻雜的質(zhì)量百分比為4%。(4)把上述帶有陽極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至lX10_5Pa，在上述陽極層膜上繼續(xù)蒸鍍一層NPB薄膜作為空穴傳輸層，速率為0. lnm/s，蒸鍍膜厚為20nm ；(5)先采用雙源共蒸的方法進行第一發(fā)光層的蒸鍍摻雜，BD在BH中的摻雜比例為 4wt%，總膜厚為9nm ；再采用雙源共蒸的方法進行第二發(fā)光層的蒸鍍摻雜，RD在BH中的摻雜比例為，總膜厚為30nm ；(6)在發(fā)光層之上，繼續(xù)蒸鍍一層Alq3M料作為電子傳輸層，其蒸鍍速率為 0. 2nm/s，蒸鍍總膜厚為20nm ；(7)最后，在上述發(fā)光層之上依次蒸鍍LiF層和Al層作為器件的陰極層，其中 LiF層的蒸鍍速率為0. 01 0. 02nm/s，厚度為0. 5nm,Al層的蒸鍍速率為2. Onm/s，厚度為 150nmo(8)封裝、邦定。(9)在OLED的出光面貼附一層普通偏光片。實施例1器件結構為
IT0/HIL(850 A )/NPB(200 A )/BH:BD(90 A，4 % )/RH:RD(300 A，2 % )/ Alq3 (200 A ) /LiF (5 A ) /Al (1500 A )工藝步驟為

(1)利用煮沸的洗滌劑超聲和去離子水超聲的方法對玻璃基板01進行清洗，并放置在紅外燈下烘干。(2)在玻璃上蒸鍍一層ITO作為陽極02，膜厚為ISOnm ；(3)采用雙源共蒸的方法蒸鍍MTDATA (4，4，，4”-三(3_甲基苯基苯胺)三苯胺) 和F4TCNQ作為HIL，膜厚為85nm。F4TCNQ在MTDATA中摻雜的質(zhì)量百分比為4%。(4)把上述帶有陽極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至lX10_5Pa，在上述陽極層膜上繼續(xù)蒸鍍一層NPB薄膜作為空穴傳輸層03，速率為0. lnm/s，蒸鍍膜厚為20nm ；(5)先采用雙源共蒸的方法進行第一發(fā)光層04(1)的蒸鍍摻雜，BD在BH中的摻雜比例為4wt%，總膜厚為9nm ；再采用雙源共蒸的方法進行第二發(fā)光層04 (2)的蒸鍍摻雜，RD 在BH中的摻雜比例為2wt%，總膜厚為30nm ；(6)在發(fā)光層之上，繼續(xù)蒸鍍一層Alq3材料作為電子傳輸層05，其蒸鍍速率為 0. 2nm/s，蒸鍍總膜厚為20nm ；(7)最后，在上述發(fā)光層之上依次蒸鍍LiF層和Al層作為器件的陰極層06，其中 LiF層的蒸鍍速率為0. 01 0. 02nm/s，厚度為0. 5nm,Al層的蒸鍍速率為2. Onm/s，厚度為 150nmo(8)封裝、邦定。(9)在OLED的出光面貼附一層本發(fā)明所述偏光片07，該偏光片對不同顏色的光進行篩選，提高冷色調(diào)光線的取出效率，抑制暖色調(diào)光線的取出效率。本實施例1的白光OLED未貼附偏光片時，色坐標為(0. 33，0. 34)，屬于暖色調(diào)白光。貼附偏光片后，色坐標變?yōu)?0. 28，0. 29)，達到冷色調(diào)白光要求。對比例1為現(xiàn)有冷色調(diào)白光，色坐標為(0. 30,0. 32)，本實施例1相對于對比例1，貼附偏光片后，亮度提高14nit， 而功耗卻有所降低。表1為對比例1和實施例1在恒壓條件下，測得參數(shù)的對比。表 權利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極層、陰極層以及位于陽極層和陰極層之間的有機功能層，所述有機電致發(fā)光器件發(fā)出第一白色光，所述第一白色光的色坐標范圍為(CIE-X > 0. 30，CIE-Y > 0. 34)，其特征在于，還包括一個偏光片，所述偏光片貼附于該有機電致發(fā)光器件上，所述第一白色光透過偏光片形成第二白色光，第二白色光的色坐標范圍為 (CIE-X ( 0. 30，CIE-Y ( 0. 34)。
2.根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述偏光片對波長范圍 420-480nm的透光率大于55%，對波長范圍640 700nm的透光率大于55%，對波長范圍 500 600nm透光率小于45 %。
3.根據(jù)權利要求2的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，對波長范圍420-480nm的透光率小于70%。
4.根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一白色光的色坐標范圍為(0. 30 < CIE-X 彡 0. 34，0. 34 < CIE-Y 彡 0. 39)。
5.根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機功能層包括藍色發(fā)光材料與紅色發(fā)光材料混合。
6.根據(jù)權利要求5的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍色發(fā)光材料波峰范圍為 420-480nm,紅色發(fā)光材料的波峰范圍為640_700nm。
全文摘要
本發(fā)明提出一種具有偏光片的冷色調(diào)白光OLED，該白光OLED發(fā)出的光通過偏光片調(diào)節(jié)，增加疊加的光當中冷色調(diào)光的透光率，抑制暖色調(diào)光的透光率，實現(xiàn)總體為冷色調(diào)白光的效果。本發(fā)明相對于現(xiàn)有冷色調(diào)白光方案，亮度提高14nit，而功耗卻有所降低。
文檔編號H01L51/50GK102270747SQ201010198120
公開日2011年12月7日 申請日期2010年6月3日 優(yōu)先權日2010年6月3日
發(fā)明者彭兆基, 邱勇 申請人:北京維信諾科技有限公司, 昆山維信諾顯示技術有限公司, 清華大學