專利名稱：一種防止晶片間干涉的方法及一種多晶片led封裝模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種防止晶片間干涉的方法及一種多晶片LED封裝模塊。
背景技術(shù)：
為解決能源及燈具壽命問題，近年來業(yè)界致力于研發(fā)制造出光效果高、溫升小、壽 命長的LED照明產(chǎn)品。起初是采用單晶片發(fā)光泡，后來，基于對(duì)面光源和大功率照明的需 求，出現(xiàn)多晶片的發(fā)光板和發(fā)光條，將多個(gè)晶片封裝于一塊基板上。這對(duì)于LED封裝模塊的 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提出了新的要求，機(jī)械結(jié)構(gòu)問題、電路徑問題、光路徑問題、熱路徑問題必須逐一 解決。現(xiàn)有的多晶片LED封裝結(jié)構(gòu)，一般采用銅制或鋁制基板，多晶片封裝于基板的正 面，基板的反面通過導(dǎo)熱膠與燈具之散熱模塊連接，而對(duì)于晶片間的排布，則僅僅根據(jù)出光 要求來決定。多個(gè)晶片集于一個(gè)基板，晶片間的距離小，晶片的側(cè)面出光必然照射到相鄰的 晶片，干擾相鄰晶片的工作環(huán)境，一方面將熱量傳給相鄰晶片，加速其溫升，另一方面，破壞 相鄰晶片自身的電磁環(huán)境，影響相鄰晶片的出光效率，因不能充分出光，也加速了其溫升。 現(xiàn)有多晶片LED封裝，其晶片間存在相互干擾，晶片側(cè)出光未充分利用，總?cè)」庑实?；?片側(cè)出光直接導(dǎo)致相鄰晶片溫升；晶片側(cè)出光破壞相鄰晶片的工作環(huán)境，導(dǎo)致相鄰晶片的 出光效率低，溫升高；溫升又會(huì)連鎖地導(dǎo)致晶片過早出現(xiàn)光衰。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種防止晶片間干涉的 方法及一種可以有效防止各晶片間干涉的多晶片LED封裝模塊本發(fā)明的目的可以通過以 下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種防止晶片間干涉的方法，適用于多晶片LED封裝，其特征在于包括以 下步驟在各晶片的側(cè)出光面之間設(shè)置反射突位，以防止晶片的側(cè)出光射向其它晶片。防止晶片間干涉的方法，其特征在于晶片的排列的方式為，在水平方向各晶片角 對(duì)角設(shè)置成排，在垂直方向各晶片角對(duì)角設(shè)置成列。防止晶片間干涉的方法，其特征在于還包括以下步驟，設(shè)置將所有晶片包圍于其 中的反射緣，以便將位于最外側(cè)之晶片的側(cè)出光反射至LED封裝的出光方向。防止晶片間干涉的方法，其特征在于所述反射突位呈半球或少半球形；所述反 射突位通過微量注塑反光材料方式設(shè)置，或通過壓鑄方式將反射突位一體成形于基板表 面，或通過沖壓方式成形一帶有反射突位的表層，再將該表層組合于基板表面。防止晶片間干涉的方法，其特征在于所述反射緣呈環(huán)形，反射緣的內(nèi)側(cè)具有反光 面，反光面的橫截面為一傾斜的直線或弧面；所述反射緣通過微量注塑高反光材料方式設(shè) 置，或通過壓鑄方式將反射緣一體成形于基板表面，或通過沖壓方式成形一帶有反射緣的 表層，再將該表層組合于基板表面。本發(fā)明的目的還可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種多晶片LED封裝模塊，包括基 板、晶片和封膠，其特征在于還包括反射突位，反光突位設(shè)置于各晶片的側(cè)出光面之間。多晶片LED封裝模塊，其特征在于還包括設(shè)置于所述基板邊緣的反射緣，反射緣 的內(nèi)側(cè)具有反光面，反光面的橫截面為一傾斜的直線或弧面。多晶片LED封裝模塊，其特征在于所述反射突位為半球型、或少半球型、或側(cè)表 面截面為內(nèi)凹弧線的回轉(zhuǎn)體；各晶片的排列的方式為，在水平方向各晶片角對(duì)角設(shè)置成排，
3在垂直方向各晶片角對(duì)角設(shè)置成列；每一對(duì)側(cè)出光面相向設(shè)置的晶片之間均設(shè)置反射突 位。多晶片LED封裝模塊，其特征在于所述晶片與所述基板之觸點(diǎn)之間通過金線電 連接，所述金線設(shè)置于晶片的角處，以免阻礙晶片側(cè)出光；所述封膠至少包括一層透明軟 膠，晶片、金線、反射突位封于所述軟膠之中。多晶片LED封裝模塊，其特征在于還包括設(shè)置于所述基板邊緣的反射緣，反射緣 的內(nèi)側(cè)具有反光面，反光面的橫截面為一傾斜的直線或弧面；所述反射突位為少半球型； 各晶片的排列的方式為，在水平方向各晶片角對(duì)角設(shè)置成排，在垂直方向各晶片角對(duì)角設(shè) 置成列；每一對(duì)側(cè)出光面相向設(shè)置的晶片之間均設(shè)置反射突位；所述晶片與所述基板之觸 點(diǎn)之間通過金線電連接，所述金線設(shè)置于晶片的角處，以免阻礙晶片側(cè)出光；所述封膠至少 包括一層透明軟膠，晶片、金線、反射突位封于所述軟膠之中。本發(fā)明的防止晶片間干涉的方法，在各晶片的側(cè)出光面之間設(shè)置反射突位，以防 止晶片的側(cè)出光射向其它晶片；一方面反射突位可以將晶片側(cè)出光反射至封裝模塊的出光 方向，使側(cè)出光得以有效利用，另一方面，可以防止晶片的側(cè)出光射向相鄰晶片，使相鄰晶 片產(chǎn)生溫升以及直接破壞相鄰晶片的工作環(huán)境；再則，反射突位作為一個(gè)集中式反光點(diǎn)，在 封裝模塊的使用中也起到一個(gè)出光點(diǎn)的作用，使得整個(gè)光源出光更加均勻；與現(xiàn)有技術(shù)相 比，本發(fā)明的防止晶片間干涉的方法可以有效地防止晶片間側(cè)出光對(duì)相鄰晶片的干涉，防 止相鄰晶片產(chǎn)生溫升及工作環(huán)境受理破壞，過早地出現(xiàn)光衰。本發(fā)明的多晶片LED封裝模 塊是上述方法的應(yīng)用，可以用效地防止晶片間干涉，提高出光效率，防止過早出現(xiàn)光衰。附 圖說明

圖1是本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的示意圖。圖2是圖1中A-A剖面圖。圖3是圖1中B處局部放大圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳述。本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例是一種防止晶片間干涉的方法，適用于多晶片LED封裝，該 方法包括以下步驟在各晶片的側(cè)出光面之間設(shè)置反射突位，以防止晶片的側(cè)出光射向其 它晶片。本實(shí)施例中，LED封裝為一種平面光源模塊，晶片的排列的方式為，在水平方向各晶 片角對(duì)角設(shè)置成排，在垂直方向各晶片角對(duì)角設(shè)置成列。本實(shí)施例中，還包括以下步驟設(shè) 置將所有晶片包圍于其中的反射緣，以便將位于最外側(cè)之晶片的側(cè)出光反射至LED封裝的 出光方向。本實(shí)施例中，所述反射突位呈少半球形；所述反射突位通過微量注塑反光材料方 式設(shè)置；當(dāng)然，作為本實(shí)施例的一種替代方案，所述反射突位也可以通過壓鑄方式將反射突 位一體成形于基板表面，或通過沖壓方式成形一帶有反射突位的表層，再將該表層組合于 基板表面。對(duì)于反光突位材料的要求首先是高反光，應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)中的高反光材料即可，必 要時(shí)也可以鍍?cè)O(shè)反光層；對(duì)于有電磁屏蔽要求的晶片，所述反射突位應(yīng)采用屏蔽材料，以防 止晶片間的電磁干擾。本實(shí)施例中，所述反射緣呈環(huán)形，反射緣的內(nèi)側(cè)具有反光面，反光面 的橫截面為一傾斜的直線，當(dāng)然，針對(duì)具體出光路徑設(shè)計(jì)的不同，也可以采用弧面替代；同 反射突位一樣，所述反射緣通過微量注塑高反光材料方式設(shè)置，或通過壓鑄方式將反射緣 一體成形于基板表面，或通過沖壓方式成形一帶有反射緣的表層，再將該表層組合于基板 表面；本實(shí)施例中是采用微量注塑方式與所述反射突位一并注塑成型。
參考圖1、圖2、圖3，本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例是一種多晶片LED封裝模塊，包括基 板101、晶片102和封膠，還包括反射突位103，反光突位103設(shè)置于各晶片102的側(cè)出光 面之間；還包括設(shè)置于所述基板邊緣的反射緣104，反射緣104的內(nèi)側(cè)具有反光面，反光面 的橫截面為一傾斜的直線，當(dāng)然，為實(shí)現(xiàn)不同的光路徑，也可以設(shè)置成弧面；所述反射突位 103為半球型，當(dāng)然，針對(duì)不同的光路徑設(shè)計(jì)要求，可以以采用少半球型、或側(cè)表面截面為內(nèi) 凹弧線的回轉(zhuǎn)體替代本實(shí)施例中的半球型；各晶片102的排列的方式為，在水平方向各晶 片102角對(duì)角設(shè)置成排，在垂直方向各晶片102角對(duì)角設(shè)置成列；每一對(duì)側(cè)出光面相向設(shè)置 的晶片102之間均設(shè)置反射突位103。本實(shí)施例中，所述晶片102與所述基板101之觸點(diǎn)之 間通過金線105電連接，所述金線105設(shè)置于晶片102的角處，以免阻礙晶片102側(cè)出光； 再次參考圖3，本實(shí)施例中，所述封膠至少包括一層透明軟膠，晶片102、金線105、反射突位 103封于所述軟膠之中，透明軟膠的熱膨脹系數(shù)要求與基板101、晶片102及金線105具有 一致性，透明軟膠還起到保護(hù)金線105的作用。本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例也是一種多晶片LED封裝模塊，與本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的 不同之處在于，晶片電極設(shè)置于晶片襯底底部，與基板上的電極位置相對(duì)應(yīng)，晶片微焊于基 板即構(gòu)成電路，不必設(shè)置金線；本實(shí)施例的優(yōu)勢(shì)在于，電連接牢固，不易產(chǎn)生斷線。
權(quán)利要求
一種防止晶片間干涉的方法，適用于多晶片LED封裝，其特征在于包括以下步驟在各晶片的側(cè)出光面之間設(shè)置反射突位，以防止晶片的側(cè)出光射向其它晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止晶片間干涉的方法，其特征在于晶片的排列的方式為， 在水平方向各晶片角對(duì)角設(shè)置成排，在垂直方向各晶片角對(duì)角設(shè)置成列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止晶片間干涉的方法，其特征在于設(shè)置將所有晶片包圍 于其中的反射緣，以便將位于最外側(cè)之晶片的側(cè)出光反射至LED封裝的出光方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止晶片間干涉的方法，其特征在于所述反射突位呈半球 或少半球形；所述反射突位通過微量注塑反光材料方式設(shè)置，或通過壓鑄方式將反射突位 一體成形于基板表面，或通過沖壓方式成形一帶有反射突位的表層，再將該表層組合于基 板表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防止晶片間干涉的方法，其特征在于所述反射緣呈環(huán)形，反 射緣的內(nèi)側(cè)具有反光面，反光面的橫截面為一傾斜的直線或弧面；所述反射緣通過微量注 塑高反光材料方式設(shè)置，或通過壓鑄方式將反射緣一體成形于基板表面，或通過沖壓方式 成形一帶有反射緣的表層，再將該表層組合于基板表面。
6.一種多晶片LED封裝模塊，包括基板、晶片和封膠，其特征在于還包括反射突位，反 光突位設(shè)置于各晶片的側(cè)出光面之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶片LED封裝模塊，其特征在于還包括設(shè)置于所述基板 邊緣的反射緣，反射緣的內(nèi)側(cè)具有反光面，反光面的橫截面為一傾斜的直線或弧面。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶片LED封裝模塊，其特征在于所述反射突位為半球型、 或少半球型、或側(cè)表面截面為內(nèi)凹弧線的回轉(zhuǎn)體；各晶片的排列的方式為，在水平方向各晶 片角對(duì)角設(shè)置成排，在垂直方向各晶片角對(duì)角設(shè)置成列；每一對(duì)側(cè)出光面相向設(shè)置的晶片 之間均設(shè)置反射突位。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶片LED封裝模塊，其特征在于所述晶片與所述基板之 觸點(diǎn)之間通過金線電連接，所述金線設(shè)置于晶片的角處，以免阻礙晶片側(cè)出光；所述封膠至 少包括一層透明軟膠，晶片、金線、反射突位封于所述軟膠之中。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶片LED封裝模塊，其特征在于還包括設(shè)置于所述基板 邊緣的反射緣，反射緣的內(nèi)側(cè)具有反光面，反光面的橫截面為一傾斜的直線或弧面；所述反 射突位為少半球型；各晶片的排列的方式為，在水平方向各晶片角對(duì)角設(shè)置成排，在垂直方 向各晶片角對(duì)角設(shè)置成列；每一對(duì)側(cè)出光面相向設(shè)置的晶片之間均設(shè)置反射突位；所述晶 片與所述基板之觸點(diǎn)之間通過金線電連接，所述金線設(shè)置于晶片的角處，以免阻礙晶片側(cè) 出光；所述封膠至少包括一層透明軟膠，晶片、金線、反射突位封于所述軟膠之中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種防止晶片間干涉的方法及一種多晶片LED封裝模塊；適用于多晶片LED封裝，該方法在各晶片的側(cè)出光面之間設(shè)置反射突位，以防止晶片的側(cè)出光射向其它晶片；本發(fā)明還涉及一種應(yīng)用該方法的多晶片LED封裝模塊。本發(fā)明提供一種防止晶片間干涉的方法及一種可以有效防止各晶片間干涉的多晶片LED封裝模塊。
文檔編號(hào)H01L33/60GK101964383SQ20101022569
公開日2011年2月2日 申請(qǐng)日期2010年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月12日
發(fā)明者王清華 申請(qǐng)人:王清華