專利名稱：橫向擴散金屬氧化物晶體管及靜電保護架構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種橫向擴散金屬氧化物晶體管及靜 電保護架構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品的種類越來越多，電子產(chǎn)品的集成電路的集成程度也 越來越高。B⑶工藝是是實現(xiàn)智能功率集成電路(Smart Power IC)的一項重要工藝，其特 點是可同時將互補性金屬氧化物晶體管(CMOS)、雙極型(Bipolar)晶體管以及橫向擴散金 屬氧化物晶體管(LDMOS)等功率器件集成在一起，以便將控制、模擬和功率等各種功能系 統(tǒng)集成在同一芯片上。在電力電子領(lǐng)域中，作為BCD工藝中的功率器件，橫向擴散金屬氧化 物晶體管往往需要承受高壓，甚至需要承受上千伏的超高壓。具體請參考圖1，其為現(xiàn)有的橫向擴散金屬氧化物晶體管的示意圖，如圖1所示， 橫向擴散金屬氧化物晶體管100包括第一類型襯底101、柵極(間極)102、第二類型輕摻雜 區(qū)103、第一類型高壓阱區(qū)104、第二類型高壓阱區(qū)105、第一類型襯底電極區(qū)106、第二類型 源極區(qū)107、第二類型漏極區(qū)108、襯底金屬電極109、源極金屬電極110、漏極金屬電極111、 柵極金屬電極112、場氧化層113。所述橫向擴散金屬氧化物晶體管用作靜電保護時，漏極 金屬電極111與柵極102的距離一般為3 4μπι。此外，現(xiàn)有的橫向擴散金屬氧化物晶體管100還包括自對準金屬硅化物層 (Salicide)，以降低上述各個金屬電極的接觸電阻。具體的說，所述自對準金屬硅化物層包 括第一自對準金屬硅化物層109a、第二自對準金屬硅化物層110a、第三自對準金屬硅化物 層Illa以及第四自對準金屬硅化物層112a。其中，所述第一自對準金屬硅化物層109a形 成于襯底金屬電極109與第一類型襯底電極區(qū)106之間，第二自對準金屬硅化物層IlOa形 成于源極金屬電極110與第二類型源極區(qū)107之間，第三自對準金屬硅化物層Illa形成于 漏極金屬電極111與第二類型漏極區(qū)108之間，第四自對準金屬硅化物層112a則形成于柵 極金屬電極112與柵極102之間。一般的，所述自對準金屬硅化物層是通過以下步驟形成的，首先，在第一類型襯底 101表面形成自對準阻擋層，所述自對準阻擋層具有暴露所述柵極102、第一類型襯底電極 區(qū)106、第二類型源極區(qū)107、第二類型漏極區(qū)108的開口，所述自對準阻擋層的材質(zhì)可以 為富硅氧化物；接著，在所述第一類型襯底101表面沉積金屬層，所述金屬層可以是鈷、鈦 或鎳中的一種；然后，進行高溫退火工藝，以使所述金屬層與第一類型襯底101中的硅反 應(yīng)，從而生成金屬硅化物層。但是，在進行高溫退火的過程中，所述金屬層極易鉆入到場氧 化層113中，會導(dǎo)致在進行靜電放電(ESD)測試時，形成額外的電流通道，從而嚴生電流擁 擠(current crowding)現(xiàn)象，降低了現(xiàn)有的橫向擴散金屬氧化物晶體管的靜電放電能力級 別。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種橫向擴散金屬氧化物晶體管，以解決現(xiàn)有的橫向擴散金屬氧化物 晶體管的抗靜電能力較差的問題。本發(fā)明還提供一種靜電保護架構(gòu)，所述靜電保護架構(gòu)包括電阻以及與所述電阻電 連接的橫向擴散金屬氧化物晶體管，以解決現(xiàn)有的靜電保護架構(gòu)的抗靜電能力較差的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種橫向擴散金屬氧化物晶體管，包括第一類 型襯底；柵極，形成于所述第一類型襯底上；第二類型輕摻雜區(qū)，形成于所述第一類型襯底 中；第一類型高壓阱區(qū)，形成于所述第二類型輕摻雜區(qū)中；第二類型高壓阱區(qū)，形成于所述 第二類型輕摻雜區(qū)中；第一類型襯底電極區(qū)，形成于所述第一類型高壓阱區(qū)中；第二類型 源極區(qū)，形成于所述第一類型高壓阱區(qū)中；第二類型漏極區(qū)，形成于所述第二類型高壓阱區(qū) 中；襯底金屬電極，直接與所述第一類型襯底電極區(qū)連接；源極金屬電極，直接與所述第二 類型源極區(qū)連接；漏極金屬電極，直接與所述第二類型漏極區(qū)連接；柵極金屬電極，直接與 所述柵極連接?？蛇x的，在所述橫向擴散金屬氧化物晶體管中，還包括形成于所述第一類型襯底 中的第二類型埋層。可選的，在所述橫向擴散金屬氧化物晶體管中，還包括形成于所述第一類型高壓 阱區(qū)中的第一類型低壓阱區(qū)，所述第一類型低壓阱區(qū)包圍所述第一類型襯底電極區(qū)和第二 類型源極區(qū)?？蛇x的，在所述橫向擴散金屬氧化物晶體管中，還包括形成于所述第二類型高壓 阱區(qū)中的第二類型低壓阱區(qū)，所述第二類型低壓阱區(qū)包圍所述第二類型漏極區(qū)。可選的，在所述橫向擴散金屬氧化物晶體管中，還包括形成于所述第一類型襯底 上的厚場氧化層?？蛇x的，在所述橫向擴散金屬氧化物晶體管中，所述第一類型為P型，所述第二類 型為N型。可選的，在所述橫向擴散金屬氧化物晶體管中，所述第一類型為N型，所述第二類 型為P型?？蛇x的，在所述橫向擴散金屬氧化物晶體管中，所述漏極金屬電極與所述柵極的 距離為8 10 μ m。本發(fā)明還提供一種靜電保護架構(gòu)，所述靜電保護架構(gòu)包括電阻以及與所述電阻電 連接的橫向擴散金屬氧化物晶體管，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管包括第一類型襯底； 柵極，形成于所述第一類型襯底上；第二類型輕摻雜區(qū)，形成于所述第一類型襯底中；第一 類型高壓阱區(qū)，形成于所述第二類型輕摻雜區(qū)中；第二類型高壓阱區(qū)，形成于所述第二類型 輕摻雜區(qū)中；第一類型襯底電極區(qū)，形成于所述第一類型高壓阱區(qū)中；第二類型源極區(qū)，形 成于所述第一類型高壓阱區(qū)中；第二類型漏極區(qū)，形成于所述第二類型高壓阱區(qū)中；襯底 金屬電極，直接與所述第一類型襯底電極區(qū)連接；源極金屬電極，直接與所述第二類型源極 區(qū)連接；漏極金屬電極，直接與所述第二類型漏極區(qū)連接；柵極金屬電極，直接與所述柵極 連接?？蛇x的，在所述靜電保護架構(gòu)中，所述電阻大于或等于45K Ω。可選的，在所述靜電保護架構(gòu)中，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管還包括形成于
5所述第一類型襯底中的第二類型埋層?？蛇x的，在所述靜電保護架構(gòu)中，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管還包括形成于 所述第一類型高壓阱區(qū)中的第一類型低壓阱區(qū)，所述第一類型低壓阱區(qū)包圍所述第一類型 襯底電極區(qū)和第二類型源極區(qū)?？蛇x的，在所述靜電保護架構(gòu)中，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管還包括形成于 所述第二類型高壓阱區(qū)中的第二類型低壓阱區(qū)，所述第二類型低壓阱區(qū)包圍所述第二類型 漏極區(qū)?？蛇x的，在所述靜電保護架構(gòu)中，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管還包括形成于 所述第一類型襯底上的厚場氧化層?？蛇x的，在所述靜電保護架構(gòu)中，所述第一類型為P型，第二類型為N型?？蛇x的，在所述靜電保護架構(gòu)中，所述第一類型為N型，第二類型為P型?？蛇x的，在所述靜電保護架構(gòu)中，所述漏極金屬電極與所述柵極的距離為8 10 μ m。可選的，在所述靜電保護架構(gòu)中，所述柵極共有四個對稱的梳齒，每個所述梳齒的 長度為75 85μπι?？蛇x的，在所述靜電保護架構(gòu)中，在制作所述靜電保護架構(gòu)時，使自對準阻擋層覆 蓋橫向擴散金屬氧化物晶體管的全部區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提供的橫向擴散金屬氧化物晶體管省去了自對準金屬硅化物層，可避免形 成額外的電流通道，從而避免出現(xiàn)電流擁擠現(xiàn)象，提高了橫向擴散金屬氧化物晶體管的靜 電放電能力；在本發(fā)明提供的靜電保護架構(gòu)中，橫向擴散金屬氧化物晶體管與電阻電連接，所 述電阻可有效的開啟泄電，從而保護所述靜電保護架構(gòu)內(nèi)部的橫向擴散金屬氧化物晶體管 不受損壞，提高靜電保護架構(gòu)的可靠性。本發(fā)明提供的靜電保護架構(gòu)，操作簡單，繼續(xù)沿用橫向擴散金屬晶體管器件，因此 只需要調(diào)整版圖結(jié)構(gòu)，就可以達到經(jīng)典等級Class3要求；并且，由于不需要添加新的器件， 因此也無需花費更多時間和金錢對新器件進行可靠性測試，避免由于新器件的匹配而帶來 的風(fēng)險。


圖1為現(xiàn)有的橫向擴散金屬氧化物晶體管的示意圖；圖2為本發(fā)明實施例的橫向擴散金屬氧化物晶體管的俯視圖；圖3為本發(fā)明實施例的橫向擴散金屬氧化物晶體管的剖面圖；圖4為本發(fā)明實施例的靜電保護架構(gòu)的等效電路圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施 例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。 因此，下列描述應(yīng)當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能 和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應(yīng)當認為在任何實際實施例的開 發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的 限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當認為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費 時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要 求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非 精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。請參考圖2和圖3，其中，圖2為本發(fā)明實施例的橫向擴散金屬氧化物晶體管的俯 視圖，圖3為本發(fā)明實施例的橫向擴散金屬氧化物晶體管的剖面圖，所述剖面圖是沿著圖2 中X-Y虛線段切開。如圖3所示，橫向擴散金屬氧化物晶體管200包括第一類型襯底201、柵極202、第 二類型輕摻雜區(qū)203、第一類型高壓阱區(qū)204、第二類型高壓阱區(qū)205、第一類型襯底電極區(qū) 206、第二類型源極區(qū)207、第二類型漏極區(qū)208、襯底金屬電極209、源極金屬電極210、漏極 金屬電極211、柵極金屬電極212。所述柵極202形成于所述第一類型襯底201上，所述第二類型輕摻雜區(qū)203形成 于第一類型襯底201中。所述第一類型高壓阱區(qū)204形成于第二類型輕摻雜區(qū)203中，所述 第二類型高壓阱區(qū)205形成于第二類型輕摻雜區(qū)203中并位于所述第一類型高壓阱區(qū)204 的一側(cè)。所述第一類型襯底電極區(qū)206形成于第一類型高壓阱區(qū)204中，所述第二類型源 極區(qū)207同樣形成于第一類型高壓阱區(qū)204中，且所述第一類型襯底電極區(qū)206鄰近第二 類型源極區(qū)207形成。所述第二類型漏極區(qū)208形成于第二類型高壓阱區(qū)205中，且所述 第二類型源極區(qū)207與第二類型漏極區(qū)208分別形成于柵極202的兩側(cè)。所述第一類型高 壓阱區(qū)204以及第二類型輕摻雜區(qū)203分別具有一部分直接位于所述柵極202下方，以隔 開所述第二類型源極區(qū)207與第二類型漏極區(qū)208。所述襯底金屬電極209直接與第一類型襯底電極區(qū)206連接，通過所述襯底金屬 電極209可為所述第一類型襯底電極區(qū)206提供襯底電壓；所述源極金屬電極210直接與 第二類型源極區(qū)207連接，通過所述源極金屬電極210可為所述第二類型源極區(qū)207提供 源極電壓；所述漏極金屬電極211直接與第二類型漏極區(qū)208連接，通過所述漏極金屬電極 211可為所述第二類型漏極區(qū)208提供漏極電壓；所述柵極金屬電極212直接與所述柵極 202連接，通過所述柵極金屬電極212可為柵極202提供柵極電壓。經(jīng)發(fā)明人長期研究發(fā)現(xiàn)，由于橫向擴散金屬氧化物晶體管200省去了自對準金屬 硅化物層，可避免形成額外的電流通道，從而避免出現(xiàn)電流擁擠現(xiàn)象，進而提高橫向擴散金 屬氧化物晶體管200的靜電放電能力級別。并且，由于所述橫向擴散金屬氧化物晶體管200 在靜態(tài)放電時，例如人的手指觸碰到橫向擴散金屬氧化物晶體管200的漏極時，此時人體 上的高靜態(tài)電壓施加于第二類型漏極區(qū)208上，而所述柵極202、第一類型襯底電極區(qū)206 以及第二類型源極區(qū)207接地，此時，該第二類型輕摻雜區(qū)203與第一類型高壓阱區(qū)204之 間的PN結(jié)擊穿，即可對該高靜態(tài)電壓進行放電，因此盡管省去了自對準金屬硅化物層，也 就是說未形成歐姆接觸，但是并不會影響器件的速度。
在制造用作靜電保護架構(gòu)的橫向擴散金屬氧化物晶體管時，可使自對準阻擋層 (SAB)覆蓋橫向擴散金屬氧化物晶體管的全部區(qū)域，也就是說，可通過改變版圖結(jié)構(gòu)，使得 自對準阻擋層完全覆蓋第一類型襯底201表面，從而避免在所述柵極202、第一類型襯底電 極區(qū)206、第二類型源極區(qū)207以及第二類型漏極區(qū)208上形成自對準金屬硅化物層。在本發(fā)明的一個具體實施例中，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管200還包括形成 于第一類型襯底201上的厚場氧化層(thick field oxide) 213，所述厚場氧化層213將第 二類型漏極區(qū)208與另一橫向擴散金屬氧化物晶體管的第一類型襯底電極區(qū)及第二類型 源極區(qū)相隔開。進一步的，橫向擴散金屬氧化物晶體管200還包括形成于所述第一類型襯底201 中的第二類型埋層(未圖示)，所述第二類型埋層可通過離子注入的方式形成，所述第二類 型埋層可減小器件內(nèi)部電阻，從而增加放電電流。在本發(fā)明的一個具體實施例中，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管200還包括第一 類型低壓阱區(qū)214和第二類型低壓阱區(qū)215。所述第一類型低壓阱區(qū)214形成于第一類型 高壓阱區(qū)204中，所述第一類型低壓阱區(qū)214包圍第一類型襯底電極區(qū)206和第二類型源 極區(qū)207，所述第一類型低壓阱區(qū)214的摻雜濃度低于第一類型高壓阱區(qū)204的摻雜濃度。 所述第二類型低壓阱區(qū)215形成于第二類型高壓阱區(qū)205中，所述第二類型低壓阱區(qū)215 包圍第二類型漏極區(qū)208，所述第二類型低壓阱區(qū)215的摻雜濃度低于第二類型高壓阱區(qū) 205的摻雜濃度。通過調(diào)節(jié)所述第一類型低壓阱區(qū)214和第二類型低壓阱區(qū)215的摻雜濃 度及其位置，可調(diào)節(jié)橫向擴散金屬氧化物晶體管200靜電放電時的電流電壓(I-V)特性，進 一步提高該橫向擴散金屬氧化物晶體管200的抗靜電能力。以形成N型橫向擴散金屬氧化物晶體管為例，所述第一類型指的是P型，所述第二 類型指的是N型。然而應(yīng)當認識到，在本發(fā)明其它實施例中，所述第一類型也可以為N型， 相應(yīng)的，所述第二類型也可以為P型。如圖2所示，在本發(fā)明的一個具體實施例中，所述柵極202呈梳狀排列，所述柵極 202共有四個梳齒(finger)，每個梳齒的長度為75 85 μ m。優(yōu)選的，每個梳齒的長度為 SOym0與現(xiàn)有技術(shù)形成十個或十個以上梳齒相比，本發(fā)明實施例中的梳齒較少，因此可確 保每一個梳齒均被打開，改善了不均衡導(dǎo)通現(xiàn)象，進而提高橫向擴散金屬氧化物晶體管200 的靜電放電能力。請繼續(xù)參考圖2，在本發(fā)明的一個具體實施例中，所述漏極金屬電極211與柵極 202的距離L為8 10 μ m。與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述漏極金屬電極211與柵極202的距離L 較大，可增大散熱面積，進而提高器件的靜電放電能力。優(yōu)選的，所述漏極金屬電極211與 柵極202的距離為9 μ m。本發(fā)明還提供一種靜電保護架構(gòu)，所述靜電保護架構(gòu)包括電阻以及如圖3所示的 橫向擴散金屬氧化物晶體管200，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管200的柵極(閘極)與所 述電阻串聯(lián)。優(yōu)選的，所述電阻大于或等于45KΩ。在所述靜電保護架構(gòu)中，所述柵極202呈梳狀排列，所述柵極202共有四個梳齒 (finger)，每個梳齒的長度為75 85 μ m。優(yōu)選的，每個梳齒的長度為80 μ m。與現(xiàn)有技術(shù) 形成十個或十個以上梳齒相比，本發(fā)明實施例中的僅有四個對稱的梳齒，能最大限度的改 善了不均衡導(dǎo)通現(xiàn)象。
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在制作所述靜電保護架構(gòu)時，可使自對準阻擋層(SAB)覆蓋整個橫向擴散金屬氧 化物晶體管(靜電保護管)的區(qū)域，也就是說，通過改變版圖結(jié)構(gòu)，避免在所述柵極202、第 一類型襯底電極區(qū)206、第二類型源極區(qū)207以及第二類型漏極區(qū)208上形成自對準金屬硅 化物層，確保整個靜電保護管區(qū)域都不會形成自對準金屬硅化物層。本發(fā)明提供的靜電保護架構(gòu)，操作簡單，繼續(xù)沿用橫向擴散金屬晶體管器件，只需 要調(diào)整版圖結(jié)構(gòu)，就可以達到經(jīng)典等級Class3要求；此外，由于本發(fā)明提供的靜電保護架 構(gòu)不需要添加新的器件，因此也無需花費更多時間和金錢對新器件進行可靠性測試，避免 由于新器件的匹配而帶來的風(fēng)險。具體請參考圖4，其為本發(fā)明實施例的靜電保護架構(gòu)的等效電路圖。如圖4所示， 所述橫向擴散金屬氧化物晶體管200的柵極與電阻串聯(lián)，由于所述橫向擴散金屬氧化物晶 體管200串接了阻值較大的電阻，使得靜電保護架構(gòu)的開啟電壓比內(nèi)部的橫向擴散金屬氧 化物晶體管200小，所述阻值較大的電阻有效的開啟泄電，從而保護靜電保護架構(gòu)內(nèi)部的 橫向擴散金屬氧化物晶體管200不受損壞，提高靜電保護架構(gòu)的可靠性。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
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權(quán)利要求
一種橫向擴散金屬氧化物晶體管，包括第一類型襯底；柵極，形成于所述第一類型襯底上；第二類型輕摻雜區(qū)，形成于所述第一類型襯底中；第一類型高壓阱區(qū)，形成于所述第二類型輕摻雜區(qū)中；第二類型高壓阱區(qū)，形成于所述第二類型輕摻雜區(qū)中；第一類型襯底電極區(qū)，形成于所述第一類型高壓阱區(qū)中；第二類型源極區(qū)，形成于所述第一類型高壓阱區(qū)中；第二類型漏極區(qū)，形成于所述第二類型高壓阱區(qū)中；襯底金屬電極，直接與所述第一類型襯底電極區(qū)連接；源極金屬電極，直接與所述第二類型源極區(qū)連接；漏極金屬電極，直接與所述第二類型漏極區(qū)連接；柵極金屬電極，直接與所述柵極連接。
2.如權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物晶體管，其特征在于，還包括形成于所述 第一類型襯底中的第二類型埋層。
3.如權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物晶體管，其特征在于，還包括形成于所述 第一類型高壓阱區(qū)中的第一類型低壓阱區(qū)，所述第一類型低壓阱區(qū)包圍所述第一類型襯底 電極區(qū)和第二類型源極區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物晶體管，其特征在于，還包括形成于所述 第二類型高壓阱區(qū)中的第二類型低壓阱區(qū)，所述第二類型低壓阱區(qū)包圍所述第二類型漏極 區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物晶體管，其特征在于，還包括形成于所述 第一類型襯底上的厚場氧化層。
6.如權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物晶體管，其特征在于，所述第一類型為P 型，所述第二類型為N型。
7.如權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物晶體管，其特征在于，所述第一類型為N 型，所述第二類型為P型。
8.如權(quán)利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物晶體管，其特征在于，所述漏極金屬電極 與所述柵極的距離為8 10 μ m。
9.一種靜電保護架構(gòu)，包括電阻以及與所述電阻電連接的橫向擴散金屬氧化物晶體 管，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管包括第一類型襯底；柵極，形成于所述第一類型襯底上； 第二類型輕摻雜區(qū)，形成于所述第一類型襯底中； 第一類型高壓阱區(qū)，形成于所述第二類型輕摻雜區(qū)中； 第二類型高壓阱區(qū)，形成于所述第二類型輕摻雜區(qū)中； 第一類型襯底電極區(qū)，形成于所述第一類型高壓阱區(qū)中； 第二類型源極區(qū)，形成于所述第一類型高壓阱區(qū)中； 第二類型漏極區(qū)，形成于所述第二類型高壓阱區(qū)中；襯底金屬電極，直接與所述第一類型襯底電極區(qū)連接；源極金屬電極，直接與所述第二類型源極區(qū)連接；漏極金屬電極，直接與所述第二類型漏極區(qū)連接；柵極金屬電極，直接與所述柵極連接。
10.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，所述電阻大于或等于45ΚΩ。
11.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管 還包括形成于所述第一類型襯底中的第二類型埋層。
12.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管 還包括形成于所述第一類型高壓阱區(qū)中的第一類型低壓阱區(qū)，所述第一類型低壓阱區(qū)包圍 所述第一類型襯底電極區(qū)和第二類型源極區(qū)。
13.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管 還包括形成于所述第二類型高壓阱區(qū)中的第二類型低壓阱區(qū)，所述第二類型低壓阱區(qū)包圍 所述第二類型漏極區(qū)。
14.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物晶體管 還包括形成于所述第一類型襯底上的厚場氧化層。
15.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，所述第一類型為P型，所述第二類 型為N型。
16.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，所述第一類型為N型，所述第二類 型為P型。
17.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，所述漏極金屬電極與所述柵極的 距離為8 10 μ m。
18.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，所述柵極共有四個對稱的梳齒， 每個所述梳齒的長度為75 85 μ m。
19.如權(quán)利要求9所述的靜電保護架構(gòu)，其特征在于，在制作所述靜電保護架構(gòu)時，使 自對準阻擋層覆蓋橫向擴散金屬氧化物晶體管的全部區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種橫向擴散金屬氧化物晶體管及靜電保護架構(gòu)，該橫向擴散金屬氧化物晶體管包括第一類型襯底；柵極，形成于第一類型襯底上；第二類型輕摻雜區(qū)，形成于第一類型襯底中；第一類型高壓阱區(qū)，形成于第二類型輕摻雜區(qū)中；第二類型高壓阱區(qū)，形成于第二類型輕摻雜區(qū)中；第一類型襯底電極區(qū)，形成于第一類型高壓阱區(qū)中；第二類型源極區(qū)，形成于第一類型高壓阱區(qū)中；第二類型漏極區(qū)，形成于第二類型高壓阱區(qū)中；襯底金屬電極，直接與第一類型襯底電極區(qū)連接；源極金屬電極，直接與第二類型源極區(qū)連接；漏極金屬電極，直接與第二類型漏極區(qū)連接；柵極金屬電極，直接與柵極連接。本發(fā)明可提高橫向擴散金屬氧化物晶體管的靜電放電能力。
文檔編號H01L29/78GK101916777SQ20101022935
公開日2010年12月15日 申請日期2010年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月16日
發(fā)明者吳煒 申請人:中穎電子有限公司