專利名稱：延長光刻膠有效使用壽命的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種延長光刻膠有效使用壽命 的方法。
背景技術(shù)：
光刻技術(shù)伴隨集成電路制造工藝的不斷進步，線寬的不斷縮小，半導(dǎo)體器件的面 積正變得越來越小，半導(dǎo)體的布局已經(jīng)從普通的單一功能分離器件，演變成整合高密度多 功能的集成電路；由最初的IC (集成電路)隨后到LSI (大規(guī)模集成電路)，VLSI (超大規(guī)模 集成電路)，直至今天的ULSI (特大規(guī)模集成電路)，器件的面積進一步縮小，功能更為全面 強大?？紤]到工藝研發(fā)的復(fù)雜性，長期性和高昂的成本等等不利因素的制約，如何在現(xiàn)有技 術(shù)水平的基礎(chǔ)上進一步提高器件的集成密度，縮小芯片的面積，在同一枚硅片上盡可能多 的得到有效的芯片數(shù)，從而提高整體利益，將越來越受到芯片設(shè)計者，制造商的重視。隨著技術(shù)合作的加深，跨企業(yè)、跨國合作以及多區(qū)域合作成為半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)的一種 常見合作模式。這其中就包括半導(dǎo)體企業(yè)間相互支援設(shè)備、工藝的情況。在其中一家半導(dǎo)體 生產(chǎn)工廠內(nèi)完成涂膠工藝后將硅片打包送至另一家工廠進行曝光、顯影乃至刻蝕，這一情 況經(jīng)常發(fā)生。但是由于技術(shù)的不斷向前邁進，光刻膠對環(huán)境的要求也越來越苛刻，以往3-5 的涂膠后使用壽命被縮短至幾個小時，這就為這一合作模式設(shè)置了障礙。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特點是利用低溫淀積二氧化 硅(LTO)技術(shù)，在完成光刻膠涂布后，在其外表面淀積薄膜二氧化硅以確保材料不受到外 部環(huán)境的影響。為了達到上述目的，本發(fā)明提出一種延長光刻膠有效使用壽命的方法，包括下列 步驟提供一半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上涂布底部抗反射涂層；在所述底部抗反射涂層上涂布光刻膠；利用低溫淀積二氧化硅技術(shù)，在完成所述光刻膠涂布后，在其外表面淀積二氧化
硅薄膜。進一步的，當需要使用上述結(jié)構(gòu)時，先使用濕法刻蝕去除上述結(jié)構(gòu)表面的二氧化 硅薄膜，再進行光刻、刻蝕操作。進一步的，所述低溫淀積二氧化硅技術(shù)的淀積溫度為100 200度。進一步的，所述低溫淀積二氧化硅技術(shù)的淀積溫度為100度。進一步的，所述低溫淀積二氧化硅技術(shù)所淀積的二氧化硅薄膜厚度為1納米 1000納米。進一步的，所述低溫淀積二氧化硅技術(shù)所淀積的二氧化硅薄膜厚度為5納米。
進一步的，所述濕法刻蝕去除所述二氧化硅薄膜采用氫氟酸、氧化物蝕刻緩沖液 或氨水。本發(fā)明提出的延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特點是利用低溫淀積二氧化硅 (LTO)技術(shù)，在完成光刻膠涂布后，在其外表面淀積薄膜二氧化硅以確保材料不受到外部環(huán) 境的影響。當使用時，先使用濕法去除表面二氧化硅，再光刻、刻蝕圖形。進過實驗驗證，通 過這一方式可將光刻膠的壽命由原先的幾小時延長至1-2天，使跨廠、跨區(qū)域合作得以進 行。


圖1所示為在襯底上涂布底部抗反射涂層和光刻膠的示意圖。圖2所示為低溫淀積二氧化硅的示意圖。圖3所示為濕法刻蝕去除二氧化硅薄膜，再進行光刻、刻蝕操作的示意圖。
具體實施例方式為了更了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實施例并配合所附圖式說明如下。請參考圖1和圖2，圖1所示為在襯底上涂布底部抗反射涂層和光刻膠的示意圖， 圖2所示為低溫淀積二氧化硅的示意圖。本發(fā)明提出一種延長光刻膠有效使用壽命的方 法，包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底100 ；在所述半導(dǎo)體襯底100上涂布底部抗反射涂層200 ；在所述底部抗反射涂層200上涂布光刻膠300 ；利用低溫淀積二氧化硅技術(shù)，在完成所述光刻膠300涂布后，在其外表面淀積二 氧化硅薄膜400。進一步的，所述低溫淀積二氧化硅技術(shù)的淀積溫度為100 200度，所述低溫淀積 二氧化硅技術(shù)所淀積的二氧化硅薄膜厚度為1納米 1000納米。根據(jù)本發(fā)明較佳實施例，所述低溫淀積二氧化硅技術(shù)的淀積溫度為100度，所述 低溫淀積二氧化硅技術(shù)所淀積的二氧化硅薄膜400厚度為5納米。再請參考圖3，圖3所示為濕法刻蝕去除二氧化硅薄膜，再進行光刻、刻蝕操作的 示意圖。當需要使用上述結(jié)構(gòu)時，先使用濕法刻蝕去除上述結(jié)構(gòu)表面的二氧化硅薄膜400， 再進行光刻、刻蝕操作。進一步的，所述濕法刻蝕去除所述二氧化硅薄膜采用氫氟酸、氧化物蝕刻緩沖液 或氨水。根據(jù)本發(fā)明較佳實施例，本發(fā)明采用氫氟酸濕法刻蝕去除所述二氧化硅薄膜400。綜上所述，本發(fā)明提出的延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特點是利用低溫淀 積二氧化硅(LTO)技術(shù)，在完成光刻膠涂布后，在其外表面淀積薄膜二氧化硅以確保材料 不受到外部環(huán)境的影響。當使用時，先使用濕法去除表面二氧化硅，再光刻、刻蝕圖形。進 過實驗驗證，通過這一方式可將光刻膠的壽命由原先的幾小時延長至1-2天，使跨廠、跨區(qū) 域合作得以進行。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾。因 此，本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求書所界定者為準。
權(quán)利要求
一種延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特征在于，包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上涂布底部抗反射涂層；在所述底部抗反射涂層上涂布光刻膠；利用低溫淀積二氧化硅技術(shù)，在完成所述光刻膠涂布后，在其外表面淀積二氧化硅薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特征在于，當需要使用 上述結(jié)構(gòu)時，先使用濕法刻蝕去除上述結(jié)構(gòu)表面的二氧化硅薄膜，再進行光刻、刻蝕操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特征在于，所述低溫淀 積二氧化硅技術(shù)的淀積溫度為100 200度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特征在于，所述低溫淀 積二氧化硅技術(shù)的淀積溫度為100度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特征在于，所述低溫淀 積二氧化硅技術(shù)所淀積的二氧化硅薄膜厚度為1納米 1000納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特征在于，所述低溫淀 積二氧化硅技術(shù)所淀積的二氧化硅薄膜厚度為5納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特征在于，所述濕法刻 蝕去除所述二氧化硅薄膜采用氫氟酸、氧化物蝕刻緩沖液或氨水。
全文摘要
本發(fā)明提出一種延長光刻膠有效使用壽命的方法，包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上涂布底部抗反射涂層；在所述底部抗反射涂層上涂布光刻膠；利用低溫淀積二氧化硅技術(shù)，在完成所述光刻膠涂布后，在其外表面淀積二氧化硅薄膜。當需要使用上述結(jié)構(gòu)時，先使用濕法刻蝕去除上述結(jié)構(gòu)表面的二氧化硅薄膜，再進行光刻、刻蝕操作。本發(fā)明提出的延長光刻膠有效使用壽命的方法，其特點是利用低溫淀積二氧化硅(LTO)技術(shù)，在完成光刻膠涂布后，在其外表面淀積薄膜二氧化硅以確保材料不受到外部環(huán)境的影響。
文檔編號H01L21/316GK101958246SQ201010229380
公開日2011年1月26日 申請日期2010年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月16日
發(fā)明者朱駿 申請人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司