專利名稱：電阻器模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種電阻器模塊及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有多層結(jié) 構(gòu)的電阻器模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的電阻組件個別制作完成后再一顆顆分別固定于基板上。然而，傳統(tǒng)電阻器 的體積較大，當(dāng)基板所需的電阻組件的數(shù)量愈多時，需要較大面積的基板，導(dǎo)致最終產(chǎn)品的 尺寸過大。并且，傳統(tǒng)電阻組件須一顆顆地插入或組裝至基板中，相當(dāng)耗時且耗成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種電阻器模塊及其制造方法，電阻器模塊具有多層電阻層，可同 時提供多個電阻組件。此外，通過多層電阻層的設(shè)計，可增加電阻的電性路徑長度，以增加 電阻值。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種電阻器模塊。電阻器模塊包括一基板及數(shù)個電阻 結(jié)構(gòu)。每個電阻結(jié)構(gòu)形成于基板上并包括一第一電阻層、一介電層及一第二電阻層。第一 電阻層形成于基板上。介電層形成于第一電阻層的上表面上。第二電阻層形成介電層上。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種電阻器模塊的制造方法。制造方法包括以下步 驟。提供一基板；形成一第一電阻層于基板上，第一電阻層定義一第一接點及一第二接點； 形成一介電層覆蓋第一電阻層的上表面，介電層具有一第一開孔及一第二開孔，第一開孔 露出第一接點且第二開孔露出第二接點；以及，形成一第二電阻層于介電層上，第二電阻層 通過第一開孔電性連接于第一接點。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作 詳細說明如下


圖1繪示依照本發(fā)明第一實施例的電阻器模塊的上視圖。圖2繪示圖1中方向2-2’的剖視圖。圖3繪示依照本發(fā)明第一實施例的電阻器模塊的制造流程圖。圖4A至4D繪示圖1的電阻器模塊的制造示意圖。圖5A繪示依照本發(fā)明第二實施例的電阻器模塊的上視圖。圖5B繪示圖5A中方向5B-5B，的剖視圖。圖6繪示依照本發(fā)明第三實施例的電阻器模塊的剖視圖。圖7繪示依照本發(fā)明一實施例的電阻器模塊的剖視圖。圖8繪示圖6的電阻器模塊的制造示意圖。圖9繪示依照本發(fā)明另一實施例的電阻器模塊的剖視圖。圖10繪示依照本發(fā)明第四實施例的電阻器模塊的剖視圖。
圖11繪示依照本發(fā)明第四實施例的電阻器模塊的制造流程圖。圖12A至12D繪示圖10的電阻器模塊的制造示意圖。圖13繪示依照本發(fā)明其它實施例的電阻器模塊的剖視圖。主要組件符號說明100、200、300、400、500、600、700 電阻器模塊102 基板104、104，、204、304、604 電阻結(jié)構(gòu) 106,106\206,306,606 第一電阻層108、108，、208、308、608 第二電阻層110、210、310、610 第一介電層112、212、312、612 第一開孔114、214、314、614 第二開孔116、216、316、616 第一接點118、218、318、618 第二接點120、220、320、620 第三接點122、124、126、150、224、226、326、350、624、626、650 上表面128、228、628 第二介電層130,230,630 第三開孔132、232、632 第四開孔134、234、334、434、534、634 第一電性觸點136、236、336、536、636 第二電性觸點238、338、638 第四接點208a:第一子電阻層208b:第二子電阻層308a:第三子電阻層308b 1 第四子電阻層308b2:第五子電阻層344、444、544、644 第三電性觸點346、546、646 第四電性觸點448 焊線552,752 種子層754 第一凸塊金屬756 第二凸塊金屬758:第三凸塊金屬760:第四凸塊金屬108a 一部分R 電阻器模塊定義區(qū)S102-S112、S602_614 步驟W:寬度
具體實施例方式第一實施例請參照圖1，其繪示依照本發(fā)明第一實施例的電阻器模塊的上視圖。電阻器模塊 100包括基板102及數(shù)個電阻結(jié)構(gòu)104。基板102例如是晶圓(wafer)、氧化硅基板或含有 塑料或樹脂成份的半導(dǎo)體基板。電阻結(jié)構(gòu)104形成于基板102上。請參照圖2，其繪示圖1中方向2-2’的剖視圖。電阻結(jié)構(gòu)104包括第一電阻層106、 第二電阻層108、第一介電層110、第二介電層128、第一電性觸點(electricalcontact) 134 及第二電性觸點136。其中，第一電阻層106形成于基板102上，第一介電層110形成于第 一電阻層106的上表面124上，使第二電阻層108形成于第一介電層110的上表面150上 后，第一電阻層106與第二電阻層108構(gòu)成上下重迭的雙層結(jié)構(gòu)。本實施例中，第一電阻層106與第二電阻層108電性連接。相較于傳統(tǒng)的單層電 阻結(jié)構(gòu)，本實施例的電阻結(jié)構(gòu)104經(jīng)由第一電阻層106與第二電阻層108所構(gòu)成的雙層結(jié) 構(gòu)來增加電阻層的長度，大幅提高電阻結(jié)構(gòu)104的電阻值。本發(fā)明的電阻層的層數(shù)并不限 于雙層，于其它實施方面中，電阻器模塊的電阻層的層數(shù)亦可超過二層。
如圖1及圖2所示，整個第二電阻層108隔著第一介電層110與第一電阻層106重 迭，使電阻結(jié)構(gòu)104的鋪設(shè)范圍較小，可節(jié)省基板102的面積，然此非用以限制本發(fā)明。于 一實施方面中，如圖1所示，電阻結(jié)構(gòu)104’的第二電阻層108’中僅一部分隔著第一介電層 110 (第一介電層110未繪示于圖1)重迭于第一電阻層106’。請繼續(xù)參照圖1，雖然電阻結(jié)構(gòu)104’的鋪設(shè)范圍較電阻結(jié)構(gòu)104大，然第二電阻層 108’的寬度W較大，使電阻結(jié)構(gòu)104’的電阻值減小。進一步地說，通過電阻層的長度及寬 度的設(shè)計，可設(shè)計出不同的電阻值。一般而言，電阻層的長度愈長，電阻值愈大，而電阻層的 寬度愈寬，電阻值愈小。此外，如圖1所示，數(shù)個第二電阻層108鋪設(shè)出的范圍大致上含蓋基板102的整個 上表面122，可降低電磁干擾(electromagnetic interference, EMI)的影響與干擾。如圖2所示，第二電阻層108與第一電阻層106位于不同的垂直高度位置，即第二 電阻層108往基板102的厚度方向延伸發(fā)展。如此一來，在有限的基板面積下可往基板102 的厚度方向形成較多數(shù)量的電阻結(jié)構(gòu)。電阻器模塊100的電阻結(jié)構(gòu)104的數(shù)量大約介于28 個至32個之間，然此非用以限制本發(fā)明，電阻結(jié)構(gòu)104的數(shù)量可以超過32個或小于28個。第一介電層110覆蓋第一電阻層106的上表面124并具有第一開孔112及第二開 孔114，第一電阻層106的上表面124定義第一接點116及第二接點118，第一開孔112露 出第一接點116，而第二開孔114露出第二接點118。第二電阻層108的上表面126定義第三接點120，第二電阻層108的一部分108a 形成于第一開孔112內(nèi)并電性連接于第一接點116，使第二電阻層108電性連接于第一電阻 層106。第二電阻層108的該部分108a大致上垂直于第一電阻層106。第一接點116、第二接點118及第三接點120定義于電阻層的表面上的電性接觸區(qū) 域(region)，焊線、電性觸點、接墊、凸塊金屬、表面處理層(surface finish)或其它電性 結(jié)構(gòu)可形成于該電性連接區(qū)上。第一接點116、第二接點118及第三接點120的位置決定第二接點118至第三接點120間的電性路徑長度，藉此可設(shè)計出不同的電阻值。本實施例的第一接點116、第二接點 118及第三接點120的位置可視實際的電阻設(shè)計值而定，不受本發(fā)明實施所限制。第二接點118及第三接點120可作為第一電阻層106與第二電阻層108所構(gòu)成的 結(jié)構(gòu)的正、負極。第二接點118及第三接點120可通過焊線(solder wire)電性連接于一 外部電路，例如是觸控面板的控制模塊。雖然第三接點120的位置重迭于第一電阻層106，然此非用以限制本發(fā)明，第三接 點120的位置亦可不重迭于第一電阻層106。舉例來說，于其它實施方面中， 第二電阻層108 的一部分亦可不重迭于第一電阻層106，而第三接點120定義于第二電阻層108的該部分 上，如此第三接點120的位置便不重迭于第一電阻層106。第二介電層128覆蓋第二電阻層108并具有第三開孔130及第四開孔132。第四 開孔132露出第二開孔114及第二接點118，第三開孔130露出第三接點120。第一電性觸點134形成于第三開孔130內(nèi)及第三接點120上以電性連接于第二電 阻層108，并用以與外部電路電性接觸。第二電性觸點136形成于第二開孔114內(nèi)、第四開 孔132內(nèi)及第二接點118上以電性連接于第一電阻層106，并用以與外部電路電性接觸。第一電性觸點134及第二電性觸點136例如是鋁墊(pad)，其可提供較佳的電性連 接質(zhì)量外，亦可保護第二接點118及第三接點120，避免其受到環(huán)境的破壞。雖然第一電性觸點134及第二電性觸點136以鋁墊(pad)為例說明，然此非用以 限定本發(fā)明。于一實施方面中，第一電性觸點134及第二電性觸點136亦可為凸塊金屬 (Under-Bump Metallization, UBM)。以下以圖3并搭配圖4A至4D說明圖1的電阻器模塊的制造方法。圖3繪示依照 本發(fā)明第一實施例的電阻器模塊的制造流程圖，圖4A至4D繪示圖1的電阻器模塊的制造 示意圖。于步驟S 102中，提供如圖4A所示的基板102?；?02定義有數(shù)個(圖4A僅繪 示出單個)電阻器模塊定義區(qū)R。后續(xù)步驟所形成的結(jié)構(gòu)對應(yīng)地形成于該些電阻器模塊定 義區(qū)R內(nèi)。于切割步驟中沿著電阻器模塊定義區(qū)R的范圍進行切割動作，即可切出多個電 阻器模塊100。進一步地說，本實施例的電阻器模塊的制造方法可一次制造數(shù)個電阻器模 塊，提升生產(chǎn)量，然此非用以限制本發(fā)明。于一實施方面中，基板102可僅定義單個電阻器 模塊定義區(qū)R。然后，于步驟S104中，如圖4A所示，形成數(shù)個第一電阻層106于基板102的上表 面122上，并于第一電阻層106的上表面124定義第一接點116及第二接點118。于本步驟S104中，可應(yīng)用濺鍍(sputter)方式形成一電阻材料于基板102的上表 面122上。然后再應(yīng)用圖案化技術(shù)圖案化該電阻材料以形成該些第一電阻層106。其中，該 電阻材料例如是氮化鉭(TaN)、PbTi03、二氧化釕(Ru02)、磷化鎳(NiP)、鉻化鎳(NiCr)及 NCAlSi等高電阻值材料。上述圖案化技術(shù)例如是微影工藝(photolithography)、化學(xué)蝕刻 (chemicaletching)、等離子蝕刻(plasma etching)、激光鉆孔(laser drilling)、機械鉆 孔(mechanicaldrilling)或激光切割。然后，于步驟S106中，如圖4B所示，形成第一介電層110覆蓋第一電阻層106的 上表面124。第一介電層110具有第一開孔112及第二開孔114，第一開孔112露出第一接點116，且第二開孔114露出第二接點118。為清楚表示電阻結(jié)構(gòu)，圖4B至4D僅繪示出單個電阻結(jié)構(gòu)。于本步驟S106中，可應(yīng)用數(shù)種涂布技術(shù)的一種來形成一介電材料，介電材料例如 是光阻劑。該些涂布技術(shù)例如是印刷(printing)、旋涂(spinning)或噴涂(spraying)。之 后，應(yīng)用上述圖案化技術(shù)圖案化該介電材料以形成如圖4B所示的第一介電層110。然后，于步驟S108中，如圖4C所示，形成第二電阻層108于第一介電層110上，第 二電阻層108的上表面126定義第三接點120。第二電阻層108通過第一開孔112電性連 接于第一電阻層106的第一接點116。然后，于步驟Sl 10中，如圖4D所示，形成第二介電層128覆蓋第二電阻層108。第 二介電層128具有第三開孔130及第四開孔132，第四開孔132露出第二開孔114及第二接 點118，而第三開孔130露出第三接點120。形成第二介電層128的方法相似于形成第一介 電層110的方法，在此不再贅述。然后，于步驟S112中，應(yīng)用例如是濺鍍的方式，分別形成如圖2所示的第一電性觸 點134及第二電性觸點136于第三接點120及第二接點118上。步驟S112之后，對應(yīng)各電阻器模塊100的電阻器模塊定義區(qū)R的范圍，切割第一 介電層110、第二介電層128及基板102，以形成數(shù)個如圖1所示的電阻器模塊100。第二實施例請參照圖5A及5B，圖5A繪示依照本發(fā)明第二實施例的電阻器模塊的上視圖，圖 5B繪示圖5A中方向5B-5B’的剖視圖。第二實施例中與第一實施例相同之處沿用相同標(biāo) 號，在此不再贅述。第二實施例的電阻器模塊200與第一實施例的電阻器模塊100不同之 處在于，電阻器模塊200中電阻結(jié)構(gòu)204的第二電阻層208具有第四接點238，其可作為第 二電阻層208的正或負極。如圖5A所示，電阻器模塊200包括基板102及數(shù)個電阻結(jié)構(gòu)204。如圖5B所示， 電阻結(jié)構(gòu)204形成于基板102上。電阻結(jié)構(gòu)204包括第一電阻層206、第二電阻層208、第 一介電層210、第二介電層228、第一電性觸點234及第二電性觸點236。第一電阻層206形 成于基板102上。第一介電層210形成于第一電阻層206的上表面224上。第二電阻層208包括第一子電阻層208a及第二子電阻層208b，第一子電阻層 208a與第二子電阻層208b在空間上彼此隔離。第一子電阻層208a通過第一開孔212電性 連接于第一接點216而第二子電阻層208b通過第二開孔214電性連接于第二接點218，使 第一子電阻層208a電性連接于第二子電阻層208b。第一子電阻層208a的一部分形成于第一開孔212內(nèi)并與第一電阻層206上下重 迭，其余部分與第一子電阻層208a錯開而不重迭，第二子電阻層208b亦同。由上述第一實施例及第二實施例可知，第一電阻層206與第二電阻層208的走向 以及正、負極位置配置具有多種變化，可提供多種電性路徑長度及電阻值的實施方面。第一電阻層206的上表面224定義第一接點216及第二接點218，第二電阻層208 的上表面226定義第三接點220及第四接點238，第三接點220及第四接點238可作為第二 電阻層208的正、負極。其中，第三接點220及第四接點238的位置不與第一電阻層206重 迭。第二介電層228具有第三開孔230及第四開孔232，第三開孔230及第四開孔232分別露出第三接點220及第四接點238。第一電性觸點234及第二電性觸點236分別形成 于第三接點220及第四接點238上以與外部電路電性接觸。第一電性觸點234及第二電性 觸點236可以是鋁墊或凸塊金屬，本實施例的第一電性觸點234及第二電性觸點236以鋁 墊為例作說明。圖5A的電阻器模塊200的制造方法相似于第一實施例的電阻器模塊100的制造 方法，在此不再重復(fù)贅述。第三實施例請參照圖6，其繪示依照本發(fā)明第三實施例的電阻器模塊的剖視圖。第三實施例中 與第一實施例相同之處沿用相同標(biāo)號，在此不再贅述。第三實施例的電阻器模塊300與第 一實施例的電阻器模塊100不同之處在于，電阻器模塊300的第一電阻層306與第二電阻 層308在空間上及在電性上彼此隔離。電阻器模塊300包括基板102及數(shù)個電阻結(jié)構(gòu)304(圖6僅繪示單個電阻結(jié)構(gòu) 304)。電阻結(jié)構(gòu)304形成于基板102上。電阻結(jié)構(gòu)304包括第一電阻層306、第二電阻層 308、第一介電層310、第二介電層328、第一電性觸點334、第二電性觸點336、第三電性觸點 344及第四電性觸點346。第一電阻層306形成于基板102上并定義第一接點316及第二接點318，第一介電 層310形成于第一電阻層306上，第二電阻層308形成于第一介電層310上并定義第三接 點320及第四接點338。第二電阻層308的第三接點320及第四接點338與第一電阻層306 電性隔離。進一步地說，電阻結(jié)構(gòu)304具有電性分離的二個電阻層，分別第一電阻層306及 第二電阻層308。其中，第一接點316及第二接點318可作為第一電阻層306的正、負極，而 第三接點320及第四接點338可作為第二電阻層308的正、負極。此外，請參照圖7，其繪示依照本發(fā)明一實施例的電阻器模塊的剖視圖。電阻器模 塊400的第一電性觸點434可通過焊線448電性連接于第三電性觸點444。如此一來，第一 電阻層306電性連接于第二電阻層308，使第一電阻層306與第二電阻層308電性連接而成 為單一電阻。相較于分離的第一電阻層306與第二電阻層308，由第一電阻層306與第二電 阻層308所連接成的單一電阻，其電性路徑增長、電阻值增大。反過來說，若欲得到電阻值 較小的電阻結(jié)構(gòu)，可比照圖6的電阻器模塊，于電阻結(jié)構(gòu)中形成多層電性分離的電阻層。以下以圖3并搭配圖8說明圖6的電阻器模塊的制造方法。圖8繪示圖6的電阻 器模塊的制造示意圖。制造電阻器模塊300的步驟S102至S106相似于制造電阻器模塊 100的步驟S102及S106，在此不再重復(fù)說明，以下從步驟S108開始說明。于步驟S108中，如圖8所示，形成第二電阻層308于第一介電層310上。第二電 阻層308包括第三子電阻層308a、第四子電阻層308bl及第五子電阻層308b2。第三子電 阻層308a的上表面326定義第三接點320及第四接點338。第四子電阻層308bl形成于第一介電層310的第一開孔312內(nèi)及第一接點316上。 第五子電阻層308b2形成于第一介電層310的第二開孔314內(nèi)及第二接點318上，第四子 電阻層308bl及第五子電阻層308b2大致上垂直于第一電阻層306。于本步驟S108中，可應(yīng)用濺鍍技術(shù)形成上述電阻材料于第一介電層310的上表面 350上。然后再應(yīng)用上述圖案化技術(shù)圖案化該電阻材料，以形成彼此隔離的第三子電阻層 308a、第四子電阻層308bl與第五子電阻層308b2。
然后，于步驟SllO中，形成如圖6所示的第二介電層328覆蓋第二電阻層308。然后，于步驟S112中，分別形成如圖6所示的第一電性觸點334、第二電性觸點336、第三電性觸點344及第四電性觸點346于第一接點316、第二接點318、第三接點320 及第四接點338上。然后，對應(yīng)各電阻器模塊300的電阻器模塊定義區(qū)的范圍，切割第一介 電層310、第二介電層328及基板102，以形成數(shù)個如圖6所示的電阻器模塊300。此外，于另一實施例中，請圖9所示，其繪示依照本發(fā)明另一實施例的電阻器模塊 的剖視圖，電阻器模塊500更包括種子層(seed layer) 5520電阻器模塊500的制造方法中 于步驟SllO之后更包括以下步驟以濺鍍或電鍍方式形成種子層552于第一接點316、第 二接點318、第三接點320及第四接點338上；然后，以電鍍方式形成第一電性觸點534、第 二電性觸點536、第三電性觸點544及第四電性觸點546于種子層552上，以形成如圖9所 示的電阻器模塊500。其中，第一電性觸點534、第二電性觸點536、第三電性觸點544及第 四電性觸點546凸塊金屬。第四實施例請參照圖10，其繪示依照本發(fā)明第四實施例的電阻器模塊的剖視圖。第四實施例 中與第三實施例相同之處沿用相同標(biāo)號，在此不再贅述。第四實施例的電阻器模塊600與 第三實施例的電阻器模塊300不同之處在于，電阻器模塊600的第一電性觸點634及第二 電性觸點636形成于第一電阻層606上。電阻器模塊600包括基板102及數(shù)個電阻結(jié)構(gòu)604 (圖10僅繪示出單個電阻結(jié)構(gòu) 604)。電阻結(jié)構(gòu)604形成于基板102上。電阻結(jié)構(gòu)604包括第一電阻層606、第二電阻層 608、第一介電層610、第二介電層628、第一電性觸點634、第二電性觸點636、第三電性觸點 644及第四電性觸點646。第一電性觸點634及第二電性觸點636接墊，其形成于第一電阻層606上，而第三 電性觸點644及第四電性觸點646接墊，其形成于第二電阻層608上。第一介電層610覆蓋部分的第一電性觸點634及部分的第二電性觸點636，第一電 性觸點634及第二電性觸點636夾設(shè)于第一介電層610與第一電阻層606之間，使第一電 性觸點634及第二電性觸點636更穩(wěn)固地形成于第一電阻層606上。相似于第一介電層610的技術(shù)特征，第二介電層628覆蓋部分的第三電性觸點644 及部分的第四電性觸點646，第三電性觸點644及第四電性觸點646夾設(shè)于第二電阻層608 與第二介電層628之間，使第三電性觸點644及第四電性觸點646更穩(wěn)固地形成于第二電 阻層608上。以下以圖11并搭配圖12A至12D說明圖10的電阻器模塊的制造示意圖。圖11 繪示依照本發(fā)明第四實施例的電阻器模塊的制造流程圖，圖12A至12D繪示圖10的電阻器 模塊的制造示意圖。圖11的步驟S602及S604相似于圖3的步驟S 102及S104，在此不再 重復(fù)贅述，以下從步驟S606開始說明。于步驟S606中，如圖12A所示，形成第一電性觸點634及第二電性觸點636于第 一電阻層606的第一接點616及第二接點618上。第一接點616及第二接點618定義于第 一電阻層606的上表面624上。然后，于步驟S608中，如圖12B所示，形成第一介電層610覆蓋第一電阻層606、部 份的第一電性觸點634及部分的第二電性觸點636。第一介電層610具有第一開孔612及第二開孔614，其分別露出第一電性觸點634及第二電性觸點636。然后，于步驟S610中，如圖12C所示，形成第二電阻層608于第一介電層610的上 表面650上。第二電阻層608的上表面626定義第三接點620及第四接點638，第二電阻層 608并與第一電阻層606電性分離。然后，于步驟S612中，如圖12D所示，形成第三電性觸點644及第四電性觸點646 于第二電阻層608的第三接點620及第四接點638上。然后，于步驟S614中，形成如圖10所 示的第二介電層628覆蓋部分的第三電性觸 點644、部分的第四電性觸點646及第二電阻層608。第二介電層628具有第三開孔630及 第四開孔632，其分別露出第三電性觸點644及第四電性觸點646。至此，形成圖10的電阻 器模塊600。此外，于另一實施例中，請參照圖13，其繪示依照本發(fā)明其它實施例的電阻器模塊 的剖視圖。相較于電阻器模塊600，電阻器模塊700更包括種子層752、第一凸塊金屬754、 第二凸塊金屬756、第三凸塊金屬758及第四凸塊金屬760。以下以圖11說明電阻器模塊 700的制造方法。于步驟S612后，電阻器模塊700的制造方法更包括以濺鍍或電鍍方式 形成種子層752于第一電性觸點634、第二電性觸點636、第三電性觸點644及第四電性觸 點646上。然后，形成第一凸塊金屬754、第二凸塊金屬756、第三凸塊金屬758及第四凸塊 金屬760于種子層752上，以形成如圖13所示的電阻器模塊700。本發(fā)明上述實施例所揭露的電阻器模塊及其制造方法，具有多項特征，列舉部份 特征說明如下(1).第二電阻層與第一電阻層位于不同的垂直高度位置，即第二電阻層可往基板 的厚度方向延伸發(fā)展。如此一來，在有限的基板面積下可形成較多數(shù)量的電阻結(jié)構(gòu)。(2).數(shù)個第一電阻層及數(shù)個第二電阻層鋪設(shè)成的范圍大致上含蓋基板的上表面， 具有降低EMI干擾的效果。(3).第一電阻層可與第二電阻層電性連接或電性分離，實際應(yīng)用可視設(shè)計需求而 定。若第一電阻層及第二電阻層電性連接，則可增加電性路徑的長度以提高電阻值；若第一 電阻層及第二電阻層電性分離，則可增加電阻的數(shù)目。(4).電阻器模塊以半導(dǎo)體技術(shù)完成，大幅地縮小最終電阻器模塊的體積。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動 與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種電阻器模塊，包括一基板；以及數(shù)個電阻結(jié)構(gòu)，形成于該基板上，各該電阻結(jié)構(gòu)包括一第一電阻層，形成于該基板上；一介電層，形成于該第一電阻層的上表面上；及一第二電阻層，形成該介電層上。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻器模塊，其中該第一電阻層與該第二電阻層電性連接。
3.如權(quán)利要求2所述的電阻器模塊，其中該介電層具有一第一開孔及一第二開孔，該 第一電阻層定義一第一接點及一第二接點，該第一開孔露出該第一接點且該第二開孔露出 該第二接點，該第二電阻層通過該第一開孔電性連接于該第一接點。
4.如權(quán)利要求3所述的電阻器模塊，該第二電阻層包括一第一子電阻層及一第二子電 阻層，該第一子電阻層與該第二子電阻層彼此隔離，且該第一子電阻層通過該第一開孔電 性連接于該第一接點而該第二子電阻層通過該第二開孔電性連接于該第二接點。
5.如權(quán)利要求3所述的電阻器模塊，其中該第二電阻層更定義一第三接點，各該電阻 結(jié)構(gòu)更包括一電性觸點，形成于該第三接點上。
6.如權(quán)利要求5所述的電阻器模塊，其中該電性觸點凸塊金屬或鋁墊。
7.如權(quán)利要求5所述的電阻器模塊，其中各該電阻結(jié)構(gòu)更包括 一種子層，形成于該電性觸點上；以及一凸塊金屬，形成于該種子層上。
8.如權(quán)利要求5所述的電阻器模塊，其中各該電阻結(jié)構(gòu)更包括 一種子層，形成于該電性觸點與該第二電阻層之間。
9.如權(quán)利要求1所述的電阻器模塊，其中該第二電阻層的至少一部分隔著該介電層重 迭于該第一電阻層。
10.如權(quán)利要求1所述的電阻器模塊，其中該第二電阻層更定義一第三接點及一第四 接點，該第三接點及該第四接點與該第一電阻層電性隔離。
11.如權(quán)利要求10所述的電阻器模塊，其中各該電阻結(jié)構(gòu)更包括 一焊線，電性連接該第一接點與該第三接點。
12.如權(quán)利要求1所述的電阻器模塊，其中該第一電阻層及該第一電阻層的材質(zhì)氮化 鉭TaN、PbTiO3、二氧化釕RuO2、磷化鎳(NiP)、鉻化鎳(NiCr)與NCAlSi中至少一者。
13.—種電阻器模塊的制造方法，包括 提供一基板；形成一第一電阻層于該基板上，該第一電阻層定義一第一接點及一第二接點； 形成一介電層覆蓋該第一電阻層的上表面，該介電層具有一第一開孔及一第二開孔， 該第一開孔露出該第一接點且該第二開孔露出該第二接點；以及形成一第二電阻層于該介電層上，該第二電阻層通過該第一開孔電性連接于該第一接點ο
14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其中于形成該第二電阻層的該步驟中，該第二電 阻層包括一第一子電阻層及一第二子電阻層，該第一子電阻層與該第二子電阻層電性隔離，且該第一子電阻層通過該第一開孔電性連接于該第一接點，而該第二子電阻層通過該 第二開孔電性連接于該第二接點。
15.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其中于形成該第二電阻層的該步驟中，該第二電 阻層更定義一第三接點，更包括形成一電性觸點于該第三接點上。
16.如權(quán)利要求15所述的制造方法，更包括 形成一種子層于該電性觸點上；以及形成一凸塊金屬于該種子層上。
17.如權(quán)利要求15所述的制造方法，其中該電性觸點凸塊金屬或鋁墊。
18.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其中該第二電阻層更定義一第三接點，該制造方 法更包括形成一種子層于該第三接點上；以及 形成一電性觸點于該種子層上。
全文摘要
一種電阻器模塊及其制造方法。電阻器模塊包括基板及數(shù)個電阻結(jié)構(gòu)。每個電阻結(jié)構(gòu)形成于基板上并包括第一電阻層、介電層及第二電阻層。第一電阻層形成于基板上。介電層形成于第一電阻層的上表面上。第二電阻層形成介電層上。
文檔編號H01C17/00GK101937748SQ20101024088
公開日2011年1月5日 申請日期2010年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月23日
發(fā)明者李德章, 陳建樺 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司