專利名稱：一種改善dkdp晶體普克爾盒性能的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用多電極改善DKDP電光晶體普克爾盒性能的方法，屬于電光開關(guān)技 術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
DKDP電光晶體(以下稱晶體)在作普克爾盒使用時(shí)，一般使用一對環(huán)狀電極，將這 對電極稱為主電極，如

圖1所示，在晶體1的兩端各設(shè)有一個(gè)環(huán)狀的主電極2。圖1所示坐 標(biāo)系Z軸為通光方向，在兩個(gè)主電極2之間加上電壓V，當(dāng)一束偏振方向與X軸或Y軸方向 平行的線偏振光射入晶體1后，這束線偏振光可分解成兩束相互垂直的線偏振光，由晶體 的特性可知，這兩束光通過晶體1時(shí)產(chǎn)生的相位延遲為
權(quán)利要求
一種改善DKDP晶體普克爾盒性能的方法，其特征是在電光晶體的兩端除了分別設(shè)有一個(gè)環(huán)狀主電極以外，再分別增設(shè)一個(gè)環(huán)狀輔助電極，使晶體的每一端均帶有一個(gè)主電極和一個(gè)輔助電極，輔助電極在主電極與電光晶體端面之間，并且輔助電極與主電極隔開，晶體每端的輔助電極與主電極之間以及兩個(gè)輔助電極之間均設(shè)有分壓電阻，這樣當(dāng)主電極之間加上電壓V時(shí)，通過分壓電阻實(shí)現(xiàn)在主電極與輔助電極之間加上一個(gè)輔助電壓，利用環(huán)狀電極的電壓特性，輔助電極產(chǎn)生的電壓會彌補(bǔ)雙電極晶體端面電壓的不均性。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種改善DKDP晶體普克爾盒性能的方法，在電光晶體的兩端除了分別設(shè)有一個(gè)環(huán)狀主電極以外，再分別增設(shè)一個(gè)環(huán)狀輔助電極，使晶體的每一端均帶有一個(gè)主電極和一個(gè)輔助電極，輔助電極在主電極與電光晶體端面之間，并且輔助電極與主電極隔開，晶體每端的輔助電極與主電極之間以及兩個(gè)輔助電極之間均設(shè)有分壓電阻，這樣當(dāng)主電極之間加上電壓V時(shí)，通過分壓電阻實(shí)現(xiàn)在主電極與輔助電極之間加上一個(gè)輔助電壓，利用環(huán)狀電極的電壓特性，輔助電極產(chǎn)生的電壓會彌補(bǔ)雙電極晶體端面電壓的不均性。本發(fā)明可有效改善電光開關(guān)徑向消光比的均勻性，用在Q開關(guān)脈沖激光器中可減少電光開關(guān)的漏光，壓縮輸出激光脈沖寬度，提高動靜比，增加激光輸出功率。
文檔編號H01S3/115GK101976798SQ20101025448
公開日2011年2月16日 申請日期2010年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月16日
發(fā)明者于正剛, 劉學(xué)勇, 李宇飛, 褚宏偉 申請人:山東大學(xué);山東明順光電有限公司