專利名稱：含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法及使用該粉末制造復(fù)合軟性磁材的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法及采用據(jù)此方法制作的 含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末來制造復(fù)合軟磁性材的方法，該復(fù)合軟磁性材作為例如 磁芯、電動機(jī)芯、發(fā)電機(jī)磁芯、螺線管芯(solenoid core)、點火線圈鐵芯(ignition core)、 反應(yīng)堆芯(reactor core)、變壓器鐵芯(transformer core)、扼流圈鐵芯(choke coil core)或磁傳感器磁芯(sensor core)等各種電磁回路元件的原材使用。此外，本發(fā)明還涉及用于制造含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的原料粉末。
背景技術(shù)：
一般認(rèn)為，由于磁芯、電動機(jī)芯、發(fā)電機(jī)磁芯、螺線管芯、點火線圈鐵芯、反應(yīng)堆芯、 變壓器鐵芯、扼流線圈鐵芯或磁傳感器磁芯等各種電磁回路元件所使用的軟磁性材要求鐵 損小，因此要求電阻抗高，矯頑磁力小。此外，由于近年來追求電磁回路的小型化、高應(yīng)答 化，因此更高的磁通密度受到重視。作為由這種軟磁性材構(gòu)成的磁芯材的一例，已知有在軟磁性金屬板的表面涂布由 MgO構(gòu)成的絕緣層而疊層的疊層鋼板(參照專利文獻(xiàn)1)。不過，雖然該疊層鋼板磁通密度 及電阻抗均良好，但很難制作復(fù)雜形狀的電磁元件。為了制作復(fù)雜形狀的電磁元件，認(rèn)為 有如下等方法通過化學(xué)鍍敷和涂布等的濕式法在軟磁性金屬粉末的表面被覆MgO絕緣被 膜，由此制作復(fù)合軟磁性金屬粉末，再將該復(fù)合軟磁性金屬粉末擠壓成形并煅燒來進(jìn)行制 作；或者將軟磁性金屬粉末與Mg鐵氧體粉末一起混合，擠壓成形并煅燒，由此制造以MgO為 絕緣層的復(fù)合軟磁性材。于是，作為上述金屬軟磁性粉末，一般已知有鐵粉末、絕緣處理鐵粉末、Fe-Al系鐵 基軟磁性合金粉末、Fe-Ni系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Si 系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Si-Al系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Co系鐵基軟磁性合金粉末、 Fe-Co-V系鐵基軟磁性合金粉末或Fe-P系鐵基軟磁性合金粉末等。專利文獻(xiàn)1 特開昭63-226011號公報另外，作為各種電磁回路元件所使用的軟磁性材之一，提出有使鐵粉末的粒子間 夾雜高電阻系數(shù)物質(zhì)的復(fù)合磁性材料。作為一例，已知有壓縮成形由鐵粉末、生成SiO2的化 合物和MgO3或MgO的粉末構(gòu)成的混合物，制作成形體，將該成形體保持在500 1100°C，由 此在鐵粉末的粒子間形成以SiO2和MgO為主要成分的玻璃相，確保鐵粉末粒子間的絕緣， 由此進(jìn)行壓粉磁芯制造的方法(參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 特開2003-217919號公報
通過化學(xué)鍍敷和涂布等的濕式法在所述軟磁性金屬粉末上形成MgO絕緣被膜，以 制作復(fù)合軟磁性金屬粉末的方法，由于成本高且難以量產(chǎn)，因此據(jù)此方法制作的復(fù)合軟磁 性金屬粉末昂貴，而使用此昂貴的復(fù)合軟磁性合金粉末制作的復(fù)合軟磁性材有所謂昂貴這 樣的缺點。另外，據(jù)此方法制作的復(fù)合軟磁性金屬粉末其MgO絕緣被膜比軟磁性金屬粉末 穩(wěn)定，因此在MgO絕緣被膜和軟磁性金屬粉末表面之間難以發(fā)生擴(kuò)散反應(yīng)，為此所形成的 MgO絕緣被膜與軟磁性金屬粉末表面之間的緊貼性不足，若擠壓成形由該濕式法制作的復(fù) 合軟磁性金屬粉末，則在擠壓成形時MgO絕緣被膜因破裂等而不能發(fā)揮充分的絕緣效果， 使用據(jù)此濕式法制作的復(fù)合軟磁性金屬粉末，由其制作而成的復(fù)合軟磁性材存在得不到充 分的高阻抗這樣的缺點。另一方面，在軟磁性金屬粉末中添加有絕緣性的某種Mg鐵氧體粉末，加以混合并 擠壓煅燒的方法，雖然由于制造成本低廉而能夠提高廉價的復(fù)合軟磁性材，但是據(jù)此方法 制成的復(fù)合軟磁性材會具有MgO集中在金屬軟磁性粒的三晶界點的組織，MgO在晶界均一 地分散少，因此所得到的復(fù)合軟磁性材存的比抗低這樣的缺點。另外，所述現(xiàn)有的將高電阻系數(shù)物質(zhì)添加到鐵粉末中燒結(jié)而得到的復(fù)合軟磁性燒 結(jié)材，在其密度、抗折強(qiáng)度、電阻率及磁通密度之內(nèi)，電阻率尤其不充分，還要求具有更高電 阻率的復(fù)合軟磁性燒結(jié)材。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q這一課題而進(jìn)行研究，得到如下等的研究結(jié)果(A)若將進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末作為原料粉末，在該原料粉末中添加 Mg粉末進(jìn)行混合，將得到的混合粉末在溫度為150 1100°C、壓力為IX 10_12 IX IO-1MPa 的惰性氣體氣氛或真空氣氛中進(jìn)行加熱，再根據(jù)需要在氧化氣氛中，以50 400°C的溫度 加熱，則能夠得到含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末，其在軟磁性金屬粉末表面具有含Mg的 氧化絕緣被膜，該含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末與現(xiàn)有的形成有Mg鐵氧體膜的含Mg氧 化膜被覆軟磁性金屬粉末相比，緊貼性格外優(yōu)異，即使擠壓成形該含Mg氧化膜被覆軟磁性 金屬粉末而制作壓粉體，絕緣被膜破壞剝離的情況也很少，另外，以400 1300°C的溫度煅 燒該含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的壓粉體所得到的復(fù)合軟磁性材，含Mg氧化膜在晶 界均一地分散，得到含Mg氧化膜不會在三晶界點集中分散的組織；(B)將進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末作為原料粉末，在該原料粉末中添 加Mg粉末進(jìn)行混合，為了將得到的混合粉末在溫度為150 1100°C、壓力為1X10_12 1 X IO-1MPa的惰性氣體氣氛或真空氣氛中進(jìn)行加熱，優(yōu)選一邊轉(zhuǎn)動所述混合粉末一邊進(jìn)行 加熱；(C)作為所述軟磁性金屬粉末，能夠使用通常所知的鐵粉末、絕緣處理鐵粉末、 Fe-Al系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Ni系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉 末、Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Si-Al系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Co系鐵基軟磁性 合金粉末、Fe-Co-V系鐵基軟磁性合金粉末或Fe-P系鐵基軟磁性合金粉末。(D)在通過在氧化氣氛中將軟磁性粉末保持在室溫 50(TC，從而在軟磁性粉末 的表面形成氧化物的氧化物被覆軟磁性粉末中添加一氧化硅粉末并混合后加熱，或者一 邊混合一邊在真空氣氛中，以溫度保持在600 1200°C的條件進(jìn)行加熱，再者添加Mg粉末并混合后加熱，或一邊混合一邊在真空氣氛中以溫度保持在400 800°C的條件進(jìn)行加熱， 則能夠得到在軟磁性粉末的表面形成有含Mg-Si氧化物膜的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉 末，使用據(jù)此方法制作的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末制成的復(fù)合軟磁性燒結(jié)材，比起 現(xiàn)有的對由生成了 SiO2的化合物和MgO3或MgO的粉末所構(gòu)成的混合物進(jìn)行壓縮成形并燒 結(jié)而得到的復(fù)合軟磁性燒結(jié)材，其密度、抗折強(qiáng)度、電阻率及磁通密度均優(yōu)異。(E)若通過在氧化氣氛中將軟磁性粉末保持在室溫 500°C，從而在軟磁性粉末 的表面形成鐵的氧化物，在此氧化物被覆軟磁性粉末中同時添加一氧化硅粉末和Mg粉末 并混合后加熱，或者一邊混合一邊在真空氣氛中，以溫度保持在400 1200°C的條件進(jìn)行 加熱，則能夠得到在軟磁性粉末的表面形成有含Mg-Si氧化物膜的含Mg-Si氧化物被覆軟 磁性粉末，使用據(jù)此方法制作的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末制成的復(fù)合軟磁性燒結(jié) 材，比起現(xiàn)有的對由生成了 SiO2的化合物和Mg03或Mg0的粉末所構(gòu)成的混合物進(jìn)行壓縮成 形并燒結(jié)而得到的復(fù)合軟磁性燒結(jié)材，其密度、抗折強(qiáng)度、電阻率及磁通密度均優(yōu)異。(F)若通過在氧化氣氛中將軟磁性粉末保持在室溫 500°C，從而在軟磁性粉末 的表面形成鐵的氧化物，在此氧化物被覆軟磁性粉末中添加Mg粉末并混合后加熱，或者一 邊混合一邊在真空氣氛中，以溫度保持在400 800°C的條件進(jìn)行加熱，則能夠得到在軟磁 性粉末的表面形成有含Mg氧化物膜的含Mg氧化物被覆軟磁性粉末，若在該含Mg氧化物被 覆軟磁性粉末中再添加一氧化硅粉末并混合后加熱，或一邊混合一邊在真空氣氛中，以溫 度保持在600 1200°C的條件進(jìn)行加熱，則能夠得到在軟磁性粉末的表面形成有含Mg-Si 氧化物膜的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末，使用據(jù)此方法制作的含Mg-Si氧化物被覆軟 磁性粉末制成的復(fù)合軟磁性燒結(jié)材，比起現(xiàn)有的對由生成了 SiO2的化合物和MgO3或MgO的 粉末所構(gòu)成的混合物進(jìn)行壓縮成形并燒結(jié)而得到的復(fù)合軟磁性燒結(jié)材，其密度、抗折強(qiáng)度、 電阻率及磁通密度均優(yōu)異。(G)優(yōu)選所述一氧化硅粉末的添加量處于0. 01 1質(zhì)量％的范圍內(nèi)，優(yōu)選所述 Mg粉末的添加量處于0. 05 1質(zhì)量％的范圍內(nèi)。 (H)所述真空氣氛優(yōu)選為，壓力1 X 10_12 1 X IO-1MPa的真空氣氛。本發(fā)明基于這樣的研究結(jié)果而進(jìn)行，(1)含Mg氧化膜被覆復(fù)合軟磁性粉末的制造方法，其中，將進(jìn)行了氧化處理的軟 磁性金屬粉末作為原料粉末，在該原料粉末中添加Mg粉末進(jìn)行混合，將得到的混合粉末在 溫度為150 iioo°c、壓力為ιχιο_12 ι χ Icr1MPa的惰性氣體氣氛或真空氣氛中進(jìn)行加
執(zhí)，(2)含Mg氧化膜被覆軟磁性粉末的制造方法，其中，再在氧化氣氛中，以50 400°C的溫度，對根據(jù)所述(1)記載的方法制造的含Mg氧化膜被覆軟磁性粉末進(jìn)行加熱，(3)含Mg氧化膜被覆復(fù)合軟磁性粉末的制造方法，其中，所述(1)記載的軟磁性金 屬粉末的氧化處理是在氧化氣氛中，以50 500°C的溫度進(jìn)行加熱處理，(4) 一種將軟磁金屬粉末進(jìn)行氧化處理而成的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末 制造用原料粉末，(5)含Mg氧化膜被覆復(fù)合軟磁性粉末的制造方法，其中，在軟磁金屬粉末中添加 Mg粉末并加以混合，將由此得到的混合粉末在溫度為150 1100°C、壓力為1X10_12 1 X IO-1MPa的惰性氣體氣氛或真空氣氛中進(jìn)行加熱，接著在氧化氣氛中，實施以50 400°C的溫度加熱的氧化處理，(6)含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制造方法，其中，在軟磁性粉末的表面形成 有鐵的氧化膜的氧化物被覆軟磁性粉末中添加一氧化硅粉末并加以混合后加熱，或者一邊 混合一邊在真空氣氛中，以溫度保持在600 1200°C的條件進(jìn)行加熱，再添加Mg粉末并混 合后加熱，或邊混合邊在真空氣氛中，以溫度保持在400 800°C的條件進(jìn)行加熱。(7)含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制造方法，其中，在軟磁性粉末的表面形成 有鐵的氧化膜的氧化物被覆軟磁性粉末中添加一氧化硅粉末和MgO粉末并加以混合后加 熱，或者一邊混合一邊在真空氣氛中，以溫度保持在400 1200°C的條件進(jìn)行加熱，(8)含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制造方法，其中，在軟磁性粉末的表面形成 有鐵的氧化膜的氧化物被覆軟磁性粉末中添加Mg粉末并加以混合后加熱，或者邊混合邊 在真空氣氛中，以溫度保持在400 800°C的條件進(jìn)行加熱，再添加一氧化硅粉末并混合后 加熱，或者一邊混合一邊在真空氣氛中，以溫度保持在600 1200°C的條件進(jìn)行加熱，(9)所述(6)、(7)或(8)記載的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制造方法，其 中，在所述軟磁性粉末的表面形成有鐵的氧化膜的氧化物被覆軟磁性粉末的制作，是通過 將軟磁性粉末在氧化氣氛中加熱并保持于室溫 500°C，(10)所述(6)、(7)、⑶或(9)記載的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制造方 法，其中，所述一氧化硅粉末的添加量在0.01 1質(zhì)量％的范圍內(nèi)，所述Mg粉末的添加量 在0.05 1質(zhì)量％的范圍內(nèi)，(11)所述(6)、(7)、⑶、(9)或(10)記載的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制 造方法，其中，所述真空氣氛為壓力1X10_12 IX ICT1MPa的真空氣氛。由于一氧化硅(SiO)粉末也是在氧化硅之內(nèi)蒸氣壓最高的氧化物，因此經(jīng)加熱容 易使軟磁性粉末的表面蒸鍍氧化硅成分，即使混合蒸氣壓低的二氧化硅(SiO2)粉末進(jìn)行加 熱，也無法在軟磁性粉末的表面形成充分厚度的氧化硅膜，所以不為優(yōu)選。若在氧化物被覆 軟磁性粉末中添加一氧化硅(SiO)粉末并加以混合后，或者一邊混合一邊在真空氣氛中將 溫度保持在600 1200°C，從而生成在軟磁性粉末的表面形成有SiOx(其中X= 1 2)膜 的氧化硅膜被覆軟磁性粉末，在該氧化硅膜被覆軟磁性粉末中再添加Mg粉末，一邊混合一 邊在真空氣氛中加熱，則能夠得到含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末，其是在軟磁性粉末上 被覆有由Mg-Si-Fe-O構(gòu)成的含Mg-Si氧化物膜。氧化物被覆軟磁性粉末，其能夠通過將軟磁性粉末保持在氧化氣氛中(例如大氣 中)，溫度保持在室溫 500°C，從而在軟磁性粉末的表面形成鐵氧化膜來制造。而且，該鐵 氧化膜有著使SiO及/或Mg的被覆性提高效果。在制作氧化物被覆軟磁性粉末時，若在 氧化氣氛中加熱超過500°C，則軟磁性粉末凝集，生成軟磁性粉末的集合體，經(jīng)燒結(jié)不能均 一的表面氧化，所以不為優(yōu)選。因此，氧化物被覆軟磁性粉末在制造時的加熱溫度定于室 溫 500°C。更優(yōu)選的范圍為室溫 300°C。氧化氣氛更優(yōu)選為進(jìn)行了干燥的氧化氣氛。在本發(fā)明的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制造方法中，添加到氧化物被覆 軟磁性粉末中的SiO粉末量之所以限定為0.01 1質(zhì)量％，是由于SiO粉末的添加量低 于0.01質(zhì)量％時，氧化物被覆軟磁性粉末的表面所形成的氧化硅膜的厚度不足，所以含 Mg-Si氧化物膜所含的Si的量不足，因此得不到電阻率高的含Mg-Si氧化物膜而不為優(yōu)選， 另一方面，若添加超過1質(zhì)量％，則所形成的SiOx(其中χ = 1 2)氧化硅膜的厚度變得過厚，使得到的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末經(jīng)壓粉煅燒而得到的復(fù)合軟磁性材的密度 降低，因此不為優(yōu)選。另外，在本發(fā)明的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制造方法中，Mg粉末的添加 量之所以限定為0. 05 1質(zhì)量％，是由于Mg粉末的添加量低于0. 05質(zhì)量％時，在氧化物 被覆軟磁性粉末的表面所形成的Mg膜的厚度不足，含Mg-Si氧化物膜所含的Mg的量不足， 因此得不到充分厚度的Mg-Si氧化物膜，所以不為優(yōu)選，另一方面，若添加超過1質(zhì)量％，則 形成Mg膜的厚度變得過厚，使得到的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末經(jīng)壓粉煅燒而得到的 復(fù)合軟磁性材的密度降低，因此不為優(yōu)選。在本發(fā)明的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制造方法中，在氧化物被覆軟磁性 粉末中添加SiO粉末、Mg粉末或SiO粉末和Mg粉末的混合粉末并加以混合的條件，之所以 作為溫度處于600 1200°C的真空氣氛，是由于以低于600°C加熱，因為SiO的蒸氣壓小， 所以得不到充分厚的SiO膜或含Mg-Si氧化物被膜，另一方面，若超過1200°C進(jìn)行混合，則 會使軟磁性粉末燒結(jié)，得不到期望的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末，因此不為優(yōu)選。另 外，這時的加熱氣氛優(yōu)選在壓力為1 X 10_12 1 X IO-1MPa的真空氣氛中，此外進(jìn)一步優(yōu)選一 邊轉(zhuǎn)動一邊加熱。制作氧化物被覆軟磁性粉末時使用的軟磁性粉末，優(yōu)選使用平均粒徑處于5 500 μ m的范圍內(nèi)的軟磁性粉末。其理由在于，若平均粒徑比5 μ m還小，則粉末的壓縮性降 低，軟磁性粉末的體積比例變低，所以磁通密度的值降低，因此不為優(yōu)選，另一方面，若平均 粒徑比500μπι還大，則軟磁性粉末內(nèi)部的渦電流增大，高頻下的導(dǎo)磁率降低。如前述，在本發(fā)明的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末的制造中，需要將軟磁性粉 末的表面形成有鐵的氧化膜的氧化物被覆軟磁性粉末作為原料粉末使用。因此，本發(fā)明(12)是一種在軟磁性粉末的表面形成有鐵的氧化膜的氧化物被覆軟磁性粉末所 構(gòu)成的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末制造用原料粉末。(13)是含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法，其中，一邊轉(zhuǎn)動一邊加熱， 如此進(jìn)行所述(1)、(5)、(7)、(8)或(9)記載的真空或惰性氣體氣氛中的加熱，本發(fā)明的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法中使用的原料粉末，使用 的是進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末，本發(fā)明將該進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末作 為含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末制造用原料粉末使用。因此，本發(fā)明(14)是所述(6)記載的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末制造用原料粉末，其 中，所述軟磁性金屬粉末為鐵粉末、絕緣處理鐵粉末、Fe-Al系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Ni 系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末、 Fe-Si-Al系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Co系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Co-V系鐵基軟磁性合 金粉末、或Fe-P系鐵基軟磁性合金粉末。(15)是作為進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末的原料粉末的制造方法，其中，在 Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末或Fe粉末中添加Si粉末并混合之后，通過在非氧化氣氛中加 熱，預(yù)先制作在所述Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末或Fe粉末的表面具有高濃度Si擴(kuò)散層 的Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末，該高濃度Si擴(kuò)散層含有的Si的濃度比所述Fe-Si系鐵 基軟磁性合金粉末或Fe粉末所含的Si的濃度高，將得到的具有高濃度Si擴(kuò)散層的Fe-Si 系鐵基軟磁性合金粉末進(jìn)行氧化處理，由此成為在高濃度Si擴(kuò)散層之上具有氧化層的表
8面氧化高濃度Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末。使用據(jù)所述(1)、(5)、(7)、(8)或(9)記載的方法制造的含Mg氧化膜被覆軟磁性 金屬粉末，根據(jù)通常的方法就能夠制造出電阻率及機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異的復(fù)合軟磁性材。因此，本 發(fā)明(16)是電阻率及機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異的復(fù)合軟磁性材的制造方法，其中，將根據(jù)所述 (1)、(5)、(7)、(8)或(9)記載的方法制造的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末擠壓成形后， 以400 1300°C的溫度煅燒，(17)是電阻率及機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異的復(fù)合軟磁性材的制造方法，其中，在根據(jù)所述 (1)、(5)、(7)、(8)或(9)記載的方法制造的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末中，混合有機(jī) 絕緣材料、無機(jī)絕緣材料、或有機(jī)絕緣材料和無機(jī)絕緣材料的混合材料之后進(jìn)行壓粉成形， 以500 1000°C煅燒。在本發(fā)明的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法中，為了在進(jìn)行了氧化 處理的軟磁性金屬粉末中添加Mg粉末并混合以制作混合粉末，優(yōu)選在進(jìn)行了氧化處理的 軟磁性金屬粉末中添加0. 05 2質(zhì)量％的Mg粉末來制作混合粉末。這是由于，相對于進(jìn) 行了氧化處理的軟磁性金屬粉末，Mg粉末的添加量低于0. 05質(zhì)量％時，所形成的Mg被膜 的量不充分，因此，得不到充分厚的含Mg氧化膜，另一方面，若添加超過2質(zhì)量％，則Mg被 膜的厚度變得過厚，含Mg氧化膜的厚度變得過厚，使煅燒該含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉 末而得到的復(fù)合軟磁性材料的磁通密度降低，因此不為優(yōu)選。軟磁性金屬粉末的氧化處理具有使Mg的被覆性提高的效果，其進(jìn)行方式是在氧 化氣氛中，保持于50 500°C的溫度，或者在蒸餾水或純水中保持于50 100°C的溫度。該 情況下，低于50°C均是沒有效率的，另一方面，若在氧化氣氛中超過500°C保持，則發(fā)生煅 燒，因此不為優(yōu)選。氧化氣氛進(jìn)一步優(yōu)選為進(jìn)行了干燥的氧化氣氛。顯示氧化處理軟磁性金屬粉末時的時間所對應(yīng)的溫度變化的模式圖例示在圖1 中。通常如圖1(a)所示的模式，通過在氧化氣氛中加熱，氧化處理得以進(jìn)行，但是如圖1(b) 所示，可也以以升溫至低溫并保持之后，再升溫至高溫并保持的模式進(jìn)行，另外如圖1 (c) 所示，可以以升溫至高溫并保持之后，再降溫至低溫并保持的模式進(jìn)行，如圖1(d)所示的 模式，也可以以隨著升溫和降溫，而實質(zhì)上不加以保持的模式來進(jìn)行。另外，在蒸餾水或純 水中，將圖1(a) (d)的溫度設(shè)為上限100°C、下50°C限，能夠以同樣的模式進(jìn)行。在本發(fā) 明的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法中，表示氧化處理軟磁性金屬粉末時的 時間所對應(yīng)的溫度變化的模式并不限定于圖1，而是能夠在50 500°C的范圍內(nèi)自由地變 化。在進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末中添加Mg粉末并混合而得到的混合為粉 末，將其在溫度為150 1100°C，壓力為1 X 10_12 I Χ IO-1MPa的惰性氣體氣氛或真空氣氛 中進(jìn)行加熱，或一邊轉(zhuǎn)動一邊加熱。在此，加熱氣氛之所以作為壓力=IXKr12-IXlir1MPa 的惰性氣體氣氛或真空氣氛，是由于作為壓力為1Χ10_12 IXlir1MPa的惰性氣體氣氛包 含所謂的高真空氣氛。另外，使加熱溫度處于150 1100°C的理由是由于，溫度低于150°C時需要使壓力 低于1 X IO-12MPa,工業(yè)上是困難或沒有效果的，另一方面，若溫度超過1100°C，則Mg的損失 多，因此不為優(yōu)選，此外若壓力超過1 X IO-1MPa,則Mg被膜的被覆效率降低，另外所形成的Mg被膜的厚度不均一，因此不為優(yōu)選。軟磁性金屬粉末和Mg粉末的混合粉末的加熱溫度更 優(yōu)選的范圍是300 900°C，氣氛壓力更優(yōu)選的范圍是1 X 10, 1 X 10_2MPa。顯示對進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末進(jìn)行加熱，或者一邊轉(zhuǎn)動一邊對其進(jìn)行 加熱時的時間所對應(yīng)的溫度變化的模式圖例示于圖2中。通常如圖2(a)的模式，是通過保 持在恒定溫度下加熱來進(jìn)行，但是也可以如圖2(b)所示那樣使之變化，另外如圖2(c)的模 式，可以以升溫至低溫并保持之后，再升溫至高溫并保持的模式進(jìn)行，另外如圖1(d)所示 的模式，也可以以升溫至高溫并保持之后，再降溫至低溫并保持的模式進(jìn)行。此外如圖1 (e) 所示的模式，也可以重復(fù)數(shù)次圖1(a)的模式。此外，如圖1(f)所示的模式，也可以是在保 持于高溫之后的途中保持在低溫，再保持于高溫的模式。在本發(fā)明的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法中，表示對進(jìn)行了氧化 處理的軟磁性金屬粉末進(jìn)行加熱或一邊轉(zhuǎn)動一邊進(jìn)行加熱時的時間所對應(yīng)的溫度變化的 模式并不限定于圖2，而是能夠在150 1100°C的范圍內(nèi)自由地變化。另外，作為與上述不同的實施方式，若在軟磁性金屬粉末中添加Mg粉末并混合而 得到的混合為粉末，將其在溫度為150 1100°C，壓力為1 X10—12 IXlO-1MPa的惰性氣 體氣氛或真空氣氛中進(jìn)行加熱，或一邊轉(zhuǎn)動一邊加熱之后，繼續(xù)在氧化氣氛中實施以50 4000C的溫度進(jìn)行加熱的氧化處理，則在軟磁性金屬粉末的表面形成含Mg氧化膜，能夠制 造出本發(fā)明的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。這時的加熱溫度低于50°C則沒有效率，另 一方面若在氧化氣氛中保持在超過400°C，則會引起煅燒，因此不為優(yōu)選。氧化氣氛更優(yōu)選 為進(jìn)行了干燥的氧化氣氛。表示實施所述氧化處理時的時間所對應(yīng)的溫度變化的模式圖例示于圖3。通常如 圖3(a)所示的模式，可以進(jìn)行氧化氣氛中的加熱，不過也可以如圖3(b)所示那樣以升溫至 低溫并保持之后，再升溫至高溫并保持的模式進(jìn)行，另外如圖3 (c)所示的模式，也可以以 升溫至高溫并保持之后，再降溫至低溫并保持的模式進(jìn)行，也可以如圖3(d)所示的模式， 以隨著升溫和降溫，而實質(zhì)上不加以保持的模式來進(jìn)行。表示實施所述氧化處理時的時間 所對應(yīng)的溫度變化的模式并不限定于圖3，而是能夠在50 400°C的范圍內(nèi)自由地變化。若一邊轉(zhuǎn)動一邊加熱以這樣的條件進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末和Mg粉末 的混合粉末，則會在軟磁性金屬粉末的表面形成含Mg的氧化膜，從而形成含Mg氧化膜被覆 軟磁性金屬粉末，但是存在Mg的氧化不充分的情況。為了避免這種情況，進(jìn)一步優(yōu)選將轉(zhuǎn) 動得到的所述含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末在氧化氣氛中，以50 400 V的溫度進(jìn)行加 熱處理，該溫度優(yōu)選為50°C以上，但若加熱超過400°C，則開始燒結(jié)，因此不為優(yōu)選。因此該 溫度定為50 400°C。在本發(fā)明的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法中作為原料粉末使用的 軟磁性金屬粉末，歷來一般已知的有鐵粉末、絕緣處理鐵粉末、Fe-Al系鐵基軟磁性合金粉 末、Fe-Ni系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Si系鐵基軟磁性合金 粉末、Fe-Si-Al系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Co系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Co-V系鐵基軟 磁性合金粉末或Fe-P系鐵基軟磁性合金粉末，更具體地說，鐵粉末是純鐵粉末，絕緣處理 鐵粉末是磷酸鹽被覆鐵粉末，或者添加硅的溶膠凝膠(硅酸鹽silicate)溶液或氧化鋁的 溶膠凝膠溶液等的濕式溶液并加以混合，被覆于鐵粉末表面之后，進(jìn)行干燥煅燒的氧化硅 或氧化鋁被覆鐵粉末。
Fe-Al系鐵基軟磁性合金粉末優(yōu)選含有Al :0. 1 20%，余量由Fe及不可避免的 雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Al系鐵基軟磁性合金粉末(例如，具有由Fe-15% Al構(gòu)成的這一組成的7 義“一么粉末)，F(xiàn)e-Ni系鐵基軟磁性合金粉末優(yōu)選含有Ni :35 85 %，根據(jù)需要含有Mo :5 %以 下、Cu 以下、Cr 以下、Mn 0. 5%以下之內(nèi)的1種或2種以上，余量由Fe和不可避免 的雜質(zhì)構(gòu)成的鎳基軟磁性合金粉末(例如Fe-49% Ni粉末)，F(xiàn)e-Cr系鐵基軟磁性合金粉 末優(yōu)選含有Cr :1 20%，根據(jù)需要含有Al 以下、Ni 以下之內(nèi)的1或2種，余量由 Fe及可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉末，F(xiàn)e-Si系鐵基軟磁性合金粉末優(yōu)選含有Si :0. 1 10%，余量由Fe及可避免的雜 質(zhì)構(gòu)成的Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末，F(xiàn)e-Si-Al系鐵基軟磁性合金粉末優(yōu)選含有Si 0. 1 10%，Al :0· 1 20%，余量 由Fe及可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Si-Al系鐵基軟磁性合金粉末，F(xiàn)e-Co-V系鐵基軟磁性合金粉末優(yōu)選含有Co :0. 1 52%，V 0. 1 3%，余量由 Fe及可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Co-V系鐵基軟磁性合金粉末，F(xiàn)e-Co系鐵基軟磁性合金粉末優(yōu)選含有Co :0. 1 52%，余量由Fe及可避免的雜 質(zhì)構(gòu)成的Fe-Co系鐵基軟磁性合金粉末，F(xiàn)e-P系鐵基軟磁性合金粉末優(yōu)選含有P :0. 5 1 %，余量由Fe及可避免的雜質(zhì)構(gòu) 成的Fe-P系鐵基軟磁性合金粉末(以上％表示質(zhì)量％ )。而且，這些軟磁性金屬粉末優(yōu)選使用的是平均粒徑處于5 500 μ m的范圍內(nèi)的軟 磁性金屬粉末。其理由在于，若平均粒徑比5 μ m還小，則粉末的壓縮性降低，軟磁性粉末的 體積比例變低，所以磁通密度的值降低，因此不為優(yōu)選，另一方面，若平均粒徑比500 μ m還 大，則軟磁性粉末內(nèi)部的渦電流增大，高頻下的導(dǎo)磁率降低。為了使用據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末來進(jìn)行復(fù)合軟 磁性材的制造，能夠?qū)⒏鶕?jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末按通常 的方法壓粉成形并進(jìn)行燒結(jié)來制作，不過，其制作也能夠通過以下方法進(jìn)行含有平均粒徑 為0. 5 μ m以下的氧化硅、氧化鋁之中的1種或2種0. 05 1質(zhì)量％，其余部分由根據(jù)本發(fā) 明的方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末構(gòu)成，以此方式進(jìn)行調(diào)配混合制作成混 合粉末，將該混合粉末以通常的方法壓粉成形，并進(jìn)行燒結(jié)。根據(jù)本發(fā)明折方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末，在其表面形成有含 Mg氧化膜，此含Mg氧化膜與氧化硅和氧化鋁反應(yīng)而形成復(fù)合氧化物，從而得到在軟磁性粉 末的晶界夾雜有具有高阻抗的復(fù)合氧化物的有著高電阻率的復(fù)合軟磁性材，同時因為夾雜 氧化硅和氧化鋁燒結(jié)，所以能夠制造機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異的復(fù)合軟磁性材。這時，由于氧化硅和氧 化鋁成為主體被燒結(jié)，所以能夠確保矯頑磁力小，因此能夠制造磁滯損失少的復(fù)合軟磁性 材，所述煅燒優(yōu)選在惰性氣體氣氛或氧化性氣體氣氛中，以400 1300°C的溫度進(jìn)行。另外，在本發(fā)明的含Mg氧化膜被覆鐵粉末中添加硅的溶膠凝膠(硅酸鹽)溶液和 氧化鋁的溶膠凝膠溶液等的濕式溶液并加以混合后進(jìn)行干燥，將此干燥了的混合物壓縮成 形后，在惰性氣體氣氛或氧化性氣體氣氛中，以400 1300°C的溫度煅燒，由此能夠制作復(fù) 合軟磁性材。此外，在根據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末中，混合有機(jī)
11絕緣材料和無機(jī)絕緣材料，或者有機(jī)絕緣材料與無機(jī)絕緣材料的混合材料，能夠制作電阻 率和強(qiáng)度進(jìn)一步提高的復(fù)合軟磁性材。該情況下，有機(jī)絕緣材料能夠采用如下材料環(huán)氧樹 脂、氟樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、硅樹脂、聚脂樹脂、苯氧基樹脂、脲醛樹脂、異氰酸酯樹 脂、丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂、PPS樹脂等。另外，無機(jī)絕緣材料能夠采用如下材料磷酸鐵 等的磷酸鹽、各種玻璃狀絕緣物、以硅酸鈉為主成分的水玻璃、絕緣性氧化物等。另外，在根據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末中，調(diào)配氧 化硼、氧化釩、氧化鉍、氧化銻和氧化鉬之內(nèi)的1種或2種以上，以B203、V2O5, Bi203、Sb203、 MoO3換算為0. 05 1質(zhì)量％，加以混合之后進(jìn)行壓粉成形，將得到的壓粉成形體以500 1000°C的溫度燒結(jié)，由此能夠制作復(fù)合軟磁性材。如此制作的復(fù)合軟磁性材具有以下組成 含有氧化硼、氧化釩、氧化鉍、氧化銻和氧化鉬之內(nèi)的1種或2種以上，以B203、V2O5, Bi203、 Sb2O3, MoO3換算為0. 05 1質(zhì)量％，其余部分是由根據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg氧化膜 被覆軟磁性金屬粉末構(gòu)成。該情況下，根據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁性 金屬粉末的表面上形成的含Mg氧化膜，與氧化硼、氧化釩、氧化鉍、氧化銻和氧化鉬之內(nèi)的 1種或2種以上反應(yīng)，形成皮膜。另外，該復(fù)合軟磁性材能夠通過如下方法獲得氧化硼的溶膠溶液或粉末、氧化釩 的溶膠溶液或粉末、氧化鉍的溶膠溶液或粉末、氧化銻的溶膠溶液或粉末、以及氧化鉬的溶 膠溶液或粉末之內(nèi)的1種或2種以上，以B203、V2O5, Bi203、Sb203、MoO3換算為0· 05 1質(zhì) 量％，余量由所述本發(fā)明的含Mg氧化膜被覆鐵粉末構(gòu)成，以成為這一組成的方式進(jìn)行調(diào) 配、混合，對得到的混合氧化物進(jìn)行壓粉、成形之后，以500 1000°C的溫度燒結(jié)。使用本發(fā)明的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末制作的復(fù)合軟磁性材具有高密 度、高強(qiáng)度、高電阻率及高磁通密度，該復(fù)合軟磁性材具有高磁通密度、高頻低鐵損的特征， 由此能夠作為產(chǎn)生該特征的各種電磁回路元件的材料使用。另外，為了使用據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg-Si氧化膜被覆軟磁性粉末制造復(fù)合 軟磁性材，能夠通過將根據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg-Si氧化膜被覆軟磁性粉末按通常的 方法壓縮成形之后，在惰性氣體氣氛或氧化性氣體氣氛中，以400 1300°C的溫度煅燒。此外，在根據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg-Si氧化膜被覆軟磁性粉末中，混合有機(jī) 絕緣材料和無機(jī)絕緣材料，或者有機(jī)絕緣材料與無機(jī)絕緣材料的混合材料，能夠制作電阻 率和強(qiáng)度進(jìn)一步提高的復(fù)合軟磁性材。該情況下，有機(jī)絕緣材料能夠采用如下材料環(huán)氧樹 脂、氟樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、硅樹脂、聚脂樹脂、苯氧基樹脂、脲醛樹脂、異氰酸酯樹 脂、丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂、PPS樹脂等。另外，無機(jī)絕緣材料能夠采用如下材料磷酸鐵 等的磷酸鹽、各種玻璃狀絕緣物、以硅酸鈉為主成分的水玻璃、絕緣性氧化物等。另外，在根據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg-Si氧化膜被覆軟磁性金屬粉末中，調(diào)配 氧化硼、氧化釩、氧化鉍、氧化銻和氧化鉬之內(nèi)的1種或2種以上，以B203、V205、Bi203、Sb203、 MoO3換算為0. 05 1質(zhì)量％，加以混合之后進(jìn)行壓粉成形，將得到的壓粉成形體以500 1000°C的溫度燒結(jié)，由此能夠制作復(fù)合軟磁性材。如此制作的復(fù)合軟磁性材具有以下組 成含有氧化硼、氧化釩、氧化鉍、氧化銻和氧化鉬之內(nèi)的1種或2種以上，以B203、V2O5, Bi203、Sb203、Mo03換算為0. 05 1質(zhì)量％，其余部分是由根據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg氧 化膜被覆軟磁性金屬粉末構(gòu)成。該情況下，根據(jù)本發(fā)明的方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁 性金屬粉末的表面上形成的含Mg氧化膜，與氧化硼、氧化釩、氧化鉍、氧化銻和氧化鉬之內(nèi)的1種或2種以上反應(yīng)，形成皮膜。另外，該復(fù)合軟磁性材能夠通過如下方法獲得氧化硼的溶膠溶液或粉末、氧化釩 的溶膠溶液或粉末、氧化鉍的溶膠溶液或粉末、氧化銻的溶膠溶液或粉末、以及氧化鉬的溶 膠溶液或粉末之內(nèi)的1種或2種以上，以B203、V2O5, Bi203、Sb203、MoO3換算為0· 05 1質(zhì) 量％，余量由所述本發(fā)明的含Mg氧化膜被覆鐵粉末構(gòu)成，以成為這一組成的方式進(jìn)行調(diào) 配、混合，對得到的混合氧化物進(jìn)行壓粉、成形之后，以500 1000°C的溫度燒結(jié)。另外，在本發(fā)明的含Mg-Si氧化膜被覆軟磁性粉末中添加硅的溶膠凝膠(硅酸鹽) 溶液和氧化鋁的溶膠凝膠溶液等的濕式溶液，并加以混合后進(jìn)行干燥，將此干燥了的混合 物壓縮成形后，在惰性氣體氣氛或氧化性氣體氣氛中，以500 1000°C的溫度煅燒，由此能 夠制造復(fù)合軟磁性材。使用本發(fā)明的含Mg-Si氧化膜被覆軟磁性粉末制作的復(fù)合軟磁性材具有高密度、 高強(qiáng)度、高電阻率及高磁通密度，該復(fù)合軟磁性材具有高磁通密度、高頻低鐵損的特征，由 此能夠作為產(chǎn)生該特征的各種電磁回路元件的材料使用。


圖1是表示氧化處理軟磁性金屬粉末時的時間所對應(yīng)的溫度變化的模式圖。圖2顯示對進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末進(jìn)行加熱，或者一邊轉(zhuǎn)動一邊對其 進(jìn)行加熱時的時間所對應(yīng)的溫度變化的模式圖。圖3是表示加熱或一邊轉(zhuǎn)動一邊加熱之后進(jìn)行氧化處理時的時間所對應(yīng)的溫度 變化的模式圖。
具體實施例方式作為軟磁性金屬粉末，準(zhǔn)備均具有平均粒徑為70 μ m的純鐵粉末(以下稱該純鐵 粉末為軟磁性粉末A)，準(zhǔn)備Al為10質(zhì)量％、余量由Fe構(gòu)成的粉化(atomize) Fe-Al系鐵基軟磁性合金 粉末(以下稱該Fe-Al系鐵基軟磁性合金粉末為軟磁性粉末B)，準(zhǔn)備Ni為49質(zhì)量％、余量由Fe構(gòu)成的粉化Fe-Ni系鐵基軟磁性合金粉末(以下 稱該Fe-Ni系鐵基軟磁性合金粉末為軟磁性粉末C)，準(zhǔn)備Cr為10質(zhì)量％、余量由Fe構(gòu)成的粉化Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉末(以下 稱該Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉末為軟磁性粉末D)，準(zhǔn)備Si為3質(zhì)量％、余量Fe由構(gòu)成的粉化Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末(以下 稱該粉化Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末為軟磁性粉末E)，準(zhǔn)備含有Si為3質(zhì)量％、Al為3質(zhì)量％、余量由Fe構(gòu)成的粉化Fe-Si-Al系鐵基 軟磁性合金粉末(以下稱該Fe-Si-Al系鐵基軟磁性合金粉末為軟磁性粉末F)，準(zhǔn)備含有Co為30%、V為2%、余量由Fe及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Co-V系鐵 基軟磁性合金粉末(以下稱該Fe-Co-V系鐵基軟磁性合金粉末為軟磁性粉末G)，準(zhǔn)備含有P為0. 6%、余量由Fe及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-P系鐵基軟磁性合金 粉末(以下稱該Fe-P系鐵基軟磁性合金粉末為軟磁性粉末H)，作為絕緣處理鐵粉末，準(zhǔn)備市場銷售的磷酸鹽被覆鐵粉末(以下稱該磷酸鹽被覆
13鐵粉末為軟磁性粉末I)，準(zhǔn)備含有Co為30%、余量由Fe及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Co系鐵基軟磁性合 金粉末(以下稱該Fe-Co系鐵基軟磁性合金粉末為軟磁性粉末J)。此外，準(zhǔn)備平均粒徑為30 μ m的Mg粉末及平均粒徑為3 μ m的Mg鐵氧體粉末。實施例1按表1所示的調(diào)配比例，對于實施了表1所示條件下的氧化處理的軟磁性粉末 A (純鐵粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表1所示的壓力及 溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表1所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法1 7及比較方法 1 3。測定根據(jù)本發(fā)明方法1 7及比較方法1 3得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁 性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表1中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合 軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表1顯示。(現(xiàn)有例1)按表1所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末A調(diào)配Mg鐵氧體粉末， 將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬模 擠壓成形，成形為具有縱55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表1所示 的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn)有 方法1。測定據(jù)此現(xiàn)有方法1得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率及 抗折力，將其結(jié)果顯示在表1中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描 圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表1中顯示。 (實施例1其他的實施方式)以與表2所示的實施例1為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末A(純鐵粉末)調(diào) 配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表2所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn) 動，之后實施表2所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。
CN 101927344 A
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據(jù)
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實施了本發(fā)明方法1， V和比較方法1， 3，以及現(xiàn)有方法1，的結(jié)果顯示在 表2中。[表 2] *表示本發(fā)明范圍之外的值。由表1及表2所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法1 7及本發(fā)明方法1’ 7’制 作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法1及現(xiàn)在方法1’制作的復(fù)合軟磁性材相比，抗折強(qiáng)度、 磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法1 3及比較方法1’ 3’制作的復(fù)合軟磁 性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。實施例2按表3所示的調(diào)配比例，對于實施了表3所示的條件下的氧化處理的軟磁性粉末 B (Fe-Al系鐵基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在 表3所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表3所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法8 14及比較方法 4 6。測定根據(jù)本發(fā)明方法8 14及比較方法4 6得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁 性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表3中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合 軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表3顯示。(現(xiàn)有例2)按表3所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末B調(diào)配Mg鐵氧體粉末， 將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表3所示 的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn)有 方法2。測定據(jù)此現(xiàn)有方法2得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率及 抗折力，將其結(jié)果顯示在表3中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描 圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表3中顯示。[表3] *表示本發(fā)明范圍之外的值。(實施例2其他的實施方式)以與表2所示的實施例2為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末B(Fe_Al系鐵基 軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表4所示的壓 力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，之后實施表4所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化膜被 覆軟磁性金屬粉末。實施了本發(fā)明方法8’ 14’和比較方法4’ 6’以及現(xiàn)有方法2’的結(jié)果顯示在 表4中。[表4]
*表示本發(fā)明范圍之外的值。由表3及表4所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法8 14及本發(fā)明方法8， 14’ 制作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法2及現(xiàn)在方法2’制作的復(fù)合軟磁性材相比，其抗折 強(qiáng)度、磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法4 6及比較方法4’ 6’制作的復(fù)合 軟磁性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。實施例3按表5所示的調(diào)配比例，對于實施了表5所示的條件下的氧化處理的軟磁性粉末 C (Fe-Ni系鐵基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在 表5所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表5所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法15 21及比較方 法7 9。測定根據(jù)本發(fā)明方法15 21及比較方法7 9得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合 軟磁性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表5中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的 復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表5顯示。(現(xiàn)有例3)按表5所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末C調(diào)配Mg鐵氧體粉末， 將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬模 擠壓成形，成形為具有縱55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表5所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn)有 方法3。測定據(jù)此現(xiàn)有方法3得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率及 抗折力，將其結(jié)果顯示在表5中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描 圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表5中顯示。[表 5] *表示本發(fā)明范圍之外的值。(實施例3其他的實施方式)以與表6所示的實施例3為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末C(Fe_Ni系鐵基 軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表6所示的壓 力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，之后實施表6所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化膜被 覆軟磁性金屬粉末。實施了本發(fā)明方法15， 21’和比較方法7’ 9’以及現(xiàn)有方法3’的結(jié)果顯示 在表6中。[表 6] *表示本發(fā)明范圍之外的值。由表5及表6所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法15 21及本發(fā)明方法15’ 21’ 制作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法3及現(xiàn)在方法3’制作的復(fù)合軟磁性材相比，其抗折 強(qiáng)度、磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法7 9及比較方法7’ 9’制作的復(fù)合 軟磁性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。實施例4按表7所示的調(diào)配比例，對于實施了表7所示的條件下的氧化處理的軟磁性粉末 D (Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在 表7所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表7所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法22 28及比較方 法10 12。測定根據(jù)本發(fā)明方法22 28及比較方法10 12得到的板狀煅燒體構(gòu)成的 復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表7中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu) 成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表7中顯示。(現(xiàn)有例4)按表7所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末D調(diào)配Mg鐵氧體粉末， 將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬模 擠壓成形，成形為具有縱55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表7所示 的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn)有方法4。測定據(jù)此現(xiàn)有方法4得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率及 抗折力，將其結(jié)果顯示在表7中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描 圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表7中顯示。[表7] *表示本發(fā)明范圍之外的值。(實施例4其他的實施方式)以與表8所示的實施例4為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末D(Fe-Cr系鐵基 軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表8所示的壓 力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，之后實施表8所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化膜被 覆軟磁性金屬粉末。實施了本發(fā)明方法22’ 35’和比較方法10’ 15，以及現(xiàn)有法4’的結(jié)果顯示
在表8中。[表 8] *表示本發(fā)明范圍之外的值。由表7及表8所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法22 28及本發(fā)明方法22’ 35’ 制作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法4及現(xiàn)在方法4’制作的復(fù)合軟磁性材相比，其抗折 強(qiáng)度、磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法10 12及比較方法10’ 15’制作的 復(fù)合軟磁性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。實施例5按表9所示的調(diào)配比例，對于實施了表9所示的條件下的氧化處理的軟磁性粉末 E (Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在 表9所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表9所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法29 35及比較方法 13 15。測定根據(jù)本發(fā)明方法29 35及比較方法13 15得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù) 合軟磁性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表9中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成 的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表9中顯示。(現(xiàn)有例5)
按表9所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末E調(diào)配Mg鐵氧體粉末， 將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬模 擠壓成形，成形為具有縱55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表9所示 的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn)有 方法5。測定據(jù)此現(xiàn)有方法5得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率及 抗折力，將其結(jié)果顯示在表9中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描 圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表9中顯示。[表 9] *表示本發(fā)明范圍之外的值。(實施例5其他的實施方式)以與表10所示的實施例5為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末E(Fe_Si系鐵基 軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表10所示的壓 力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，之后實施表10所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化膜被 覆軟磁性金屬粉末。
實施了本發(fā)明方法36， 49’和比較方法16， 21’以及現(xiàn)有方法5’的結(jié)果顯 示在表10中。[表10] *表示本發(fā)明范圍之外的值。由表9及表10所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法29 35及本發(fā)明方法36’ 49，制作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法5及現(xiàn)在方法5 ’制作的復(fù)合軟磁性材相比，其抗 折強(qiáng)度、磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法13 15及比較方法16’ 21’制作 的復(fù)合軟磁性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。實施例6按表11所示的調(diào)配比例，對于實施了表11所示的條件下的氧化處理的軟磁性粉 末F (Fe-Si-Al系鐵基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中， 保持在表11所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表11所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法36 42及比較方法16 18。測定根據(jù)本發(fā)明方法36 42及比較方法16 18得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù) 合軟磁性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表11中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu) 成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表11中顯示。(現(xiàn)有例6)按表11所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末F調(diào)配Mg鐵氧體粉 末，將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬 模擠壓成形，成形為具有縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表11所 示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn) 有方法6。測定據(jù)此現(xiàn)有方法6得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率 及抗折力，將其結(jié)果顯示在表11中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由 BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表11中顯示。[表11] *表示本發(fā)明范圍之外的值。(實施例6其他的實施方式)以與表12所示的實施例6為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末F(Fe-Si_Al系 鐵基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表12所示 的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，之后實施表12所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化 膜被覆軟磁性金屬粉末。實施了本發(fā)明方法50， 56’和比較方法22， 24，以及現(xiàn)有方法6’的結(jié)果顯 示在表12中。[表12] 由表11及表12所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法36 42及本發(fā)明方法50’ 56’制作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法6及現(xiàn)在方法6’制作的復(fù)合軟磁性材相比，其抗 折強(qiáng)度、磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法16 18及比較方法22’ 24’制作 的復(fù)合軟磁性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。實施例7按表13所示的調(diào)配比例，對于實施了表13所示的條件下的氧化處理的軟磁性粉 末G(Fe-Co-V系鐵基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中， 保持在表13所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表13所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法43 49及比較方法19 21。測定根據(jù)本發(fā)明方法43 49及比較方法19 21得到的板狀煅燒體構(gòu)成的 復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表13中，此外對環(huán)狀煅燒體 構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表13中顯示。(現(xiàn)有例7)按表13所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末G調(diào)配Mg鐵氧體粉 末，將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬 模擠壓成形，成形為具有縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表13所 示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn) 有方法7。測定據(jù)此現(xiàn)有方法7得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率 及抗折力，將其結(jié)果顯示在表13中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由 BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表13中顯示。[表13] (實施例7其他的實施方式)以與表14所示的實施例7為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末G(Fe-Cc)-V系鐵 基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表14所示的 壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，之后實施表14所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化膜 被覆軟磁性金屬粉末。實施了本發(fā)明方法57， 70’和比較方法25， 30’以及現(xiàn)有方法7’的結(jié)果顯 示在表14中。[表14] *表示本發(fā)明范圍之外的值。由表13及表14所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法43 49及本發(fā)明方法57’ 70’制作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法7及現(xiàn)在方法7’制作的復(fù)合軟磁性材相比，其抗 折強(qiáng)度、磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法19 21及比較方法25’ 30’制作 的復(fù)合軟磁性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。實施例8按表15所示的調(diào)配比例，對于實施了表15所示的條件下的氧化處理的軟磁性粉 末H (Fe-P系鐵基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表15所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表15所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法50 56及比較方法 22 24。測定根據(jù)本發(fā)明方法22 28及比較方法10 12得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù) 合軟磁性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表15中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu) 成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表15中顯示。(現(xiàn)有例8)按表15所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末H調(diào)配Mg鐵氧體粉 末，將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬 模擠壓成形，成形為具有縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表15所 示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn) 有方法8。測定據(jù)此現(xiàn)有方法8得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率 及抗折力，將其結(jié)果顯示在表15中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由 BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表15中顯示。[表15] *表示本發(fā)明范圍之外的值。(實施例8其他的實施方式)以與表16所示的實施例為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末H(Fe_P系鐵基軟 磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表16所示的壓力 及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，之后實施表16所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化膜被覆 軟磁性金屬粉末。實施了本發(fā)明方法71’ 84’和比較方法31， 36，以及現(xiàn)有方法8’的結(jié)果顯 示在表16中。[表16] *表示本發(fā)明范圍之外的值。由表15及表16所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法50 56及本發(fā)明方法71’ 84’制作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法8及現(xiàn)在方法8’制作的復(fù)合軟磁性材相比，其抗 折強(qiáng)度、磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法22 24及比較方法31’ 36’制作 的復(fù)合軟磁性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。實施例9按表17所示的調(diào)配比例，對于實施了表17所示的條件下的氧化處理的軟磁性粉 末1(磷酸鹽被覆鐵粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表17 所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表17所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法57 63及比較方法 25 27。測定根據(jù)本發(fā)明方法57 63及比較方法25 27得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù) 合軟磁性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表17中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu) 成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表17中顯示。
31
(現(xiàn)有例9)按表17所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末I調(diào)配Mg鐵氧體粉 末，將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬 模擠壓成形，成形為具有縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表17所 示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn) 有方法9。測定據(jù)此現(xiàn)有方法9得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率 及抗折力，將其結(jié)果顯示在表17中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由 BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表17中顯示。[表17] *表示本發(fā)明范圍之外的值。(實施例9其他的實施方式)以與表18所示的實施例9為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末I (磷酸鹽被覆鐵粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表18所示的壓力及溫度 下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，之后實施表18所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化膜被覆軟磁性 金屬粉末。實施了本發(fā)明方法85， 91，和比較方法37， 39，以及現(xiàn)有方法9，的結(jié)果顯 示在表18中。[表18] *表示本發(fā)明范圍之外的值。由表17及表18所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法57 63及本發(fā)明方法85’ 91’制作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法9及現(xiàn)在方法9’制作的復(fù)合軟磁性材相比，其抗 折強(qiáng)度、磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法25 27及比較方法37’ 39’制作 的復(fù)合軟磁性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。實施例10按表19所示的調(diào)配比例，對于實施了表19所示的條件下的氧化處理的軟磁性粉 末J(Fe-Cc)系鐵基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保 持在表19所示的壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，由此制作含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末。將得到的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表19所示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的 煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施本發(fā)明方法64 70及比較方 法28 30。測定根據(jù)本發(fā)明方法57 63及比較方法25 27得到的板狀煅燒體構(gòu)成的 復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表19中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表19中顯示。(現(xiàn)有例10)按表19所示的調(diào)配比例，對于實施例中準(zhǔn)備的軟磁性粉末J調(diào)配Mg鐵氧體粉 末，將該調(diào)配粉末在大氣中邊轉(zhuǎn)動邊攪拌，制作成混合粉末。將得到的混合粉末放入金屬 模擠壓成形，成形為具有縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以表19所 示的溫度進(jìn)行保持30分鐘的煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，實施現(xiàn) 有方法10。測定據(jù)此現(xiàn)有方法10得到的板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的相對密度、電阻 率及抗折力，將其結(jié)果顯示在表19中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線， 由BH描圖儀測定磁通密度，這些結(jié)果在表19中顯示。[表19] 以與表20所示的實施例10為同樣調(diào)配比例的方式，對于原料粉末KFe-Co系鐵 基軟磁性合金粉末)調(diào)配Mg粉末，將該調(diào)配粉末在氬氣或真空氣氛中，保持在表20所示的 壓力及溫度下并進(jìn)行轉(zhuǎn)動，之后實施表20所示條件下的氧化處理，由此制作成含Mg氧化膜 被覆軟磁性金屬粉末。實施了本發(fā)明方法92’ 98’和比較方法40’ 42’以及現(xiàn)有方法10’的結(jié)果顯 示在表20中。[表 20] *表示本發(fā)明范圍之外的值。由表19及表20所示的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明方法64 70及本發(fā)明方法92’ 98’制作的復(fù)合軟磁性材，與根據(jù)現(xiàn)有方法10及現(xiàn)在方法10’制作的復(fù)合軟磁性材相比，其 抗折強(qiáng)度、磁通密度及電阻率均優(yōu)異。但是，據(jù)比較方法28 30及比較方法40’ 42’制 作的復(fù)合軟磁性材，其相對密度、磁通密度的特性差，因此不為優(yōu)選。接下來，再就基于其他的方式的實施例進(jìn)行說明。作為軟磁性原料粉末，準(zhǔn)備均具有平均粒徑為70 μ m的純鐵粉末，準(zhǔn)備Al為10質(zhì)量％、余量由Fe構(gòu)成的粉化Fe-Al系鐵基軟磁性合金粉末，準(zhǔn)備Ni為49質(zhì)量％、余量由Fe構(gòu)成的粉化Fe-Ni系鐵基軟磁性合金粉末，準(zhǔn)備Cr為10質(zhì)量％、余量由Fe構(gòu)成的粉化Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉末，準(zhǔn)備Si為3質(zhì)量％、余量Fe由構(gòu)成的粉化Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末，準(zhǔn)備含有Si為3質(zhì)量％、Al為3質(zhì)量％、余量由Fe構(gòu)成的粉化Fe-Si-Al系鐵基 軟磁性合金粉末，
準(zhǔn)備含有Co為30%、V為2%、余量由Fe及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Co-V系鐵 基軟磁性合金粉末。將這些軟磁性粉末在大氣中，以220°C的溫度保持1小時，由此制作表 面具有鐵氧化膜的氧化物被覆軟磁性粉末，準(zhǔn)備作為原料粉末。此外，準(zhǔn)備具有平均粒徑為 10 μ m的SiO粉末及具有平均粒徑為50 μ m的Mg粉末。實施例11首選，在準(zhǔn)備好的作為原料粉末的氧化物被覆軟磁性粉末中，以氧化物被覆軟磁 性粉末SiO粉末=99. 9質(zhì)量％ 0. 1質(zhì)量％的方式分別添加SiO粉末并加以混合，制作 成混合粉末，將得到的混合粉末在650°C的溫度、2. 7 X 10_4MPa的壓力下保持3小時，由此制 作在表面具有氧化硅膜的氧化硅被覆軟磁性粉末。確認(rèn)這些氧化硅被覆軟磁性粉末的表面 所形成的氧化硅膜是含有SiOx (其中χ= 1 2)膜。其次，在該氧化硅被覆軟磁性粉末中， 以氧化硅被覆軟磁性粉末Mg粉末=99. 8質(zhì)量％ 0.2質(zhì)量％的方式分別添加Mg粉末并 加以混合，制作混合粉末，將得到的混合粉末在650°C的溫度、2. 7X IO-4MPa的壓力下保持1 小時，由此制作在軟磁性粉末的表面形成有含有Mg及Si的氧化物膜的含Mg-Si氧化物被 覆軟磁性粉末。將這些含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末分別放入金屬模擠壓成形，成形為具有 縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm 這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以600°C的溫度保持30分鐘的條件 進(jìn)行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定這些板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù) 合軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表21中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材 實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度1. 5T、頻率50Hz時的鐵損，以及磁通密度 1.0T、頻率400Hz時的鐵損等的磁特性，這些結(jié)果顯示在表21中。實施例12首選，在準(zhǔn)備好的作為原料粉末的氧化物被覆軟磁性粉末中，按氧化物被覆軟磁 性粉末SiO粉末Mg粉末=99.7質(zhì)量％ 0.1質(zhì)量0.2質(zhì)量％的比例，分別同時 添加SiO粉末和Mg粉末并加以混合，制作成混合粉末，將得到的混合粉末在650°C的溫度、 2. 7X IO-4MPa的壓力下保持3小時，由此制作在軟磁性粉末的表面形成有含有Mg及Si的 氧化物膜的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末。將這些含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末分別放入金屬模擠壓成形，成形為具有 縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm 這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以600°C的溫度保持30分鐘的條件 進(jìn)行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定這些板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù) 合軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表21中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材 實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度1. 5T、頻率50Hz時的鐵損，以及磁通密度 1.0T、頻率400Hz時的鐵損等的磁特性，這些結(jié)果顯示在表22中。實施例13首選，在準(zhǔn)備好的作為原料粉末的氧化物被覆軟磁性粉末中，以氧化物被覆軟磁 性粉末Mg粉末=99.8質(zhì)量％ 0.2質(zhì)量％的方式分別添加Mg粉末并加以混合，制作成 混合粉末，將得到的混合粉末在650°C的溫度、2. 7 X 10_4MPa的壓力下保持2小時，由此制作 成在表面具有MgO膜的氧化鎂被覆軟磁性粉末。再在該氧化硅被覆軟磁性粉末中，以氧化鎂被覆軟磁性粉末SiO粉末=99. 9質(zhì)量％ 0. 1質(zhì)量％的方式分別添加SiO粉末并加 以混合，以制作混合粉末，將得到的混合粉末在650°C的溫度、2. 7 X IO-4MPa的壓力下保持3 小時，由此制作在軟磁性粉末的表面形成有含有Mg及Si的氧化物膜的含Mg-Si氧化物被 覆軟磁性粉末。將這些含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末分別放入金屬模擠壓成形，成形為具有 縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm 這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以600°C的溫度保持30分鐘的條件 進(jìn)行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定這些板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù) 合軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表21中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材 實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度1. 5T、頻率50Hz時的鐵損，以及磁通密度 1.0T、頻率400Hz時的鐵損等的磁特性，這些結(jié)果顯示在表23中。(現(xiàn)有例11)首先，接照水霧化純軟磁性粉末硅樹脂Mg粉末=99. 8 14 0.06的比例， 對于準(zhǔn)備好的作為水霧化純軟磁性粉末分別混合硅樹脂及MgO粉末，制作現(xiàn)有混合粉末， 將得到的混合粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸 的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓 粉體在氮氣氛中，以600°C的溫度保持30分鐘的條件燒結(jié)，由此制作由板狀及環(huán)狀燒結(jié)體 構(gòu)成的復(fù)合軟磁性燒結(jié)材，測定板狀燒結(jié)體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示 在表21中，此外對環(huán)狀燒結(jié)體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和 磁通密度1. 5T、頻率50Hz時的鐵損，以及磁通密度1. 0T、頻率400Hz時的鐵損等的磁特性， 這些結(jié)果顯示在表21 23中。[21]
37 ※4鐵損表示磁通密度1. 5T、頻率50Hz時的鐵損?！砧F損表示磁通密度1. 0T、頻率400Hz時的鐵損。[22]
由表21 23所示的結(jié)果可知，采用了由實施例1 3制作的含Mg-Si氧化物被 覆軟磁性粉末制成的復(fù)合軟磁性材具有如下等特性，其與采用由現(xiàn)有例1制作的含Mg-Si 氧化物被覆軟磁性粉末制成的復(fù)合軟磁性材相比，就密度來說沒有大的差異，但采用了由 實施例1 3制作的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末制成的復(fù)合軟磁性材，與采用由現(xiàn)有 例1制作的含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末制成的復(fù)合軟磁性材相比，其磁通密度高，矯 頑磁力小，此外電阻率格外高，因此鐵損格外小，特別是頻率越大鐵損越小。實施例14作為原料粉末，準(zhǔn)備具有平均粒徑為75 μ m、Si為1質(zhì)量％、余量由Fe及不可避免 的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Si系鐵基軟磁性粉末，此外準(zhǔn)備平均粒徑為1 μ m以下的純Si粉末。再準(zhǔn)備平均粒徑為50 μ m的Mg粉末。首選，在Fe-Si系鐵基軟磁性粉末中，以Fe-Si系鐵基軟磁性粉末純Si粉末= 99.5質(zhì)量％ 0.5質(zhì)量％的方式調(diào)配純Si粉末，并加以混合制作成混合粉末，將得到的混 合粉末在氫氣氛中，以950°C的溫度保持1小時的條件進(jìn)行熱處理，由此在Fe-Si系鐵基軟 磁性粉末表面形成高濃度Si擴(kuò)散層，其后在大氣中、250°C的溫度的條件下保持，由此制作 在高濃度Si擴(kuò)散層之上具有氧化層的表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末。在表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末中，按表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原 料粉末Mg粉末=99.8質(zhì)量％ 0.2質(zhì)量％的比例調(diào)配預(yù)先準(zhǔn)備好的Mg粉末，加以混合 制作混合粉末，將得到的混合粉末在650°C的溫度、壓力為2. 7X IO-4MPa的條件下邊轉(zhuǎn)動邊 保持1小時，由此制作在Fe-Si系鐵基軟磁性粉末的表面形成有由Mg、Si、Fe及0構(gòu)成的堆 積氧化膜的本發(fā)明堆積氧化膜被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末1(以下稱為本發(fā)明堆積氧化 膜被覆粉末)。將如此得到的本發(fā)明堆積氧化膜被覆粉末1放入金屬模擠壓成形，成形為具有 縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm 這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以500°C的溫度保持30分鐘的條件 進(jìn)行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定由此板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù) 合軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表24中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材 實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度1. 5T、頻率50Hz時的鐵損，以及磁通密度 1. 0T、頻率400Hz時的鐵損等的磁特性，這些結(jié)果顯示在表1中。現(xiàn)有例12制作實施例14中準(zhǔn)備的在Fe-Si系鐵基軟磁性粉末的表面化學(xué)地形成有含Mg 鐵氧體氧化物層的現(xiàn)有含Mg鐵氧體氧化物被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末(以下稱現(xiàn)有堆 積氧化膜被覆粉末)，將此現(xiàn)有堆積氧化膜被覆粉末放入金屬模擠壓成形，成形為具有縱 55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在氮氣氛中，以500°C的溫度保持30分鐘的條件進(jìn) 行燒結(jié)，制作由板狀及環(huán)狀燒結(jié)體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定板狀燒結(jié)體構(gòu)成的復(fù)合軟磁 性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表24中，此外對環(huán)狀燒結(jié)體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞 線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度1. 5T、頻率50Hz時的鐵損，以及磁通密度1. 0T、頻 率400Hz時的鐵損等的磁特性，這些結(jié)果顯示在表24中。[24]種別Mg-Si-Fe-O四元系堆 積氧化膜的特性復(fù)合軟磁性材料的特性厚度 (nm)最大結(jié)晶粒 徑(nm)密度 (g/cm3)磁通密度 B10KA/m(T)矯頑磁 力 (A/m)鐵損* (W/kg)鐵損“ (W/kg)電阻率 (μΩπι)實施例14100307.61.579023201200現(xiàn)有例12--7.41.50145-5835鐵損*表示磁通密度1. 5T頻率50Hz時的鐵損。鐵損**表示磁通密度1. OT頻率400Hz時的鐵損。由表24所示的結(jié)果可知，使用了由實施例14制作的本發(fā)明堆積氧化膜被覆粉末1 制成的復(fù)合軟磁性材具有如下等特性，其與使用由現(xiàn)有例12制作的含Mg鐵氧體氧化物被 覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末制成的復(fù)合軟磁性材相比，就密度來說沒有大的差異，但采用 了由實施例14制作的本發(fā)明堆積氧化膜被覆粉末1制成的復(fù)合軟磁性材，與采用由現(xiàn)有例 12制作的現(xiàn)有堆積氧化膜被覆粉末這種含Mg鐵氧體氧化膜被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末 制作的復(fù)合軟磁性材相比，其磁通密度高，矯頑磁力小，此外電阻率格外高，因此鐵損格外 小，特別是頻率越大鐵損越小。實施例15作為原料粉末，準(zhǔn)備具有表25所示粒度且含有Si為1質(zhì)量％，余量由Fe及不可 避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Si系鐵基軟磁性粉末。此外準(zhǔn)備平均粒徑為1 μ m以下的純Si粉末 及平均粒徑為50 μ m的Mg粉末。在這些粒度不同的Fe-Si系鐵基軟磁性粉末中，以Fe-Si系鐵基軟磁性粉末純 Si粉末=97質(zhì)量％ 2質(zhì)量％的方式調(diào)配純Si粉末，并加以混合制作成混合粉末，將得到 的混合粉末在氫氣氛中，以950°C的溫度保持1小時的條件進(jìn)行熱處理，由此在Fe-Si系鐵 基軟磁性粉末表面形成高濃度Si擴(kuò)散層，其后在大氣中、220°C的溫度條件下保持，由此制 作在高濃度Si擴(kuò)散層之上具有氧化層的表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末。對于表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末，按表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原 料粉末Mg粉末=99.8質(zhì)量％ 0.2質(zhì)量％的比例調(diào)配預(yù)先準(zhǔn)備好的Mg粉末，加以混 合制作混合粉末，對得到的混合粉末實施在650°C的溫度、壓力為2. 7X IO-4MPa的條件下邊 轉(zhuǎn)動邊保持1小時的處理(按表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末Mg粉末=99. 8質(zhì) 量％ 0. 2質(zhì)量％的比例進(jìn)行調(diào)配混合而制作混合粉末，將得到的混合粉末在650°C的溫 度、壓力為2. 7X IO-4MPa的條件下一邊轉(zhuǎn)動一邊保持1小時，這一處理以下稱為“Mg被覆處 理”)，由此制作在Fe-Si系鐵基軟磁性粉末的表面形成有由Mg、Si、Fe及0構(gòu)成的堆積氧 化膜的堆積氧化膜被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末，從而實施了本發(fā)明方法71 73。對于通過本發(fā)明方法71 73得到的堆積氧化膜被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末， 以配比2質(zhì)量％計添加硅樹脂并混合，制作由硅樹脂被覆了堆積氧化膜被覆Fe-Si系鐵基 軟磁性粉末的表面的樹脂被覆復(fù)合粉末，將該樹脂被覆復(fù)合粉末放入加熱到120°C的金屬 模中擠壓成形，成形為具有縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在真空中，以700°C 的溫度保持30分鐘的條件進(jìn)行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定 由此板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表2中，此外對環(huán)狀煅燒 體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度0. 1T、頻率20Hz時 的鐵損，這些結(jié)果顯示在表25中?，F(xiàn)有例13作為原料粉末，準(zhǔn)備具有表25所示粒度且含有Si為1質(zhì)量％，余量由Fe及不可 避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Si系鐵基軟磁性粉末，對此Fe-Si系鐵基軟磁性粉末不進(jìn)行Mg被覆 處理，而是以配比2質(zhì)量％計添加硅樹脂并混合，制作由硅樹脂被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉 末的表面的樹脂被覆復(fù)合粉末。將該樹脂被覆復(fù)合粉末放入加熱到120°C的金屬模中擠壓 成形，成形為具有縱55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、 內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在真空中，以700°C的溫度保 持30分鐘的條件進(jìn)行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定由此板狀 煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表25中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的 復(fù)合軟磁性材實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度0. 1T、頻率20Hz時的鐵損， 這些結(jié)果顯示在表25中。[25] 鐵損*表示磁通密度1. OT頻率200Hz時的鐵損?？芍杀景l(fā)明方法制作復(fù)合軟磁性材具有如下等特性，其與根據(jù)現(xiàn)有方法11制 作的復(fù)合軟磁性材相比，磁通密度高，矯頑磁力小，此外電阻率格外高，因此鐵損格外小，特 別是頻率越大鐵損越小。實施例16作為原料粉末，準(zhǔn)備具有表26所示粒度且含有Si為3質(zhì)量％，余量由Fe及不可 避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Si系鐵基軟磁性粉末。此外準(zhǔn)備平均粒徑為1 μ m以下的純Si粉末 及平均粒徑為50 μ m的Mg粉末。在這些粒度不同的Fe-Si系鐵基軟磁性粉末中，以Fe-Si系鐵基軟磁性粉末純Si粉末=99.5質(zhì)量％ 0.5質(zhì)量％的方式調(diào)配純Si粉末，并加以混合制作成混合粉末，將 得到的混合粉末在氫氣氛中，以950°C的溫度保持1小時的條件進(jìn)行熱處理，由此在Fe-Si 系鐵基軟磁性粉末表面形成高濃度Si擴(kuò)散層，其后在大氣中、220°C的溫度條件下保持，由 此制作在高濃度Si擴(kuò)散層之上具有氧化層的表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末。對于此表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末實施Mg被覆處理，由此制作在 Fe-Si系鐵基軟磁性粉末的表面形成有由Mg、Si、Fe及0構(gòu)成的堆積氧化膜的堆積氧化膜 被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末，從而實施了本發(fā)明方法74 76。對于通過本發(fā)明方法74 76得到的堆積氧化膜被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末， 以配比2質(zhì)量％計添加硅樹脂并混合，制作由硅樹脂被覆了堆積氧化膜被覆Fe-Si系鐵基 軟磁性粉末的表面的樹脂被覆復(fù)合粉末。將該樹脂被覆復(fù)合粉末放入加熱到120°C的金屬 模中擠壓成形，成形為具有縱55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外 徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在真空中，以700°C 的溫度保持30分鐘的條件進(jìn)行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定 由此板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表3中，此外對環(huán)狀煅燒 體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度0. 1T、頻率20Hz時 的鐵損，這些結(jié)果顯示在表26中。現(xiàn)有例14作為原料粉末，準(zhǔn)備具有表26所示粒度且含有Si為1質(zhì)量％，余量由Fe及不可避 免的雜質(zhì)構(gòu)成的Fe-Si系鐵基軟磁性粉末，對此Fe-Si系鐵基軟磁性粉末不進(jìn)行Mg被覆處 理，而是以配比2質(zhì)量％計添加硅樹脂并混合，制作由硅樹脂被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉 末的表面的樹脂被覆復(fù)合粉末。將該樹脂被覆復(fù)合粉末放入加熱到120°C的金屬模中擠壓 成形，成形為具有縱55mm;橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、 內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在真空中，以700°C的溫度保 持30分鐘的條件進(jìn)行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定由此板狀 煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表25中，此外對環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的 復(fù)合軟磁性材實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度0. 1T、頻率20Hz時的鐵損， 這些結(jié)果顯示在表26中。[26] 鐵損*表示磁通密度1. OT頻率200Hz時的鐵損?？芍獡?jù)本發(fā)明方法74 76制作復(fù)合軟磁性材具有如下等特性，其與據(jù)現(xiàn)有方法 12制作的復(fù)合軟磁性材相比，磁通密度高，矯頑磁力小，此外電阻率格外高，因此鐵損格外 小，特別是頻率越大鐵損越小。實施例17作為原料粉末，準(zhǔn)備具有表27所示粒度Fe粉末。此外準(zhǔn)備平均粒徑為1 μ m以下 的純Si粉末及平均粒徑為50 μ m的Mg粉末。在這些粒度不同的Fe粉末中，以Fe粉末純Si粉末=97質(zhì)量％ 3質(zhì)量％的方 式調(diào)配純Si粉末，并加以混合制作成混合粉末，將得到的混合粉末在氫氣氛中，以950°C 的溫度保持1小時的條件進(jìn)行熱處理，由此在Fe-Si系鐵基軟磁性粉末表面形成高濃度Si 擴(kuò)散層，其后在大氣中、溫度為220°C的條件下保持，由此制作在高濃度Si擴(kuò)散層之上具有 氧化層的表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末。對于此表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末實施Mg被覆處理，由此制作在 Fe-Si系鐵基軟磁性粉末的表面形成有由Mg、Si、Fe及0構(gòu)成的堆積氧化膜的堆積氧化膜 被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末，從而實施了本發(fā)明方法77 79。對于通過本發(fā)明方法77 79得到的堆積氧化膜被覆Fe-Si系鐵基軟磁性粉末， 以配比2質(zhì)量％計添加硅樹脂并混合，制作由硅樹脂被覆了堆積氧化膜被覆Fe-Si系鐵基 軟磁性粉末的表面的樹脂被覆復(fù)合粉末。將該樹脂被覆復(fù)合粉末放入加熱到120°C的金屬 模中擠壓成形，成形為具有縱55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，具有外徑 35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，及具有外徑50mm、內(nèi)徑25mm、高25mm 這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將得到的壓粉體在真空中，以700°C的溫度保持30分鐘的條件進(jìn) 行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定由此板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合 軟磁性材的電阻率，將其結(jié)果顯示在表27中，此外對由小徑環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性 材實施繞線，測定磁通密度、矯頑磁力、和磁通密度0. 1T、頻率20Hz時的鐵損，這些結(jié)果顯 示在表27中。對此小徑環(huán)狀壓粉煅燒體測定20A直流重疊時的20kHz下的電感(inductance)， 求得交流的導(dǎo)磁率，其結(jié)果顯示在表28中。接著，對大外徑環(huán)狀壓粉煅燒體實施繞線，制作電感大體為恒定的電抗器(reactor)。在附帶一般的有源濾波器(active filter)的開關(guān) 電源上連接此電抗器，測定輸入電力1000W及1500W所對應(yīng)的輸出電力的效率(％ )，其結(jié) 果顯示在表28中?，F(xiàn)有例15作為原料粉末，準(zhǔn)備具有表4所示粒度Fe粉末，對此Fe粉末不進(jìn)行Mg被覆處理， 而是以配比2質(zhì)量％計添加硅樹脂并混合，制作由硅樹脂被覆Fe粉末的表面的樹脂被覆復(fù) 合粉末。將該樹脂被覆復(fù)合粉末放入加熱到120°C的金屬模中擠壓成形，成形為具有縱: 55mm ；橫10mm、厚5mm這樣尺寸的板狀壓粉體，和具有外徑35mm、內(nèi)徑25mm、高5mm這 樣尺寸的環(huán)形壓粉體，及具有外徑50mm、內(nèi)徑25mm、高25mm這樣尺寸的環(huán)形壓粉體，將 得到的壓粉體在真空中，以700°C的溫度保持30分鐘的條件進(jìn)行煅燒，制作由板狀及環(huán)狀 煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材，測定由此板狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材的電阻率，將其結(jié) 果顯示在表27中，此外對小徑環(huán)狀煅燒體構(gòu)成的復(fù)合軟磁性材實施繞線，測定磁通密度、 矯頑磁力、和磁通密度0. 1T、頻率20Hz時的鐵損，這些結(jié)果顯示在表27中。對此小徑環(huán)狀壓粉煅燒體測定20A直流重疊時的20kHz下的電感(inductance)， 求得交流的導(dǎo)磁率，其結(jié)果顯示在表28中。接著，對大外徑環(huán)狀壓粉煅燒體實施繞線，制作 電感大體為恒定的電抗器(reactor)。在附帶一般的有源濾波器(active filter)的開關(guān) 電源上連接此電抗器，測定輸入電力1000W及1500W所對應(yīng)的輸出電力的效率(％ )，其結(jié) 果顯示在表28中。[27] 鐵損*表示磁通密度1. OT頻率200Hz時的鐵損。[28] 可知據(jù)本發(fā)明方法77 79制作復(fù)合軟磁性材具有如下等特性，其與據(jù)現(xiàn)有方法 13制作的復(fù)合軟磁性材相比，磁通密度高，矯頑磁力小，此外電阻率格外高，因此鐵損格外 小，特別是頻率越大鐵損越小。工業(yè)上的利用可能性采用了以本發(fā)明的方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的具有高阻抗的 復(fù)合軟磁性材，具有高磁通密度、高頻低鐵損的特征，由此能夠作為產(chǎn)生此特征的各種電磁 回路元件的材料使用。所述電磁回路元件有例如磁芯、電動機(jī)芯、發(fā)電機(jī)磁芯、螺線管芯、點 火線圈鐵芯、反應(yīng)堆芯、變壓器鐵芯、扼流線圈鐵芯或磁傳感器磁芯等。而且，在組裝了這些 電磁回路元件的電氣設(shè)備中，有電動機(jī)、發(fā)電機(jī)、螺線管、噴射器(injector)、電磁驅(qū)動閥、 逆變器、變流器、繼電器、磁傳感系統(tǒng)等，能夠進(jìn)行電氣設(shè)備的高效率高性能化和小型輕量 化。如前述，若使用以本發(fā)明的方法制作的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末來制造 復(fù)合軟磁性材，則能夠以低成本獲得電阻率和機(jī)械性強(qiáng)度優(yōu)異的復(fù)合軟磁性材，在電氣 電 子產(chǎn)業(yè)方向具有優(yōu)異的效果。若是遵循以SiO粉末為原料粉末使用的本發(fā)明，則能夠容易地以低成本制造含 Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末，因此使用此含Mg-Si氧化物被覆軟磁性粉末，能夠以低成本 取得電阻率高且機(jī)械性強(qiáng)度優(yōu)異的復(fù)合軟磁性材，另外，該復(fù)合軟磁性材具有高磁通密度、 高頻低鐵損的特征，由此能夠作為產(chǎn)生此特征的各種電磁回路元件的材料使用。作為所述 各種電磁回路元件，例如有磁芯、電動機(jī)芯、發(fā)電機(jī)磁芯、螺線管芯、點火線圈鐵芯、反應(yīng)堆 芯、變壓器鐵芯、扼流線圈鐵芯或磁傳感器磁芯等，在組裝了這些電磁回路元件的電氣設(shè) 備中，有電動機(jī)、發(fā)電機(jī)、螺線管、噴射器(injector)、電磁驅(qū)動閥、逆變器、變流器、繼電器、 磁傳感系統(tǒng)等，從而能夠進(jìn)行電氣設(shè)備的高效率高性能化和小型輕量化。
權(quán)利要求
一種含Mg氧化膜被覆軟磁性粉末的制造方法，其特征在于，將進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末作為原料粉末，在該原料粉末中添加Mg粉末并進(jìn)行混合，將由此得到的混合粉末在溫度為150～1100℃、壓力為1×10 12～1×10 1MPa的惰性氣體氣氛或真空氣氛中進(jìn)行加熱。
2.一種含Mg氧化膜被覆軟磁性粉末的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步在氧化氣氛中， 以50 400°C的溫度，對由權(quán)利要求1所述的方法制造的含Mg氧化膜被覆軟磁性粉末進(jìn)行 加熱。
3.一種含Mg氧化膜被覆軟磁性粉末的制造方法，其特征在于，權(quán)利要求1所述的軟磁 性金屬粉末的氧化處理是在氧化氣氛中，以50 500°C的溫度對軟磁性金屬粉末進(jìn)行加熱處理。
4.一種含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末制造用原料粉末，其特征在于，對軟磁性金屬 粉末進(jìn)行氧化處理而成。
5.一種含Mg氧化膜被覆軟磁性粉末的制造方法，其特征在于，在軟磁金屬粉末中添 加Mg粉末并加以混合，將由此得到的混合粉末在溫度為150 1100°C、壓力為1X10_12 1 X IO-1MPa的惰性氣體氣氛或真空氣氛中加熱，接著在氧化氣氛中，實施以50 400°C的溫 度進(jìn)行加熱的氧化處理。
6.一種含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法，其特征在于，權(quán)利要求1或5所 述的真空或惰性氣體氣氛中的加熱是一邊轉(zhuǎn)動一邊加熱。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末的制造方法，其特征在 于，所述軟磁性金屬粉末為鐵粉末、絕緣處理鐵粉末、Fe-Al系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Ni 系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Cr系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末、 Fe-Si-Al系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Co系鐵基軟磁性合金粉末、Fe-Co-V系鐵基軟磁性合 金粉末或Fe-P系鐵基軟磁性合金粉末。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的作為進(jìn)行了氧化處理的軟磁性金屬粉末的原料粉末的 制造方法，其特征在于，在Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末或Fe粉末中添加Si粉末并混合之 后，通過在非氧化氣氛中加熱，由此制作在Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末或Fe粉末的表面 具有高濃度Si擴(kuò)散層的Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末，該高濃度Si擴(kuò)散層含有的Si的濃 度比所述Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末或Fe粉末所含的Si的濃度高，對所得到的具有高 濃度Si擴(kuò)散層的Fe-Si系鐵基軟磁性合金粉末進(jìn)行氧化處理，由此成為在高濃度Si擴(kuò)散 層之上具有氧化層的表面氧化Fe-Si系鐵基軟磁性原料粉末。
9.一種電阻率及機(jī)械性強(qiáng)度優(yōu)異的復(fù)合軟磁性材的制造方法，其特征在于，將根據(jù)權(quán) 利要求1或5所述的方法制造的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末擠壓成形后，以400 1300°C的溫度煅燒。
10.一種電阻率及機(jī)械性強(qiáng)度優(yōu)異的復(fù)合軟磁性材的制造方法，其特征在于，在根據(jù)權(quán) 利求1或5所述的方法制造的含Mg氧化膜被覆軟磁性金屬粉末中，混合有機(jī)絕緣材料、無 機(jī)絕緣材料、或有機(jī)絕緣材料和無機(jī)絕緣材料的混合材料之后進(jìn)行壓粉成形，并在500 1000°C進(jìn)行煅燒。
11.一種電阻率和機(jī)械性強(qiáng)度優(yōu)異的軟磁性材，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求9、10所述 的方法制造。
12.一種電磁回路元件，其特征在于，由權(quán)利要求11所述的復(fù)合軟磁性材構(gòu)成。
13.—種權(quán)利要求12所述電磁回路元件，其特征在于，所述電磁回路元件是磁芯、電動 機(jī)芯、發(fā)電機(jī)磁芯、螺線管芯、點火線圈鐵芯、反應(yīng)堆芯、變壓器鐵芯、扼流圈鐵芯或磁傳感 器磁芯。
14.一種電氣設(shè)備，其特征在于，組裝有權(quán)利要求13所述的電磁回路元件。
全文摘要
提供一種含Mg氧化膜被覆復(fù)合軟磁性金屬粉末的制造方法，及采用據(jù)此方法制作的含Mg氧化膜被覆復(fù)合軟磁性金屬粉末制造復(fù)合軟磁性材的方法。在氧化氣氛中，在經(jīng)過以40～500℃的溫度進(jìn)行了加熱處理的軟磁性金屬粉末中添加Mg粉末并加以混合，將此混合粉末在溫度為150～1100℃、壓力為1×10-12～1×10-1MPa的惰性氣體氣氛或真空氣氛中進(jìn)行加熱，或者邊加熱邊使之轉(zhuǎn)動，由此制造含Mg氧化膜被覆復(fù)合軟磁性金屬粉末，使用此含Mg氧化膜被覆復(fù)合軟磁性金屬粉末制造復(fù)合軟磁性材。
文檔編號H01F41/02GK101927344SQ20101025826
公開日2010年12月29日 申請日期2005年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月6日
發(fā)明者中山亮治, 渡邊宗明, 魚住學(xué)司 申請人:大冶美有限公司