專利名稱：涂敷顯影裝置和涂敷顯影方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用藥液對(duì)基板進(jìn)行液體處理的涂敷顯影裝置和涂敷顯影方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造工藝中的光刻工序中，對(duì)半導(dǎo)體基板(以下稱為“基板”或 “晶片”)的表面進(jìn)行疏水化處理之后，涂敷BARC(Bottom Anti-Reflective Coating，底部 抗反射涂層)并進(jìn)行加熱處理，涂敷抗蝕劑并進(jìn)行加熱處理，進(jìn)行曝光處理，對(duì)可溶化的部 分進(jìn)行顯影處理從而除去，由此形成微細(xì)的抗蝕劑圖案。此處，在抗蝕劑圖案的曝光前的工序中，連續(xù)進(jìn)行涂敷BARC的涂敷處理、用于使 涂敷的BARC液體內(nèi)的溶劑蒸發(fā)的加熱處理(預(yù)烘焙)、冷卻處理(cooling)、在冷卻的晶片 上涂敷抗蝕劑的抗蝕劑涂敷處理、用于使涂敷的抗蝕劑液體內(nèi)的溶劑蒸發(fā)的加熱處理(預(yù) 烘焙)等各種處理。此外，在抗蝕劑圖案的曝光后的工序中，進(jìn)行用于促進(jìn)晶片上的抗蝕劑 膜的化學(xué)反應(yīng)的加熱處理(曝光后烘焙)、冷卻處理(cooling)、向冷卻后的晶片供給顯影 液進(jìn)行顯影處理等的各種處理。在這樣進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的涂敷處理和顯影處理的涂敷顯影裝置中，近年來(lái)，因?yàn)?伴隨晶片的大口徑化(對(duì)應(yīng)為450mm)各處理單元大型化，導(dǎo)致裝置整體的所占空間增大。此外，為了削減成本，優(yōu)選增大每單位時(shí)間的晶片處理能力。因此，在一個(gè)涂敷顯 影裝置中包含多個(gè)處理單元，裝置整體的所占空間進(jìn)一步增大。作為這樣的涂敷顯影裝置，有從盒體側(cè)向曝光裝置側(cè)在兩側(cè)配置各種處理單元， 在中央配置共用的晶片搬送臂的結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2003-7795號(hào)公報(bào)但是，上述涂敷顯影裝置具有以下的問(wèn)題。在中央配置共用的晶片搬送臂的情況下，在兩側(cè)的上下多段中配置的處理單元間 進(jìn)行晶片的交接的次數(shù)較多，晶片搬送臂的移動(dòng)距離變長(zhǎng)，存在處理時(shí)間增大，不能夠使得 每單位時(shí)間的晶片處理個(gè)數(shù)增大的問(wèn)題。此外，因?yàn)樵谥醒雰H存在一個(gè)晶片搬送臂，所以難以共用化、集合具有以處理某一 特定的晶片為目的的功能的各處理單元，存在不能夠削減所占空間的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而提出，提供能夠使晶片搬送臂的移動(dòng)距離變短，縮短處理 時(shí)間，減小所占空間的涂敷顯影裝置和涂敷顯影方法。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的特征在于以下內(nèi)容。本發(fā)明提供一種涂敷顯影裝置，其將利用載體搬入載體塊的基板交接至處理部， 在由上述處理部形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜之后，經(jīng)由接口塊搬送至曝光裝置，將經(jīng)由上 述接口塊送回的曝光后的基板由上述處理部進(jìn)行顯影處理，并交接至上述載體塊，該涂敷 顯影裝置的特征在于，具有液體處理單元，該液體處理單元包括使用藥液對(duì)基板進(jìn)行液體處理的液體處理部；與上述液體處理部對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)基板進(jìn)行冷卻處理的冷卻處理部；和 與上述冷卻處理部對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理部，上述冷卻處理部具有在 其與上述液體處理部之間以及與上述加熱處理部之間搬送基板的基板搬送功能。此外，本發(fā)明提供一種涂敷顯影方法，其將利用載體搬入載體塊的基板交接至處 理機(jī)構(gòu)，在由上述處理機(jī)構(gòu)形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜之后，經(jīng)由接口塊搬送至曝光裝置， 將經(jīng)由上述接口塊送回的曝光后的基板由上述處理機(jī)構(gòu)進(jìn)行顯影處理，并交接至上述載體 塊，該涂敷顯影方法的特征在于，具有利用液體處理機(jī)構(gòu)使用藥液對(duì)基板進(jìn)行液體處理的 液體處理工序；利用與上述液體處理機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)設(shè)置的冷卻處理機(jī)構(gòu)對(duì)基板進(jìn)行冷卻處理的 冷卻處理工序；和利用與上述冷卻處理機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)設(shè)置的加熱處理機(jī)構(gòu)對(duì)基板進(jìn)行加熱處理 的加熱處理工序，上述冷卻處理機(jī)構(gòu)具有在其與上述液體處理機(jī)構(gòu)之間以及與上述加熱處 理機(jī)構(gòu)之間搬送基板的基板搬送功能。根據(jù)本發(fā)明，在對(duì)基板進(jìn)行液體處理的涂敷顯影裝置中，能夠使晶片搬送臂的移 動(dòng)距離變短，縮短處理時(shí)間，使所占空間變小。


圖1是表示實(shí)施方式的涂敷顯影裝置的結(jié)構(gòu)的概要平面圖。圖2是表示實(shí)施方式的涂敷顯影裝置的結(jié)構(gòu)的概要正面圖。圖3是表示實(shí)施方式的涂敷處理單元的結(jié)構(gòu)的概要平面圖。圖4是表示實(shí)施方式的涂敷處理單元的結(jié)構(gòu)的概要正面圖。圖5是用于說(shuō)明實(shí)施方式的涂敷顯影裝置中的冷卻處理部的冷卻板能夠在涂敷 處理部與加熱處理部之間移動(dòng)的情況的概要立體圖。圖6是用于說(shuō)明實(shí)施方式的涂敷顯影裝置中的冷卻處理部的冷卻板能夠在涂敷 處理部與加熱處理部之間移動(dòng)的情況的概要立體圖。圖7是說(shuō)明在進(jìn)行使用實(shí)施方式的涂敷顯影裝置的涂敷處理方法的一個(gè)例子時(shí) 的各單元和各部中的晶片的處理狀態(tài)的時(shí)序圖。圖8是表示實(shí)施方式的變形例的涂敷顯影裝置的結(jié)構(gòu)的概要平面圖。
圖9是表示實(shí)施方式的變形例的涂敷顯影裝置的結(jié)構(gòu)的概要正面圖。
附圖標(biāo)記
W半導(dǎo)體晶片(被處理基板)
U杯體
12旋轉(zhuǎn)卡盤
12a、34支承銷
21、21a、21b 冷卻板
21c保持板
32、32a 32d熱板
B4涂敷顯影處理塊
COTU涂敷處理單元
COT涂敷處理部
CA冷卻處理部
DEVU顯影處理單元HP加熱處理部
具體實(shí)施例方式接著，使用

用于實(shí)施本發(fā)明的方式。(實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)D1 圖7說(shuō)明實(shí)施方式的涂敷顯影裝置。圖1和圖2分別是表示本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置的結(jié)構(gòu)的概要平面圖和概要正 面圖。本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置具有載體塊Bi、檢查塊B2、疏水化/熱處理塊B3、涂 敷顯影處理塊B4、清洗塊B5、接口塊B6。從載體塊Bl到接口塊B6按照上述順序配置，接口 塊B6與未圖示的曝光裝置連接。載體塊Bl具有盒體載置臺(tái)CS、晶片搬送臂1。盒體載置臺(tái)CS能夠在其上表面的 規(guī)定位置將多個(gè)盒體C在水平的X方向上載置為一列。晶片搬送臂1設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路Ia上移動(dòng)。晶片搬送臂1在收納 于盒體C的晶片W的晶片排列方向(Z方向，鉛直方向)上也能夠自由移動(dòng)，有選擇地對(duì)在 X方向上排列的各盒體C內(nèi)的晶片W進(jìn)行訪問(wèn)。晶片搬送臂1構(gòu)成為能夠以Z軸為中心在 Θ方向上旋轉(zhuǎn)。并且構(gòu)成為對(duì)于后述的檢查塊Β2的緩沖盒體也能夠進(jìn)行訪問(wèn)。另外，載體塊Bl中的盒體載置臺(tái)CS相當(dāng)于本發(fā)明的搬入搬出單元。檢查塊Β2例如具有兩個(gè)檢查單元ΜΙ1、ΜΙ2、兩個(gè)交接單元TRS1、TRS2、兩個(gè)晶片搬 送臂2、3。兩個(gè)檢查單元MI1、MI2測(cè)定在晶片W上形成的膜的厚度、圖案的線寬。作為檢查單 元Mil、MI2，例如能夠使用具有散射計(jì)的光學(xué)數(shù)字影像(Optical Digital Profilometry, 0DP)系統(tǒng)?；蛘撸鳛闄z查單元ΜΙ1、ΜΙ2，也可以設(shè)置有對(duì)晶片W上的宏觀缺陷進(jìn)行檢測(cè)的 宏觀檢查單元。或者，在檢查塊Β2中，作為檢查單元ΜΙ1、ΜΙ2，也可以設(shè)置有對(duì)曝光的重合 錯(cuò)位即形成的圖案與基底的圖案的錯(cuò)位進(jìn)行檢測(cè)的重合檢查單元。兩個(gè)交接單元TRS1、TRS2以上下重合的方式設(shè)置，在其與載體塊Bl的晶片搬送臂 1之間進(jìn)行晶片的交接。晶片搬送臂2設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路2a上移動(dòng)。晶片搬送臂2在收納 于交接單元TRS1、TRS2的晶片W的晶片排列方向(Z方向，鉛直方向)上也能夠自由移動(dòng)， 能夠有選擇地對(duì)上下重合設(shè)置的交接單元TRS1、TRS2內(nèi)的晶片進(jìn)行訪問(wèn)。晶片搬送臂2在 交接單元TRS1、TRS2與檢查單元Mil之間進(jìn)行晶片W的交接。晶片搬送臂3由例如在上段和下段重疊配置的晶片搬送臂3a、3b構(gòu)成。上段的晶 片搬送臂3a與交接單元TRSl和后述的疏水化/熱處理塊B3的上段對(duì)應(yīng)設(shè)置。下段的晶 片搬送臂3b與交接單元TRS2和后述的疏水化/熱處理塊B3的下段對(duì)應(yīng)設(shè)置。晶片搬送臂3a設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路3c上移動(dòng)。晶片搬送臂3a在收 納于交接單元TRSl的晶片W的晶片排列方向(Z方向，鉛直方向)上也能夠自由移動(dòng)，構(gòu)成 為能夠有選擇地對(duì)上下重疊設(shè)置的交接單元TRSl內(nèi)的晶片W進(jìn)行訪問(wèn)。晶片搬送臂3a設(shè) 置為能夠在檢查單元MIl與后述的疏水化處理塊B3的上段之間交接晶片W。
晶片搬送臂3b設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路3d上移動(dòng)。晶片搬送臂3b在收 納于交接單元TRS2的晶片W的晶片排列方向(Z方向，鉛直方向)上也能夠自由移動(dòng)，構(gòu)成 為能夠有選擇地對(duì)上下重疊設(shè)置的交接單元TRS2內(nèi)的晶片W進(jìn)行訪問(wèn)。晶片搬送臂3b設(shè) 置為能夠在檢查單元MI2與后述的疏水化處理塊B3的下段之間交接晶片W。疏水化/熱處理塊B3具有架單元Ul U3、晶片搬送臂4。架單元Ul U3與后 述的涂敷處理單元COTUl C0TU3對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)在涂敷處理單元中進(jìn)行處理的基板進(jìn)行疏 水化處理或熱處理。另外，疏水化/熱處理塊B3中的疏水化處理與本發(fā)明的前處理相當(dāng)，疏水化/熱 處理塊B3中的熱處理與本發(fā)明的后處理相當(dāng)。架單元Ul由例如上下二段重疊配置的架單元U11、U12構(gòu)成。同樣的，架單元U2 和U3也分別由上下二段重疊配置的架單元U21、U22的組、U31、U32的組構(gòu)成。在上段的架單元Ul 1、U21、U31中，為了對(duì)晶片W進(jìn)行疏水化處理，例如將四個(gè)疏水 化處理單元ADH、兩個(gè)冷卻處理單元CPL上下重疊地配置。如圖2所示的一個(gè)例子那樣，例 如從上向下，配置兩個(gè)疏水化處理單元ADH、一個(gè)冷卻處理單元CPL、兩個(gè)疏水化處理單元 ADH、一個(gè)冷卻處理單元CPL。在下段的架單元U12、U22、U32中，為了對(duì)在涂敷顯影處理塊B4的顯影處理單元的 DEV中進(jìn)行了顯影處理的晶片W進(jìn)行熱處理，例如將四個(gè)加熱處理單元HP、兩個(gè)冷卻處理單 元CPL上下重疊地配置。如圖2所示的一個(gè)例子那樣，例如從上向下，配置兩個(gè)加熱處理單 元HP、一個(gè)冷卻處理單元CPL、兩個(gè)加熱處理單元HP、一個(gè)冷卻處理單元CPL。晶片搬送臂4由例如上段和下段重疊配置的晶片搬送臂4a、4b構(gòu)成。上段的晶片 搬送臂4a與上段的架單元U11、U21、U31對(duì)應(yīng)設(shè)置。下段的晶片搬送臂4b與下段的架單元 U12、U22、U32對(duì)應(yīng)設(shè)置。晶片搬送臂4a設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路4c上移動(dòng)。晶片搬送臂4a在Z 方向(鉛直方向)上也能夠自由移動(dòng)，構(gòu)成為能夠有選擇地對(duì)架單元U11、U21、U31的各處 理單元內(nèi)的晶片W進(jìn)行訪問(wèn)。晶片搬送臂4a在架單元U11、U21、U31與后述的涂敷顯影處 理塊B4的涂敷處理單元COTUl C0TU3的涂敷處理部COT之間進(jìn)行晶片W的交接。晶片搬送臂4b設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路4d上移動(dòng)。晶片搬送臂4b在Z 方向(鉛直方向)上也能夠自由移動(dòng)，構(gòu)成為能夠有選擇地對(duì)架單元U12、U22、U32的各處 理單元內(nèi)的晶片W進(jìn)行訪問(wèn)。晶片搬送臂4b在架單元U12、U22、U32與后述的涂敷顯影處 理塊B4的顯影處理單元DEVUl DEVU3的顯影處理部DEV之間進(jìn)行晶片W的交接。涂敷顯影處理塊B4例如具有涂敷處理單元COTUl C0TU3、顯影處理單元 DEVUl DEVU3。涂敷處理單元和顯影處理單元上下二段地重疊設(shè)置，例如在上段設(shè)置有涂 敷處理單元，在下段設(shè)置有顯影處理單元。涂敷處理單元COTUl由例如上下二段重疊配置的涂敷處理單元C0TU11、C0TU12 構(gòu)成。同樣地，涂敷處理單元C0TU2、C0TU3也分別由上下二段重疊配置的涂敷處理單元 C0TU2UC0TU22 的組、C0TU31、C0TU32 的組構(gòu)成。顯影處理單元DEVUl也由例如上下兩段重疊配置的顯影處理單元DEVUl 1、DEVU12 構(gòu)成。同樣地，顯影處理單元DEVU2、DEVU3也分別由上下二段重疊配置的顯影處理單元 DEVU2UDEVU22 的組、DEVU31、DEVU32 的組構(gòu)成。
接著，作為涂敷處理單元COTUll C0T32的一個(gè)例子，對(duì)涂敷處理單元COTUll的 結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。另外，涂敷處理單元C0TU12 C0TU32也能夠與涂敷處理單元COTUll的結(jié) 構(gòu)同樣。涂敷處理單元COTUll具有涂敷處理部COT、冷卻處理部CA、加熱處理部HP。此外， 還具有向涂敷處理部COT供給藥液的藥液供給部Ν0Ζ。冷卻處理部CA與涂敷處理部COT — 對(duì)一地對(duì)應(yīng)設(shè)置。加熱處理部HP與冷卻處理部CA —對(duì)一地對(duì)應(yīng)設(shè)置，因此與涂敷處理部 COT也一對(duì)一地對(duì)應(yīng)設(shè)置。涂敷處理部COT、冷卻處理部CA、加熱處理部HP在水平面內(nèi)Y方 向上依次排列在一條直線上。另外，本實(shí)施方式的涂敷處理單元是本發(fā)明的液體處理單元的一個(gè)實(shí)施方式。此 外，本實(shí)施方式的涂敷處理部相當(dāng)于本發(fā)明的液體處理部和液體處理機(jī)構(gòu)。此外，本實(shí)施方 式的冷卻處理部相當(dāng)于本發(fā)明的冷卻處理部和冷卻處理機(jī)構(gòu)。此外，本實(shí)施方式的加熱處 理部相當(dāng)于本發(fā)明的加熱處理部和加熱處理機(jī)構(gòu)。此外，涂敷處理部COT、冷卻處理部CA、加熱處理部HP只要設(shè)置為加熱處理部HP 與冷卻處理部CA相鄰，冷卻處理部CA與涂敷處理部COT相鄰即可，不需要依次排列在一條
直線上。如后所述，冷卻處理部CA具有在其與涂敷處理部COT之間以及與加熱處理部HP 之間搬送晶片W的基板搬送功能。具體地說(shuō)，冷卻處理部CA具有保持基板并進(jìn)行冷卻處理 的后述的冷卻板。冷卻板設(shè)置為能夠在Y方向移動(dòng)并且能夠在Z方向移動(dòng)。冷卻處理部CA 利用冷卻板在其與涂敷處理部COT之間以及與加熱處理部HP之間進(jìn)行晶片W的交接。此外，在涂敷顯影處理塊B4中，在俯視時(shí)+X方向或-X方向的跟前側(cè)和進(jìn)深側(cè)或 者Z方向的上側(cè)和下側(cè)等的空余空間中，也可以設(shè)置有用于向涂敷顯影處理塊的各涂敷處 理單元供給各種處理液的化學(xué)室CHM。此外，代替化學(xué)室CHM，也可以設(shè)置收納電控制電路 等的電裝室。清洗塊B5具有周邊曝光裝置WEE、晶片搬送臂5、清洗單元IRl IR3、緩沖單元 BUF。周邊曝光裝置TOE進(jìn)行對(duì)在涂敷處理單元COTU中進(jìn)行了涂敷藥液的涂敷處理的 晶片的周邊部分曝光的周邊曝光處理。晶片搬送臂5由例如上段和下段重疊配置的晶片搬送臂5a、5b構(gòu)成。上段的晶片搬送臂5a與涂敷顯影處理塊B5的涂敷處理單元COTUl C0TU3對(duì)應(yīng) 設(shè)置。下段的晶片搬送臂5b與涂敷顯影處理塊B4的顯影處理單元DEVUl DEVU3對(duì)應(yīng) 設(shè)置。上段的晶片搬送臂5a設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路5c上移動(dòng)，在涂敷處理單元 COTUl C0TU3的加熱處理部HP與清洗塊B5的后述的清洗單元IRll IR31和緩沖單元 BUFl之間進(jìn)行晶片W的交接。下段的晶片搬送臂5b設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路5d 上移動(dòng)，在顯影處理單元DEVUl DEVU3的加熱處理部HP與清洗塊B5的后述的清洗單元 IR21 IR32和緩沖單元BUF2之間進(jìn)行晶片W的交接。清洗單元IRl例如由上下二段重疊配置的清洗單元IR11、IR12構(gòu)成。同樣地，清 洗單元IR2、IR3也分別由上下二段重疊配置的清洗單元IR21、IR22的組、IR31、IR32的組 構(gòu)成。此外，清洗單元IRll IR32分別由例如上下二段重疊配置的旋轉(zhuǎn)清洗單元SRS、浸 漬清洗單元PIR構(gòu)成。此外，代替一部分的旋轉(zhuǎn)清洗單元SRS、浸清清洗單元PIR，也可以配置洗滌器(scrubber) SCR或背面洗滌器BST。清洗單元IR11、IR21、IR31中，進(jìn)行周邊曝光裝置WEE中的曝光前后的晶片W的清 洗，以及經(jīng)由接口塊B6連接的曝光裝置中的曝光前的晶片W的清洗即曝光前清洗。清洗單 元IR12、IR22、IR32中，進(jìn)行曝光裝置中的曝光后的晶片W的清洗即曝光后清洗。另外，清洗塊B5中的曝光前清洗相當(dāng)于本發(fā)明的后處理，清洗塊B5中的曝光后清 洗相當(dāng)于本發(fā)明的前處理。緩沖單元BUF由例如上段和下段重疊配置的緩沖單元BUF1、BUF2構(gòu)成。上段的緩 沖單元BUFl是暫時(shí)收納搬入周邊曝光裝置TOE、未圖示的曝光裝置B7中的晶片W的內(nèi)部用 緩沖單元。下段的緩沖單元BUF2是暫時(shí)收納從曝光裝置B7搬出的晶片W的外部用緩沖單 元。此外，緩沖單元BUF1、BUF2中，分別上下重疊地配置有冷卻處理單元CPL1、CPL2。接口塊B6具有晶片搬送臂6。晶片搬送臂6設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路6a 上移動(dòng)。晶片搬送臂6在Z方向(鉛直方向)上也能夠自由移動(dòng)，構(gòu)成為能夠有選擇地對(duì) 清洗塊B5的清洗單元IRl IR3及緩沖單元BUF1、BUF2內(nèi)的晶片W進(jìn)行訪問(wèn)。晶片搬送 臂6將進(jìn)行了曝光前清洗的晶片W從緩沖單元BUFl交接至未圖示的曝光裝置B7，并且將進(jìn) 行了曝光的晶片W從未圖示的曝光裝置B7交接至緩沖單元BUF2。接著，對(duì)涂敷顯影裝置中的晶片W的行程進(jìn)行說(shuō)明。首先，盒體C從外部被搬入盒 體載置臺(tái)CS，由晶片搬送臂1從盒體C內(nèi)取出晶片W。晶片W從晶片搬送臂1交接至交接 單元TRS1，由晶片搬送臂2交接至檢查單元MIl進(jìn)行檢查。進(jìn)行了檢查之后，晶片W由晶 片搬送臂3a搬送至疏水化處理單元ADH進(jìn)行疏水化處理，進(jìn)行了疏水化處理的晶片W由晶 片搬送臂4a搬送至涂敷處理單元C0TU。在涂敷處理單元COTU內(nèi)，由涂敷處理部COT、冷卻 處理部CA、加熱處理部HP分別進(jìn)行了處理之后，由晶片搬送臂5a搬送至冷卻單元CPLl進(jìn) 行冷卻處理。進(jìn)行了冷卻處理的晶片W，由晶片搬送臂5a搬送至旋轉(zhuǎn)清洗單元SRS進(jìn)行清 洗處理之后，晶片W被搬送至周邊曝光裝置WEE進(jìn)行周邊曝光。之后，由晶片搬送臂5a搬 送至清洗單元IR11、IR21、IR31中的任一個(gè)，進(jìn)行曝光前清洗。進(jìn)行了曝光前清洗的晶片W 由接口塊B6的晶片搬送臂6搬送至未圖示的曝光裝置B7，進(jìn)行曝光處理。進(jìn)行了曝光處理的晶片W由接口塊B6的晶片搬送臂6搬送至清洗單元IR12、 IR22、IR32中的任一個(gè)，進(jìn)行曝光后清洗。進(jìn)行了曝光后清洗的晶片W由晶片搬送臂5b搬 送至顯影處理單元DEVU。在顯影處理單元DEVU內(nèi)，在加熱處理部HP、冷卻處理部CA、顯影 處理部DEV中分別進(jìn)行了處理之后，由晶片搬送臂4b搬送至加熱處理單元HP進(jìn)行加熱處 理。進(jìn)行了加熱處理的晶片W由晶片搬送臂3b交接至檢查單元MI2進(jìn)行檢查。進(jìn)行了檢 查之后，晶片W由晶片搬送臂2搬送至交接單元TRS2，由晶片搬送臂1送回盒體C內(nèi)。此外，在上述晶片W的行程中，在涂敷處理單元COTU和顯影處理單元DEVU中分別 進(jìn)行的處理，能夠?yàn)槭褂枚鄠€(gè)涂敷處理單元COTU和多個(gè)顯影處理單元DEVU的并聯(lián)處理。S卩，本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置將利用載體(盒體C)搬入載體塊Bl中的基板交 至處理部(涂敷處理部COT、冷卻處理部CA、加熱處理部HP)，由處理部形成包含抗蝕劑膜 的涂敷膜之后，經(jīng)由接口塊B6搬送至曝光裝置，將經(jīng)由接口塊B6被送回的曝光后的基板利 用處理部(顯影處理部DEV、冷卻處理部CA、加熱處理部HP)進(jìn)行顯影處理，并交至載體塊 Bi。接著，參照?qǐng)D3和圖4，說(shuō)明本實(shí)施方式的包含涂敷處理部COT、冷卻處理部CA、加
9熱處理部HP的涂敷處理單元的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖3和圖4分別是表示本實(shí)施方式的涂敷處理單元的結(jié)構(gòu)的概要平面圖和概要正 面圖。如上所述，本實(shí)施方式的涂敷處理單元COTU由涂敷處理部COT、冷卻處理部CA、加 熱處理部HP構(gòu)成，另外具有藥液供給部Ν0Ζ。涂敷處理部COT具有杯體11和旋轉(zhuǎn)卡盤12。杯體11配置在涂敷處理部COT的中央部，具有環(huán)狀形狀。旋轉(zhuǎn)卡盤12配置在杯 體11的內(nèi)側(cè)，以通過(guò)真空吸附固定保持晶片W的狀態(tài)，被未圖示的例如由電機(jī)構(gòu)成的旋轉(zhuǎn) 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。旋轉(zhuǎn)卡盤12由未圖示的例如由氣缸構(gòu)成的升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上下移動(dòng)驅(qū) 動(dòng)。此外，旋轉(zhuǎn)卡盤12為了交接晶片W具有能夠上下移動(dòng)的支承銷12a。藥液供給部NOZ具有噴嘴13。噴嘴13向晶片W的表面供給藥液。噴嘴13經(jīng)由未圖示的藥液供給管與未圖示的 藥液供給源連接，從藥液供給源被供給藥液。噴嘴13以能夠裝卸的方式安裝于噴嘴掃描臂 14的前端部。噴嘴掃描臂14安裝于在涂敷處理單元COTU的底板上沿一個(gè)方向(X方向) 敷設(shè)的導(dǎo)軌15上能夠水平移動(dòng)的垂直支承部件16的上端部，由未圖示的Y方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu) 與垂直支承部件16 —體地沿Y方向移動(dòng)。在導(dǎo)軌15上，由噴嘴13、噴嘴掃描臂14、垂直支承部件16構(gòu)成的組，可以例如與 抗蝕劑、BARC、TARC (Top Anti-Reflective Coating，頂部抗反射涂層)、TC (Immersion Top Coat，含浸式表面涂層)、S0G(Spin On Glass，旋涂玻璃)等中使用的藥液的種類對(duì)應(yīng)地設(shè) 置有多組。在圖3所示的一個(gè)例子中，與BARC和抗蝕劑的兩種藥液對(duì)應(yīng)，設(shè)置有兩組。噴 嘴13a、噴嘴掃描臂14a、垂直支承部件16a供給BARC的藥液，噴嘴13b、噴嘴掃描臂14b、垂 直支承部件16b供給抗蝕劑的藥液。噴嘴13a、13b能夠沿X方向在導(dǎo)軌14上自由移動(dòng)，在 藥液供給部NOZ中能夠任意選擇噴嘴13a、13b中的一方使用。另外，如本實(shí)施方式所說(shuō)明的那樣，在并排配置有多個(gè)涂敷處理單元COTU時(shí)，可 以將在X方向上排列配置的不同的涂敷處理單元COTU的涂敷處理部COT設(shè)置為共用一個(gè) 導(dǎo)軌15和兩個(gè)噴嘴13a、13b。如圖3和圖4所示，冷卻處理部CA具有冷卻板21、滑動(dòng)機(jī)構(gòu)22、Z軸移動(dòng)機(jī)構(gòu)23、 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)24。如圖3和圖4所示，冷卻板21形成為前端彎曲成圓弧狀的大致方形形狀。在 冷卻板21內(nèi)，例如內(nèi)置有流通制冷劑的未圖示的冷卻管，利用該冷卻管，冷卻板21維持為 規(guī)定的冷卻溫度例如23°C。冷卻板21利用滑動(dòng)機(jī)構(gòu)22能夠在平面內(nèi)Y方向進(jìn)退自由地移 動(dòng)，利用Z軸移動(dòng)機(jī)構(gòu)23能夠在Z方向上移動(dòng)，利用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)24能夠圍繞旋轉(zhuǎn)軸25旋轉(zhuǎn)。如圖3所示，在冷卻板21形成有兩個(gè)隙縫26。隙縫26從冷卻板21中的加熱處理 部HP側(cè)的端部形成到中央部附近，使得冷卻板21在涂敷處理部COT的杯體11上移動(dòng)時(shí)不 會(huì)與支承銷12a碰撞，并且使得冷卻板21在加熱處理部HP的熱板32上移動(dòng)時(shí)不會(huì)與后述 的支承銷34碰撞。加熱處理部HP具有四組加熱處理室31、熱板32。即，加熱處理部HP從上向下具 有加熱處理室31a 31d、熱板32a 32d。以下，說(shuō)明一組加熱處理室31、熱板32。如圖3和圖4所示，加熱處理室31包圍熱板32的下方、上方和側(cè)方中的兩方，在 側(cè)方中的兩方即冷卻處理部CA側(cè)和其相反側(cè)具有開(kāi)口 33a、33b。由此，熱板32收納在加熱處理室31的內(nèi)側(cè)。熱板32例如具有厚型的圓盤形狀，在熱板32內(nèi)例如內(nèi)置有未圖示的加 熱器。利用該加熱器，熱板32能夠升溫至規(guī)定的加熱溫度例如130°C。在熱板32的中央附近，利用未圖示的升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)升降的支承銷34分別以能夠 貫通插入的方式形成。利用該支承銷34，能夠在熱板32上使晶片W升降，能夠在熱板32與 冷卻板21之間進(jìn)行晶片W的交接。此處，參照?qǐng)D5和圖6，說(shuō)明本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置中的冷卻處理部的冷卻板 在其與涂敷處理部之間以及與加熱處理部之間進(jìn)行晶片W的交接的動(dòng)作的一個(gè)例子。圖5和圖6是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置的冷卻處理部的冷卻板在涂敷 處理部與加熱處理部之間能夠移動(dòng)的情況的概要立體圖。例如在圖5的例子中，冷卻板21a設(shè)置為能夠在沿Y方向設(shè)置的導(dǎo)軌27a上移動(dòng)， 設(shè)置為能夠在涂敷處理部COT的杯體11的上方與加熱處理部HP的熱板32的上方之間移 動(dòng)。涂敷處理部COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12具有能夠上下移動(dòng)的支承銷12a，利用支承銷12a進(jìn)行 晶片W的交接。加熱處理部HP的熱板32也具有與涂敷處理部COT的支承銷12a同樣的支 承銷34。冷卻板21a形成為加熱側(cè)彎曲為圓弧狀的大致方形形狀。在冷卻板21a內(nèi)例如內(nèi) 置有流通制冷劑的未圖示的冷卻管。利用該冷卻管，冷卻板21a維持為規(guī)定的冷卻溫度例 如23°C。此外，在冷卻板21a如圖5所示形成有兩個(gè)隙縫26a。隙縫26a從冷卻板21a中 的加熱處理部HP側(cè)的端部形成到中央部附近，使得冷卻板21a在涂敷處理部COT的杯體11 上以及在加熱處理部HP的熱板32的上方移動(dòng)時(shí)，分別不會(huì)與支承銷12a和支承銷34碰撞。例如圖5所示，導(dǎo)軌27a設(shè)置在冷卻板21a的沿著Y方向的側(cè)方。冷卻板21a利 用未圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)在導(dǎo)軌27a上移動(dòng)，在涂敷處理部COT的杯體11的上方與加熱處理部 HP的熱板32的上方之間移動(dòng)。另一方面，在圖6的例子中，冷卻板21b設(shè)置有保持板21c。冷卻板21b設(shè)置為能 夠在沿Y方向設(shè)置的第一導(dǎo)軌27b上移動(dòng)，設(shè)置為在加熱處理部HP的熱板32的上方能夠 自由進(jìn)退。保持板21c設(shè)置為能夠在沿Y方向設(shè)置的第二導(dǎo)軌27c上移動(dòng)，設(shè)置為在涂敷 處理部COT的杯體11的上方能夠自由進(jìn)退。加熱處理部HP的熱板32具有能夠上下移動(dòng) 的支承銷34，在熱板32與冷卻板21b之間利用支承銷34進(jìn)行晶片W的交接。涂敷處理部 COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12設(shè)置為能夠上下移動(dòng)，在其與保持板21c之間進(jìn)行晶片W的交接。冷卻板21b除了 X方向的寬度尺寸變小以外，與圖5所示的冷卻板21a為大致相 同的結(jié)構(gòu)，在內(nèi)部?jī)?nèi)置有未圖示的冷卻管，形成有隙縫26b使得不與熱板32的支承銷34碰 撞。保持板21c以從X方向兩側(cè)夾著冷卻板21b的方式構(gòu)成。由此，在保持板21c如圖6 所示形成有寬隙縫26c。隙縫26c形成為使得保持板21c在涂敷處理部COT的杯體11的上 方移動(dòng)時(shí)不與上下移動(dòng)的旋轉(zhuǎn)卡盤12碰撞。保持板21c具有未圖示的上下移動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)， 通過(guò)改變相對(duì)冷卻板21b的高度，在其與冷卻板21b之間能夠進(jìn)行晶片W的交接。此外，保 持板21c雖然在其與涂敷處理部COT之間進(jìn)行晶片W的交接，但內(nèi)部可以內(nèi)置冷卻管。接著，參照?qǐng)D7，說(shuō)明本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置的晶片的涂敷處理方法的一個(gè)例 子。另外，本實(shí)施方式的涂敷處理方法相當(dāng)于本發(fā)明的涂敷顯影方法。此外，本發(fā)明的 涂敷顯影方法是，將由載體(盒體C)搬入載體塊B 1中的基板交至處理機(jī)構(gòu)(涂敷處理部
11COT、冷卻處理部CA、加熱處理部HP)，在經(jīng)由處理機(jī)構(gòu)形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜之后，經(jīng) 由接口塊B6搬送至曝光裝置，對(duì)經(jīng)由接口塊B6送回的曝光后的基板利用處理機(jī)構(gòu)(顯影 處理部DEV、冷卻處理部CA、加熱處理部HP)進(jìn)行顯影處理，并交至載體塊Bi。圖7是說(shuō)明在進(jìn)行使用本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置的涂敷處理方法一個(gè)例子時(shí) 的各單元和各部的晶片的處理狀態(tài)的時(shí)序圖。在圖7所示的時(shí)序圖中，從左側(cè)的列開(kāi)始依次表示步驟編號(hào)、涂敷處理部COT的旋 轉(zhuǎn)卡盤12所保持的晶片W的晶片編號(hào)、冷卻處理部CA的冷卻板21所保持的晶片W的晶片 編號(hào)、加熱處理部HP的熱板32a、32b所保持的晶片W的晶片編號(hào)。此外，圖7的各步驟的 縱方向的長(zhǎng)度表示各步驟中的處理時(shí)間的大小的傾向。但是，圖7的各步驟中的縱方向的 長(zhǎng)度只是示意性表示處理時(shí)間的傾向，并不是正確的時(shí)間。從步驟Sl到步驟S12，作為一個(gè)例子對(duì)兩塊晶片Wl、W2連續(xù)進(jìn)行BARC涂敷處理 —加熱處理(預(yù)烘焙)一冷卻處理一抗蝕劑涂敷處理一加熱處理(預(yù)烘焙)。另外，在開(kāi)始步驟Sl之前，作為步驟S0，將藥液供給部NOZ的噴嘴更換為BARC藥 液用噴嘴。首先，進(jìn)行步驟Sl。在步驟Sl中，將晶片Wl從疏水化/冷卻處理塊B3的冷卻處 理單元COL交至涂敷處理部COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12，開(kāi)始BARC涂敷處理。將晶片Wl從冷卻處理單元COL交至疏水化/冷卻處理塊B3的晶片搬送臂4a。接 著，對(duì)晶片搬送臂4a調(diào)整X方向的位置和Z方向的高度，使晶片搬送臂4a向+Y方向移動(dòng)， 進(jìn)入涂敷處理部COT的杯體11的上方。接著，使涂敷處理部COT的支承銷12a上升，將晶 片Wl從晶片搬送臂4a交至支承銷12a。接著，使晶片搬送臂4a向-Y方向移動(dòng)，從杯體11 的上方離開(kāi)。接著使支承銷12a下降，將晶片Wl從支承銷12a交至旋轉(zhuǎn)卡盤12。接著，使 晶片Wl旋轉(zhuǎn)，同時(shí)利用BARC藥液用噴嘴將BARC藥液供給至晶片Wl的表面，涂敷BARC。作 為涂敷處理?xiàng)l件，例如使旋轉(zhuǎn)速度為3000rpm，使處理時(shí)間為60秒。接著，進(jìn)行步驟S2。在步驟S2中，將涂敷處理完成的晶片Wl從涂敷處理部COT的 旋轉(zhuǎn)卡盤12交至冷卻處理部CA的冷卻板21，將晶片W2從疏水化/冷卻處理塊B3的冷卻 處理單元COL交至涂敷處理部COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12，開(kāi)始BARC涂敷處理。使涂敷處理部COT的支承銷12a上升，將晶片Wl從旋轉(zhuǎn)卡盤12交至支承銷12a。 接著，使冷卻板21沿-Y方向移動(dòng)，進(jìn)入涂敷處理部COT的杯體11的上方。接著，使支承銷 12a下降，將晶片Wl從支承銷12a交至冷卻板21。接著，使繼續(xù)保持晶片Wl的冷卻板21 向+Y方向移動(dòng)，離開(kāi)杯體11的上方。在晶片W2上涂敷BARC的工序與步驟Sl中在晶片Wl 上涂敷BARC的工序同樣，將晶片W2保持于涂敷處理部COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12，使晶片W2旋轉(zhuǎn)， 同時(shí)利用BARC藥液用噴嘴將BARC藥液供給至晶片W2的表面，涂敷BARC。涂敷處理?xiàng)l件與 晶片Wl同樣。接著，進(jìn)行步驟S3。在步驟S3中，將晶片Wl從冷卻處理部CA的冷卻板21交至加 熱處理部HP的熱板32a (熱板1)，開(kāi)始加熱處理，晶片W2則繼續(xù)進(jìn)行涂敷處理。調(diào)整Z方 向的高度，向+Y方向移動(dòng)，使繼續(xù)保持晶片Wl的冷卻板21進(jìn)入加熱處理部HP的熱板32a 的上方。接著使熱板32a的支承銷34上升，將晶片Wl從冷卻板21交至支承銷34。接著使 冷卻板21向-Y方向移動(dòng)，離開(kāi)熱板32a的上方。接著使支承銷34下降，將晶片Wl從支承 銷34交至熱板32a，開(kāi)始對(duì)晶片Wl進(jìn)行加熱處理。作為加熱處理?xiàng)l件，例如使處理溫度為200 0C，使處理時(shí)間為90秒。接著，進(jìn)行步驟S4。在步驟S4中，晶片Wl繼續(xù)進(jìn)行加熱處理，將涂敷處理完成的 晶片W2從涂敷處理部COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12交至冷卻處理部CA的冷卻板21。將晶片W2從旋 轉(zhuǎn)卡盤12交至冷卻板21的工序與步驟S2中將晶片Wl從旋轉(zhuǎn)卡盤12交至冷卻板21的工 序同樣。接著，進(jìn)行步驟S5。在步驟S5中，晶片Wl繼續(xù)進(jìn)行加熱處理，將晶片W2從冷卻 處理部CA的冷卻板21交至加熱處理部HP的熱板32b (熱板2)，開(kāi)始加熱處理。將晶片W2 從冷卻板21交至熱板32b的工序，除了進(jìn)行交接的熱板是熱板32b之外，與步驟S3中將晶 片Wl從冷卻板21交至熱板32a的工序同樣。接著，進(jìn)行步驟S6。在步驟S6中，將加熱處理完成的晶片Wl從加熱處理部HP的 熱板32a交至冷卻處理部CA的冷卻板21，晶片W2繼續(xù)進(jìn)行加熱處理。使熱板32a的支承 銷34上升，將晶片Wl從熱板32a交至支承銷34。接著調(diào)整Z方向的高度，向+Y方向移動(dòng)， 使冷卻板21進(jìn)入加熱處理部HP的熱板32a的上方。接著使支承銷34下降，將晶片Wl從 支承銷34交至冷卻板21。接著使冷卻板21向-Y方向移動(dòng)，離開(kāi)熱板32a的上方。此外，在步驟S6中，通過(guò)使BARC藥液噴嘴從杯體11的上方離開(kāi)，使抗蝕劑藥液噴 嘴進(jìn)入杯體11的上方，將藥液供給部NOZ的噴嘴從BARC藥液噴嘴變更為抗蝕劑藥液噴嘴。接著，進(jìn)行步驟S7。在步驟S7中，將冷卻處理完成的晶片Wl從冷卻處理部CA的 冷卻板21交至涂敷處理部COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12，晶片W2繼續(xù)進(jìn)行加熱處理。接著，調(diào)整Z方 向的高度，向-Y方向移動(dòng)，使繼續(xù)保持晶片Wl的冷卻板21進(jìn)入涂敷處理部COT的杯體11 的上方。接著，使旋轉(zhuǎn)卡盤12的支承銷12a上升，將晶片Wl從冷卻板21交至支承銷12a。 接著使冷卻板21向+Y方向移動(dòng)，使冷卻板21離開(kāi)杯體11的上方。接著使支承銷12a下 降，將晶片Wl從支承銷12a交至旋轉(zhuǎn)卡盤12。將晶片Wl保持于涂敷處理部COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12，使晶片Wl旋轉(zhuǎn)，同時(shí)利用抗蝕劑 藥液用噴嘴將抗蝕劑藥液供給至晶片Wl的表面，涂敷抗蝕劑。作為涂敷處理?xiàng)l件，例如使 旋轉(zhuǎn)速度為3000rpm，使處理時(shí)間為60秒。接著，進(jìn)行步驟S8。在步驟S8中，晶片Wl繼續(xù)進(jìn)行涂敷處理，將加熱處理完成的 晶片W2從加熱處理部HP的熱板32b交至冷卻處理部CA的冷卻板21。將晶片W2從熱板 32b交至冷卻板21的工序，除了熱板為熱板32b之外，與將晶片Wl從熱板32a交至冷卻板 21的工序同樣。接著中，進(jìn)行步驟S9。在步驟S9中，將涂敷處理完成的晶片Wl從涂敷處理部COT 的旋轉(zhuǎn)卡盤12交至冷卻處理部CA的冷卻板21，將冷卻處理完成的晶片W2從冷卻處理部 CA的冷卻板21交至涂敷處理部COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12。為了進(jìn)行步驟S9的工序，例如可以在 冷卻處理部CA設(shè)置有兩塊冷卻板，將晶片Wl從旋轉(zhuǎn)卡盤12交至一個(gè)冷卻板，從另一個(gè)冷 卻板接受晶片W2。冷卻板與旋轉(zhuǎn)卡盤12之間的晶片的交接方法與上述各工序中的方法同 樣。接著，進(jìn)行步驟S10。在步驟SlO中，將晶片Wl從冷卻處理部CA的冷卻板21交至 加熱處理部HP的熱板32a，開(kāi)始加熱處理，晶片W繼續(xù)進(jìn)行涂敷處理。步驟SlO的工序中藥 液是抗蝕劑，因此除了晶片Wl的涂敷處理時(shí)間和晶片W2的加熱處理時(shí)間不同之外，與步驟 S3的工序同樣。作為加熱處理?xiàng)l件，例如使處理溫度為120°C，使處理時(shí)間為60秒。
接著，進(jìn)行步驟S11。在步驟Sll中，晶片Wl繼續(xù)進(jìn)行加熱處理，將涂敷處理完成 的晶片W2從涂敷處理部COT的旋轉(zhuǎn)卡盤12交至冷卻處理部CA的冷卻板21。步驟Sll的 工序也是除了藥液為抗蝕劑之外與步驟S4的工序同樣。接著，進(jìn)行步驟S12。在步驟S12中，將加熱處理完成的晶片Wl從加熱處理部HP 的熱板32a交至清洗塊B5的周邊曝光裝置TOE，將晶片W2從冷卻處理部CA的冷卻板21交 至加熱處理部HP的熱板32b，開(kāi)始加熱處理。使熱板32a的支承銷34上升，將晶片Wl從熱板32a交至支承銷34。接著對(duì)清洗 塊B5的晶片搬送臂5a調(diào)整X方向的位置和Z方向的高度，使晶片搬送臂5a向-Y方向移 動(dòng)，進(jìn)入熱板32a的上方。接著使支承銷34下降，將晶片Wl從支承銷34交至晶片搬送臂 5a。接著使晶片搬送臂5a向+Y方向移動(dòng)，從熱板32a的上方離開(kāi)。接著利用晶片搬送臂 5a將晶片Wl交至周邊曝光裝置WEE，進(jìn)行周邊曝光。將晶片W2從冷卻板21交至熱板32b并開(kāi)始加熱處理的工序，與步驟S5中的工序 同樣。另外，步驟S12結(jié)束后，作為步驟S13，將加熱處理完成的晶片W2從加熱處理部HP 的熱板32b交至清洗塊B5的周邊曝光裝置TOE。將晶片W2交至周邊曝光裝置TOE的工序 與步驟S12中將晶片Wl交至周邊曝光裝置的工序同樣。此外，上述的時(shí)機(jī)為，在一個(gè)涂敷顯影裝置中，在對(duì)兩塊晶片連續(xù)進(jìn)行BARC涂敷 處理之后，對(duì)該兩塊晶片進(jìn)行抗蝕劑涂敷處理，但是，在此外還具有多塊熱板，處理能力有 富裕的情況下，也可以在對(duì)三塊進(jìn)行連續(xù)BARC涂敷處理之后，對(duì)該三塊晶片進(jìn)行抗蝕劑涂 敷處理。此外，因?yàn)橛糜贐ARC的加熱處理與用于抗蝕劑的加熱處理中加熱處理溫度不同， 所以如果使熱板為兩倍即為4塊，則在過(guò)程中不需要變更控制熱板的溫度，能夠進(jìn)一步提 高每單位時(shí)間的晶片的處理塊數(shù)?；蛘?，能夠通過(guò)調(diào)整涂敷處理時(shí)間、加熱處理時(shí)間、冷卻處理時(shí)間之間的關(guān)系，對(duì) 某一個(gè)晶片連續(xù)進(jìn)行BARC涂敷處理、抗蝕劑涂敷處理，接著對(duì)另外的晶片連續(xù)進(jìn)行BARC涂 敷處理、抗蝕劑涂敷處理。根據(jù)本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置，依次排列有涂敷處理部COT、冷卻處理部CA、加 熱處理部HP的涂敷處理單元COTU在多個(gè)平面內(nèi)或上下重疊排列配置，因此，以涂敷處理一 冷卻處理一加熱處理的正方向進(jìn)行的一系列的液體處理，或者以加熱處理一冷卻處理一涂 敷處理的反方向進(jìn)行的一系列的液體處理，能夠?yàn)椴⒙?lián)處理(多重處理)。在使用圖7說(shuō) 明的上述時(shí)序圖的一個(gè)例子中，涂敷處理部COT的處理能力成為制約，如果涂敷處理的處 理時(shí)間為60秒，則一組涂敷處理單元COTU中每一小時(shí)的晶片的處理塊數(shù)為60wph。由此， 如圖1和圖2所示，在并排設(shè)置有6組本實(shí)施方式的涂敷處理單元的情況下，最大能夠得到 60X6 = 360wph的處理能力。另一方面，在現(xiàn)有的涂敷顯影裝置中，涂敷處理部、冷卻處理部和加熱處理部沒(méi)有 一對(duì)一地對(duì)應(yīng)設(shè)置，晶片搬送臂也沒(méi)有與涂敷處理部一對(duì)一地對(duì)應(yīng)設(shè)置。不能夠進(jìn)行這樣 的并聯(lián)處理(多重處理)，因此，假設(shè)涂敷處理部、冷卻處理部和加熱處理部設(shè)置有6組，則 不得不再設(shè)置多臺(tái)晶片搬送臂，不能夠使裝置小型化。此外，根據(jù)本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置，在任意一個(gè)涂敷處理單元COTU內(nèi)，涂敷 處理部COT、冷卻處理部CA、加熱處理部HP中任一個(gè)產(chǎn)生問(wèn)題而處理停止的情況下，在其它的涂敷處理單元COTU內(nèi)也能夠繼續(xù)進(jìn)行處理，因此與現(xiàn)有的涂敷顯影裝置相比，能夠縮短 每個(gè)晶片的處理時(shí)間。此外，上述結(jié)構(gòu)在顯影處理單元DEVUl DEVU3中也是同樣的。S卩，顯影處理單元 DEVUl DEVU3具有與上述的涂敷處理單元COTUl C0TU3同樣的結(jié)構(gòu)，從噴嘴噴出的藥 液是顯影液。由此，根據(jù)本實(shí)施方式的涂敷顯影裝置，依次排列有顯影處理部DEV、冷卻處 理部CA、加熱處理部HP的顯影處理單元在多個(gè)平面內(nèi)或上下重疊排列配置，因此，能夠使 加熱處理(曝光后烘焙處理)一冷卻處理一顯影處理的一系列液體處理為并聯(lián)處理(多重 處理)。由此，在任意一個(gè)顯影處理單元內(nèi)，顯影處理部DEV、冷卻處理部CA、加熱處理部HP 中任一個(gè)產(chǎn)生問(wèn)題而處理停止的情況下，在其它的顯影處理單元內(nèi)也能夠繼續(xù)進(jìn)行處理， 與現(xiàn)有的涂敷顯影裝置相比，能夠縮短每個(gè)晶片的處理時(shí)間。(實(shí)施方式的變形例)接著，參照?qǐng)D8和圖9，說(shuō)明實(shí)施方式的變形例的涂敷顯影裝置。圖8和圖9分別是表示本變形例的涂敷顯影裝置的結(jié)構(gòu)的概要平面圖和要要正面 圖。本變形例的涂敷顯影裝置，在不具有疏水化/熱處理塊和清洗塊這一點(diǎn)上，與實(shí) 施方式的涂敷顯影裝置不同。在本變形例中，涂敷顯影裝置也具有載體塊Bi，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式同樣，因此省略 載體塊Bl的說(shuō)明。此外，在以下的敘述中，對(duì)之前已說(shuō)明的部分標(biāo)注相同的符號(hào)，省略說(shuō) 明。另一方面，在本變形例中，涂敷顯影處理塊B4例如具有涂敷處理單元COTUl C0TU3、顯影處理單元DEVUl DEVU3。涂敷處理單元和顯影處理單元上下二段重疊設(shè)置，例 如在上段設(shè)置涂敷處理單元，在下段設(shè)置顯影處理單元。涂敷處理單元COTUl例如由上下二段重疊配置的涂敷處理單元B0TU11、C0TU12 構(gòu)成。同樣地，涂敷處理單元C0TU2、C0TU3也分別由上下二段重疊配置的涂敷處理單元 B0TU2UC0TU22 的組、B0TU31、C0TU32 的組構(gòu)成。在本變形例中，也可以使各涂敷處理單元的藥液的種類在上下二段中不同。此 時(shí)，如圖8和圖9所示，能夠使上段的BOTUl 1、B0TU21、B0TU21中的藥液為BARC，使下段的 C0TU12、C0TU22、C0TU32 中的藥液為抗蝕劑。此外，上段的 BOTUl 1、B0TU21、B0TU31 為 BARC 涂敷處理單元，下段的C0TU12、C0TU22、C0TU32為抗蝕劑涂敷處理單元。此外，涂敷處理單元BOTUll C0TU32的結(jié)構(gòu)，除了藥液的種類在上下二段中不 同之外，與實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相同。即，抗蝕劑涂敷處理單元C0TU12、C0TU22、C0TU32與實(shí)施 方式相同。此外，對(duì)于BARC涂敷處理單元BOTUl 1、B0TU21、B0TU31來(lái)說(shuō)，除了因?yàn)樗幰簽?BARC，所以涂敷處理部代替COT為BOT之外，與實(shí)施方式相同。顯影處理單元DEVUl與實(shí)施方式同樣，例如由上下二段重疊配置的顯影處理單元 DEVUlU DEVU12構(gòu)成。同樣地，顯影處理單元DEVU2、DEVU3也分別由上下二段重疊配置的 顯影處理單元DEVU21、DEVU22的組、DEVU31、DEVU32的組構(gòu)成。此外，代替在實(shí)施方式中設(shè)置的檢查塊B2、疏水化/熱處理塊B3，在本實(shí)施例中設(shè) 置有緩沖塊B2’。此外，代替在實(shí)施方式中設(shè)置的清洗塊B5、接口塊B6，在本變形例中設(shè)置 有周邊曝光/接口塊B6，。
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緩沖塊B2’包括交接單元TRS1、TRS2 ；在平面內(nèi)X方向上排列配置，并且在Z方 向上下重疊配置的緩沖單元；和晶片搬送臂2。兩個(gè)交接單元TRS1、TRS2上下重疊設(shè)置，在其與載體塊Bl的晶片搬送臂1之間進(jìn) 行晶片W的交接。緩沖單元例如由上段和下重疊配置的緩沖單元BUF1’、BUF2’構(gòu)成。上段的緩沖單 元BUFl ’暫時(shí)收納從載體塊Bl向BARC涂敷處理單元BOTU交接的晶片W，或者從BARC涂敷 處理單元BOTU回來(lái)又再度向抗蝕劑涂敷處理單元COTU交接的晶片W。此外，下段的緩沖單 元BUF2’暫時(shí)收納從顯影處理單元DEVU向載體塊Bl交接的晶片W。晶片搬送臂2設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路2a上移動(dòng)。晶片搬送臂2在交接單 元TRS1、TRS2中收納的晶片W的晶片排列方向(Z方向，鉛直方向)上也能夠自由移動(dòng)，能 夠有選擇地對(duì)上下重疊設(shè)置的交接單元TRS1、TRS2內(nèi)的晶片W進(jìn)行訪問(wèn)。晶片搬送臂2在 交接單元TRS1、TRS2、緩沖單元BUF1，、BUF2，、涂敷顯影處理塊B4的涂敷處理單元COTUl C0TU3、顯影處理單元DEVUl DEVU3之間進(jìn)行晶片W的交接。周邊曝光/接口塊B6’具有周邊曝光裝置WEE、晶片搬送臂6、緩沖單元BUF、冷卻 處理單元CPL。周邊曝光裝置TOE進(jìn)行用于除去晶片周邊的不需要的部分的抗蝕劑的周邊曝光。 晶片搬送臂6設(shè)置為能夠沿X方向在搬送通路6a上移動(dòng)。晶片搬送臂6在Z方向(鉛直 方向)上也能夠自由移動(dòng)，能夠有選擇地對(duì)周邊曝光/接口塊B6’的緩沖單元BUF1、BUF2 內(nèi)的晶片W進(jìn)行訪問(wèn)。晶片搬送臂6將晶片W2從后述的緩沖單元BUFl交至未圖示的曝光 裝置B7，并且將進(jìn)行了曝光的晶片W從未圖示的曝光裝置B7交至后述的緩沖單元BUF2。緩沖單元BUF由例如上段和下段重疊配置的緩沖單元BUF1、BUF2構(gòu)成。上段的緩 沖單元BUFl是暫時(shí)收納搬入未圖示的曝光裝置B7的晶片W的內(nèi)部用緩沖單元。下段的緩 沖單元BUF2是暫時(shí)收納從未圖示的曝光裝置B7搬出的晶片W的外部用緩沖單元。此外， 在緩沖單元BUF1、BUF2中，分別上下重疊配置有冷卻處理單元CPL1、CPL2。接著，說(shuō)明本變形例的涂敷顯影裝置中的晶片W的行程。首先，盒體C從外部被搬 入盒體載置臺(tái)CS，利用晶片搬送臂1從盒體C內(nèi)取出晶片W。晶片W從晶片搬送臂1被交 至交接單元TRSl，經(jīng)由緩沖單元BUF1’，利用晶片搬送臂2搬送至涂敷處理單元COTU的上 段的BARC涂敷處理單元BOTUl 1。在BRAC涂敷處理單元BOTUll內(nèi)，由涂敷處理部BOTJt 卻處理部CA、加熱處理部HP依次進(jìn)行處理之后，利用晶片搬送臂2，從上段的BARC涂敷處 理單元B0TU11，經(jīng)由緩沖單元BUF1，，被搬送至下段的抗蝕劑涂敷處理單元C0TU12。在抗 蝕劑涂敷處理單元C0TU12內(nèi)，由涂敷處理部COT、冷卻處理部CA、加熱處理部HP分別進(jìn)行 處理之后，利用晶片搬送臂6，向冷卻單元CPLl搬送，進(jìn)行冷卻處理。進(jìn)行了冷卻處理的晶 片W被晶片搬送臂6搬送至周邊曝光裝置WEE，進(jìn)行周邊曝光。進(jìn)行了周邊曝光的晶片W， 被晶片搬送臂6搬送至未圖示的曝光裝置B7，進(jìn)行曝光處理。進(jìn)行了曝光處理的晶片W由晶片搬送臂6搬送至顯影處理單元DEVU。在顯影處 理單元DEVU內(nèi)，由加熱處理部HP、冷卻處理部CA、顯影處理部DEV分別進(jìn)行處理之后，晶片 W利用晶片搬送臂2，經(jīng)由緩沖單元BUF2’，被搬送至交接單元TRS2，利用晶片搬送臂1回到 盒體C內(nèi)。此外，上述晶片W的行程中，BARC涂敷處理單元B0TU11、抗蝕劑涂敷處理單元C0TU12和顯影處理單元DEVU中的各自的處理，能夠?yàn)槭褂枚鄠€(gè)BARC涂敷處理單元B0TU、 多個(gè)抗蝕劑涂敷處理單元COTU和多個(gè)顯影處理單元DEVU的并聯(lián)處理。本變形例的涂敷顯影裝置，在任意一個(gè)涂敷處理單元COTU內(nèi)產(chǎn)生問(wèn)題而處理停 止的情況下，其它的涂敷處理單元COTU內(nèi)的處理也能夠繼續(xù)進(jìn)行。此外，在任意一個(gè)顯影 處理單元DEVU內(nèi)產(chǎn)生問(wèn)題而處理停止的情況下，其它的顯影處理單元DEVU內(nèi)的處理也能 夠繼續(xù)進(jìn)行。因此，與現(xiàn)有的涂敷顯影裝置相比，能夠縮短每塊晶片的處理時(shí)間。以上記載了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于該特定的實(shí)施方式，在 權(quán)利要求的范圍內(nèi)所記載的本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種變形和變更。此外，本發(fā)明不僅能夠應(yīng)用于涂敷顯影裝置，也能夠應(yīng)用于基板清洗裝置、成膜裝 置、蝕刻裝置等其他各種裝置。此外，本發(fā)明也能夠應(yīng)用于包含搬送半導(dǎo)體基板、玻璃基板 等各種基板的工序的裝置。
權(quán)利要求
一種涂敷顯影裝置，其將利用載體搬入到載體塊的基板交接至處理部，在由所述處理部形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜之后，經(jīng)由接口塊搬送至曝光裝置，由所述處理部對(duì)經(jīng)由所述接口塊送回的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理，并交接至所述載體塊，該涂敷顯影裝置的特征在于具有液體處理單元，該液體處理單元包括使用藥液對(duì)基板進(jìn)行液體處理的液體處理部；與所述液體處理部對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)基板進(jìn)行冷卻處理的冷卻處理部；和與所述冷卻處理部對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理部，所述冷卻處理部具有在其與所述液體處理部之間以及與所述加熱處理部之間搬送基板的基板搬送功能。
2.如權(quán)利要求1所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 所述冷卻處理部與所述液體處理部相鄰，所述加熱處理部與所述冷卻處理部相鄰。
3.如權(quán)利要求2所述的涂敷顯影裝置，其特征在于所述液體處理部、所述冷卻處理部和所述加熱處理部依次排列在一條直線上。
4.如權(quán)利要求3所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 具有多個(gè)所述液體處理單元。
5.如權(quán)利要求4所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 多個(gè)所述液體處理單元在同一平面內(nèi)并排配置。
6.如權(quán)利要求4或5所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 多個(gè)所述液體處理單元上下重疊配置。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 所述加熱處理部具有保持基板并對(duì)其進(jìn)行加熱處理的多個(gè)熱板， 所述熱板上下重疊配置。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 所述冷卻處理部具有保持基板并對(duì)其進(jìn)行冷卻處理的冷卻板，所述冷卻板在其與所述液體處理部之間以及與所述加熱處理部之間進(jìn)行基板的交接。
9.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于所述冷卻處理部具有保持基板并對(duì)其進(jìn)行冷卻處理的冷卻板，和保持基板的保持板， 所述冷卻板在其與所述加熱處理部之間進(jìn)行基板的交接，所述保持板在其與所述液體 處理部之間進(jìn)行基板的交接。
10.如權(quán)利要求8或9所述的涂敷顯影裝置，其特征在于所述冷卻板設(shè)置為在所述液體處理單元的所述液體處理部、所述冷卻處理部和所述加 熱處理部排列的方向以及上下方向能夠移動(dòng)。
11.如權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于所述液體處理單元具有切換成多種藥液的任一種并將其供給至所述液體處理部的藥 液供給部。
12.如權(quán)利要求11所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 所述藥液供給部具有與所述多種藥液對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)噴嘴。
13.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于具有前處理單元，其與所述液體處理單元對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)在所述液體處理單元進(jìn)行處理 的基板進(jìn)行前處理。
14.如權(quán)利要求1 13中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于具有后處理單元，其與所述液體處理單元對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)在所述液體處理單元中進(jìn)行了 處理的基板進(jìn)行后處理。
15.如權(quán)利要求1 14中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于，包括 將基板搬入搬出所述液體處理單元的搬入搬出單元；和在所述液體處理單元的所述搬入搬出單元側(cè)，在與所述液體處理單元之間進(jìn)行基板的 交接的第一緩沖單元。
16.如權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于在所述液體處理單元的所述搬入搬出單元的相反側(cè)，具有在與所述液體處理單元之間 進(jìn)行基板的交接的第二緩沖單元。
17.如權(quán)利要求1 16中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 所述液體處理部對(duì)基板進(jìn)行藥液的涂敷處理。
18.如權(quán)利要求1 16中任一項(xiàng)所述的涂敷顯影裝置，其特征在于 所述液體處理部使用顯影液對(duì)基板進(jìn)行顯影處理。
19.一種涂敷顯影方法，其將利用載體搬入到載體塊的基板交接至處理機(jī)構(gòu)，在由所述 處理機(jī)構(gòu)形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜之后，經(jīng)由接口塊搬送至曝光裝置，由所述處理機(jī)構(gòu) 對(duì)經(jīng)由所述接口塊送回的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理，并交至所述載體塊，該涂敷顯影方 法的特征在于，具有利用液體處理機(jī)構(gòu)使用藥液對(duì)基板進(jìn)行液體處理的液體處理工序； 利用與所述液體處理機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)設(shè)置的冷卻處理機(jī)構(gòu)對(duì)基板進(jìn)行冷卻處理的冷卻處理 工序；和利用與所述冷卻處理機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)設(shè)置的加熱處理機(jī)構(gòu)對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理工序，所述冷卻處理機(jī)構(gòu)具有在其與所述液體處理機(jī)構(gòu)之間以及與所述加熱處理機(jī)構(gòu)之間 搬送基板的基板搬送功能。
20.如權(quán)利要求19所述的涂敷顯影方法，其特征在于 所述冷卻處理機(jī)構(gòu)與所述液體處理機(jī)構(gòu)相鄰，所述加熱處理機(jī)構(gòu)與所述冷卻處理機(jī)構(gòu)相鄰。
21.如權(quán)利要求20所述的涂敷顯影方法，其特征在于所述液體處理機(jī)構(gòu)、所述冷卻處理機(jī)構(gòu)和所述加熱處理機(jī)構(gòu)依次排列在一條直線上。
22.如權(quán)利要求21所述的涂敷顯影方法，其特征在于具有所述液體處理機(jī)構(gòu)、所述冷卻處理機(jī)構(gòu)和所述加熱處理機(jī)構(gòu)的液體處理單元有多個(gè)。
23.如權(quán)利要求22所述的涂敷顯影方法，其特征在于 多個(gè)所述液體處理單元在同一平面內(nèi)并排配置。
24.如權(quán)利要求22或23所述的涂敷顯影方法，其特征在于 多個(gè)所述液體處理單元上下重疊配置。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠使晶片搬送臂的移動(dòng)距離變短，縮短處理時(shí)間，使所占空間變小的涂敷顯影裝置和涂敷顯影方法。該涂敷顯影裝置具有液體處理單元(COTU)，其包括使用藥液對(duì)基板進(jìn)行液體處理的液體處理部(COT)；與液體處理部(COT)對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)基板進(jìn)行冷卻處理的冷卻處理部(CA)；和與冷卻處理部(CA)對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理部(HP)。冷卻處理部(CA)具有在其與液體處理部(COT)之間以及與加熱處理部(HP)之間搬送基板的基板搬送功能。
文檔編號(hào)H01L21/68GK101996867SQ20101026258
公開(kāi)日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月24日
發(fā)明者松岡伸明 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社