專利名稱：半導(dǎo)體封裝件與其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有EMI 防護(hù)功能的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)：
受到提升工藝速度及尺寸縮小化的需求，半導(dǎo)體組件變得甚復(fù)雜。當(dāng)工藝速度的 提升及小尺寸的效益明顯增加時，半導(dǎo)體組件的特性也出現(xiàn)問題。特別是指，較高的工作頻 率(clock speed)在信號電平(signal level)之間導(dǎo)致更頻繁的轉(zhuǎn)態(tài)(transition)，因 而導(dǎo)致在高頻下或短波下的較高強(qiáng)度的電磁放射(electromagneticemission)。電磁放射 可以從半導(dǎo)體組件及鄰近的半導(dǎo)體組件開始輻射。假如鄰近半導(dǎo)體組件的電磁放射的強(qiáng) 度較高，此電磁放射負(fù)面地影響半導(dǎo)體組件的運作，請參考與電磁干擾(electromagnetic interference, EMI)有關(guān)的資料。若整個電子系統(tǒng)內(nèi)具有高密度分布的半導(dǎo)體組件，則半 導(dǎo)體組件之間的電磁干擾更顯嚴(yán)重。一種降低EMI的方法是，于制造半導(dǎo)體封裝件的過程中，放置一 EMI防護(hù)框 (frame)于半導(dǎo)體封裝件的基板上。EMI防護(hù)框金屬框體，其包括數(shù)根框腳，該些框腳站立 于基板上并環(huán)繞設(shè)于基板上的半導(dǎo)體組件。EMI防護(hù)框隔離該些半導(dǎo)體組件，以達(dá)到EMI防 護(hù)作用。然而，在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體組件中，基板的面積大于EMI防護(hù)框的外圍尺寸，以使EMI 防護(hù)框得以站立在基板上。如此一來，導(dǎo)致最終產(chǎn)品的尺寸較大。此外，在制造過程中，單 個EMI防護(hù)框只適用在單個半導(dǎo)體封裝件上，即，若欲制造多個半導(dǎo)體封裝件，就需使用對 應(yīng)數(shù)量的EMI防護(hù)框。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，半導(dǎo)體封裝件可降低來自于外界 的EMI或產(chǎn)生自內(nèi)部的EMI對位于半導(dǎo)體封裝件內(nèi)部的半導(dǎo)體組件的干擾程度。根據(jù)本發(fā)明第一方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一 基板單元、數(shù)個半導(dǎo)體組件、一連接框腳、封裝(package)單元及一電磁干擾 (electromagneticinterference,EMI)防護(hù)膜。基板單元具有一接地(grounding)單元及 一第二接地部。半導(dǎo)體組件設(shè)于基板單元上。連接框腳設(shè)于第二接地部上并分隔該些半導(dǎo) 體組件。封裝單元包覆半導(dǎo)體組件及連接框腳并具有一狹縫，狹縫露出連接框腳的一部分。 EMI防護(hù)膜覆蓋封裝單元、連接框腳的該部分及接地單元。根據(jù)本發(fā)明第二方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下步 驟。提供一基板，基板具有一第一接地部及一第二接地部；提供數(shù)個半導(dǎo)體組件；設(shè)置半導(dǎo) 體組件于基板上；設(shè)置一 EMI防護(hù)框于基板上，EMI防護(hù)框包括一邊緣框腳及一連接框腳， 連接框腳設(shè)于第二接地部上并分隔該些半導(dǎo)體組件；形成一封裝材料覆蓋半導(dǎo)體組件及 EMI防護(hù)框；于封裝材料中對應(yīng)連接框腳的位置形成一狹縫，以露出連接框腳的一部分；切割封裝材料、基板、第一接地部及EMI防護(hù)框，使封裝材料被切割成一封裝單元且使第一接 地部露出；形成一 EMI防護(hù)膜覆蓋封裝單元、連接框腳的該部分及第一接地部的至少一部 分。根據(jù)本發(fā)明第三方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下步 驟。提供一基板，基板具有一接地單元及一第二接地部；提供數(shù)個半導(dǎo)體組件；設(shè)置半導(dǎo)體 組件于基板上；設(shè)置一 EMI防護(hù)框于基板上，EMI防護(hù)框包括一邊緣框腳及一連接框腳，連 接框腳設(shè)于第二接地部上并分隔該些半導(dǎo)體組件；形成一封裝材料覆蓋半導(dǎo)體組件及EMI 防護(hù)框；對應(yīng)連接框腳的位置，形成一狹縫于封裝材料，以露出連接框腳的一部分；切割封 裝材料及EMI防護(hù)框，使封裝材料被切割成一封裝單元且使接地單元露出；形成一EMI防護(hù) 膜覆蓋封裝單元、連接框腳的該部分及接地單元；以及，切割基板及EMI防護(hù)膜。為了對本發(fā)明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合附 圖，作詳細(xì)說明如下


圖1繪示依照本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。圖2繪示圖1的底視圖。圖3繪示依照本發(fā)明另一實施例的連接框腳的示意圖。圖4繪示依照本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。圖5A至5F繪示圖1的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。圖6繪示依照本發(fā)明另一實施例的EMI防護(hù)框的上視圖。圖7繪示依照本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。圖8繪示依照本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。圖9A至9B繪示圖7的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。主要組件符號說明100、200 半導(dǎo)體封裝件102、202 基板單元102a、108a、202a、208a、214a 外側(cè)面102e 下表面104 半導(dǎo)體組件108,208 封裝單元102b、108b、124a、202b、208b、220b、230b 上表面110:第一接地部112:第二接地部114、214 :EMI 防護(hù)膜116:狹縫118:凹陷部120、220 基板122,322 =EMI 防護(hù)框122a、322a 邊緣框腳
5
122b,322b,422b 連接框腳
122bl 側(cè)面
122cl 一端
122c2、422c2 另一端
124、224 封裝材料
126 載板
130,230 接地單元
130a 接地側(cè)面
230b 接地上表面
422bl 端面
RP 封裝件單元區(qū)
RB 基板單元區(qū)
P 切割路徑
W:寬度
具體實施例方式第一實施例請參照圖1及圖2，圖1繪示依照本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖，圖 2繪示圖1的底視圖。如圖1所示，半導(dǎo)體封裝件100例如是用于通訊模塊的半導(dǎo)體封裝 件，其包括基板單元102、數(shù)個半導(dǎo)體組件104、數(shù)個被動組件(未繪示)、連接框腳122b、封 裝(package)單元108及EMI防護(hù)膜114?；鍐卧?02具有接地單元130及第二接地部 112。EMI防護(hù)膜114為一全覆蓋(conformal)防護(hù)體，其覆蓋封裝單元108的外側(cè)面 108a及上表面108b，并接觸連接框腳122b及接地單元130，可降低來自于外界的EMI對半 導(dǎo)體組件104的干擾程度。此外，連接框腳122b導(dǎo)電材料制成，其的一端122cl抵壓于第 二接地(grounding)部112上。連接框腳122b并分隔該些半導(dǎo)體組件104，以降低該些半 導(dǎo)體組件104所產(chǎn)生的EMI彼此相互干擾的程度。再者，EMI防護(hù)膜114的材料鋁、銅、鉻、錫、金、銀、鎳、不銹鋼或上述材料的 組合所制成，其可應(yīng)用例如是化學(xué)蒸鍍(Chemical Vapor D印osition，CVD)、無電鍍 (electroless plating)、電鍍、印刷(printing)、噴布(spraying)、溉鍍或真空沉積 (vacuum deposition)等技術(shù)制成，故其厚度甚薄，可縮小半導(dǎo)體封裝件100的尺寸。以下介紹半導(dǎo)體封裝件100的細(xì)部構(gòu)造。半導(dǎo)體組件104例如是芯片(chip)，其以數(shù)個焊球電性連接于基板單元102 ；或 者，在另一實施例中，半導(dǎo)體組件104可使用焊線(solder wire)電性連接于基板單元102。接地單元130導(dǎo)電柱，其延伸于基板單元102中相對的上表面102b與下表面102e 之間，本實施例中，接地單元130貫穿基板單元102 ；或者，于其它實施方面中，接地單元130 可埋設(shè)于基板單元102內(nèi)部而不貫穿基板單元102 ；或者，基板單元102多層結(jié)構(gòu)板，其多 層結(jié)構(gòu)具有圖案化導(dǎo)電層，接地單元130圖案化導(dǎo)電層的一部分。第二接地部112例如是接墊(pad)，其形成于基板單元102的上表面102b上并電性連接于基板單元102的一接地端(未繪示)或接地單元130。如圖2所示，第二接地部 112的外形例如是長條形，其長度大致等于連接框腳122b的延伸長度。此外，第二接地部 112的寬度W約300微米(μπι)。接地單元130具有接地側(cè)面130a，其從基板單元102的外側(cè)面102a露出。接地側(cè) 面130a與基板單元102的外側(cè)面102a大致上切齊，即接地側(cè)面130a與外側(cè)面102a大致
上共平面。請回到圖1，半導(dǎo)體組件104設(shè)于基板單元102的上表面102b上并電性連接于基 板單元102。封裝單元108包覆該些半導(dǎo)體組件104及連接框腳122b，并具有狹縫116以 露出連接框腳122b的一部分，例如是露出連接框腳122b的另一端122c2的側(cè)面122bl。EMI防護(hù)膜114覆蓋連接框腳122b的側(cè)面122bl，且EMI防護(hù)膜114中對應(yīng)于狹 縫116的部位形成一凹陷部118，然此非用以限制本發(fā)明。于一實施方面中，若適當(dāng)?shù)乜刂?工藝參數(shù)，亦可避免凹陷部118的形成；或者，在另一實施方面中，可利用導(dǎo)電膠填平狹縫 116，使后續(xù)形成的EMI防護(hù)膜114不致形成凹陷部118，在此情況下，EMI防護(hù)膜114仍可 透過導(dǎo)電膠電性連接于連接框腳122b;或者，在其它實施方面中，使用導(dǎo)電膠填平凹陷部 118，以從外觀上遮蔽凹陷部118。雖然本實施例的連接框腳122b以具有折彎部(即另一端122c2)為例說明，然于 另一實施方面中，連接框腳122b的外形亦可為平直片狀。詳細(xì)地說，請參照圖3，其繪示依 照本發(fā)明另一實施例的連接框腳的示意圖。在適當(dāng)?shù)卦O(shè)計防護(hù)框下，連接框腳422b的另一 端422c2可呈平直狀，如此，EMI防護(hù)膜114接觸于連接框腳422b的另一端422c2的端面 422bl，同樣可透過連接框腳422b電性連接于接地端。以下以圖4的流程圖并搭配圖5A至5F說明圖1的半導(dǎo)體封裝件100的制造方 法。圖4繪示依照本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖，圖5A至5F繪示 圖1的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。于步驟S102中，提供如圖5A所示的基板120?；?20具有數(shù)個第一接地部110 及數(shù)個第二接地部112。基板120定義數(shù)個封裝件單元區(qū)RP及數(shù)個基板單元區(qū)RB，每個基 板單元區(qū)RB內(nèi)包含多個封裝件單元區(qū)RP。該些第一接地部110及該些第二接地部112對 應(yīng)地位于該些封裝件單元區(qū)RP內(nèi)。然后，于步驟S104中，提供數(shù)個如圖5A所示的半導(dǎo)體組件104。然后，于步驟S106中，如圖5A所示，設(shè)置該些半導(dǎo)體組件104于基板120上。每 個半導(dǎo)體組件104位于對應(yīng)的封裝件單元區(qū)RP內(nèi)。然后，于步驟S108中，如圖5B及圖5C(僅繪示單個封裝件單元區(qū)RP)所示，圖5C 圖5B中方向5C-5C，的剖視圖。如圖5B所示，設(shè)置數(shù)個EMI防護(hù)框122于基板120上，每 個EMI防護(hù)框122位于對應(yīng)的基板單元區(qū)RB內(nèi)。EMI防護(hù)框122包括一邊緣框腳122a及數(shù)個連接框腳122b，EMI防護(hù)框122經(jīng)由 邊緣框腳122a及連接框腳122b穩(wěn)固地設(shè)于基板120上，如圖5C所示。當(dāng)EMI防護(hù)框122 設(shè)于基板120上，邊緣框腳122a位于封裝件單元區(qū)RP的范圍外但位于基板單元區(qū)RB的范 圍內(nèi)，而連接框腳122b的至少一部分位于封裝件單元區(qū)RP的范圍內(nèi)。此外，如圖5C所示，連接框腳122b的一端122cl抵壓在對應(yīng)的第二接地部112上， 該些連接框腳122b分隔該些半導(dǎo)體組件104。
EMI防護(hù)框122由導(dǎo)電材質(zhì)所制成，例如是金屬。EMI防護(hù)框122可使用單一板件 應(yīng)用例如是沖壓或折彎工法制成，藉此可形成邊緣框腳122a及連接框腳122b。雖然本實施例的EMI防護(hù)框122的數(shù)量以多個為例說明，然此非用以限制本發(fā)明。 于另一實施例中，請參照圖6，其繪示依照本發(fā)明另一實施例的EMI防護(hù)框的上視圖。EMI 防護(hù)框322的邊緣框腳322a的數(shù)量單個，其連接于全部的連接框腳322b，以形成單個EMI 防護(hù)框322。如此一來，在EMI防護(hù)框的放置步驟中，僅需一次的放置或定位動作，就能使單 個EMI防護(hù)框322橫跨基板120上數(shù)個或全部的基板單元區(qū)RB。然后，于步驟SllO中，如圖5D所示，形成封裝材料124覆蓋半導(dǎo)體組件104及EMI 防護(hù)框122的邊緣框腳122a及連接框腳122b，其中封裝材料124的上表面124a可高于EMI 防護(hù)框122。由于EMI防護(hù)框122的連接框腳122b被封裝材料124包覆而受到保護(hù)，故其 可由廉價導(dǎo)電材料甚至是低防腐性的導(dǎo)電材料制成。上述的廉價導(dǎo)電材料例如是銅或鋁。然后，于步驟S112中，如圖5E所示，以激光、刀具或其它切割技術(shù)，于封裝材料124 上對應(yīng)連接框腳122b的位置形成狹縫116。其中，每個狹縫116露出對應(yīng)的連接框腳122b 的另一端122c2的側(cè)面122bl。在圖3的實施方面中，狹縫116則是露出對應(yīng)的連接框腳 422b的另一端422c2的端面422bl。然后，于步驟S114中，如圖5F所示，沿該些封裝件單元區(qū)RP的范圍，切割封裝材 料124、基板120、第一接地部110 (第一接地部110繪示于圖5E)及EMI防護(hù)框122 (EMI防 護(hù)框122繪示于圖5B)，以形成數(shù)個封裝單元108 (圖5F僅繪示出單個封裝單元108)、數(shù)個 基板單元102 (圖5F僅繪示出單個基板單元102)及數(shù)個接地單元130。本實施例的切割方 式全穿切方式(full-cut)。接地單元130第一接地部110被切割后余留在基板單元102上的余留部。第一接 地部Iio被切割后所余留的接地單元130其接地側(cè)面130a露出。于切割步驟后，邊緣框腳122a被切除，也就是說，EMI防護(hù)框122被切割后，其連 接框腳122b于余留在基板單元102上。于本步驟Sl 14中，基板120可黏貼于載板126上再進(jìn)行切割動作。切割路徑P可 略為切割到載板126的黏貼層(未繪示)，以徹底分離該些基板單元102、該些封裝單元108 及該些接地單元130。于另一實施方面中，基板120黏貼于載板126的步驟亦可于步驟S102后完成。然后，于步驟S116中，形成如圖1所示的EMI防護(hù)膜114并覆蓋對應(yīng)的封裝單元 108的外表面(即外側(cè)面108a及上表面108b)的至少一部分、對應(yīng)的基板單元102的外側(cè) 面102a(外側(cè)面102a繪示于圖2)、對應(yīng)的連接框腳122b的側(cè)面122bl及對應(yīng)的接地單元 130的接地側(cè)面130a上。然后，于步驟S116之后，應(yīng)用例如是撕除方式，分離基板單元102與載板126，以形 成數(shù)個如圖1所示的半導(dǎo)體封裝件100。第二實施例請參照圖7，其繪示依照本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。第二實施例 中與第一實施例相同之處沿用相同標(biāo)號，在此不再贅述。第二實施例的半導(dǎo)體封裝件200 與第一實施例的半導(dǎo)體封裝件100不同之處在于，半導(dǎo)體封裝件200的EMI防護(hù)膜214接 觸于接地單元230的接地上表面230b。
8
半導(dǎo)體封裝件200包括基板單元202、數(shù)個半導(dǎo)體組件104、數(shù)個被動組件(未繪 示)、連接框腳122b、封裝單元208及EMI防護(hù)膜214?；鍐卧?02具有接地單元230及第二接地部112。接地單元230設(shè)于基板單元 202的內(nèi)部，且接地單元230具有一接地上表面230b，其從基板單元202的上表面202b露 出。其中，接地上表面230b與基板單元202的上表面202b大致上切齊。此外，基板單元 202的外側(cè)面202a與EMI防護(hù)膜214的外側(cè)面214a大致上切齊。EMI防護(hù)膜214為全覆蓋防護(hù)體，其覆蓋封裝單元208的外側(cè)面208a的至少一部 分及上表面208b的至少一部分、連接框腳122b的側(cè)面122bl的至少一部分、接地單元230 的上表面230b的至少一部分及基板單元202的上表面202b的至少一部分。EMI防護(hù)膜214 及連接框腳122b圍繞半導(dǎo)體組件104且連接框腳122b及EMI防護(hù)膜214適當(dāng)?shù)胤指粼撔?半導(dǎo)體組件104，藉以降低外界的EMI對該些半導(dǎo)體組件104的干擾程度，及內(nèi)部的該些半 導(dǎo)體組件104所產(chǎn)生的EMI彼此互相干擾的程度。以下以圖8的流程圖并搭配圖9A至9B說明圖7的半導(dǎo)體封裝件200的制造方 法。圖8繪示依照本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖，圖9A至9B繪示 圖7的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。圖8的步驟S202至S212相似于圖4的步驟S102至 S112，在此不再重復(fù)贅述，以下從步驟S214開始說明。于步驟S214中，如圖9A所示，切割封裝材料224及EMI防護(hù)框122 (未繪示于圖 9A)，其中，封裝材料224被切割成數(shù)個封裝單元208，且封裝材料224被切割后，接地單元 230的接地上表面230b露出。本實施例的切割方式半穿切方式(half-cut)。本實施例中，切割路徑未切割基板220，而是止于基板220的上表面220b ；于另一 實施方面中，切割路徑可切除接地單元230的一部分，但仍不切穿接地單元230。然后，于步驟S216中，如圖9B所示，形成EMI防護(hù)膜214覆蓋封裝單元208的外 表面的至少一部分、基板220的上表面220b、連接框腳122b的側(cè)面122bl及接地單元230 的接地上表面230b。然后，于步驟S218中，往EMI防護(hù)膜214的方向，先后切割EMI防護(hù)膜214及基板 220，以形成數(shù)個如圖7所示的半導(dǎo)體封裝件200。其中，基板220被切割成數(shù)個基板單元 202。在另一實施方面中，亦可往基板220的方向，先后切割基板220及EMI防護(hù)膜214， 同樣可形成數(shù)個如圖7所示的半導(dǎo)體封裝件200。本實施例中，于切割步驟S218中，并未切割到接地單元230。如此，使接地單元230 不致裸露出其接地側(cè)面，然此非用以限制本發(fā)明。于一實施方面中，于切割步驟S218中亦 可切割到接地單元230，使切割后的接地單元230露出其接地側(cè)面。本發(fā)明上述實施例所揭露的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，具有多項特征，列舉部 份特征說明如下(1).半導(dǎo)體封裝件透過其的EMI防護(hù)膜及連接框腳達(dá)到EMI防護(hù)作用。由于EMI 防護(hù)膜的厚度甚薄，可縮小半導(dǎo)體封裝件的尺寸。(2). EMI防護(hù)膜為全覆蓋防護(hù)體，其覆蓋封裝單元的外側(cè)面及上表面、連接框腳及 第一接地部，降低外界的EMI對被封裝單元包覆的半導(dǎo)體組件的干擾程度。(3).連接框腳及EM防護(hù)膜分隔該些半導(dǎo)體組件，可降低該些半導(dǎo)體組件所產(chǎn)生的EMI彼此相互干擾的程度。(4).由于EMI防護(hù)框的連接框腳被封裝材料包覆而受到保護(hù)，故其可由廉價導(dǎo)電 材料甚至是低防腐性的導(dǎo)電材料制成。(5). EMI防護(hù)框可使用單一板件采用例如是沖壓或折彎工法制成。該單一板件的 折彎部形成邊緣框腳及連接框腳，使EMI防護(hù)框可穩(wěn)固地設(shè)于基板上。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動 與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體封裝件，包括一基板單元，具有一接地單元及一第二接地部；數(shù)個半導(dǎo)體組件，設(shè)于該基板單元上；一連接框腳，該連接框腳設(shè)于該第二接地部上并分隔該些半導(dǎo)體組件；一封裝單元，包覆該些半導(dǎo)體組件及該連接框腳并具有一狹縫，以露出該連接框腳的一部分；以及一電磁干擾EMI防護(hù)膜，覆蓋該封裝單元、該連接框腳的該部分及該接地單元。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該接地單元的至少一部分設(shè)于該基板的內(nèi) 部，該接地單元具有一接地側(cè)面，該EMI防護(hù)膜覆蓋該接地側(cè)面的至少一部分；其中，該接地側(cè)面與該基板單元的該外側(cè)面切齊。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該接地單元的至少一部分設(shè)于該基板單元 的內(nèi)部，該接地單元具有一接地上表面，該EMI防護(hù)膜接觸于該接地上表面。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該EMI防護(hù)膜具有一凹陷部，該凹陷部的位 置對應(yīng)于該狹縫。
5.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括提供一基板，該基板具有一第一接地部及一第二接地部； 提供數(shù)個半導(dǎo)體組件； 設(shè)置該些半導(dǎo)體組件于該基板上；設(shè)置一EMI防護(hù)框于該基板上，該EMI防護(hù)框包括一邊緣框腳及一連接框腳，該連接框 腳設(shè)于該第二接地部上并分隔該些半導(dǎo)體組件；形成一封裝材料覆蓋該些半導(dǎo)體組件及該EMI防護(hù)框；于該封裝材料中對應(yīng)該連接框腳的部分形成一狹縫，以露出對應(yīng)的該連接框腳的一部分；切割該封裝材料、該基板、該第一接地部及該EMI防護(hù)框，使該封裝材料被切割成一封 裝單元且使該第一接地部露出；以及形成一 EMI防護(hù)膜覆蓋該封裝單元、該連接框腳的該部分及該第一接地部的至少一部分。
6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其中形成該狹縫的該步驟以激光切割方法完成。
7.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其中于切割該封裝材料、該基板、該些第一接地部及 該EMI防護(hù)框的該步驟中，該基板被切割成一基板單元，該基板單元并具有一外側(cè)面，切割 后的該第一接地部具有一接地側(cè)面，該接地側(cè)面與該基板單元的該外側(cè)面切齊；其中，于形成該EMI防護(hù)膜的該步驟中，該EMI防護(hù)膜覆蓋該接地側(cè)面的至少一部分。
8.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括提供一基板，該基板具有一接地單元及一第二接地部； 提供數(shù)個半導(dǎo)體組件； 設(shè)置該些半導(dǎo)體組件于該基板上；設(shè)置一EMI防護(hù)框于該基板上，該EMI防護(hù)框包括一邊緣框腳及一連接框腳，該連接框 腳設(shè)于該第二接地部上并分隔該些半導(dǎo)體組件；形成一封裝材料覆蓋該些半導(dǎo)體組件及該EMI防護(hù)框；于該封裝材料中對應(yīng)該連接框腳的位置形成一狹縫，以露出該連接框腳的一部分； 切割該封裝材料及該EMI防護(hù)框，使該封裝材料被切割成一封裝單元且使該接地單元 露出；形成一 EMI防護(hù)膜覆蓋該封裝單元、該連接框腳的該部分及該接地單元；以及 切割該基板及該EMI防護(hù)膜。
9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中形成該狹縫的該步驟以激光切割方法完成。
10.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中于切割該封裝材料及該EMI防護(hù)框的該步驟 中，該接地單元具有一接地上表面；其中，于形成該EMI防護(hù)膜的該步驟中，該EMI防護(hù)膜覆蓋該接地上表面的至少一部分。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝件與其制造方法。半導(dǎo)體封裝件包括基板單元、多個半導(dǎo)體組件、連接框腳、封裝單元及電磁干擾防護(hù)膜?；鍐卧哂薪拥貑卧敖拥夭?。半導(dǎo)體組件設(shè)于基板單元上。連接框腳設(shè)于接地部上并分隔此些半導(dǎo)體組件。封裝單元包覆半導(dǎo)體組件及連接框腳并具有狹縫，狹縫露出連接框腳的一部分。EMI防護(hù)膜覆蓋封裝單元、連接框腳的露出部分及接地單元。
文檔編號H01L21/50GK101937905SQ20101026703
公開日2011年1月5日 申請日期2010年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月23日
發(fā)明者孫于翔, 廖國憲, 翁千禾, 陳子康, 陳建成 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司