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SiGeHBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管及制造方法

文檔序號:6951402閱讀:303來源:國知局
專利名稱:SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領(lǐng)域,特別是涉及一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管;本發(fā)明還涉及一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法。
背景技術(shù)
在射頻應用中,需要越來越高的器件特征頻率,RFCMOS雖然在先進的工藝技術(shù)中可實現(xiàn)較高頻率,但還是難以完全滿足射頻要求,如很難實現(xiàn)40GHz以上的特征頻率,而且先進工藝的研發(fā)成本也是非常高;化合物半導體可實現(xiàn)非常高的特征頻率器件,但由于材料成本高、尺寸小的缺點,加上大多數(shù)化合物半導體有毒,限制了其應用。鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(SiGe HBT)則是超高頻器件的很好選擇,首先其利用鍺硅(SiGe)與硅(Si)的能帶差別,提高發(fā)射區(qū)的載流子注入效率,增大器件的電流放大倍數(shù);其次利用SiGe基區(qū)的高摻雜,降低基區(qū)電阻,提高特征頻率;另外SiGe工藝基本與硅工藝相兼容,因此SiGe HBT已經(jīng)成為超高頻器件的主力軍?,F(xiàn)有SiGe HBT采用高摻雜的集電區(qū)埋層,以降低集電區(qū)電阻,另外采用深槽隔離降低集電區(qū)和襯底之間的寄生電容,改善HBT的頻率特性。該器件工藝成熟可靠,但主要缺點有1、集電區(qū)外延成本高;2、深槽隔離工藝復雜,而且成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管,能用作高速、高增益異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)電路中的輸出器件,能有效地縮小器件面積、降低器件的寄生電阻、提高器件的頻率特性;為此,本發(fā)明還提供一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供的SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管形成于P型硅襯底上的N型深阱中,有源區(qū)由淺槽場氧隔離即淺溝槽隔離(STI),所述N型深阱由一 N型離子注入?yún)^(qū)組成,所述N型深阱的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、 注入能量為500kev 2000kev、劑量為lel2cnT2 5eHcm 2。所述寄生橫向型PNP三極管包括一基區(qū),由形成于所述有源區(qū)中的N型離子注入?yún)^(qū)組成,所述基區(qū)的縱向深度大于所述淺槽場氧底部的深度,所述基區(qū)的底部在橫向上延伸進入所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部。所述基區(qū)的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為 50kev 500kev、劑量為 5ellcm 2 5el3cm 20—集電區(qū),由形成于所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部的兩個P型贗埋層組成,兩個所述P型贗埋層各自位于所述基區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺槽場氧的底部且呈對稱結(jié)構(gòu),各所述P型贗埋層為P型離子注入?yún)^(qū),各所述P型贗埋層的寬度小于其頂部的所述淺槽場氧的寬度,各所述P型贗埋層都和其旁側(cè)的所述基區(qū)延伸進入所述淺槽場氧的底部的部分相連接形成所述集電區(qū)和所述基區(qū)的接觸,通過在各所述P型贗埋層頂部的所述淺槽場氧中形成深孔接觸引出集電極。所述P型贗埋層的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2。二個N型贗埋層,各所述N型贗埋層各自位于所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部且呈對稱結(jié)構(gòu)、且和所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層相隔一距離,各所述N型贗埋層為N型離子注入?yún)^(qū),各所述N型贗埋層的寬度小于其頂部的所述淺槽場氧的寬度,各所述N型贗埋層通過所述N型深阱和所述基區(qū)形成通路并通過在各所述N型贗埋層頂部的所述淺槽場氧中做深孔接觸引出基極。所述N型贗埋層的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2。一發(fā)射區(qū),由形成于所述有源區(qū)上的一 P型鍺硅外延層組成,所述發(fā)射區(qū)和所述基區(qū)形成接觸并通過形成于所述發(fā)射區(qū)頂部的金屬接觸引出發(fā)射極。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供的SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法包括如下步驟步驟一、采用刻蝕工藝在P型硅襯底上進行N型離子注入形成N型深阱,形成有源區(qū)和淺溝槽。所述N型深阱的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為 500kev 2000kev、劑量為 lel2cnT2 5el4cnT2。步驟二、在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進行P型離子注入形成兩個P型贗埋層,兩個所述P型贗埋層各自位于所述有源區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺溝槽的底部且呈對稱結(jié)構(gòu),各所述P型贗埋層的寬度小于所述淺溝槽的寬度且所述有源區(qū)邊緣相隔一距離。形成各所述P型贗埋層的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 lel6cnT2。步驟三、在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進行N型離子注入形成兩個呈對稱結(jié)構(gòu)的N型贗埋層;各所述N型贗埋層各自位于所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部、且和所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層相隔一距離,各所述N型贗埋層的寬度小于所述淺溝槽的寬度,各所述P型贗埋層位于靠近所述有源區(qū)的一端、各所述N 型贗埋層位于遠離所述有源區(qū)的一端。所述N型贗埋層的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2。步驟四、在所述淺溝槽中填入氧化硅形成淺槽場氧。步驟五、在所述有源區(qū)中進行N型離子注入形成基區(qū),所述基區(qū)的縱向深度大于所述淺槽場氧底部的深度,所述基區(qū)的底部在橫向上延伸進入所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部。所述基區(qū)的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為 50kev 500kev、劑量為 5ellcm 2 5el3cm 20步驟六、在所述P型硅襯底上形成一 P型鍺硅外延層并刻蝕所述有源區(qū)外部的所述P型鍺硅外延層,以保留于所述有源區(qū)上部的所述P型鍺硅外延層作為所述發(fā)射區(qū)。步驟七、在所述N型贗埋層頂部的所述淺槽場氧中形成深孔接觸引出基極;在所述P型贗埋層頂部的所述淺槽場氧中形成深孔接觸引出集電極;在所述發(fā)射區(qū)形成一金屬接觸引出發(fā)射極。本發(fā)明能用作高速、高增益HBT電路中的輸出器件,器件的最大電流增益能達到 20以上;本發(fā)明通過先進的深孔接觸工藝與N型贗埋層、P型贗埋層直接接觸,來引出本器
5件的集電極和基極,器件的面積與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比有效的減小了 ;由于N型贗埋層、P型贗埋層是高濃度參雜,寄生的電阻也隨之減小,從而能提高器件的頻率特性;本發(fā)明較易實現(xiàn)器件的電流增益的調(diào)節(jié),如即可以通過調(diào)節(jié)基區(qū)N型離子注入劑量來調(diào)節(jié),也可以通過所述基區(qū)的底部延伸進入所述淺槽場氧的底部的距離來調(diào)節(jié),從而能夠得到大于20的較高的電流增益。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明圖1是本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管結(jié)構(gòu)示意圖;圖2 圖5是本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法的各步驟中器件的結(jié)構(gòu)圖;圖6A是TCAD模擬的本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管輸入特性曲線;圖6B是TCAD模擬的本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管電流增益曲線。
具體實施例方式如圖1所示,是本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管形成于P型硅襯底IiWNS 深阱2中,有源區(qū)由淺槽場氧3隔離,所述N型深阱2由一 N型離子注入?yún)^(qū)組成,所述N型深阱2的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為500kev 2000kev、劑量為lel2 cm—2 kl4cm 2。所述寄生橫向型PNP三極管包括一基區(qū)6,由形成于所述有源區(qū)中的N型離子注入?yún)^(qū)組成,所述基區(qū)6的縱向深度大于所述淺槽場氧3底部的深度,所述基區(qū)6的底部在橫向上延伸進入所述基區(qū)6左右兩側(cè)的所述淺槽場氧3的底部。所述基區(qū)6的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為 50kev 500kev、劑量為 5elIcnT2 5el3cnT2。一集電區(qū),由形成于所述基區(qū)6左右兩側(cè)的所述淺槽場氧3的底部的兩個P型贗埋層4組成,兩個所述P型贗埋層4各自位于所述基區(qū)6左側(cè)或右側(cè)的所述淺槽場氧3的底部且呈對稱結(jié)構(gòu),各所述P型贗埋層4為P型離子注入?yún)^(qū),各所述P型贗埋層4的寬度小于其頂部的所述淺槽場氧3的寬度,各所述P型贗埋層4都和其旁側(cè)的所述基區(qū)6延伸進入所述淺槽場氧3的底部的部分相連接形成所述集電區(qū)和所述基區(qū)6的接觸,通過在各所述P型贗埋層4頂部的所述淺槽場氧3中形成深孔接觸8引出集電極。所述P型贗埋層4 的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 lel6cm_2。二個N型贗埋層5,各所述N型贗埋層5各自位于所述基區(qū)6左右兩側(cè)的所述淺槽場氧3的底部且呈對稱結(jié)構(gòu)、且和所述基區(qū)6左右兩側(cè)的所述P型贗埋層4相隔一距離,各所述N型贗埋層5為N型離子注入?yún)^(qū),各所述N型贗埋層5的寬度小于其頂部的所述淺槽場氧3的寬度,各所述N型贗埋層5通過所述N型深阱2和所述基區(qū)6形成通路并通過在各所述N型贗埋層5頂部的所述淺槽場氧3中做深孔接觸8引出基極。所述N型贗埋層5 的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm2 lel6cm_2。
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一發(fā)射區(qū)7,由形成于所述有源區(qū)上的一 P型鍺硅外延層組成,所述發(fā)射區(qū)7和所述基區(qū)6形成接觸并通過形成于所述發(fā)射區(qū)頂部的金屬接觸9引出發(fā)射極。金屬連線10 用于和各金屬接觸9、深孔接觸8連接,實現(xiàn)電路的互連。如圖2至圖5所示,是本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法的各步驟中器件的結(jié)構(gòu)圖。本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法包括如下步驟步驟一、如圖2所示,采用刻蝕工藝在P型硅襯底1上進行N型離子注入形成N型深阱2,形成有源區(qū)和淺溝槽。所述N型深阱2的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為 P、注入能量為 500kev 2000kev、劑量為 lel2cnT2 kl4cnT2。步驟二、如圖3所示,在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進行P型離子注入形成兩個P型贗埋層4,兩個所述P型贗埋層4各自位于所述有源區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺溝槽的底部且呈對稱結(jié)構(gòu),各所述P型贗埋層4的寬度小于所述淺溝槽的寬度且所述有源區(qū)邊緣相隔一距離。形成各所述P型贗埋層4的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcnT2 lel6cnT2。步驟三、如圖3所示,在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進行N型離子注入形成兩個呈對稱結(jié)構(gòu)的N型贗埋層5 ;各所述N型贗埋層5各自位于所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部、且和所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層4相隔一距離, 各所述N型贗埋層5的寬度小于所述淺溝槽的寬度,各所述P型贗埋層4位于靠近所述有源區(qū)的一端、各所述N型贗埋層5位于遠離所述有源區(qū)的一端。所述N型贗埋層5的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 lel6cm_2。步驟四、如圖3所示,在所述淺溝槽中填入氧化硅形成淺槽場氧3。步驟五、如圖4所示,在所述有源區(qū)中進行N型離子注入形成基區(qū)6,所述基區(qū)6的縱向深度大于所述淺槽場氧3底部的深度,所述基區(qū)6的底部在橫向上延伸進入所述基區(qū) 6左右兩側(cè)的所述淺槽場氧3的底部。所述基區(qū)6的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為50kev 500kev、劑量為5ellcnT2 5el3cnT2。步驟六、如圖5所示,在所述P型硅襯底1上形成一 P型鍺硅外延層并刻蝕所述有源區(qū)外部的所述P型鍺硅外延層,以保留于所述有源區(qū)上部的所述P型鍺硅外延層作為所述發(fā)射區(qū)7。步驟七、如圖1所示,在所述N型贗埋層5頂部的所述淺槽場氧3中形成深孔接觸 8引出基極;在所述P型贗埋層4頂部的所述淺槽場氧3中形成深孔接觸8引出集電極;在所述發(fā)射區(qū)形成一金屬接觸9引出發(fā)射極。最后形成金屬連線10實現(xiàn)和各金屬接觸9、深孔接觸8連接并實現(xiàn)電路的互連。本發(fā)明實施例能用作高速、高增益HBT電路中的輸出器件,器件的最大電流增益能達到20以上。本發(fā)明實施例通過先進的深孔接觸工藝與N型贗埋層、P型贗埋層直接接觸,來弓丨出本器件的集電極和基極,器件的面積與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比有效的減小了。由于N型贗埋層、P型贗埋層是高濃度參雜,寄生的電阻也隨之減小,從而能提高器件的頻率特性。如圖6A所示,是TCAD模擬的本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管輸入特性曲線;可以看出器件具有較小的基極和集電極的寄生電阻,從而能提高器件的頻率特性。 另外,本發(fā)明實施例較易實現(xiàn)器件的電流增益的調(diào)節(jié),如即可以通過調(diào)節(jié)基區(qū)N型離子注入劑量來調(diào)節(jié),也可以通過所述基區(qū)的底部延伸進入所述淺槽場氧的底部的距離來調(diào)節(jié), 從而能夠得到大于20的較高的電流增益。如圖6B所示,是TCAD模擬的本發(fā)明實施例SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管電流增益曲線??梢钥闯?,本發(fā)明實施例器件的電流增益大于20 以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明,但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下,本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進,這些也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管,其特征在于所述寄生橫向型PNP 三極管形成于P型硅襯底上的N型深阱中,有源區(qū)由淺槽場氧隔離,包括一基區(qū),由形成于所述有源區(qū)中的N型離子注入?yún)^(qū)組成,所述基區(qū)的縱向深度大于所述淺槽場氧底部的深度,所述基區(qū)的底部在橫向上延伸進入所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部;一集電區(qū),由形成于所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部的兩個P型贗埋層組成,兩個所述P型贗埋層各自位于所述基區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺槽場氧的底部且呈對稱結(jié)構(gòu),各所述P型贗埋層為P型離子注入?yún)^(qū),各所述P型贗埋層的寬度小于其頂部的所述淺槽場氧的寬度,各所述P型贗埋層都和其旁側(cè)的所述基區(qū)延伸進入所述淺槽場氧的底部的部分相連接形成所述集電區(qū)和所述基區(qū)的接觸,通過在各所述P型贗埋層頂部的所述淺槽場氧中形成深孔接觸引出集電極;二個N型贗埋層,各所述N型贗埋層各自位于所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部且呈對稱結(jié)構(gòu)、且和所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層相隔一距離,各所述N型贗埋層為N型離子注入?yún)^(qū),各所述N型贗埋層的寬度小于其頂部的所述淺槽場氧的寬度,各所述N 型贗埋層通過所述N型深阱和所述基區(qū)形成通路并通過在各所述N型贗埋層頂部的所述淺槽場氧中做深孔接觸引出基極;一發(fā)射區(qū),由形成于所述有源區(qū)上的一 P型鍺硅外延層組成,所述發(fā)射區(qū)和所述基區(qū)形成接觸并通過形成于所述發(fā)射區(qū)頂部的金屬接觸引出發(fā)射極。
2.如權(quán)利要求1所述的SiGeHBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管,其特征在于所述基區(qū)的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為50kev 500kev、劑量為 5ellcm2 5el3cm2。
3.如權(quán)利要求1所述的SiGeHBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管,其特征在于所述 N型深阱由一 N型離子注入?yún)^(qū)組成,所述N型深阱的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為500kev 2000kev、劑量為lel2cnT2 5eHcnT2。
4.如權(quán)利要求1所述的SiGeHBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管,其特征在于所述N型贗埋層的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm2 lel6cm20
5.如權(quán)利要求1所述的SiGeHBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管,其特征在于所述P型贗埋層的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm2 lel6cm20
6.一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法,其特征在于,包括如下步驟步驟一、采用刻蝕工藝在P型硅襯底上進行N型離子注入形成N型深阱,形成有源區(qū)和淺溝槽;步驟二、在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進行P型離子注入形成兩個P型贗埋層,兩個所述P型贗埋層各自位于所述有源區(qū)左側(cè)或右側(cè)的所述淺溝槽的底部且呈對稱結(jié)構(gòu),各所述P型贗埋層的寬度小于所述淺溝槽的寬度且所述有源區(qū)邊緣相隔一距離;步驟三、在所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺溝槽底部選定區(qū)域進行N型離子注入形成兩個呈對稱結(jié)構(gòu)的N型贗埋層;各所述N型贗埋層各自位于所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部、且和所述有源區(qū)左右兩側(cè)的所述P型贗埋層相隔一距離,各所述N型贗埋層的寬度小于所述淺溝槽的寬度,各所述P型贗埋層位于靠近所述有源區(qū)的一端、各所述N型贗埋層位于遠離所述有源區(qū)的一端;步驟四、在所述淺溝槽中填入氧化硅形成淺槽場氧;步驟五、在所述有源區(qū)中進行N型離子注入形成基區(qū),所述基區(qū)的縱向深度大于所述淺槽場氧底部的深度,所述基區(qū)的底部在橫向上延伸進入所述基區(qū)左右兩側(cè)的所述淺槽場氧的底部;步驟六、在所述P型硅襯底上形成一 P型鍺硅外延層并刻蝕所述有源區(qū)外部的所述P 型鍺硅外延層,以保留于所述有源區(qū)上部的所述P型鍺硅外延層作為所述發(fā)射區(qū);步驟七、在所述N型贗埋層頂部的所述淺槽場氧中形成深孔接觸引出基極;在所述P型贗埋層頂部的所述淺槽場氧中形成深孔接觸引出集電極;在所述發(fā)射區(qū)形成一金屬接觸引出發(fā)射極。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于步驟一中所述N型深阱的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為500kev 2000kev、劑量為lel2cnT2 kl4cm 2。
8.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于步驟二中形成各所述P型贗埋層的P型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 lel6cm_2。
9.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于步驟三中所述N型贗埋層的N型離子注入的工藝條件為注入能量小于15keV、注入劑量為IeHcm 2 1θ16οιΓ2。
10.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于步驟五中所述基區(qū)的N型離子注入的工藝條件為注入雜質(zhì)為P、注入能量為50kev 500kev、劑量為5elIcnT2 kl3cm_2。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管,包括基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)?;鶇^(qū)形成有源區(qū)中且基區(qū)底部延伸進入淺槽場氧的底部;集電區(qū)由形成于基區(qū)左右兩側(cè)的淺槽場氧的底部的并和基區(qū)相連接的兩個P型贗埋層組成。基區(qū)通過N型深阱和二個N型贗埋層相連通,N型贗埋層形成于淺槽場氧的底部并和P型贗埋層相隔一距離。通過深孔接觸和P型贗埋層、N型贗埋層相連接分別引出集電極和基極。發(fā)射區(qū)有形成于有源區(qū)上的P型鍺硅外延層組成。本發(fā)明公開了一種SiGe HBT工藝中的寄生橫向型PNP三極管的制造方法。本發(fā)明能用作高速、高增益HBT電路中的輸出器件,能有效縮小器件面積、提高器件的頻率特性。
文檔編號H01L29/737GK102386219SQ201010270109
公開日2012年3月21日 申請日期2010年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者劉冬華, 錢文生 申請人:上海華虹Nec電子有限公司
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