專利名稱：光感測(cè)組件陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種光感測(cè)裝置，且特別是有關(guān)于一種可以應(yīng)用于顯示器的光感 測(cè)組件陣列基板。
背景技術(shù)：
光感測(cè)組件陣列基板是一種含有多個(gè)光感測(cè)組件(photosensor)的裝置，其能與 液晶顯示器(Liquid Crystal Display, IXD)整合，而成為一種利用對(duì)光線的接收來(lái)產(chǎn)生 指令的光感測(cè)顯示器(photo sensor display)。這種光感測(cè)顯示器可以應(yīng)用于具有顯示 屏幕的電子裝置(electronic device)，例如手機(jī)、計(jì)算機(jī)以及個(gè)人數(shù)字助理器(Personal Digital Assistant,PDA)等。使用者可以經(jīng)由光感測(cè)顯示器來(lái)輸入指令至上述電子裝置， 以操作電子裝置。目前光感測(cè)組件陣列基板所采用的光感測(cè)組件并不是透明的，所以在光感測(cè)顯示 器中，這些光感測(cè)組件通常會(huì)配置在黑矩陣(black matrix)的下方，其中黑矩陣具有多個(gè) 對(duì)應(yīng)這些光感測(cè)組件的入光口，而光感測(cè)組件能透過(guò)入光口來(lái)接收從外界而來(lái)的光線。由此可知，在設(shè)計(jì)上，光感測(cè)組件會(huì)盡量不與任何像素電極(pixel electrode)重 迭，以防止光感測(cè)組件遮擋從像素電極而來(lái)的光線，進(jìn)而避免光感測(cè)組件破壞顯示影像的 質(zhì)量。然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了容納這些光感測(cè)組件，多半會(huì)增加黑矩陣的面積，但是這樣 卻會(huì)造成開(kāi)口率下降，導(dǎo)致顯示影像的亮度降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光感測(cè)組件陣列基板，其包括多個(gè)透明光感測(cè)組件。本發(fā)明還提供一種光感測(cè)組件陣列基板的制造方法，其用以制造上述光感測(cè)組件 陣列基板。本發(fā)明提出一種光感測(cè)組件陣列基板，其包括一基板、多條掃描線、多條讀取線、 多個(gè)開(kāi)關(guān)組件以及多個(gè)透明光感測(cè)組件?；寰哂幸黄矫妫@些掃描線、讀取線、開(kāi)關(guān)組 件與透明光感測(cè)組件皆配置在平面上。這些掃描線與這些讀取線彼此交錯(cuò)，以在平面上形 成多個(gè)光穿透區(qū)。這些開(kāi)關(guān)組件電性連接這些掃描線與這些讀取線。這些透明光感測(cè)組件 位在這些光穿透區(qū)內(nèi)，并且分別電性連接這些開(kāi)關(guān)組件。在本發(fā)明一實(shí)施例中，各個(gè)透明光感測(cè)組件包括一第一透明電極、一第二透明電 極以及一透明半導(dǎo)體層。第一透明電極電性連接其中一開(kāi)關(guān)組件。透明半導(dǎo)體層連接于第 一透明電極與第二透明電極之間。在本發(fā)明一實(shí)施例中，構(gòu)成這些透明半導(dǎo)體層的材料為多晶銦鎵鋅氧化物 (poly-InGaZn0，poly_IGZ0)、非晶銦鎵鋅氧化物(amorphous IGZ0，a-IGZO)或摻雜型銦鎵 鋅氧化物(doped IGZ0)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述光感測(cè)組件陣列基板還包括多條共享線(common line)。這些共享線配置在平面上，而各條共享線電性連接多個(gè)上述透明光感測(cè)組件。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，這些共享線連接這些第二透明電極，并且與這些第一透明 電極部分重迭(overlap)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述光感測(cè)組件陣列基板還包括一絕緣層，而至少一透明 光感測(cè)組件還包括一第三透明電極。透明半導(dǎo)體層位在第三透明電極與第一透明電極之 間，以及位在第三透明電極與第二透明電極之間，而第三透明電極與透明半導(dǎo)體層重迭，并 且電性連接第二透明電極。絕緣層配置在第三透明電極與這些透明半導(dǎo)體層之間。在本發(fā)明一實(shí)施例中，構(gòu)成這些第一透明電極、這些第二透明電極以及這些第 三透明電極的材料為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, I TO)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZ0)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述光感測(cè)組件陣列基板還包括一柵極絕緣層(gate insulation layer)。柵極絕緣層配置在絕緣層上，并且覆蓋這些掃描線與這些透明光感測(cè) 組件。在本發(fā)明一實(shí)施例中，這些開(kāi)關(guān)組件為多個(gè)晶體管。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述光感測(cè)組件陣列基板還包括多條數(shù)據(jù)線與多個(gè)像素單 元(pixel unit)。這些數(shù)據(jù)線與這些像素單元皆配置在平面上。各條數(shù)據(jù)線與其中一讀取 線并列，而這些像素單元位在這些光穿透區(qū)內(nèi)，其中這些像素單元電性連接這些數(shù)據(jù)線與 這些掃描線。本發(fā)明還提出一種光感測(cè)組件陣列基板的制造方法。首先，在一基板的一平面上 形成多個(gè)透明光感測(cè)組件。接著，在平面上形成多條掃描線與多條讀取線，其中這些掃描線 與這些讀取線彼此交錯(cuò)，以在平面上形成多個(gè)光穿透區(qū)，而這些透明光感測(cè)組件位在這些 光穿透區(qū)內(nèi)。之后，在平面上形成多個(gè)開(kāi)關(guān)組件，其中這些開(kāi)關(guān)組件電性連接這些掃描線、 這些讀取線以及這些透明光感測(cè)組件。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述形成這些透明光感測(cè)組件的方法包括，在平面上形成 多個(gè)第一透明電極與多個(gè)第二透明電極。接著，在平面上形成多個(gè)透明半導(dǎo)體層，其中這些 透明半導(dǎo)體層覆蓋這些第一透明電極與這些第二透明電極。之后，在這些透明半導(dǎo)體層上 形成一絕緣層，其中絕緣層覆蓋這些第一透明電極、這些第二透明電極以及這些透明半導(dǎo) 體層。在本發(fā)明一實(shí)施例中，還包括對(duì)這些透明半導(dǎo)體層進(jìn)行退火(anneal)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，構(gòu)成這些透明半導(dǎo)體層的材料為多晶銦鎵鋅氧化物、非晶 銦鎵鋅氧化物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述形成這些透明光感測(cè)組件的方法還包括，在絕緣層上 形成多個(gè)第三透明電極，其中這些第三透明電極與這些透明半導(dǎo)體層重迭。在本發(fā)明一實(shí)施例中，構(gòu)成這些第一透明電極、這些第二透明電極以及這些第三 透明電極的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。在本發(fā)明一實(shí)施例中，在形成這些透明光感測(cè)組件之后，還包括形成一柵極絕緣 層于絕緣層上，其中柵極絕緣層覆蓋這些掃描線與這些透明光感測(cè)組件。在本發(fā)明一實(shí)施例中，還包括，在平面上形成多條數(shù)據(jù)線與多個(gè)像素單元，其中這 些像素單元位在這些光穿透區(qū)內(nèi)，并且電性連接這些數(shù)據(jù)線與這些掃描線。由于本發(fā)明采用多個(gè)透明光感測(cè)組件來(lái)偵測(cè)光線，而這些透明光感測(cè)組件整體上并不會(huì)遮擋光線，因此透明光感測(cè)組件不僅不會(huì)破壞顯示影像的質(zhì)量，而且還能提高開(kāi)口 率，增加顯示器顯示影像的亮度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式， 作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖IA是本發(fā)明一實(shí)施例的光感測(cè)組件陣列基板的俯視示意圖。圖IB是圖IA中沿線I-I剖面而得的剖面示意圖。圖2A至圖2F是圖IB中光感測(cè)組件陣列基板的制造方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式圖IA是本發(fā)明一實(shí)施例的光感測(cè)組件陣列基板的俯視示意圖，而圖IB是圖IA 中沿線I-I剖面而得的剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖IA與圖1B，光感測(cè)組件陣列基板100能 應(yīng)用于具有多個(gè)像素的顯示器，其例如是液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light EmittingDiode,0LED)顯示器或電子紙(Electronic Paper,E Paper)所采用的顯示器，其 中電子紙所采用的顯示器例如是電泳式顯示器(Electrophoresis Display，EPD)。不過(guò)，在其它實(shí)施例中，光感測(cè)組件陣列基板100也可以應(yīng)用于顯示器以外的技 術(shù)領(lǐng)域，例如光感測(cè)組件陣列基板100可以制作成供光筆(light pen)所使用的手寫(xiě)板 (handwritten board)，所以本發(fā)明并不限制光感測(cè)組件陣列基板100只能應(yīng)用于顯示器的 技術(shù)領(lǐng)域，其它顯示器以外的技術(shù)領(lǐng)域，光感測(cè)組件陣列基板100也可應(yīng)用。光感測(cè)組件陣列基板100包括一基板110、多條掃描線120、多條讀取線130、多個(gè) 開(kāi)關(guān)組件140以及多個(gè)透明光感測(cè)組件150?；?10具有一平面112，而這些掃描線120、 讀取線130、開(kāi)關(guān)組件140與透明光感測(cè)組件150皆配置在平面112上。這些掃描線120與讀取線130彼此交錯(cuò)，以在平面112上形成多個(gè)光穿透區(qū)R1。 詳細(xì)而言，這些掃描線120彼此并列，而這些讀取線130彼此并列，因此這些彼此交錯(cuò)的掃 描線120與讀取線130呈網(wǎng)狀排列，而光穿透區(qū)Rl則位在由掃描線120與讀取線130所形 成的網(wǎng)格(lattice)內(nèi)。當(dāng)光感測(cè)組件陣列基板100應(yīng)用于具有像素的顯示器時(shí)，光感測(cè)組件陣列基板 100可為一種主云力組件陣列基板(active component array substrate)或是對(duì)向基板 (opposite substrate)，因此光穿透區(qū)Rl可為像素顯像區(qū)，并能被光線所穿透。換句話說(shuō)， 光穿透區(qū)Rl基本上可以是透明的。此外，上述主動(dòng)組件陣列基板例如是薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT) 陣列基板，而對(duì)向基板可以是具有彩色濾光片的彩色濾光基板(color filter array substrate)，或是色序法液晶顯示器(color sequential LCD)所采用的透光基板，其中此 透光基板并不具有任何彩色濾光片。這些開(kāi)關(guān)組件140電性連接這些掃描線120與這些讀取線130，而在本實(shí)施例中， 這些開(kāi)關(guān)組件140可以是多個(gè)晶體管，其例如是場(chǎng)效晶體管(Field-Effect Transistor, FET)。當(dāng)開(kāi)關(guān)組件140為場(chǎng)效晶體管時(shí)，各個(gè)開(kāi)關(guān)組件140包括一柵極(gate) 142g、一漏極 (drain) 142d、一源極(source) 142s以及一半導(dǎo)體層144(如圖IB所示)。
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承上述，半導(dǎo)體層144連接于漏極142d與源極142s之間，并且與柵極142g重迭， 其中半導(dǎo)體層144并沒(méi)有與柵極142g接觸。在同一個(gè)開(kāi)關(guān)組件140中，柵極142g連接掃描 線120，漏極142d連接讀取線130，而源極142s連接透明光感測(cè)組件150，因此掃描線120 能控制開(kāi)關(guān)組件140的開(kāi)啟，以使源極142s與漏極142d得以電性導(dǎo)通。這些透明光感測(cè)組件150位在這些光穿透區(qū)Rl內(nèi)，并且分別電性連接這些開(kāi)關(guān)組 件140。詳細(xì)而言，各個(gè)透明光感測(cè)組件150可以包括一第一透明電極152d、一第二透明電 極152s以及一透明半導(dǎo)體層154 (請(qǐng)參閱圖1B)，而在同一個(gè)透明光感測(cè)組件150中，透明 半導(dǎo)體層154連接于第一透明電極152d與第二透明電極152s之間，而第一透明電極152d 電性連接其中一開(kāi)關(guān)組件140。構(gòu)成這些第一透明電極152d與第二透明電極152s的材料可為銦錫氧化物或銦鋅 氧化物，而構(gòu)成這些透明半導(dǎo)體層154的材料可以是多晶銦鎵鋅氧化物、非晶銦鎵鋅氧化 物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。摻雜型銦鎵鋅氧化物例如是摻雜金屬的銦鎵鋅氧化物，而此金
屬可以是鎂。光感測(cè)組件陣列基板100可以包括多條共享線160，而這些共享線160皆配置在平 面112上。各條共享線160電性連接多個(gè)透明光感測(cè)組件150，例如各條共享線160電性連 接排成一列的透明光感測(cè)組件150。這些共享線160電性連接這些第二透明電極152s，并 可透過(guò)多個(gè)接觸窗(contact window) 162而電性連接第二透明電極152s。共享線160能輸出一共享電壓(common voltage)至透明光感測(cè)組件150，而共享 電壓能依序通過(guò)第二透明電極152s、透明半導(dǎo)體層154與第一透明電極152d。之后，共享 電壓會(huì)從透明光感測(cè)組件150輸入至開(kāi)關(guān)組件140。當(dāng)掃描線120開(kāi)啟開(kāi)關(guān)組件140時(shí)，共 享電壓能依序通過(guò)源極142s、半導(dǎo)體層144與漏極142d，并傳遞至讀取線130。這些讀取線130傳遞共享電壓至至少一控制單元(未繪示)，而控制單元例如是芯 片(chip)。當(dāng)光感測(cè)組件陣列基板100被光線(例如由光筆所發(fā)出的光線)照射時(shí)，控制 單元從其中一條讀取線130所接收到的共享電壓會(huì)發(fā)生變動(dòng)。控制單元能根據(jù)此變動(dòng)，判 斷出光線照射于那一個(gè)透明光感測(cè)組件150。如此，使用者能利用光線對(duì)光感測(cè)組件陣列基 板100的照射來(lái)輸入指令，以操作手機(jī)、計(jì)算機(jī)以及個(gè)人數(shù)字助理器等電子裝置。另外，這些共享線160可以與這些第一透明電極152d部分重迭。詳細(xì)而言，各個(gè) 第一透明電極152d可以具有一電容電極Cl，而電容電極Cl位在共享線160的下方，并且 與共享線160重迭。電容電極Cl完全沒(méi)有與共享線160接觸，因此共享線160與電容電極 Cl之間可以形成電容。在本實(shí)施例中，透明光感測(cè)組件150可以是一種光敏晶體管(phototransistor)， 并且還可以是場(chǎng)效晶體管。詳細(xì)而言，透明光感測(cè)組件150可以包括一第三透明電極152g， 而透明半導(dǎo)體層154位在第三透明電極152g與第一透明電極152d之間，以及位在第三透 明電極152g與第二透明電極152s之間。另外，構(gòu)成第三透明電極152g的材料也可以是銦 錫氧化物或銦鋅氧化物。在同一個(gè)透明光感測(cè)組件150中，第三透明電極152g與透明半導(dǎo)體層154重迭， 但并不與透明半導(dǎo)體層154接觸。詳細(xì)而言，光感測(cè)組件陣列基板100可包括一絕緣層 172 (如圖IB所示)。絕緣層172配置在第三透明電極152g與透明半導(dǎo)體層154之間，因 此絕緣層172能將第三透明電極152g與透明半導(dǎo)體層154隔開(kāi)，并讓第三透明電極152g
7與透明半導(dǎo)體層154電性絕緣。此外，構(gòu)成絕緣層172的材料可以是透明絕緣材料，例如二
氧化硅或氮化硅。因此，當(dāng)透明光感測(cè)組件150為場(chǎng)效晶體管時(shí)，第一透明電極152d為漏極，第二 透明電極152s為源極，而第三透明電極152g為柵極。另外，在同一個(gè)透明光感測(cè)組件150 中，第三透明電極152g可以電性連接第二透明電極152s，并可透過(guò)一接觸窗156而電性連 接第二透明電極152s，以使第三透明電極152g也能電性連接共享線160。須說(shuō)明的是，所有透明光感測(cè)組件150并不一定全然包括第三透明電極152g，例 如在其它實(shí)施例中，可以只有一個(gè)或一些透明光感測(cè)組件150包括第三透明電極152g，而 其它透明光感測(cè)組件150則沒(méi)有包括任何第三透明電極152g。除此之外，所有透明光感測(cè) 組件150也可以不包括任何第三透明電極152g。由此可知，光感測(cè)組件陣列基板100所包括的第三透明電極152g的數(shù)量可以為 零，或是僅為一個(gè)或多個(gè)，因此第三透明電極152g并不是本發(fā)明的必要組件，而圖IA與圖 IB所示的第三透明電極152g的數(shù)量?jī)H為舉例說(shuō)明，并非限定本發(fā)明。另外，光感測(cè)組件陣列基板100可以包括一柵極絕緣層174(如圖IB所示)。柵極 絕緣層174配置在絕緣層172上，并且覆蓋掃描線120、透明光感測(cè)組件150以與門(mén)極142g， 其中構(gòu)成柵極絕緣層174的材料可以與絕緣層172相同，例如是二氧化硅或氮化硅等透明 絕緣材料。不過(guò)，光感測(cè)組件陣列基板100也可以不包括柵極絕緣層174，且絕緣層172可 覆蓋掃描線120與柵極142g，因此圖IB所示的柵極絕緣層174僅為舉例說(shuō)明，并非限定本 發(fā)明。值得一提的是，由于光感測(cè)組件陣列基板100可以是主動(dòng)組件陣列基板，因此當(dāng) 光感測(cè)組件陣列基板100為主動(dòng)組件陣列基板時(shí)，光感測(cè)組件陣列基板100可以包括多條 數(shù)據(jù)線180以及多個(gè)像素單元190，其中這些數(shù)據(jù)線180與像素單元190皆配置在基板110 的平面112上。各條數(shù)據(jù)線180與其中一條讀取線130并列，而這些像素單元190位在這些光穿 透區(qū)R 1內(nèi)，并且電性連接這些數(shù)據(jù)線180與掃描線120，其中掃描線120也能控制開(kāi)啟像 素單元190，以使數(shù)據(jù)線180所傳遞的像素電壓(pixel voltage)可以輸入至像素單元190中。不過(guò)，必須強(qiáng)調(diào)的是，光感測(cè)組件陣列基板100除了可為主動(dòng)組件陣列基板之外， 也可以是對(duì)向基板，例如彩色濾光基板或色序法液晶顯示器所采用的透光基板，加上光感 測(cè)組件陣列基板100還可以應(yīng)用于顯示器以外的技術(shù)領(lǐng)域(例如手寫(xiě)板)，因此光感測(cè)組件 陣列基板100不一定要具備任何數(shù)據(jù)線180與像素單元190。也就是說(shuō)，數(shù)據(jù)線180與像素 單元190皆為光感測(cè)組件陣列基板100的選擇性組件，而不是必要組件。以上主要介紹光感測(cè)組件陣列基板100的結(jié)構(gòu)，至于光感測(cè)組件陣列基板100的 制造方法，以下將配合圖IB以及圖2A至圖2F，進(jìn)行詳細(xì)的介紹。必須事先說(shuō)明的是，以下內(nèi)容是以光感測(cè)組件陣列基板100為主動(dòng)組件陣列基板 作為舉例說(shuō)明，但是在其它實(shí)施例中，光感測(cè)組件陣列基板100也可以是對(duì)向基板，例如彩 色濾光基板或色序法液晶顯示器所采用的透光基板，因此圖2A至圖2F所公開(kāi)的光感測(cè)組 件陣列基板100的制造方法僅為舉例說(shuō)明，并非限定本發(fā)明。在光感測(cè)組件陣列基板100的制造方法中，首先，在基板110的平面112上形成多個(gè)透明光感測(cè)組件150，而形成這些透明光感測(cè)組件150的方法，如圖2A至圖2D所示。請(qǐng)參閱圖2A，關(guān)于透明光感測(cè)組件150的方法，首先，在平面112上形成多個(gè)第一 透明電極152d以及多個(gè)第二透明電極152s，其中第一透明電極152d與第二透明電極152s 可以是透過(guò)沉積(d印osition)、微影(lithography)以及蝕刻(etching)而形成。請(qǐng)參閱圖2B，接著，在平面112上形成多個(gè)透明半導(dǎo)體層154，而這些透明半導(dǎo)體 層154覆蓋這些第一透明電極152d與這些第二透明電極152s，其中透明半導(dǎo)體層154也可 透過(guò)沉積、微影與蝕刻而形成。另外，在透明半導(dǎo)體層154形成之后，可以對(duì)透明半導(dǎo)體層 154進(jìn)行退火。請(qǐng)參閱圖2C，接著，在這些透明半導(dǎo)體層154上形成絕緣層172，其中絕緣層172 覆蓋這些第一透明電極152d、第二透明電極152s以及透明半導(dǎo)體層154，并且可以全面性 地覆蓋平面112，如圖2C所示。此外，絕緣層172可以是透過(guò)沉積而形成。請(qǐng)參閱圖2D，之后，在絕緣層172上形成多個(gè)第三透明電極152g，而這些第三透明 電極152g與這些透明半導(dǎo)體層154重迭。至此，透明光感測(cè)組件150基本上已完全形成。 當(dāng)形成第三透明電極152g時(shí)，可以在平面112上形成多條掃描線120與多個(gè)柵極142g，而 掃描線120與柵極142g 二者可以是在同一道微影與蝕刻的過(guò)程中同時(shí)形成。須說(shuō)明的是，由于在其它實(shí)施例中，透明光感測(cè)組件150可以不包括任何第三透 明電極152g，即光感測(cè)組件陣列基板100所包括的第三透明電極152g的數(shù)量可以為零，因 此可以省略形成第三透明電極152g的步驟。 請(qǐng)參閱圖2E，在形成透明光感測(cè)組件150之后，可以形成一柵極絕緣層174于絕緣 層172上，其中柵極絕緣層174覆蓋這些掃描線120、透明光感測(cè)組件150以與門(mén)極142g， 并且可以全面性地覆蓋絕緣層172。此外，柵極絕緣層174與絕緣層172 二者材料與形成方 法皆可相同。須強(qiáng)調(diào)的是，由于在其它實(shí)施例中，光感測(cè)組件陣列基板100可以不包括柵極絕 緣層174，而絕緣層172可以覆蓋掃描線120與柵極142g，因此在光感測(cè)組件陣列基板100 的制造方法中，可以省略形成柵極絕緣層174的步驟，并讓絕緣層172在掃描線120與柵極 142g形成之后才形成。所以，圖2D與圖2E所示的形成絕緣層172與柵極絕緣層174的步 驟僅為舉例說(shuō)明，并非限定本發(fā)明。請(qǐng)參閱圖2F，接著，在平面112上形成多個(gè)開(kāi)關(guān)組件140。關(guān)于開(kāi)關(guān)組件140的形 成方法，首先，在柵極絕緣層174上形成多個(gè)半導(dǎo)體層144、194，而半導(dǎo)體層194位在掃描 線120的上方，并且與掃描線120部分重迭。構(gòu)成半導(dǎo)體層144、194的材料可以是多晶硅 (polysilicon)或非晶硅(amorphous silicon)，而半導(dǎo)體層144、194可以是透過(guò)沉積、微 影與蝕刻而形成。之后，形成多個(gè)漏極142d、192d、源極142s、192s、多條讀取線130與數(shù)據(jù)線180，其 中半導(dǎo)體層144連接于漏極142d與源極142s之間，而半導(dǎo)體層194連接于漏極192d與源 極192s之間。至此，這些電性連接讀取線130的開(kāi)關(guān)組件140基本上已完全形成。此外， 構(gòu)成源極142s、192s、讀取線130以及數(shù)據(jù)線180的材料可為金屬，并且可以彼此相同，而源 極142s、192s、讀取線130以及數(shù)據(jù)線180皆可在同一道微影與蝕刻的過(guò)程中同時(shí)形成。在形成這些源極142s以前，可以移除部分絕緣層172與部分柵極絕緣層174，以形 成多個(gè)局部暴露第一透明電極152d的接觸孔(contact hole) Tl，而源極142s可以延伸至接觸孔Tl中，進(jìn)而連接第一透明電極152d。如此，第一透明電極152d得以電性連接開(kāi)關(guān)組 件140。另外，在形成漏極142d、192d與源極142s、192s之后，可以對(duì)半導(dǎo)體層144、194進(jìn) 行背通道蝕刻(Back Channel Etching, BCE)。請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D1B，接著，在柵極絕緣層174上形成一絕緣層176，而絕緣層176覆 蓋這些開(kāi)關(guān)組件140、漏極192d、源極192s以及半導(dǎo)體層144、194，其中絕緣層176可以是 二氧化硅或氮化硅等無(wú)機(jī)絕緣材料，或是有機(jī)高分子絕緣材料。之后，可以在絕緣層176上形成多個(gè)像素電極196。至此，這些包括源極192s、漏 極192d、半導(dǎo)體層194與像素電極196的像素單元190基本上已完全形成，而光感測(cè)組件陣 列基板100基本上已制造完成。另外，在形成像素電極196以前，可以移除部分絕緣層176， 以形成多個(gè)局部暴露漏極192d的接觸孔T2，讓像素電極196可以延伸至接觸孔T2中，以連 接漏極192d。此外，移除部分絕緣層176的方法可以是蝕刻。綜上所述，由于本發(fā)明的光感測(cè)組件陣列基板采用多個(gè)透明光感測(cè)組件來(lái)偵測(cè)光 線，因此透明光感測(cè)組件整體上并不會(huì)遮擋光線。當(dāng)光感測(cè)組件陣列基板應(yīng)用于顯示器時(shí)， 這些透明光感測(cè)組件可以分別配置在多個(gè)像素顯像區(qū)內(nèi)(如圖IA所示的光穿透區(qū)Rl)，并 且供從像素顯像區(qū)而來(lái)的光線所穿透。如此，不僅顯示影像的質(zhì)量不會(huì)被透明光感測(cè)組件 所破壞，而且還可以提高顯示器的開(kāi)口率，進(jìn)而增加顯示影像的亮度。雖然本發(fā)明以前述實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)相像技 藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所作更動(dòng)與潤(rùn)飾的等效替換，仍為本發(fā)明的權(quán)利要 求保護(hù)范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求
一種光感測(cè)組件陣列基板，其特征在于，包括一基板，具有一平面；多條掃描線，配置在該平面上；多條讀取線，配置在該平面上，該些掃描線與該些讀取線彼此交錯(cuò)，以在該平面上形成多個(gè)光穿透區(qū)；多個(gè)開(kāi)關(guān)組件，配置在該平面上，并且電性連接該些掃描線與該些讀取線；以及多個(gè)透明光感測(cè)組件，配置在該平面上，并且位在該些光穿透區(qū)內(nèi)，該些透明光感測(cè)組件分別電性連接該些開(kāi)關(guān)組件。
2.如權(quán)利要求1所述的光感測(cè)組件陣列基板，其特征在于，各該透明光感測(cè)組件包括一第一透明電極，電性連接其中一開(kāi)關(guān)組件；一第二透明電極；以及一透明半導(dǎo)體層，連接于該第一透明電極與該第二透明電極之間。
3.如權(quán)利要求2所述的光感測(cè)組件陣列基板，其特征在于，構(gòu)成該些透明半導(dǎo)體層的 材料為多晶銦鎵鋅氧化物、非晶銦鎵鋅氧化物或摻雜型銦鎵鋅氧化物。
4.如權(quán)利要求2所述的光感測(cè)組件陣列基板，其特征在于，還包括多條共享線，該些共 享線配置在該平面上，而各該共享線電性連接多個(gè)該透明光感測(cè)組件。
5.如權(quán)利要求4所述的光感測(cè)組件陣列基板，其特征在于，該些共享線連接該些第二 透明電極，并且與該些第一透明電極部分重迭。
6.如權(quán)利要求4所述的光感測(cè)組件陣列基板，其特征在于，還包括一絕緣層，而至少一 透明光感測(cè)組件還包括一第三透明電極，該透明半導(dǎo)體層位在該第三透明電極與該第一透 明電極之間，以及位在該第三透明電極與該第二透明電極之間，該第三透明電極與該透明 半導(dǎo)體層重迭，并且電性連接該第二透明電極，而該絕緣層配置在該第三透明電極與該些 透明半導(dǎo)體層之間。
7.如權(quán)利要求6所述的光感測(cè)組件陣列基板，其特征在于，還包括一柵極絕緣層，該柵 極絕緣層配置在該絕緣層上，并且覆蓋該些掃描線與該些透明光感測(cè)組件。
8.如權(quán)利要求1所述的光感測(cè)組件陣列基板，其特征在于，還包括多條數(shù)據(jù)線，配置在該平面上，各該數(shù)據(jù)線與其中一讀取線并列；以及多個(gè)像素單元，配置在該平面上，并且位在該些光穿透區(qū)內(nèi)，其中該些像素單元電性連 接該些數(shù)據(jù)線與該些掃描線。
9.一種光感測(cè)組件陣列基板的制造方法，其特征在于，包括在一基板的一平面上形成多個(gè)透明光感測(cè)組件；在該平面上形成多條掃描線與多條讀取線，其中該些掃描線與該些讀取線彼此交錯(cuò)， 以在該平面上形成多個(gè)光穿透區(qū)，而該些透明光感測(cè)組件位在該些光穿透區(qū)內(nèi)；以及在該平面上形成多個(gè)開(kāi)關(guān)組件，其中該些開(kāi)關(guān)組件電性連接該些掃描線、該些讀取線 以及該些透明光感測(cè)組件。
10.如權(quán)利要求9所述的光感測(cè)組件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成該些透明 光感測(cè)組件的方法包括在該平面上形成多個(gè)第一透明電極與多個(gè)第二透明電極；在該平面上形成多個(gè)透明半導(dǎo)體層，其中該些透明半導(dǎo)體層覆蓋該些第一透明電極與該些第二透明電極；以及在該些透明半導(dǎo)體層上形成一絕緣層，其中該絕緣層覆蓋該些第一透明電極、該些第 二透明電極以及該些透明半導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求10所述的光感測(cè)組件陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括對(duì)該 些透明半導(dǎo)體層進(jìn)行退火。
12.如權(quán)利要求10所述的光感測(cè)組件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成該些透 明光感測(cè)組件的方法還包括在該絕緣層上形成多個(gè)第三透明電極，其中該些第三透明電極與該些透明半導(dǎo)體層重迭。
13.如權(quán)利要求10所述的光感測(cè)組件陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成該些 透明光感測(cè)組件之后，還包括形成一柵極絕緣層于該絕緣層上，其中該柵極絕緣層覆蓋該 些掃描線與該些透明光感測(cè)組件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光感測(cè)組件陣列基板及其制造方法，其包括一基板、多條掃描線、多條讀取線、多個(gè)開(kāi)關(guān)組件以及多個(gè)透明光感測(cè)組件?；寰哂幸黄矫?，而這些掃描線、讀取線、開(kāi)關(guān)組件與透明光感測(cè)組件皆配置在平面上。這些掃描線與這些讀取線彼此交錯(cuò)，以在平面上形成多個(gè)光穿透區(qū)。這些開(kāi)關(guān)組件電性連接這些掃描線與這些讀取線。這些透明光感測(cè)組件位在這些光穿透區(qū)內(nèi)，并且分別電性連接這些開(kāi)關(guān)組件。
文檔編號(hào)H01L27/146GK101976672SQ201010270909
公開(kāi)日2011年2月16日 申請(qǐng)日期2010年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月1日
發(fā)明者張錫明, 蔡耀仁 申請(qǐng)人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司