專利名稱：半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備、及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及攝像機(jī)模塊(攝像模塊)這種半導(dǎo)體裝置及其制造方法、與安裝了這 種半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
采用了半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的CCD或CMOS圖像傳感器等半導(dǎo)體裝置廣泛用于數(shù) 字?jǐn)z像機(jī)和帶攝像機(jī)功能的便攜電話等中。這種半導(dǎo)體裝置中，為了對(duì)應(yīng)裝載部件的小型 /輕質(zhì)量化的要求，提出了將傳感器芯片(半導(dǎo)體元件)進(jìn)行芯片尺寸封裝(CSP)的情形。作為CSP化后的攝像機(jī)模塊，提出了如下結(jié)構(gòu)配置透明玻璃部件這種透光性保 護(hù)部件，使其覆蓋在半導(dǎo)體芯片的表面所設(shè)置的受光部，并通過(guò)粘接劑粘合半導(dǎo)體芯片和 透光性保護(hù)部件，進(jìn)一步，在透光性保護(hù)部件上配置透鏡部件，并且在半導(dǎo)體芯片的背面設(shè) 置用于對(duì)基板進(jìn)行安裝的連接端子。在這種結(jié)構(gòu)的攝像機(jī)模塊中，粘接層以包圍半導(dǎo)體芯片的受光部的方式而形成， 具有將受光部作為開(kāi)口部的口字形的平面形狀。并且，粘接層的4個(gè)邊的寬度不均勻而 進(jìn)行分別設(shè)計(jì)。另一方面，連接端子在半導(dǎo)體芯片的背面的整體區(qū)域上按格柵陣列(grid array)狀排列配置。在具有這種結(jié)構(gòu)的攝像機(jī)模塊中，若在基板上安裝時(shí)向攝像機(jī)模塊施加規(guī)定以上 的力，則產(chǎn)生了半導(dǎo)體芯片破裂或產(chǎn)生龜裂等的問(wèn)題。另外，即使半導(dǎo)體芯片沒(méi)有產(chǎn)生破裂 及龜裂，布線層也會(huì)受到損傷，結(jié)果，有時(shí)會(huì)引起異常動(dòng)作。進(jìn)一步，還提出了具有如下結(jié)構(gòu)的光學(xué)裝置用模塊在固體攝像元件的有效像素 區(qū)域外的區(qū)域上經(jīng)粘接部而固定透光性蓋部，相隔離地配置有效像素區(qū)域和透光性蓋部， 并且在有效像素區(qū)域外的粘接部上埋設(shè)電極襯墊，在其下方連接外部電極。但是，該光學(xué)裝置用模塊中，外部連接端子通過(guò)固體攝像元件內(nèi)的重新布線而形 成，根據(jù)粘接部的厚度及彈性模量、元件的厚度，有元件破裂的危險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
通常，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板，具有第1面及其相反側(cè)的 第2面，且在第1面上形成有具有受光部的活性層；粘接層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的所述 第1面上，使該粘接層包圍所述受光部；透光性保護(hù)部件，在所述半導(dǎo)體基板的所述受光部 上相隔規(guī)定的間隙進(jìn)行配置，且經(jīng)所述粘接層進(jìn)行粘接；多個(gè)外部連接端子，在所述半導(dǎo)體 基板的所述第2面上按規(guī)定的排列進(jìn)行配置；在位于最外圍的外部連接端子中，形成對(duì)置 的2個(gè)邊的所述外部連接端子的中心點(diǎn)配置于將所述粘接層投影到所述第2面的區(qū)域(下 面，稱作粘接層的投影區(qū)域)內(nèi)。
根據(jù)另一實(shí)施例的電子設(shè)備包括上述半導(dǎo)體裝置、在所述透光性保護(hù)部件上設(shè) 置的透鏡模塊、安裝基板。所述半導(dǎo)體裝置經(jīng)所述外部連接端子安裝到所述安裝基板上。目前發(fā)現(xiàn)，在通過(guò)粘接劑粘合半導(dǎo)體芯片和透光性保護(hù)部件，并且在半導(dǎo)體芯片 的背面設(shè)置連接端子的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，在位于最外圍的連接端子的一部分配置在與 粘接層的開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域的情況下，若在基板安裝時(shí)施加規(guī)定以上的力，則應(yīng)力集中到 半導(dǎo)體芯片的特定的區(qū)域(例如、配置了最外圍連接端子的、與粘接層的開(kāi)口部對(duì)應(yīng)的區(qū) 域)，半導(dǎo)體芯片不能承受該應(yīng)力而破裂，或在半導(dǎo)體芯片內(nèi)產(chǎn)生微小龜裂。


圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖；圖2是在第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，向作為外部連接端子的配置面的、半導(dǎo)體 基板(半導(dǎo)體芯片)的背面投影粘接層的俯視圖(以下、表示為粘接層投影俯視圖。)；圖3是表示將第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置安裝在基板上的電子設(shè)備的剖視圖；圖4是第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的粘接層投影俯視圖；圖5是表示從粘接層的投影區(qū)域的開(kāi)口端邊緣到最外圍外部連接端子的中心點(diǎn) 的距離d取負(fù)數(shù)值的外部連接端子的配置的粘接層投影俯視圖；圖6是表示通過(guò)仿真來(lái)調(diào)查第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，從粘接層投影區(qū)域的 開(kāi)口端邊緣到最外圍外部連接端子的中心點(diǎn)的距離d與半導(dǎo)體芯片上產(chǎn)生的應(yīng)力之間的 關(guān)系的結(jié)果的圖表；圖7是第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的粘接層投影俯視圖；圖8是第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的粘接層投影俯視圖。
具體實(shí)施例方式(第1實(shí)施方式)圖1是表示作為第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的攝像機(jī)模塊的剖視圖。圖2是圖1 的半導(dǎo)體裝置的粘接層的投影俯視圖。第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1具有硅(Si)基板那樣的半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體芯 片)2。半導(dǎo)體芯片2具有50 300μπι的厚度，在第1面(表面)2a上具有活性層。半導(dǎo) 體芯片2的厚度優(yōu)選為100 200 μ m?；钚詫泳哂袑⒄丈涞奖砻?a的光及電子等的能量 線收集到光電二極管的受光部3。進(jìn)一步，活性層具有進(jìn)行電信號(hào)的輸入/輸出及電源的供 給等的多個(gè)電極(未圖示)，這些構(gòu)成所謂的圖像傳感器。在半導(dǎo)體芯片2上配置用于保護(hù)受光部3免受損傷及塵埃的透明玻璃部件那樣的 透光性保護(hù)部件4，使其覆蓋具有受光部3的表面2a。透光性保護(hù)部件4經(jīng)在半導(dǎo)體芯片 2的表面2a的周邊部配置的粘接層5，與半導(dǎo)體芯片2的表面2a粘接。粘接層5含有例如環(huán)氧系薄膜狀粘接劑，以包圍在半導(dǎo)體芯片2的中央部形成的 受光部3的方式而形成，且具有以受光部3為開(kāi)口部的俯視的口字形狀。并且，在透光性保 護(hù)部件4和半導(dǎo)體芯片2的表面2a之間形成按粘接層5的厚度規(guī)定的間隙6。在受光部3 上形成聚光用的微透鏡7，為了不損壞其聚光效果，而在透光性保護(hù)部件4和受光部3之間 形成間隙6。
半導(dǎo)體芯片2具有連結(jié)表面(第1面)2a和背面(第2面)2b并與活性層的電極 電連接的貫通電極(未圖示)那樣的內(nèi)部布線，在半導(dǎo)體芯片2的背面2b設(shè)有背面布線層 (未圖示)。此外，包含背面布線層的半導(dǎo)體芯片2的背面2b被由聚酰亞胺樹(shù)脂及環(huán)氧樹(shù) 月旨、或阻焊(solder resist)材料等構(gòu)成的保護(hù)膜(未圖示)覆蓋，并在背面布線層的端子 形成區(qū)域(保護(hù)膜的開(kāi)口區(qū)域)上設(shè)置外部連接端子8。作為外部連接端子8，適用焊錫凸 點(diǎn)(bump)那樣的突起型電極。外部連 接端子8按例如3行3列 6行6列的格柵陣列狀(矩陣狀)排列。如圖 2所示，位于最外圍的外部連接端子8a中，將形成對(duì)置的2個(gè)邊的連接端子8a的中心點(diǎn)，全 部配置在將粘接層5的形成區(qū)域投影在外部連接端子8的配置面(半導(dǎo)體芯片2的背面) 的區(qū)域(粘接層的投影區(qū)域)9內(nèi)。并且，在透光性保護(hù)部件4的上面，經(jīng)粘接層(未圖示)而安裝有透鏡模塊10。作 為透鏡模塊10，使用在透鏡支架(holder)上裝載有聚光用透鏡的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，這些整體 通過(guò)以電防護(hù)(shield)及機(jī)械加強(qiáng)為目的的防護(hù)帽(shield cap)ll等覆蓋。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1例如如下這樣來(lái)制造。首先，在半導(dǎo)體基板2的表面 2a上形成具有受光部3的活性層。將半導(dǎo)體基板2作為半導(dǎo)體晶片來(lái)供給，根據(jù)半導(dǎo)體晶 片的各元件構(gòu)成區(qū)域來(lái)形成活性層。接著，在半導(dǎo)體基板2的表面2a的、除受光部3之外的周邊區(qū)域上形成由例如環(huán) 氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接層5。此外，準(zhǔn)備與半導(dǎo)體基板2 (半導(dǎo)體 晶片)具有大致相同大小的、具有透明玻璃基板的透光性保護(hù)部件4，并將其配置在半導(dǎo)體 基板2上。并且，通過(guò)例如加壓/加熱而經(jīng)由粘接層5粘合透光性保護(hù)部件4和半導(dǎo)體基 板2的表面。在透光性保護(hù)部件4和半導(dǎo)體基板2之間，通過(guò)粘接層5的厚度而形成間隙 6，設(shè)置在半導(dǎo)體基板2的表面2a的受光部3以在間隙6內(nèi)露出的方式而配置。接著，通過(guò)機(jī)械研削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕蝕、干蝕等加工半導(dǎo)體基板2的背面2b，并 將半導(dǎo)體基板2從背面2b側(cè)薄壁化為100 200 μ m的厚度。另外，該加工工藝在使用預(yù) 先已薄壁化的半導(dǎo)體基板2的情況下不需要，由于透光性保護(hù)部件4實(shí)現(xiàn)了機(jī)械加強(qiáng)半導(dǎo) 體基板2的支持基板的作用，所以優(yōu)選為半導(dǎo)體基板2的最終加工在粘合透光性保護(hù)部件 4后加以實(shí)施。接著，在半導(dǎo)體基板2內(nèi)形成貫通電極那樣的內(nèi)部布線后，在半導(dǎo)體基板2的背面 2b形成背面布線層。之后，在半導(dǎo)體基板2的背面2b形成保護(hù)膜后，在背面布線層的端子 形成區(qū)域上形成外部連接端子8。外部連接端子8通過(guò)例如對(duì)焊錫球進(jìn)行回流而與背面布 線層連接而形成。外部連接端子8的形成位置設(shè)計(jì)為，使得位于最外圍的外部連接端子8a 的、形成對(duì)置兩個(gè)邊的連接端子8a的中心點(diǎn)全部配置在粘接層的投影區(qū)域9內(nèi)。在這些一系列的工藝(晶片工藝)結(jié)束后，通過(guò)刀刃(blade)等切斷半導(dǎo)體基板 2來(lái)進(jìn)行分片。之后，在分片后的半導(dǎo)體芯片2上的受光部3的上方安裝透鏡模塊10，并進(jìn) 一步裝載防護(hù)帽11，而制作圖1所示的半導(dǎo)體裝置1。該實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1經(jīng)外部連接端子8安裝在安裝基板上。圖3表示安裝 有半導(dǎo)體裝置1的電子設(shè)備。附圖標(biāo)記12表示具有布線(未圖示)的安裝基板。安裝基 板12與未圖示的存儲(chǔ)裝置、顯示裝置相連。作為電子設(shè)備，可以列舉數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、帶攝像機(jī) 功能的便攜電話、電子會(huì)議用的攝像系統(tǒng)等。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1中，由于將最外圍外部連接端子8a中形成對(duì)置的2條 邊的連接端子8a的中心點(diǎn)配置在粘接層的投影區(qū)域9內(nèi)，所以在將該半導(dǎo)體裝置1安裝在 安裝基板12時(shí)，經(jīng)在粘接層的投影區(qū)域9內(nèi)配置的外部連接端子8a，向半導(dǎo)體芯片2對(duì)稱 的位置上作用對(duì)稱的力。因此，半導(dǎo)體芯片2內(nèi)的應(yīng)力不會(huì)局部集中，可防止半導(dǎo)體芯片2 的破裂和龜裂的發(fā)生。在半導(dǎo)體芯片2的厚度薄，且最外圍的外部連接端子8a的一部分位于從粘接層的 投影區(qū)域9向內(nèi)側(cè)偏離的開(kāi)口部9a的結(jié)構(gòu)中，由于在安裝基板12上安裝時(shí)，半導(dǎo)體芯片2 經(jīng)外部連接端子8而受到的應(yīng)力值超過(guò)半導(dǎo)體芯片2的龜裂等產(chǎn)生的界限，所以在半導(dǎo)體 芯片2上產(chǎn)生了破裂和龜裂。但是，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊中，由于可以降低在半導(dǎo)體 芯片2內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力值，所以即使是較薄的半導(dǎo)體芯片2也能防止產(chǎn)生破裂和龜裂。(第2實(shí)施方式) 參考圖4到圖6來(lái)說(shuō)明第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。圖4和圖5是在本實(shí)施方式 的半導(dǎo)體裝置中，向外部連接端子8的配置面投影粘接層的形成區(qū)域后的粘接層投影俯視 圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1中，為了設(shè)置充分寬度的受光部3，位于最外圍的外部 連接端子8a的中心點(diǎn)不全部配置在粘接層的投影區(qū)域9內(nèi)。并且，在粘接層的投影區(qū)域 9外配置的最外圍外部連接端子8a中，這些中心點(diǎn)到粘接層投影區(qū)域9的開(kāi)口端部邊緣 (以下，表示為粘接層開(kāi)口端部邊緣。)的距離d為大于等于外部連接端子8的直徑(例如 300 μ m)的-25%。另外，如圖4所示，在最外圍外部連接端子8a的中心點(diǎn)位于粘接層的投影區(qū)域9 內(nèi)的情況下，將d值設(shè)作大于等于0 (正數(shù))，如圖5所示，在最外圍外部連接端子8a的中心 點(diǎn)位于從粘接層的投影區(qū)域9向內(nèi)側(cè)偏離的開(kāi)口部9a的情況下，設(shè)d值未達(dá)到0 (負(fù)數(shù))。 第2實(shí)施方式中，由于其他部分與第1實(shí)施方式同樣構(gòu)成，所以省略說(shuō)明。該實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1中，如上述那樣，由于將從粘接層開(kāi)口端部邊緣到最 外圍外部連接端子8a的中心點(diǎn)的距離d限定為大于等于外部連接端子8的直徑的-25%， 所以可以抑制將該半導(dǎo)體裝置1安裝在安裝基板12時(shí)的半導(dǎo)體芯片2內(nèi)的應(yīng)力集中。因 此，不會(huì)發(fā)生半導(dǎo)體芯片2的破裂和龜裂。接著，進(jìn)行仿真，調(diào)查從粘接層投影區(qū)域9的開(kāi)口端部邊緣到最外圍外部連接端 子8a的中心點(diǎn)的距離d與安裝到安裝基板時(shí)在半導(dǎo)體芯片2上產(chǎn)生的應(yīng)力之間的關(guān)系。在第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，將半導(dǎo)體芯片2的厚度設(shè)作100μπι(0. 1mm)、將 粘接層5設(shè)作是含有環(huán)氧系薄膜狀粘接劑的厚度50 μ m的結(jié)構(gòu)、將作為外部連接端子8的 焊錫球的直徑和高度設(shè)作300 μ m(0. 3mm)來(lái)進(jìn)行仿真。圖6中用圖表表示仿真的結(jié)果。圖表的橫軸表示從粘接層投影區(qū)域9的開(kāi)口端邊 緣到最外圍外部連接端子8a的中心點(diǎn)的距離d (單位mm)，縱軸表示作用于半導(dǎo)體芯片2的 背面2b的應(yīng)力(單位MPa)。圖表上的點(diǎn)A表示半導(dǎo)體芯片2上產(chǎn)生破裂的應(yīng)力值。S卩，若 作用于半導(dǎo)體芯片2的背面2b的應(yīng)力的值比點(diǎn)A的應(yīng)力值大，則產(chǎn)生破裂。下面表示圖6所示的圖表的近似式。式1*
+ ^ + ^ + +在該式中，各符號(hào)表示以下的含義。σ 作用于半導(dǎo)體芯片背面的應(yīng)力值(MPa)tchip 半導(dǎo)體芯片的厚度(mm)dx:從粘接層投影區(qū)域的開(kāi)口端邊緣到最外圍外部連接端子的中心點(diǎn)的、χ方向的 距離(mm)dy 從粘接層投影區(qū)域的開(kāi)口端邊緣到最外圍外部連接端子的中心點(diǎn)的、y方向的 距離(mm)tadh:粘接層的厚度(mm)hball 外部連接端子的高度(mm)Eadh 粘接層的彈性模量(MPa)圖5和圖6中，設(shè)橫方向?yàn)棣址较?，縱方向?yàn)閥方向。七采用左右(2個(gè)邊)的dx 中小的一個(gè)，dy采用上下2個(gè)邊的dy中小的一個(gè)。C是常數(shù)，系數(shù)a = 0. 03、b = 0. 23、c =0. 44、d = 2. 2、e = 0. 76、f = -0. 15。在該式中，通過(guò)將規(guī)定值代入各變量(t。hip，dx，dy，tadh，hball，Eadh)，可求出作用于與 第2實(shí)施方式具有相同結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置1的半導(dǎo)體芯片2背面的應(yīng)力值ο。通過(guò)調(diào)查所 求出的應(yīng)力值ο是否超過(guò)圖表上的點(diǎn)Α，可以判斷半導(dǎo)體芯片2上是否有產(chǎn)生破裂的危險(xiǎn)。 若使用近似式，則在僅通過(guò)dx和dy不能由像素區(qū)域范圍的限定來(lái)減少應(yīng)力的情況下，通過(guò) 優(yōu)化組合半導(dǎo)體芯片的厚度、粘接層的厚度及彈性模量、外部連接端子的高度等其他變量， 可以實(shí)現(xiàn)作用于半導(dǎo)體芯片的應(yīng)力的降低。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1中，將從粘接層的投影區(qū)域9的開(kāi)口端邊緣到最外圍 外部連接端子8a的中心點(diǎn)的距離d限定為大于等于外部連接端子8的直徑的-25%。將各 值代入上述式而求出作用于半導(dǎo)體芯片2背面的應(yīng)力值σ時(shí)，可確認(rèn)到應(yīng)力值σ沒(méi)有超 過(guò)圖表上的點(diǎn)Α。(第3實(shí)施方式)圖7是第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，向外部連接端子的配置面投影粘接層的形 成區(qū)域后的粘接層投影俯視圖。該半導(dǎo)體裝置中，位于最外圍的外部連接端子8a中，不僅是對(duì)置的2個(gè)邊，而是4 個(gè)邊都將中心點(diǎn)配置在粘接層的投影區(qū)域9內(nèi)。其他部分與第1實(shí)施方式同樣構(gòu)成，而省 略說(shuō)明。該半導(dǎo)體裝置中，在安裝到安裝基板時(shí)，將均勻分散到最外圍外部連接端子8a的 4個(gè)邊整體上的力施加給半導(dǎo)體芯片2。即，將經(jīng)4個(gè)邊的最外圍外部連接端子8a整體而 被更均勻地分散后的力施加給半導(dǎo)體芯片2。因此，與第1實(shí)施方式相比，可以進(jìn)一步抑制 半導(dǎo)體芯片2內(nèi)的應(yīng)力集中，可以進(jìn)一步防止半導(dǎo)體芯片2的破裂和龜裂的發(fā)生。(第4實(shí)施方式)圖8是在第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，向外部連接端子的配置面投影粘接層的 形成區(qū)域后的粘接層投影俯視圖。該半導(dǎo)體裝置中，所有位于最外圍的4個(gè)邊的外部連接端子8a，不僅是中心點(diǎn)，而且整體都配置在粘接層 的投影區(qū)域9內(nèi)。其他的部分與第1實(shí)施方式同樣構(gòu)成，而省略說(shuō) 明。該半導(dǎo)體裝置中，在安裝到安裝基板時(shí)，可以防止經(jīng)外部連接端子8施加的力所 引起的半導(dǎo)體芯片2內(nèi)的應(yīng)力集中。因此，可以防止半導(dǎo)體芯片2的破裂和龜裂的發(fā)生。雖然描述了特定實(shí)施方式，但是這些實(shí)施方式僅通過(guò)示例的方式來(lái)加以呈現(xiàn)，而 不是想要限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，這里所描述的新方法可以在其他形式的變形中具體 化，進(jìn)一步，在不脫離本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)，可以做出在這里所描述的方法的形式下的各 種省略、替代和變化。附隨的權(quán)利要求及其等效形式是為了覆蓋落入到本發(fā)明的精神和范 圍的形式或變形。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括半導(dǎo)體基板，具有第1面及其相反側(cè)的第2面，且在第1面上形成有具有受光部的活性層；粘接層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的所述第1面上，使該粘接層包圍所述受光部； 透光性保護(hù)部件，在所述半導(dǎo)體基板的所述受光部上相隔規(guī)定的間隙進(jìn)行配置，且經(jīng) 所述粘接層而被粘接；以及多個(gè)外部連接端子，在所述半導(dǎo)體基板的所述第2面上按矩陣狀的排列進(jìn)行配置， 在位于最外圍的外部連接端子中，形成對(duì)置的2個(gè)邊的外部連接端子的各中心點(diǎn)都位 于將所述粘接層投影到所述第2面而成的區(qū)域，即粘接層的投影區(qū)域內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，形成所述2個(gè)邊的外部連接端子之外的、位于最外圍的外部連接端子的各中心點(diǎn)都位 于所述粘接層的投影區(qū)域外。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，形成所述2個(gè)邊的外部連接端子之外的、位于最外圍的外部連接端子，包含至少一個(gè) 從中心點(diǎn)到所述粘接層的投影區(qū)域的包圍所述受光部的開(kāi)口端邊緣的距離d大于等于該 外部連接端子的直徑的-25%的外部連接端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， d值大于等于O。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，位于最外圍的所述外部連接端子中，形成所述2個(gè)邊之外的至少一個(gè)邊的、外部連接 端子的各中心點(diǎn)，到所述粘接層的投影區(qū)域的、包圍所述受光部的開(kāi)口端邊緣的距離d，都 大于等于外部連接端子的直徑的_25%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，形成所述2個(gè)邊的外部連接端子之外的、位于最外圍的外部連接端子的各中心點(diǎn)，到 所述粘接層的投影區(qū)域的、包圍所述受光部的開(kāi)口端邊緣的距離d，都大于等于外部連接端 子的直徑的-25%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，位于最外圍的外部連接端子的各中心點(diǎn)都位于所述粘接層的投影區(qū)域內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，位于最外圍的各外部連接端子都整體位于所述粘接層的投影區(qū)域內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，位于最外圍以外的各外部連接端子都整體位于所述粘接層的投影區(qū)域外。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述外部連接端子按3行3列 6行6列的矩陣狀排列。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述半導(dǎo)體基板具有50 300 μ m的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 受光部的形狀為矩形。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述粘接層含有從環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂和丙烯酸樹(shù)脂中選出的至少一種。
14.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括半導(dǎo)體基板，具有第1面及其相反側(cè)的第2面，且在第1面上形成有具有受光部的活性層；粘接層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的所述第1面上，使該粘接層包圍所述受光部； 透光性保護(hù)部件，在所述半導(dǎo)體基板的所述受光部上相隔規(guī)定的間隙進(jìn)行配置，且經(jīng) 所述粘接層而被粘接；以及多個(gè)外部連接端子，在所述半導(dǎo)體基板的所述第2面上按矩陣狀的排列進(jìn)行配置， 位于 最外圍的外部連接端子的各中心點(diǎn)，到粘接層的投影區(qū)域的、包圍所述受光部的 開(kāi)口端邊緣的距離d，都大于等于外部連接端子的直徑的-25%，所述粘接層的投影區(qū)域?yàn)?將所述粘接層投影到所述第2面而成的區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 d值大于等于O。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在具有第1面及其相反側(cè)的第2面、且在第1面上形成了具有受光部的活性層的半導(dǎo) 體基板的所述第1面上形成粘接層，使該粘接層包圍所述受光部的步驟；在所述半導(dǎo)體基板的所述受光部上相隔規(guī)定的間隙配置透光性保護(hù)部件，并將該透光 性保護(hù)部件經(jīng)所述粘接層粘接于所述半導(dǎo)體基板的步驟；以及在所述半導(dǎo)體基板的第2面上形成按矩陣狀的排列進(jìn)行配置的多個(gè)外部連接端子的 步驟，設(shè)計(jì)為，在位于最外圍的所述外部連接端子中，形成對(duì)置的2個(gè)邊的、所述外部連接端 子的中心點(diǎn)，配置在粘接層的投影區(qū)域內(nèi)，并據(jù)此來(lái)加以制造，所述粘接層的投影區(qū)域?yàn)閷?所述粘接層投影到所述第2面而成的區(qū)域。
17.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在具有第1面及其相反側(cè)的第2面、且在第1面上形成了具有受光部的活性層的半導(dǎo) 體基板的所述第1面上形成粘接層，使該粘接層包圍所述受光部的步驟；在所述半導(dǎo)體基板的所述受光部上相隔規(guī)定的間隙配置透光性保護(hù)部件，并將該透光 性保護(hù)部件經(jīng)所述粘接層粘接于所述半導(dǎo)體基板的步驟；以及在所述半導(dǎo)體基板的第2面上形成按矩陣狀的排列進(jìn)行配置的多個(gè)外部連接端子的 步驟，設(shè)計(jì)為，位于最外圍的外部連接端子的各中心點(diǎn)，到粘接層的投影區(qū)域的、包圍所述受 光部的開(kāi)口端邊緣的距離d都大于等于外部連接端子的直徑的_25%，并據(jù)此來(lái)加以制造， 所述粘接層的投影區(qū)域?yàn)閷⑺稣辰訉油队暗剿龅?面而成的區(qū)域。
18.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在具有第1面及其相反側(cè)的第2面、且在第1面上形成了具有受光部的活性層的半導(dǎo) 體基板的所述第1面上形成粘接層，使該粘接層包圍所述受光部的步驟；在所述半導(dǎo)體基板的所述受光部上相隔規(guī)定的間隙配置透光性保護(hù)部件，并將該透光 性保護(hù)部件經(jīng)所述粘接層粘接于所述半導(dǎo)體基板的步驟；以及在所述半導(dǎo)體基板的第2面上形成按矩陣狀的排列進(jìn)行配置的多個(gè)外部連接端子的步驟，設(shè)計(jì)為，根據(jù)下述式算出所述外部連接端子的、作用于所述半導(dǎo)體裝置芯片背面的應(yīng) 力值O，并將該值設(shè)計(jì)為小于等于規(guī)定的值，且據(jù)此加以制造，
19.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板，具有第1面及其相反側(cè)的第2面，且在第 1面上形成有具有受光部的活性層；粘接層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的所述第1面上，使該 粘接層包圍所述受光部；透光性保護(hù)部件，在所述半導(dǎo)體基板的所述受光部上相隔規(guī)定的 間隙來(lái)進(jìn)行配置，且經(jīng)所述粘接層而被粘接；以及多個(gè)外部連接端子，在所述半導(dǎo)體基板的 所述第2面上以矩陣狀的排列進(jìn)行配置，該半導(dǎo)體裝置中，位于最外圍的外部連接端子中， 形成對(duì)置的2個(gè)邊的、外部連接端子的各中心點(diǎn)都位于將所述粘接層投影到所述第2面而 成的區(qū)域，即粘接層的投影區(qū)域內(nèi)；透鏡模塊，設(shè)置在所述半導(dǎo)體裝置的所述透光性保護(hù)部件上；以及 安裝基板；所述半導(dǎo)體裝置經(jīng)所述外部連接端子安裝到所述安裝基板上。
20.一種電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，包括在半導(dǎo)體裝置的透光性保護(hù)部件上配置透鏡模塊的步驟；以及 將所述半導(dǎo)體裝置經(jīng)外部連接端子安裝到安裝基板上的步驟， 所述半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體基板，具有第1面及其相反側(cè)的第2面，且在第1面上形成有具有受光部的活性層；粘接層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的所述第1面上，使該粘接層包圍所述受光部； 所述透光性保護(hù)部件，在所述半導(dǎo)體基板的所述受光部上相隔規(guī)定的間隙來(lái)進(jìn)行配置，且經(jīng)所述粘接層而被粘接；以及多個(gè)所述外部連接端子，在所述半導(dǎo)體基板的所述第2面上以矩陣狀的排列進(jìn)行配置， 該半導(dǎo)體裝置中，位于最外圍的外部連接端子中，形成對(duì)置的2個(gè)邊的、外部連接端子 的各中心點(diǎn)都位于將所述粘接層投影到所述第2面而成的區(qū)域，即粘接層的投影區(qū)域內(nèi)。
全文摘要
一種攝像機(jī)模塊(攝像模塊)這種半導(dǎo)體裝置及其制造方法、與安裝了這種半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備及其制造方法。根據(jù)一實(shí)施例，包括半導(dǎo)體基板，具有第1面及其相反側(cè)的第2面，且在第1面上形成具有受光部的活性層；粘接層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的所述第1面上，使其包圍所述受光部；透光性保護(hù)部件，在所述半導(dǎo)體基板的所述受光部上相隔規(guī)定的間隙進(jìn)行配置，且經(jīng)所述粘接層進(jìn)行粘接；多個(gè)外部連接端子，在所述半導(dǎo)體基板的所述第2面上按規(guī)定的排列進(jìn)行配置。位于最外圍的外部連接端子中，形成對(duì)置的2個(gè)邊的外部連接端子的中心點(diǎn)配置在將粘接層投影到第2面的區(qū)域內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102034834SQ20101027533
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
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