專利名稱：一種oled面板多晶硅制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)顯示技術 領域，尤其涉及一種有源矩陣有機發(fā)光二極管(Active Matrix/OrganicLight Emitting Diode, AM0LED)面板的工藝技術。
背景技術：
制作AMOLED面板時，需要在AMOLED面板的各個像素處制作薄膜場效應晶體管 (Thin Film Transistor, TFT)，TFT的有源層的不同特性決定了 AMOLED面板的不同品位。 根據(jù)TFT制作時有源層材料的不同，TFT可分為非晶硅TFT、多晶硅TFT、有機TFT等。多晶 硅TFT相比非晶硅TFT，電子遷移率快約數(shù)十倍至數(shù)百倍，并且具有可以集成在AMOLED面板 外部的驅動IC的優(yōu)點，在能夠制作緊湊型器件的同時，也可以制作高分辨率、高品位的器 件。但是。圖1所示，為常見的AMOLED結構，玻璃基板1之上為緩沖層2，緩沖層2的中間 位置之上為多晶硅材料的有源層4，緩沖層2的兩邊位置之上為層間絕緣層3，柵極絕緣層9 之上為柵極層10，柵極層10之上為層間絕緣層3，除了留出源/漏極數(shù)據(jù)線層5與多晶硅 材料的有源層4連接的接觸孔外，層間絕緣層3將緩沖層2、多晶硅有源層4和柵極層10完 全覆蓋，層間絕緣層3兩邊位置之上為源/漏極數(shù)據(jù)線層5，源/漏極數(shù)據(jù)線層5通過接觸 孔與多晶硅有源層4連接，層間絕緣層3中間位置之上和源/漏極數(shù)據(jù)線層5之上為薄膜 封裝層6，薄膜封裝層6之上為陽極層7和保護層8，薄膜封裝層6除了留出陽極層7與源 /漏極數(shù)據(jù)線層5連接的接觸孔外，薄膜封裝層6將源/漏極數(shù)據(jù)線層5完全覆蓋。圖中 雖然省略了陰極層、有機發(fā)光層等其它各層，但是本領域內的普通技術人員應該能夠意識 到這種省略僅僅是為了簡化繪圖和表達，并不會影響到技術人員對技術方案的正確理解， 在圖示中，未繪制或描述的各層，是本領域普通技術人員所公知的，當敘述一層位于玻璃基 板或是另一層之上或之下時，此層可直接位于玻璃基板或是另一層之上或之下，或是其間 也可具有本領域普通技術人員所公知的其它中間層?，F(xiàn)有的AMOLED面板的多經(jīng)硅有源層 4的制作方法中，多經(jīng)硅有源層4的結晶化和活性化通過下列步驟完成如圖1所示，首先 在玻璃基板1上制作完成緩沖層2后，在緩沖層2上依次制作非晶硅材料的有源層41 (經(jīng) 結晶化處理后成為多晶硅有源層4)、柵極絕緣層5和柵極層6，完成柵極層6的制作后，對 有源層41進行離子摻雜注入，最后將玻璃基板1放入到結晶爐中，同時完成有源層41的結 晶化和活性化。在此過程中，有源層41結晶化處理會引起有源層41在結晶化前后體積的 變化，從而導致氧化物界面和硅界面間的粘合力變差引起TFT特性變差。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有的OLED面板的多晶硅有源層4的制作方法的不足， 提出了一種OLED面板的制作方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術方案是一種OLED面板多晶硅制作方法，在制 作形成柵極絕緣層和柵極金屬層前，包括如下步驟
(1)對玻璃基板進行清洗之后，通過等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)在其上 沉積氧化硅(SiOx)緩沖層；(2)利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)往玻璃基板上沉積一定厚度的非晶硅形成
非晶娃層；(3)對玻璃基板進行光刻前清洗，并在非晶硅層上均勻涂布一定厚度的光刻膠 層；(4)對光刻膠進行曝光并顯影；(5)對顯影后的玻璃基板進行硅刻蝕得到非晶硅有源層；(6)在光刻膠剝離液中進行光刻膠的剝離；(7)對基板進行清洗，通過濺射方法蒸鍍一定厚度的鎳；(8)將基板放入結晶爐中通過金屬橫向誘導法(MILC)進行低溫多晶硅結晶化處 理形成多晶硅材料的有源層4 ；(9)在硫酸雙氧水混合液中進行鎳去除工藝消除鎳。在制作完成多晶硅材料的有源層后，還包括步驟(10)通過等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)進行氧化硅(SiOx)柵極絕緣層沉 積；(11)對玻璃基板進行清洗，并通過濺射方法蒸鍍柵極金屬層；(12)對玻璃基板進行清洗后，進行柵極金屬層光刻工藝，涂布光刻膠，并進行曝 光、顯影；(13)進行柵極金屬層刻蝕工藝；(14)進行柵極絕緣層干刻蝕工藝；(15)對玻璃基板1進行清洗之后對與源/漏極數(shù)據(jù)線層相連的有源層兩端進行離 子摻雜；(16)對多晶硅有源層進行活性化處理；(17)對玻璃基板進行清洗之后，通過等離子提高化學氣相沉積進行層間絕緣層沉 積；(18)進行接觸孔工藝，形成源/漏極數(shù)據(jù)線層穿過層間絕緣層與有源層連接的接 觸孔；(19)對玻璃基板進行清洗之后進行，通過濺射進行源/漏極數(shù)據(jù)線層沉積；(20)通過光刻工藝，對玻璃基板進行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，對源/漏極數(shù) 據(jù)線層進行進行刻蝕；(21)進行光刻膠剝離之后，對玻璃基板進行清洗，然后通過等離子提高化學氣相 沉積進行薄膜封裝層沉積；(22)進行薄膜封裝層刻蝕；(23)通過光刻工藝，進行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，進行接觸孔工藝，形成陽極 ΙΤ0/ΙΖ0金屬穿過薄膜封裝層與源/漏極數(shù)據(jù)線層連接的接觸孔；(24)對玻璃基板進行清洗之后，進行陽極ΙΤ0/ΙΖ0金屬沉積；(25)通過光刻工藝，進行光刻膠涂布、曝光、顯影、烘干之后，進行保護層制作。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的方案先完成非晶硅材料的有源層的結晶化處理后再進行后續(xù)的柵極絕緣層和柵極層工藝，因此，在進行后續(xù)工藝時，有源層不會發(fā)生變形從 而影響TFT的特性。


圖1為常見的AMOLED結構示意圖。圖2是本發(fā)明進行到步驟3時的結構示意圖。圖3是本發(fā)明進行到步驟4時的結構示意圖。圖4是本發(fā)明進行到步驟5時的結構示意圖。圖5是本發(fā)明進行到步驟7時的結構示意圖。圖6是本發(fā)明進行到步驟9時的結構示意圖。圖7是本發(fā)明進行到步驟11時的結構示意圖。圖8是本發(fā)明進行到步驟14時的結構示意圖。附圖標記說明玻璃基板1、緩沖層2、層間絕緣層3、有源層4、非晶硅層41、光刻 膠層42、非晶硅有源層43、鎳膜44、源/漏極數(shù)據(jù)線層5、薄膜封裝層6、陽極ΙΤ0/ΙΖ0金屬 7、保護層8、柵極絕緣層9、柵極金屬層10。
具體實施例方式下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。為了制作完成如圖1所示的AMOLED結構，需要依次進行如下步驟(1)對玻璃基板1進行清洗之后，通過等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)在其上 沉積氧化硅(SiOx)緩沖層2。(2)利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)往玻璃基板1上沉積非晶硅500埃形成非 晶硅層41 ；非晶硅的厚度可以根據(jù)需要進行調節(jié)。(3)對玻璃基板進行光刻前清洗，并在非晶硅層41上均勻涂布光刻膠層42，光刻 膠的厚度為1.2微米，形成如圖2所示的結構，光刻膠的厚度可以根據(jù)需要進行調節(jié)。(4)對光刻膠進行曝光并顯影；消除多余的光刻膠層42后形成如圖3所示結構。(5)對顯影后的玻璃基板進行硅刻蝕得到非晶硅有源層；形成如圖4所示的結構。(6)在光刻膠剝離液中于60°C下處理20分鐘，進行光刻膠的剝離，光刻膠的剝離 條件可以根據(jù)需要進行調節(jié)，以能夠完全剝離光刻膠為宜。(7)對基板進行清洗，通過濺射方法蒸鍍鎳50埃；形成如圖5所示結構，鎳的厚度 可以根據(jù)需要進行調節(jié)，以能夠順利進行步驟(8)為準；(8)將基板放入結晶爐中進行低溫多晶硅結晶化，于560°C條件下，處理1個小時； 該過程即金屬橫向誘導法(MILC)，通過該方法采用金屬鎳誘導非晶硅形成多晶硅，具體工 作條件可以根據(jù)需要設定。(9)在硫酸雙氧水(質量比6 4)混合液中進行70分鐘鎳去除工藝，形成如圖 6所示結構；具體工作條件可以根據(jù)需要設定。(10)通過等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)進行氧化硅(SiOx)柵極絕緣層9 沉積；(11)對玻璃基板1進行清洗，并通過濺射方法蒸鍍柵極金屬層10，形成如圖7所示結構；(12)對玻璃基板1進行清洗后，進行柵極金屬層10光刻工藝，涂布光刻膠，并進行 曝光、顯影；(13)進行柵極金屬層10刻蝕工藝；(14)進行柵極絕緣層9干刻蝕工藝，形成如圖8所示結構；(15)對玻璃基板1進行清洗之后對與源/漏極數(shù)據(jù)線層5相連的有源層4兩端進 行離子摻雜；(16)在氫氣流量為130SCCM、590°C、常壓狀態(tài)下進行活性化處理2小時，具體工作 條件可以根據(jù)需要設定；(17)對玻璃基板1進行清洗之后，通過等離子提高化學氣相沉積進行層間絕緣層 3沉積；(18)進行接觸孔工藝，形成源/漏極數(shù)據(jù)線層5穿過層間絕緣層3與有源層4連 接的接觸孔；(19)對玻璃基板1進行清洗之后進行，通過濺射進行源/漏極數(shù)據(jù)線層5沉積；(20)通過光刻工藝，對玻璃基板1進行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，對源/漏極數(shù) 據(jù)線層5進行進行刻蝕；(21)進行光刻膠剝離之后，對玻璃基板1進行清洗，然后通過等離子提高化學氣 相沉積進行薄膜封裝層6沉積；(22)進行薄膜封裝層6刻蝕；(23)通過光刻工藝，進行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，進行接觸孔工藝，形成陽極 ΙΤ0/ΙΖ0金屬7穿過薄膜封裝層6與源/漏極數(shù)據(jù)線層5連接的接觸孔；(24)對玻璃基板1進行清洗之后，進行陽極ΙΤ0/ΙΖ0金屬7沉積；(25)通過光刻工藝，進行光刻膠涂布、曝光、顯影、烘干之后，進行保護層8制作； (26)完成TFT基板制作。本領域的普通技術人員將會意識到，這里所述的實施例是為了幫助讀者理解本發(fā) 明的原理，應被理解為本發(fā)明的保護范圍并不局限于這樣的特別陳述和實施例。本領域的 普通技術人員可以根據(jù)本發(fā)明公開的這些技術啟示做出各種不脫離本發(fā)明實質的其它各 種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護范圍內。
權利要求
一種OLED面板多晶硅制作方法，其特征在于，在制作形成柵極絕緣層和柵極金屬層前，包括如下步驟(1)對玻璃基板進行清洗之后，通過等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)在其上沉積氧化硅(SiOx)緩沖層；(2)利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)往玻璃基板上沉積一定厚度的非晶硅形成非晶硅層；(3)對玻璃基板進行光刻前清洗，并在非晶硅層上均勻涂布一定厚度的光刻膠層；(4)對光刻膠進行曝光并顯影；(5)對顯影后的玻璃基板進行硅刻蝕得到非晶硅有源層；(6)在光刻膠剝離液中進行光刻膠的剝離；(7)對基板進行清洗，通過濺射方法蒸鍍一定厚度的鎳；(8)將基板放入結晶爐中通過金屬橫向誘導法(MILC)進行低溫多晶硅結晶化處理形成多晶硅材料的有源層4；(9)在硫酸雙氧水混合液中進行鎳去除工藝消除鎳。
2.根據(jù)權利要求1所示的一種OLED面板多晶硅制作方法，其特征在于，在制作完成多 晶硅材料的有源層4后，還包括步驟(10)通過等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)進行氧化硅(SiOx)柵極絕緣層沉積；(11)對玻璃基板進行清洗，并通過濺射方法蒸鍍柵極金屬層；(12)對玻璃基板進行清洗后，進行柵極金屬層光刻工藝，涂布光刻膠，并進行曝光、顯影；(13)進行柵極金屬層刻蝕工藝；(14)進行柵極絕緣層干刻蝕工藝；(15)對玻璃基板1進行清洗之后對與源/漏極數(shù)據(jù)線層相連的有源層兩端進行離子摻雜；(16)對多晶硅有源層進行活性化處理；(17)對玻璃基板進行清洗之后，通過等離子提高化學氣相沉積進行層間絕緣層沉積；(18)進行接觸孔工藝，形成源/漏極數(shù)據(jù)線層穿過層間絕緣層與有源層連接的接觸孔；(19)對玻璃基板進行清洗之后進行，通過濺射進行源/漏極數(shù)據(jù)線層沉積；(20)通過光刻工藝，對玻璃基板進行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，對源/漏極數(shù)據(jù)線 層進行進行刻蝕；(21)進行光刻膠剝離之后，對玻璃基板進行清洗，然后通過等離子提高化學氣相沉積 進行薄膜封裝層沉積；(22)進行薄膜封裝層刻蝕；(23)通過光刻工藝，進行光刻膠涂布、曝光、顯影之后，進行接觸孔工藝，形成陽極 ΙΤ0/ΙΖ0金屬穿過薄膜封裝層與源/漏極數(shù)據(jù)線層連接的接觸孔；(24)對玻璃基板進行清洗之后，進行陽極ΙΤ0/ΙΖ0金屬沉積；(25)通過光刻工藝，進行光刻膠涂布、曝光、顯影、烘干之后，進行保護層制作。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種OLED面板多晶硅制作方法。在制作形成柵極絕緣層和柵極金屬層前，包括如下步驟(1)對玻璃基板進行清洗之后，通過等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)在其上沉積氧化硅(SiOx)緩沖層；(2)利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)往玻璃基板上沉積一定厚度的非晶硅形成非晶硅層等步驟。本發(fā)明的有益效果是先完成非晶硅材料的有源層的結晶化處理后再進行后續(xù)的柵極絕緣層和柵極層工藝，因此在進行后續(xù)工藝時，有源層不會發(fā)生變形從而影響TFT的特性。
文檔編號H01L21/336GK101976649SQ20101027541
公開日2011年2月16日 申請日期2010年9月8日 優(yōu)先權日2010年9月8日
發(fā)明者徐正勛, 李惠元, 高昕偉 申請人:四川虹視顯示技術有限公司