專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法、圖像顯示裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法、圖像顯示裝置和電子設(shè)備。
技術(shù)背景
半導(dǎo)體發(fā)光器件具有能夠用來產(chǎn)生光的活性層，并把在活性層中產(chǎn)生的光發(fā)射 出去。這種半導(dǎo)體發(fā)光器件廣泛應(yīng)用于諸如顯示裝置等各種技術(shù)領(lǐng)域和用途。例如，從 包括由具有較寬能帶的AlGaInP化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的活性層的半導(dǎo)體發(fā)光器件出發(fā)，可 以通過改變活性層中的混晶比(crystal mixing ratio)來獲得能夠產(chǎn)生約560 680nm波長 的光的發(fā)光二極管(light emitting diode，LED)。所以，半導(dǎo)體發(fā)光器件被廣泛用于諸如 發(fā)光二極管顯示裝置等顯示裝置。
這種包括由AlGaInP化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的活性層的半導(dǎo)體發(fā)光器件通常具有這 樣的結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu)中，η型AlGaInP層、未摻雜活性層和ρ型AlGaInP層堆疊起來，并且 通過在該未摻雜活性層中注入電流而產(chǎn)生光。另外，也有必要形成用于將電子注入到η 型AlGaInP層中的金屬電極(η側(cè)電極)并形成用于將空穴注入到ρ型AlGaInP層中的金 屬電極(P側(cè)電極)。此外，為了減小該電極與AlGaInP層之間的勢壘并獲得良好的電氣 特性，已知一種GaAs層形成技術(shù)。然而，該GaAs層中的帶隙小于由AlGaInP化合物半 導(dǎo)體層構(gòu)成的無摻雜活性層中的帶隙，因而在活性層中產(chǎn)生的光將會被該GaAs層吸收， 從而導(dǎo)致發(fā)光效率降低。
為了解決上述問題并實現(xiàn)高的發(fā)光效率，已知一種在ρ型AlGaInP層與ρ側(cè)電 極之間形成ρ型GaP層來代替ρ型GaAs層的技術(shù)(例如，參照日本專利公開公報特開 2008-177393號)。該GaP層不會吸收在活性層中產(chǎn)生的光，因此能夠使光有效地發(fā)射。
然而，很難在ρ型GaP層中以高濃度引入ρ型雜質(zhì)。因此，為了減小薄層電阻 (sheet resistence)，必需將ρ型GaP層的厚度設(shè)定為ρ型GaAs層厚度的10倍以上的值。 但是，在制造具有微小尺寸、特別是具有小于1000 μ m2的尺寸的半導(dǎo)體發(fā)光器件時，利 用濕式蝕刻方法對這樣厚的ρ型GaP層進(jìn)行蝕刻是極其困難的。
另一方面，即使在ρ型AlGaInP層與ρ側(cè)電極之間形成ρ型GaAs層的情況下， 具有微小尺寸、特別是具有小于1000 μ m2的尺寸的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造過程也必然會 導(dǎo)致ρ型GaAs層的尺寸較小。結(jié)果，ρ型GaAs層的電阻增大，驅(qū)動電壓也相應(yīng)升高。
在氮化物半導(dǎo)體激光器件的制造方法中，可能會出現(xiàn)這樣的問題第二接觸層 的頂面(與第二電極接觸的接觸面)受到污染，從而使電阻增大，因此導(dǎo)致工作電壓升 高。為了避免出現(xiàn)這樣的問題，如日本專利公開公報特開2002-335048號所披露的那樣，已經(jīng)已知這樣一種獲得氮化物半導(dǎo)體激光器件的技術(shù)該技術(shù)中，在形成第二接觸 層之后，立即在第二接觸層上形成第二電極，使得在第二接觸層與第二電極的界面處， 第二電極的寬度與第二接觸層的寬度基本上相等。然而，該專利公開公報特開文件中所 公開的半導(dǎo)體激光器件是氮化物半導(dǎo)體激光器件。此外，該專利公開公報特開文件未提 及如何解決在作為接觸層而形成的較厚P型GaP層的濕式蝕刻中遇到的問題的對策，或者 如何解決驅(qū)動電壓隨著ρ型GaAs層的電阻的增大而升高的問題的對策。發(fā)明內(nèi)容
因此，需要這樣一種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法其中，在利用濕式蝕刻技 術(shù)對半導(dǎo)體發(fā)光器件進(jìn)行加工時不會出現(xiàn)問題，并且能夠避免驅(qū)動電壓的升高。此外， 還需要使用這種半導(dǎo)體發(fā)光器件的圖像顯示裝置和電子設(shè)備。
為了滿足上述需要，本發(fā)明一實施方式提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā) 光器件可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件它包括活性層、在所述活性層上的化合物半導(dǎo)體 層、在所述化合物半導(dǎo)體層上的接觸層以及在所述接觸層上的電極，其中所述接觸層的 尺寸與所述電極的尺寸基本上相等。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件其中，所述接觸層小于 所述化合物半導(dǎo)體層。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件其中，所述電極覆蓋著 所述接觸層。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件其中，所述接觸層的平 均面積S1和所述電極的平均面積&滿足關(guān)系式l/2d2/S<2。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件其中，所述接觸層的平 均面積S1和所述電極的平均面積&滿足關(guān)系式S2Z^S1 = 1.05。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件其中，所述活性層具 有多量子阱結(jié)構(gòu)，該多量子阱結(jié)構(gòu)包括至少一個含有GazIn(1_z)P的阱層和至少一個含有 Alx, GaY, In(1_x, _γ,)的勢壘層，這里 Z = 0.51，X' =0.30，且 Y' =0.21。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件其中，所述活性層的各 阱層和各勢壘層中摻雜有濃度為5X 1016/cm的&。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件其中，所述接觸層摻雜 有濃度為lX102°/cm3的Zn。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件其中，所述接觸層摻雜 有濃度為lX1018/cm3的Mg。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的半導(dǎo)體發(fā)光器件其中，所述活性層的發(fā) 光波長λ在560nm與680nm之間。
本發(fā)明另一實施方式可以是發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括活性層、在所述活 性層上的化合物半導(dǎo)體層、在所述化合物半導(dǎo)體層上的接觸層以及在所述接觸層上的電 極，其中所述接觸層的尺寸與所述電極的尺寸基本上相等。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的發(fā)光二極管其中，所述接觸層小于所述 化合物半導(dǎo)體層。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的發(fā)光二極管其中，所述電極覆蓋著所述 接觸層。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的發(fā)光二極管其中，所述接觸層的平均面 積S1和所述電極的平均面積&滿足關(guān)系式l/2d2/S42。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的發(fā)光二極管其中，所述接觸層的平均面 積S1和所述電極的平均面積&滿足關(guān)系式S2Z^S1 = 1.05。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的發(fā)光二極管其中，所述活性層具有 多量子阱結(jié)構(gòu)，該多量子阱結(jié)構(gòu)包括至少一個含有GazIn(1_z)P的阱層和至少一個含有AIy - GaY' In(I-X' -Y'的勢壘層，這里 Z = 0.51，X' =0.30，且 Y' = 0.21,
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的發(fā)光二極管其中，各阱層和各勢壘層中摻雜有濃度為5 X IO1'cm的
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的發(fā)光二極管其中，所述接觸層摻雜有濃 度為 1 X IO2Vcm3 的 Zn。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的發(fā)光二極管其中，所述接觸層摻雜有濃 度為 lX1018/cm3 的 Mg。
本發(fā)明另一實施方式還可以是這樣的發(fā)光二極管其中，所述活性層的發(fā)光波 長λ在560nm與680nm之間。
本發(fā)明又一實施方式提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括第一化合物半導(dǎo)體 層；活性層，它位于所述第一化合物半導(dǎo)體層上；第二化合物半導(dǎo)體層，它位于所述活 性層上，并且包括從所述活性層側(cè)依次布置的覆層和接觸層；以及電極，它位于所述接 觸層上。其中，所述接觸層小于所述覆層。
本發(fā)明再一實施方式提供一種包括多個上述發(fā)光器件的圖像顯示裝置。
本發(fā)明另外一實施方式提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件制造方法，其包括如下步驟 形成第一化合物半導(dǎo)體層；在所述第一化合物半導(dǎo)體層上形成活性層；在所述活性層上 形成第二化合物半導(dǎo)體層，所述第二化合物半導(dǎo)體層包括從所述活性層側(cè)依次布置的覆 層和接觸層；以及在所述接觸層上形成電極。其中，所述接觸層小于所述覆層。


圖IA和圖IB分別是本發(fā)明實施例1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示意性局部截面圖和 概念圖。
圖2A和圖2B是基板等的示意性局部端面圖，用于說明實施例1的半導(dǎo)體發(fā)光 器件的制造方法。
圖3是示出了實施例1和比較例1 3的半導(dǎo)體發(fā)光器件的電流-發(fā)光效率特性 的測量結(jié)果的圖。
圖4是示出了實施例1和比較例1 3的半導(dǎo)體發(fā)光器件的電流-驅(qū)動電壓特性 的測量結(jié)果的圖。
圖5是示出了實施例1和比較例1 3的半導(dǎo)體發(fā)光器件的電流-電力效率特性 的圖。
圖6示出了實施例1的半導(dǎo)體發(fā)光器件等的評價方法的概略。
圖7是本發(fā)明實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置中的一個發(fā)光單元的示意性平面 圖。
圖8A、圖8B和圖8C分別是實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置中的一個發(fā)光單元 沿圖7中的箭頭A-A、箭頭B-B和箭頭C-C而獲得的示意性局部截面圖。
圖9A、圖9B和圖9C分別是實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置中的一個發(fā)光單元 沿圖7中的箭頭D-D、箭頭E-E和箭頭F-F而獲得的示意性局部截面圖。
圖10A、圖IOB和圖IOC是發(fā)光二極管等的示意性局部端面圖，用于說明實施 例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖IlA和圖IlB是發(fā)光二極管等的示意性局部端面圖，用于繼圖IOC之后說明 實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖12A、圖12B和圖12C是發(fā)光二極管等的示意性局部端面圖，用于繼圖IlB 之后說明實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖13A和圖13B是發(fā)光二極管等的示意性局部端面圖，用于繼圖12C之后說明 實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖14A和圖14B是發(fā)光二極管等的示意性局部端面圖，用于繼圖13B之后說明 實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖15A、圖15B和圖15C相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E_E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于說明實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖16A、圖16B和圖16C相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E_E和箭頭F_F而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖15A、圖15B和圖15C之后說明實施例2的發(fā)光 二極管顯示裝置的制造方法。
圖17A、圖17B和圖17C相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E-E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖16A、圖16B和圖16C之后說明實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖18A、圖18B和圖18C相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E-E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖17A、圖17B和圖17C之后說明實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖19A、圖19B和圖19C相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E_E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖18A、圖18B和圖18C之后說明實施例2的發(fā)光 二極管顯示裝置的制造方法。
圖20A、圖20B和圖20C相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E_E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖19A、圖19B和圖19C之后說明實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖21A、圖21B和圖21C相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E_E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖20A、圖20B和圖20C之后說明實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。
圖22A、圖22B和圖22C相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E-E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖21A、圖21B和圖21C之后說明實施例2的發(fā)光 二極管顯示裝置的制造方法。
圖23A、圖23B和圖23C相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E_E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖22A、圖22B和圖22C之后說明實施例2的發(fā)光 二極管顯示裝置的制造方法。
圖24A、圖MB和圖MC相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E_E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖23A、圖23B和圖23C之后說明實施例2的發(fā)光 二極管顯示裝置的制造方法。
圖25A、圖25B和圖25C是實施例3的發(fā)光二極管顯示裝置中的一個發(fā)光單元 的與分別沿圖7中的箭頭A-A、箭頭B-B和箭頭C-C而獲得的截面圖相類似的示意性局 部截面圖。
圖26A、圖^B和圖^C是實施例3的發(fā)光二極管顯示裝置中的一個發(fā)光單元 的與分別沿圖7中的箭頭D-D、箭頭E-E和箭頭F-F而獲得的截面圖相類似的示意性局 部截面圖。
圖27A、圖27B和圖27C是實施例3的發(fā)光二極管顯示裝置中的一個發(fā)光單元 的與分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E-E和箭頭F-F而獲得的截面圖相類似的示意性局 部截面圖。
圖觀八、圖觀8和圖觀(相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E-E和箭頭F-F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖27A、圖27B和圖27C之后說明實施例3的發(fā)光 二極管顯示裝置的制造方法。
圖四八、圖四3和圖四(相當(dāng)于分別沿圖7中的箭頭B-B、箭頭E_E和箭頭F_F 而獲得的示意性局部端面圖，用于繼圖觀人、圖^B和圖^C之后說明實施例3的發(fā)光 二極管顯示裝置的制造方法。
圖30是實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的變形例中的一個發(fā)光單元的示意性平 面圖。
圖31A和圖31B是用于說明實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的示意 性局部平面圖。
圖32A和圖32B是用于說明實施例2的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的示意 性局部平面圖。
具體實施方式
下面基于各實施例并參照附圖對本發(fā)明進(jìn)行說明。然而，本發(fā)明不限于這些實 施例，并且這些實施例中的各種數(shù)值和材料僅僅是舉例。
^MB^^m^^^m^M^^Mmmjrfi, s像、昆示裝 11 禾π申,子設(shè)ι白勺 總體說明
在本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件、本發(fā)明實施方式的發(fā)光器件制造方法、 本發(fā)明實施方式的圖像顯示裝置或本發(fā)明實施方式的電子設(shè)備中，第一導(dǎo)電型可以為η 型，第二導(dǎo)電型可以為ρ型，活性層可以摻雜有η型雜質(zhì)。在這種情況下，期望該活性 層中的η型雜質(zhì)的摻雜濃度在5Χ 1015/cm31X 1018/Cm3的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1 X IO1Vcm3 lX1018/Cm3的范圍內(nèi)。另外，第一導(dǎo)電型、第二導(dǎo)電型和活性層的導(dǎo)電型不限于上面提 到的類型。(第一導(dǎo)電型、第二導(dǎo)電型和活性層的導(dǎo)電型)這三者的組合的其它示例還包括(η型、ρ型、ρ型)、(ρ型、η型、η型)和(ρ型、η型、ρ型)。
在包含了上述優(yōu)選方式的本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件、本發(fā)明實 施方式的圖像顯示裝置或本發(fā)明實施方式的電子設(shè)備中，期望活性層的面積為 IX IO-W(IX IO3Um2)以下，但這不是限定性的。另外，在包含了上述優(yōu)選方式的本 發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件、本發(fā)明實施方式的發(fā)光器件制造方法、本發(fā)明實施 方式的圖像顯示裝置和本發(fā)明實施方式的電子設(shè)備中，活性層的面積優(yōu)選在1Χ10—11 5 X IO-1V的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在3 X 10—11 3X10-10m2的范圍內(nèi)。
在包含了上述各種優(yōu)選方式的本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件制造方法 中，期望第二 GaAs層的濕式蝕刻的蝕刻率ERu與第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層在第 二 GaAs層的濕式蝕刻中的蝕刻率ERi滿足關(guān)系式ER^/ERel X IO2,優(yōu)選滿足ERu/ ERl>3X102o
此外，優(yōu)選使用圖形化的第二電極作為蝕刻掩模來進(jìn)行對第二 GaAs層的濕式蝕刻。
在包含了上述各種優(yōu)選方式的本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件、本發(fā)明實施 方式的發(fā)光器件制造方法、本發(fā)明實施方式的圖像顯示裝置或本發(fā)明實施方式的電子設(shè) 備(下文中，將它們籠統(tǒng)地簡稱為“本發(fā)明”)中，第二GaAs層的尺寸小于第二AlGaInP 化合物半導(dǎo)體層的尺寸，并且與第二電極的尺寸基本上相等。這里，措詞“基本上相 等”表示第二 GaAs層的平均面積S1與第二電極的平均面積&滿足關(guān)系式1/2^S2/ S1^0
此外，期望第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層的平均面積&滿足關(guān)系式1/200^ / S在 1/3，優(yōu)選滿足 1/50<S2/S3<1/5o
本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光波長的示例包括560 680nm范圍內(nèi) 的波長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示例包括發(fā)光二極管(LED)和半導(dǎo)體激光器。本 發(fā)明的電子設(shè)備的示例包括發(fā)光二極管顯示裝置、其中使用了發(fā)光二極管的背光源、發(fā) 光二極管照明裝置以及廣告媒體。該電子設(shè)備大體上可以是諸如便攜式裝置和固定式裝 置等中的任何一種，并且該電子設(shè)備的具體示例包括手機(jī)、移動裝置、機(jī)器人、個人電 腦、車載裝置以及各種家用電器。用來構(gòu)成該電子設(shè)備或者該圖像顯示裝置的半導(dǎo)體發(fā) 光器件是多個。這些半導(dǎo)體發(fā)光器件的數(shù)量、種類、安裝(布局)和間隔等根據(jù)該電子 設(shè)備的用途和功能以及該電子設(shè)備或者該圖像顯示裝置的所需規(guī)格等來予以確定。本發(fā) 明實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件可用作紅光發(fā)光二極管。另一方面，綠光發(fā)光二極管和藍(lán) 光發(fā)光二極管例如可以由包括GaN化合物半導(dǎo)體層的GaN半導(dǎo)體發(fā)光器件構(gòu)成。
具體地，本發(fā)明實施方式的圖像顯示裝置或者電子設(shè)備包括(a)在第一方向上 延伸的多個第一布線；(b)在不同于第一方向的第二方向上延伸的多個第二布線；以及 (C)多個半導(dǎo)體發(fā)光器件，這些半導(dǎo)體發(fā)光器件中的每一者都具有電連接至第一布線的第 一電極和電連接至第二布線的第二電極。
在本發(fā)明實施方式的圖像顯示裝置中，多個第一布線中的每一者總體形狀為帶 狀，并在第一方向上延伸；并且多個第二布線中的每一者總體形狀為帶狀，并在不同于 第一方向的第二方向(例如，垂直于第一方向的方向)上延伸。另外，總體形狀為帶狀的上述布線可以具有以帶狀形狀延伸的主干布線以及從該主干布線延伸的多個分支布線。
另一方面，本發(fā)明實施方式的電子設(shè)備可以具有這樣的結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu)中，第一 布線包括多個布線，這些布線中的每一者作為整體在第一方向上延伸；并且第二布線也 包括多個布線，這些布線中的每一者作為整體在不同于第一方向的第二方向(例如，垂 直于第一方向的方向)上延伸。或者，可替代地，可以采用這樣的結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu)中，第 一布線包括公共布線(公共電極)；并且第二布線包括多個布線，這些布線中的每一者作 為整體在一個方向上延伸?；蛘?，另外可替代的是，可以采用這樣的結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu)中， 第一布線包括多個布線，這些布線中的每一者作為整體在一個方向上延伸；并且第二布 線包括公共布線(公共電極)?；蛘撸硗饪商娲氖?，可以采用這樣的結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu) 中，第一布線具有公共布線(公共電極)，第二布線也具有公共布線(公共電極)。此 外，例如，上述布線可以包括主干布線和從該主干布線延伸的多個分支布線。
用于第一布線和第二布線的材料的示例包括各種金屬，例如金(Au)、銀 (Ag)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭 (Ta)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、銦(In)、鋅(Zn)、錫(Sn)等；含 有上述這些金屬中的任意一種金屬的合金(例如，MoW)或者化合物(例如TiW;諸如 TiN、WN等氮化物；諸如WSi2、MoSi2、TiSi2、T^aSi2等硅化物)；上述這些金屬中的任 意一種金屬的導(dǎo)電顆粒；含有上述這些金屬中的任意一種金屬的合金的導(dǎo)電顆粒；例如 硅60等半導(dǎo)體；例如金剛石等碳薄膜；以及諸如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧 化銦、氧化鋅等導(dǎo)電金屬氧化物。其它示例包括含有上述這些元素中的任意一種元素的 層的堆疊結(jié)構(gòu)。更多的示例包括例如聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PEDOT/ PSS]等有機(jī)材料(導(dǎo)電聚合物)。第一布線和第二布線的形成方法自然會取決于構(gòu)成 該布線的材料，這些方法的示例包括各種物理氣相沉積方法(physical vapor deposition method(PVD方法))，例如真空蒸鍍方法(諸如電子束氣相沉積方法和熱絲氣相沉積方法 等)、濺射方法、離子鍍方法、激光燒蝕方法等；各種化學(xué)氣相沉積方法(chemicalvapor deposition (CVD方法))，例如MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)方法；旋轉(zhuǎn)涂敷方法； 各種印刷方法，例如絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、膠版印刷、金屬模版印刷、凹版印刷等；各 種涂布方法，例如氣刀涂布方法、刮刀涂布機(jī)方法、棒式涂布機(jī)方法、刀式涂布機(jī)方 法、擠壓式涂布機(jī)方法、逆轉(zhuǎn)輥式涂布機(jī)方法、轉(zhuǎn)送輥涂布機(jī)方法、槽輥涂布機(jī)方法、 吻合式涂布機(jī)方法、涂鑄機(jī)方法、噴霧涂布機(jī)方法、狹縫噴嘴型涂布機(jī)(slitorifice coater) 方法、壓光機(jī)型涂布機(jī)(calender coater)方法、浸漬方法等；沖壓(stamping)方法；剝離 方法；遮蔽板(shadow mask)方法；鍍覆方法，例如電鍍法、化學(xué)鍍法或者這兩者的組 合；剝離法；溶膠-凝膠方法；噴霧方法等。在需要時，上述方法可以和圖形化技術(shù)結(jié) 合使用。另外，PVD方法的示例包括(a)各種真空蒸鍍方法，例如電子束加熱法、電 阻加熱法、閃蒸(flashevaporation)法等；(b)等離子體氣相沉積方法；(c)各種濺射方 法，例如二極濺射、DC (直流)濺射、DC磁控濺射、高頻濺射、磁控濺射、離子束濺 射、偏壓濺射等；以及(d)各種離子鍍法，例如DC方法、RF(射頻)方法、多陰極方 法、活性反應(yīng)方法、場致蒸發(fā)方法、高頻離子鍍方法、反應(yīng)離子鍍方法等。構(gòu)成第一布 線的材料和構(gòu)成第二布線的材料可以相同或者不同。此外，通過適當(dāng)?shù)剡x擇布線的形成 方法，能夠直接形成圖形化的第一布線和第二布線。9
構(gòu)成本發(fā)明中第一化合物半導(dǎo)體層的上層和第二化合物半導(dǎo)體層的下層的化合 物半導(dǎo)體是如上所述的AlGaInP化合物半導(dǎo)體，具體是AlxGaYIn(1_x_Y)P化合物半導(dǎo)體。 另一方面，構(gòu)成活性層的化合物半導(dǎo)體是如上所述的GazIna_z)P化合物半導(dǎo)體。這里， X、Y和Z優(yōu)選被設(shè)定為滿足例如如下關(guān)系式。
0.1<X<0.4
0.1<Y<0.4
0.4<Χ+Υ<0.6
0.4 < Ζ<0.6
這里，第一導(dǎo)電型為η型，η型雜質(zhì)的示例包括硅Bi)、硒Be)、鍺(Ge)、錫 (Sn),碳(C)和鈦(Ti)。此外，第二導(dǎo)電型為ρ型，ρ型雜質(zhì)的示例包括鋅(Zn)、鎂 (Mg)、鈹(Be)、鎘(Cd)、鈣(Ca)、鋇(Ba)和氧(O)?；钚詫涌梢杂蓡蝹€化合物半導(dǎo) 體層構(gòu)成，或者可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)(QW結(jié)構(gòu))或多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW結(jié)構(gòu))。各種 化合物半導(dǎo)體層(包括活性層在內(nèi))的形成方法(成膜方法)的示例包括金屬有機(jī)化學(xué) 氣相沉積方法(MOCVD方法、MOVPE方法)；金屬有機(jī)分子束外延方法(metal organic molecularbeam epitaxy ； MOMBE 方法)；以及S化物氣相外延方法(hydride vaporphase epitaxy ； HVPE方法)(該HVPE方法中，鹵素有助于傳輸或者反應(yīng))。
這里，在化合物半導(dǎo)體層的形成(晶體生長)是基于MOCVD方法的情況下， 在該化合物半導(dǎo)體層的形成中，鎵(Ga)源的示例包括三甲基鎵(TMG)氣體和三乙基鎵 (TEG)氣體，砷(As)源的示例包括叔丁基胂(TBAs)氣體和砷化氫(AsH3)氣體，并且磷 (P)源的示例包括叔丁基膦(TBP)氣體和磷化氫(PH3)氣體。此外，三甲基鋁(TMA) 氣體可以用作鋁(Al)源，三甲基銦(TMI)氣體可以用作銦(In)源。在把硅用作η 型雜質(zhì)(η型摻雜物)的情況下，甲硅烷MiH4)氣體可以用作Si源。在把硒用作 η型雜質(zhì)(η型摻雜物)的情況下，硒化氫( )氣體可以用作&源。在把鎂(Mg)用 作P型雜質(zhì)(P型摻雜物)的情況下，環(huán)戊二烯基鎂氣體、甲基環(huán)戊二烯基鎂或者二茂鎂 (Cp2Mg)可以用作Mg源。在把鋅(Zn)用作ρ型雜質(zhì)(ρ型摻雜物)的情況下，二甲基 鋅(DMZ)氣體可以用作Zn源。
為了使第一電極電連接至第一化合物半導(dǎo)體層，例如，第一電極可以形成得與 第一化合物半導(dǎo)體層(具體為第一 GaAs層)接觸。在一些情況下，第一電極可以形成 在制造發(fā)光器件用的基板上，該基板已具有第一化合物半導(dǎo)體層。第二電極形成在第二 GaAs層上。下面，為了說明的方便，可以將與摻雜有ρ型雜質(zhì)的化合物半導(dǎo)體層電連接 的電極稱做“ρ側(cè)電極”，且可以將與摻雜有η型雜質(zhì)的化合物半導(dǎo)體層電連接的電極稱 做“η側(cè)電極”。這里，ρ側(cè)電極的示例包括Au/AuZn、Au/Pt/Ti (/Au)/AuZn、Au/ Pt/TiW (/Ti) (/Au) /AuZn> Au/AuPd、Au/Pt/Ti (/Au) / AuPd、Au/Pt/TiW (/Ti) (/Au)/ AuPd、Au/Pt/Ti、Au/Pt/TiW (/Ti)、Au/Pt/TiW/Pd/TiW (/Ti)、Ti/Cu、Pt、Ni、Ag、 Ag/Ni 和 Ge。此夕卜，η 側(cè)電極的示例包括 Au/Ni/AuGe、Au/Pt/Ti (/Au) /Ni/AuGe、 AuGe/Pd、Au/Pt/TiW (/Ti)/Ni/AuGe、Ti 和 Ti/Al。另外，“/” 前側(cè)的越靠前的層所 處的位置與活性層的電距離越遠(yuǎn)?；蛘撸商娲?，η側(cè)電極可以通過使用諸如IT0、 IZO、ZnO:AL ΖηΟ:Β等透明導(dǎo)電材料來予以形成。在由透明導(dǎo)電材料形成的層被用作 電流擴(kuò)散層的情況下，η側(cè)電極可以具有這樣的結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu)中，作為ρ側(cè)電極的上述金擴(kuò)散層相互組合。
制造發(fā)光器件用的基板的示例包括GaAs基板、GaP基板、AlN基板、AlP基 板、InN基板、InP基板、AlGaInN基板、AlGaN基板、AlInN基板、GaInN基板、 AlGaInP基板、AlGaP基板、AlInP基板、GaInP基板、ZnS基板、藍(lán)寶石基板、SiC基 板、氧化鋁基板、ZnO基板、LiMgO基板、LiGaO2基板、MgAl2O4基板、幻基板、Ge基板以及通過在上述任意基板的表面(主面)上形成下部層或者緩沖層而獲得的那些基 板。
實施例1
實施例1涉及本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件以及本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體 發(fā)光器件制造方法。圖IA示出了實施例1的半導(dǎo)體發(fā)光器件(在實施例1中，該半導(dǎo)體 發(fā)光器件具體為發(fā)光二極管(LED))的示意性局部截面圖，圖IB示出了實施例1的半導(dǎo) 體發(fā)光器件的概念圖。
實施例1中的作為半導(dǎo)體發(fā)光器件的AlGaInP化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件(發(fā)光二極 管10)包括
(A)堆疊結(jié)構(gòu)10B，該堆疊結(jié)構(gòu)IOB包括第一化合物半導(dǎo)體層11，它具有第 一導(dǎo)電型(具體為η型)并包括從下側(cè)往上依次堆疊的第一 GaAs層(第一接觸層)IlA 和第一 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層(第一覆層)IlB ；包括GaInP化合物半導(dǎo)體層的活性層 13；以及第二化合物半導(dǎo)體層12，它具有不同于第一導(dǎo)電型的第二導(dǎo)電型(具體為ρ型) 并包括從下側(cè)往上依次堆疊的第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層(第二覆層)12Β和第二 GaAs 層(第二接觸層)12Α ；
(B)電連接至第一 GaAs層IlA的第一電極14 ；以及
(C)在第二 GaAs層12Α上形成的第二電極15。
此外，活性層13摻雜有雜質(zhì)，并且第二 GaAs層12Α的尺寸小于第二 AlGaInP 化合物半導(dǎo)體層12Β的尺寸，但與第二電極15的尺寸基本上相等。
更具體地，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)IOB的各化合物半導(dǎo)體層具有以下組成。
第一 GaAs層(第一接觸層)IlA具有50nm的厚度，并摻雜有摻雜濃度為 1 X IO1Vcm3的&。此外，第一 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層(第一 AlxGaYIn(1_x_Y)P化合物 半導(dǎo)體層；第一覆層)IlB具有Iym的厚度，并摻雜有摻雜濃度為5X 1017/cm3的&， 這里 X = 0.35，且 Y = 0.16。
另外，活性層13具有多量子阱結(jié)構(gòu)，該多量子阱結(jié)構(gòu)包括含有GazIn(1_z)P的阱 層和含有 Alx, GaY, hid—x, _Y,)的勢壘層，這里 Z = 0.51，X' =0.30，且 Y' =0.21， 阱層的層數(shù)為15，勢壘層的層數(shù)為14。此外，構(gòu)成活性層13的阱層和勢壘層中摻雜有 摻雜濃度為5Χ IOlfVcm3的Se。這里，活性層13的發(fā)光波長λ是635nm。阱層中的δι 的比例(組成比)可以基于所需的發(fā)光波長來確定。
此外，第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層(第二 AlxGaYIn(1_x_Y)P化合物半導(dǎo)體層； 第二覆層)12B具有Iym的厚度，并摻雜有摻雜濃度為1X 1018/cm3的Mg。另外，第二 GaAs層(第二接觸層)12A具有50nm的厚度，并摻雜有摻雜濃度為1 X IO2Vcm3的Zn。 這里 X = 0.35，且 Y = 0.16。
另外，第二 GaAs層12B的平均面積S1和第二電極15的平均面積&滿足關(guān)系11式S2ZS1 = 1.05。
下面參照作為基板等的示意性局部端面圖的圖2A和圖2B，來說明實施例1的半 導(dǎo)體發(fā)光器件制造方法。
步驟100
第一步，形成堆疊結(jié)構(gòu)10B。
步驟100A
具體地，首先，使用以(001)平面為主面的η型GaAs基板(摻雜濃度IXlO18/ cm3)作為制造發(fā)光器件用的基板16(以下可以將該基板16簡稱為“基板16” )，在含有 氫的載氣中在800°C基板溫度下進(jìn)行10分鐘的基板清潔，然后將基板溫度降為720°C。接 著，基于MOCVD方法，供給作為Ga源的三甲基鎵(TMG)氣體，同時供給作為砷源的 砷化氫(AsH3)氣體和作為Si源的甲硅烷MiH4)氣體，從而通過晶體生長在基板16上形 成包括GaAs層且厚度為0.5 μ m的緩沖層17。另外，緩沖層17中的η型雜質(zhì)Ni)的摻 雜濃度被設(shè)定為5X IO1Vci1A另外，&也可以用作該η型雜質(zhì)。
步驟100Β
接著，停止供給上述AsPi3氣體，并供給作為Ga源的TMG氣體、作為Al源的 三甲基鋁(TMA)氣體、作為hi源的三甲基銦(TMI)氣體以及幻氏氣體，同時供給作為 磷源的磷化氫(PH3),從而通過晶體生長在緩沖層17上形成包括AlGaInP化合物半導(dǎo)體 且厚度為0.5 μ m的蝕刻阻擋層18。另外，蝕刻阻擋層18中的η型雜質(zhì)的摻雜濃度 被設(shè)定為5X IO17AmA另外，&也可以用作該η型雜質(zhì)。
步驟100C
然后，停止供給上述TMG氣體、TMA氣體、TMI氣體、PH3氣體和SiH4氣體， 并供給TMG氣體、AsPi3氣體和作為&源的硒化氫MeH2)氣體，從而通過晶體生長形成 摻雜有η型雜質(zhì)且厚度為50nm的第一 GaAs層(第一接觸層)11A。另外，摻雜濃 度被設(shè)定為lX1018/Cm3。
步驟100D
接著，停止供給上述TMG氣體、AsH3氣體和SeH2氣體，并供給TMG氣體、 TMA氣體、TMI氣體、PH3氣體和SeH2氣體，從而通過晶體生長形成厚度為1 μ m的第 一 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層(第一覆層)11B。另外，摻雜濃度被設(shè)定為5X IO17AmA
步驟IOOE
隨后，在繼續(xù)供給PH3氣體和SeH2氣體的同時，使用TMG氣體、TMA氣體和 TMI氣體并通過切換閥門來供給這些氣體，從而形成活性層13，該活性層13具有多量子 阱結(jié)構(gòu)，該多量子阱結(jié)構(gòu)包括含有AlGaInP的勢壘層和含有GaInP的阱層。另外，摻雜 濃度被設(shè)定為5X1016/Cm3。
步驟IOOF
接著，在繼續(xù)供給PH3氣體的同時，繼續(xù)供給TMG氣體、TMA氣體和TMI 氣體，并且還開始供給作為Mg源的二茂鎂(Cp2Mg)氣體，從而通過晶體生長形成第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層(第二覆層)12B。另外，Mg的摻雜濃度被設(shè)定為1 X 1018/Cm3。
步驟IOOG
然后，停止供給上述TMG氣體、TMA氣體、TMI氣體、PH3氣體和SePi2氣體，并供給AsPi3氣體、TMG氣體和作為Zn源的二甲基鋅(DMZ)氣體，從而通過晶體生長 形成厚度為50nm的第二 GaAs層(第二接觸層)12A。另外，摻雜濃度被設(shè)定為1 X 102°/ cm3。接著，停止供給上述TMG氣體和DMZ氣體，并降低基板溫度。當(dāng)基板溫度降低 到300°C時，停止供給AsH3氣體，然后使基板溫度降低到室溫，從而完成晶體生長。
步驟110
在由此完成了上述晶體生長之后，在氮氣氣氛下進(jìn)行退火處理，從而使ρ型雜 質(zhì)(ρ型摻雜物)活性化。
步驟120
然后，利用光刻技術(shù)在堆疊結(jié)構(gòu)IOB上形成蝕刻掩模，并利用磷酸、過氧化氫 和水的混合溶液將第二 GaAs層12A的未被該蝕刻掩模覆蓋的那些部分蝕刻掉。在使用 了磷酸、過氧化氫和水的混合溶液的情況下，第二AlGaInP化合物半導(dǎo)體層12B實質(zhì)上不 會受到蝕刻，只有第二 GaAs層12A被選擇性地蝕刻掉。
步驟130
接著，使用鹽酸對第二AlGaInP化合物半導(dǎo)體層12B、活性層13和第一AlGaInP 化合物半導(dǎo)體層IlB進(jìn)行濕式蝕刻，從而實現(xiàn)器件隔離。在這種情況下，由于不用鹽酸 對第一 GaAs層IlA進(jìn)行蝕刻，因而可在第一 GaAs層IlA已露出的階段時停止蝕刻。 通過控制所用的蝕刻掩模的尺寸和蝕刻時間，可以在器件隔離時控制半導(dǎo)體發(fā)光器件的 尺寸。在該蝕刻結(jié)束后，除去蝕刻掩模。在器件隔離時將半導(dǎo)體發(fā)光器件的尺寸(活 性層13的面積)設(shè)定為1Χ103μιη2以下的值，具體設(shè)定為200 μ m2的值。以此方式， 能夠獲得圖2A所示的狀態(tài)。另外，第二 GaAs層12A的濕式蝕刻的蝕刻率ERu和第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層12B在第二 GaAs層12A的濕式蝕刻中的蝕刻率ERl (具體地， 在第二 GaAs層12A的濕式蝕刻期間，第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層12B也會在該濕式蝕 刻的較后階段(最后階段)被蝕刻，此時第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層12B的蝕刻率用 ERl表示)滿足關(guān)系式ERu/ERl = 500。
步驟140
接著，在由此露出的第二 GaAs層12A上形成第二電極15。具體地，利用剝離 方法形成第二電極15。更具體地，在利用光刻技術(shù)形成氣相沉積掩模之后，利用氣相沉 積裝置從活性層側(cè)依次形成Ti層(IOOnm)/Pt層(IOOnm)/Au層(400Bm)這些層，然后 除去氣相沉積掩模。以此方式，能夠獲得直徑為3μιη的第二電極(ρ側(cè)電極)15(見圖 2B)。
步驟150
隨后，使用第二電極(ρ側(cè)電極)作為蝕刻掩模，利用磷酸、過氧化氫和水的混 合溶液對第二 GaAs層12A進(jìn)行濕式蝕刻。以此方式，除去第二 GaAs層12A的未被第 二電極15覆蓋的那些部分(見圖1A)。另外，第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層12B、活性 層13和第一 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層IlB實質(zhì)上不會被該磷酸、過氧化氫和水的混合溶 液蝕刻。由于利用光刻技術(shù)在有第一 GaAs層IlA露出的區(qū)域上預(yù)先形成了蝕刻掩模， 因此第一 GaAs層IlA未被蝕刻。
步驟160
隨后，在由此露出的第一 GaAs層IlA上形成第一電極(η側(cè)電極)。具體地，在利用光刻技術(shù)形成氣相沉積掩模之后，使用氣相沉積裝置在整個表面上依次形成Pd層 (IOnm)/AuGe合金層(85nm)/Au層Q50nm)這些層，然后除去氣相沉積掩模。以此方 式，能夠獲得直徑為IOym的環(huán)狀第一電極14。進(jìn)一步，在氮氣中在200°C下進(jìn)行熱處 理，從而進(jìn)行第一電極14與第一 GaAs層IlA間的合金化處理。通過上述各步驟，在基 板上形成了微小的發(fā)光二極管。
比較例1
為了比較，在與步驟100E類似的步驟中，通過停止供給^H2氣體來形成活性 層，從而獲得半導(dǎo)體發(fā)光器件。下面將由此獲得的半導(dǎo)體發(fā)光器件稱作“比較例1”的 半導(dǎo)體發(fā)光器件。換言之，在比較例1的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，活性層中未摻雜η型雜質(zhì)。
比較例2
此外，通過省略步驟150，在器件隔離之后將第二 GaAs層12Α留在第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層12Β的整個頂面上，從而形成半導(dǎo)體發(fā)光器件。下面將由此獲 得的半導(dǎo)體發(fā)光器件稱作“比較例2”的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
比較例3
通過在與步驟100Ε類似的步驟中停止供給&壓氣體來形成活性層并通過省略步 驟150，在器件隔離之后將第二 GaAs層12Α留在第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層12Β的整 個頂面上，從而獲得半導(dǎo)體發(fā)光器件。下面將由此獲得的半導(dǎo)體發(fā)光器件稱作“比較例 3”的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
下面的表1概括了實施例1以及比較例1、2和3的條件。另外，在評估這些半 導(dǎo)體發(fā)光器件時，為簡便起見，基于光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)，使第一GaAs層IlA露出來， 在第二 GaAs層12Α上形成了第二電極15，在第一 GaAs層IlA上形成了第一電極14， 利用探測器進(jìn)行探針設(shè)立，并檢測從制造發(fā)光器件用的基板16出射的光。圖6示意性示 出了評估方法。
表權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括 第一化合物半導(dǎo)體層；活性層，它位于所述第一化合物半導(dǎo)體層上；第二化合物半導(dǎo)體層，它位于所述活性層上，并且包括從所述活性層側(cè)依次布置的 覆層和接觸層；以及電極，它位于所述接觸層上， 其中，所述接觸層小于所述覆層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述接觸層的尺寸與所述電極的尺寸基本上相等。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述電極覆蓋著所述接觸層。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述接觸層的平均面積S1和所述電 極的平均面積S2滿足關(guān)系式1/2^S2/S<2。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述接觸層的平均面積S1和所述電 極的平均面積S2滿足關(guān)系式S2Z^S1 = 1.05。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述活性層包括GaInP化合物半導(dǎo)體 層并且摻雜有雜質(zhì)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述活性層中η型雜質(zhì)的摻雜濃度在 5 X IO1Vcm31 X IO1Vcm3 的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一化合物半導(dǎo)體層包括第一 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層，并且所述覆層是第二 AlGaInP化合物半導(dǎo)體層。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一化合物半導(dǎo)體為η型，所述 第二化合物半導(dǎo)體為ρ型。
10.—種圖像顯示裝置，其包括多個發(fā)光器件，各個所述發(fā)光器件包括 第一化合物半導(dǎo)體層；活性層，它位于所述第一化合物半導(dǎo)體層上；第二化合物半導(dǎo)體層，它位于所述活性層上，并且包括從所述活性層側(cè)依次布置的 覆層和接觸層；以及電極，它位于所述接觸層上， 其中，所述接觸層小于所述覆層。
11.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件制造方法，其包括如下步驟 形成第一化合物半導(dǎo)體層；在所述第一化合物半導(dǎo)體層上形成活性層；在所述活性層上形成第二化合物半導(dǎo)體層，所述第二化合物半導(dǎo)體層包括從所述活 性層側(cè)依次布置的覆層和接觸層；以及 在所述接觸層上形成電極， 其中，所述接觸層小于所述覆層。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法和圖像顯示裝置。該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括第一化合物半導(dǎo)體層；活性層，它位于所述第一化合物半導(dǎo)體層上；第二化合物半導(dǎo)體層，它位于所述活性層上，并且包括從所述活性層側(cè)依次布置的覆層和接觸層；以及位于所述接觸層上的電極。其中，所述接觸層小于所述覆層。該半導(dǎo)體發(fā)光器件制造方法包括如下步驟形成第一化合物半導(dǎo)體層；在所述第一化合物半導(dǎo)體層上形成活性層；在所述活性層上形成第二化合物半導(dǎo)體層，所述第二化合物半導(dǎo)體層包括從所述活性層側(cè)依次布置的覆層和接觸層；以及在所述接觸層上形成電極。其中，所述接觸層小于所述覆層。本發(fā)明能夠提高發(fā)光效率并降低驅(qū)動電壓。
文檔編號H01S5/323GK102025109SQ20101027559
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月15日
發(fā)明者內(nèi)藤宏樹, 大金誠, 奧山浩之, 小山享宏, 小嵨健介, 小林新, 河角孝行 申請人:索尼公司