專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將對薄膜晶體管傳送掃描信號的柵極線與規(guī)定的連接端子電連接的 連接配線的配線長度以各柵極線而不同的顯示裝置。
背景技術(shù)：
作為顯示裝置，主動矩陣方式的液晶顯示裝置在柵極線與源極線的交點(diǎn)附近配置 有薄膜晶體管(Thin Film Transistor 以下記作TFT)、和連接在該TFT上的像素電極。
此外，在像素電極與對置于該像素電極而配置的對置電極(共用電極)之間形成 有液晶層。
并且，通過經(jīng)由用經(jīng)由柵極線輸入的掃描信號設(shè)為選擇狀態(tài)的TFT對像素電極施 加對應(yīng)于灰階水平的電壓，液晶的取向狀態(tài)變化為對應(yīng)于灰階水平的取向狀態(tài)。
然而，在這樣的液晶顯示裝置中，有在顯示面板上的規(guī)定的區(qū)域中將驅(qū)動電路 COG (Chip On Glass)安裝的結(jié)構(gòu)。例如在日本特開2006-71814號公報中，提出了在顯示面 板的各邊中的相對于柵極線延伸的方向平行的一邊側(cè)設(shè)置另一個基板從一個基板突出的 突出區(qū)域、將由驅(qū)動?xùn)艠O線的柵極驅(qū)動器及驅(qū)動源極線的源極驅(qū)動器構(gòu)成的作為IC芯片 的半導(dǎo)體元件安裝到該突出區(qū)域中的結(jié)構(gòu)。
但是，在這樣相對于柵極線延伸的方向平行的顯示面板的一邊側(cè)安裝柵極驅(qū)動器 的情況下，將柵極線和柵極驅(qū)動器電連接的引繞線的配線長度依各柵極線而不同。因而，柵 極驅(qū)動器與柵極線之間的時間常數(shù)依各柵極線而不同，如果柵極驅(qū)動器對該柵極驅(qū)動器的 輸出端輸出掃描信號以使作為掃描信號的開啟電壓在各柵極線間相等，則對TFT施加的開 啟電壓的執(zhí)行(有效)電壓依各柵極線而不同。因此，即使在將對應(yīng)于相互相等的灰階水 平的電壓寫入到各像素電極中的情況下，保持在像素電極中的電壓也依各行而不同，例如 即使在對畫面一面進(jìn)行單一灰階顯示的情況下也會在畫面面內(nèi)發(fā)生亮度差，有顯示品質(zhì)下 降的問題。發(fā)明內(nèi)容
所以，本發(fā)明的目的是提供一種即使將柵極線與柵極驅(qū)動器之間電連接的配線的 配線長度依各柵極線而不同、也能夠抑制顯示品質(zhì)的下降的顯示裝置。
本發(fā)明的顯示裝置的技術(shù)方案之一是一種顯示裝置，具備第1柵極線，沿預(yù)先設(shè) 定的方向延伸；第2柵極線，與上述第1柵極線平行地延伸；第1柵極輸出端子，對應(yīng)于上述 第1柵極線；第2柵極輸出端子，對應(yīng)于上述第2柵極線；第1柵極引繞線，將上述第1柵極 線與上述第1柵極輸出端子電連接；第2柵極引繞線，將上述第2柵極線與上述第2柵極輸 出端子電連接，并且配線長度被形成為比上述第1柵極引繞線的配線長度長；靜電保護(hù)環(huán)， 被配置成在與上述第1柵極引繞線之間及與上述第2柵極引繞線之間介入絕緣層，并與上 述第1柵極引繞線及上述第2柵極引繞線重疊；上述第1柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)重 疊的面積比上述第2柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊的面積大。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述第1柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊的區(qū) 域中的上述第1柵極引繞線的配線寬度比上述第2柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊的區(qū) 域中的上述第2柵極引繞線的配線寬度寬。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述靜電保護(hù)環(huán)的配線寬度是一定的。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述第1柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)不重疊的 區(qū)域中的上述第1柵極引繞線的配線寬度，和上述第2柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)不重 疊的區(qū)域中的上述第2柵極引繞線的配線寬度相等。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述靜電保護(hù)環(huán)與上述第1柵極引繞線重疊的區(qū) 域中的上述靜電保護(hù)環(huán)的寬度，比上述靜電保護(hù)環(huán)與上述第2柵極引繞線重疊的區(qū)域中的 上述靜電保護(hù)環(huán)的寬度寬。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述第1柵極引繞線的配線寬度與上述第2柵極引 繞線的配線寬度相等。
所述的顯示裝置，其特征在于，相對于上述第1柵極引繞線的時間常數(shù)與相對于 上述第2柵極引繞線的時間常數(shù)設(shè)定為相等。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述靜電保護(hù)環(huán)形成為，使其包圍顯示區(qū)域。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述靜電保護(hù)環(huán)被設(shè)定為與共用電極相同的電壓。
所述的顯示裝置，其特征在于，引繞上述第1柵極引繞線及上述第2柵極引繞線， 以使其繞過顯示區(qū)域。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述靜電保護(hù)環(huán)經(jīng)由靜電保護(hù)電路連接在上述第1 柵極線及上述第2柵極線上。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述靜電保護(hù)環(huán)具有形成為與數(shù)據(jù)線同一層的線 區(qū)域；
上述第1柵極引繞線及上述第2柵極引繞線在上述線區(qū)域與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊。
本發(fā)明的顯示裝置的其他技術(shù)方案之一是一種顯示裝置，具備多個柵極線，對形 成在顯示像素中的薄膜晶體管傳送掃描信號；多個柵極引繞線，將上述柵極線與預(yù)先設(shè)定 的柵極輸出端子之間電連接；靜電保護(hù)環(huán)，與上述多個柵極引繞線立體交叉；上述多個柵 極引繞線的與上述靜電保護(hù)環(huán)立體交叉的區(qū)域的面積相互不同，以使配線長度相互不同。
所述的顯示裝置，其特征在于，與配線長度長的柵極引繞線相比，配線長度短的柵 極引繞線的與上述靜電保護(hù)環(huán)立體交叉的區(qū)域的面積更大。
本發(fā)明的顯示裝置的其他技術(shù)方案之一是一種顯示裝置，具備多個像素電極； 共用電極；液晶層，設(shè)置在上述多個像素電極與上述共用電極之間；多個薄膜晶體管，源電 極連接在對應(yīng)的上述像素電極上；多個柵極線，連接在對應(yīng)的上述薄膜晶體管的柵電極上； 多個柵極輸出端子；多個柵極引繞線，將對應(yīng)的上述柵極線與對應(yīng)的上述柵極輸出端子電 連接，并且相互的配線長度不同；共用線，設(shè)定為與上述共用電極相等的電壓，并且與上述 多個柵極引繞線立體交叉；上述多個柵極引繞線的與上述共用線立體交叉的區(qū)域的面積相 互不同。
所述的顯示裝置，其特征在于，與配線長度長的柵極引繞線相比，配線長度短的柵 極引繞線的與上述共用線立體交叉的區(qū)域的面積大。
所述的顯示裝置，其特征在于，具備連接在對應(yīng)的上述薄膜晶體管的漏電極上的 多個數(shù)據(jù)線；上述共用線具有被形成為與上述多個數(shù)據(jù)線同一層的線區(qū)域；上述多個柵極 引繞線在上述線區(qū)域與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊。
所述的顯示裝置，其特征在于，上述線區(qū)域被形成為比上述多個柵極引繞線接近 于上述液晶層的層。
根據(jù)本發(fā)明，即使將柵極線與柵極驅(qū)動器之間電連接的配線的配線長度依各柵極 線而不同，也能夠抑制顯示品質(zhì)的下降。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)會在以下的敘述中進(jìn)行說明，并且部分會變得清楚，或者可以通過 實(shí)踐本發(fā)明得到理解。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)通過特別在這里指出的手段和組合能夠被認(rèn)識和達(dá)到。
構(gòu)成說明書的一部分的附圖是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的，并且與上面給出的發(fā)明 內(nèi)容和下面給出的具體實(shí)施方式
一起用來解釋本發(fā)明的原理。


圖1是液晶顯示裝置的概略俯視圖。
圖2是液晶顯示裝置的概略剖視圖。
圖3是顯示面板等價電路的俯視圖。
圖4是柵極線用靜電保護(hù)電路的等價電路的俯視圖。
圖5是數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)電路的等價電路的俯視圖。
圖6是開關(guān)用薄膜晶體管的剖視圖。
圖7是柵極驅(qū)動器搭載區(qū)域的剖視圖。
圖8是柵極驅(qū)動器搭載區(qū)域的剖視圖。
圖9是數(shù)據(jù)驅(qū)動器搭載區(qū)域的剖視圖。
圖10是數(shù)據(jù)驅(qū)動器搭載區(qū)域的剖視圖。
圖11是引繞線與作為靜電保護(hù)線的共用線的重疊區(qū)域的俯視圖。
圖12是沿著圖11所示的B-B'的剖視圖。
圖13是變形例的引繞線與作為靜電保護(hù)線的共用線的重疊區(qū)域的俯視圖。
圖14是沿著圖13所示的C-C'的剖視圖。
圖15是變形例的引繞線與作為靜電保護(hù)線的共用線的重疊區(qū)域的俯視圖。
圖16是沿著圖15所示的D-D'的剖視圖。
圖17是變形例的引繞線與作為靜電保護(hù)線的共用線的重疊區(qū)域的俯視圖。
圖18是沿著圖17所示的E-E'的剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
作為本發(fā)明的顯示裝置，在圖1中表示主動(active)矩陣方式的液晶顯示裝置 的概略俯視圖，在圖2中表示其剖視圖。液晶顯示裝置1具備顯示面板2、驅(qū)動該顯示面板 2的驅(qū)動器電路3、和用來將驅(qū)動器電路3再連接到外部電路上的FPC(Flexible printed circuits)60o驅(qū)動器電路3由柵極驅(qū)動器3a和數(shù)據(jù)驅(qū)動器北構(gòu)成。并且，柵極驅(qū)動器3a和數(shù)據(jù)驅(qū)動器北分別由作為半導(dǎo)體元件的IC芯片構(gòu)成，通過COG (Chip on Glass)安裝在 顯示面板2的預(yù)先設(shè)定的區(qū)域中，搭載到顯示面板2上。
顯示面板2將有源基板4通過大致方形框狀的密封件6貼合在相對于該有源基板 4對置配置的對置基板5上。并且，在由該框狀的密封件6包圍的區(qū)域中的兩基板4、5間形 成有液晶層7。此外，通過使有源基板4的下邊部從對置基板5突出而設(shè)有突出部如。并 且，在該突出部如上搭載有驅(qū)動器電路3并且接合著FPC60。這里，在圖1中，將由雙點(diǎn)劃 線包圍的方形狀的區(qū)域表示為顯示區(qū)域8。并且，密封件6包圍該顯示區(qū)域8而設(shè)置。另 外，有源基板4和對置基板5分別由玻璃等的透明性材料形成。
圖3是顯示面板2的主要部分的等價電路的俯視圖。在顯示區(qū)域8中，以矩陣狀 排列有顯示像素。并且，在有源基板4上，各顯示像素形成有由ITO等構(gòu)成的透明性的像素 電極9、和源電極S連接在該像素電極9上的nMOS型的開關(guān)用薄膜晶體管10。開關(guān)用薄膜 晶體管10的柵電極G連接在柵極線11上、并且漏電極D連接在數(shù)據(jù)線12上。這里，柵極 線11是將從柵極驅(qū)動器3a輸出的掃描信號傳送給開關(guān)用薄膜晶體管11的，并使對應(yīng)于像 素行沿行方向延伸，而在有源基板4上形成有多個。此外，數(shù)據(jù)線12是將從數(shù)據(jù)驅(qū)動器北 輸出的灰階信號經(jīng)由開關(guān)用薄膜晶體管10傳送給像素電極9的，并使對應(yīng)于像素列沿列方 向延伸，而在有源基板4上形成有多個。
另外，突出部如設(shè)在顯示面板2的各邊中的相對于柵極線11延伸的方向而平行 的一邊側(cè)。此外，在突出部如上，設(shè)有搭載柵極驅(qū)動器3a的柵極驅(qū)動器搭載區(qū)域13和搭 載數(shù)據(jù)驅(qū)動器北的數(shù)據(jù)驅(qū)動器搭載區(qū)域14。
這里，在圖3中，像素電極9僅圖示了 5個X3個是為了圖面的明了化，實(shí)際上排 列有幾百個X幾百個或更多的個數(shù)。在有源基板4上的顯示區(qū)域8的周圍，設(shè)有方形框狀 的作為靜電保護(hù)環(huán)的共用線15、以及與其連接的連接墊板16。連接墊板16經(jīng)由基板間導(dǎo) 通件連接在設(shè)于對置基板5的與有源基板4的對置面上的由ITO等構(gòu)成的透明性的共用電 極17上。即，設(shè)定為使共用線15和共用電極17成為相等的電壓。
柵極線11連接在繞過顯示區(qū)域8、而從該柵極線11的一個端部朝向突出部如的 柵極引繞線18上。并且，柵極線11經(jīng)由柵極引繞線18電連接在排列于突出部如的柵極 驅(qū)動器搭載區(qū)域13中的柵極輸出端子19上。
此外，數(shù)據(jù)線12連接在從該數(shù)據(jù)線12的一個端部朝向突出部如的數(shù)據(jù)引繞線20 上。并且，數(shù)據(jù)線12經(jīng)由數(shù)據(jù)引繞線20電連接在排列于突出部如的數(shù)據(jù)驅(qū)動器搭載區(qū)域 14中的數(shù)據(jù)輸出端子21上。
另外，柵極輸出端子19是用來將柵極線11與搭載在柵極驅(qū)動器搭載區(qū)域13中的 柵極驅(qū)動器3a經(jīng)由柵極引繞線18電連接的連接端子，將柵極驅(qū)動器3a輸出掃描信號的該 柵極驅(qū)動器3a中的規(guī)定的連接端子在COG安裝時連接到該柵極輸出端子19上。此外，數(shù) 據(jù)輸出端子21是用來將數(shù)據(jù)線12與搭載在數(shù)據(jù)驅(qū)動器搭載區(qū)域14中的數(shù)據(jù)驅(qū)動器北經(jīng) 由數(shù)據(jù)引繞線20電連接的連接端子，將數(shù)據(jù)驅(qū)動器北輸出灰階信號的該數(shù)據(jù)驅(qū)動器北中 的規(guī)定的連接端子在COG安裝時連接到該數(shù)據(jù)輸出端子21上。
在柵極驅(qū)動器搭載區(qū)域13中，設(shè)有柵極輸入端子22，以使其平行于柵極輸出端子 19的排列方向。柵極輸入端子22是用來將經(jīng)由FPC60從外部電路傳送來的信號輸入到柵 極驅(qū)動器3a中的連接端子，連接在柵極驅(qū)動器3a中的規(guī)定的連接端子上。此外，柵極輸入端子22經(jīng)由朝向有源基板4的端部延伸的第1輸入線23連接在柵極用外部連接端子24 上。并且，柵極用外部連接端子M連接在形成于FPC60上的規(guī)定的連接端子上。
在數(shù)據(jù)驅(qū)動器搭載區(qū)域14中，設(shè)有數(shù)據(jù)輸入端子25，以使其平行于數(shù)據(jù)輸出端子 21的排列方向。數(shù)據(jù)輸入端子25是用來將經(jīng)由FPC60從外部電路傳送來的信號輸入到數(shù) 據(jù)驅(qū)動器北中的連接端子，連接在數(shù)據(jù)驅(qū)動器北的規(guī)定的連接端子上。此外，數(shù)據(jù)輸入端 子25經(jīng)由朝向有源基板4的端部延伸的第2輸入線沈連接在數(shù)據(jù)用外部連接端子27上。 并且，數(shù)據(jù)用外部連接端子27連接在形成于FPC60上的規(guī)定的連接端子上。
圖4是設(shè)在柵極驅(qū)動器搭載區(qū)域13中的柵極線用靜電保護(hù)電路觀的等價電路的 俯視圖。柵極線用靜電保護(hù)電路觀具有柵極線用靜電保護(hù)線四、二極管連接型薄膜晶體管 30、和第1浮動?xùn)艠O型薄膜晶體管31。
二極管連接型薄膜晶體管30的柵電極G和漏電極D通過柵極輸出端子19相互連 接，并且也連接在該柵極輸出端子19上，源電極S連接在柵極線用靜電保護(hù)線四上。此外， 第1浮動?xùn)艠O型薄膜晶體管31的柵電極G被從周圍絕緣而成為浮動?xùn)艠O，漏電極D連接在 柵極輸出端子19上，源電極S連接在柵極線用靜電保護(hù)線四上。即，二極管連接型薄膜晶 體管30和第1浮動?xùn)艠O型薄膜晶體管31在柵極輸出端子19與柵極線用靜電保護(hù)線四之 間并列地連接。
柵極線用靜電保護(hù)線四的一端部經(jīng)由連接用薄膜晶體管32及連接用引繞線33 連接在共用線15上。在此情況下，連接用薄膜晶體管32的柵電極G及漏電極D連接在柵 極線用靜電保護(hù)線四上，源電極S經(jīng)由第1連接用引繞線33連接在共用線15上。
圖5是設(shè)在數(shù)據(jù)驅(qū)動器搭載區(qū)域14中的數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)電路34的等價電路的 俯視圖。數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)電路34具有數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35、和第2浮動?xùn)艠O型薄膜晶 體管36。
第2浮動?xùn)艠O型薄膜晶體管36，柵電極G被從周圍絕緣而成為浮動?xùn)艠O，漏電極D 連接在數(shù)據(jù)輸出端子21上，源電極S連接在數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35上。
數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35的一端部經(jīng)由并列設(shè)置的第1、第2連接用薄膜晶體管 37、38及第2連接用引繞線39，連接在共用線15上。在此情況下，第1連接用薄膜晶體管 37的柵電極G和漏電極D連接在數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35上，源電極S經(jīng)由第2連接用引繞 線39連接在共用線15上。此外，第2連接用薄膜晶體管38的柵電極G和漏電極D經(jīng)由第 2連接用引繞線39連接在共用線15上，源電極S連接在數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35上。
接著，對該顯示面板2中的顯示像素的具體的層結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖6是開關(guān)用薄 膜晶體管10及像素電極9的剖視圖。在由玻璃等構(gòu)成的有源基板4的與對置基板5的對 置面的規(guī)定的部位上，作為第1導(dǎo)電層，設(shè)有由鉬或鉻等構(gòu)成的柵電極G、和連接在該柵電 極G上的柵極線11。這里，柵極引繞線18與連接在該柵極引繞線18上的柵極線11同樣作 為第1導(dǎo)電層而形成。
在第1導(dǎo)電層的上層設(shè)有由氮化硅構(gòu)成的柵極絕緣膜40。在柵極絕緣膜40的上 層設(shè)有由本征非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體薄膜41。在對應(yīng)于半導(dǎo)體薄膜41的區(qū)域的上層中央部 設(shè)有由氮化硅構(gòu)成的溝道保護(hù)膜42。
在對應(yīng)于溝道保護(hù)膜42的區(qū)域的上層兩側(cè)及其兩側(cè)的半導(dǎo)體薄膜41的區(qū)域中設(shè) 有由η型非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層43、44。在一個歐姆接觸層43的上層及其附近的柵極絕緣膜40的上層的規(guī)定的部位上設(shè)有由鉬或鉻等構(gòu)成的源電極S。在另一個歐姆接觸層44 的上層及柵極絕緣膜40的上層的規(guī)定的部位上設(shè)有由鉬或鉻等構(gòu)成的漏電極D、連接在該 漏電極D上的數(shù)據(jù)線12。
這里，開關(guān)用薄膜晶體管10由柵電極G、柵極絕緣膜40、半導(dǎo)體薄膜41、溝道保護(hù) 膜42、歐姆接觸層43、44、源電極S及漏電極D構(gòu)成。此外，源電極S、漏電極D及數(shù)據(jù)線12 形成為第2導(dǎo)電層。這里，數(shù)據(jù)引繞線20與連接在該數(shù)據(jù)引繞線20上的數(shù)據(jù)線12同樣形 成為第2導(dǎo)電層。
在開關(guān)用薄膜晶體管10及數(shù)據(jù)線12的上層設(shè)有由氮化硅構(gòu)成的外覆膜45。在外 覆膜45的上層的規(guī)定的部位上設(shè)有由ITO等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的像素電極9。像素電極 9經(jīng)由設(shè)在外覆膜45的規(guī)定的部位上的接觸孔46連接在源電極S上。
接著，對柵極驅(qū)動器搭載區(qū)域13的具體的層結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖7是設(shè)在柵極驅(qū)動 器搭載區(qū)域13中的柵極線用靜電保護(hù)線四、二極管連接型薄膜晶體管30、第1浮動?xùn)艠O型 薄膜晶體管31及柵極輸出端子19的剖視圖。二極管連接型薄膜晶體管30及第1浮動?xùn)?極型薄膜晶體管31具有與開關(guān)用薄膜晶體管10大致同樣的層結(jié)構(gòu)，由作為上述第1導(dǎo)電 層的柵電極G、柵極絕緣膜40、半導(dǎo)體薄膜41、溝道保護(hù)膜42、歐姆接觸層43、44、作為上述 第2導(dǎo)電層的源電極S及漏電極D構(gòu)成。
柵極輸出端子19為層疊了在有源基板4的與對置基板5的對置面上作為上述第 1導(dǎo)電層設(shè)置的由鉬或鉻等構(gòu)成的下層金屬層19a、和在經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜40上的接觸 孔47從該柵極絕緣膜40露出的區(qū)域的下層金屬層19a及其周圍的柵極絕緣膜40的上層 作為上述第2導(dǎo)電層設(shè)置的由鉬或鉻等構(gòu)成的上層金屬層19b的2層構(gòu)造。并且，下層金 屬層19a連接在同樣作為第1導(dǎo)電層設(shè)置的柵極引繞線18上。此外，上層金屬層19b的一 部分經(jīng)由設(shè)在外覆膜45上的開口部48從該外覆膜45露出。柵極線用靜電保護(hù)線四由作 為上述第2導(dǎo)電層設(shè)在柵極絕緣膜40的上層上的鉬或鉻等的金屬層。
并且，二極管連接型薄膜晶體管30經(jīng)由與作為第1導(dǎo)電層的柵電極G同樣作為 第1導(dǎo)電層形成的由鉬或鉻等構(gòu)成的引繞線49，連接在柵極輸出端子19的下層金屬層19a 上。此外，漏電極D連接在柵極輸出端子19的上層金屬層19b上，源電極S連接在柵極線 用靜電保護(hù)線四上。第1浮動?xùn)艠O型薄膜晶體管31的柵電極G被從周圍絕緣而成為浮動 柵極。此外，漏電極D連接在柵極輸出端子19的上層金屬層19b上，源電極S連接在柵極 線用靜電保護(hù)線四上。
圖8是設(shè)在柵極驅(qū)動器搭載區(qū)域13中的連接用薄膜晶體管32、柵極線用靜電保護(hù) 線四及第1連接用引繞線33的剖視圖。連接用薄膜晶體管32具有與開關(guān)用薄膜晶體管 10大致同樣的層結(jié)構(gòu)，由作為上述第1導(dǎo)電層的柵電極G、柵極絕緣膜40、半導(dǎo)體薄膜41、 溝道保護(hù)膜42、歐姆接觸層43、44、作為上述第2導(dǎo)電層的源電極S及漏電極D構(gòu)成。第1 連接用引繞線33由作為上述第1導(dǎo)電層設(shè)置的鉬或鉻等的金屬層構(gòu)成。
設(shè)在柵極絕緣膜40的上層的柵極線用靜電保護(hù)線四的一端部連接在連接用薄膜 晶體管32的漏電極D上，并且經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜40上的接觸孔49而連接在連接用薄膜 晶體管32的柵電極G上。并且，連接用薄膜晶體管32的源電極S經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜40 上的接觸孔50連接在第1連接用引繞線33上。
接著，對數(shù)據(jù)驅(qū)動器搭載區(qū)域14的具體的層結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖9是第2浮動?xùn)艠O型薄膜晶體管36、數(shù)據(jù)輸出端子21及數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35的剖視圖。第2浮動?xùn)艠O型 薄膜晶體管36具有與開關(guān)用薄膜晶體管10大致同樣的層結(jié)構(gòu)，由作為上述第1導(dǎo)電層的 柵電極G、柵極絕緣膜40、半導(dǎo)體薄膜41、溝道保護(hù)膜42、歐姆接觸層43、44、作為上述第2 導(dǎo)電層的源電極S及漏電極D構(gòu)成。
數(shù)據(jù)輸出端子21由作為上述第2導(dǎo)電層而設(shè)在柵極絕緣膜40的上層的鉬或鉻等 的金屬層構(gòu)成，連接在同樣作為第2導(dǎo)電層設(shè)置的數(shù)據(jù)引繞線20上。此外，該金屬層的一部 分經(jīng)由設(shè)在外覆膜45上的開口部5從該外覆膜45露出。數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35由作為 上述第2導(dǎo)電層而設(shè)在柵極絕緣膜40的上層上的鉬或鉻等的金屬層構(gòu)成。連接在數(shù)據(jù)輸 出端子21上。第2浮動?xùn)艠O型薄膜晶體管36的柵電極G被從周圍絕緣而成為浮動?xùn)艠O。 此外，漏電極D連接在數(shù)據(jù)輸出端子15上，源電極S經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜40上的接觸孔52 連接在數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35上。
圖10是設(shè)在數(shù)據(jù)驅(qū)動器搭載區(qū)域14中的第1、第2連接用薄膜晶體管37、38、數(shù) 據(jù)線用靜電保護(hù)線35及第2連接用引繞線39的剖視圖。第1、第2連接用薄膜晶體管37、 38具有與開關(guān)用薄膜晶體管10大致同樣的層結(jié)構(gòu)，由作為上述第1導(dǎo)電層的柵電極G、柵 極絕緣膜40、半導(dǎo)體薄膜41、溝道保護(hù)膜42、歐姆接觸層43、44、作為上述第2導(dǎo)電層的源 電極S及漏電極D構(gòu)成。第2連接用引繞線39由作為上述第1導(dǎo)電層設(shè)置的鉬或鉻等的 金屬層構(gòu)成。
第1連接用薄膜晶體管37的柵電極G連接在數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35上。此外， 第2連接用薄膜晶體管44的柵電極G連接在第2連接用引繞線39上。并且，第1連接用 薄膜晶體管43的源電極S和第2連接用薄膜晶體管44的漏電極D經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜51 上的接觸孔53連接在第2連接用引繞線39上。此外，第1連接用薄膜晶體管43的漏電極 D和第2連接用薄膜晶體管44的源電極經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜40上的同一個接觸孔54(在 圖10中為了圖示的方便而設(shè)為不同)連接在數(shù)據(jù)線用靜電保護(hù)線35上。
回到圖3，作為靜電保護(hù)環(huán)的共用線15在與有源基板4和對置基板5重疊的區(qū)域 中，具有與數(shù)據(jù)線12平行地延伸的第1線區(qū)域1 及第2線區(qū)域15b、和與柵極線11平行 地延伸的第3線區(qū)域15c及第4線區(qū)域15d。
第1線區(qū)域15a及第2線區(qū)域15b由作為上述第2導(dǎo)電層設(shè)置的鉬或鉻等的金屬 層構(gòu)成。此外，第3線區(qū)域15c及第4線區(qū)域15d由作為上述第1導(dǎo)電層設(shè)置的鉬或鉻等 的金屬層構(gòu)成。并且，第1線區(qū)域1 在與第3線區(qū)域15c交叉的位置Pl處經(jīng)由設(shè)在柵極 絕緣膜40上的接觸孔連接在該第3線區(qū)域15c上，并且在與第4線區(qū)域15d交叉的位置P2 處經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜40上的接觸孔連接在該第4線區(qū)域15d上。此外，第2線區(qū)域1 在與第3線區(qū)域15c交叉的位置P3處經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜40上的接觸孔連接在該第3線 區(qū)域15c上，并且在與第4線區(qū)域15d交叉的位置P4處經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜40上的接觸 孔連接在該第4線區(qū)域15d上。
S卩，第1線區(qū)域1 及第2線區(qū)域1 在柵極線11延伸的方向的部位處、相對于 作為第1導(dǎo)電層設(shè)置的柵極引繞線18可立體交叉地構(gòu)成。此外，第3線區(qū)域15c及第4線 區(qū)域15d在數(shù)據(jù)線12延伸的方向的部位處、相對于作為第2導(dǎo)電層設(shè)置的數(shù)據(jù)引繞線20 可立體交叉地構(gòu)成。另外，在圖3中，表示了第1線區(qū)域1 相對于柵極引繞線18立體交 叉、第3線區(qū)域15c相對于數(shù)據(jù)引繞線20立體交叉的例子。
在第1線區(qū)域15a與柵極引繞線18立體交叉的區(qū)域15R中，柵極引繞線18將與 第1線區(qū)域15a的經(jīng)由柵極絕緣膜40的重疊面積，設(shè)定為與從對應(yīng)于該柵極引繞線18的 柵極線11到對應(yīng)于該柵極引繞線18的柵極輸出端子19的距離相對應(yīng)的面積。
例如，如圖11、圖12，將柵極引繞線18的長度設(shè)定為，使得在以柵極引繞線18a > 柵極引繞線18b >柵極引繞線18c >柵極引繞線18d >柵極引繞線18e的順序較長的情況 下、與第1線區(qū)域15a的經(jīng)由柵極絕緣膜40的重疊面積以柵極引繞線18e >柵極引繞線 18d >柵極引繞線18c >柵極引繞線18b >柵極引繞線18a的順序變大。
更具體地講，與第1線區(qū)域15a重疊的區(qū)域中的柵極引繞線18的配線寬度形成 為，使其以柵極引繞線18e >柵極引繞線18d >柵極引繞線18c >柵極引繞線18b >柵極 引繞線18a的順序變大。
這里，在與第1線區(qū)域1 和柵極引繞線18立體交叉的區(qū)域15R不同的區(qū)域中， 各柵極引繞線18的配線寬度形成為相等。
此外，共用線15由一定(固定)的配線寬度形成。
S卩，將柵極引繞線18的配線寬度通過該柵極引繞線18與共用線15重疊的區(qū)域 15R調(diào)節(jié)，以使從柵極線11到對應(yīng)于該柵極線的柵極輸入端子19之間的柵極引繞線18的 時間常數(shù)RC、即柵極引繞線18的電阻R與向該柵極引繞線18的寄生電容C的乘積RC在 各柵極線11間相等。由此，能夠使輸入到TFTlO中的作為掃描信號的開啟信號的執(zhí)行(有 效)電壓在各柵極線11間相等，即使將柵極線11與柵極驅(qū)動器3a之間電連接的第1引繞 線18的配線長度依各行而不同，也能夠抑制顯示品質(zhì)的下降。
此外，由于在與柵極引繞線18必定交叉的作為靜電保護(hù)環(huán)的共用線15的重疊區(qū) 域中調(diào)節(jié)對應(yīng)于各柵極線11的時間常數(shù)，所以不需要新設(shè)置時間常數(shù)的調(diào)節(jié)區(qū)域，并能夠 防止裝置的尺寸變大。此外，由于調(diào)節(jié)柵極引繞線18的配線寬度本身，所以不需要設(shè)置用 來調(diào)節(jié)時間常數(shù)的新的層，還能夠防止制造工序數(shù)増加。
另外，在上述實(shí)施方式中在共用線15與柵極引繞線18立體交叉的區(qū)域15R中，對 調(diào)節(jié)了柵極引繞線18的配線寬度的情況進(jìn)行了說明，但如圖13、圖14所示，也可以做成調(diào) 節(jié)共用線15的配線寬度的結(jié)構(gòu)。
即，在柵極引繞線18的長度，以柵極引繞線18a >柵極引繞線18b >柵極引繞線 18c >柵極引繞線18d >柵極引繞線18e的順序?yàn)殚L的情況下，將第1線區(qū)域15a的配線寬 度形成為，使得以與柵極引繞線18e重疊的區(qū)域>與柵極引繞線18d重疊的區(qū)域>與柵極 引繞線18c重疊的區(qū)域>與柵極引繞線18b重疊的區(qū)域>與柵極引繞線18a重疊的區(qū)域的 順序變大。
另外，此時各柵極引繞線18的配線寬度形成為相互相等。
此外，在上述實(shí)施方式中，對于通過部分地使用第1導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層而形成作 為靜電保護(hù)線的共用線15的情況進(jìn)行了說明，但也可以作為其他層的導(dǎo)電層形成。例如， 也可以在第2導(dǎo)電層與像素電極9之間形成第3導(dǎo)電層、將該第3導(dǎo)電層作為共用線15形 成。
此外，在上述實(shí)施方式中，對對應(yīng)于柵極引繞線18的配線長度、按照各柵極線而 區(qū)域15R中的柵極引繞線18的配線寬度不同的情況進(jìn)行了說明，但也可以做成將柵極引繞 線18基于其配線長度按照規(guī)定的長度范圍分組化、調(diào)節(jié)區(qū)域15R中的柵極引繞線18的配線寬度、以使得在各組間配線寬度相互不同并且在相同的組內(nèi)配線寬度相互相等的結(jié)構(gòu)。 雖然達(dá)不到使各第1柵極引繞線的時間常數(shù)RC必定一致，但能夠使配線設(shè)計變得容易、并 且使各第1柵極引繞線的時間常數(shù)RC相互接近，是優(yōu)選的。
此外，在上述實(shí)施方式中，對于共用線15形成為使其將顯示區(qū)域8完全包圍的情 況進(jìn)行了說明，但共用線15如圖15、圖16、圖17、圖18所示，也可以構(gòu)成為對應(yīng)于配線長度 最長的柵極引繞線18的配置區(qū)域而形成斷線區(qū)域15x的。不論怎樣，只要相比配線長度長 的第1柵極引繞線、將配線長度短的第1柵極引繞線與共用線的重疊面積形成大的，就能夠 使配線長度長的第1柵極引繞線與配線長度短的第1柵極引繞線之間的時間常數(shù)接近，由 此，在相互對應(yīng)的柵極線間能夠使作為掃描信號的開啟信號的執(zhí)行電壓接近。
本申請基于2009年9月觀日提出申請的日本專利申請第2009-223022號并主張 其優(yōu)先權(quán)，這里引用其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于， 具備第1柵極線，沿預(yù)先設(shè)定的方向延伸； 第2柵極線，與上述第1柵極線平行地延伸； 第1柵極輸出端子，對應(yīng)于上述第1柵極線； 第2柵極輸出端子，對應(yīng)于上述第2柵極線；第1柵極引繞線，將上述第1柵極線與上述第1柵極輸出端子電連接； 第2柵極引繞線，將上述第2柵極線與上述第2柵極輸出端子電連接，并且配線長度被 形成為比上述第1柵極引繞線的配線長度長；以及靜電保護(hù)環(huán)，被配置成在與上述第1柵極引繞線之間及與上述第2柵極引繞線之間介 入絕緣層，并與上述第1柵極引繞線及上述第2柵極引繞線重疊；上述第1柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊的面積比上述第2柵極引繞線與上述靜電 保護(hù)環(huán)重疊的面積大。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述第1柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊的區(qū)域中的上述第1柵極引繞線的配線寬 度比上述第2柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊的區(qū)域中的上述第2柵極引繞線的配線寬度寬。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 上述靜電保護(hù)環(huán)的配線寬度是一定的。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，上述第1柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)不重疊的區(qū)域中的上述第1柵極引繞線的配線 寬度，和上述第2柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)不重疊的區(qū)域中的上述第2柵極引繞線的 配線寬度相等。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述靜電保護(hù)環(huán)與上述第1柵極引繞線重疊的區(qū)域中的上述靜電保護(hù)環(huán)的寬度，比上 述靜電保護(hù)環(huán)與上述第2柵極引繞線重疊的區(qū)域中的上述靜電保護(hù)環(huán)的寬度寬。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，上述第1柵極引繞線的配線寬度與上述第2柵極引繞線的配線寬度相等。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，相對于上述第1柵極引繞線的時間常數(shù)與相對于上述第2柵極引繞線的時間常數(shù)設(shè)定 為相等。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述靜電保護(hù)環(huán)形成為，使其包圍顯示區(qū)域。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 上述靜電保護(hù)環(huán)被設(shè)定為與共用電極相同的電壓。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，引繞上述第1柵極引繞線及上述第2柵極引繞線，以使其繞過顯示區(qū)域。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述靜電保護(hù)環(huán)經(jīng)由靜電保護(hù)電路連接在上述第1柵極線及上述第2柵極線上。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述靜電保護(hù)環(huán)具有形成為與數(shù)據(jù)線同一層的線區(qū)域；上述第1柵極引繞線及上述第2柵極引繞線在上述線區(qū)域與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊。
13.—種顯示裝置，其特征在于，具備多個柵極線，對形成在顯示像素中的薄膜晶體管傳送掃描信號； 多個柵極引繞線，將上述柵極線與預(yù)先設(shè)定的柵極輸出端子之間電連接；以及 靜電保護(hù)環(huán)，與上述多個柵極引繞線立體交叉；上述多個柵極引繞線，配線長度是相互不同的，且與上述靜電保護(hù)環(huán)立體交叉的區(qū)域 的面積是相互不同的。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其特征在于，與配線長度長的柵極引繞線相比，配線長度短的柵極引繞線的與上述靜電保護(hù)環(huán)立體 交叉的區(qū)域的面積更大。
15.一種顯示裝置，其特征在于，具備 多個像素電極；共用電極；液晶層，設(shè)置在上述多個像素電極與上述共用電極之間； 多個薄膜晶體管，源電極連接在對應(yīng)的上述像素電極上； 多個柵極線，連接在對應(yīng)的上述薄膜晶體管的柵電極上； 多個柵極輸出端子；多個柵極引繞線，將對應(yīng)的上述柵極線與對應(yīng)的上述柵極輸出端子電連接，并且相互 的配線長度不同；以及共用線，設(shè)定為與上述共用電極相等的電壓，并且與上述多個柵極引繞線立體交叉； 上述多個柵極引繞線，與上述共用線立體交叉的區(qū)域的面積是相互不同的。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其特征在于，與配線長度長的柵極引繞線相比，配線長度短的柵極引繞線的與上述共用線立體交叉 的區(qū)域的面積大。
17.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其特征在于，具備連接在對應(yīng)的上述薄膜晶體管的漏電極上的多個數(shù)據(jù)線； 上述共用線具有被形成為與上述多個數(shù)據(jù)線同一層的線區(qū)域； 上述多個柵極引繞線在上述線區(qū)域與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于，上述線區(qū)域被形成為比上述多個柵極引繞線接近于上述液晶層的層。
全文摘要
一種顯示裝置，具備第1柵極線，沿預(yù)先設(shè)定的方向延伸；第2柵極線，與上述第1柵極線平行地延伸；第1柵極輸出端子，對應(yīng)于上述第1柵極線；第2柵極輸出端子，對應(yīng)于上述第2柵極線；第1柵極引繞線，將上述第1柵極線與上述第1柵極輸出端子電連接；第2柵極引繞線，將上述第2柵極線與上述第2柵極輸出端子電連接，并且配線長度被形成為比上述第1柵極引繞線的配線長度長；以及靜電保護(hù)環(huán)，被配置成在與上述第1柵極引繞線之間及與上述第2柵極引繞線之間介入絕緣層，并與上述第1柵極引繞線及上述第2柵極引繞線重疊；上述第1柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊的面積比上述第2柵極引繞線與上述靜電保護(hù)環(huán)重疊的面積大。
文檔編號H01L27/12GK102033377SQ201010298079
公開日2011年4月27日 申請日期2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月28日
發(fā)明者渡邊仁, 石井裕滿 申請人:卡西歐計算機(jī)株式會社