專利名稱：單色led芯片及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體照明領域，特別涉及一種LED芯片及其制作方法。
背景技術：
發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)是一種能夠將電能轉化為可見光的固 態(tài)半導體器件。由于其具有體積小、耗電量低及使用壽命長的優(yōu)點，已逐漸代替?zhèn)鹘y(tǒng)光源而 被越來越廣泛地應用于照明領域。在授權公告號為CN 1251838C的中國專利中公開了一種現(xiàn)有技術的LED芯片結構 示意圖，以藍色LED為例，請參考圖1，包括襯底10，所述襯底10為n-SiC襯底，所述襯底 10具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；緩沖層11，位于所述襯底10的第一表面 上，所述緩沖層11為η型GaN ；有源層12，位于所述緩沖層11上方，所述有源層12為多量 子阱有源層，其材質為P型GaN ；帽層13，位于所述有源層12上，所述帽層13的材質為ρ型 GaN ；微透鏡16，位于所述帽層13上，所述微透鏡16的材質為有機樹脂材料；負電極14，位 于所述襯底10的第二表面；正電極15，位于微透鏡14兩側的帽層13上。通過在負電極14 以及正電極15在所述緩沖層11和帽層13施加電壓，使得LED的有源層12發(fā)藍光。所述 有源層12發(fā)出的光線經過帽層13以及微透鏡16透射出去。由于微透鏡16 —般采用有機樹脂材料，其高溫下容易變形，造成LED芯片光學性 能的不穩(wěn)定性，并且現(xiàn)有的LED芯片的亮度低、發(fā)光強度低。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種了單色LED芯片及其制作方法，解決了微透鏡在高 溫下容易變形的問題，改善了 LED芯片的光學穩(wěn)定性，提高了 LED芯片發(fā)光強度和亮度。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種單色LED芯片，包括襯底，所述襯底的材質為透明材質；集成微透鏡，位于所述襯底一側的表面上，所述集成微透鏡的材質與所述襯底的 材質相同；緩沖層，位于所述襯底另一側的表面上；有源層，位于所述緩沖層遠離所述襯底的表面上；帽層，位于所述有源層遠離所述襯底的表面上；正電極，所述正電極與所述帽層電連接；負電極，所述負電極與所述緩沖層電連接?？蛇x地，所述正電極位于所述帽層遠離所述襯底的一側的表面上?？蛇x地，所述負電極位于所述緩沖層遠離所述襯底一側的表面上?？蛇x地，還包括抗反射層，位于所述帽層遠離襯底一側的表面上?？蛇x地，所述抗反射層的材質為金屬。可選地，還包括基座、位于基座上的正電極焊墊和負電極焊墊，所述正電極通過導電膠與正電極焊墊電連接，所述負電極通過導電膠與負電極焊墊電連接?？蛇x地，所述基座的材質為半導體材質，所述正電極焊墊和負電極焊墊的材質為 金屬，所述導電膠的材質為導電銀膠、導電鋁膠?？蛇x地，所述襯底的材質為藍寶石、砷化鎵、氮化鋁、氧化鋅、碳化硅或硅。相應地，本發(fā)明還提供一種單色LED芯片的制作方法，包括提供襯底，所述襯底的材質為透明材質；在所述襯底一側的表面依次形成緩沖層、有源層、帽層、負電極和正電極，所述正 電極與所述帽層電連接，所述負電極與所述緩沖層電連接；在所述襯底另一側的表面形成集成微透鏡?？蛇x地，所述正電極形成于所述帽層遠離襯底的表面上?？蛇x地，所述負電極形成于所述緩沖層遠離襯底的表面上。可選地，還包括在所述帽層遠離所述襯底一側的表面形成抗反射層的步驟。可選地，所述抗反射層的材質為金屬。可選地，還包括提供基座，所述基座上形成有正電極焊墊和負電極焊墊；
利用導電膠將所述正電極與所述正電極焊墊電連接；利用導電膠將所述負電極與所述負電極焊墊電連接。可選地，所述基座的材質為半導體材質，所述正電極焊墊和負電極焊墊的材質為 金屬，所述導電膠的材質為導電銀膠、導電鋁膠?？蛇x地，所述襯底的材質為藍寶石、砷化鎵、氮化鋁、氧化鋅、碳化硅或硅?？蛇x地，所述集成微透鏡為對所述襯底另一側的表面進行刻蝕獲得?？蛇x地，所述集成微透鏡的制作方法包括在所述襯底另一側的表面光刻形成多個厚度為2 4微米、直徑為50 200微米 的光刻膠圓臺；在溫度為150 200攝氏度范圍內，對所述光刻膠圓臺烘烤，使得所述圓臺變?yōu)榍?冠狀光刻膠；以所述球冠狀光刻膠為掩模，等離子刻蝕所述襯底另一側的表面，在刻蝕后的所 述襯底另一側的表面形成集成微透鏡。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明的LED芯片結構包括襯底，所述襯 底一側的表面上具有集成微透鏡，所述襯底另一側表面上依次形成緩沖層、有源層、帽層， 所述有源層發(fā)出的光線經過緩沖層、襯底、集成微透鏡發(fā)射出去，由于襯底的材質與集成微 透鏡的材質相同，光線在襯底與集成微透鏡的交界面不會形成全反射，有源層發(fā)出的光線 能夠全部發(fā)射出去，而現(xiàn)有技術的LED芯片結構在同一側表面依次設置緩沖層、有源層、帽 層、微透鏡，由于現(xiàn)有技術的帽層和微透鏡的材質不同，且帽層和微透鏡的交界面平坦，因 此現(xiàn)有技術光線在帽層和微透鏡層交界面容易形成全反射，從而現(xiàn)有技術的有源層發(fā)出的 光線不能全部發(fā)射出去，因此，本發(fā)明的LED芯片提高了光線的利用率，提高了 LED芯片的 發(fā)光強度和亮度；由于本發(fā)明的微透鏡的材質與襯底相同，所述材質可以為藍寶石、砷化鎵、氮化 鋁、氧化鋅、碳化硅或硅，從而提高了微透鏡的可靠性，與現(xiàn)有技術的微透鏡的材質為有機
5樹脂相比，本發(fā)明的微透鏡高溫下不易變形，增加了微透鏡的使用壽命，并提高了 LED芯片 的光學可靠性；進一步地，在所述有源層遠離襯底的一側形成抗反射層，避免有源層發(fā)出的 光線向抗反射層的一側傳播，使所述光線全部透過襯底和微透鏡，進一步提高了 LED芯片 的發(fā)光強度和亮度。


圖1是現(xiàn)有技術的單色LED芯片的結構示意圖。圖2是本發(fā)明一個實施例的單色LED芯片的結構示意圖。圖3是圖2沿AA線的剖面結構示意圖。圖4是本發(fā)明的單色LED芯片制作方法流程示意圖。圖5 圖8是本發(fā)明的單色LED芯片制作方法剖面結構示意圖。
具體實施例方式發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的LED芯片通常利用有機樹脂材料作為微透鏡，由于樹脂材料 高溫下容易發(fā)生變形，使得現(xiàn)有的LED芯片的光學性能不穩(wěn)定。并且微透鏡與下方的帽層 的交界面平坦且兩者的材質不同，使得有源層發(fā)出的光線在微透鏡與帽層的交界面容易形 成全反射，使得光線被反射回有源層，而無法有效將有源層發(fā)出的光線完全透射出，造成有 源層發(fā)出的光線利用率不高，影響LED芯片發(fā)光強度。對應地，本發(fā)明的發(fā)明人提出一種單色LED芯片，包括襯底，所述襯底的材質為透明材質；集成微透鏡，位于所述襯底一側的表面上，所述集成微透鏡的材質與所述襯底的 材質相同；緩沖層，位于所述襯底另一側的表面上；有源層，位于所述緩沖層遠離所述襯底的表面上；帽層，位于所述有源層遠離所述襯底的表面上；正電極，所述正電極與所述帽層電連接；負電極，所述負電極與所述緩沖層電連接。下面將結合具體實施對本發(fā)明的技術方案進行說明。請參考圖2，為本發(fā)明的一個 實施例的單色LED芯片的結構示意圖。所述LED芯片包括襯底201、集成微透鏡202、緩沖層203、有源層204、帽層205、 負電極206和正電極207。所述襯底201的材質為透明材質，所述襯底201 —側的表面具有 集成微透鏡202，所述襯底201另一側的表面依次設置有緩沖層203、有源層204、帽層205， 依次位于所述襯底201的與所述集成微透鏡202相對的側面。所述襯底201的材質為透明 材質，所述集成微透鏡202的材質與所述襯底201的材質相同。所述負電極205與所述緩 沖層203電連接，所述正電極207與所述帽層205電連接。具體地，作為一個實施例，所述襯底201的材質可以為氧化鋁(Al2O3，藍寶石)。 在其他的實施例中，所述襯底201的材質還可以為碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁 (AlN)、氧化鋅(ZnO)、硅。作為優(yōu)選的實施例，所述集成微透鏡202與所述襯底201為一體的結構，即所述集成微透鏡202通過對所述襯底201的一側的表面刻蝕形成；并且，由于集成微透鏡202與所 述襯底201形成一體的結構，即兩者之間沒有交界面，這樣消除了光線在襯底201與集成微 透鏡202的交界面形成全反射的問題，提高了 LED芯片光線的利用率。由于集成微透鏡202的材質與襯底201的材質相同，所述襯底201的材質為氧化 鋁(Al2O3，藍寶石)、碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)或硅，使得 所述集成微透鏡202不易變形，提高了 LED芯片的光學可靠性。在其他的實施例中，所述襯底201與微透鏡202還可以為相互獨立的結構，兩者利 用相同的材質分別制作，并且通過粘合的方式結合。雖然在襯底201與微透鏡202粘合的 交界面會有少量的光線反射，但是由于兩者的材質相同，所述反射的光線占LED芯片光線 的比例較少，對LED的光線利用率和發(fā)光強度的影響較小。由于襯底201與微透鏡202的 材質相同，大大減小了由于現(xiàn)有技術由于微透鏡和襯底201的材質不同在兩者交界面造成 的全反射，提高了 LED芯片的光線的利用率和發(fā)光強度。作為一個實施例，所述緩沖層203用于減小所述襯底201與有緣層204之間的應 力，并且所述緩沖層203用于與帽層205配合，在兩者之間的有源層204施加電壓，形成發(fā) 光二極管。所述緩沖層203完全覆蓋所述襯底201的與所述集成微透鏡202相對一側的表 面。本實施中，所述緩沖層203的材質為η型GaN，例如是η型Alaci9GEta91I所述有源層204用于在外部電壓的作用下發(fā)出光線。所述有源層204位于緩沖層 203遠離所述襯底201 —側的表面，所述有源層204部分覆蓋所述緩沖層203。本實施例中， 所述有源層204在外部電壓的作用下，發(fā)出藍色光線。所述有源層204的材質為ρ型GaN， 例如是P型InGaN。根據(jù)LED芯片顏色的實際需要，通過改變襯底及有源層材料，所述有源 層204還可以發(fā)出其他顏色的光線，例如紅色光線、綠色光線，所述有源層204的材質為本 領域技術人員的公知技術，在此不做詳細說明。作為一個實施例，所述帽層205用于與緩沖層203配合，在兩者之間的有源層204 施加電壓，形成發(fā)光二極管。所述帽層205的材質為ρ型GaN層，所述帽層205位于所述有 源層204遠離所述襯底201的一側的表面，所述帽層205覆蓋所述有源層204。作為優(yōu)選的實施例，所述LED芯片結構還包括位于所述有源層204遠離襯底201 一側的表面的抗反射層208、位于所述抗反射層208和緩沖層203遠離所述襯底201 —側的 表面的電介質層209、導電膠210、基座213、位于所述基座213上的負電極焊墊211和正電 極焊墊212。所述導電膠210將所述負電極焊墊211與所述負電極206電連接，所述導電膠 210將所述正電極焊墊212與所述正電極207電連接。具體地，所述抗反射層208的材質為金屬。所述金屬可以為鎳、金、鈦、鋁、銀或包 含鎳、金、鈦、鋁、銀的化合物等。所述抗反射層208可以防止有源層204發(fā)出的光線從襯底 201的遠離集成微透鏡202的一側透過，從而使得有源層204發(fā)出的光線全部透過襯底201 和集成微透鏡202，提高LED芯片的光線利用率和發(fā)光強度。所述電介質層209覆蓋部分緩沖層203(即所述有源層204未覆蓋的部分緩沖層 203)，且所述電介質層209覆蓋所述抗反射層208。所述電介質層209的材質為電學絕緣物 質，例如是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等。所述負電極206位于所述緩沖層203遠離襯底201的一側表面。所述負電極206 貫穿所述電介質層209。所述負電極206的材質為金屬，例如是鎢、銅、鋁等。所述負電極206將所述緩沖層203與位于基座213內外部驅動電路電連接，所述外部驅動電極213用于 對所述LED芯片的正電極207和負電極206施加控制信號。本實施例中，所述負電極206 通過導電膠210與負電極焊墊211電連接，并通過負電極焊墊211接收外部驅動電路的驅 動信號。所述正電極207形成于所述帽層205遠離襯底201的一側表面。所述正電極209 貫穿所述電介質層209和抗反射層208。所述正電極207的材質為金屬，例如金、銅、鋁、鈦 等。所述正電極207用于將所述帽層205與外部驅動電路電連接。所述正電極207通過導 電膠210與正電極焊墊212電連接，并通過正電極焊墊212接收外部驅動電路的驅動信號。由于所述正電極207和抗反射層208的材質均為金屬，且所述正電極207貫穿所 述抗反射層208，所述正電極207能夠通過抗反射層208與下方的帽層205電連接，一方面， 增大了正電極207與帽層205之間的接觸面積，減小了正電極207與帽層205之間的接觸 電阻，另一方面，提高了正電極207與帽層205之間的電連接的可靠性，防止正電極207與 帽層205之間接觸不良導致的LED芯片無法正常顯示，提高了 LED芯片的發(fā)光可靠性。作為一個實施例，所述基座213的材質為半導體材質，例如是硅、鍺或其他半導體 材料。所述正電極焊墊211和負電極焊墊212的材質為金屬，所述金屬可以為鋁、銅、銅鋁 合金等各種導電金屬。所述導電膠210的材質可以為導電銀膠、導電鋁膠等。需要說明的是，本實施例中，所述正電極207形成于抗反射層208、電介質層209 內、所述負電極206形成于所述電介質層209內，作為本發(fā)明的其他實施例，所述正電極207 還可以形成于基座213上，且與所述正電極焊墊212電連接，所述負電極206還可以形成于 所述基座213上，且與所述負電極焊墊211電連接，所述正電極207通過額外的導電膠與帽 層205電連接，所述負電極206通過額外的導電膠與緩沖層電連接。參考圖3，為圖2沿AA的剖面結構示意圖。所述正電極207貫穿所述抗反射層 208，所述負電極206位于所述抗反射層208的外部。需要說明的是，所述正電極207、負電 極206還可以有其他的布局方式。作為一個實施例，(結合圖2)，所述有源層204完全覆蓋 所述襯底201、所述帽層205位于有源層204表面，所述有源層204和帽層205內具有通孔， 所述負電極206位于所述通孔內，且負電極206與通孔之間具有電介質層。作為又一實施 例，當所述抗反射層208的材質為金屬時，所述正電極209還可以位于所述抗反射層208遠 離襯底201 —側的表面或部分正電極207位于所述抗反射層208內，所述正電極207通過 抗反射層208與帽層205電連接。相應地，本發(fā)明還提供一種單色LED芯片制作方法。請參考圖4，為本發(fā)明的單色 LED芯片制作方法流程示意圖，所述方法包括步驟Si，提供襯底，所述襯底的材質為透明材質；步驟S2，在所述襯底一側的表面依次形成緩沖層、有源層、帽層、負電極和正電極， 所述正電極與所述帽層電連接，所述負電極與所述緩沖層電連接；步驟S3，在所述襯底另一側的表面形成集成微透鏡。下面將結合具體的實施例對本發(fā)明的技術方案進行詳細地說明。請參考圖5 圖 8，為本發(fā)明的LED芯片制作方法剖面結構示意圖。首先，參考圖5，提供襯底201，所述襯底201為透明材質。所述襯底201可以為藍 寶石、砷化鎵、氮化鋁、氧化鋅、碳化硅或硅。所述襯底201的一側表面將會在后續(xù)的步驟中 依次形成緩沖層、有源層、帽層、負電極和正電極，另一側表面將會利用刻蝕方法，形成集成微透鏡，即圖中201a示出的部分最終將會被刻蝕去除。然后，參考圖6，在所述襯底201 —側的表面上依次形成緩沖層203、有源層204、帽 層205、負電極206、正電極207。具體地，所述緩沖層203完全覆蓋所述襯底201。所述緩沖層203用于減小所述襯 底201與后續(xù)形成的有緣層之間的應力，并且所述緩沖層203用于與后續(xù)形成的帽層配合， 在兩者之間的有源層施加電壓，形成發(fā)光二極管。所述緩沖層203的材質為η型GaN，例如 是η型Alaci9Giia91^作為一個實施例，所述緩沖層203的制作方法為有機物化學氣相沉積 (MOCVD)的方法。所述有源層204部分覆蓋所述緩沖層203，所述有源層204露出的部分緩沖層203 后續(xù)用于形成負電極。所述有源層的材質為P型GaN，例如是hGaN。作為一個實施例，所 述有源層204利用金屬有機物化學氣相沉積的方法制作。所述帽層205位于所述有源層204上，所述帽層的205的材質為ρ型GaN，其制作 方法為金屬有機物化學氣相沉積的方法。作為優(yōu)選的實施例，在形成所述帽層204后，形成覆蓋所述帽層204的抗反射層 208，以提高所述LED芯片的發(fā)光強度和光線利用率。所述抗反射層208的材質為金屬，例 如可以為鎳、金、鈦、鋁、銀或含有鎳、金、鈦、鋁、銀的化合物。所述抗反射層208的制作方法 為物理氣相沉積(PVD)方法。作為優(yōu)選的實施例，在形成抗反射層208后，形成覆蓋所述抗反射層208和部分緩 沖層203(即所述有源層204未覆蓋的部分緩沖層)的電介質層209。所述電介質層209的 材質為電學絕緣物質，例如是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等。所述電介質層209的制 作方法為物理氣相沉積的方法或化學氣相沉積的方法。然后，仍然參考圖6，進行刻蝕工藝，在所述電介質層209內正電極通孔和負電極 通孔，所述正電極通孔形成于所述帽層205遠離襯底201的一側表面，露出帽層205的部分 表面；所述負電極通孔形成于所述緩沖層203遠離襯底201的一側表面，露出所述緩沖層 203的部分表面。接著，在所述正電極通孔和負電極通孔內填充金屬，分別在所述帽層205遠離襯 底201的一側表面形成正電極207和所述緩沖層203遠離襯底201的一側表面形成負電極 208。所述金屬可以為金、銅、鋁、鈦等。所述負電極206與所述緩沖層203電連接，所述正電極207與所述帽層205電連 接。所述正電極207和負電極206還可以有其他的制作方法。例如當抗反射層208的材質 為金屬時，所述正電極207可以直接形成于所述抗反射層208表面，通過所述抗反射層208 與帽層205電連接。然后，請參考圖7，在所述襯底201另一側的表面形成集成微透鏡202。所述集成 微透鏡202的制作方法為在所述襯底201的另一側的表面形成厚度為2 4微米，直徑為 50 200微米光刻膠圓臺(圖中未示)；在溫度為150 200攝氏度范圍內，對所述光刻膠 圓臺烘烤；所述光刻膠圓臺在高于光刻膠的玻璃軟化溫度下，由于表面張力的作用形成球 冠狀，之后以所述經烘烤的光刻膠圓臺，即球冠狀的光刻膠為掩膜對所述襯底201進行離 子束刻蝕，形成集成微透鏡202，透鏡厚度為3 5微米。所述透鏡厚度是集成微透鏡202 的沿垂直于襯底201的表面的最大尺寸。其中，“以所述球冠狀的光刻膠為掩膜，對所述襯底201進行離子束刻蝕”具體為以所述球冠狀光刻膠為掩膜，對所述球冠狀光刻膠與所述 襯底進行保形刻蝕，即對光刻膠與襯底的刻蝕速率基本相同，因此在襯底上形成與球冠狀 光刻膠基本相同的微透鏡。在其他的實施例中，所述集成微透鏡202還可以利用與所述襯底201的材質相同 的材質的另一襯底刻蝕形成，然后利用粘合的方式與所述襯底201 —側的表面結合。然后，參考圖8，提供基座213，所述基座213上形成有負電極焊墊211和正電極焊 墊 212 ；利用導電膠210，將所述正電極207與所述正電極焊墊212電連接，將所述負電極 206與所述負電極焊墊202電連接。本實施例中，所述基座213的材質為半導體材質，所述半導體材質可以為硅、鍺 等。所述正電極焊墊212和負電極焊墊211的材質為金屬，所述金屬可以為銅、鋁等。所述 導電膠210可以為導電銀膠或導電鋁膠。綜上，本發(fā)明提供的單色LED芯片在襯底的兩側分別形成與所述襯底材質相同的 集成微透鏡，所述襯底的材質為透明材質，所述襯底另一側的表面形成有有源層，所述有源 層發(fā)出的光線可以全部透過集成微透鏡發(fā)射出去，減小表面反射，提高了 LED芯片的發(fā)光 強度和亮度。本發(fā)明的單色LED芯片的光線利用率高，發(fā)光強度大。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域 技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā) 明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明 的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案 的保護范圍。
權利要求
1.一種單色LED芯片，其特征在于，包括 襯底，所述襯底的材質為透明材質；集成微透鏡，位于所述襯底的一側的表面上，所述集成微透鏡的材質與所述襯底的材 質相同；緩沖層，位于所述襯底另一側的表面上； 有源層，位于所述緩沖層遠離所述襯底的表面上； 帽層，位于所述有源層遠離所述襯底的表面上； 正電極，所述正電極與所述帽層電連接； 負電極，所述負電極與所述緩沖層電連接。
2.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，所述正電極位于所述帽層遠離所述 襯底的一側的表面上。
3.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，所述負電極位于所述緩沖層遠離所 述襯底的一側的表面上。
4.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，還包括抗反射層，位于所述帽層 遠離襯底的一側的表面上。
5.如權利要求4所述的單色LED芯片，其特征在于，所述抗反射層的材質為金屬。
6.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，還包括基座、位于基座上的正電 極焊墊和負電極焊墊，所述正電極通過導電膠與正電極焊墊電連接，所述負電極通過導電 膠與負電極焊墊電連接。
7.如權利要求6所述的單色LED芯片，其特征在于，所述基座的材質為半導體材質，所 述正電極焊墊和負電極焊墊的材質為金屬，所述導電膠的材質為導電銀膠、導電鋁膠。
8.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，所述襯底的材質為藍寶石、砷化鎵、 氮化鋁、氧化鋅、碳化硅或硅。
9.一種單色LED芯片的制作方法，其特征在于，包括 提供襯底，所述襯底的材質為透明材質；在所述襯底的一側的表面依次形成緩沖層、有源層、帽層、負電極和正電極，所述正電 極與所述帽層電連接，所述負電極與所述緩沖層電連接； 在所述襯底另一側的表面形成集成微透鏡。
10.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述正電極形成于所 述帽層遠離襯底的表面上。
11.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述負電極形成于所 述緩沖層遠離襯底的表面上。
12.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，還包括在所述帽層 遠離所述襯底的一側的表面形成抗反射層的步驟。
13.如權利要求12所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述抗反射層的材質 為金屬。
14.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，還包括 提供基座，所述基座上形成有正電極焊墊和負電極焊墊；利用導電膠將所述正電極與所述正電極焊墊電連接；利用導電膠將所述負電極與所述負電極焊墊電連接。
15.如權利要求14所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述基座的材質為半 導體材質，所述正電極焊墊和負電極焊墊的材質為金屬，所述導電膠的材質為導電銀膠、導 電鋁膠。
16.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述襯底的材質為藍 寶石、砷化鎵、氮化鋁、氧化鋅、碳化硅或硅。
17.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述集成微透鏡為對 所述襯底另一側的表面進行刻蝕獲得。
18.如權利要求17所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述集成微透鏡的制 作方法包括在所述襯底另一側的表面光刻形成多個厚度為2 4微米、直徑為50 200微米的光 刻膠圓臺；在溫度為150 200攝氏度范圍內，對所述光刻膠圓臺烘烤，使得所述圓臺變?yōu)榍蚬跔?光刻膠；以所述球冠狀光刻膠為掩模，等離子刻蝕所述襯底另一側的表面，在刻蝕后的所述襯 底另一側的表面形成集成微透鏡。
全文摘要
本發(fā)明提供一種單色LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括襯底，所述襯底的材質為透明材質；集成微透鏡，位于所述襯底的一側的表面上，所述集成微透鏡的材質與所述襯底的材質相同；緩沖層，位于所述襯底另一側的表面上；有源層，位于所述緩沖層遠離所述襯底的表面上；帽層，位于所述有源層遠離所述襯底的表面上；正電極，所述正電極與所述帽層電連接；負電極，所述負電極與所述緩沖層電連接。本發(fā)明的LED芯片光線的微透鏡不容易變形，光學可靠性高，且本發(fā)明的LED芯片對光線的利用率高，發(fā)光強度大。
文檔編號H01L33/00GK102130284SQ20101050317
公開日2011年7月20日 申請日期2010年9月28日 優(yōu)先權日2010年9月28日
發(fā)明者張汝京, 肖德元 申請人:映瑞光電科技(上海)有限公司