專利名稱：發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)由于具有壽命長、耗能低等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用 于各種領(lǐng)域，尤其隨著其照明性能指標(biāo)日益大幅提高，LED在照明領(lǐng)域常用作發(fā)光裝置。在公告號(hào)為CN100461472C的中國專利中公開了一種發(fā)光二極管，參考圖1，示出 了所述專利發(fā)光二極管一實(shí)施例的示意圖，所述發(fā)光二極管包括襯底101、位于襯底101 上的二氧化硅層102、位于二氧化硅層102上的緩沖層103、位于緩沖層103上的多量子阱 有源層104、位于多量子阱有源層104上的限制層105、位于限制層105上的包層106以及 位于包層106上的接觸層107，其中所述二氧化硅層102包括相互平行、寬度漸變的第一三 角形二氧化硅層和第二三角形二氧化硅層，所述第一三角形二氧化硅層和第二三角形二氧 化硅層是通過先沉積二氧化硅材料，然后沿二氧化硅材料的(011)晶向光刻并腐蝕而得到 的；所述多量子阱層104是在選擇區(qū)域形成的，并且所述多量子阱層104是通過化學(xué)氣相沉 積方法形成的金屬有機(jī)物，可作為增益介質(zhì)，在使發(fā)光二極管在大的輸出光功率下仍然保 持較寬的輸出光譜范圍。上述專利的技術(shù)方案中，發(fā)光二極管可同時(shí)實(shí)現(xiàn)寬光譜、大功率的特性，但是由于 多量子阱有源層發(fā)出的光需要經(jīng)過限制層、包層等才能到達(dá)出光面，光透過率較低，造成發(fā) 光二極管的光利用率較低。尤其對(duì)于襯底為透光材料的發(fā)光二極管，多量子阱有源層發(fā)出的光還會(huì)經(jīng)過透明 襯底從發(fā)光二極管背面出射，進(jìn)一步造成發(fā)光二極管的光利用率較低。隨著人們環(huán)保節(jié)能意識(shí)的增強(qiáng)，如何提高發(fā)光二極管的光利用率，使發(fā)光二極管 具有高亮度、低功耗的特點(diǎn)，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種發(fā)光二極管，提高發(fā)光二極管的光利用率。為了解決上述問題，一種發(fā)光二極管，包括藍(lán)寶石襯底；依次位于藍(lán)寶石襯底上 方的緩沖層、有源層、帽層；所述發(fā)光二極管還包括多個(gè)溝槽，所述溝槽的深度至少自所述 帽層延伸至緩沖層頂部；所述發(fā)光二極管還包括位于所述溝槽內(nèi)的透光元件。還包括位于所述藍(lán)寶石襯底下方的抗反射層。所述溝槽側(cè)壁與溝槽底部夾角為120° 150°。所述透光元件在發(fā)光二極管光出射方向上包括透鏡結(jié)構(gòu)。還包括位于藍(lán)寶石襯底和緩沖層之間的外延層。還包括位于帽層上方的接觸層。所述接觸層在發(fā)光二極管的光出射方向上包括透鏡結(jié)構(gòu)。還包括第一電極、第二電極、第二電極連接件，其中，所述接觸層上包括多個(gè)透鏡，第一電極位于接觸層上處于透鏡結(jié)構(gòu)之間，所述第一電極包括用于連接電源正極的第一電 極連接端，第二電極位于溝槽底部，所述發(fā)光二極管還包括深度自帽層延伸至緩沖層的開 口，用于容納第二電極連接件，所述第二電極連接件用于連接第二電極和電源負(fù)極。 所述透光元件的透鏡結(jié)構(gòu)在光出射方向上涂覆有熒光粉。所述接觸層的透鏡結(jié)構(gòu)在光出射方向上涂覆有熒光粉。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的制造方法，包括提供藍(lán)寶石襯底；在所 述藍(lán)寶石襯底上方依次形成緩沖層、有源層、帽層；形成至少自帽層延伸至緩沖層層頂部的 溝槽；向溝槽內(nèi)填充透光材料。所述緩沖層包括N型摻雜的氮化鎵；有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱 有源層包括氮化銦鎵；所述帽層包括P型摻雜的氮化鎵。還包括在所述藍(lán)寶石襯底上方依次形成緩沖層、有源層、帽層之后，在所述藍(lán)寶石 襯底下方采用旋轉(zhuǎn)涂敷的方式形成抗反射層，所述抗反射層材料為氧化鋇。還包括在形成緩沖層之前，在所述藍(lán)寶石襯底上形成外延層，所外延層為采用金 屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積方法形成的氮化鎵薄膜。在形成帽層之后，形成溝槽之前，還要在帽層上形成接觸層，所述接觸層包括P型 摻雜的氮化鎵。在形成接觸層之后，在接觸層上形成透鏡結(jié)構(gòu)。形成透鏡結(jié)構(gòu)的步驟包括在接觸層上通過光刻形成多個(gè)圓形光刻膠臺(tái)；對(duì)所述 圓形光刻膠臺(tái)在150°C 200°C溫度下進(jìn)行烘烤，使所述圓形光刻膠臺(tái)成為球冠狀光刻膠； 以所述球冠狀光刻膠為掩膜，離子束刻蝕所述接觸層形成多個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)。向溝槽內(nèi)填充透光材料，在溫度為150°C 200°C范圍內(nèi)，高溫烘烤所述透光材 料，使所述透光材料的頂部呈透鏡結(jié)構(gòu)，形成包括透鏡結(jié)構(gòu)的透光元件。所述透光材料為環(huán)氧樹脂。還包括在形成溝槽的同時(shí)，形成深度延伸至緩沖層頂部的開口 ；在形成溝槽之后， 填充透光材料之前，在溝槽底部形成第二電極，同時(shí)在開口底部形成第二電極連接件。還包括在接觸層的透鏡結(jié)構(gòu)上涂敷熒光粉。還包括在透光元件的透鏡結(jié)構(gòu)上涂敷熒光粉。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)所述發(fā)光二極管還包括多個(gè)溝槽，所述溝 槽的深度延伸至緩沖層；以及填充于所述溝槽內(nèi)的透光元件，有源層發(fā)出的光可以通過透 光元件到達(dá)發(fā)光二極管的出光面，由于透光元件的光透過率較高，所以，所述發(fā)光二極管的 光利用率較高；此外，所述發(fā)光二極管包括藍(lán)寶石襯底以及位于藍(lán)寶石襯底下方的抗反射層，透 過藍(lán)寶石襯底的光由抗反射層反射至發(fā)光二極管的出光面，進(jìn)一步提高了發(fā)光二極管的光 利用率較高。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管一實(shí)施例的示意圖；圖2是本發(fā)明發(fā)光二極管一實(shí)施例的示意圖；圖3是圖2所示第二電極一實(shí)施例的示意圖4是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法一實(shí)施方式的流程示意圖；圖5至圖10是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法的一實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。如背景技術(shù)所說，現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管由于位于有源層上方的多層膜結(jié)構(gòu)透光 率較低，造成發(fā)光二極管光利用率不高的問題。針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括藍(lán)寶石襯底； 依次位于藍(lán)寶石襯底上方的緩沖層、有源層、帽層；深度延伸至緩沖層的溝槽以及填充于所 述溝槽內(nèi)的透光元件，其中，有源層發(fā)出的光經(jīng)過所述透光元件到達(dá)發(fā)光二極管的出光面， 由于所述透光元件的光透過率較高，提高了所述發(fā)光二極管的光利用率。參考圖2，示出了本發(fā)明發(fā)光二極管一實(shí)施例的示意圖，所述發(fā)光二極管為以藍(lán)寶 石(sapphire)為襯底的發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管為氮化鎵基的藍(lán)光二極管，包括抗反射層200，位于藍(lán)寶石襯底201的底部，用于反射透過藍(lán)寶石襯底201的光，將 透過藍(lán)寶石襯底201的光反射到發(fā)光二極管的出光面，以提高發(fā)光二極管的光利用率。外延層202，位于藍(lán)寶石襯底201上方，用于改善藍(lán)寶石襯底201與氮化鎵材料之 間晶格常數(shù)失配的問題，以獲得更適用于生長氮化鎵的表面，所述外延層一般采用低溫條 件下生長的氮化鎵薄膜。依次位于外延層202上方的緩沖層203、有源層204和帽層205，所述緩沖層203、 有源層204和帽層205構(gòu)成發(fā)光二極管的管芯，其中緩沖層203包括N型摻雜的氮化鎵，有 源層204包括多量子阱有源層，具體地，所述多量子阱有源層為氮化銦鎵，用于發(fā)出波長為 470nm的藍(lán)光，帽層205包括N型摻雜的氮化鎵。接觸層206，位于帽層205上方，用于實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管的管芯與電極的電連接，所 述接觸層206在發(fā)光二極管的光出射方向上具有多個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)。所述發(fā)光二極管包括多個(gè)溝槽，所述溝槽自接觸層206延伸至緩沖層203，所述溝 槽側(cè)壁與溝槽底部夾角為120° 150°。較佳地，所述夾角為135°。所述發(fā)光二極管還包括開口 213，所述溝槽自接觸層206延伸至緩沖層203，所述 開口 213的側(cè)壁與開口底部夾角為120° 150°。較佳地，所述夾角為135°。所述發(fā)光二極管還包括位于溝槽底部的第二電極211和位于開口底部的第二電 極連接件207，所述第二電極連接件207用于連接第二電極211和電源負(fù)極。所述發(fā)光二極管還包括位于所述溝槽內(nèi)第二電極211上的透光元件210，由于溝 槽延伸至緩沖層203，所以透光元件210延伸至緩沖層203，那么位于緩沖層203上的有源 層204發(fā)出的光可通過透光元件210到達(dá)發(fā)光二極管的出光面，由于透光元件由透光材料 制成具有高透光率，從而提高了發(fā)光二極管的光利用率。例如，從有源層A點(diǎn)發(fā)出的光，通 過透光元件210到達(dá)出光面的D點(diǎn)，具體地，所述透光材料包括環(huán)氧樹脂。此外，由于溝槽側(cè)壁與溝槽底部夾角為120° 150°，所以所述透光元件210的 側(cè)壁與底面夾角為120° 150°，所述透光元件210的側(cè)壁可將有源層204發(fā)出的光反射 到發(fā)光二極管的出光面，進(jìn)一步提高了發(fā)光二極管的光利用率。例如，從有源層A點(diǎn)發(fā)出的光，投射到透光元件210側(cè)壁上的點(diǎn)B，之后經(jīng)側(cè)壁反射后到達(dá)出光面的C點(diǎn)。較佳地，所述透光元件210在發(fā)光二極管的出光面上也包括透鏡結(jié)構(gòu)。接觸層206和透光元件210在發(fā)光二極管出光面上的透鏡結(jié)構(gòu)用于會(huì)聚光線，可 以提高發(fā)光二極管的亮度。所述發(fā)光二極管還包括位于接觸層206上的第一電極212，所述接觸層206包括多 個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)，所述第一電極211位于透鏡結(jié)構(gòu)之間，所述第一電極211還包括用于連接電源 正極的第一電極連接端。參考圖3，示出了圖2所述發(fā)光二極管沿00’的剖面示意圖，位于溝槽底部的第二 電極207圍繞緩沖層203實(shí)現(xiàn)電連接，同樣地，圍繞緩沖層203與位于開口底部的第二電極 連接件207電連接。與第二電極類似的電連接方式，第一電極212圍繞透鏡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電連接。

所述發(fā)光二極管還包括涂覆于透光元件210的透鏡結(jié)構(gòu)和/或接觸層206的透鏡 結(jié)構(gòu)上的熒光材料，所述熒光材料包括Ce3+:YAG，用于獲得藍(lán)光。所述發(fā)光二極管用于發(fā)光時(shí)，通過第一電極連接端第一電極連接至電源的正電 極、將第二電極連接件連接至電源的負(fù)電極。發(fā)光二極管管芯通過接觸層、第一電極、第一 電極連接件與電源正電極相連，通過第二電極、第二電極連接件與電源負(fù)電極相連。發(fā)光二 極管管芯中的有源層在電流作用下發(fā)光，有源層發(fā)出的光一方面透過透光元件到達(dá)發(fā)光二 極管管的出光面，另一方面透過管芯結(jié)構(gòu)及接觸層到達(dá)發(fā)光二極管的出光面，由于透光元 件的透光率高，提高了光利用率；此外，透過藍(lán)寶石襯底的光由抗反射層反射至發(fā)光二極管 的出光面，進(jìn)一步提高了光利用率。此外，位于出光面的透鏡結(jié)構(gòu)可以會(huì)聚光線，提高了發(fā)光二極管的亮度。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的制造方法，參考圖4，示出了本發(fā)明發(fā)光 二極管制造方法一實(shí)施方式的示意圖，包括以下步驟sl，提供藍(lán)寶石襯底；s2，在所述藍(lán)寶石襯底上方依次形成緩沖層、有源層、帽層；S3，形成至少自所述帽層延伸至緩沖層頂部的溝槽；s4，向溝槽內(nèi)填充透光材料。圖5至圖11是本發(fā)明發(fā)光二極管制造方法的一實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參考圖5，執(zhí)行步驟sl，提供藍(lán)寶石襯底302，由于藍(lán)寶石襯底302可以透光。參考圖6，執(zhí)行步驟s2，較佳地，為了在藍(lán)寶石襯底302上方更好的形成發(fā)光二極 管的管芯，在所述藍(lán)寶石襯底302上依次形成外延層303、緩沖層304、多量子阱有源層305、 帽層306。其中，外延層303用于改善藍(lán)寶石襯底302與氮化鎵材料之間晶格常數(shù)失配的問 題，包括低溫下形成的氮化鎵薄膜，所外延層為采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積方法低 溫條件下形成的氮化鎵薄膜。具體地，先在60(TC溫度下生長之后再90(TC溫度下生長，形 成氮化鎵薄膜。緩沖層304包括N型摻雜的氮化鎵材料，所述多量子阱有源層305包括氮化銦鎵， 所述帽層306包括P型摻雜的氮化鎵。在形成帽層306之后，在帽層306上方形成接觸層307，用于實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管的管芯與電源的電連接，所述接觸層307包括P型摻雜的氮化鎵。較佳地，所述接觸層307上形 成透鏡結(jié)構(gòu)(如圖7所示)，所述形成透鏡結(jié)構(gòu)的方法包括首先，在接觸層307上形成厚 度為2 4μπι，直徑為50 200 μ m圓形光刻膠臺(tái)；之后，在溫度為150°C 200°C范圍內(nèi)， 對(duì)所述圓形光刻膠臺(tái)烘烤，所述圓形光刻膠臺(tái)在高于光刻膠的玻璃軟化溫度下， 由于表面 張力的作用形成球冠狀；最后以所述球冠狀的光刻膠為掩膜，對(duì)所述接觸層307進(jìn)行離子 束刻蝕，形成厚度為3 5 μ m的透鏡結(jié)構(gòu)。由于藍(lán)寶石襯底302透光，為了提高光利用率，較佳地，在形成發(fā)光二極管的管芯 之后，在所述藍(lán)寶石襯底302下方形成抗反射層301，通常采用旋轉(zhuǎn)涂敷的方式在藍(lán)寶石襯 底302的下方涂敷反射層材料，之后通過烘干工藝形成抗反射層301，所述抗反射層301的 材料為氧化鋇，所述抗反射層301可以將透過藍(lán)寶石襯底302的光反射至發(fā)光二極管的光 出射面。參考圖8，執(zhí)行步驟s3，所述溝槽310的開口朝向出光面，在本具體實(shí)施例中，溝槽 310的底部位于緩沖層304內(nèi)，這樣可以保證有源層305所發(fā)出的光入射至溝槽310內(nèi)。此 夕卜，所述溝槽310側(cè)壁與底部的夾角θ為120° 150°，較佳地，所述夾角θ為135°，所 述溝槽的側(cè)壁可將有源層發(fā)出的光反射到出光面。在形成溝槽的同時(shí)，還在發(fā)光二極管邊緣處形成開口 313，所述開口 313深度延伸 到緩沖層304。具體地，采用干刻方法形成所述溝槽310和開口 313。在形成溝槽310之后，向溝槽310內(nèi)填充透光材料之前，在溝槽310底部形成第 二電極308，并且同時(shí)在開口底部形成第二電極連接件312(如圖9所示)。所述第二電極 308與第二電極連接件312相互電連接，所述第二電極308和第二電極連接件312采用鈦、 鎳、金等導(dǎo)電材料形成，通過先沉積導(dǎo)電材料、之后光刻和蝕刻的方法形成第二電極308和 第二電極連接件312。參考圖10，執(zhí)行步驟s4，向溝槽內(nèi)填充透光材料，形成透光遠(yuǎn)見，其中所述透光材 料為環(huán)氧樹脂。在本實(shí)施例中，填充好透光材料后，還包括在溫度為150°C 200°C范圍 內(nèi)，高溫烘烤所述透光材料，使所述透光材料在發(fā)光二極管的光出射方向上包括透鏡結(jié)構(gòu)。所述發(fā)光二極管包括多個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)，所述方法還包括形成在接觸層307上、位于 透鏡結(jié)構(gòu)之間的第一電極310，所述第一電極310包括第一電極連接端311。所述第一電極 310的材料為金、鎳等導(dǎo)電材料，通過在透鏡結(jié)構(gòu)309之間的接觸層上沉積導(dǎo)電材料，然后 通過光刻和蝕刻的方法形成第一電極310。所述方法還包括在接觸層的透鏡結(jié)構(gòu)、透光元件的透鏡結(jié)構(gòu)上涂敷熒光材料(圖 未示)，具體地，所述熒光材料為Ce3+:YAG。需要說明的是，上述實(shí)施例以藍(lán)色發(fā)光二極管為例，但是本發(fā)明并不限制于此，上 述實(shí)施例還可以是紅色發(fā)光二極管、黃色發(fā)光二極管，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)上述實(shí)施 例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改、替換和變形。綜上，本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管及其制造方法，所述發(fā)光二極管包括延伸至 有源層的透光元件，有源層發(fā)出的光一方面可以透過透光元件到達(dá)發(fā)光二極管的出光面， 另一方面，發(fā)光二極管包括藍(lán)寶石襯底和位于藍(lán)寶石襯底下方的抗反射層，透過藍(lán)寶石襯 底的光可由抗反射層反射至發(fā)光二極管的出光面，提高了光利用率。
此 外，發(fā)光二極管還包括位于出光面的透鏡結(jié)構(gòu)，用于會(huì)聚光線，提高了發(fā)光二極
管的亮度。雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括藍(lán)寶石襯底；依次位于藍(lán)寶石襯底上方的緩沖層、有源層、帽層；所述發(fā)光二極管還包括多個(gè)溝槽，所述溝槽的深度至少自所述帽層延伸至緩沖層頂部；所述發(fā)光二極管還包括位于所述溝槽內(nèi)的透光元件。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括位于所述藍(lán)寶石襯底下方的 抗反射層。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述溝槽側(cè)壁與溝槽底部夾角為 120° 150°。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述透光元件在發(fā)光二極管光出射 方向上包括透鏡結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括位于藍(lán)寶石襯底和緩沖層之 間的外延層。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括位于帽層上方的接觸層。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述接觸層在發(fā)光二極管的光出射 方向上包括透鏡結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括第一電極、第二電極、第二電 極連接件，其中，所述接觸層上包括多個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)，第一電極位于接觸層上處于透鏡結(jié)構(gòu)之間，所述第一電極包括用于連接電源正極的第 一電極連接端，第二電極位于溝槽底部，所述發(fā)光二極管還包括深度自帽層延伸至緩沖層的開口，用于容納第二電極連接件， 所述第二電極連接件用于連接第二電極和電源負(fù)極。
9.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述透光元件的透鏡結(jié)構(gòu)在光出射 方向上涂覆有熒光粉。
10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述接觸層的透鏡結(jié)構(gòu)在光出射方 向上涂覆有熒光粉。
11.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括提供藍(lán)寶石襯底；在所述藍(lán)寶石襯底上方依次形成緩沖層、有源層、帽層；形成至少自帽層延伸至緩沖層頂部的溝槽；向溝槽內(nèi)填充透光材料。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述緩沖層包括N型摻雜的氮化鎵； 有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層包括氮化銦鎵；所述帽層包括P型摻雜 的氮化鎵。
13.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，還包括在所述藍(lán)寶石襯底上方依次 形成緩沖層、有源層、帽層之后，在所述藍(lán)寶石襯底下方采用旋轉(zhuǎn)涂敷的方式形成抗反射 層，所述抗反射層材料為氧化鋇。
14.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，還包括在形成緩沖層之前，在所述藍(lán) 寶石襯底上形成外延層，所外延層為采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積方法形成的氮化鎵薄膜。
15.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，在形成帽層之后，形成溝槽之前，還 要在帽層上形成接觸層，所述接觸層包括P型摻雜的氮化鎵。
16.如權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，在形成接觸層之后，在接觸層上形成 透鏡結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，形成透鏡結(jié)構(gòu)的步驟包括在接觸層 上通過光刻形成多個(gè)圓形光刻膠臺(tái)；對(duì)所述圓形光刻膠臺(tái)在150°C 200°C溫度下進(jìn)行烘烤，使所述圓形光刻膠臺(tái)成為球 冠狀光刻膠；以所述球冠狀光刻膠為掩膜，離子束刻蝕所述接觸層形成多個(gè)透鏡。
18.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，向溝槽內(nèi)填充透光材料之后，在溫度 為150°C 200°C范圍內(nèi)，高溫烘烤所述透光材料，使所述透光材料的頂部呈透鏡結(jié)構(gòu)，形 成包括透鏡結(jié)構(gòu)的透光元件。
19.如權(quán)利要求11或18所述的制造方法，其特征在于，所述透光材料為環(huán)氧樹脂。
20.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，還包括在形成溝槽的同時(shí)，形成深 度延伸至緩沖層頂部的開口 ；在形成溝槽之后，填充透光材料之前，在溝槽底部形成第二電 極，同時(shí)在開口底部形成第二電極連接件。
21.如權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，還包括在接觸層的透鏡結(jié)構(gòu)上涂敷 熒光粉。
22.如權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于，還包括在透光元件的透鏡結(jié)構(gòu)上涂 敷熒光粉。
全文摘要
一種發(fā)光二極管及其制造方法，所述發(fā)光二極管包括藍(lán)寶石襯底；依次位于藍(lán)寶石襯底上方的緩沖層、有源層、帽層；所述發(fā)光二極管還包括多個(gè)溝槽，所述溝槽的深度至少自所述帽層延伸至緩沖層頂部；所述發(fā)光二極管還包括位于所述溝槽內(nèi)的透光元件。一種發(fā)光二極管的制造方法，包括提供藍(lán)寶石襯底；在所述藍(lán)寶石襯底上方依次形成緩沖層、有源層、帽層；形成至少自帽層延伸至緩沖層層頂部的溝槽；向溝槽內(nèi)填充透光材料。本發(fā)明中，有源層發(fā)出的光可透過透光元件到達(dá)發(fā)光二極管的出光面，提高了發(fā)光二極管的光利用率。
文檔編號(hào)H01L33/20GK102130250SQ20101050377
公開日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者張汝京, 肖德元 申請(qǐng)人:映瑞光電科技(上海)有限公司